DK200201097A - Ved digilfri zonetrækning fremstillet enkrystal af silicium - Google Patents

Ved digilfri zonetrækning fremstillet enkrystal af silicium Download PDF

Info

Publication number
DK200201097A
DK200201097A DK200201097A DKPA200201097A DK200201097A DK 200201097 A DK200201097 A DK 200201097A DK 200201097 A DK200201097 A DK 200201097A DK PA200201097 A DKPA200201097 A DK PA200201097A DK 200201097 A DK200201097 A DK 200201097A
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
single crystal
silicon
digilefree
made single
drawing made
Prior art date
Application number
DK200201097A
Other languages
English (en)
Inventor
Ludwig Altmannshofer
Manfred Grundner
Janis Virbulis
Original Assignee
Wacker Siltronic Halbleitermat
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=7694102&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DK200201097(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Wacker Siltronic Halbleitermat filed Critical Wacker Siltronic Halbleitermat
Publication of DK200201097A publication Critical patent/DK200201097A/da
Priority to DK201000179A priority Critical patent/DK177854B1/da
Application granted granted Critical
Publication of DK176944B1 publication Critical patent/DK176944B1/da

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/26—Stirring of the molten zone
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

Patentkrav
Ved digelfri zonetrækning fremstillet enkrystal af silicium, kendetegnet ved, at enkrystallen har en diameter på mindst 200 mm over en længde på mindst 200 mm og er forskydningsfri i dette område.
Skive af silicium, skilt fra en enkrystal ifølge krav 1.
Enkrystal af silicium med en diameter på mindst 200 mm over en længde på mindst 200 mm, som i dette længdeområde er forskydningsfri, og som kan fås ved en fremgangsmåde, ved hvilken enkrystallen fremstilles ved digelfri zone¬ trækning i en recipient, i hvilken en atmosfære af indifferent gas og nitrogen udøver et tryk på 1,5 til 2,2 bar, idet atmosfæren udskiftes kontinuerligt, og der derved opnås mindst 2 ganges udskiftning af recipientens rumfang pr. time, og der anvendes en fladspole med en ydre diameter på mindst 220 mm til op- smeltning af en forrådsstav, og enkrystallen trækkes med en hastighed i et om¬ råde fra 1,4 til 2,2 mm pr. minut og drejes periodisk med en række drejnings¬ vinkler, og drejningsretningen skifter efter hver drejning med en drejningsvinkel i rækken, hvorved et skifte i drejningsretningen definerer et vendepunkt på en- krystallens omkreds, og der opstår mindst et tilbagevendende mønster af ven¬ depunkter, ved hvilket vendepunkterne ligger fordelt på rette linier, der er rettet parallelt med z-aksen og er i indbyrdes ensartet afstand.
Enkrystal ifølge krav 3, ved hvilken der anvendes en forrådsstav med en dia¬ meter på mindst 145 mm.
Enkrystal ifølge krav 3 eller krav 4, ved hvilken trykket i recipienten udgør 1,5 til 2,0 bar.
Enkrystal ifølge et af kravene 3 til 5, ved hvilken der opretholdes en laminar gasstrømning langs recipientens vægge.
Enkrystal ifølge et af kravene 3 til 6, ved hvilken koncentrationen af nitrogen i recipienten udgør 0,1 til 0,4 rumfangsprocent.
Enkrystal ifølge et af kravene 3 til 7, ved hvilken fladspolens ydre diameter ud¬ gør 240 til 280 mm.
Enkrystal ifølge et af kravene 3 til 8, ved hvilken trækhastigheden udgør 1,4 til 2,2 mm pr. minut.
Enkrystal iføtge et af kravene 3 til 9, ved hvilken enkrystallen drejes med skif¬ tende drejningsretning, og skiftene i drejningsretningen er fordelt homogent over enkrystallens omkreds og danner et periodisk tilbagevendende mønster.
DKPA200201097A 2001-08-02 2002-07-12 Ved digilfri zonetrækning fremstillet enkrystal af silicium DK176944B1 (da)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DK201000179A DK177854B1 (da) 2001-08-02 2010-03-05 Ved digelfri zonetrækning fremstillet enkrystal af silicium

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10137856 2001-08-02
DE10137856A DE10137856B4 (de) 2001-08-02 2001-08-02 Durch tiegelloses Zonenziehen hergestellter Einkristall aus Silicium

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DK200201097A true DK200201097A (da) 2003-02-03
DK176944B1 DK176944B1 (da) 2010-06-14

Family

ID=7694102

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DKPA200201097A DK176944B1 (da) 2001-08-02 2002-07-12 Ved digilfri zonetrækning fremstillet enkrystal af silicium
DK201000179A DK177854B1 (da) 2001-08-02 2010-03-05 Ved digelfri zonetrækning fremstillet enkrystal af silicium

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK201000179A DK177854B1 (da) 2001-08-02 2010-03-05 Ved digelfri zonetrækning fremstillet enkrystal af silicium

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6840998B2 (da)
JP (3) JP4404529B2 (da)
DE (1) DE10137856B4 (da)
DK (2) DK176944B1 (da)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10137856B4 (de) * 2001-08-02 2007-12-13 Siltronic Ag Durch tiegelloses Zonenziehen hergestellter Einkristall aus Silicium
US20040186813A1 (en) * 2003-02-26 2004-09-23 Tedesco Daniel E. Image analysis method and apparatus in a network that is structured with multiple layers and differentially weighted neurons
JP4407188B2 (ja) * 2003-07-23 2010-02-03 信越半導体株式会社 シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ
JP4982034B2 (ja) * 2004-03-30 2012-07-25 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP4604700B2 (ja) * 2004-12-17 2011-01-05 信越半導体株式会社 単結晶製造装置及び単結晶製造方法
JP2006169060A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Shin Etsu Handotai Co Ltd 単結晶製造装置及び単結晶製造方法
DE102005063346B4 (de) * 2005-04-06 2010-10-28 Pv Silicon Forschungs Und Produktions Gmbh Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen Si-Scheibe mit annähernd rundem polygonalem Querschnitt
JP4581977B2 (ja) * 2005-11-24 2010-11-17 信越半導体株式会社 シリコン単結晶の製造方法
JP5296992B2 (ja) 2007-01-31 2013-09-25 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコン結晶素材及びその製造方法
CN101680108A (zh) * 2007-04-13 2010-03-24 Topsil半导体材料股份公司 生产单晶的方法和设备
JP5318365B2 (ja) 2007-04-24 2013-10-16 Ｓｕｍｃｏ Ｔｅｃｈｘｉｖ株式会社 シリコン結晶素材及びこれを用いたｆｚシリコン単結晶の製造方法
JP4831203B2 (ja) * 2009-04-24 2011-12-07 信越半導体株式会社 半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置
DE102009037286A1 (de) 2009-08-12 2011-02-24 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Silicium durch Zonenziehen und Einkristall aus Silicium
JP5246209B2 (ja) * 2010-06-10 2013-07-24 信越半導体株式会社 半導体単結晶棒の製造方法
JP5375889B2 (ja) * 2010-12-28 2013-12-25 信越半導体株式会社 単結晶の製造方法
EP2679706B1 (en) * 2011-02-23 2018-10-31 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Method for manufacturing n-type silicon single crystal
JP5234148B2 (ja) * 2011-08-04 2013-07-10 信越半導体株式会社 半導体単結晶の製造方法および半導体単結晶の製造装置
CN103114325A (zh) * 2013-02-25 2013-05-22 天津市环欧半导体材料技术有限公司 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
DE102014226419A1 (de) * 2014-12-18 2016-06-23 Siltronic Ag Verfahren zum Züchten eines Einkristalls durch Kristallisieren des Einkristalls aus einer Fließzone
WO2017137438A1 (en) 2016-02-08 2017-08-17 Topsil Globalwafers A/S A phosphorus doped silicon single crystal
EP3208366A1 (en) 2016-02-16 2017-08-23 Siltronic AG Fz silicon and method to prepare fz silicon
JP7727373B2 (ja) * 2020-06-23 2025-08-21 信越化学工業株式会社 単結晶シリコンの製造方法
DK4144894T3 (da) 2021-09-07 2025-09-08 Siltronic Ag Fremgangsmåde til fremstilling af et silicium-enkeltkrystal

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3007377A1 (de) * 1980-02-27 1981-09-03 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und vorrichtung zum tiegelfreien zonenschmelzen eines siliciumstabes
JPS6230698A (ja) * 1985-07-31 1987-02-09 Fujitsu Ltd 単結晶成長法
DE3805118A1 (de) * 1988-02-18 1989-08-24 Wacker Chemitronic Verfahren zum tiegelfreien zonenziehen von halbleiterstaeben und induktionsheizspule zu seiner durchfuehrung
JP2807688B2 (ja) * 1990-02-26 1998-10-08 住友シチックス株式会社 結晶製造に用いる酸素供給物
JP2883910B2 (ja) * 1990-03-30 1999-04-19 株式会社住友シチックス尼崎 単結晶シリコンの製造方法
DE4318184A1 (de) * 1993-06-01 1994-12-08 Wacker Chemitronic Verfahren und Vorrichtung zum Ziehen von Einkristallen
JPH07291783A (ja) * 1994-04-21 1995-11-07 Sumitomo Metal Ind Ltd シリコン単結晶およびその製造方法
JP2820027B2 (ja) * 1994-05-24 1998-11-05 信越半導体株式会社 半導体単結晶の成長方法
JP2754163B2 (ja) * 1994-05-31 1998-05-20 信越半導体株式会社 高周波誘導加熱コイル
US5487355A (en) * 1995-03-03 1996-01-30 Motorola, Inc. Semiconductor crystal growth method
US5578284A (en) * 1995-06-07 1996-11-26 Memc Electronic Materials, Inc. Silicon single crystal having eliminated dislocation in its neck
DE19538020A1 (de) * 1995-10-12 1997-04-17 Wacker Siltronic Halbleitermat Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Einkristallen aus Silicium
JP3245866B2 (ja) * 1996-02-29 2002-01-15 住友金属工業株式会社 単結晶引き上げ方法及び単結晶引き上げ装置
JP2973917B2 (ja) * 1996-03-15 1999-11-08 住友金属工業株式会社 単結晶引き上げ方法
US5935321A (en) * 1997-08-01 1999-08-10 Motorola, Inc. Single crystal ingot and method for growing the same
DE19737581B4 (de) * 1997-08-28 2007-03-08 Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp. Verfahren zum (Aus)Ziehen eines Einkristalls
JP3267225B2 (ja) * 1997-12-26 2002-03-18 住友金属工業株式会社 単結晶引き上げ方法、及び単結晶引き上げ装置
JP3065076B1 (ja) * 1999-05-13 2000-07-12 住友金属工業株式会社 単結晶引き上げ方法及び単結晶引き上げ装置
JP2001163696A (ja) * 1999-12-09 2001-06-19 Toshiba Ceramics Co Ltd シリコン単結晶引上装置及びこの装置を用いたシリコン単結晶製造方法
JP4521933B2 (ja) * 2000-02-22 2010-08-11 エム・イー・エム・シー株式会社 シリコン単結晶の成長方法
DE10137856B4 (de) * 2001-08-02 2007-12-13 Siltronic Ag Durch tiegelloses Zonenziehen hergestellter Einkristall aus Silicium

Also Published As

Publication number Publication date
DE10137856B4 (de) 2007-12-13
JP2009227581A (ja) 2009-10-08
JP4404529B2 (ja) 2010-01-27
US6840998B2 (en) 2005-01-11
JP2003055089A (ja) 2003-02-26
DK177854B1 (da) 2014-09-29
DK176944B1 (da) 2010-06-14
JP2014133702A (ja) 2014-07-24
JP5568253B2 (ja) 2014-08-06
DK201000179A (da) 2010-03-05
US20030024469A1 (en) 2003-02-06
DE10137856A1 (de) 2003-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK200201097A (da) Ved digilfri zonetrækning fremstillet enkrystal af silicium
BR0206934B1 (pt) centrifugador, dispositivo de centrifugação interna de fibras minerais, e, processo de formação de fibras minerais.
Jensen et al. Porosity engineering in glancing angle deposition thin films
KR920006239A (ko) 다공성 유리예형을 제조하기 위한 방법 및 장치
EP0822003B1 (en) Method and device for the controlled break-up of liquid jets
US20130244541A1 (en) Systems and methods for correcting slider parallelism error using compensation lapping
CN108139712B (zh) 用于机械钟表机芯的振荡器
JP2010513886A5 (da)
KR950015116B1 (ko) 심레스와이어루프(seamless wire loops)의 제조방법
JP2007513257A5 (da)
JP2018531390A6 (ja) 機械時計ムーブメント用の振動子
CN102380915A (zh) 一种扭转形态的切割用金属丝及其制作装置和制作方法
JP2006189425A (ja) 標準校正リーク
KR940702469A (ko) 대형고순도 석영글라스판, 그 제조방법 및 제조장치
ES2232129T5 (es) Aparato para formar un velo de fibras vitreas artificiales.
US8591288B2 (en) Method and device for mechanically processing diamond
DK200201059A (da) Fremgangsmåde og apparat til fremstilling af en enkrystal
JPH01138110A (ja) ダイヤモンド製パイプおよびその製造法
JP2001191240A5 (da)
EP1925697A4 (en) ALN CRYSTAL AND PRODUCTION METHOD THEREFOR AND ALN CRYSTAL SUBSTRATE
ES2447426T3 (es) Dispositivo de formación de fieltros de fibras
CN106257349A (zh) 包括改进的仿形车削步骤的制造方法
RU2005136369A (ru) Устройство для получения кристалла фторида
KR20240120928A (ko) 천일염 자동 생산시스템
JP2001260077A5 (da)

Legal Events

Date Code Title Description
PUP Patent expired

Expiry date: 20220712