ES2338365T3 - Procedimiento para templar termicamente un articulo con un recubrierto con un recubrimiento de oxido conductor transparente (tco) usando una(s) llama(s) en un horno de templado adyacente al tco para quemar oxigeno y producto hecho usando el mismo. - Google Patents

Procedimiento para templar termicamente un articulo con un recubrierto con un recubrimiento de oxido conductor transparente (tco) usando una(s) llama(s) en un horno de templado adyacente al tco para quemar oxigeno y producto hecho usando el mismo. Download PDF

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ES2338365T3 ES06800073T ES06800073T ES2338365T3 ES 2338365 T3 ES2338365 T3 ES 2338365T3 ES 06800073 T ES06800073 T ES 06800073T ES 06800073 T ES06800073 T ES 06800073T ES 2338365 T3 ES2338365 T3 ES 2338365T3
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Abstract

Procedimiento de fabricación de un artículo recubierto que incluye una película conductora transparente, comprendiendo el procedimiento: proporcionar un sustrato de vidrio; formar una película que comprende un óxido conductor transparente en el sustrato de vidrio; y templar el artículo recubierto que incluye el sustrato de vidrio y la película que comprende el óxido conductor transparente, y en el que se proporciona por lo menos una llama en un horno de templado para quemar el oxígeno para evitar o reducir la oxidación de la película que comprende el óxido conductor transparente durante el templado.

Description

Procedimiento para templar térmicamente un artículo recubierto con un recubrimiento de óxido conductor transparente (TCO) usando una(s) llama(s) en un horno de templado adyacente al TCO para quemar el oxígeno y producto hecho usando el mismo.
Esta invención se refiere a un procedimiento de fabricación de un artículo recubierto que incluye una película de óxido conductor transparente (TCO) soportado por un sustrato de vidrio. En determinadas formas de realización de ejemplo, el artículo recubierto que incluye la película de TCO en el sustrato de vidrio se templa térmicamente en un horno de templado. En determinadas formas de realización de ejemplo, durante el templado la(s) llama(s) se proporciona(n) próxima(s) a la superficie expuesta del TCO para quemar el exceso de oxígeno cerca de la superficie de TCO evitando o reduciendo de ese modo la oxidación del TCO durante el proceso de templado. También se proporciona un artículo recubierto, que se templa térmicamente, hecho mediante un producto de ese tipo. Pueden usarse artículos recubiertos de acuerdo con determinadas formas de realización de ejemplo no limitativas de esta invención en aplicaciones como las células solares, puertas de horno, ventanas antiescarcha u otros tipos de ventanas en determinados casos de ejemplo.
Antecedentes y resumen de unas formas de realización de ejemplo de la invención
Típicamente, los procedimientos para formar TCOs en sustratos de vidrio requieren unas temperaturas del sustrato de vidrio altas. Tales procedimientos incluyen la pirolisis química donde se pulverizan unos precursores sobre el sustrato de vidrio a aproximadamente 400 a 500 grados C, y una deposición en vacío donde el sustrato de vidrio se mantiene a aproximadamente 150 a 300 grados C. La deposición por pulverización iónica de un TCO a aproximadamente temperatura ambiente también resultaría deseable, dado que la mayoría de las plataformas de fabricación de vidrio flotado no van equipadas con sistemas de calentamiento in situ.
Existe a menudo una necesidad de templar térmicamente artículos recubiertos que tengan un sustrato de vidrio recubierto con una película/un recubrimiento de TCO. Por ejemplo, en determinadas aplicaciones el templado se requiere por código (p. ej, p. ej, para ventanas sobre portales, para ventanas identificadas como ventanas rompibles para bomberos y otras aplicaciones). Típicamente el templado térmico requiere calentar el sustrato de vidrio con un recubrimiento en el mismo en un horno de templado a una temperatura de por lo menos aproximadamente 580 grados C, más preferentemente por lo menos aproximadamente 600 grados C y a menudo por lo menos aproximadamente 620 ó 640 grados C (p. ej., durante por lo menos aproximadamente 2 minutos, más preferentemente durante por lo menos aproxi-
madamente 5 minutos). De esta manera, debe entenderse que el templado térmico implica temperaturas muy altas.
Los TCOs convencionales que pueden templarse usan dióxido de estaño dopado con flúor procesado pirolíticamente como el material para el recubrimiento de TCO. Sin embargo, también resultaría deseable poder depositar un TCO mediante pulverización iónica de manera que pudiera llevarse a cabo a aproximadamente temperatura ambiente.
Sin embargo, los TCOs depositados por pulverización iónica que soportan el vidrio no pueden templarse térmicamente sin que el TCO sufra una pérdida significativa de conductividad eléctrica. Las temperaturas de templado del vidrio (véase lo indicado anteriormente) causan una rápida caída de la conductividad en determinados TCOs (p. ej., TCOs que incluyen óxido de cinc depositado por pulverización iónica). Se cree que esta caída de la conductividad se debe a la oxidación del TCO durante el proceso de templado.
De esta manera, debe entenderse que existe una necesidad en la técnica de una técnica o procedimiento mejorado de templado de sustratos de vidrio que incluyen películas/recubrimientos de TCO en los mismos, que pueda evitar o reducir la oxidación del TCO durante el templado y así permitir que el TCO mantenga sustancialmente su conductividad eléctrica en determinados casos de ejemplo.
En determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, se proporciona un procedimiento para templar térmicamente un sustrato de vidrio con una película/un recubrimiento de TCO en el mismo. Típicamente el templado térmico implica calentar el sustrato de vidrio con el recubrimiento de TCO en el mismo en un horno de templado a una temperatura de por lo menos aproximadamente 580 grados C, más preferentemente por lo menos aproximadamente 600 grados C y a menudo a por lo menos aproximadamente 620 ó 640 grados C. El sustrato de vidrio con el recubrimiento de TCO en el mismo puede estar en el horno de templado durante por lo menos aproximadamente 2 minutos, más preferentemente durante por lo menos aproximadamente 5 minutos, en determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención. En determinadas formas de realización de ejemplo, la(s) llama(s) se proporciona(n)
próxima(s) a la superficie expuesta del TCO en el horno de templado para quemar un exceso de oxígeno cerca de la superficie de TCO evitando o reduciendo de ese modo la oxidación del TCO durante el proceso de templado. Reduciendo la oxidación del TCO durante el proceso de templado, puede mantenerse más de la conductividad eléctrica del recubrimiento de TCO durante y/o después del templado.
En determinadas formas de realización de ejemplo, la(s) llama(s) no necesita(n) disponerse en todo el horno de templado. En determinadas formas de realización de ejemplo, la(s) llama(s) se proporciona(n) en unas ubicaciones de manera que la llama sólo se encuentren próximas a la superficie de la película de TCO una vez que el vidrio y/o la película de TCO alcance una temperatura predeterminada a o cerca de la temperatura de oxidación del TCO que puede variar en base al material que compone la película de TCO.
En determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, la película de TCO puede depositarse por pulverización iónica en un sustrato de vidrio (directa o indirectamente) a aproximadamente temperatura ambiente. En formas de realización alternativas, es posible precalentar el sustrato de vidrio antes de la deposición por pulverización iónica de la película de TCO. En determinadas formas de realización de ejemplo, sin embargo, la(s) llama(s) tratada(s)
en la presente memoria puede(n) usarse en relación con el templado de películas de TCO depositadas mediante pirolisis. Películas de TCO de ejemplo incluyen películas de o que incluyen ZnAlO_{x}:Ag, ZnO, ITO (óxido de indio-estaño), SnO_{2} y/o SnO_{2}:F. Pueden usarse otros tipos de películas de TCO en su lugar.
En determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, se proporciona un procedimiento para fabricar un artículo recubierto que incluye una película conductora transparente, comprendiendo el procedimiento: proporcionar un sustrato de vidrio; formar una película que comprende un óxido conductor transparente en el sustrato de vidrio; y templar el artículo recubierto que incluye el sustrato de vidrio y la película que comprende el óxido conductor transparente, y donde por lo menos se proporciona una llama en un horno de templado para quemar el oxígeno para evitar o reducir la oxidación de la película que comprende el óxido conductor transparente durante el templado.
En otras formas de realización de ejemplo de esta invención, se proporciona un procedimiento para fabricar un artículo recubierto que incluye una película conductora transparente, comprendiendo el procedimiento: proporcionar un sustrato de vidrio; formar una película conductora transparente que comprende un óxido conductor transparente en la superficie de vidrio; y templar el artículo recubierto que incluye el sustrato de vidrio y la película conductora transparente, y donde por lo menos se proporciona una llama en un horno de templado próxima a la película conductora transparente..
Breve descripción de los dibujos
La Figura 1 es un diagrama de flujo que ilustra un procedimiento de fabricación de un artículo recubierto templado térmicamente de acuerdo con una forma de realización de ejemplo de esta invención.
La Figura 2 es un diagrama esquemático que ilustra un artículo recubierto en un horno de templado térmico de acuerdo con una forma de realización de ejemplo de esta invención.
La Figura 3 es un gráfico que ilustra un punto en el horno de templado térmico en el que el vidrio y/o el recubrimiento alcanza una temperatura predeterminada que es igual o aproximada a la temperatura de oxidación del TCO en el vidrio que está siendo templado.
Descripción detallada de las formas de realización de ejemplo de la invención
Los artículos recubiertos que incluyen una(s) capa(s) conductora(s) de acuerdo con determinadas formas de realización de ejemplo no limitativas de esta invención pueden usarse en aplicaciones como las células solares, puertas de hornos, ventanas antiescarcha, aplicaciones de visualización u otros tipos de ventanas en determinados casos de ejemplo. Por ejemplo y sin limitación, las capas conductoras tratadas en la presente memoria pueden usarse como electrodos en las células solares, como capas de calentamiento en las ventanas antiescarcha, como capas de control solar en ventanas y/o similares.
La Fig. 1 es un diagrama de flujo que ilustra determinadas etapas llevadas a cabo en la fabricación de un artículo de recubrimiento templado térmicamente de acuerdo con una forma de realización de ejemplo de esta invención. Inicialmente, una película o recubrimiento 3 de, o que incluye, un óxido conductor transparente (TCO) se forma o se deposita en un sustrato de vidrio 1 (etapa S1 en la Fig. 1; véase también la película 3 en el sustrato de vidrio 1 en la Fig. 2). Para los TCOs tratados en la presente memoria, son sustancialmente subestequiométricos con respecto al oxígeno, permitiendo de ese modo que sean eléctricamente conductores. En determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, la película de TCO 3 puede formarse mediante pirolisis o depositarse por pulverización iónica en un sustrato de vidrio 1 (directa o indirectamente) a aproximadamente temperatura ambiente. En las formas de realización de deposición por pulverización iónica, pueden usarse por ejemplo diana(s) de pulverización iónica por magnetrón en la deposición por pulverización iónica de la película de TCO. En formas de realización alternativas, es posible precalentar el sustrato de vidrio antes de la deposición por pulverización iónica de la película de TCO. Por ejemplo y sin limitación, películas de TCO de ejemplo incluyen películas de, o que incluyen, uno o más de ZnAlO_{x}, ZnAlO_{x}:Ag, ZnO, SnZnO_{x}, ITO, SnO_{2} y/ SnO_{2}:F. En determinados casos de ejemplo, el uso de SnZnO_{x} como película de TCO 3 puede resultar ventajoso para adaptar mejor las propiedades ópticas y/o eléctricas de la película, p. ej., para mejorar la capacidad de grabado de las capas para las aplicaciones de visualización, aumentar la transmisión y/o movilidad de portador, etcétera.
Después de haberse formado la película de TCO 3 en la superficie del sustrato 1, el artículo recubierto que incluye la película de TCO 3 en el sustrato de vidrio 1 entra en un horno de templado térmico (etapa S2 en la Fig. 1). Típicamente el templado térmico implica calentar el sustrato de vidrio 1 con el recubrimiento de TCO 3 en el mismo en el horno de templado a una temperatura de por lo menos aproximadamente 580 grados C, más preferentemente por lo menos aproximadamente 600 grados C y a menudo por lo menos aproximadamente 620 ó 640 grados C. El sustrato de vidrio 1 con el recubrimiento de TCO 3 en el mismo puede estar en el horno de templado durante por lo menos aproximadamente 2 minutos, más preferentemente durante por lo menos aproximadamente 5 minutos, en determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención. Dentro del horno de templado, se proporciona(n)
una(s) boquilla(s) para formar la(s) llama(s) próxima(s) a la superficie expuesta de la película de TCO 3 en el horno de templado para quemar un exceso de oxígeno cerca de la superficie de TCO evitando o reduciendo de ese modo la oxidación del TCO durante el proceso de templado (etapa S3 en la Fig. 1). En determinadas formas de realización de ejemplo, las boquillas y por tanto las llamas pueden proporcionarse en el horno por encima o sobre el sustrato con la película de TCO en el mismo. Reduciendo la oxidación de la película de TCO 3 durante el proceso de templado, puede mantenerse más de la conductividad eléctrica del recubrimiento de TCO durante y/o después del
templado.
Después de que el sustrato de vidrio 1 con el recubrimiento 3 en el mismo sale del horno de templado, se permite que el vidrio se enfríe de una manera conocida resultando de ese modo en el templado térmico del mismo. De esta manera, se ha proporcionado un sustrato de vidrio templado térmicamente 1 con una película de TCO 3 en el mismo (etapa S4 en la Fig. 1). El artículo recubierto templado puede usarse a continuación en aplicaciones de ventanas monolíticas, aplicaciones de puertas de horno, aplicaciones de unidades de ventana IG, células solares, aplicaciones de ventanas que pueden calentarse, o similares. El TCO puede funcionar como una capa/recubrimiento que puede calentarse (cuando se aplica una tensión a través de la misma) en determinadas aplicaciones como las aplicaciones de ventanas que pueden calentarse, o de manera alternativa pueden funcionar como una capa/recubrimiento de bloqueo IR o de calor en aplicaciones como la puertas de horno, o de manera alternativa pueden funcionar como un electrodo en aplicaciones como las aplicaciones de células solares.
La Fig. 2 es un diagrama esquemático que ilustra un artículo recubierto en un horno de templado térmico de acuerdo con una forma de realización de ejemplo de esta invención. En otras palabras, la Fig. 2 es un ejemplo de lo que está ocurriendo en las etapas S2 y S3 de la Fig. 1. En la Fig.2, las paredes 5 son paredes del horno de templado, de manera que la cámara 7 es el interior del horno. El artículo de vidrio recubierto que incluye el sustrato de vidrio 1 y el recubrimiento de TCO 3 entra al horno de templado en la entrada 9, viaja en dirección D a través del horno y sale del horno en la salida 11.
La Fig. 2 también incluye una vista en sección transversal del artículo recubierto que incluye el sustrato de vidrio 1 y la película o capa de TCO 3 que se proporciona en el sustrato. El vidrio 1 puede ser vidrio sódico-cálcico en determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, aunque pueden usarse en su lugar otros tipos de vidrio. En determinadas formas de realización, la capa/recubrimiento de TCO 3 puede componerse de una o más capas y se proporciona directamente en, y en contacto con, la superficie superior del sustrato de vidrio 1. Sin embargo, en otras formas de realización de ejemplo de esta invención, puede(n) proporcionarse otra(s) capa(s) (no mostrada(s)) entre el sustrato de vidrio 1 y la capa conductora transparente 3. Se dice que la capa 3 está "en" y "soportada" por/en el sustrato 1, independientemente de si se proporciona(n) otra(s) capa(s) entre ellas. En determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, el artículo recubierto tiene una transmisión visible de por lo menos aproximadamente un 30%, más preferentemente de por lo menos aproximadamente un 50% e incluso más preferentemente de por lo menos aproximadamente un 70%.
La Fig. 2 ilustra la disposición de la salida de llamas 15 desde las boquillas o quemadores encima de la película de TCO 3. Las boquillas de las que salen las llamas se soportan por y/o en el conjunto de boquillas o quemadores de llamas 17. Se introduce gas de la fuente 19 en el conjunto de quemadores 17 y se prende el gas para formar una(s) llama(s)
15. En la forma de realización de la Fig. 2 las llamas 15 se sitúan justo por encima de la parte superior del artículo recubierto, de manera que la película de TCO 3 quede entre las llamas 15 y el sustrato de vidrio 1. La(s) llama(s)
15 se proporciona(n) próxima(s) a la superficie expuesta de la película de TCO 3 en el horno de templado para quemar el exceso de oxígeno cerca de la superficie de TCO evitando o reduciendo de ese modo la oxidación del TCO durante el proceso de templado. Reduciendo la oxidación del TCO durante el proceso de templado, puede mantenerse más de la conductividad eléctrica del recubrimiento de TCO durante y/o después del templado. En otras palabras, las llamas queman el oxígeno o el óxido cerca de la superficie superior de la película de TCO 3. En determinadas formas de realización de ejemplo, la(s) llama(s) 15 quema(n) el oxígeno antes de que alcance la película de TCO 3 de manera que por lo menos parte del oxígeno se queme antes de que pueda hacer que la película de TCO 3 se oxide durante el templado. El calor excesivo causado por la(s) llama(s) 15 de las boquillas puede equilibrarse, o compensarse, mediante las placas eléctricas de calentamiento (no mostradas) usadas en el horno de templado para generar el calor (es decir, puede hacerse que las placas de calentamiento generen menos calor comparado con una situación donde la(s) llama(s)
15 no estuviera(n) presente(s)). Puede usarse un procedimiento similar en caso de procesos de templado "revolver y hornear" ("shake and bake").
En determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, por lo menos parte de la(s) llama(s) 15 se sitúa(n) dentro de aproximadamente 20 cm de la superficie expuesta o superior de la película de TCO 3, más preferentemente fuera de aproximadamente 15 cm, incluso más preferentemente dentro de aproximadamente 10 cm, todavía más preferentemente dentro de aproximadamente 5 cm. En determinados casos de ejemplo, la(s) llama(s) 15 puede(n) situarse dentro de aproximadamente 2 cm (incluso algunas veces dentro de aproximadamente 1 cm) de la superficie expuesta o superior de la película de TCO 3, y puede(n) incluso tomar contacto con la película de TCO 3 en determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención.
En determinadas formas de ejemplo de esta invención, la película 3 que incluye TCO se deposita por pulverización iónica sobre el sustrato 1 a una temperatura baja (p. ej., menor que aproximadamente 150 grados C, más preferentemente menor que aproximadamente 100 grados C y posiblemente a aproximadamente temperatura ambiente) para incluir un dopante primario y un codopante. A efectos de ejemplo, la película 3 puede basarse en óxido de cinc, el dopante primario puede ser A1 y el codopante opcional puede ser Ag. En una situación de ejemplo de este tipo, la película de TCO 3 puede ser de o incluir ZnAlO_{x}:Ag, donde Ag es el codopante. Al es el dopante portador de carga primario. Sin embargo, si se añade demasiado Al (sin Ag), su efectividad como portador de carga se ve comprometida porque el sistema compensa el Al generando defectos del aceptor nativo (como las vacantes de cinc). Además, a temperaturas de sustrato bajas, tiende a haber más defectos agrupados eléctricamente inactivos (aunque ópticamente absorbentes). Sin embargo, cuando se añade Ag como codopante, esto promueve la desagrupación del Al y permite que más Al funcione como un dopante que genera una carga (el Al es más efectivo al estar en los sitios de sustitución del Zn). De esta manera, el uso de Ag permite que el Al sea un dopante generador de carga más efectivo en la película 3 que incluye TCO. Por consiguiente, el uso de Ag en el ZnAlO se usa para mejorar las propiedades eléctricas de la película. En determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, la cantidad de dopante primario (p. ej., A1) en la película 3 puede ser de aproximadamente 0,5 a 7%, más preferentemente de aproximadamente 0,5 a 5% y más preferentemente de aproximadamente 1 a 4% (% atómico). Además, en determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, la cantidad de codopante (p. ej., Ag) en la película 3 puede ser de aproximadamente 0,001 a 3%, más preferentemente de aproximadamente 0,01 a 1% y más preferentemente de aproximadamente 0,02 a 0,25% (% atómico). En determinados casos de ejemplo, existe más dopante primario en la película que codopante, y preferentemente existe por lo menos dos veces más dopante primario en la película que codopante (más preferentemente por lo menos tres veces más y más preferentemente por lo menos 10 veces más). Además, existe significativamente más Zn y O en la película 3 que A1 y Ag, ya que la película 3 puede basarse en óxido de cinc - pueden usarse diversas estequiometrías diferentes para la película 3. El uso de dopante primario (p. ej., A1) y el codopante (p. ej., Ag) en la deposición (p. ej., deposición por pulverización iónica) de la película 3 que incluye TCO (p. ej., ZnAlO_{x}:Ag) evita o reduce la formación de defectos nativos compensatorios en un material semiconductor con banda prohibida ancha durante la introducción de impurezas controlando el nivel de Fermi en el borde de crecimiento o próximo al mismo. Inmediatamente después de haber sido capturados por las fuerzas de superficie, los átomos empiezan a migrar y siguen el principio de neutralidad de carga. El nivel de Fermi se baja al borde de crecimiento añadiendo una pequeña cantidad de impureza aceptora (como el Ag) de manera que evite la formación de las especies compensadoras (negativas en este caso), como las vacantes de cinc. Después de la etapa inicial de la formación de la capa de semiconductor, se reduce la movilidad de los átomos y la probabilidad de la formación del defecto puntual se determina principalmente mediante la ganancia de energía respectiva. Los átomos de plata en este caso concreto tienden a ocupar los sitios intersticiales donde juegan el papel de centros predominantemente neutrales, forzando a los átomos de Al a los sitios de sustitución de cinc preferentes, donde A1 juega el papel deseado de donadores superficiales, elevando finalmente así el nivel de Fermi. Además, la provisión del codopante (Ag) promueve la desagrupación del dopante primario (Al), liberando de ese modo espacio en la subretícula metálica de la película 3 y permitiendo que funcione más dopante primario (Al) como suministrador de carga para mejorar la conductividad de la película. Por consiguiente, el uso del codopante (Ag) permite que el dopante primario (A1) resulte más efectivo al mejorar la conductividad de la película 3 que incluye TCO, sin sacrificar significativamente las características de transmisión visibles. Además, el uso del codopante inesperadamente mejora la cristalinidad de la película 3 que incluye TCO y de esta manera la conductividad de la misma, y el tamaño de grano de la película cristalina 3 también puede aumentar lo que puede resultar en una movilidad aumentada. Aunque la plata se trata como dopante en determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, es posible usar otro elemento del Grupo IB, IA ó V como Cu ó Au en lugar de o además de la plata como codopante en la película de TCO 3. Además, aunque el Al se trata como dopante primario en determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, resulta posible usar otro material como Mn (en lugar de o además de Ag) como dopante primario para la película de TCO 3.
En determinadas formas de realización de ejemplo, la(s) llama(s) 15 y quemadores pueden por tanto proporcionarse a lo largo de toda la longitud del horno de templado de manera que la(s) llama(s) 15 esté(n) adyacente(s) a la película de TCO 3 en todas las ubicaciones en el horno de templado. Sin embargo, en determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, como se muestra en la Fig. 2, las llamas 15 no se proporcionan a lo largo de toda la longitud del horno de templado. En particular, la parte de comienzo 20 del horno de templado no tiene llama(s) 15 proporcionada(s) en el mismo. Esto es porque el vidrio 1 y la película de TCO 3 no ha alcanzado una temperatura extremadamente alta (para hacer que el TCO se oxide) en la parte de comienzo o inicial 20 del horno de templado. En determinadas formas de realización de ejemplo de esta invención, la parte de comienzo 20 del horno que no tiene llama(s)
15 es por lo menos aproximadamente un 10% de la longitud total del horno de templado, más preferentemente por lo menos aproximadamente un 20%, algunas veces por lo menos aproximadamente un 30% y algunas veces por lo menos aproximadamente un 40% de la longitud del horno.
De esta manera, en referencia a las Figs. 2 y 3 por ejemplo, en determinadas formas de realización de ejemplo, la(s) llama(s) 15 para quemar el oxígeno del área próxima a la película de TCO 3 se proporciona(n) sólo en una parte posterior (y no en la parte de comienzo 20) del horno de manera que la(s) llama(s) esté(n) sólo próxima(s) a la superficie de la película de TCO 3 una vez que el vidrio y/o la película de TCO alcance una temperatura predeterminada (véase la indicación en la curva de la Fig. 3) a o cerca de la temperatura de oxidación del TCO que puede variar en base al material que compone la película de TCO. Por ejemplo, la temperatura de oxidación de las películas de TCO 3 basadas en óxido de cinc es de aproximadamente 600 grados C. De esta manera, en tales formas de realización, las llamas sólo se proporcionan en el área donde el vidrio 1 y/o la película de TCO 3 ha alcanzado una temperatura de por lo menos aproximadamente 500 grados C, más preferentemente por lo menos aproximadamente 550 grados C y posiblemente por lo menos aproximadamente 590 grados C. Esto evita desperdiciar las llamas en áreas donde no se da la oxidación del TCO.
\newpage
La conductividad eléctrica puede medirse en términos de resistencia laminar (R_{s}). Las películas de TCO tratadas en la presente memoria tienen una resistencia laminar (R_{s}) no mayor de aproximadamente 200 ohms/cuadrado, más preferentemente no mayor de aproximadamente 100 ohms/cuadrado y más preferentemente de aproximadamente 5-100 ohms/cuadrado. La conductividad de la película de TCO a menudo se provoca depositando la película de manera que la película sea subestequiométrica con respecto al oxígeno. La subestequiometría del oxígeno provoca vacantes de oxígeno que permiten que la corriente fluya a través de la capa. A modo de ejemplo, el óxido de cinc estequiométrico (ZnO) es habitualmente altamente resistivo y por tanto dieléctrico por naturaleza debido a su banda prohibida ancha; sin embargo, el óxido de cinc puede hacerse conductor creando no-idealidades o defectos puntuales en su estructura cristalina para generar niveles eléctricamente activos (p. ej., haciéndolo deficiente en oxígeno lo que es subestequiométrico con respecto al oxígeno) haciendo de ese modo que su resistencia laminar caiga significativamente en el intervalo tratado anteriormente. Esto puede hacerse usando una atmósfera deficiente en oxígeno durante el crecimiento de cristal y/o mediante dopaje.
Aunque se ha descrito la invención en relación con la que en la actualidad se considera la forma de realización más práctica y preferente, debe entenderse que la invención no se limita a la forma de realización divulgada, sino por el contrario, se pretende que cubra diversas modificaciones y disposiciones equivalentes incluidas dentro del espíritu y alcance de las reivindicaciones adjuntas.

Claims (22)

1. Procedimiento de fabricación de un artículo recubierto que incluye una película conductora transparente, comprendiendo el procedimiento:
\quad
proporcionar un sustrato de vidrio;
\quad
formar una película que comprende un óxido conductor transparente en el sustrato de vidrio; y
\quad
templar el artículo recubierto que incluye el sustrato de vidrio y la película que comprende el óxido conductor transparente, y en el que se proporciona por lo menos una llama en un horno de templado para quemar el oxígeno para evitar o reducir la oxidación de la película que comprende el óxido conductor transparente durante el templado.
2. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que la llama se proporciona próxima a una superficie de la película que comprende el óxido conductor transparente, y en el que la película que comprende el óxido conductor transparente tiene una resistencia laminar de aproximadamente 5-100 ohms/cuadrado.
3. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que se proporcionan una pluralidad de llamas en el horno de templado.
4. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que tras el templado la película es todavía eléctricamente conductora.
5. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que por lo menos parte de la llama se sitúa dentro de aproximadamente 20 cm de una superficie de la película que comprende el óxido conductor transparente.
6. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que por lo menos parte de la llama se sitúa dentro de aproximadamente 10 cm de una superficie de la película que comprende el óxido conductor transparente.
7. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que por lo menos parte de la llama se sitúa dentro de aproximadamente 5 cm de una superficie de la película que comprende el óxido conductor transparente.
8. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que por lo menos parte de la llama se sitúa dentro de aproximadamente 2 cm de una superficie de la película que comprende el óxido conductor transparente.
9. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que por lo menos parte de la llama toca la película que comprende el óxido conductor transparente en el horno de templado.
10. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que no se proporciona/n ninguna llama o llamas en una parte de comienzo del horno de templado.
11. Procedimiento según la reivindicación 10, en el que la parte de comienzo del horno de templado donde no se proporciona ninguna llama es por lo menos aproximadamente un 10% de la longitud del horno de templado.
12. Procedimiento según la reivindicación 10, en el que la parte de comienzo del horno de templado donde no se proporciona ninguna llama es por lo menos aproximadamente un 20% de la longitud del horno de templado.
13. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que dicha formación de la película que comprende el óxido conductor transparente en el sustrato de vidrio comprende la pulverización iónica de por lo menos una diana de pulverización iónica a aproximadamente temperatura ambiente.
14. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que se proporciona otra capa en el sustrato de vidrio para ubicarse entre el sustrato de vidrio y la película que comprende el óxido conductor transparente.
15. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que el artículo recubierto tiene una transmisión visible de por lo menos aproximadamente 50% antes y/o después del templado.
16. Procedimiento de fabricación de un artículo recubierto que incluye una película conductora transparente, comprendiendo el procedimiento:
\quad
proporcionar un sustrato de vidrio;
\quad
formar una película conductora transparente que comprende un óxido conductor transparente en el sustrato de vidrio; y
\quad
templar el artículo recubierto que incluye el sustrato de vidrio y la película conductora transparente, y en el que se proporciona por lo menos una llama en un horno de templado próxima a la película conductora transparente.
17. Procedimiento según la reivindicación 16, en el que por lo menos parte de la llama se sitúa dentro de aproximadamente 20 cm de una superficie expuesta de la película conductora transparente.
18. Procedimiento según la reivindicación 16, en el que el artículo recubierto tiene una transmisión visible de por lo menos aproximadamente un 50% antes y/o después del templado.
19. Procedimiento según la reivindicación 16, en el que la llama toca la película conductora transparente en el horno de templado.
20. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que la llama toca la película en el horno de templado.
21. Procedimiento según la reivindicación 1, en el que la película que comprende el óxido conductor transparente tiene una resistencia laminar no mayor de aproximadamente 200 ohms/cuadrado.
22. Procedimiento según la reivindicación 21, en el que la película que comprende el óxido conductor transparente tiene una resistencia laminar no mayor de aproximadamente 100 ohms/cuadrado.
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