ES2290496T3 - Proceso de vaporizacion de sustratos con forma de cinta con una capa aislante transparente de oxido de aluminio. - Google Patents
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Abstract
Proceso de vaporización de sustratos en forma de cinta con una capa aislante transparente de óxido de aluminio mediante la vaporización de aluminio y la introducción de gas reactivo en una instalación de vaporización, de manera que entre el sustrato y la capa de óxido de aluminio quede diferenciada una capa bombardeada con magnetrones, caracterizado porque la capa bombardeada con magnetrones se forma como capa no totalmente cerrada y con un grosor inferior a un nanómetro, regulándose la ocupación de la superficie en el mínimo necesario para que ni siquiera pueda formarse una capa completa de átomos o de moléculas con el material de bombardeo.
Description
Proceso de vaporización de sustratos con forma
de cinta con una capa aislante transparente de óxido de
aluminio.
La invención se refiere a un proceso de
vaporización en vacío con una capa aislante de óxido de aluminio
sobre sustratos con forma de cinta.
El recubrimiento de sustratos preferentemente
con forma de cinta con una capa aislante es un importante paso en
el proceso de producción de distintos materiales de envasado.
Especialmente, los materiales de polímero se transforman en
materiales de envasado mediante la vaporización con una fina capa
metálica (por ejemplo, aluminio), y esto les confiere una alta
capacidad aislante frente al ácido y al vapor de agua y, en su caso,
también frente a sustancias aromáticas. Los envases con una fina
capa metálica son opacos y tienen una elevada capacidad de
absorción de microondas, lo que resulta negativo para determinadas
aplicaciones en el campo del envasado de alimentos. Por eso, las
capas aislantes metálicas tienden a ser sustituidas por diferentes
capas aislantes con base de óxido (óxido de silicio, de aluminio, de
magnesio).
La vaporización reactiva de aluminio con el
vaporizador de lanzadera representa una oportunidad para combinar
una baja temperatura de vaporización con una alta transparencia
óptica y una buena permeabilidad a las microondas en el producto
final. Sin embargo, esto implica también ciertos riesgos con los
vaporizadores de rayos de electrones y de inducción.
En las capas aislantes de este tipo sucede que
la transmisión óptica depende de la proporción de mezcla entre el
aluminio y su óxido (en adelante, también "estequiometría").
Cuanto mayor es la proporción de óxido, mejor es la transmisión
óptica, pero menor es también la eficacia aislante. En el ámbito
ligeramente subestequiométrico existe una zona de trabajo cuyo
límite inferior viene definido por la máxima absorción admitida y
el superior, por los valores mínimos exigidos para el aislamiento
[Schiller, N.; Reschke, J.; Goedicke, K.; Neumann, M.: Surface
and Coatings Technologie, 86-87 (1996)
776-782].
En este sentido, es frecuente que se asegure la
observancia de estos límites disponiendo los reactivos aluminio y
ácido en una determinada proporción regulable (JP
62-103 359 A).
Debido al papel fundamental que desempeña la
imagen del producto terminado en el campo del envasado a gran
escala, y teniendo en cuenta que enseguida se producen pequeñas
variaciones en la transmisión, son ya numerosos los intentos de
conseguir una transmisión uniforme en grandes áreas de
recubrimiento de manera que, además de la transmisión, se asegure
una adherencia suficiente para lograr el efecto aislante.
Es conocido que, mediante la medición de la
transmisión óptica de las capas reactivamente vaporizadas, es
posible dirigir el proceso de manera que, para un determinado flujo
de gas, pueda ajustarse el grado de vaporización a fin de mantener
un valor de transmisión establecido. Ya se ha conseguido con la
vaporización reactiva de rayos de electrones (DE 44 27 581 A1),
pero esta forma de regulación no es posible con vaporizadores de
lanzadera, ya que las lanzaderas no son adecuadas para los rápidos
cambios de la corriente de calor (y, por lo tanto, del grado de
vaporización) y reaccionan con demasiada lentitud ante ese tipo de
regulación.
También es conocido que, mediante el
establecimiento de un determinado flujo de gas reactivo que permita
lograr, con un grado de vaporización constante, capas de débil
absorción, es posible mantener una proporción sustancialmente
uniforme entre el metal vaporizado y su óxido (EP 0 437 946 B1).
Sin embargo, presenta el inconveniente de que el proceso es
tecnológicamente costoso, pues exige una estricta uniformidad en el
grado de vaporización, sobre todo si se emplean varias
lanzaderas.
Asimismo es conocida la vaporización de capas de
óxido de aluminio acusadamente subestequiométricas. La transmisión
óptica obtenida queda al principio por debajo de la mencionada zona
de trabajo, pero la capa se aclara posteriormente en una nueva fase
de oxidación que tiene lugar, con activación de plasma,
inmediatamente después de la vaporización o, sin activación, en un
recubrimiento adicional (EP 0 555 518 B1, EP 0 695 815 B1). No
obstante, la adición de esta fase al proceso significa un nuevo
esfuerzo tecnológico.
También es conocido que en la vaporización de
capas muy finas y subestequiométricas de óxido seguida de un tiempo
de exposición relativamente largo al ambiente de gases reactivos la
oxidación posterior (en su caso, con activación de plasma) conduce
espontáneamente a una suficiente aclaración de la capa. Mediante la
utilización de una conducción de la cinta que, gracias a unos
rodillos adicionales, amplíe sustancialmente el recorrido del
sustrato vaporizado en el recipiente y permita además repetir varias
veces el ciclo de vaporización, es posible vaporizar una capa
suficientemente transparente y con el grosor habitual sobreponiendo
diversas capas muy finas sometidas cada una a una oxidación
posterior (US 5.462.602). Sin embargo, el proceso requiere una
carga mecánica en la cinta considerablemente superior.
Es conocido que las capas aislantes que por sí
solas no cumplen las exigencias mínimas de eficacia pueden llegar a
ser suficientemente aislantes si se disponen en sistemas de varias
capas. La combinación de capas pulverizadas y vaporizadas es una
solución que también ha sido propuesta para el óxido de aluminio
(DE 43 43 040 C1). En este caso, el recubrimiento tiene lugar en
una proporción significativamente variable. Sin embargo, la
realización de diversas fases consecutivas del proceso, que
requieren diferentes tiempos de ejecución, representa asimismo un
considerable esfuerzo técnico añadido. Además, la eficacia aislante
de tales capas a menudo viene limitada por el hecho de que cada una
de ellas presenta una tensión diferente, lo que lleva a la
paulatina producción de fisuras a partir de las zonas de
transición.
Asimismo, es conocido que se puede lograr una
buena eficacia aislante mediante una gestión del proceso que evite
que el espesor de la capa quede por debajo de un determinado valor
mínimo. Así, en el caso del óxido de aluminio se ha establecido
como valor mínimo de espesor 2,7 g/cm^{3} (EP 0 812 779 A2). Sin
embargo, dado que el espesor de una capa de vaporización depende en
gran medida de las condiciones de condensación, el establecimiento
de un valor mínimo siempre constituye una considerable restricción
para la gestión del proceso. Especialmente, al reconvertir las
instalaciones disponibles de vaporización de aluminio para el
proceso de vaporización reactiva de capas de óxido de aluminio, las
circunstancias constructivas frecuentemente originan unas
condiciones de condensación cuya modificación resulta muy costosa,
lo que hace económicamente inviable la reconversión en su conjunto.
Además, el espesor de la capa no constituye ningún parámetro que
pueda medirse directamente durante el proceso.
También es conocida la aplicación al sustrato,
antes del recubrimiento con la capa aislante propiamente dicha, de
una capa de nucleación de grosor aproximado de 5 nm (US 5.792.550).
En muchos casos, esto también supone introducir una nueva fase en
el proceso que aumenta ostensiblemente los costes de
producción.
Asimismo es conocido el tratamiento del sustrato
con un plasma magnetrón antes del recubrimiento con la capa
aislante [Löbig, G y otros; SVC 41st Annual Technical Conference
Proceedings (1998), p. 502]. Con esto se consigue activar y
limpiar la superficie del sustrato y se mejora la adherencia de la
capa, de modo que la eficacia aislante depende menos de la
estequiometría de la capa. Sin embargo, en muchas aplicaciones
tampoco es satisfactoria la eficacia aislante así obtenida.
Por último, se conoce la vaporización de la capa
aislante con un gradiente de estequiometría (DE 198 45 268 C1),
pero en tales capas resulta muy complicado regular con precisión la
estequiometría en la zona limítrofe entre la capa y el
sustrato.
Es objeto de la invención establecer un proceso
con el que se puedan producir sobre sustratos en forma de cinta
unos sistemas de capas aislantes que incluyan una capa aislante de
óxido de aluminio separada mediante vaporización reactiva. Con este
proceso se pretende resolver el problema técnico de la producción
de fisuras en el sistema de capas. Las capas aislantes separadas
han de presentar buenas propiedades aislantes y, como requisito
para ello, una alta adherencia. Además, debe ser posible realizar el
proceso también mediante la reconversión de las instalaciones
disponibles de vaporización de aluminio.
De acuerdo con la invención se consigue el
objeto de la reivindicación 1. Las reivindicaciones secundarias
representan desarrollos ventajosos del proceso.
La invención se basa en el conocimiento de que
el efecto aislante de una capa de óxido de aluminio depende mucho
menos de la estequiometría si antes de la vaporización con la capa
de óxido metálico se aplica al sustrato una capa pulverizada
extremadamente fina de metal o de óxido de metal. Por
extremadamente fina se entiende un grosor con el que aún no sea
posible formar una capa cerrada. En todo caso, esto será así cuando
la ocupación de la superficie no sea suficiente para la formación
de una capa atómica o molecular completa y una ocupación
ligeramente superior tampoco sea suficiente para formar una capa
cerrada. El proceso de pulverización (también llamado de
bombardeo^{1}) precisa de la limpieza y activación de
la superficie del sustrato a fin de aumentar la adherencia. Además,
los átomos de metal o las moléculas de óxido de metal pulverizados
simultáneamente presentan, gracias a la energía de impacto típica
del proceso de bombardeo, una alta adherencia, tal como sucede con
las capas bombardeadas más gruesas. Sin embargo, la ventaja en este
proceso es que la cobertura incompleta del sustrato con una capa no
cerrada no genera ningún tipo de tensión.
Además, las partes del sustrato no cubiertas
tras el bombardeo permanecen activadas y limpias para el
recubrimiento con la capa aislante propiamente dicha de óxido de
aluminio. Se ha comprobado que con tal recubrimiento previo el
efecto aislante depende en mucho menor medida de la estequiometría
que sin él.
Es posible obtener un aislamiento especialmente
efectivo si, a continuación, se realiza una vaporización reactiva
de óxido de aluminio con activación de plasma del sustrato
previamente recubierto. Para la activación de plasma está
especialmente indicado un plasma denso de descarga de arco con
cátodo hueco, cuya eficacia puede incrementarse a su vez mediante un
refuerzo magnético. Esto hace que sea mucho menor la dependencia
del efecto aislante respecto de la estequiometría de la capa,
logrando siempre valores de aislamiento satisfactorios. Queda
patente que este plasma especial facilita, gracias a su alta
densidad de carga, la formación de una estructura de capas
especialmente indicada
\newpage
para capas aislantes. Se ha
manifestado ventajoso un plasma que produzca en el sustrato una
densidad media de flujo de iones de al menos 20 mA/cm^{2}, y
especialmente ventajosas son densidades de flujo de iones
superiores a
50 mA/cm^{2}.
50 mA/cm^{2}.
Una ejecución especialmente ventajosa del
proceso conforme a la invención se obtiene aprovechando el hecho de
que el aislamiento frente a ácidos no depende de la estequiometría
de igual manera que el aislamiento frente al vapor de agua. Los
experimentos han demostrado que la contribución de cada profundidad
de la capa al efecto aislante del conjunto depende en diferente
medida de la estequiometría. Siempre que se mantenga la transmisión
óptica de toda la capa conforme a las exigencias posteriores de la
aplicación, perfectamente puede variar la absorción de las
diferentes profundidades de la capa. Una capa cuya estequiometría
se distribuya uniformemente por todo su espesor no se diferencia de
una estructura acumulada de capas parciales totalmente
transparentes y acusadamente subestequiométricas. Y lo mismo cabe
decir de las capas formadas como capas de gradiente con respecto a
la estequiometría. Siempre que no varíe la absorción del conjunto,
la medición de la transmisión óptica no ha de arrojar gradientes
distintos.
En caso de que haya una zona
superestequiométrica cerca del sustrato, se obtendrán valores bajos
de aislamiento frente al vapor de agua y moderados frente al ácido.
Pero si, por el contrario, la parte inferior de la capa contiene
una zona subestequiométrica, se lograrán unos buenos valores de
aislamiento, tanto frente al vapor de agua como frente al ácido.
Por lo tanto, con arreglo a la invención han de
procurarse zonas subestequiométricas en la parte inferior de la
capa, cercana al sustrato, mientras que las demás zonas de la capa
pueden ser perfectamente superestequiométricas. Son zonas que
contribuyen, en cualquier caso, al aislamiento frente a ácidos, si
bien apenas tienen efectos frente al vapor de agua. Se puede
deducir que el espesor de estas zonas también ha de ser menor, por
lo que apenas tendrán relevancia en el grosor total de la capa.
Mediante la vaporización reactiva de aluminio en
combinación con la activación mediante un plasma de descarga de
arco con cátodos huecos y un bombardeo previo conforme a la
invención (por ejemplo, con titanio o magnesio, o de forma reactiva
con sus óxidos) se obtienen capas aislantes de excelente eficacia.
En este sentido es especialmente ventajoso que ambos procesos de
recubrimiento se pueden realizar con igual duración, ya que los
respectivos grados de recubrimiento se hallan entre sí en una
proporción similar a la de la ocupación de superficie por una capa
bombardeada no cerrada y la capa aislante propiamente dicha. Por lo
tanto, el recubrimiento puede realizarse en una sola operación.
El proceso conforme a la invención consiste en
el recubrimiento previo del sustrato mediante un bombardeo reactivo
o no reactivo con una capa no cerrada de metal o de su óxido y, a
continuación, una vaporización no reactiva con aluminio mediante un
vaporizador de lanzadera, de inducción o de rayos de electrones. Es
ventajoso complementar la fase de vaporización reactiva con una
activación de plasma e introducir el gas reactivo de tal manera que
se obtenga un gradiente adecuado de presión parcial del gas
reactivo a lo largo de la zona de vaporización y en el sentido del
movimiento de la cinta.
Por lo tanto, con el proceso conforme a la
invención se pueden vaporizar capas de óxido de aluminio en
sustratos con forma de cinta que, en su estequiometría o en la
proporción de mezcla entre el metal vaporizado y su óxido,
consistan en capas de gradiente o en capas acumuladas, y cuya zona
subestequiométrica se encuentre en la parte de la capa más cercana
al sustrato. Las capas de gradiente tienen, en tal caso, la ventaja
respecto a las estructuras acumuladas de que pueden vaporizarse en
una sola operación.
La parte profunda y absorbente de la zona
visible de la capa puede ser muy fina, esto es, por debajo de 10
nm. Dado que con tan pequeño grosor sólo son perceptibles las
diferencias muy acusadas en el grado de subestequiometría, y las
variaciones en las zonas superestequiométricas (siempre que sean
superestequiométricas o, al menos, estequiométricas) no tienen
ningún efecto en la absorción total de la cinta, la necesidad de
mantener una absorción igualmente tolerable es mucho menor que en el
caso de las capas con estequiometría sustancialmente uniforme.
La vaporización reactiva también puede
producirse con activación de plasma para la formación de capas de
gradiente, lo cual incrementa aún más la eficacia aislante del
producto final. La principal ventaja de utilizar capas de gradiente
en el proceso consiste en la extrema delgadez de la capa
subestequiométrica, que hace que sólo un grado de oxidación muy bajo
se produzca una pérdida significativa de transmisión. Así, en la
mayor parte de los casos es innecesaria una fase adicional de
oxidación posterior. Todas las demás zonas de la capa son
totalmente transparentes. El proceso, en tal caso, no se dirige a
la consecución de una subestequiometría lo más débil posible a la
vez que uniforme, sino a la obtención de una capa de gradiente en
cuya parte inferior exista una zona muy fina pero acusadamente
subestequiométrica. Esto hace también mucho más fácil cumplir con la
exigencia de uniformidad en la transmisión óptica. La utilización
de plasma de transmisión de arco con cátodos huecos con arreglo a
la invención hace que, por otro lado, el efecto aislante dependa en
mucho menor medida de la estequiometría de la capa de óxido,
ampliando con ello la zona de trabajo disponible. Se consigue una
seguridad del proceso especialmente alta cuando se regulan sus
parámetros, y en este sentido es aún más ventajoso regular
separadamente los parámetros respectivos de cada sector del área de
vaporización. A tal fin son parámetros adecuados de regulación la
cantidad de aluminio vaporizada por cada unidad de tiempo y el
flujo de gas reactivo. Resulta especialmente ventajoso en el caso
de regulación de la entrada de ácido orientada a la transmisión, de
manera que se pueda ajustar la entrada de ácido para que la
transmisión óptica medida durante el proceso, de forma continua o
periódica, se mantenga en un determinado valor establecido.
Una ejecución especialmente ventajosa del
proceso consiste en disponer un diafragma móvil para restringir el
área de vaporización. Con ello se consigue excluir las zonas
superestequiométricas que no se puedan evitar por razones
constructivas (por ejemplo, por estar en la parte inferior de la
capa).
La invención se describe con más detalle
mediante un ejemplo de ejecución.
En una instalación de vaporización de cintas del
tipo conocido, consistente en un recipiente al que se ha adosado un
sistema de bombas de vacío y un dispositivo de bobinado, el
sustrato que se ha de vaporizar (en este caso, una lámina de PET)
se pasa por una fuente de magnetrones revestida de placas de
titanio y que, al suministrarle argón y óxido, actúa como fuente de
bombardeo. Como fuente de magnetrones se utilizan series simples o
dobles de magnetrones. El ajuste de la alimentación ha de ser tal
que se forme en el sustrato una capa no cerrada, y la superficie
queda ocupada por una capa cuyo grosor efectivo es de un nanómetro.
La potencia óptima de bombardeo depende de la velocidad de la
cinta; así, para velocidades en torno a 5 m/s son recomendables
grosores de capa de hasta 15 W/cm^{2} de la superficie. A
continuación se pasa la cinta por un cilindro frío, bajo el cual se
encuentra, en los vaporizadores de lanzadera, el material de
vaporización, que se introduce de forma continua en la lanzadera de
la manera ya conocida para ser vaporizado sobre el sustrato. La
lanzadera funciona con un grado de vaporización constante, y el
área de vaporización efectiva se puede ajustar mediante un
diafragma móvil. A los lados del área de vaporización, entre el
cilindro frío y la lanzadera, están colocadas las boquillas de
admisión de gas para la entrada del gas reactivo ácido. La posición
de las boquillas y sus ángulos se pueden ajustar en la dirección de
las flechas. El flujo del gas reactivo a través de las boquillas de
la zona de entrada de la cinta se puede regular manualmente, y el
que entra por las demás boquillas se regula mediante transmisión.
La necesaria medición de la transmisión óptica tiene lugar por
medio de los dispositivos de medición ya conocidos fuera de la zona
de vaporización, pero antes de llegar a la bobina de recogida.
El proceso conforme a la invención, en el caso
de formación de una capa con gradiente de estequiometría, se
realiza como sigue:
La puesta en marcha de la vaporización de
aluminio tiene lugar de la manera ya conocida. Después se ajusta el
flujo de gas reactivo en las boquillas cercanas a la zona de
entrada de la cinta entre 0% y 40% del ácido necesario, con arreglo
a la ecuación de reacción química para la completa oxidación de
toda la capa. A continuación se abren las boquillas de la zona de
salida de la cinta entre el 80% y el 95%, especificando el valor
deseado de transmisión óptica, de modo que el flujo de gas reactivo
aún necesario se ajusta automáticamente.
Al inicio del proceso o tras modificarse las
posiciones de las boquillas de admisión de gas o de los diafragmas,
es preciso determinar del modo siguiente el flujo de gas necesario
en las boquillas:
Se vaporiza el sustrato con los diferentes
ajustes del flujo de gas reactivo en las boquillas de admisión. A
continuación tiene lugar la medición de la permeabilidad del
sustrato vaporizado al vapor de agua y/o al ácido. Por último se
ajusta en las boquillas de admisión el flujo preciso de gas en que
se registró el valor más bajo de permeabilidad para vapor de agua
y/o para el ácido.
Claims (17)
1. Proceso de vaporización de sustratos en forma
de cinta con una capa aislante transparente de óxido de aluminio
mediante la vaporización de aluminio y la introducción de gas
reactivo en una instalación de vaporización, de manera que entre el
sustrato y la capa de óxido de aluminio quede diferenciada una capa
bombardeada con magnetrones, caracterizado porque la capa
bombardeada con magnetrones se forma como capa no totalmente
cerrada y con un grosor inferior a un nanómetro, regulándose la
ocupación de la superficie en el mínimo necesario para que ni
siquiera pueda formarse una capa completa de átomos o de moléculas
con el material de bombardeo.
2. Proceso según la reivindicación 1,
caracterizado por el bombardeo de titanio o de magnesio para
la formación de la capa no totalmente cerrada.
3. Proceso según la reivindicación 2,
caracterizado porque el bombardeo se realiza de forma
reactiva y con introducción de ácido.
4. Proceso según alguna de las reivindicaciones
1 a 3, caracterizado porque la admisión del gas reactivo
tiene lugar de manera que en la zona de vaporización y en el
sentido del movimiento de la cinta se regula un gradiente de
presión parcial del gas reactivo que configura como gradiente la
proporción de mezcla entre el aluminio, el óxido de aluminio y el
ácido en la capa aislante, y porque esta proporción de mezcla
presenta un máximo de la proporción de aluminio metálico en la capa
aislante, y la situación y naturaleza de ese máximo en una
determinada profundidad de la capa aislante se regula mediante la
variación del gradiente de presión parcial del gas reactivo y de la
situación de la zona de vaporización de manera que, para igual
transmisión óptica de la capa aislante, la permeabilidad al ácido
y/o al vapor de agua llegue a un valor mínimo.
5. Proceso según la reivindicación 4,
caracterizado porque la situación y naturaleza del máximo de
aluminio metálico en una determinada profundidad de la capa
aislante se regula mediante el desplazamiento de diafragmas en el
área de vaporización y/o la modificación de la posición de la
lanzadera de vaporización y/o la modificación de la posición y/o del
ángulo de las boquillas de admisión de gas reactivo y/o la
modificación del flujo de gas reactivo.
6. Proceso según alguna de las reivindicaciones
4 ó 5, caracterizado porque el aluminio es vaporizado desde
un vaporizador de lanzadera con al menos una lanzadera con hilo de
alimentación continua.
7. Proceso según alguna de las reivindicaciones
4 ó 5, caracterizado porque el aluminio es vaporizado desde
un vaporizador de inducción.
8. Proceso según alguna de las reivindicaciones
4 ó 5, caracterizado porque el aluminio es vaporizado desde
un vaporizador de rayos de electrones.
9. Proceso según la reivindicación 5,
caracterizado porque el gradiente de presión parcial del gas
reactivo se regula mediante la variación de la relación de los
flujos de gas reactivo de las boquillas de admisión de gas,
regulándose por separado las situadas en la zona de entrada de la
cinta y las de la zona de salida de la cinta.
10. Proceso según al menos una de las
reivindicaciones 1 a 9, caracterizado por la regulación de
los parámetros del proceso.
11. Proceso según la reivindicación 10,
caracterizado porque los parámetros del proceso se regulan
por separado para cada sector del área de vaporización.
12. Proceso según las reivindicaciones 10 u 11,
caracterizado porque los procesos regulables del proceso son
la cantidad de aluminio vaporizado en cada unidad de tiempo y/o el
flujo de gas reactivo.
13. Proceso según las reivindicaciones 10 u 11,
caracterizado porque la regulación es una regulación de la
entrada de ácido orientada a la transmisión, en que la entrada de
ácido se ajusta de tal manera que la transmisión óptica medida
durante el proceso, de forma continua o periódica, se mantenga en
un determinado valor establecido.
14. Proceso según al menos una de las
reivindicaciones 1 a 13, caracterizado por la vaporización
con activación de plasma.
15. Proceso según la reivindicación 14,
caracterizado porque, para la activación de plasma, se
utiliza un plasma de descarga de arco con cátodo hueco.
16. Proceso según la reivindicación 15,
caracterizado porque las fuentes del plasma se operan de
manera que en el substrato se puede extraer una densidad media de
flujo de iones de al menos 20 mA/cm^{2}.
17. Proceso según la reivindicación 15,
caracterizado porque las fuentes del plasma se operan de
manera que en el substrato se puede extraer una densidad media de
flujo de iones de al menos 50 mA/cm^{2}.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10255822A DE10255822B4 (de) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | Verfahren zum Bedampfen bandförmiger Substrate mit einer transparenten Barriereschicht aus Aluminiumoxid |
| DE10255822 | 2002-11-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2290496T3 true ES2290496T3 (es) | 2008-02-16 |
Family
ID=32318811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES03757995T Expired - Lifetime ES2290496T3 (es) | 2002-11-29 | 2003-10-16 | Proceso de vaporizacion de sustratos con forma de cinta con una capa aislante transparente de oxido de aluminio. |
Country Status (14)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7541070B2 (es) |
| EP (1) | EP1565591B1 (es) |
| AT (1) | ATE375409T1 (es) |
| AU (1) | AU2003274021A1 (es) |
| BR (1) | BR0315699B1 (es) |
| CA (1) | CA2505027C (es) |
| CO (1) | CO5690658A2 (es) |
| CR (1) | CR7821A (es) |
| DE (2) | DE10255822B4 (es) |
| EC (1) | ECSP055797A (es) |
| ES (1) | ES2290496T3 (es) |
| MX (1) | MXPA05005113A (es) |
| RU (1) | RU2352683C2 (es) |
| WO (1) | WO2004050945A2 (es) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8025985B2 (en) * | 2005-08-11 | 2011-09-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Porous metallized sheets coated with an inorganic layer having low emissivity and high moisture vapor permeability |
| DE102007003766B4 (de) | 2006-12-23 | 2008-09-11 | Hvb Hoch-Vakuum-Beschichtungs Gmbh High Vacuum Coating | Transparente Barrierefolien für die Verpackungsindustrie |
| WO2009076458A1 (en) * | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Toray Plastics (America) , Inc. | Biaxially oriented polylactic acid film with high barrier |
| MX2011001623A (es) | 2008-08-15 | 2011-05-24 | Toray Plastics America Inc | Pelicula de acido polilactico biaxialmente orientada con alta barrera. |
| US9150004B2 (en) | 2009-06-19 | 2015-10-06 | Toray Plastics (America), Inc. | Biaxially oriented polylactic acid film with improved heat seal properties |
| US9023443B2 (en) | 2009-09-25 | 2015-05-05 | Toray Plastics (America), Inc. | Multi-layer high moisture barrier polylactic acid film |
| RU2422556C1 (ru) * | 2009-10-22 | 2011-06-27 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Градиентное функциональное покрытие на прозрачной подложке |
| WO2011103452A1 (en) | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Toray Plastics (America) , Inc. | Multi-layer high moisture barrier polylactic acid film |
| US9492962B2 (en) | 2010-03-31 | 2016-11-15 | Toray Plastics (America), Inc. | Biaxially oriented polylactic acid film with reduced noise level and improved moisture barrier |
| WO2011123165A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-06 | Toray Plastics (America), Inc. | Biaxially oriented polyactic acid film with reduced noise level |
| EP2431995A1 (en) | 2010-09-17 | 2012-03-21 | Asociacion de la Industria Navarra (AIN) | Ionisation device |
| JP5649431B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2015-01-07 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマcvd装置 |
| EP2474647A1 (en) | 2011-01-05 | 2012-07-11 | Asociacion de la Industria Navarra (AIN) | Coating barrier layer and manufacturing process |
| EP2497636A1 (de) | 2011-03-11 | 2012-09-12 | Deutsche SiSi-Werke Betriebs GmbH | Verbessertes Verbundsystem für Verpackungen |
| CN102691062A (zh) * | 2011-03-23 | 2012-09-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 壳体及其制造方法 |
| DE102011017404A1 (de) * | 2011-04-18 | 2012-10-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Abscheiden eines transparenten Barriereschichtsystems |
| DE102011017403A1 (de) * | 2011-04-18 | 2012-10-18 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Abscheiden eines transparenten Barriereschichtsystems |
| CN103451652B (zh) * | 2012-05-29 | 2015-10-21 | 吉林师范大学 | 一种银纳米粒子包覆氧化锌纳米管衬底的制备方法 |
| RU2564650C1 (ru) * | 2014-07-22 | 2015-10-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов" (ФГУП "ВИАМ") | Способ нанесения электропроводящего покрытия для электрообогреваемого элемента органического остекления |
| RU2704949C2 (ru) * | 2014-12-19 | 2019-10-31 | Сандвик Интеллекчуал Проперти Аб | Режущий инструмент с хогф-покрытием |
| RU2676720C1 (ru) * | 2018-03-28 | 2019-01-10 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук | Способ вакуумного ионно-плазменного низкотемпературного осаждения нанокристаллического покрытия из оксида алюминия |
| CN113874543A (zh) * | 2019-05-31 | 2021-12-31 | 东洋纺株式会社 | 透明阻气薄膜和其制造方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0699798B2 (ja) * | 1985-10-29 | 1994-12-07 | 東洋メタライジング株式会社 | 透明ガス遮断性フイルムの製造方法 |
| US5178967A (en) * | 1989-02-03 | 1993-01-12 | Alcan International Limited | Bilayer oxide film and process for producing same |
| GB8917888D0 (en) | 1989-08-04 | 1989-09-20 | Bowater Packaging Ltd | Microwave interactive barrier packaging material |
| US6576294B1 (en) * | 1989-10-24 | 2003-06-10 | Flex Products, Inc. | Method for forming barrier film |
| US5792550A (en) * | 1989-10-24 | 1998-08-11 | Flex Products, Inc. | Barrier film having high colorless transparency and method |
| GB8928706D0 (en) * | 1989-12-20 | 1990-02-28 | Bowater Packaging Ltd | Transparent barrier packaging materials |
| CA2044053C (en) | 1990-06-08 | 2001-11-27 | Roger W. Phillips | Barrier film having high colorless transparency and method |
| EP0812779B1 (en) * | 1991-12-26 | 2000-08-09 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | A gas barrier film |
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| DE19845268C1 (de) * | 1998-10-01 | 2000-01-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum Bedampfen bandförmiger Substrate mit einer transparenten Barriereschicht aus Aluminiumoxid |
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| US6492026B1 (en) * | 2000-04-20 | 2002-12-10 | Battelle Memorial Institute | Smoothing and barrier layers on high Tg substrates |
| TWI293091B (en) | 2001-09-26 | 2008-02-01 | Tohcello Co Ltd | Deposited film and process for producing the same |
-
2002
- 2002-11-29 DE DE10255822A patent/DE10255822B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-10-16 AT AT03757995T patent/ATE375409T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-10-16 RU RU2005116674/02A patent/RU2352683C2/ru active
- 2003-10-16 US US10/536,329 patent/US7541070B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-16 DE DE50308370T patent/DE50308370D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-16 WO PCT/EP2003/011477 patent/WO2004050945A2/de not_active Ceased
- 2003-10-16 MX MXPA05005113A patent/MXPA05005113A/es active IP Right Grant
- 2003-10-16 EP EP03757995A patent/EP1565591B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-16 AU AU2003274021A patent/AU2003274021A1/en not_active Abandoned
- 2003-10-16 BR BRPI0315699-0A patent/BR0315699B1/pt active IP Right Grant
- 2003-10-16 CA CA2505027A patent/CA2505027C/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-10-16 ES ES03757995T patent/ES2290496T3/es not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-05-04 CR CR7821A patent/CR7821A/es unknown
- 2005-05-16 EC EC2005005797A patent/ECSP055797A/es unknown
- 2005-05-31 CO CO05052766A patent/CO5690658A2/es not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| BR0315699B1 (pt) | 2012-11-27 |
| US20060257585A1 (en) | 2006-11-16 |
| RU2352683C2 (ru) | 2009-04-20 |
| US7541070B2 (en) | 2009-06-02 |
| RU2005116674A (ru) | 2007-01-10 |
| BR0315699A (pt) | 2005-09-06 |
| ATE375409T1 (de) | 2007-10-15 |
| DE50308370D1 (de) | 2007-11-22 |
| DE10255822B4 (de) | 2004-10-28 |
| WO2004050945A3 (de) | 2004-08-12 |
| MXPA05005113A (es) | 2008-03-11 |
| CA2505027C (en) | 2011-02-22 |
| AU2003274021A8 (en) | 2004-06-23 |
| CA2505027A1 (en) | 2004-06-17 |
| AU2003274021A1 (en) | 2004-06-23 |
| EP1565591B1 (de) | 2007-10-10 |
| CO5690658A2 (es) | 2006-10-31 |
| EP1565591A2 (de) | 2005-08-24 |
| WO2004050945A2 (de) | 2004-06-17 |
| ECSP055797A (es) | 2005-08-11 |
| DE10255822A1 (de) | 2004-06-17 |
| CR7821A (es) | 2005-11-15 |
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