ES2337055T3 - Tratamiento por pulverizacion de paneles dispuestos sobre un soporte de barrera. - Google Patents
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- 238000005507 spraying Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000011282 treatment Methods 0.000 title claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 28
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 32
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 4
- 206010003504 Aspiration Diseases 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 3
- 239000005329 float glass Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 239000004606 Fillers/Extenders Substances 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Chemical group 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010583 slow cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/001—General methods for coating; Devices therefor
- C03C17/002—General methods for coating; Devices therefor for flat glass, e.g. float glass
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/245—Oxides by deposition from the vapour phase
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
- C03C17/23—Oxides
- C03C17/25—Oxides by deposition from the liquid phase
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/211—SnO2
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2217/00—Coatings on glass
- C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
- C03C2217/21—Oxides
- C03C2217/24—Doped oxides
- C03C2217/241—Doped oxides with halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C2218/00—Methods for coating glass
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
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- Chemical And Physical Treatments For Wood And The Like (AREA)
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- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
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Abstract
Procedimiento para el tratamiento de toda la superficie principal de al menos un panel (1) colocado al menos sobre un soporte (2), por pulverización de un material gaseoso, líquido o sólido en forma pulverulenta, extendiéndose dicho soporte más allá del panel y actuando como barrera con respecto al material pulverizado, caracterizado por que el soporte retiene el panel para hacer que se mueva debajo de al menos una boquilla (3) en forma de ranura transversal perpendicular a la dirección del movimiento del panel, suministrando dicha boquilla el material pulverizado.
Description
Tratamiento por pulverización de paneles
dispuestos sobre un soporte de barrera.
La invención se refiere a un procedimiento para
tratar la superficie de paneles por pulverización de un material
líquido, sólido en forma pulverulenta o gaseoso, que reduzca
considerablemente los efectos de los bordes. La invención es
aplicable más en particular a depósitos de películas delgadas tales
como los depósitos en caliente o en frío (especialmente favorecidos
por el plasma), especialmente los depósitos pirolíticos en los que
se pulveriza al menos un precursor de la película, siendo este
precursor gaseoso, líquido o sólido en forma pulverulenta. La
invención se refiere en primer lugar, a los depósitos químicos de
una fase vapor (CVD, del inglés Deposición Química de Vapor) y se
adapta en particular al depósito CVD de SnO_{2}, especialmente
dopado con flúor (SnO_{2}:F).
La invención aporta una solución al problema de
los efectos de borde que se pueden encontrar cuando se efectúa un
tratamiento de la superficie de un panel por pulverización de un
material gaseoso, líquido o sólido en forma pulverulenta. En
efecto, se observa que el tratamiento no es forzosamente regular al
nivel de los bordes y proporciona al panel propiedades
fundamentalmente diferentes cerca del borde del panel con respecto
al interior de sus superficies principales. La invención resuelve
este problema previniendo poner el panel sobre al menos un soporte
más grande que el panel que se tiene que tratar para que el
tratamiento por el material pulverizado se realice en los bordes
del panel como en el interior de sus superficies principales. El
soporte prolonga en cierto modo el panel, lo que vuelve las
condiciones del tratamiento fundamentalmente idénticas o al menos
más parecidas, en los bordes y en el centro. Este efecto de la
invención se obtiene gracias a que el soporte actúa como barrera
con respecto al material pulverizado. El soporte actúa como barrera
de la misma manera que el panel mismo y lo prolonga como si fuera
infinito.
Se sabe realizar depósitos CVD sobre una cinta
continua de vidrio plano directamente después de su fabricación,
habitualmente por una instalación de vidrio flotado. El depósito se
realiza mientras que la cinta todavía no se ha cortado y se mueve
sobre un lecho de rodillos. Después de cortar la cinta de vidrio en
diferentes placas, se constata en general que la película fina
obtenida es muy homogénea en aspecto y en espesor, incluido cerca
de las esquinas y bordes. Por el hecho de que las bandas
longitudinales de la cinta se cortan después del depósito CVD, una
falta de homogeneidad eventual en los bordes no plantea problema
pues estos bordes se eliminan de todos modos con el corte.
Recordamos que el corte del vidrio se realiza habitualmente en
continuo durante el movimiento del vidrio sobre un lecho de
rodillos. El sistema del movimiento sobre los rodillos es un
sistema corrientemente utilizado en la industria del vidrio para el
transporte de láminas de vidrio.
En lo que sigue, se denomina panel a un objeto
que comprende dos caras principales paralelas y un borde de
dimensión más reducida que la de las longitudes y las anchuras de
las caras principales, teniendo las caras principales una longitud
y una anchura finitas. Una cinta continua de vidrio saliendo de una
instalación de vidrio flotado no es pues un panel ya que su
longitud es indefinida. Una lámina de vidrio obtenida por corte de
una cinta continua es un panel. El panel puede tener un espesor que
vaya, por ejemplo, de 1 a 10 mm. El panel puede tener una dimensión
mayor que 10 cm, incluso mayor que 20 cm, en todas las direcciones
paralelas a sus caras principales. Sus dimensiones van generalmente
hasta 150 cm en todas las direcciones paralelas a sus caras
principales.
El depósito CVD en una cinta continua es una
técnica conocida. Sin embargo, se puede desear realizar igualmente
depósitos CVD en láminas (o paneles) de dimensiones fijadas, como
las láminas de vidrio ya cortadas. Se puede experimentar esta
necesidad especialmente, por ejemplo:
- -
- para el caso en que no se dispone de espacio para realizar una instalación de depósito CVD directamente en una cinta continua que sale de fabricación o
- -
- para el caso en que se desea realizar un panel que presente un depósito CVD sobre cada una de sus caras, realizándose el depósito sobre una de las caras en continuo, cortándose después la cinta en paneles, realizándose después el depósito CVD "volviendo a hacer contacto" sobre la otra cara,
- -
- para cualquier otra razón que haga que se desee realizar el depósito "volviendo a hacer contacto" sobre los paneles.
Sin embargo, la solicitante ha descubierto que
realizando el depósito CVD sobre paneles que se mueven sobre
rodillos, el depósito realizado no era homogéneo cerca de sus
bordes. Parece que el hecho de que la dimensión de los paneles sea
finita proporciona una perturbación del flujo de gas cerca de los
bordes, por el hecho de que los gases pueden pasar a la vez entre
los paneles y entre los rodillos. Esta discontinuidad de la
superficie del substrato será la causa de una diferencia de
condiciones del depósito entre, por una parte, la parte principal
de la superficie del panel y por otra parte sus bordes. Esta falta
de homogeneidad se traduce en una falta de homogeneidad de la
coloración visible a simple vista y una falta de homogeneidad de
espesor. La solicitante ha descubierto que se pueden volver a tener
las condiciones de depósito correctas en los bordes poniendo el
panel que se tiene que recubrir sobre un soporte que actúa como
barrera para los gases CVD, especialmente un soporte
fundamentalmente impermeable a los gases. El soporte debe tener
dimensiones (anchura y longitud) más grandes que las del panel,
obligando a los gases cerca del panel a proseguir su camino
paralelamente al panel sobre una cierta distancia, que es
preferentemente al menos 4 cm. Este problema explicado para los
depósitos CVD es generalizable a todos los tratamientos de paneles
por pulverización de material líquido, sólido en forma pulverulenta
o gaseoso.
La patente de EE.UU. 4.338.078 describe un
procedimiento de recubrimiento por pulverización de paneles de
vidrio, apoyándose sobre una cinta transportadora y prevé añadir
pantallas sobre dos lados para evitar las pulverizaciones desde la
pista de rodadura.
La patente europea EP 419 053 describe el
depósito de películas dieléctricas sobre placas para semiconductores
depositados sobre un soporte más grande que la placa para evitar
turbulencias en los bordes del sustrato y obtener un recubrimiento
uniforme.
Así, la invención se refiere en primer lugar a
un procedimiento para tratar la superficie de al menos un panel
puesto sobre al menos un soporte, por pulverización de un material
gaseoso, líquido o sólido en forma pulverulenta, extendiéndose
dicho soporte más allá del panel y actuando como barrera con
respecto al material pulverizado. De esta manera, el tratamiento es
fundamentalmente idéntico en toda la superficie principal que recibe
el tratamiento, es decir, idéntico en el borde y en la región más
interna de la cara principal de dicho panel. Según la invención, se
obliga al material pulverizado a tomar una dirección paralela al
panel cerca de todos los bordes de dicho panel, incluido el
exterior de dicho panel. (es decir, especialmente la región d1 de la
figura 1). Especialmente, el material se pulveriza fundamentalmente
en dirección ortogonal al panel, obligando el soporte al material
pulverizado a tomar una dirección paralela a dicho panel cerca de
sus bordes. En general, el material es pulverizado por al menos una
boquilla colocada enfrente del panel que se tiene que tratar. En
general, la boquilla pulveriza el material en la vertical en la
dirección del panel en posición horizontal. En general, un gas
portador transporta el material que se tiene que pulverizar.
El tratamiento puede ser especialmente un
proceso de deposición pirolítica de película fina (formación de una
película pirolítica) en una cámara de deposición, como un proceso de
deposición de una película fina por reacción química a partir de
una fase gaseosa. Así, la invención se refiere en primer lugar a un
proceso de deposición en una cámara de deposición de película fina,
por reacción química a partir de una fase gaseosa sobre un panel
puesto sobre un soporte que actúa como barrera para los gases y que
obliga a dichos gases a tomar una dirección paralela a dicho panel
cerca de sus bordes.
Especialmente, el soporte sobresale
horizontalmente por todos los lados del panel, a saber, los lados
transversales y longitudinales.
El material pulverizado puede ser una mezcla de
al menos dos constituyentes de diferente naturaleza física: sólido
en forma pulverulenta, líquido o gas. En efecto, en el caso de un
sólido en forma pulverulenta o un líquido pulverizado, se utiliza
generalmente un gas portador, si fuera necesario inerte, para
transportar el material condensado.
Cualquiera que sea la naturaleza del material
pulverizado, el soporte puede ser impermeable a los gases. Puede
ser igualmente ligeramente permeable a los gases pero ser
suficientemente impermeable para ejercer como barrera (caso de un
tejido de mallas suficientemente apretadas). Como barrera,
especialmente en el caso en que el material pulverizado es gaseoso,
el soporte ejerce preferentemente una caída de presión en el gas tal
que su coeficiente de caída de presión singular al gas sea mayor
que 60. Ese es el caso si el soporte es totalmente impermeable a
los gases.
El soporte puede ser, por ejemplo, una placa
totalmente impermeable a los gases, por ejemplo de vidrio o metal
refractario o de cerámica o cualquier otro material resistente a las
condiciones del tratamiento, especialmente del depósito CVD. Esta
placa tiene dimensiones superiores a las del panel y el panel se
dispone sobre la placa de manera que la placa sobresalga lo
suficiente por todos los lados del panel. La placa sobresale de cada
borde del panel (distancias d1 y d3 en la figura 4) al menos 4 cm y
preferentemente al menos 5 cm. Se puede realizar un tratamiento
continuo sobre una pluralidad de paneles que se mueven unos a
continuación de los otros (por ejemplo, en una estación de depósito
CVD), poniendo cada panel sobre una placa y poniendo las placas
sobre rodillos transportadores. Preferentemente, la placa sobresale
de los bordes transversales de las placas (distancias d3 de la
figura 4) una distancia al menos igual al 50% y de manera incluso
preferida al menos igual al 95% de la distancia entre la boquilla
de emisión del material (especialmente de gas, 7 en la figura 3) y
las aberturas de aspiración principales de dicho material (8 en la
figura 3). En general, la placa sobresale de los bordes
transversales de las placas (distancias d3 de la figura 4) al menos
20 cm e incluso al menos 50 cm, especialmente entre 20 cm y 120 cm.
De hecho, en el caso de una serie de placas, si los bordes
transversales de las placas están suficientemente unidos o se
recubren, el valor que sobresale de cada borde transversal de las
placas con respecto a los paneles que los soportan puede ser más
reducido, siendo esencial que el material (especialmente los gases)
encuentre cerca de los bordes de los paneles una barrera, como se ha
mencionado ya. En este caso particular, un panel actúa como barrera
con respecto a otra placa vecina. La barrera necesaria está
presente preferentemente más allá de los bordes transversales de los
paneles, una distancia al menos igual al 50% y de manera incluso
preferida al menos igual al 95% de la distancia entre la boquilla de
emisión del material y las aberturas de aspiración principales del
material y en general una distancia de al menos 20 cm e incluso al
menos 50 cm, especialmente entre 20 cm y 120 cm. En general, el
panel es plano.
El soporte puede ser igualmente una cinta
transportadora. Como para las placas, la cinta sobresale lo
suficiente de cada lado de los paneles (distancia d1 en la figura
1) al menos 4 cm y preferentemente al menos 5 cm. La cinta es lo
suficientemente impermeable para actuar como barrera, especialmente
con respecto a los gases cuando el material pulverizado es gaseoso.
En la práctica, es difícil realizar una cinta a la vez ligera (ya
que debe circular en continuo en bucle), totalmente impermeable a
los gases y resistente a las condiciones de los depósitos CVD
(debido a la temperatura elevada y la naturaleza química del gas).
Se puede realizar tal cinta en un tejido de fibras refractarias,
especialmente un tejido que comprenda una mezcla de fibras de vidrio
y de fibras de metal refractario inoxidable. Este tejido posee
mallas lo suficientemente apretadas para actuar como barrera para
los gases, si es necesario. En el caso en que el material
pulverizado sea gaseoso, este tejido presenta preferentemente un
coeficiente de caída de presión singular al gas mayor que 60. Como
tejido adaptado, se puede citar el tejido 2002 V4A G1
comercializado por la compañía ELIT, que ofrece un coeficiente de
caída de presión singular de aproximadamente 140. Con referencia al
coeficiente de caída de presión singular, \xi es un número sin
dimensión que se puede determinar midiendo la caída de presión en el
aire (por ejemplo a 20ºC y a la presión atmosférica), extrayendo
después \xi de la siguiente fórmula:
\Delta P =
\xi \
\rho_{aire}\frac{v^{2}}{2}
con \DeltaP la caída de presión
medida, \rho_{aire} la masa volumétrica del aire y v la
velocidad del
aire.
La cinta puede moverse, por ejemplo, con una
velocidad que va de 4 a 30 m/min.
La cinta transportadora se adapta en particular
a un procedimiento según la invención, continuo, estando dispuesta
una multiplicidad de paneles sobre la cinta, formando dicha cinta un
bucle de circulación que atraviesa la cámara de tratamiento,
especialmente una cámara de deposición.
En el caso de depósitos pirolíticos,
preferentemente, fuera de la cámara de deposición y antes de su
vuelta a la entrada de la cámara, se calienta la cinta para reducir
las cantidades de compuestos emitidos en la cámara de deposición y
que la impregnan. Este calentamiento causa una evaporación y/o una
reacción de estos compuestos, restos de reactivos de la reacción de
pirólisis. Así, eso evita que a la vuelta a la cámara de deposición,
la cinta impregnada no deje marcas incontroladas e indeseables en
la cara de los paneles con la que entra en contacto.
En la presente solicitud, la denominación
transversal (o transverso) representa, en el contexto de un
procedimiento de tratamiento (especialmente depósito), continuo, la
dirección perpendicular en la dirección del movimiento de los
paneles que se tienen que recubrir.
Para una instalación de depósito pirolítico
continuo, los paneles que se tienen que recubrir, dispuestos sobre
el soporte, se mueven bajo un dispositivo que suministra el material
pulverizado, precursor del depósito. Este dispositivo comprende al
menos una boquilla en forma de ranura transversal (perpendicular en
la dirección del movimiento de los paneles) que suministra el
material, siendo dicha ranura al menos tan grande en la dirección
transversal que los paneles. Preferentemente, la ranura sobresale de
cada lado de los paneles (distancia d2 en la figura 1) al menos 4
cm y preferentemente al menos 5 cm. El dispositivo que suministra el
material puede comprender igualmente una o varias ranuras de
aspiración de dicho material, aguas abajo o aguas arriba o a la vez
aguas abajo y aguas arriba con respecto a la dirección del
movimiento.
La presente solicitud se refiere particularmente
a depósitos CVD de SnO_{2} especialmente dopados con flúor F.
Para dicho depósito, se puede utilizar especialmente como gas CVD
una mezcla de monobutiltricloruro de estaño (que se denomina
MBTCI), ácido trifluoroacético (que se denomina TFA) y agua, así
como un gas portador que puede ser, por ejemplo, aire o nitrógeno o
una mezcla de aire/oxígeno.
La película de SnO_{2}:F depositada contiene
en general 0,5 a 2% en átomos (porcentaje del número de átomos de
Flúor con respecto al número total de átomos) de F. Estas películas
tienen en general un espesor que va de 50 a 700 nm y más en general
de 100 a 600 nm. El espesor de las películas así como su regularidad
en espesor se puede medir especialmente por la técnica de
reflectometría o elipsometría.
En la cámara de tratamiento, incluso de
deposición, el flujo del material pulverizado es en general laminar.
Puede ser igualmente entre laminar y turbulento y no se excluye que
sea turbulento. En general, la cámara de tratamiento está
fundamentalmente a la presión atmosférica. Se puede crear una ligera
depresión en el interior de la cámara para evitar que escapen los
productos tóxicos.
Antes de llegar a la cámara de tratamiento, se
lava preferentemente el sustrato para eliminar el polvo y otras
impurezas de su superficie y se calienta previamente preferentemente
para que su temperatura sea homogénea. En el caso del sistema CVD
de SnO_{2}:F, se puede calentar previamente el sustrato entre 550
y 700ºC y se pueden calentar previamente los gases CVD en general
entre 150 y 250ºC, especialmente entre 170 y 210ºC. La duración del
depósito mismo va en general de 2 a 15 segundos. Una película de
SnO_{2}:F así realizada es policristalina.
Después de un depósito por pirólisis, el
sustrato recubierto experimenta un enfriamiento lento o rápido e
incluso del tipo templado según el caso.
En el caso de una película de SnO_{2}:F, se
puede destinar el substrato recubierto a actuar como una cara
delante de una pantalla de plasma, actuando la película de
SnO_{2}:F como conductor eléctrico y estando colocada en el lado
interno de dicha cara con respecto a la pantalla. En este caso, se
utiliza ventajosamente como sustrato un vidrio de alto punto de
deformación ("strain point" en inglés) como CS77 (punto de
deformación a 585ºC) comercializado por Saint-Gobain
Glass Francia. En este caso, después del depósito CVD se realiza un
enfriamiento lento, especialmente entre 50 y 150ºC por min.
Se puede realizar igualmente según la invención
un depósito CVD especialmente de SnO_{2}:F en un vidrio más
clásico del tipo
sílico-sódico-cálcico como el de
marca PLANILUX comercializado por la compañía
Saint-Gobain Glass Francia, para las aplicaciones
siguientes:
- -
\;
a) - cristal térmico: una película conductora según la invención (especialmente de SnO_{2}:F) calentada por efecto Joule;
- -
\;
b) - cristal de baja emisión: se deposita una película con características de baja emisión (por ejemplo de SnO_{2}:F) en una cara o una película en cada cara. Un cristal de vidrio así recubierto puede servir de puerta de horno, reduciendo la o las película(s) la temperatura de la puerta durante el calentamiento del horno, lo que se pide en particular para los hornos que se tienen que limpiar por pirólisis, teniendo en cuenta las fuertes temperaturas utilizadas durante la pirólisis. En la práctica, para realizar una película en cada lado del cristal, se puede realizar una directamente después de la instalación de la formación en vidrio plano (especialmente del tipo vidrio flotado), después cortar la cinta continua en paneles, después realizar una película según la invención sobre la otra cara, volviendo a hacer contacto;
- -
\;
c) - cristal para lámpara plana: una película conductora según la invención (especialmente de SnO_{2}:F) sirve de electrodo;
- -
\;
d) - cristal para célula fotovoltaica: una película conductora según la invención (especialmente de SnO_{2}:F) sirve de electrodo.
Para las aplicaciones a) a d) que se acaban de
dar se desea en general que el substrato esté templado o endurecido.
Se procede pues aquí a un enfriamiento rápido del tipo templado o
endurecido después del depósito CVD.
La invención no está limitada a la realización
de películas de SnO_{2}:F y se puede realizar según el mismo
principio, especialmente en sustratos de vidrio, de películas
homogéneas:
- de óxido de indio y estaño denominadas
comúnmente ITO, especialmente para las aplicaciones que necesitan
una película conductora,
- de oxicarburo de silicio denominada comúnmente
SiOC,
- de óxido de cromo,
- de óxido de titanio, TiO_{2}, especialmente
para realizar una película autolimpiadora.
La invención permite igualmente la realización
de una película conductora, especialmente de SnO_{2}:F, para la
realización de pantalla LCD (pantalla de cristal líquido) o TFT
(transistor de película delgada).
La invención permite la realización de paneles
que comprenden especialmente una lámina de vidrio y al menos una
película CVD (especialmente de SnO_{2}:F), midiendo dicha lámina
al menos 10 cm, incluso al menos 20 cm, en todas las direcciones
paralelas a sus caras principales, estando recubierta dicha lámina
con al menos una película CVD sobre al menos una de las caras
principales y sobre la totalidad de su borde. En efecto,
contrariamente al proceso de depósito continuo sobre una cinta
flotada en la que los paneles se cortan después del recubrimiento
CVD, lo que conduce necesariamente a bordes no recubiertos, el
procedimiento según la invención lleva a paneles con el borde
recubierto en toda su circunferencia.
Por otro lado, el procedimiento según la
invención es particularmente útil para depositar al menos una de
las películas de un substrato (especialmente de vidrio) debiendo ser
recubierto sobre sus dos caras principales. En efecto, en el caso
de un substrato de vidrio en que se deberán recubrir las dos
superficies principales, se puede proceder de la manera
siguiente:
- -
- realización de un primer depósito continuo sobre una primera cara principal directamente sobre la cinta de vidrio o en el interior de una instalación de formación de vidrio plano por flotación en un baño metálico (baño de estaño) o justo después de la salida de tal instalación, después
- -
- pase de la cinta en extendedores, después
- -
- corte longitudinal y transversal de la cinta para obtener paneles, después
- -
- depósito según la invención sobre la segunda cara principal,
- -
- después, opcionalmente, realización de un templado térmico.
Dichos paneles de vidrio recubiertos sobre sus
dos caras principales (especialmente de SnO_{2} dopado con F)
encuentran especialmente utilidad como panel que presenta una buena
transmisión luminosa en el visible, mientras reflejan
considerablemente el infrarrojo. Se busca este tipo de panel para
realizar las puertas de hornos a través de las que se desea poder
ver sin riesgo de quemaduras importantes en caso de contacto, como
por ejemplo las puertas explicadas por la patente francesa FR
2726633 o la patente británica GB 1524650.
La figura 1 representa un panel 1 dispuesto
sobre un soporte 2, una boquilla 3 que suministra los gases CVD
(flechas) por encima de una de las caras principales de dicho panel.
El panel se mueve en la dirección de la visión de la figura. El
soporte sobresale horizontalmente por todos los lados del panel (es
decir, lados paralelos en la dirección del movimiento y lados
perpendiculares en la dirección del movimiento) de la distancia d1,
que es al menos 4 cm. La boquilla sobresale horizontalmente por cada
lado del panel la distancia d2. Las flechas de cada lado del panel
muestran que el soporte obliga a los gases cerca del panel a ir
hacia el exterior en la horizontal en dirección transversal.
La figura 2 representa un modo de realización no
cubierto por la presente solicitud a título comparativo. Aquí, un
panel 1 se mueve sobre un lecho de rodillos 4 y bajo una boquilla
(no representado) que suministra los gases CVD, representados por
flechas. Se ve que los gases pueden tomar una dirección vertical en
la proximidad inmediata del panel para pasar entre los
rodillos.
La figura 3 representa un procedimiento según la
invención, continuo, siendo arrastrada una multiplicidad de paneles
1 por una cinta 5 sobre la que se ponen y que se mueven en la
dirección de la flecha S a través de una cámara CVD 6. Una boquilla
7 en forma de ranura (la dirección de la ranura es la dirección
transversal y por tanto la de la visión de la figura) suministra
los gases CVD, siendo aspirados estos últimos a continuación por
las aberturas 8 (aspiración principal) y 9 (aspiración secundaria
menos fuerte que la aspiración principal). La cinta es arrastrada
por los rodillos 10. Forma un bucle de circulación a través de la
cámara, es decir, entrando en la cámara, atravesándola, saliendo
después, volviendo a su entrada. Un calentamiento 11 calienta la
cinta para reducir las cantidades de compuestos químicos que
provienen de la cámara y que tienden a atascar la cinta. Un sistema
12 de control antideslizamiento corrige los desplazamientos
transversales de la cinta. La tensión de la cinta está establecida
en 13.
La figura 4 representa un procedimiento según la
invención, continuo, reposando una multiplicidad de paneles 1 cada
uno sobre una placa 14, que son arrastradas en la dirección de la
flecha S a través de una cámara CVD (no representado en esta
figura). Las placas mismas son retenidas por los rodillos
transportadores 15. Las placas sobresalen de los bordes
transversales de los paneles la distancia d3 y sobresalen de los
bordes longitudinales de los paneles la distancia d1, siendo las
dos, d1 y d3, al menos iguales a 4 cm.
Claims (18)
1. Procedimiento para el tratamiento de toda la
superficie principal de al menos un panel (1) colocado al menos
sobre un soporte (2), por pulverización de un material gaseoso,
líquido o sólido en forma pulverulenta, extendiéndose dicho soporte
más allá del panel y actuando como barrera con respecto al material
pulverizado, caracterizado por que el soporte retiene el
panel para hacer que se mueva debajo de al menos una boquilla (3)
en forma de ranura transversal perpendicular a la dirección del
movimiento del panel, suministrando dicha boquilla el material
pulverizado.
2. Procedimiento según la reivindicación
precedente, caracterizado por que se obliga al material
pulverizado a tomar una dirección paralela a dicho panel (1) en la
proximidad y en el exterior de todos los bordes de dicho panel.
3. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado por que el
material se pulveriza fundamentalmente en dirección ortogonal al
panel, forzando el soporte a que el material pulverizado tome una
dirección paralela a dicho panel cerca de sus bordes.
4. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado por que el
tratamiento es un proceso de deposición pirolítica de película fina
en una cámara de deposición (6).
5. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado por que el
tratamiento es un proceso de deposición de una película fina por
reacción química a partir de una fase gaseosa.
6. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado por que el
soporte sobresale horizontalmente por todos los lados del panel
(1).
7. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado por que la
boquilla es más ancha en la dirección transversal que la anchura de
dicho panel.
8. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado por que la
boquilla (3) sobresale horizontalmente al menos 4 cm por cada lado
del panel.
9. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado por que el
soporte sobresale horizontalmente por todos los lados del panel al
menos 4 cm.
10. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado por que el
soporte es una cinta transportadora (5).
11. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado por que el
soporte presenta el gas con un coeficiente de caída de presión
singular mayor que 60.
12. Procedimiento según la reivindicación
precedente, caracterizado por que el procedimiento es
continuo, estando dispuesta una multiplicidad de paneles sobre la
cinta (5), formando dicha cinta un bucle de circulación a través de
la cámara de deposición.
13. Procedimiento según la reivindicación
precedente, caracterizado por que fuera de la cámara de
deposición y antes de que vuelva a la entrada de la cámara, se
calienta la cinta para reducir las cantidades de compuestos
emitidos en la cámara de deposición (6) y que la impregnan.
14. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado por que el panel
es plano.
15. Procedimiento según una de las
reivindicaciones precedentes, caracterizado por que el panel
comprende una lámina de vidrio.
16. Panel que comprende una lámina de vidrio de
al menos 10 cm en todas las direcciones paralelas a sus caras
principales, estando recubierta dicha lámina con al menos una
película fina de SnO_{2}:F sobre al menos una de sus caras
principales y sobre la totalidad de su borde.
17. Panel según la reivindicación precedente,
caracterizado por que la lámina de vidrio mide al menos 20 cm
en todas las direcciones paralelas a sus caras principales.
18. Utilización del panel de una de las
reivindicaciones del panel precedentes, en la producción de
pantallas de plasma, LCD, TFT, puertas de horno, lámparas planas,
células fotovoltaicas.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR0307111 | 2003-06-13 | ||
| FR0307111A FR2856057B1 (fr) | 2003-06-13 | 2003-06-13 | Traitement par projection de panneaux poses sur un support barriere |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2337055T3 true ES2337055T3 (es) | 2010-04-20 |
Family
ID=33484399
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES04742886T Expired - Lifetime ES2337055T3 (es) | 2003-06-13 | 2004-06-10 | Tratamiento por pulverizacion de paneles dispuestos sobre un soporte de barrera. |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP1636145B1 (es) |
| JP (2) | JP5105872B2 (es) |
| KR (1) | KR101125205B1 (es) |
| CN (2) | CN102674703B (es) |
| AT (1) | ATE449747T1 (es) |
| DE (1) | DE602004024305D1 (es) |
| ES (1) | ES2337055T3 (es) |
| FR (1) | FR2856057B1 (es) |
| PT (1) | PT1636145E (es) |
| WO (1) | WO2004113246A2 (es) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2114839A2 (fr) * | 2007-01-15 | 2009-11-11 | Saint-Gobain Glass France | Substrat verrier revetu de couches a tenue mecanique amelioree |
| WO2013094662A1 (ja) * | 2011-12-22 | 2013-06-27 | コニカミノルタ株式会社 | 薄膜ガラスの製造方法及び製造装置 |
| CN109722651B (zh) * | 2019-02-18 | 2021-03-23 | 长江存储科技有限责任公司 | 薄膜沉积设备及气体供给装置 |
| RU2711386C1 (ru) * | 2019-10-02 | 2020-01-17 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Способ нанесения покрытия SnO2 |
Family Cites Families (21)
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| US4358472A (en) * | 1978-06-16 | 1982-11-09 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Multi-layer coating method |
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| JP2001151534A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-05 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 液晶ディスプレイ用ガラス基板 |
| JP2001199745A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-24 | Star Micronics Co Ltd | 紫外線カットフィルタ膜の形成方法 |
-
2003
- 2003-06-13 FR FR0307111A patent/FR2856057B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-06-10 ES ES04742886T patent/ES2337055T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-10 JP JP2006516345A patent/JP5105872B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-10 AT AT04742886T patent/ATE449747T1/de active
- 2004-06-10 DE DE602004024305T patent/DE602004024305D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-10 PT PT04742886T patent/PT1636145E/pt unknown
- 2004-06-10 WO PCT/FR2004/050222 patent/WO2004113246A2/fr not_active Ceased
- 2004-06-10 CN CN201210129307.2A patent/CN102674703B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-10 EP EP04742886A patent/EP1636145B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-10 CN CNA2004800165418A patent/CN1805908A/zh active Pending
- 2004-06-10 KR KR1020057023726A patent/KR101125205B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-07-17 JP JP2012158769A patent/JP2012229491A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1636145B1 (fr) | 2009-11-25 |
| WO2004113246A3 (fr) | 2005-05-12 |
| WO2004113246A2 (fr) | 2004-12-29 |
| DE602004024305D1 (de) | 2010-01-07 |
| KR20060016114A (ko) | 2006-02-21 |
| FR2856057A1 (fr) | 2004-12-17 |
| ATE449747T1 (de) | 2009-12-15 |
| CN1805908A (zh) | 2006-07-19 |
| CN102674703B (zh) | 2015-11-25 |
| CN102674703A (zh) | 2012-09-19 |
| PT1636145E (pt) | 2010-03-03 |
| EP1636145A2 (fr) | 2006-03-22 |
| JP2006527308A (ja) | 2006-11-30 |
| JP5105872B2 (ja) | 2012-12-26 |
| JP2012229491A (ja) | 2012-11-22 |
| FR2856057B1 (fr) | 2007-03-30 |
| KR101125205B1 (ko) | 2012-03-19 |
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