EP2593976A2 - Halbfabrikat und verfahren zur herstellung einer leuchtdiode - Google Patents

Halbfabrikat und verfahren zur herstellung einer leuchtdiode

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EP2593976A2
EP2593976A2 EP11727951.3A EP11727951A EP2593976A2 EP 2593976 A2 EP2593976 A2 EP 2593976A2 EP 11727951 A EP11727951 A EP 11727951A EP 2593976 A2 EP2593976 A2 EP 2593976A2
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EP
European Patent Office
Prior art keywords
light
emitting diode
semi
tab
finished product
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP11727951.3A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Volker Arning
Mikko Meyder
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Evonik Operations GmbH
Original Assignee
Evonik Goldschmidt GmbH
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Filing date
Publication date
Application filed by Evonik Goldschmidt GmbH filed Critical Evonik Goldschmidt GmbH
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Withdrawn legal-status Critical Current

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Definitions

  • the invention relates to a semi-finished product and a method for producing a light-emitting diode.
  • LED chips connected to the second upper end of the H-shaped member for example by the known from the prior art gold wire bonding method.
  • the upper end of the H-shaped element with LED chip arranged thereon is subsequently arranged in a Linsenvergusskorper, which is filled to produce the lens body with a potting compound.
  • the connecting web of the H-shaped member is removed in a solder-like process to the
  • Emit light wavelengths the conversion to, for example, white light
  • the frequency change with phosphors for example, with phosphorus necessary.
  • this phosphor is added to the potting compound for the production of the lens body.
  • the method described requires high precision in the positioning of the LED chip on the H-shaped element. Furthermore, the production of the connection between the second terminal of the LED chip and the second upper end of the H-shaped element is very expensive. by virtue of In the complex manufacturing process, the production speed of a light-emitting diode is limited according to the known method.
  • the invention is based on the object, a simple and fast
  • a semifinished product for producing a light-emitting diode comprising a flexible carrier material, a first and a second contact surface arranged on the carrier material for producing electrical connections, a light-emitting diode chip arranged on the carrier material or a receptacle for a light-emitting diode chip, one molded into the carrier material hinged tab, wherein the tab is arranged so that it can be folded against and / or on the LED chip, wherein on the hinged tab at least a first electrical connecting web is arranged, which is connected to the first contact surface and by folding the tab with a first Connection of the LED chip is connectable.
  • Light-emitting diode chips can be produced. As a result, the speed of the manufacturing process of the light-emitting diode is significantly improved.
  • the second contact surface is connected via a second electrical connecting web to a second terminal of the LED chip.
  • the electrically conductive connection between the second contact surface and the second terminal of the light-emitting diode chip is produced when the light-emitting diode chip is applied to the semifinished product.
  • only one electrically conductive connection between the first contact surface and the first terminal of the LED chip are produced.
  • a second electrical connecting web is arranged on the hinged tab, which is connected to the second contact surface and can be connected by folding the tab to the second terminal of the LED chip.
  • Manufacturing step the electrically conductive connections between the first contact surface and the first terminal of the LED chip and between the second contact surface and the second terminal of the LED chip are manufactured, whereby the production speed of a light emitting diode is further improved.
  • the flexible carrier material in the region of the receptacle for the LED chip relative to the light emitted by the LED chip radiation is substantially transparent, so that the radiation emitted by the LED chip radiation is emitted through the semifinished product and the connecting webs by means of the tab the back of the LED chip will be folded.
  • the object underlying the invention is further achieved by a semi-finished product for producing a light-emitting diode comprising a flexible
  • Carrier material a first and a second disposed on the substrate contact surface for making electrical connections, a first and second electrical connection web on the carrier material, which is connected to the first and second contact surface, a formed in the carrier material hinged tab, one on the Lug arranged
  • the LED chip or arranged on the tab receptacle for a LED chip wherein the tab and the first and second connecting web are arranged so that a first and second terminal of the LED chip is connected by folding the tab to the first and second connecting web. It is thereby achieved that, when the tab is being flipped, the first or second terminal of the LED chip is electrically conductively connected to the first or second connecting bridge. Because the positions of the LED chips and the first and second connecting web are predetermined, can be made in this way a simple and fast connection between the terminals of the LED chip and the contact surfaces of the semi-finished product.
  • the tab of one of the above-described semifinished products after folding is fixed to the LED chip with an adhesive.
  • the adhesive contains
  • Phosphorus compounds to convert the frequency of the radiated from the LED chip radiation. Because LEDs are discrete
  • Emit light wavelengths and not radiate in all colors is to convert the emitted radiation a frequency change z.
  • the tab of one of the above-described semifinished products is at least partially transparent with respect to the radiation emitted by the light-emitting diode chip.
  • the tab contains phosphorus compounds in order to convert the frequency of the radiated from the LED chip radiation.
  • the frequency of the radiation emitted by the light-emitting diode chip can be converted into the desired frequency in a simple manner.
  • Luminous diode chip radiated radiation disposed, for example by applying, vapor deposition or sputtering of aluminum. This will be the
  • the first and the second contact surface is connected to a respective contact pin.
  • These pins are used to make an electrically conductive connection to an external electronic circuit in which the light-emitting diode is installed.
  • the contact pins are arranged approximately parallel to each other at a certain distance from each other, preferably at a distance of 3 mm or 5 mm.
  • the first and / or second contact surface arranged on the carrier material can be deformed into a contact pin, preferably by means provided on the carrier material
  • one of the previously described semifinished products comprises a plurality of light-emitting diode chips and / or recordings for light-emitting diode chips, preferably two to eight light-emitting diode chips and / or recordings for light-emitting diode chips.
  • the intensity of the emitted radiation can be increased. It is also possible to convert the radiation emitted by the plurality of light-emitting diode chips differently by the use of different phosphorus compounds, so that different colors can be radiated, or to combine light-emitting diode chips emitting different colors, as for example in so-called RGB LEDs.
  • the semifinished product can likewise comprise a plurality of foldable tabs formed in the carrier material, the tabs being arranged so that they respectively face against and / or on one of the
  • LED chips are hinged. This is particularly advantageous if the radiation emitted by the individual light-emitting diode chips by means of Phosphorus compounds are to be converted in the adhesive between the tab and LED chip or within the tab.
  • the object underlying the invention is further achieved by a method for producing a light-emitting diode comprising the steps of providing one of the above-described semifinished products, flaps of the tab, optionally applying the contact pins on the contact surfaces, arranging the semifinished product in a Linsenverguss phenomenon, filling the Linsenverguss stressess with a
  • Potting compound for producing a lens body has the advantage that the production of the electrical connection between the LED chip and contact surfaces of the semifinished product is achieved by simply flipping the tab and thus the use of the elaborate gold wire bonding method for producing the electrically conductive connection between the LED chip and the contact surfaces of the semifinished product is avoided.
  • an adhesive is applied to the tab or the LED chip prior to folding the tab, so that the folded tab is fixed.
  • the semi-finished product is deformed so that the contact pins connected to the contact surfaces are arranged approximately parallel to each other at a certain distance from each other, preferably 3 mm or 5 mm (or 1/10 "or 2/10"). Since the semi-finished product consists of a flexible carrier material, this can be easily deformed into the desired shape, which facilitates subsequent installation of the LED produced by the method in an external electronic circuit.
  • Support material can be bent at least 90 ° without being permanently damaged.
  • the contact pins are soldered to the contact surfaces or glued conductive.
  • the pins are mechanically with the contact surfaces
  • Semi-finished products are punched out in a further process step, for example, before the application of the contact pins on the contact surfaces, before arranging the semi-finished product in a Linsenvergussêt or before the deformation of the semi-finished products.
  • a plurality of LEDs can be produced simultaneously, whereby the production speed is further increased.
  • An arc in the sense of the invention may also be a material web, which may possibly be wound on one or more rollers.
  • the light-emitting diode chip is arranged in the receptacle for the light-emitting diode chip by means of the following method: applying an adhesive-repellent composition to at least one partial surface of the semi-finished product which is not equal to the receptacle for the light-emitting diode chip, curing the adhesive-repellent
  • composition applying an adhesive composition to the
  • a receptacle for the LED chip wherein the partial surface of the semifinished product provided with the adhesive-repellent composition encloses and adjoins the receptacle for the LED chip provided with the adhesive composition and applies the LED chip to that in the receptacle for the LED chip
  • An adhesive composition wherein the adhesive repellent composition is a radiation curable adhesive coating composition.
  • an adhesive composition is essentially understood to mean a non-metallic composition of matter which is capable of bonding semifinished product and LED chip by surface adhesion (adhesion) and internal strength (cohesion). More preferably, the adhesive composition is curable, that is, it can by suitable measures, those skilled in the art are cross-linked, so that a rigid, the LED chip on the semifinished product immobilizing mass results.
  • An adhesive repellent composition is with the
  • Adhesive composition spontaneously immiscible and leads in contact with it to an increase in the contact angle (contact angle) between semi-finished product and adhesive composition.
  • Such an adhesive repellent is
  • the adhesive-repellent composition used according to the invention is a radiation-curing abhesive coating composition, i. h., To an abhesive coating composition comprising crosslinked or polymerizable radicals which are curable by electromagnetic radiation, in particular UV light or electron radiation. The curing of the adhesive-repellent composition thus takes place in that the composition applied to the semifinished product is irradiated with electromagnetic radiation,
  • UV light or electron radiation is irradiated until at least partial curing of the composition is achieved, whereby a high
  • the adhesive composition and the adhesive-repellent composition are applied to the semifinished product so that the adhesive repellent composition after curing, the adhesive composition after application of the two
  • the cured adhesive repellent composition surrounds the adhesive composition on the semifinished product such that substantially at each location where the contact angle between semi-finished and
  • Adhesive composition forms, also a phase boundary of
  • Composition is present.
  • the invention further relates to a light-emitting diode containing at least one light-emitting LED chip, which was produced by the described method.
  • the invention will be explained in more detail with reference to an embodiment shown in FIGS. Show it:
  • FIG. 1 a semi-finished product according to the invention
  • FIG. 2 shows the semifinished product according to FIG. 1 after flaps of the flap
  • FIG. 3 shows the semi-finished product according to FIG. 2 with applied contact pins
  • FIG. 4 shows the semi-finished product according to FIG. 3 after deforming the
  • FIG. 6 shows an alternative connection according to the invention between the first
  • FIG. 8 a semifinished product according to the invention after entanglement of the invention
  • FIG. 9 an alternative light-emitting diode according to the invention
  • FIG. 10 an alternative semi-finished product according to the invention
  • FIG. 11 a further semi-finished product according to the invention.
  • FIG. 1 shows a semifinished product 1 for producing a light-emitting diode 2.
  • the semi-finished product 1 comprises a flexible carrier material 3, a first and a second arranged on the support material 3 contact surface 4, 5 for the preparation of electrical connections, arranged on the substrate 3 LED chip 6, formed in the substrate 3 hinged flap 7, wherein the tab 7 is arranged so that these on or at the
  • LED chip 6 is hinged, wherein on the hinged tab 7 at least a first electrical connecting web 8 is arranged, which is electrically connected to the first contact surface 4 and can be connected by folding the tab 7 with a first terminal of the LED chip.
  • the second contact surface 5 is electrically connected via a second electrical connecting web 9 to a second terminal of the LED chip.
  • LED chip 6 emitted radiation arranged by vapor deposition of aluminum.
  • an adhesive is applied to the tab 7 or the light-emitting diode chip 6.
  • the adhesive contains phosphorus compounds to convert the frequency of the radiation emitted by the LED chip 6 to adjust the radiation emitted by the LED.
  • the tab 7 is folded onto the LED chip 6.
  • the applied adhesive is the tab 7 after folding on the
  • the tab 7 is transparent at least partially based on the radiation emitted by the LED chip 6 radiation.
  • the semi-finished product 1 after folding the flap 7 on the LED chip 6 is shown in Figure 2.
  • the first contact surface 4 and second contact surface 5 are each connected to a contact pin 10, 1 1, for example by soldering.
  • a semi-finished product 1 with contact pins 10, 1 1 is shown in Figure 3.
  • the semi-finished product 1 is deformed so that the contact pins 10, 1 1 connected to the contact surfaces 4, 5 are arranged approximately parallel to each other at a certain distance from each other.
  • the distance between the contact pins 10, 1 1 is preferably 3 mm or 5 mm or are adapted to the usual pitches 1/10 "or 2/10".
  • FIG. 4 shows a semifinished product 1 during deformation.
  • the thus deformed semifinished product 1 is arranged in a Linsenvergussêt, which subsequently with a potting compound for producing a
  • Lensen emotionss 12 is filled. After curing of the casting compound, the finished light-emitting diode 2 can be removed from the Linsenvergussêt.
  • a light-emitting diode 2 produced by the method according to the invention is shown in FIG.
  • FIGS. 6-9 is an alternative connection between the first and second
  • Contact pins 10, 1 1 each have a recess 13 which is formed so that a frictional connection between the contact pin 10, 1 1 and first and second contact surface 4, 5 of the semi-finished product is produced.
  • a resulting light-emitting diode 2 is shown in FIG.
  • FIG. 10 shows an alternative semifinished product 1 according to the invention for producing a light-emitting diode 2.
  • Semi-finished product 1 includes a flexible one
  • Support material 3 a first and a second arranged on the substrate 3 contact surface 4, 5 for the preparation of electrical connections, a tab arranged on the carrier material LED 6 and a formed in the substrate 3 hinged tab 7.
  • the tab is arranged so that it is hinged on or to the LED chip 6, wherein on the hinged tab 7 at least a first electrical connecting web 8 is arranged which is electrically connected to the first contact surface 4 and by folding the tab 7 with a first terminal of the LED chip 6 is connectable.
  • the second contact surface 5 is electrically connected via a second electrical connecting web 9 to a second terminal of the LED chip 6.
  • the first and the second contact surface 4, 5 arranged on the carrier material 3 are each in a contact pin 10, 11
  • the folded contact surfaces 4, 5 are fixed in the folded position by means of an adhesive.
  • one of the contact pins 10, 1 1 may be shorter.

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und ein Halbfabrikat (1) zur Herstellung einer Leuchtdiode (2) umfassend: ein flexibles Trägermaterial (3), eine erste und eine zweite auf dem Trägermaterial (3) angeordnete Kontaktfläche (4, 5) zur Herstellung von elektrischen Verbindungen, einen auf dem Trägermaterial (3) angeordneten Leuchtdiodenchip (6) oder eine Aufnahme für einen Leuchtdiodenchip (6), eine in das Trägermaterial (3) geformte klappbare Lasche (7), wobei die Lasche (7) so angeordnet ist, dass diese gegen und/oder auf den Leuchtdiodenchip (6) klappbar ist, wobei auf der klappbaren Lasche (7) wenigstens ein erster elektrischer Verbindungssteg (8) angeordnet ist, der mit der ersten Kontaktfläche (4) verbunden ist und durch Klappen der Lasche (7) mit einem ersten Anschluss des Leuchtdiodenchips (6) verbindbar ist.

Description

Halbfabrikat und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode
Die Erfindung betrifft ein Halbfabrikat und ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode.
Bei einem aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode werden die aktiven Elemente der Leuchtdiode, sogenannte
Leuchtdiodenchips oder LED-dies, auf ein drahtartiges H-förmiges Element gesetzt. Dabei wird eine elektrische Verbindung zwischen einem ersten
Anschluss des Leuchtdiodenchips und einem oberen Ende des H-förmigen Elements hergestellt. Nachfolgend wird ein zweiter Anschluss des
Leuchtdiodenchips mit dem zweiten oberen Ende des H-förmigen Elements verbunden, beispielsweise durch das aus dem Stand der Technik bekannte Gold Wire Bonding-Verfahren. Das obere Ende des H-förmigen Elements mit darauf angeordnetem Leuchtdiodenchip wird nachfolgend in einem Linsenvergusskorper angeordnet, welcher zur Herstellung des Linsenkörpers mit einer Vergussmasse gefüllt wird. Nach dem Herstellen des Linsenkörpers wird der verbindende Steg des H-förmigen Elements in einem lötähnlichen Prozess entfernt, um den
Kurzschluss aufzuheben.
Um die Lichteffizienz zu erhöhen, können Reflektoren eingesetzt werden, welche vor der Herstellung des Linsenkörpers um den Leuchtdiodenchip angeordnet werden. Da Leuchtdiodenchips nicht in allen Farben strahlen, sondern diskrete
Lichtwellenlängen emitieren, ist zur Konversion in zum Beispiel weißes Licht die Frequenzveränderung mit Leuchtstoffen, zum Beispiel mit Phosphor, notwendig. Üblicherweise wird dieses Phosphor der Vergussmasse zur Herstellung des Linsenkörpers beigemengt.
Das beschriebene Verfahren erfordert eine hohe Präzision bei der Positionierung des Leuchtdiodenchips auf dem H-förmigen Element. Weiterhin ist die Herstellung der Verbindung zwischen dem zweiten Anschluss des Leuchtdiodenchips und dem zweiten oberen Ende des H-förmigen Elements sehr aufwendig. Aufgrund des komplexen Herstellungsverfahren ist die Herstellungsgeschwindigkeit einer Leuchtdiode nach dem bekannten Verfahren begrenzt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfaches und schnelles
Herstellungsverfahren für Leuchtdioden bereit zu stellen.
Die Aufgabe wird gelöst durch ein Halbfabrikat zur Herstellung einer Leuchtdiode umfassend ein flexibles Trägermaterial, eine erste und eine zweite auf dem Trägermaterial angeordnete Kontaktfläche zur Herstellung von elektrischen Verbindungen, einem auf dem Trägermaterial angeordneten Leuchtdiodenchip oder eine Aufnahme für einen Leuchtdiodenchip, eine in das Trägermaterial geformte klappbare Lasche, wobei die Lasche so angeordnet ist, dass diese gegen und/oder auf den Leuchtdiodenchip klappbar ist, wobei auf der klappbaren Lasche wenigstens ein erster elektrischer Verbindungssteg angeordnet ist, der mit der ersten Kontaktfläche verbunden ist und durch Klappen der Lasche mit einem ersten Anschluss des Leuchtdiodenchips verbindbar ist.
Die Verwendung eines erfindungsgemäßen Halbfabrikats bei der Herstellung einer Leuchtdiode hat den Vorteil, dass durch die in das Trägermaterial geformte klappbare Lasche, auf welcher ein erster elektrischer Verbindungssteg
angeordnet ist, der mit der ersten Kontaktfläche verbunden ist und durch Klappen der Lasche mit einem ersten Anschluss des Leuchtdiodenchips verbindbar ist, auf einfache und schnelle Art und Weise eine elektrisch leitfähige Verbindung zwischen einer Kontaktfläche des Halbfabrikats und einem Anschluss des
Leuchtdiodenchips hergestellt werden kann. Dadurch wird die Geschwindigkeit des Herstellungsprozesses der Leuchtdiode deutlich verbessert.
Nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung ist die zweite Kontaktfläche über einen zweiten elektrischen Verbindungssteg mit einem zweiten Anschluss des Leuchtdiodenchips verbunden. Die elektrisch leitfähige Verbindung zwischen der zweiten Kontaktfläche und dem zweiten Anschluss des Leuchtdiodenchips wird beim Aufbringen des Leuchtdiodenchips auf das Halbfabrikat hergestellt. Somit muss im nachfolgenden Herstellungsprozess der Leuchtdiode nur noch eine elektrisch leitfähige Verbindung zwischen der ersten Kontaktfläche und dem ersten Anschluss des Leuchtdiodenchips hergestellt werden.
Nach einer alternativen Ausführungsform der Erfindung ist auf der klappbaren Lasche ein zweiter elektrischer Verbindungssteg angeordnet, der mit der zweiten Kontaktfläche verbunden ist und durch Klappen der Lasche mit dem zweiten Anschluss des Leuchtdiodenchips verbindbar ist. Somit können in einem
Herstellungsschritt die elektrisch leitfähigen Verbindungen zwischen der ersten Kontaktfläche und dem ersten Anschluss des Leuchtdiodenchips sowie zwischen der zweiten Kontaktfläche und dem zweiten Anschluss des Leuchtdiodenchips herstellt werden, wodurch die Herstellungsgeschwindigkeit einer Leuchtdiode weiter verbessert wird.
Zweckmäßigerweise ist bei einer Anordnung beider Verbindungsstege auf der klappbaren Lasche das flexible Trägermaterial im Bereich der Aufnahme für den Leuchtdiodenchip bezogen auf die vom Leuchtdiodenchip emittierte Strahlung im Wesentlichen transparent, sodass die vom Leuchtdiodenchip emittierte Strahlung durch das Halbfabrikat abgestrahlt wird und die Verbindungsstege mittels der Lasche auf die Rückseite des Leuchtdiodenchips geklappt werden.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Halbfabrikat zur Herstellung einer Leuchtdiode umfassend ein flexibles
Trägermaterial, eine erste und eine zweite auf dem Trägermaterial angeordnete Kontaktfläche zur Herstellung von elektrischen Verbindungen, einen ersten und zweiten elektrischen Verbindungssteg auf dem Trägermaterial, welcher mit der ersten bzw. zweiten Kontaktfläche verbunden ist, eine in das Trägermaterial geformte klappbare Lasche, einen auf der Lasche angeordneten
Leuchtdiodenchip oder einer auf der Lasche angeordneten Aufnahme für einen Leuchtdiodenchip, wobei die Lasche und der erste und zweite Verbindungssteg so angeordnet sind, dass ein erster und zweiter Anschluss des Leuchtdiodenchips durch Klappen der Lasche mit dem ersten bzw. zweiten Verbindungssteg verbunden ist. Dadurch wird erreicht, dass beim Klappen der Lasche der erste bzw. zweite Anschluss des Leuchtdiodenchips mit dem ersten bzw. zweiten Verbindungssteg elektrisch leitfähig verbunden wird. Da die Positionen des Leuchtdiodenchips und des ersten und zweiten Verbindungsstegs vorgegeben sind, kann auf diese Art und Weise eine einfache und schnelle Verbindung zwischen den Anschlüssen des Leuchtdiodenchips und den Kontaktflächen des Halbfabrikats hergestellt werden.
Zweckmäßigerweise ist die Lasche eines der vorbeschriebenen Halbfabrikate nach dem Klappen mit einem Kleber an dem Leuchtdiodenchip fixiert.
Nach einer vorteilhaften Ausführung der Erfindung enthält der Kleber
Phosphorverbindungen, um die Frequenz der von dem Leuchtdiodenchip abgestrahlten Strahlung umzuwandeln. Da Leuchtdioden diskrete
Lichtwellenlängen emitieren und nicht in allen Farben strahlen, ist zur Konversion der abgegebenen Strahlung eine Frequenzveränderung z. B. mit Phosphor wünschenswert. Dies hat den Vorteil, dass die Phosphorverbindungen nicht wie aus dem Stand der Technik bekannt im Linsenkörper integriert sind, sondern lediglich in der Klebeschicht zwischen Lasche und Leuchtdiodenchip, wodurch die benötigte Menge an Phosphorverbindungen reduziert wird.
Zweckmäßigerweise ist die Lasche eines der vorbeschriebenen Halbfabrikate zumindest teilweise bezogen auf die vom Leuchtdiodenchip emitierte Strahlung transparent.
Nach einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung enthält die Lasche Phosphorverbindungen, um die Frequenz der von dem Leuchtdiodenchip abgestrahlten Strahlung umzuwandeln. Dadurch kann die Frequenz der von dem Leuchtdiodenchip abgestrahlten Strahlung auf einfache Art und Weise in die gewünschte Frequenz umgewandelt werden.
Vorteilhafterweise ist auf der Lasche ein Reflektor für die von dem
Leuchtdiodenchip abgestrahlte Strahlung angeordnet, beispielsweise durch Auflegen, Aufdampfen oder Sputtern von Aluminium. Dadurch wird die
Lichteffizienz der Leuchtdiode erhöht. Weiterhin wird ein zusätzlicher
Verfahrensschritt, in welchem ein zusätzlicher Reflektor in der Nähe des
Leuchtdiodenchips angeordnet wird, vermieden. Zweckmäßigerweise ist die erste und die zweite Kontaktfläche mit jeweils einem Kontaktstift verbunden. Diese Kontaktstifte dienen zu Herstellung einer elektrisch leitfähigen Verbindung mit einer externen elektronischen Schaltung, in welcher die Leuchtdiode eingebaut wird. Beispielsweise sind die Kontaktstifte dazu annähernd parallel zueinander in einem bestimmten Abstand voneinander angeordnet, vorzugsweise in einem Abstand von 3 mm oder 5 mm.
Nach einer alternativen Ausführungsform der Erfindung ist die erste und/oder zweite auf dem Trägermaterial angeordnete Kontaktfläche in einen Kontaktstift verformbar, vorzugsweise mittels auf dem Trägermaterial vorgesehenen
Faltlinien. Durch das Falten des Trägermaterials entlang der Faltlinien wird die erste und/oder zweite auf dem Trägermaterial angeordnete Kontaktfläche in einen Kontaktstift verformt, wodurch das Verbinden der ersten und/oder zweiten
Kontaktfläche mit einem separaten Kontaktstift vermieden wird.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung umfasst eines der vorbeschriebenen Halbfabrikate mehrere Leuchtdiodenchips und/oder Aufnahmen für Leuchtdiodenchips, vorzugsweise zwei bis acht Leuchtdiodenchips und/oder Aufnahmen für Leuchtdiodenchips. Durch die Anordnung von mehreren
Leuchtdiodenchips auf einem erfindungsgemäßen Halbfabrikat kann die Intensität der abgegebenen Strahlung erhöht werden. Auch ist es möglich, die von den mehreren Leuchtdiodenchips abgegebene Strahlung durch die Verwendung unterschiedlicher Phosphorverbindungen unterschiedlich umzuwandeln, so dass unterschiedliche Farben abgestrahlt werden können, oder verschiedenfarbig emitierende Leuchtdiodenchips zu kombinieren, wie beispielsweise bei sogenannten RGB LEDs.
Wenn das Halbfabrikat mehrere Leuchtdiodenchips und/oder Aufnahmen für Leuchtdiodenchips aufweist, kann das Halbfabrikat ebenfalls mehrere in das Trägermaterial geformte klappbare Laschen umfassen, wobei die Laschen so angeordnet sind, dass diese jeweils gegen und/oder auf einen der
Leuchtdiodenchips klappbar sind. Dies ist besonders vorteilhaft, wenn die von den einzelnen Leuchtdiodenchips abgegebene Strahlung mittels Phosphorverbindungen in dem Kleber zwischen Lasche und Leuchtdiodenchip oder innerhalb der Lasche umgewandelt werden sollen.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird weiterhin gelöst durch ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode umfassend die Schritte: Bereitstellen eines der vorbeschriebenen Halbfabrikate, Klappen der Lasche, gegebenenfalls Aufbringen der Kontaktstifte auf die Kontaktflächen, Anordnen des Halbfabrikats in einen Linsenvergusskörper, Füllen des Linsenvergusskörpers mit einer
Vergussmasse zur Herstellung eines Linsenkörpers. Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, dass die Herstellung der elektrischen Verbindung zwischen Leuchtdiodenchip und Kontaktflächen des Halbfabrikats durch einfaches Klappen der Lasche hergestellt wird und somit die Verwendung des aufwendigen Gold Wire Bonding-Verfahrens zur Herstellung der elektrisch leitfähigen Verbindung zwischen Leuchtdiodenchip und den Kontaktflächen des Halbfabrikats vermieden wird.
Zweckmäßigerweise wird vor dem Klappen der Lasche ein Kleber auf die Lasche oder den Leuchtdiodenchip aufgebracht, so dass die geklappte Lasche fixiert wird.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird das Halbfabrikat so verformt, dass die mit den Kontaktflächen verbundenen Kontaktstifte annähernd parallel zueinander in einem bestimmten Abstand voneinander angeordnet sind, vorzugsweise 3 mm oder 5 mm (bzw. 1/10" oder 2/10"). Da das Halbfabrikat aus einem flexiblen Trägermaterial besteht, kann dieses einfach in die gewünschte Form verformt werden, was einen späteren Einbau der nach dem Verfahren hergestellten Leuchtdiode in eine externe elektronische Schaltung erleichtert.
Flexibel im Sinne der Erfindung bedeutet dabei, dass das Trägermaterial wenigstens um 90° gebogen werden kann ohne dauerhaft geschädigt zu werden.
Zweckmäßigerweise werden die Kontaktstifte mit den Kontaktflächen verlötet oder leitfähig verklebt. Alternativ werden die Kontaktstifte mechanisch mit den Kontaktflächen
verbunden, beispielsweise mittels einer reibschlüssigen Verbindung und/oder durch Verformen von Kontaktbereichen an den Kontaktstiften. Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist ein Bogen mehrere der vorbeschriebenen Halbfabrikate auf, wobei die mehreren
Halbfabrikate in einem weiteren Verfahrensschritt ausgestanzt werden, beispielsweise vor dem Aufbringen der Kontaktstifte auf die Kontaktflächen, vor dem Anordnen des Halbfabrikats in einem Linsenvergusskörper oder vor dem Verformen der Halbfabrikate. Dadurch können mehrere Leuchtdioden gleichzeitig hergestellt werden, wodurch die Produktionsgeschwindigkeit weiter erhöht wird.
Bei einem Bogen im Sinne der Erfindung kann es sich auch um eine Materialbahn handeln, welche ggf. auf eine oder mehrere Rollen gewickelt sein kann.
Nach einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird der Leuchtdiodenchip mittels des folgenden Verfahrens in der Aufnahme für den Leuchtdiodenchip angeordnet: Aufbringen einer klebstoffabweisenden Zusammensetzung auf mindestens eine Teiloberfläche des Halbfabrikats, die nicht gleich der Aufnahme für den Leuchtdiodenchip ist, Aushärten der klebstoffabweisenden
Zusammensetzung, Aufbringen einer Klebstoffzusammensetzung auf die
Aufnahme für den Leuchtdiodenchip, wobei die mit der klebstoffabweisenden Zusammensetzung versehene Teiloberfläche des Halbfabrikats die mit der Klebstoffzusammensetzung versehene Aufnahme für den Leuchtdiodenchip umschließt und an diese angrenzt und Aufbringen des Leuchtdiodenchips auf die in der Aufnahme für den Leuchtdiodenchip befindliche
Klebstoffzusammensetzung, wobei die klebstoffabweisende Zusammensetzung eine Strahlungshärtende adhäsive Beschichtungsmasse ist. Unter einer
Klebstoffzusammensetzung ist vorliegend im Wesentlichen eine nichtmetallische Stoffzusammensetzung zu verstehen, die in der Lage ist, Halbfabrikat und Leuchtdiodenchip durch Flächenhaftung (Adhäsion) und innere Festigkeit (Kohäsion) zu verbinden. Weiter bevorzugt ist die Klebstoffzusammensetzung härtbar, d. h., sie kann durch geeignete Maßnahmen, die dem Fachmann an sich bekannt sind, quer vernetzt werden, so dass eine starre, den Leuchtdiodenchip auf dem Halbfabrikat immobilisierende Masse resultiert.
Eine klebstoffabweisende Zusammensetzung ist mit der
Klebstoffzusammensetzung spontan nicht mischbar und führt in Kontakt mit ihr zu einer Erhöhung des Kontaktswinkels (Randwinkels) zwischen Halbfabrikat und Klebstoffzusammensetzung. Eine derartige klebstoffabweisende
Zusammensetzung wird auch als "abhäsive Beschichtungsmasse" bezeichnet. Bei der erfindungsgemäß eingesetzten klebstoffabweisenden Zusammensetzung handelt es sich um eine Strahlungshärtende abhäsive Beschichtungsmasse, d. h., um eine abhäsive Beschichtungsmasse, die vernetzte bzw. polymerisierbare Reste aufweist, die durch elektromagnetische Strahlung, insbesondere UV-Licht oder Elektronenstrahlung, härtbar sind. Die Härtung der klebstoffabweisenden Zusammensetzung erfolgt somit dadurch, dass die auf das Halbfabrikat aufgebrachte Zusammensetzung mit elektromagnetischer Strahlung,
insbesondere UV-Licht oder Elektronenstrahlung, bestrahlt wird, bis zumindest partielle Härtung der Zusammensetzung erzielt ist, wodurch eine hohe
Strukturtreue erreicht wird. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren werden die Klebstoffzusammensetzung und die klebstoffabweisende Zusammensetzung so auf das Halbfabrikat aufgebracht, dass die klebstoffabweisende Zusammensetzung nach ihrer Härtung die Klebstoffzusammensetzung nach dem Aufbringen der beiden
Zusammensetzungen umschließt und an diese angrenzt, d. h., dass die gehärtete klebstoffabweisende Zusammensetzung die auf dem Halbfabrikat befindliche Klebstoffzusammensetzung derartig umgibt, dass im Wesentlichen an jeder Stelle, an der sich der Kontaktwinkel zwischen Halbfabrikat und
Klebstoffzusammensetzung bildet, auch eine Phasengrenze der
Klebstoffzusammensetzung und der gehärteten klebstoffabweisenden
Zusammensetzung vorliegt.
Die Erfindung betrifft weiterhin eine Leuchtdiode enthaltend mindestens einen lichtemitierenden Leuchtdiodenchip, die nach dem beschriebenen Verfahren hergestellt wurde. Nachfolgend wird die Erfindung anhand eines in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiels näher erläutert. Es zeigen:
Figur 1 : Ein erfindungsgemäßes Halbfabrikat,
Figur 2: das Halbfabrikat nach Figur 1 nach Klappen der Lasche,
Figur 3: das Halbfabrikat nach Figur 2 mit aufgebrachten Kontaktstiften, Figur 4: das Halbfabrikat nach Figur 3 nach einem Verformen des
Halbfabrikats,
Figur 5: eine nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte
Leuchtdiode,
Figur 6: eine erfindungsgemäße alternative Verbindung zwischen der ersten
Kontaktfläche und zweiten Kontaktfläche des Halbfabrikats mit Verbindungsstiften, Figur 7: ein erfindungsgemäßes Halbfabrikat nach Herstellen der
reibschlüssigen Verbindung,
Figur 8: ein erfindungsgemäßes Halbfabrikat nach Verschränkung der
Kontaktstifte,
Figur 9: eine alternative erfindungsgemäße Leuchtdiode, Figur 10: ein erfindungsgemäßes alternatives Halbfabrikat, und Figur 1 1 : ein weiteres erfindungsgemäßes Halbfabrikat.
In Figur 1 ist ein Halbfabrikat 1 zur Herstellung einer Leuchtdiode 2 dargestellt. Das Halbfabrikat 1 umfasst ein flexibles Trägermaterial 3, eine erste und eine zweite auf dem Trägermaterial 3 angeordnete Kontaktfläche 4, 5 zur Herstellung von elektrischen Verbindungen, einen auf dem Trägermaterial 3 angeordneten Leuchtdiodenchip 6, einer in das Trägermaterial 3 geformten klappbaren Lasche 7, wobei die Lasche 7 so angeordnet ist, dass diese auf oder an den
Leuchtdiodenchip 6 klappbar ist, wobei auf der klappbaren Lasche 7 wenigstens ein erster elektrischer Verbindungssteg 8 angeordnet ist, der mit der ersten Kontaktfläche 4 elektrisch verbunden ist und durch Klappen der Lasche 7 mit einem ersten Anschluss des Leuchtdiodenchips verbindbar ist. Die zweite Kontaktfläche 5 ist über einen zweiten elektrischen Verbindungssteg 9 mit einem zweiten Anschluss des Leuchtdiodenchips elektrisch verbunden.
Auf der Lasche 7 ist ein nicht dargestellter Reflektor für die von dem
Leuchtdiodenchip 6 abgegebene Strahlung durch Aufdampfen von Aluminium angeordnet.
Im Folgenden wird ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode 2 ausgehend von einem Halbfabrikat 1 nach Fig. 1 anhand der Figuren 2 bis 5 näher erläutert. Während des erfindungsgemäßen Verfahrens wird auf die Lasche 7 oder den Leuchtdiodenchip 6 ein Kleber aufgebracht. Vorzugsweise enthält der Kleber Phosphorverbindungen, um die Frequenz der von dem Leuchtdiodenchip 6 abgegebenen Strahlung umzuwandeln, um die von der Leuchtdiode abgegebene Strahlung anzupassen.
Nachfolgend wird die Lasche 7 auf den Leuchtdiodenchip 6 geklappt. Mittels des aufgebrachten Klebers ist die Lasche 7 nach dem Klappen auf dem
Leuchtdiodenchip 6 fixiert. Die Lasche 7 ist zumindest teilweise bezogen auf die vom Leuchtdiodenchip 6 emitierte Strahlung transparent. Das Halbfabrikat 1 nach Klappen der Klappe 7 auf den Leuchtdiodenchip 6 ist in Figur 2 dargestellt.
Nachfolgend werden die erste Kontaktfläche 4 und zweite Kontaktfläche 5 jeweils mit einem Kontaktstift 10, 1 1 verbunden, beispielsweise durch Verlöten. Ein Halbfabrikat 1 mit Kontaktstiften 10, 1 1 ist in Figur 3 dargestellt. Anschließend wird das Halbfabrikat 1 so verformt, dass die mit den Kontaktflächen 4, 5 verbundenen Kontaktstifte 10, 1 1 annähernd parallel zueinander in einem bestimmten Abstand voneinander angeordnet sind. Der Abstand zwischen den Kontaktstiften 10, 1 1 beträgt vorzugsweise 3 mm oder 5 mm bzw. sind auf die üblichen Rastermaße 1/10" oder 2/10" angepasst.
In Figur 4 ist ein Halbfabrikat 1 während des Verformens dargestellt.
Das so verformte Halbfabrikat 1 wird in einem Linsenvergusskörper angeordnet, welcher anschließend mit einer Vergussmasse zur Herstellung eines
Linsenkörpers 12 gefüllt wird. Nach dem Aushärten der Vergussmasse kann die fertige Leuchtdiode 2 aus dem Linsenvergusskörper entnommen werden.
Eine nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Leuchtdiode 2 ist in Figur 5 dargestellt.
In den Figuren 6 - 9 ist eine alternative Verbindung zwischen der ersten
Kontaktfläche 4 und zweiten Kontaktfläche 5 des Halbfabrikats mit
Verbindungsstiften 10, 1 1 dargestellt. Kontaktstifte 10, 1 1 weisen jeweils eine Ausnehmung 13 auf, die so ausgebildet ist, dass eine reibschlüssige Verbindung zwischen Kontaktstift 10, 1 1 und erster bzw. zweiter Kontaktfläche 4, 5 des Halbfabrikats hergestellt wird. Ein Halbfabrikat 1 nach Herstellen der
reibschlüssigen Verbindung ist in Figur 7 dargestellt. Um die Verbindung zwischen Kontaktstiften 10, 1 1 und Halbfabrikat 1 weiter zu erhöhen, werden die Kontaktstifte 10, 1 1 im Bereich der Kontaktflächen 4, 5 und der Ausnehmungen 13 verschränkt, wie in Figur 8 dargestellt.
Eine daraus resultierende Leuchtdiode 2 ist in Figur 9 dargestellt.
In Figur 10 ist ein alternatives erfindungsgemäßes Halbfabrikat 1 zur Herstellung einer Leuchtdiode 2 dargestellt. Das Halbfabrikat 1 umfasst ein flexibles
Trägermaterial 3, eine erste und eine zweite auf dem Trägermaterial 3 angeordnete Kontaktfläche 4, 5 zur Herstellung von elektrischen Verbindungen, einen auf dem Tragermaterial angeordneten Leuchtdiodenchip 6 sowie eine in das Trägermaterial 3 geformte klappbare Lasche 7. Die Lasche ist so angeordnet, dass diese auf oder an den Leuchtdiodenchip 6 klappbar ist, wobei auf der klappbaren Lasche 7 wenigstens ein erster elektrischer Verbindungssteg 8 angeordnet ist, der mit der ersten Kontaktfläche 4 elektrisch verbunden ist und durch Klappen der Lasche 7 mit einem ersten Anschluss des Leuchtdiodenchips 6 verbindbar ist. Die zweite Kontaktfläche 5 ist über einen zweiten elektrischen Verbindungssteg 9 mit einem zweiten Anschluss des Leuchtdiodenchips 6 elektrisch verbunden. Die erste und die zweite auf dem Trägermaterial 3 angeordnete Kontaktfläche 4, 5 sind jeweils in einen Kontaktstift 10, 1 1
verformbar. Durch Falten der ersten bzw. zweiten auf dem Trägermaterial 3 angeordneten Kontaktfläche 4, 5 entlang von Faltlinien 14 entsteht jeweils ein Kontaktstift 10, 1 1 zur Herstellung von elektrischen Verbindungen.
Zweckmäßigerweise werden die gefalteten Kontaktflächen 4, 5 mittels eines Klebers in der gefalteten Position fixiert.
Zur Kennzeichnung der Anschlüsse des Leuchtdiodenchips 6 kann beispielsweise einer der Kontaktstifte 10, 1 1 kürzer ausgebildet sein. Das Halbfabrikat 1 zur Herstellung einer Leuchtdiode 2 nach Figur 1 1
unterscheidet sich von dem Halbfabrikat nach Figur 10 dadurch, dass lediglich eine Faltlinie 14 vorgesehen ist, wobei die Breite des zu faltenden Teils der Breite des resultierenden Kontaktstifts 10, 1 1 im Wesentlichen entspricht. Vorteilhaft daran ist, dass lediglich ein Faltvorgang durchzuführen ist.
Bezugszeichenliste:
1 - Halbfabrikat
2 - Leuchtdiode
3 - Trägermatehal
4 - erste Kontaktfläche
5 - zweite Kontaktfläche
6 - Leuchtdiodenchip
7 - Lasche
8 - erster elektrischer Verbindungssteg 9 - zweiter elektrischer Verbindungssteg 10 - Kontaktstift
1 1 - Kontaktstift
12 - Linsenkörper
13 - Ausnehmung
14 - Faltlinie

Claims

Patentansprüche:
1 . Halbfabrikat (1 ) zur Herstellung einer Leuchtdiode (2) umfassend:
ein flexibles Trägermaterial (3),
eine erste und eine zweite auf dem Trägermaterial (3) angeordnete
Kontaktfläche (4, 5) zur Herstellung von elektrischen Verbindungen, einen auf dem Trägermaterial (3) angeordneten Leuchtdiodenchip (6) oder eine Aufnahme für einen Leuchtdiodenchip (6),
eine in das Trägermaterial (3) geformte klappbare Lasche (7), wobei die Lasche (7) so angeordnet ist, dass diese gegen und/oder auf den
Leuchtdiodenchip (6) klappbar ist,
wobei auf der klappbaren Lasche (7) wenigstens ein erster elektrischer Verbindungssteg (8) angeordnet ist, der mit der ersten Kontaktfläche (4) verbunden ist und durch Klappen der Lasche (7) mit einem ersten
Anschluss des Leuchtdiodenchips (6) verbindbar ist.
2. Halbfabrikat (1 ) nach Anspruch 1 , wobei die zweite Kontaktfläche (5) über einen zweiten elektrischen Verbindungssteg (9) mit einem zweiten
Anschluss des Leuchtdiodenchips (6) verbunden ist.
3. Halbfabrikat (1 ) nach Anspruch 1 , wobei auf der klappbaren Lasche (7) ein zweiter elektrischer Verbindungssteg (9) angeordnet ist, der mit der zweiten Kontaktfläche (5) verbunden ist und durch Klappen der Lasche (7) mit einem zweiten Anschluss des Leuchtdiodenchips (6) verbindbar ist.
4. Halbfabrikat (1 ) zur Herstellung einer Leuchtdiode (2) umfassend:
ein flexibles Trägermaterial (3),
eine erste und eine zweite auf dem Trägermaterial (3) angeordnete
Kontaktfläche (4, 5) zur Herstellung von elektrischen Verbindungen, einen ersten und zweiten elektrischen Verbindungssteg (8, 9) auf dem Trägermaterial (3), welcher mit der ersten bzw. zweiten Kontaktfläche (4, 5) verbunden ist,
eine in das Trägermaterial (3) geformte klappbare Lasche (7), einen auf der Lasche (7) angeordneten Leuchtdiodenchip (6) oder eine auf der Lasche (7) angeordnete Aufnahme für einen Leuchtdiodenchip (6), wobei die Lasche (7) und der erste und zweite Verbindungssteg (8, 9) so angeordnet sind, dass ein erster und zweiter Anschluss des
Leuchtdiodenchips (6) durch Klappen der Lasche (7) mit dem ersten bzw. zweiten Verbindungssteg (8, 9) verbunden ist.
Halbfabrikat (1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Lasche (7) nach dem Klappen mit einem Kleber an dem Leuchtdiodenchip (6) fixiert ist.
Halbfabrikat (1 ) nach Anspruch 5, wobei der Kleber Phosphorverbindungen enthält, um die Frequenz der von dem Leuchtdiodenchip (6) abgestrahlten Strahlung umzuwandeln.
Halbfabrikat (1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die Lasche (7) zumindest teilweise bezogen auf die vom Leuchtdiodenchip (6) emitierte Strahlung transparent ist.
Halbfabrikat (1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die Lasche (7) Phosphorverbindungen enthält, um die Frequenz der von dem
Leuchtdiodenchip (6) abgestrahlten Strahlung umzuwandeln.
Halbfabrikat (1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei auf der Lasche (7) ein Reflektor für die von dem Leuchtdiodenchip (6) abgestrahlte
Strahlung angeordnet ist, beispielsweise durch Auflegen, Aufdampfen oder Sputtern von Aluminium.
Halbfabrikat (1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die erste zweite Kontaktfläche (4, 5) mit jeweils einem Kontaktstift (10, 1 1 ) verbunden ist. 1 1 Halbfabrikat (1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die erste und/oder zweite auf dem Trägermaterial (3) angeordnete Kontaktfläche (4, 5) in einen Kontaktstift (10, 1 1 ) verformbar ist, vorzugsweise durch Falten.
12. Halbfabrikat (1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 1 1 , umfassend mehrere Leuchtdiodenchips (6) und/oder Aufnahmen für Leuchtdiodenchips (6), vorzugsweise zwei bis acht Leuchtdiodenchips (6) und/oder Aufnahmen für Leuchtdiodenchips (6).
Halbfabrikat (1 ) nach Anspruch 12, umfassend mehrere in das
Trägermaterial (3) geformte klappbare Laschen (7), wobei die Laschen (7) so angeordnet sind, dass diese jeweils gegen und/oder auf einem der Leuchtdiodenchips (6) klappbar sind.
Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode (2), umfassend die Schritte: Bereitstellen eines Halbfabrikats (1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 13, Klappen der Lasche (7),
gegebenenfalls Aufbringen der Kontaktstifte (10, 1 1 ) auf die Kontaktflächen (4, 5),
Anordnen des Halbfabrikats (1 ) in einem Linsenvergusskörper,
Füllen des Linsenvergusskörpers mit einer Vergussmasse zur Herstellung eines Linsenkörpers (12).
15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei auf die Lasche (7) oder
Leuchtdiodenchip (6) ein Kleber aufgebracht wird.
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, wobei das Halbfabrikat (1 ) so
verformt wird, dass die mit den Kontaktflächen (4, 5) verbundenen
Kontaktstifte (10, 1 1 ) annähernd parallel zueinander in einem bestimmten Abstand voneinander angeordnet sind, vorzugsweise 3 mm oder 5 mm.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei die Kontaktstifte (10, 1 1 ) mit den Kontaktflächen (4, 5) verlötet werden. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei die Kontaktstifte (10, 1 1 ) elektrisch und mechanisch mit den Kontaktflächen (4, 5) verbunden werden, beispielsweise mittels einer reibschlüssigen
Verbindung und/oder durch Verformen von Kontaktbereichen (13) an den Kontaktsstiften (10, 1 1 ).
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei ein Bogen mehrere Halbfabrikate (1 ) nach einem der Ansprüche 1 bis 13 aufweist, wobei die mehreren Halbfabrikate (1 ) in einem weiteren Verfahrensschritt
ausgestanzt werden, beispielsweise vor dem Aufbringen der Kontaktstifte (10, 1 1 ) auf die Kontaktflächen (4, 5), vor dem Anordnen des Halbfabrikats (1 ) in einem Linsenvergusskörper oder vor dem Verformen der
Halbfabrikate (1 ). 20. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 19, wobei der
Leuchtdiodenchip (6) mittels des folgenden Verfahrens in der Aufnahme für den Leuchtdiodenchip (6) angeordnet wird:
Aufbringen einer klebstoffabweisenden Zusammensetzung auf mindestens eine Teiloberfläche des Halbfabrikats (1 ), die die Aufnahme für den
Leuchtdiodenchip (6) umgibt,
Aushärten der klebstoffabweisenden Zusammensetzung,
Aufbringen einer Klebstoffzusammensetzung auf die Aufnahme für den
Leuchtdiodenchip (6),
wobei die mit der klebstoffabweisenden Zusammensetzung versehene Teiloberfläche des Halbfabrikats (1 ) die mit der Klebstoffzusammensetzung versehene Aufnahme für den Leuchtdiodenchip (6) umschließt und an diese angrenzt, und
Aufbringen des Leuchtdiodenchips (6) auf die in der Aufnahme für den Leuchtdiodenchip (6) befindliche Klebstoffzusammensetzung,
wobei die klebstoffabweisende Zusammensetzung eine Strahlungshärtende abhäsive Beschichtungsmasse ist. Leuchtdiode (2), enthaltend wenigstens einen lichtemitierenden
Leuchtdiodenchip (6), herstellbar nach einem der Verfahren nach den Ansprüchen 14 bis 20.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102014110067A1 (de) * 2014-07-17 2016-01-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
CN116629762A (zh) * 2022-02-08 2023-08-22 温南夫 基于流程化数据处理系统的产品订购系统

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5184890A (en) * 1991-01-10 1993-02-09 Chen Jen H Lamp assembly
US6299498B1 (en) * 1999-10-27 2001-10-09 Shin Lung Liu White-light emitting diode structure and manufacturing method
DE19962194A1 (de) * 1999-12-22 2001-06-28 Flexchip Ag Verfahren zur Herstellung von kontaktierbaren Leiterschleifen für Transponder
JP2002057375A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Rohm Co Ltd 発光ダイオード
JP4496774B2 (ja) * 2003-12-22 2010-07-07 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
US20050280354A1 (en) * 2004-06-16 2005-12-22 Shin-Lung Liu Light emitting diode
TWM345342U (en) * 2007-12-31 2008-11-21 Everlight Electronics Co Ltd Light-emitting diode packaging structure and light-emitting diode packaging module
DE102008062211A1 (de) * 2008-12-13 2010-06-17 Mühlbauer Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils und Halbleiterbauteil

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2012007241A2 *

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CA2805348A1 (en) 2012-01-19
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CN103098245A (zh) 2013-05-08
US20130193475A1 (en) 2013-08-01
WO2012007241A3 (de) 2012-04-26
TW201210091A (en) 2012-03-01
DE102010031302A1 (de) 2012-01-19
KR20130082498A (ko) 2013-07-19

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