ES2548875T3 - Dispositivo semiconductor y procedimiento para su fabricación - Google Patents

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Abstract

Procedimiento para fabricar un dispositivo semiconductor (10) que absorbe luz, que contiene las siguientes etapas: proporcionar un sustrato (100) con una primera cara (101) y una segunda cara (102) que contiene o está compuesto por silicio dopado de tipo p, Introducir un agente de dopaje en al menos un volumen parcial (110) del sustrato semiconductor (100) adyacente a la primera cara (101), de modo que entre el volumen parcial (110) y el sustrato semiconductor (100) se forma una primera transición pn (21) con una primera energía de banda prohibida, Irradiar al menos una superficie parcial (240) de la segunda cara (205) del sustrato semiconductor (100) en presencia de un compuesto que contiene nitrógeno, fósforo, azufre o arsénico con una pluralidad de pulsos láser (400) de una longitud previamente establecible, adaptándose la forma de pulso de los pulsos láser (400) mediante una modulación de la amplitud y/o de la polarización a al menos una forma deseada previamente establecible de modo que al menos la superficie parcial (240) de la segunda cara (102) se dota de una modificación superficial, formándose una segunda transición pn (22) con una segunda energía de banda prohibida, siendo la segunda energía de banda prohibida más pequeña que la primera energía de banda prohibida y comprendiendo la modificación superficial una rugosidad o una estructuración y/o fundiéndose la estructura cristalina del sustrato (100) de modo que se convierte en una estructura policristalina o amorfa.

Description

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cara está introducido un agente de dopaje, de modo que en el sustrato semiconductor se forma una primera transición pn. En algunas formas de realización de la invención, el sustrato semiconductor puede estar dotado de un agente de dopaje. Asimismo, el sustrato semiconductor ya puede estar dotado de una primera capa de contacto 210 en la primera etapa de procedimiento 710 que evacua de la primera cara 101 la corriente que se produce posteriormente en el funcionamiento.
El sustrato 100 se pone en contacto con un compuesto que contiene azufre de una composición y concentración previamente establecibles. Para ello, en la etapa de procedimiento 720 se puede usar una cámara de vacío, tal como se explica mediante la figura 6. En otras formas de realización de la invención se puede aplicar el compuesto que contiene azufre como película líquida sobre el sustrato.
Finalmente, en la tercera etapa de procedimiento 730 se elige una forma de pulso o una subestructura temporal con la que se debe realizar la modificación superficial del sustrato 100.
Finalmente, en la cuarta etapa de procedimiento 740, la superficie del sustrato 100 se irradia al menos en parte con un número previamente establecible de pulsos o de una duración de irradiación previamente establecible. Esto puede conducir a la integración de átomos de azufre en una capa próxima a la superficie del sustrato 100. En algunas formas de realización de la invención, de forma alternativa o acumulada, la estructura cristalina del sustrato 100 se puede fundir de modo que se convierte en una estructura policristalina o amorfa. Finalmente, en algunas formas de realización de la invención se puede realizar una rugosidad o estructuración con elevaciones en forma de columna.
En algunas formas de realización de la invención se puede repetir la etapa de procedimiento 720, 730 y 740 tras la irradiación con una primera forma de pulso y en presencia de un primer compuesto que contiene azufre para de este modo optimizar adicionalmente las propiedades eléctricas y/o mecánicas del dispositivo semiconductor. En particular pueden actuar también pulsos láser sobre la superficie del sustrato sin que un compuesto que contiene azufre entre en contacto con la superficie. En este caso, en la etapa de procedimiento 720, la atmósfera circundante se elige de manera correspondiente.
Tras la última actuación de pulsos láser o la última realización de la etapa de procedimiento 740, el sustrato 100 se puede recocer en una etapa de procedimiento 750 opcional. Para ello es adecuada una temperatura entre 340 K y 700 K, en particular de 400 K a 500 K. Mediante el recocido, agentes de dopaje se pueden difundir y/o activar electrónicamente dentro del sustrato 100. En algunas formas de realización también se puede omitir esta etapa de procedimiento.
En la última etapa de procedimiento 760, las capas de contacto 220 y 230 se aplican sobre la segunda cara 102 de modo que se puede evacuar corriente eléctrica del dispositivo semiconductor.
La figura 8 muestra en la parte izquierda de la imagen los lados anterior y posterior y una sección transversal a través de una célula solar conocida. En la parte derecha de la imagen de la figura 8 se representan los lados anterior y posterior y una sección transversal a través de una célula solar de acuerdo con la invención. La figura 8 aclara también cómo se puede estructurar una célula solar conocida mediante pocas etapas de procedimiento de modo que se convierte en una célula solar de acuerdo con la invención.
La figura 8 muestra en la primera columna la vista desde arriba de la primera cara 101 del dispositivo semiconductor
10. La primera cara 101 está configurada como superficie de entrada de luz a través de la que puede entrar luz en el volumen del dispositivo semiconductor 10. Además está dispuesta sobre la primera cara 101 la capa de contacto
210. La capa de contacto 210 está realizada como revestimiento parcial de la primera cara 101, de modo que se forman primeras superficies parciales que están cubiertas por la capa de contacto 210 y segundas superficies parciales que pueden servir como superficies de entrada de luz.
La segunda cara 102 del dispositivo semiconductor 10 conocido está cubierta por toda la superficie con una capa de contacto 250. Las capas de contacto 250 y 210 sirven para evacuar los portadores de carga generados mediante la iluminación del dispositivo semiconductor 10 del volumen del sustrato 100 y volverlos útiles como señal de medición de un fotodetector o como potencia eléctrica de una célula fotovoltaica.
Este dispositivo semiconductor conocido representado en la parte izquierda de la imagen de la figura 8 tiene el inconveniente ya representado de que luz con una energía de fotones, que es más pequeña que la energía de banda prohibida, llega de la primera cara 101 casi sin absorción sobre la segunda cara 102 del sustrato 100 sin generar portadores de carga eléctricos libres en el sustrato 100. Por tanto, esta parte de la luz irradiada no está disponible para la producción de corriente.
Este dispositivo semiconductor 10 conocido en sí se puede procesar ahora adicionalmente de acuerdo con el procedimiento representado en la figura 7 de modo que se convierte en un dispositivo semiconductor de acuerdo con la invención. Para ello, en una primera etapa de procedimiento, solo se tiene que eliminar la capa de contacto 250 sobre la segunda cara 102 del sustrato 100. La eliminación de la capa de contacto 250 se puede realizar mediante una etapa de corrosión química en mojado o en seco, mediante pulido o pulverización catódica. La segunda cara 102 preparada de este modo se puede modificar entonces al menos en parte mediante una
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iluminación con pulsos láser conformados de manera correspondiente en caso de una presencia opcional de un compuesto que contiene azufre y, a continuación, se puede dotar de capas de contacto 220 y 230, tal como ya se describió anteriormente en relación con la figura 7. De este modo se puede formar la sección transversal descrita en la figura 4 de un dispositivo semiconductor 10 o la segunda cara 102 descrita mediante la figura 5 del dispositivo
5 semiconductor 10.
La figura 9 muestra imágenes de zonas de superficie 240 de un sustrato de silicio 100 que se obtuvieron mediante la actuación de pulsos láser de diferentes formas de pulso.
Las imágenes de acuerdo con la figura 9 se crearon con un microscopio electrónico de barrido. Las figuras 9a y 9b aclaran que se puede influir en límites amplios en la textura de la superficie.
10 La superficie mostrada en la figura 9a tiene una estructuración relativamente plana. De este modo se puede mejorar la puesta en contacto de la superficie mediante una capa de contacto 230. Una mejora de la puesta en contacto se supone a este respecto cuando la resistencia de transición entre el sustrato 100 y la capa de contacto 230 es menor y/o la adhesión de la capa de contacto 230 en la segunda cara 102 del sustrato 100 está aumentada.
La figura 9b muestra una zona de superficie 240 que está estructurada de manera más profunda. De este modo se
15 mejora la absorción de luz con respecto a la superficie mostrada en la figura 9a, de modo que una intensidad óptica previamente establecible puede generar una cantidad de carga más grande en el sustrato 100. Por tanto, el procedimiento de acuerdo con la invención permite estructurar de manera diferente superficies parciales 240 de la segunda cara 102 del sustrato 100, de modo que cada superficie parcial puede cumplir de manera óptima la función asignada a la misma.
20 Evidentemente, la invención no está limitada a las formas de realización representadas en las figuras. Por tanto, la descripción anterior no se debe entender como limitadora sino como explicativa. Las siguientes reivindicaciones se tienen que entender de modo que una característica mencionada existe en al menos una forma de realización de la invención. Esto no excluye la presencia de características adicionales. Siempre que las reivindicaciones y la descripción anterior definan "primeras" y "segundas" características, entonces esta denominación sirve para
25 diferenciar dos características del mismo tipo sin fijar una jerarquía.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012214440B3 (de) * 2012-08-14 2013-10-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Planaroptisches Element, Sensorelement und Verfahren zu deren Herstellung

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5758075B2 (es) * 1974-10-19 1982-12-08 Sony Corp
JPH0548123A (ja) * 1991-08-14 1993-02-26 Sharp Corp 光電変換素子
JP3722326B2 (ja) * 1996-12-20 2005-11-30 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法
JP3754815B2 (ja) * 1997-02-19 2006-03-15 キヤノン株式会社 光起電力素子、光電変換素子、光起電力素子の製造方法及び光電変換素子の製造方法
US6166320A (en) * 1998-03-19 2000-12-26 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Tandem solar cell
JP3368822B2 (ja) * 1998-03-19 2003-01-20 トヨタ自動車株式会社 太陽電池
JP2001044470A (ja) * 1999-07-30 2001-02-16 Hitachi Ltd 太陽電池および太陽電池の製造方法並びに集光型太陽電池モジュール
US7057256B2 (en) * 2001-05-25 2006-06-06 President & Fellows Of Harvard College Silicon-based visible and near-infrared optoelectric devices
US7442629B2 (en) * 2004-09-24 2008-10-28 President & Fellows Of Harvard College Femtosecond laser-induced formation of submicrometer spikes on a semiconductor substrate
JP4649927B2 (ja) * 2004-09-24 2011-03-16 アイシン精機株式会社 レーザ誘起改質加工装置及び方法
ATE480009T1 (de) * 2004-09-24 2010-09-15 Harvard College Verfahren zur herstellung von detektoren auf siliziumbasis mit lasermikrostrukturierten oberflächenschichten mit elektronendonatoren
EP1869736A4 (en) * 2005-04-14 2009-10-28 Cornell Res Foundation Inc FIBER AMPLIFIER WITH COMPRESSION OF PULSES
JP2007110089A (ja) * 2005-09-15 2007-04-26 Aisin Seiki Co Ltd 高パワー短光パルス発生方法及び高パワー短光パルス発生装置
WO2009100023A2 (en) * 2008-02-01 2009-08-13 President & Fellows Of Harvard College A multijunction photovoltaic device
WO2010028177A1 (en) * 2008-09-03 2010-03-11 Sionyx, Inc. High sensitivity photodetectors, imaging arrays, and high efficiency photovoltaic devices produced using ion implantation and femtosecond laser irradiation
US20100147383A1 (en) * 2008-12-17 2010-06-17 Carey James E Method and apparatus for laser-processing a semiconductor photovoltaic apparatus
CN101824654B (zh) * 2009-03-04 2012-04-11 中国科学院半导体研究所 一种制作黑硅材料的方法

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