EP0493191A1 - Charge pour ligne triplaque hyperfréquences à substrat diélectrique - Google Patents

Charge pour ligne triplaque hyperfréquences à substrat diélectrique Download PDF

Info

Publication number
EP0493191A1
EP0493191A1 EP91403423A EP91403423A EP0493191A1 EP 0493191 A1 EP0493191 A1 EP 0493191A1 EP 91403423 A EP91403423 A EP 91403423A EP 91403423 A EP91403423 A EP 91403423A EP 0493191 A1 EP0493191 A1 EP 0493191A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
load
triplate
dielectric
metallized
microwave
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP91403423A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Xavier Delestre
Thierry Dousset
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Thales SA
Original Assignee
Thomson CSF SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Thomson CSF SA filed Critical Thomson CSF SA
Publication of EP0493191A1 publication Critical patent/EP0493191A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/24—Terminating devices
    • H01P1/26—Dissipative terminations
    • H01P1/268—Strip line terminations

Definitions

  • the present invention relates to a load for microwave three-plate line with dielectric substrate.
  • Microwave energy distribution circuits are for example used to hold network antennas. Such distribution circuits have one input and N outputs, and are generally made in triplate technology.
  • One of the possible solutions for making these distribution circuits comprises N-1 hybrid rings inserted in meandering lines (in order to compact these circuits). The decoupled output of each hybrid ring is connected to a suitable load.
  • the antenna comprises a large number of radiating elements (elementary antennas)
  • the number N is high, and the distribution circuit therefore comprises a large number of charges.
  • this distribution circuit is often assembled mechanically, for example by bonding with other circuits of equivalent dimensions, themselves made up of several superposed layers of dielectric material, metallized or not.
  • the fillers In order to be able to reduce the external dimensions of the distribution circuit, it is necessary, in particular, for the adapted loads to be themselves of reduced dimensions, in occupied surface area and also in thickness. More precisely, in order to be able to insert the distribution circuit inside a multilayer structure, the fillers must be completely integrated into the thickness of the triplate circuit, since local excess thicknesses are incompatible with bonding.
  • Another solution would consist in carrying out each charge using a series resistance obtained by etching a thin resistive layer disposed between the dielectric material and the metallization of the substrate.
  • a third solution would be to form the series resistance by screen printing. the resistive material, which is initially in the form of ink, being polymerized after its deposition on the circuit.
  • the resistive material which is initially in the form of ink, being polymerized after its deposition on the circuit.
  • one end of the series resistor is connected to the ground planes of the three-ply structure using metallized holes.
  • the second solution can only be used for circuits of reduced dimensions or stiffened using a metal sole due to the brittleness of the resistive layer currently available, which risks presenting microruptures.
  • the third solution cannot be implemented in a triplate circuit which if the resistive deposit has reproducible characteristics and stable over time, which is very difficult to achieve.
  • the subject of the present invention is a load for a dielectric triplate line, which is of reduced dimensions, entirely integrated into the thickness of the triplate circuit and of simple and economical construction.
  • the load according to the invention comprises a resonant cavity formed in the thickness of at least one of the dielectric substrates of the triplate, excited by the end of the triplate line to which it is connected, and filled at least partially with 'an absorbent material.
  • the invention is described below with reference to a microwave distribution circuit load, but it is understood that it is not limited to such an application, and that it can be implemented in any three-plate structure .
  • the three-ply structure 1 in which the filler 2 of the invention is formed essentially comprises a lower dielectric substrate 3 and an upper dielectric substrate 4.
  • the substrate 3 is metallized on its lower face 5, and the upper substrate 4 is metallized on its face upper 6.
  • the central conductors of the triplate structure are formed for example on the upper face of the lower substrate 3.
  • the end 7 of one of these conductors has been shown in the drawing, to which the load 2 must be connected.
  • the substrates 3 and 4 are assembled mechanically by gluing.
  • metallized holes 10 are practiced there. These holes 10 pass through the entire triplate structure, and connect the lower metallized surface 5 to the upper metallized face 6. These holes 10 are for example arranged on a circle such as the circle 11 shown in FIG. 1, an opening 12 being formed in this circle around the end of the line 7 to form the entrance to the cavity 9. Additional metallized holes 13 delimit the opening 12.
  • the metallized holes 10 are for example equidistant and spaced by a distance D of less than 1/4 wavelength.
  • the line end 7 penetrates at least a little into the cavity 9 (delimited by the circle 11 of metallized holes), for example by at least the half-radius of the circle 11, and preferably at least up to the center of the circle 11.
  • the line end 7 is connected to the lower metallized face 5 by a metallized hole 14, thus forming an excitation loop (current loop) of the cavity 9.
  • the end of line 7 is not necessarily connected to a ground plane (5 or 6).
  • a hole 15 is made in the substrate 4, inside the circle 11, which is for example circular and concentric with the circle 11 and of diameter less than that of the circle 11, this hole being for example made throughout the thickness of the substrate 4.
  • This hole 15 is filled with an absorbent material 16.
  • This material 16 is chosen so as to present significant dielectric losses at the wavelength used.
  • this material 16 comprises a mixture of dielectric material and metallic particles. According to an exemplary embodiment, it is composed of epoxy resin and iron powder. It can be machined in the form of a pellet of the same thickness as the dielectric layer 4, and inserted in the hole 15, or it can be directly molded in the hole 15, then leveled to the level of the metallization 6.
  • the metallized hole 14 can be made in the substrate 4, and the hole 15 in the substrate 3, or even, the hole for the absorbent material can be made in the two substrates 3 and 4, a "bridge" of substrate 3 or 4 remaining to support the end of line 7, and, if necessary, to form the metallized hole 14.
  • the ground plane of the layer 5 (and / or of the layer 6) is reconstituted using additional metallization 17 covering the holes 10 and 13, by performing preferably a recharge, localized or not, of electrolytic copper.
  • the dimensions of the cavity 9, the number of holes 10 which delimit it, the dimensions and characteristics of the absorbent material 16, are determined as a function of the frequency of use, the power to be dissipated, and the dielectric constant of the substrates 3 and 4.

Landscapes

  • Waveguides (AREA)

Abstract

La charge de l'invention, intégrée dans une structure triplaque (3, 4, 5, 6), est formée par une cavité résonnante (10) remplie partiellement de matériau absorbant (16). Utilisation en particulier pour distributeurs à 1 entrée et N sorties. <IMAGE>

Description

  • La présente invention se rapporte à une charge pour ligne triplaque hyperfréquences à substrat diélectrique.
  • Des circuits de distribution d'énergie hyperfréquences sont par exemple utilisés pour attenter des antennes réseau. De tels circuits de distribution comportent une entrée et N sorties, et sont généralement réalisés en technologie triplaque. Une des solutions possibles pour réaliser ces circuits de distribution comporte N-1 anneaux hybrides insérés dans des lignes en méandres (afin de rendre compacts ces circuits). La sortie découplée de chaque anneau hybride est reliée à une charge adaptée. Lorsque l'antenne comporte un grand nombre d'éléments rayonnants (antennes élémentaires), le nombre N est élevé, et le circuit de distribution comporte donc un grand nombre de charges. En outre, ce circuit de distribution est souvent assemblé mécaniquement, par exemple par collage avec d'autres circuits de dimensions équivalentes, eux-mêmes constitués de plusieurs couches superposées de matériau diélectrique métallisé ou non.
  • Pour pouvoir réduire les dimensions extérieures du circuit de distribution, il faut, en particulier, que les charges adaptées soient elles-mêmes de dimensions réduites, en surface occupée et aussi en épaisseur. Plus précisément, pour pouvoir insérer le circuit de distribution à l'intérieur d'une structure multicouche, il faut que les charges soient totalement intégrées dans l'épaisseur du circuit triplaque, car des surépaisseurs locales sont incompatibles avec un assemblage par collage.
  • Pour résoudre ce problème, on pourrait utiliser des charges enfermées dans des boîtiers métalliques et rapportées dans la structure multicouche, ce qui nécessite de réaliser des découpes locales dans le circuit triplaque. Cette solution est incompatible avec l'assemblage par collage des deux couches diélectriques du circuit triplaque. En effet, elle nécessite une connexion par soudure de la charge au conducteur central de la ligne et une liaison électrique par contact du boîtier métallique avec les deux plans de masse du triplaque.
  • Une autre solution consisterait à réaliser chaque charge à l'aide d'une résistance série obtenue par la gravure d'une mince couche résistive disposée entre le matériau diélectrique et la métallisation du substrat. Une troisième solution consisterait à former la résistance série par sérigraphie. le matériau résistif, qui se présente initialement sous forme d'encre, étant polymérisé après son dépôt sur le circuit. Pour ces deux dernières solutions, on relie une extrémité de la résistance série aux plans de masse de la structure triplaque à l'aide de trous métallisés. Cependant, ces deux dernières solutions ne conviennent pas non plus. La seconde solution ne peut être utilisée que pour des circuits de dimensions réduites ou rigidifiés à l'aide d'une semelle métallique en raison de la fragilité de la couche résistive actuellement disponible, qui risque de présenter des microruptures. La troisième solution ne peut être mise en oeuvre dans un circuit triplaque qui si le dépôt résistif a des caractéristiques reproductibles et stables dans le temps, ce qui est très difficile à atteindre.
  • La présente invention a pour objet une charge pour ligne triplaque diélectrique, qui soit de dimensions réduites, entièrement intégrée dans l'épaisseur du circuit triplaque et de réalisation simple et économique.
  • La charge conforme à l'invention comporte une cavité résonnante formée dans l'épaisseur d'au moins l'un des substrats diélectriques du triplaque, excitée par l'extrémité de la ligne triplaque à laquelle elle est reliée, et remplie au moins partiellement d'un matériau absorbant.
  • L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée d'un mode de réalisation, pris à titre d'exemple non limitatif et illustré par le dessin annexé, sur lequel :
    • la figure 1 est une vue en plan d'une partie de structure triplaque comportant une charge conforme à l'invention, et
    • la figure 2 est une vue en coupe selon II-II de la figure 1.
  • L'invention est décrite ci-dessous en référence à une charge de circuit de distribution hyperfréquences, mais il est bien entendu qu'elle n'est pas limitée à une telle application, et qu'elle peut être mise en oeuvre dans toute structure triplaque.
  • La structure triplaque 1 dans laquelle est formée la charge 2 de l'invention comporte essentiellement un substrat diélectrique inférieur 3 et un substrat diélectrique supérieur 4. Le substrat 3 est métallisé sur sa face inférieure 5, et le substrat supérieur 4 est métallisé sur sa face supérieure 6.
  • Les conducteurs centraux de la structure triplaque sont formés par exemple sur la face supérieure du substrat inférieur 3. On a représenté sur le dessin l'extrémité 7 d'un de ces conducteurs, auquel doit être reliée la charge 2. Les substrats 3 et 4 sont assemblés mécaniquement par collage. A cet effet, on utilise par exemple un film thermofusible 8.
  • Pour délimiter la cavité résonnante 9 dans la structure 1, on y pratique des trous métallisés 10. Ces trous 10 traversent toute la structure triplaque, et relient la surface métallisée inférieure 5 à la face métallisée supérieure 6. Ces trous 10 sont par exemple disposés sur un cercle tel que le cercle 11 représenté sur la figure 1, une ouverture 12 étant ménagée dans ce cercle autour de l'extrémité de ligne 7 pour former l'entrée de la cavité 9. Des trous métallisés supplémentaires 13 délimitent l'ouverture 12. Les trous métallisés 10 sont par exemple équidistants et espacés d'une distance D inférieure à 1/4 de longueur d'onde.
  • L'extrémité de ligne 7 pénètre au moins un peu dans la cavité 9 (délimitée par le cercle 11 de trous métallisés), par exemple d'au moins le demi-rayon du cercle 11, et de préférence au moins jusqu'au centre du cercle 11. Dans le cas présent, l'extrémité de ligne 7 est reliée à la face métallisée inférieure 5 par un trou métallisé 14, formant ainsi une boucle d'excitation (boucle de courant) de la cavité 9. Toutefois, il est bien entendu que l'extrémité de ligne 7 n'est pas nécessairement reliée à un plan de masse (5 ou 6).
  • On pratique dans le substrat 4, à l'intérieur du cercle 11, un trou 15, qui est par exemple circulaire et concentrique au cercle 11 et de diamètre inférieur à celui du cercle 11, ce trou étant par exemple pratiqué dans toute l'épaisseur du substrat 4. Ce trou 15 est rempli d'un matériau absorbant 16. Ce matériau 16 est choisi de façon à présenter des pertes diélectriques importantes à la longueur d'onde utilisée. De préférence, ce matériau 16 comporte un mélange de matériau diélectrique et de particules métalliques. Selon un exemple de réalisation, il est composé de résine époxy et de poudre de fer. Il peut être usiné sous la forme d'une pastille de même épaisseur que la couche diélectrique 4, et inséré dans le trou 15, ou bien il peut être directement moulé dans le trou 15, puis arasé jusqu'au niveau de la métallisation 6. Bien entendu, le trou métallisé 14 peut être pratiqué dans le substrat 4, et le trou 15 dans le substrat 3, ou bien même, le trou pour le matériau absorbant peut être pratiqué dans les deux substrats 3 et 4, un "pont" de substrat 3 ou 4 subsistant pour supporter l'extrémité de ligne 7, et, le cas échéant, pour former le trou métallisé 14.
  • Lorsque le matériau 16 est en place dans le trou 15, on reconstitue le plan de masse de la couche 5 (et/ou de la couche 6) à l'aide d'une métallisation complémentaire 17 recouvrant les trous 10 et 13, en effectuant de préférence une recharge, localisée ou non, de cuivre électrolytique.
  • Les dimensions de la cavité 9, le nombre de trous 10 qui le délimitent, les dimensions et caractéristiques du matériau absorbant 16, sont déterminés en fonction de la fréquence d'utilisation, de la puissance à dissiper, et de la constante diélectrique des substrats 3 et 4.
  • La charge de l'invention présente les avantages suivants :
    • l'adaptation est obtenue pour une très large bande de fréquences (plus de 2 octaves) ;
    • son encombrement est réduit (diamètre du trou 16 inférieur à 8 mm en bande X, par exemple) ;
    • le circuit triplaque 1 peut être facilement intégré dans une structure multicouches (les surépaisseurs dues aux trous 10, 14 et à la couche 17 sont négligeables) ;
    • la réalisation est simple et peu coûteuse ;
    • l'échauffement du matériau absorbant, dû à la puissance qui y est dissipée s'évacue facilement par le plan de masse (6) auquel il est relié ;
    • les pertes par propagation parasite (mode TE) dans le circuit triplaque sont faibles (environ - 30 dB en bande X pour l'exemple précité).

Claims (5)

  1. Charge pour ligne triplaque hyperfréquences à substrat diélectrique, caractérisée par le fait qu'elle comporte une cavité résonnante (9) formée dans l'épaisseur d'au moins l'un des substrats diélectriques (3, 4) du triplaque, excitée par l'extrémité (7) de la ligne triplaque à laquelle elle est reliée, et remplie au moins partiellement d'un matériau absorbant (16).
  2. Charge selon la revendication 1, caractérisée par le fait que la cavité est délimitée par des trous métallisés (10) traversant la structure triplaque et reliés aux plans de masse (5, 6) de cette structure.
  3. Charge selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée par le fait que l'extrémité de la ligne (7) est reliée par un trou métallisé (14) à l'un des plans de masse (5) de la structure.
  4. Charge selon l'une des revendications précédentes, caractérisée par le fait que le matériau absorbant comporte un mélange de matériau diélectrique et de particules métalliques.
  5. Charge selon l'une des revendications précédentes, caractérisée par le fait que le matériau absorbant occupe l'épaisseur d'une couche (4) diélectrique de la structure et qu'il est recouvert d'une couche de métallisation complémentaire (17).
EP91403423A 1990-12-27 1991-12-17 Charge pour ligne triplaque hyperfréquences à substrat diélectrique Withdrawn EP0493191A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9016329A FR2671232B1 (fr) 1990-12-27 1990-12-27 Charge pour ligne triplaque hyperfrequences a substrat dielectrique.
FR9016329 1990-12-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP0493191A1 true EP0493191A1 (fr) 1992-07-01

Family

ID=9403712

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP91403423A Withdrawn EP0493191A1 (fr) 1990-12-27 1991-12-17 Charge pour ligne triplaque hyperfréquences à substrat diélectrique

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5208561A (fr)
EP (1) EP0493191A1 (fr)
FR (1) FR2671232B1 (fr)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5404145A (en) * 1993-08-24 1995-04-04 Raytheon Company Patch coupled aperature array antenna
JP3684239B2 (ja) 1995-01-10 2005-08-17 株式会社 日立製作所 低ｅｍｉ電子機器
US5831491A (en) * 1996-08-23 1998-11-03 Motorola, Inc. High power broadband termination for k-band amplifier combiners
FR2790228B1 (fr) 1999-02-26 2001-05-11 Thomson Csf Dispositif de commande d'un systeme de regulation d'allure pour vehicule automobile
FR2798196B1 (fr) 1999-09-07 2001-11-30 Thomson Csf Procede et dispositif pour l'alignement d'un radar automobile
DE10213766B4 (de) * 2002-03-27 2017-01-12 Tesat-Spacecom Gmbh & Co.Kg Mikrowellenresonator
JP4015938B2 (ja) * 2002-12-16 2007-11-28 Ｔｄｋ株式会社 共振器
US7378925B2 (en) * 2003-02-24 2008-05-27 Nec Corporation Dielectric resonator, dielectric resonator frequency adjusting method, and dielectric resonator integrated circuit
DE112004002400T5 (de) * 2003-12-05 2008-03-13 K-2 Corp., Vashon Gleitbrett mit Schwingung absorbierender Schicht
US6956446B2 (en) * 2003-12-18 2005-10-18 Renaissance Electronics Corporation Nonreciprocal device having heat transmission arrangement
US7492146B2 (en) * 2005-05-16 2009-02-17 Teradyne, Inc. Impedance controlled via structure
JP2008262989A (ja) * 2007-04-10 2008-10-30 Toshiba Corp 高周波回路基板
CN101945537A (zh) * 2009-07-10 2011-01-12 英华达(上海)电子有限公司 一种具有过孔结构的印刷电路板及其制造方法
US8207796B2 (en) * 2009-10-20 2012-06-26 Delphi Technologies, Inc. Stripline termination circuit having resonators
JP6115305B2 (ja) * 2013-05-20 2017-04-19 三菱電機株式会社 終端器
US11043727B2 (en) * 2019-01-15 2021-06-22 Raytheon Company Substrate integrated waveguide monopulse and antenna system
US11737207B2 (en) 2020-03-09 2023-08-22 Marvell Asia Pte, Ltd. PCB RF noise grounding for shielded high-speed interface cable
WO2021188784A1 (fr) * 2020-03-18 2021-09-23 Marvell Asia Pte, Ltd. Enceinte de blindage intégrée embarquée à compatibilité électromagnétique

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2399930A (en) * 1942-05-16 1946-05-07 Gen Electric Energy dissipator
GB879826A (en) * 1960-07-28 1961-10-11 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in electrical high frequency strip transmission line arrangements
US3509495A (en) * 1966-12-01 1970-04-28 Raytheon Co Strip transmission line termination device
US3654573A (en) * 1970-06-29 1972-04-04 Bell Telephone Labor Inc Microwave transmission line termination
US3678417A (en) * 1971-07-14 1972-07-18 Collins Radio Co Planar r. f. load resistor for microstrip or stripline
DE2813586A1 (de) * 1978-03-29 1979-10-04 Siemens Ag Abschlusswiderstand fuer microstripleitungen
US4197545A (en) * 1978-01-16 1980-04-08 Sanders Associates, Inc. Stripline slot antenna
EP0040567A1 (fr) * 1980-05-20 1981-11-25 Thomson-Csf Elément résistif en technique microbande

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3209284A (en) * 1963-06-05 1965-09-28 Charles O Hast Termination for strip transmission lines
US3974462A (en) * 1972-03-07 1976-08-10 Raytheon Company Stripline load for airborne antenna system
SE426894B (sv) * 1981-06-30 1983-02-14 Ericsson Telefon Ab L M Impedansriktig koaxialovergang for mikrovagssignaler
JPS5877304A (ja) * 1981-11-02 1983-05-10 Mitsubishi Electric Corp トリプレ−ト線路形マイクロ波回路
JPS5894202A (ja) * 1981-11-28 1983-06-04 Mitsubishi Electric Corp マイクロ波回路
JPS6271305A (ja) * 1985-09-24 1987-04-02 Murata Mfg Co Ltd 誘電体共振器
JP2521764B2 (ja) * 1987-07-02 1996-08-07 北海道曹達株式会社 低分子化キトサンの製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2399930A (en) * 1942-05-16 1946-05-07 Gen Electric Energy dissipator
GB879826A (en) * 1960-07-28 1961-10-11 Standard Telephones Cables Ltd Improvements in electrical high frequency strip transmission line arrangements
US3509495A (en) * 1966-12-01 1970-04-28 Raytheon Co Strip transmission line termination device
US3654573A (en) * 1970-06-29 1972-04-04 Bell Telephone Labor Inc Microwave transmission line termination
US3678417A (en) * 1971-07-14 1972-07-18 Collins Radio Co Planar r. f. load resistor for microstrip or stripline
US4197545A (en) * 1978-01-16 1980-04-08 Sanders Associates, Inc. Stripline slot antenna
DE2813586A1 (de) * 1978-03-29 1979-10-04 Siemens Ag Abschlusswiderstand fuer microstripleitungen
EP0040567A1 (fr) * 1980-05-20 1981-11-25 Thomson-Csf Elément résistif en technique microbande

Also Published As

Publication number Publication date
US5208561A (en) 1993-05-04
FR2671232A1 (fr) 1992-07-03
FR2671232B1 (fr) 1993-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0493191A1 (fr) Charge pour ligne triplaque hyperfréquences à substrat diélectrique
EP0133125B1 (fr) Boîtier de composant électronique muni d&#39;un condensateur
EP0605046B1 (fr) Dispositif hyperfréquences comprenant au moins une transition entre une ligne de transmission intégrée sur un substrat et un guide d&#39;onde
EP1053592B1 (fr) Composant a ondes de surface encapsule et procede de fabrication collective
EP0228953B1 (fr) Boîtier d&#39;encapsulation d&#39;un circuit électronique
EP0310463A1 (fr) Boîtier pour circuit intégré de haute densité
EP0113273B1 (fr) Boîtier d&#39;encapsulation pour semiconducteur de puissance, à isolement entrée-sortie amélioré
FR2811479A1 (fr) Antenne a couche conductrice et dispositif de transmission bi-bande incluant cette antenne
JPH02162804A (ja) 平板型アンテナ
EP1995740B1 (fr) Structure inductive plane
WO1992017905A1 (fr) Procede de realisation de connexions coaxiales pour composant electronique, et boitier de composant comportant de telles connexions
FR2894062A1 (fr) Balun a rapport d&#39;impedances 1/4
EP0387955A1 (fr) Boîtier pour circuit intégré hyperfréquences
EP0161166B1 (fr) Combineur compact de dispositifs semi-conducteurs, fonctionnant en hyperfréquences
FR2541828A1 (fr) Dispositif de connexion electrique entre deux cartes de circuits imprimes et procede de connexion de deux cartes de circuits imprimes a l&#39;aide d&#39;un tel dispositif
FR2629271A1 (fr) Dispositif d&#39;interconnexion et de protection d&#39;une pastille nue de composant hyperfrequence
EP0335788B1 (fr) Circuit déphaseur hyperfréquence
EP1657749B1 (fr) Boîtier microélectronique multiplans avec blindage interne
WO2021233869A1 (fr) Procédé de métallisation électro-chimique d&#39;un circuit électrique double-face pour carte à puce et circuit électrique obtenu par ce procédé.
FR2711845A1 (fr) Antenne plane et procédé de réalisation d&#39;une telle antenne.
FR2529385A1 (fr) Microboitier d&#39;encapsulation de circuits integres logiques fonctionnant en tres haute frequence
FR2822594A1 (fr) Antenne plane multicouche comportant un element de connectique orthogonale et son procede de fabrication
FR2694139A1 (fr) Substrat d&#39;interconnexion pour composants électroniques et son procédé de fabrication.
WO2003081669A1 (fr) Module de circuits integres et procede de fabrication correspondant
FR2554275A1 (fr) Dispositif de connexion pour un semi-conducteur de puissance

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): DE GB IT SE

17P Request for examination filed

Effective date: 19921125

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: THOMSON-CSF

17Q First examination report despatched

Effective date: 19941201

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 19950512