EP1920462A2 - Procede pour produire un composant semi-conducteur presentant une metallisation planaire et composant semi-conducteur - Google Patents

Procede pour produire un composant semi-conducteur presentant une metallisation planaire et composant semi-conducteur

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EP1920462A2
EP1920462A2 EP06791327A EP06791327A EP1920462A2 EP 1920462 A2 EP1920462 A2 EP 1920462A2 EP 06791327 A EP06791327 A EP 06791327A EP 06791327 A EP06791327 A EP 06791327A EP 1920462 A2 EP1920462 A2 EP 1920462A2
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EP
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insulating layer
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glass coating
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glass
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EP06791327A
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Karl Weidner
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Publication date
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    • H10W90/00—Package configurations

Definitions

  • the glass coating is applied by means of physical vapor deposition (PVD) and / or plasma ion assisted deposition (PIAD), in particular electron-beam PVD-PIAD.
  • PVD physical vapor deposition
  • PIAD plasma ion assisted deposition

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

La présente invention concerne un procédé pour produire un composant semi-conducteur, en particulier une structure de semi-conducteur présentant une structure de surface ou une topographie qui est produite sur un substrat (1) au moyen de composants électroniques (2). Selon cette invention, un ou plusieurs composants électroniques (2) sont appliqués sur un substrat (1), puis une couche d'isolation (3) est appliquée sur la topographie produite sur le substrat (1) au moyen du composant (2). Ensuite, des ouvertures de connexion (5) sont ménagées dans la couche d'isolation (3) en des points de connexion (8, 9) dudit composant électronique, la couche d'isolation (3) et les points de connexion (8, 9) sont métallisés de façon planaire dans les ouvertures de connexion (5) et la métallisation est structurée afin de produire des connexions électriques (4). La couche d'isolation (3) présente un revêtement de verre.
EP06791327A 2005-08-30 2006-08-30 Procede pour produire un composant semi-conducteur presentant une metallisation planaire et composant semi-conducteur Withdrawn EP1920462A2 (fr)

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