PATENTKRAV: 1. Fremgangsmåde til fremstilling af en énkrystal af halvledermateriale, ved hvilken andele af en smeltemasse, der holdes flydende af en trækspole, størkner på en podekrystal under dannelse af den voksende énkrystal, og granulat smeltes for at vedligeholde énkrystallens vækst, kendetegnet ved, at det smeltende granulat ledes forsinket til smeltemassen. 2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, kendetegnet ved, at det smeltende granulat ledes til smeltemassen gennem et kanalsystem. 3. Fremgangsmåde ifølge krav 2, kendetegnet ved, at det smeltende granulat ledes til smeltemassen gennem et mæanderformigt kanalystem. 4. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1 til 3, kendetegnet ved, at det smeltende granulat må overvinde mindst én barriere på vejen til smeltemassen. 5. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1 til 4, kendetegnet ved, at det smeltende granulat må tilbagelægge en vejstrækning på mindst 25 mm, inden det når smeltemassen. 6. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1 til 5, kendetegnet ved, at granulatet tilføres smeltemassen fuldstændig smeltet. 7. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1 til 6, kendetegnet ved, at smeltningen af granulatet og opretholdelsen af smeltemassen i flydende tilstand sker ved induktiv energitilførsel, idet de to processer er induktivt afkoblet. 8. Fremgangsmåde ifølge et af kravene 1 til 7, kendetegnet ved, at granulatet smeltes i et ydre område afen beholder, som er anbragt over den voksende énkrystal, og ledes til en central åbning i beholderen og derfra til smeltemassen. 9. Apparat til fremstilling af en énkrystal med en over den voksende énkrystal anbragt beholder og en transportindretning til tilførsel af granulat til beholderen og en opsmeltningsspole til smeltning af granulatet og en trækspole til at holde en smeltemasse på den voksende énkrystal, idet det smeltende granulat gennem åbninger i beholderen og trækspolen kommer til smeltemassen under dannelse af en smeltehals, og størknende andele af smeltemassen vedligeholder énkrystallens vækst, kendetegnet ved, at beholderen har en indretning, som forhaler blanding af det smeltede granulat og smeltemassen. 10. Apparat ifølge krav 9, kendetegnet ved et beskyttelsesskjold, der støvtæt adskiller et rum omkring beholderen fra et rum omkring den voksende énkrystal. 11. Fremgangsmåde ifølge krav 9 eller krav 10, kendetegnet ved afdækninger, der er anbragt over opsmeltespolen, og som granulatet rammer ved tilførsel til beholderen. 12. Apparat ifølge et af kravene 9 til 11, kendetegnet ved en indretning til afkøling af beholderen. 13. Apparat ifølge krav 12, kendetegnet ved en vandkølet metalplade, der er adskilt fra beholderen af en snæver spalte og derved bevirker en strålings- og konvektionskøling. 14. Apparat ifølge krav 9, kendetegnet ved, at beholderen er lejret drejeligt om en omdrejningsakse og består af kvarts og har vægge af kvarts, som deler beholderens indre rum i koncentriske områder, idet disse områder står i forbindelse med hinanden og danner et kanalystem, som det smeltende granulat må overvinde, inden det kan nå til smeltemassen mellem åbningen i beholderen og en stav af halvledermateriale, der stikker gennem åbningen. 15. Apparat ifølge krav 14, kendetegnet ved, at beholderens omdrejningsakse er vippet en vinkei a. 16. Apparat ifølge krav 9, kendetegnet ved, at beholderen består af en plade af halvledermateriale, der kan afkøles, og vægge af kvarts, som opdeler beholderens indre rum i koncentriske områder, idet disse områder står i forbindelse med hinanden og danner et kanalsystem, som det smeltende granulat må overvinde, inden det kan nå til smeltemassen gennem åbningen i beholderen, der er udformet som rørstykke, og at der findes en strålingsopvarmning til opvarmning af en overflade af smeltehalsen og af gennem rørstykket strømmende halvledermateriale. 17. Apparat ifølge krav 9, kendetegnet ved, at beholderen består afen plade af halvledermateriale, der kan afkøles og er begrænset af en ydre rand, og beholderens åbning er udformet som et nedad rettet rørstykke, som er forbundet med pladens forhøjede indre rand, idet pladens indre rand danner en barriere, som det smeltede granulat må overvinde, inden det kan nå til smeltemassen gennem åbningen i beholderen, og en strålingsopvarmning er til stede til opvarmning af en overflade af smeltehalsen og af det gennem rørstykket strømmende halvledermateriale. 18. Apparat ifølge krav 9, kendetegnet ved, at beholderen er lejret drejeligt om en omdrejningsakse og består af en plade af halvledermateriale, der kan afkøles og har mellemstykker, der stadig omsmeltes under indvirkning af opvarmningsspolen og beholderens drejning og deler beholderens indre rum i koncentriske områder, idet disse områder står i forbindelse med hinanden og danner et kanalsystem, som det smeltende granulat må overvinde, inden det kan nå til smeltemassen gennem åbningen i beholderen, der er udformet som rørstykke, og en strålingsopvarmning er til stede til opvarmning af en overflade af smeltehalsen og af det gennem rørstykket strømmende halvledermateriale. 19. Énkrystal af silicium, kendetegnet ved en oxygenkoncentration på 3-9*1017 cm'3 og indgroede defekter med en størrelse mindre end 60 nm. 20. Énkrystal ifølge krav 19, kendetegnet ved en nitrogenkoncentration på 1 *1013-6*1015.