EP1307932A1 - Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleitenden und/oder elektrolumineszenz zeigenden organischen schichtaufbaus - Google Patents

Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines halbleitenden und/oder elektrolumineszenz zeigenden organischen schichtaufbaus

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EP1307932A1
EP1307932A1 EP01949501A EP01949501A EP1307932A1 EP 1307932 A1 EP1307932 A1 EP 1307932A1 EP 01949501 A EP01949501 A EP 01949501A EP 01949501 A EP01949501 A EP 01949501A EP 1307932 A1 EP1307932 A1 EP 1307932A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
radiation
substrate
drying
organic
range
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP01949501A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Rainer Gaus
Kai K. O. BÄR
Thorsten HÜLSMANN
Rolf Wirth
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Adphos Innovative Technologies GmbH
Original Assignee
Advanced Photonics Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Photonics Technologies AG filed Critical Advanced Photonics Technologies AG
Publication of EP1307932A1 publication Critical patent/EP1307932A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating

Definitions

  • the invention relates to a method for producing a semiconducting and / or electroluminescent organic layer structure, in particular according to the preamble of claims 1 and 2, and an apparatus for performing this method.
  • Electro-optical display units for electronic devices are today predominantly implemented in the form of liquid crystal (LCD) displays, the high level of technological development of which enables extremely cost-effective, easily controllable and also sufficiently long-lasting displays to be produced.
  • LCD liquid crystal
  • OLEDs organic light-emitting diodes
  • OLEDs are based on so-called small molecules or polymers, which are arranged in a very thin layer or - as a so-called multilayer OLED - in several successive thin layers on a substrate coated with a conductive, transparent film. ' In the course of previous developments, a large number of substances exhibiting electroluminescent properties as well as a number of component configurations and technological implementation options were examined.
  • the thin layers can be applied on the one hand by means of molecular beam epitaxy and on the other hand by spinning on solutions or dispersions with a very small proportion of the selected substance or the selected composition and subsequent drying to produce a solid organic thin layer.
  • contact with water or steam must be prevented as strictly as in later operation. This also requires a thorough removal of water adsorbates from the substrate and an absolutely moisture-tight encapsulation of the finished display element.
  • the invention is therefore based on the object of creating a generic method and a device for carrying it out, which enable the production of an electroluminescent properties or semiconductor properties showing organic layer structure with high productivity and low costs.
  • this object is primarily achieved by a method with the features of claims 1 or 2 and - according to relatively independent forms of the inventive concept - by methods with the features of claims 8 to 11.
  • the object is achieved by a device with the features of claim 17.
  • the invention closes the basic idea of the use of electromagnetic radiation with an essential active component in the near infrared range, in particular in the wavelength range between 0.8 ⁇ m and 1.5 ⁇ m, for drying a liquid layer applied to the substrate to form an organic one Thin layer with semiconducting egg properties or electroluminescent properties.
  • NIR radiation near infrared
  • auxiliary processes such as the removal of water adsorbates from the substrate and / or the drying of photoresist layers for the photolithographic structuring of the substrate and / or for drying or Crosslinking an adhesive used in the encapsulation of the organic thin layer (s) as encapsulation material.
  • the solution or dispersion is formed with an organic solvent which is particularly volatile under the influence of NIR radiation.
  • an organic solvent which is particularly volatile under the influence of NIR radiation.
  • the substrate for the organic thin layer is preferably a thin ceramic plate or a thin (for certain applications particularly flexible) glass plate.
  • the carrier can also be formed by a plastic film or plate, provided that it is sufficiently resistant to moisture diffusion. If necessary, this can be ensured by vapor deposition, sputtering or the like of a special moisture diffusion barrier. With substrates of the latter types, curved and flexible display elements can advantageously be produced which cannot be easily implemented with comparable mechanical properties on the basis of other display principles.
  • the organic thin layer is expediently produced by spin-coating a solution or dispersion with a proportion of the organic composition between 0.2 and 10% by weight, preferably between 0.5 and 3% by weight, with a
  • the organic composition comprises polymers or small molecules, especially soluble alkoxyphenyl PPV systems, TAD, MTDATA, Alq 3 , NPD, DCM, DPVBi, CuPc, OYC and / or rare earth complexes or other active compounds that have semiconducting or electroluminescent properties in the thin layer to lend.
  • These substances are temperature sensitive, so that an appropriate limitation of the process temperature in the thin layer is necessary.
  • the NIR treatment is particularly suitable for this due to the very short drying time and the precise adjustability of the drying process by controlling the radiation. As a rule, this temperature should be below 100 ° C.
  • auxiliary processes already briefly mentioned above in the manufacture of electronic circuits from semiconducting organic layer structures or of display units from organic layers with electroluminescent properties include, in particular, the removal of water adsorbates from the substrate surface (or the area that comes into contact with the thin layer to be applied) by short-term NIR - radiation.
  • the production of a multilayer OLED structure is advantageously possible in particular by successive application with subsequent NIR irradiation of several liquid layers, each with a specific organic composition.
  • the radiation parameters are specifically matched to the specific layer in the layer sequence. Otherwise, the generation of multilayer circuit structures with organic semiconductor thin layers is also possible.
  • NIR radiation is also useful for the encapsulation of the display or electronic circuit elements, which is indispensable due to the moisture sensitivity of the organic thin layers, because the adhesives or encapsulation materials (polymers) used can be dried and crosslinked in a productive and cost-effective manner ,
  • NIR radiation gains particular advantages in the combined application for several of the process steps mentioned, since the same, comparatively uncomplicated and only a small amount of handling drying system can be used for this.
  • the radiation source preferably comprises a reflector which essentially has the cross-section of an ellipse or parabola section, in order to produce an in particular essentially rectangular radiation zone in which the substrate with the liquid thin layer is located or through which it is conveyed during the drying step.
  • the power density, measured on the surface of the organic thin layer, is preferably at or above 150 kW / m 2 , especially above 500 kW / m 2 .
  • the radiation device By adjusting the size of the radiation zone in accordance with the radiation power of the emitter used, depending on the respective substrate size, either full-area or scanning radiation of the substrate can be realized.
  • the radiation device also comprises a movement device for scanning movement of the radiation source over the substrate or for conveying the substrate through the radiation zone.
  • a movement device for scanning movement of the radiation source over the substrate or for conveying the substrate through the radiation zone.
  • stationary full-area irradiation can make sense.
  • the drying effect of the NIR radiation is increased by guiding a protective and drying gas stream over the surface of the liquid layer or the substrate (in particular essentially parallel to this).
  • the high-purity inert gas used for this also prevents air and moisture from entering the highly sensitive organic thin film, thus ensuring a high yield.
  • the radiation device comprises at least one measuring device for detecting at least one physical quantity of the liquid layer, in particular its temperature and / or moisture content and / or reflectivity and / or refractive index.
  • the irradiation can be controlled "manually" on the basis of the measurement results - in particular if it essentially comprises the presetting of an irradiation parameter (or several irradiation parameters) as a function of a previously measured variable.
  • the radiation control device has at least one control input, via which it is at least indirectly connected to a measuring device and receives a measurement signal or evaluation result in such a way that the radiation parameters are set on the basis of the measurement signal or evaluation result.
  • the control of the radiation parameters includes, in particular, control of the radiator temperature (for example via the applied voltage) and / or the effective radiation power, for example by changing the distance between the radiator or reflector and the layer to be treated.
  • a further expedient control option consists in partial imaging and / or filtering of the NIR radiation by means of a suitable diaphragm or closure device or a band or edge filter. In this way, in particular for certain process steps, undesired components of the total radiation spectrum or certain areas of the radiation zone of the lamp-reflector arrangement can be masked out.
  • NIR radiation sources also in the NIR range, imitating light-emitting diodes (NIR-LED) or laser diodes can be used in the proposed method and the device according to the invention.
  • NIR LEDs or NIR laser diodes are then - depending on the specific application - provided individually or in small groups or (preferably) in diode arrays of a shape adapted to the shape of the desired radiation zone. Because of the radiation properties, they do not need a reflector directly assigned to them; in particular, the use of counter reflectors can be advantageous depending on the absorption properties of the workpiece.

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Abstract

Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden organischen Schichtaufbaus zum Einsatz in einer elektronischen Schaltung, insbesondere einer Logik- und/oder Speicherschaltung, wobei ein Substrat mit einer Lösung oder Dispersion mit geringem Anteil einer organischen Zusammensetzung mit einer Naßschichtdicke beschichtet und durch Trocknen eine auf dem Substrat haftende organische Dünnschicht mit halbleitenden Eigenschaften mit einer gegenüber der Naßschichtdicke wesentlich, insbesondere um eine Größenordnung oder mehr, geringeren Trockenschichtdicke gebildet wird, wobei das Trocknen durch kurzzeitige Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung erfolgt, die ihren wesentlichen Wirkanteil im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Bereich zwischen 0,8 und 1,5 νm, hat.

Description

Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines halbleitenden und/oder Elektrolumineszenz zeigenden organischen Schichtaufbaus
Beschreibung
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden und/oder Elektrolumineszenz zeigenden organischen Schichtaufbaus, insbesondere nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 bzw. 2, sowie eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens.
Elektrooptische Anzeigeeinheiten für elektronische Geräte werden heute überwiegend in Form von Flüssigkristall (LCD) - Anzeigen realisiert, deren hoher technologischer Entwicklungsstand die Ausführung von äußerst kostengünstigen, leicht ansteuerbaren und auch hinreichend langlebigen Anzeigen erlaubt .
Neben der LCD-Technik gibt es jedoch eine Reihe weiterer Prinzipien für die Realisierung elektrooptischer Anzeigen, die auch bereits praktische Anwendungen finden. Hiervon spielen Vakuumfluoreszenzanzeigen im Anwendungsbereich mit den niedrigsten Anforderungen aufgrund der extrem niedrigen Ko- sten eine nennenswerte Rolle. Auf der anderen Seite haben sich die qualitativ hochwertigen Plasmadisplays bei großformatigen Anzeigen - beispielsweise für hochwertige Fernsehgeräte - einen erheblichen Marktanteil geschaffen. Die aus physikalischen und technologischen Gründen erforderlichen Min- destabmessungen der Bildpunkte begrenzen jedoch deren Auflösung bei kleineren Anzeigeformaten.
Seit einigen Jahren findet auch der Effekt der organischen Elektrolumineszenz bei den Bemühungen zur Realisierung neuer, kostengünstiger und breit einsetzbarer Displaytechnologien verstärkt Beachtung. Die entsprechenden Bauelemente werden vielfach als organische Leuchtdioden (OLED) bezeichnet. Mitt- lerweile sind Dutzende von Firmen mit der Entwicklung solcher Displays befaßt, nachdem wesentliche Verbesserungen der photonischen Eigenschaften und eine erhebliche Steigerung der erwarteten Lebensdauer erzielt wurden.
OLEDs basieren auf sogenannten kleinen Molekülen oder Polymeren, die in einer sehr dünnen Schicht oder - als sogenannte Mehrlagen-OLED - in mehreren aufeinanderfolgenden dünnen Schichten auf einem mit einem leitfähigen, transparenten Film beschichteten Substrat angeordnet sind.' Im Rahmen der bishe- rigen Entwicklungen wurde eine Vielzahl von Elektrolumines- zenz-eigenschaften zeigenden Stoffen sowie eine Reihe von Bauelementkonfigurationen sowie technologischen Realisierungsmöglichkeiten untersucht.
Es hat sich gezeigt, daß die Aufbringung der dünnen Schichten zum einen mittels Molekularstrahlepitaxie und zum anderen durch Aufschleudern von Lösungen oder Dispersionen mit einem sehr geringen Anteil des ausgewählten Stoffes oder der ausgewählten Zusammensetzung und anschließendes Trocknen zur Er- zeugung einer festen organischen Dünnschicht möglich ist. Bei beiden Prozeßführungen muß zur Erzielung einer befriedigenden Lebensdauer des herzustellenden Anzeigeelementes ein Kontakt mit Wasser bzw. Wasserdampf ebenso strikt unterbunden werden wie im späteren Betrieb. Dies erfordert auch eine gründliche Befreiung des Substrates von Wasseradsorbaten und eine absolut feuchtigkeitsdichte Verkapslung des fertigen Anzeigeelementes .
Die labormäßig praktizierten Schichterzeugungsverfahren und begleitenden Prozesse sind kostenaufwendig und wenig produk- tiv, so daß die Herstellung von OLED mit zu anderen Displays wettbewerbsfähigen Kosten bisher nicht möglich ist.
Im Rahmen der bisherigen Arbeiten hat sich im übrigen ge- zeigt, daß eine Reihe von für OLED in Betracht gezogenen organischen Substanzen bei bestimmten Reinheitsgraden und in bestimmten Schichtkonstellationen deutlich halbleitende Eigenschaften zeigen, so daß deren Nutzung in elektronischen Schaltungen außerhalb des Anzeigebereiches - also speziell in Logik- und/oder Speicherschaltungen - grundsätzlich als möglich erscheint. Hier scheinen allerdings noch wesentlich verschärfte Anforderungen hinsichtlich der Schichtbildungs- und Trocknungsprozesse und des Ausschlusses von Störfaktoren hierbei zu bestehen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe der Schaffung eines gattungsgemäßen Verfahrens sowie einer Vorrichtung zu dessen Durchführung zugrunde, die die Herstellung eines Elektrolumi- neszenz-Eigenschaften oder Halbleitereigenschaften zeigenden organischen Schichtaufbaus mit hoher Produktivität und geringen Kosten ermöglichen.
Diese Aufgabe wird in ihrem Verfahrensaspekt primär gelöst durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 oder 2 sowie - gemäß relativ selbständigen Ausprägungen des Erfindungsgedankens - durch Verfahren mit den Merkmalen der Ansprüche 8 bis 11. In ihrem Vorrichtungsaspekt wird die Aufgabe gelöst durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 17.
Die Erfindung schließt den grundlegenden Gedanken des Einsatzes von elektromagnetischer Strahlung mit einem wesentlichen Wirk-anteil im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Wellenlängenbereich zwischen 0,8 μm und 1,5 μm, zum Trocknen einer auf das Substrat aufgebrachten flüssigen Schicht zur Bildung einer organischen Dünnschicht mit halbleitenden Ei- genschaften oder Elektrolumineszenzeigenschaften ein. Relativ unabhängig hiervon schließt sie weiter den Gedanken ein, die erwähnte Strahlung im Bereich des nahen Infrarot (NIR- Strahlung) für Hilfsprozesse wie die Befreiung des Substrates von Wasseradsorbaten und/oder die Trocknung von Fotolackschichten zur photolithografischen Strukturierung des Substrates und/oder zum Trocknen oder Vernetzen eines bei der Verkapslung der organischen Dünnschicht (en) eingesetzten Klebstoffs als Verkapslungsmaterials einzusetzen.
Gemäß einer bevorzugten Ausführung der Erfindung wird die Lösung bzw. Dispersion mit einem organischen Lösungsmittel gebildet, welches unter dem Einfluß der NIR-Strahlung besonders leicht flüchtig ist. Diese Bedingung erfüllt' beispielsweise Toluol, das sich auch im Hinblick auf weitere Anforderungen für diesen Zweck eignet.
Als Substrat für die organische Dünnschicht dient - je nach konkretem Einsatzzweck des Schichtaufbaus - bevorzugt eine dünne Keramikplatte oder eine dünne (für bestimmte Anwendungen insbesondere flexible) Glasplatte. Grundsätzlich kann der Träger auch durch eine Kunststofffolie oder -platte gebildet sein, sofern diese hinreichend feuchtediffusionsbeständig ist. Dies kann gegebenenfalls durch Aufdampfen, Aufsputtern o. ä. einer speziellen Feuchtediffusionsbarriere gewährleistet werden. Mit Substraten der letztgenannten Typen lassen sich vorteilhafterweise gebogene sowie flexible Anzeigeelemente herstellen, die mit vergleichbaren mechanischen Eigenschaften auf der Grundlage anderer Displayprinzipien nicht ohne weiteres realisierbar sind.
Die Erzeugung der organischen Dünnschicht erfolgt zweckmäßigerweise durch Aufschleudern einer Lösung oder Dispersion mit einem Anteil der organischen Zusammensetzung zwischen 0,2 und 10 Gew.-%, bevorzugt zwischen 0,5 und 3 Gew.-%, mit einer
Naßschichtdicke im Bereich zwischen 1 und 50 μm und durch an- * schließendes Trocknen mittels der NIR-Strahlung, wobei sich die Schichtdicke auf einen Trocken-Wert im Bereich zwischen 10 nm und 1 μm, bevorzugt zwischen 50 und 300 nm, verringert. (Diese Bereichsangaben sind allerdings als typische Werte und keineswegs als einschränkend zu verstehen und können sich aufgrund neuer Erkenntnisse über die Wirkmechanismen von organischen Halbleiterstrukturen und Elektrolumineszenzanord- nungen ändern.)
Die organische Zusammensetzung umfaßt Polymere oder kleine Moleküle, speziell lösliche Alkoxyphenyl-PPV-Systeme, TAD, MTDATA, Alq3, NPD, DCM, DPVBi, CuPc, OYC und/oder Seltenerdkomplexe oder weitere Wirkverbindungen, die der Dünnschicht halbleitende bzw. Elektrolumineszenz-Eigenschaften verleihen. Diese Substanzen sind temperaturempfindlich, so daß eine angemessene Limitierung der Prozeßtemperatur in der Dünnschicht erforderlich ist. Hierfür eignet sich die NIR-Behandlung aufgrund der sehr kurzen Trocknungsdauer sowie der präzisen Einstellbarkeit des Trocknungsprozesses durch Steuerung der Be- Strahlung besonders. Im Regelfall sollte diese Temperatur unterhalb von 100°C liegen.
Die oben bereits kurz angesprochenen Hilfsprozesse bei der Herstellung von elektronischen Schaltungen aus halbleitenden organischen Schichtaufbauten oder von Anzeigeeinheiten aus organischen Schichten mit Elektrolumineszenz-Eigenschaften umfassen insbesondere die Befreiung der Substratoberfläche (bzw. der mit der aufzubringenden Dünnschicht in Kontakt kommenden Fläche) von Wasseradsorbaten durch kurzzeitige NIR- Bestrahlung.
Ein weiterer wesentlicher Hilfsprozeß bei der Schaltungsoder Anzeigeelementherstellung ist die geeignete Strukturierung des Flächenbereiches, zweckmäßigerweise auf photolitho- grafischem Wege. Hierbei ist wiederum der Einsatz von NIR- Strahlung zum Trocknen und/oder Hartbacken des verwendeten Fotolackes von Vorteil.
Die Herstellung eines mehrschichtigen OLED-Aufbaus ist insbe- sondere durch sukzessives Aufbringen mit jeweils anschließender NIR-Bestrahlung mehrerer flüssiger Schichten mit jeweils einer spezifischen organischen Zusammensetzung vorteilhaft möglich. Hierbei werden die Bestrahlungsparameter jeweils spezifisch auf die konkrete Schicht in der Schichtfolge abge- stimmt. Im übrigen ist analog auch die Erzeugung mehrschichtiger Schaltungsstrukturen mit organischen Halbleiter- Dünnschichten möglich.
Schließlich ist der Einsatz der NIR-Bestrahlung auch bei der aufgrund der Feuchteempfindlichkeit der organischen Dünnschichten unabdingbaren Verkapslung der Anzeige- bzw. elektronischen Schaltungselemente sinnvoll, denn mit dieser lassen sich in produktiver und kostengünstiger Weise die eingesetzten Klebstoffe bzw. Verkapslungsmaterialien (Polymere) trocknen und vernetzen.
Besondere Vorteile gewinnt die NIR-Bestrahlung in der kombinierten Anwendung für mehrere der genannten Prozeßschritte, da hierfür jeweils die gleiche, vergleichsweise unaufwendige und nur einen geringen Handhabungsaufwand erfordernde Trocknungsanlage eingesetzt werden kann.
Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchführung des oben in verschiedenen Aspekten und Anwendungen beschriebenen Ver- fahrens umfaßt eine über der Oberfläche des Substrates angeordnete und auf diese ausgerichtete Strahlungsquelle mit einem wesentlichen Wirkanteil der Strahlung im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Wellenlängenbereich zwischen 0,8 und 1,5 μm, und zwar speziell eine mit erhöhter Betrieb- stemperatur (insbesondere bei einer Strahlertemperatur von mehr als 2500 K, speziell von über 2900 K) betriebene Halo- genlampe. Die Strahlungsquelle umfaßt bevorzugt einen im wesentlichen den Querschnitt eines Ellipsen- oder Parabelabschnittes aufweisenden Reflektor zur Erzeugung einer insbesondere im wesentlichen rechteckigen Strahlungszone, in der sich während des Trocknungsschrittes das Substrat mit der flüssigen Dünnschicht befindet oder durch die es hindurchgefördert wird.
Die Leistungsdichte, gemessen auf der Oberfläche der organi- sehen Dünnschicht, liegt bevorzugt bei oder oberhalb 150 kW/m2 , speziell oberhalb von 500 kW/m2.
Durch die Einstellung der Größe der Strahlungszone in Abstimmung auf die Strahlungsleistung des eingesetzten Strahlers läßt sich - in Abhängigkeit von der jeweiligen Substratgröße - entweder eine ganzflächige oder abtastende Bestrahlung des Substrates realisieren. Im letzteren Falle umfaßt die Bestrahlungsvorrichtung auch eine Bewegungseinrichtung zur abtastenden Bewegung der Strahlungsquelle über das Substrat bzw. zum Hindurchfördern des Substrates durch die Strahlungszone. Speziell bei kleineren Substraten, etwa für miniaturisierte elektronische Schaltungen oder kleinere Displays, kann aber eine stationäre Ganzflächenbestrahlung sinnvoll sein.
Vorteilhafterweise wird der Trocknungseffekt der NIR-Bestrahlung durch die Führung eines Schutz- und Trocknungsgasstromes über die Oberfläche der flüssigen Schicht bzw. des Substrates (insbesondere im wesentlichen parallel zu diesen) vergrößert. Das hierzu eingesetzte hochreine Inertgas schließt zudem den Zutritt von Luft und Feuchtigkeit zu der hierauf höchst sensibel reagierenden organischen Dünnschicht aus und sichert so eine hohe Ausbeute.
In einer bevorzugten Verfahrensführung wird vor und/oder wäh- rend der Bestrahlung mindestens eine physikalische Größe der flüssigen Schicht und/oder des Substrates, insbesondere deren Temperatur und/oder Feuchtegehalt und/oder das Reflexionsvermögen und/oder der Brechungsindex, gemessen und das Meßergebnis zur Steuerung der Bestrahlung ausgewertet und genutzt. Hierzu umfaßt die Bestrahlungsvorrichtung mindestens eine Meßeinrichtung zur Erfassung mindestens einer physikalischen Größe der flüssigen Schicht, insbesondere deren Temperatur und/oder Feuchtegehalt und/oder Reflexionsvermögen und/oder Brechungsindex. Die Steuerung der Bestrahlung kann anhand der Meßergebnisse "manuell" erfolgen - insbesondere dann, wenn sie im wesentlichen die Voreinstellung eines Bestrahlungsparameters (oder mehrerer Bestrahlungsparameter) in Abhängigkeit von einer vorab gemessenen Größe umfaßt. In einer bevorzugten automatischen Verfahrensführung hat aber die Bestrahlungssteuereinrichtung mindestens einen Steuereingang,' über den sie mindestens mittelbar mit einer Meßeinrichtung verbunden ist und ein Meßsignal oder Auswertungsergebnis empfängt derart, daß aufgrund des Meßsignals oder Auswertungsergebnisses eine Einstellung der Bestrahlungsparameter erfolgt.
Die Steuerung der Bestrahlungsparameter umfaßt insbesondere eine Steuerung der Strahlertemperatur (etwa über die angelegte Spannung) und/oder der wirksamen Strahlungsleistung, beispielsweise durch Veränderung des Abstandes zwischen Strahler bzw. Reflektor und der zu behandelnden Schicht. Eine weitere zweckmäßige Steuerungsmöglichkeit besteht in einer teilweisen Abbiendung und/oder einer Filterung der NIR-Strahlung mittels einer geeigneten Blenden- bzw. Verschlußeinrichtung oder eines Band- oder Kantenfilters. Hiermit können insbesondere für bestimmte Prozeßschritte unerwünschte Komponenten des Gesamt- Strahlungsspektrums bzw. bestimmte Bereiche der Strahlungszone der Lampen-Reflektor-Anordnung ausgeblendet werden.
Es versteht sich, daß bei den oben erwähnten Hilfsprozessen in analoger Weise wie bei der NIR-Bestrahlung der flüssigen Schicht zur Erzeugung der funktioneilen organischen Dünnschicht eine Messung von Parametern des Substrates oder einer Fotolackschicht oder einer KlebstoffSchicht zum Zwecke einer entsprechenden Bestrahlungssteuerung erfolgen kann.
Schließlich ist für die erwähnten Prozeßschritte auch eine geregelte Prozeßführung möglich, was insbesondere bei relativ stark (und gegebenenfalls unvorhergesehen) wechselnden äußeren Einflußgrößen, etwa Substrateigenschaften, sinnvoll sein kann.
Die Ausführung der Erfindung ist nicht auf die oben beschriebenen Aspekte und Prozeßschritte beschränkt, sondern im Rahmen der anhängenden Ansprüche ebenso gemäß weiteren Aspekten und in sonstigen Prozeßschritten der Herstellung organischer Halbleiter- bzw. Elektrolumineszenzstrukturen möglich.
So können anstelle der oben angesprochenen Halogenlampen als
NIR-Strahlungsquellen auch im NIR-Bereich imitierende Leuchtdioden (NIR-LED) bzw. Laserdioden beim vorgeschlagenen Verfahren und der erfindungsgemäßen Vorrichtung eingesetzt wer- den. Derartige NIR-LED bzw. NIR-Laserdioden sind dann - je nach konkreter Applikation - einzeln oder in kleinen Gruppen oder (bevorzugt) in Diodenarrays von der Form der gewünschten Strahlungszone angepaßter Gestalt vorgesehen. Aufgrund der Abstrahlungseigenschaften benötigen sie keinen ihnen direkt zugeordneten Reflektor; speziell der Einsatz von Gegenreflektoren kann aber in Abhängigkeit von den Absorptionseigenschaften des Werkstücks vorteilhaft sein.

Claims

Patentansprüche
1. Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden organischen Schichtaufbaus zum Einsatz in einer elektronischen Schaltung, insbesondere einer Logik- und/oder Speicherschaltung, wobei ein Substrat mit einer Lösung oder Dis- persion mit geringem Anteil einer organischen Zusammensetzung mit einer Naßschichtdicke beschichtet und durch Trocknen eine auf dem Substrat haftende organische Dünnschicht mit halbleitenden Eigenschaften mit einer gegenüber der Naßschichtdicke wesentlich, insbesondere um ei- ne Größenordnung oder mehr, geringeren Trockenschichtdicke gebildet wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Trocknen durch kurzzeitige Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung erfolgt, die ihren wesentlichen Wirkanteil im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Bereich zwischen 0,8 und 1,5 μm, hat.
2. Verfahren zur Herstellung eines Elektrolumineszenz zeigenden organischen Schichtaufbaus zum Einsatz in einem Anzeigeelement vom OLED-Typ, wobei ein Substrat mit einer Lösung oder Dispersion mit geringem Anteil einer organischen Zusammensetzung mit einer Naßschichtdicke beschichtet und durch Trocknen eine auf dem Substrat haftende organische Dünnschicht mit Elektrolumineszenz- . Eigenschaften mit einer gegenüber der Naßschichtdicke wesentlich, insbesondere um eine Größenordnung oder mehr, geringeren Trockenschichtdicke gebildet wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Trocknen durch kurzzeitige Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung erfolgt, die ihren wesentlichen Wirkanteil im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Bereich zwischen 0,8 und 1,5 μm, hat.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Lösung oder Dispersion mit einem organischen Lösungsmittel gebildet wird, das unter dem Einfluß von elektromagnetischer Strahlung im Bereich des nahen Infrarot sehr leicht flüchtig ist, insbesondere mit To- luol.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß als Substrat eine dünne Keramikplatte oder eine dünne, insbesondere flexible, Glasplatte oder eine mit einer Feuchtediffusionbarriere beschichtete Kunststofffolie eingesetzt wird.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß eine Lösung oder Dispersion mit einem Anteil der organischen Zusammensetzung zwischen 0,2 und 10 Gew.-%, bevor- zugt zwischen 0,5 und 3 Gew.-%, mit einer Naßschichtdik- ke im Bereich zwischen 1 und 50 μm aufgebracht und durch das Trocknen eine Trockenschichtdicke im Bereich zwischen 10 nm und 1 μm, bevorzugt zwischen 50 nm und 300 nm, eingestellt wird.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die organische Zusammensetzung Polymere oder kleine Moleküle, insbesondere ein lösliches Alkoxyphenyl-PPV- System, TAD, MTDATA, Alq3, NPD, DCM, DPVBi, CuPc, OXD und/oder Seltenerdkomplexe, aufweist.
7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h eine derartige Einstellung der Bestrahlungsparameter, insbesondere der Energiedichte und/oder Bestrahlungsdauer, daß die Temperatur in der flüssigen Schicht im wesentlichen unterhalb von 100 °C liegt.
8. Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden und/oder Elektrolumineszenz zeigenden organischen Schichtaufbaus auf einem Substrat, insbesondere nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Oberfläche des Substrats vor dem Aufbringen einer Lösung oder Dispersion mit geringem Anteil einer organischen Zusammensetzung durch kurzzeitige Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung, die ihren wesentlichen Wirkanteil im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Bereich zwischen 0,8 und 1,5 μm, hat, von Wasserad- sorbaten befreit wird.
9. Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden und/oder Elektrolumineszenz zeigenden organischen Schichtaufbaus auf einem Substrat, insbesondere nach einem der vorange- henden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Oberfläche des Substrats vor dem Aufbringen einer Lösung oder Dispersion mit geringem Anteil einer organischen Zusammensetzung auf photolithografischem Wege vor- strukturiert wird, wobei ein Trocknen und/oder Hartbak- ken des Fotolacks durch kurzzeitige Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung erfolgt, die ihren wesentlichen Wirkanteil im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Bereich zwischen 0,8 und 1,5 μm, hat.
10. Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden und/oder Elektrolumineszenz zeigenden organischen Schichtaufbaus auf einem Substrat, insbesondere nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der organische Schichtaufbau mehrere organische Dünnschichten umfaßt und das Trocknen der einzelnen organischen Dünnschichten schrittweise jeweils durch kurzzeitige Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung er- folgt, die ihren wesentlichen Wirkanteil im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Bereich zwischen 0,8 und
1,5 μm, hat.
11. Verfahren zur Herstellung eines halbleitenden und/oder Elektrolumineszenz zeigenden organischen Schichtaufbaus auf einem Substrat, insbesondere nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß der organische Schichtaufbau unmittelbar nach dem Trock- nen feuchtedicht verkapselt wird, wobei ein Trocknen und/oder thermisches Vernetzen eines bei der Verkapse- lung eingesetzten Klebstoffs durch kurzzeitige Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung erfolgt, die ihren wesentlichen Wirkanteil im Bereich des nahen Infra- rot, insbesondere im Bereich zwischen 0,8 und 1,5 μm, hat.
12. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß als elektromagnetische Strahlung die Strahlung einer mit erhöhter Betriebstemperatur, insbesondere mit einer Strahlertemperatur von mehr als 2500 K, speziell von über 2900 K, betriebenen Halogenlampe eingesetzt wird.
13. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß über die flüssige Schicht bzw. über die Substratoberfläche ein, insbesondere im wesentlichen parallel zu dieser ausgerichteter, Schutz- und Trocknungsgasstrom geführt wird.
14. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h eine Bestrahlung mit auf eine im wesentlichen rechteckige Strahlungszone, deren Breite wesentlich kleiner als die entsprechende Abmessung des Substrats ist, fokus- sierter Strahlung, wobei die Strahlungszone abtastend über das Substrat geführt bzw. das Substrat durch die Strahlungszone hindurchgefördert wird.
15. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß vor und/oder während der Bestrahlung mindestens eine physikalische Größe der flüssigen Schicht und/oder des Substrates, insbesondere deren Temperatur und/oder Feuchtegehalt und/oder das Reflexionsvermögen und/oder der Brechungsindex, gemessen und das Meßergebnis zur Steuerung der Bestrahlung ausgewertet und genutzt wird.
16. Verfahren nach Anspruch 15, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h eine Verfahrensführung mit einem geschlossenen Regelkreis .
17. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Leistungsdichte, gemessen auf der Oberfläche der organischen Dünnschicht bei oder oberhalb 150 kW/m2, speziell oberhalb von 500 kW/m2, liegt.
18. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorangehenden Ansprüche, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h eine über der Oberfläche des Substrates angeordnete und auf diese ausgerichtete Strahlungsquelle für elektromagnetische Strahlung, die ihren wesentlichen Wirkanteil im Bereich des nahen Infrarot, insbesondere im Wellenlängenbereich zwischen 0,8 μm und 1,5 μm, hat.
19. Vorrichtung nach Anspruch 18, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Strahlungsquelle eine mit erhöhter Betriebstemperatur betriebene Halogenlampe aufweist.
20. Vorrichtung nach Anspruch 18 oder 19, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Strahlungsquelle einen im wesentlichen den Querschnitt eines Ellipsen- oder Parabelabschnittes aufweisenden Reflektor zur Erzeugung einer im wesentlichen rechteckigen Strahlungszone hat, und eine Bewegungseinrichtung zur abtastenden Bewegung der Strahlungsquelle über das Substrat bzw. zum Hindurchfördern des Substrates durch die Strahlungszone vorgesehen ist.
21. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 20, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h eine Gasstromerzeugungseinrichtung zur Erzeugung eines, insbesondere im wesentlichen parallel zur Oberfläche des Halbleiterwafers und damit zur Fotolackschicht gerichteten, Schutz- und Trocknungsgasstromes, insbesondere mit einem Inertgas.
22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 21, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h eine Bestrahlungssteuereinrichtung, die insbesondere eine Verschlußeinrichtung aufweist, zur Realisierung der kurzzeitigen Einwirkung der elektromagnetischen Strah¬ lung auf die flüssige Schicht mit vorgegebenen, insbe- sondere konstanten, Bestrahlungsparametern, speziell einer vorgegebenen spektralen Zusammensetzung und Leistungsdichte der Strahlung.
23. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 18 bis 22, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h mindestens eine Meßeinrichtung zur Erfassung mindestens einer physikalischen Größe der flüssigen Schicht, insbesondere deren Temperatur und/oder Feuchtegehalt und/oder Reflexionsvermögen und/oder Brechungsindex.
24. Vorrichtung nach Anspruch 22 und 23, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Bestrahlungssteuereinrichtung mindestens einen Steu- ereingang aufweist, über den sie mindestens mittelbar mit einer Meßeinrichtung verbunden ist und ein Meßsignal oder Auswertungsergebnis empfängt derart, daß aufgrund des Meßsignals oder Auswertungsergebnisses eine Einstellung der Bestrahlungsparameter erfolgt.
25. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 22 bis 24, g e k e n n z e i c h n e t d u r c h eine Regeleinrichtung zur Durchführung der Bestrahlung in einem geschlossenen Regelkreis.
26. Vorrichtung nach Anspruch 18 oder einem der Ansprüche 21 bis 25, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß als Strahlungsquelle mindestens eine im Bereich des na- hen Infrarot emittierende LED bzw. Laserdiode, insbesondere eine in Abhängigkeit von der gewünschten Form einer Strahlungszone vorbestimmte Anordnung mehrerer LEDs bzw. Laserdioden, vorgesehen ist.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10153445A1 (de) * 2001-10-30 2003-05-22 Covion Organic Semiconductors Trocknungsverfahren
JP2005215024A (ja) * 2004-01-27 2005-08-11 Fuji Photo Film Co Ltd 乾燥装置及び乾燥方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0653132A (ja) * 1992-07-31 1994-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 有機薄膜の製造方法及び有機薄膜作製装置
US5498761A (en) * 1988-10-11 1996-03-12 Wessling; Bernhard Process for producing thin layers of conductive polymers

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
LU84911A1 (fr) * 1983-07-14 1985-04-17 Cockerill Sambre Sa Procede et installation de cuisson d'un revetement organique applique sur un support
JPS61277958A (ja) * 1985-05-31 1986-12-08 Mita Ind Co Ltd 有機感光体の乾燥方法
JPS6242152A (ja) * 1985-08-15 1987-02-24 Fuji Photo Film Co Ltd 画像形成方法
US5154808A (en) * 1987-06-26 1992-10-13 Fuji Photo Film Co., Ltd. Functional organic thin film and process for producing the same
DE3725134A1 (de) * 1987-07-29 1989-02-09 Basf Ag Flaechenfoermiges, mehrschichtiges, laseroptisches aufzeichnungsmaterial
US5464480A (en) * 1993-07-16 1995-11-07 Legacy Systems, Inc. Process and apparatus for the treatment of semiconductor wafers in a fluid
US5700696A (en) * 1993-11-08 1997-12-23 Lucent Technologies Inc. Method for preparation of conjugated arylene or heteroarylene vinylene polymer and device including same
JP3463362B2 (ja) * 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
US5709974A (en) * 1996-09-27 1998-01-20 Xerox Corporation High speed electrophotographic imaging member
JPH10261484A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Minolta Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子およびその製造方法
WO1999019900A2 (en) * 1997-10-14 1999-04-22 Patterning Technologies Limited Method of forming an electronic device
JP4003273B2 (ja) * 1998-01-19 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法および基板製造装置
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US5976744A (en) * 1998-10-29 1999-11-02 Xerox Corporation Photoreceptor overcoatings containing hydroxy functionalized aromatic diamine, hydroxy functionalized triarylamine and crosslinked acrylated polyamide
US6103436A (en) * 1998-10-29 2000-08-15 Xerox Corporation Overcoated photoreceptors and methods of using overcoated photoreceptors
DE19851703A1 (de) * 1998-10-30 2000-05-04 Inst Halbleiterphysik Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen
DE10035430B4 (de) * 2000-07-20 2005-06-16 Advanced Photonics Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Behandlung einer Fotolackschicht auf einem Schaltungssubstrat, insbesondere Halbleiterwafer

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5498761A (en) * 1988-10-11 1996-03-12 Wessling; Bernhard Process for producing thin layers of conductive polymers
JPH0653132A (ja) * 1992-07-31 1994-02-25 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 有機薄膜の製造方法及び有機薄膜作製装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN *
See also references of WO0213285A1 *

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Publication number Publication date
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