ES432700A1 - Un metodo mejorado de ataque quimico para fabricar un dispo-sitivo de traslacion electrica dotado de un trazado de con- ductores sobre un cuerpo de soporte. - Google Patents

Un metodo mejorado de ataque quimico para fabricar un dispo-sitivo de traslacion electrica dotado de un trazado de con- ductores sobre un cuerpo de soporte.

Info

Publication number
ES432700A1
ES432700A1 ES432700A ES432700A ES432700A1 ES 432700 A1 ES432700 A1 ES 432700A1 ES 432700 A ES432700 A ES 432700A ES 432700 A ES432700 A ES 432700A ES 432700 A1 ES432700 A1 ES 432700A1
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
conductive layer
layer
auxiliary layer
forming
openings
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
ES432700A
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of ES432700A1 publication Critical patent/ES432700A1/es
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W20/00—Interconnections in chips, wafers or substrates
    • H10W20/40—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes
    • H10W20/482—Interconnections external to wafers or substrates, e.g. back-end-of-line [BEOL] metallisations or vias connecting to gate electrodes for individual devices provided for in groups H10D8/00 - H10D48/00, e.g. for power transistors
    • H10W20/484—Interconnections having extended contours, e.g. pads having mesh shape or interconnections comprising connected parallel stripes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
ES432700A 1973-12-10 1974-12-07 Un metodo mejorado de ataque quimico para fabricar un dispo-sitivo de traslacion electrica dotado de un trazado de con- ductores sobre un cuerpo de soporte. Expired ES432700A1 (es)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7316851A NL7316851A (nl) 1973-12-10 1973-12-10 Werkwijze voor het vervaardigen van een inrich- ting, in het bijzonder een halfgeleiderinrichting, met een geleiderpatroon op een dragerlichaam, en inrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES432700A1 true ES432700A1 (es) 1977-03-01

Family

ID=19820155

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES432700A Expired ES432700A1 (es) 1973-12-10 1974-12-07 Un metodo mejorado de ataque quimico para fabricar un dispo-sitivo de traslacion electrica dotado de un trazado de con- ductores sobre un cuerpo de soporte.

Country Status (12)

Country Link
JP (1) JPS5646263B2 (es)
BE (1) BE823138A (es)
BR (1) BR7410276A (es)
CA (1) CA1018677A (es)
CH (1) CH588164A5 (es)
DE (1) DE2455963A1 (es)
ES (1) ES432700A1 (es)
FR (1) FR2254105B1 (es)
GB (1) GB1490715A (es)
IT (1) IT1026859B (es)
NL (1) NL7316851A (es)
SE (1) SE405429B (es)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5370688A (en) * 1976-12-06 1978-06-23 Toshiba Corp Production of semoconductor device
CN108235597B (zh) * 2018-02-08 2024-02-23 惠州奔达电子有限公司 一种pcb的制作方法及pcb
JP7164773B2 (ja) * 2018-03-02 2022-11-02 東京エレクトロン株式会社 パターンを層に転写する方法
CN112259455B (zh) * 2020-10-19 2024-01-26 扬州扬杰电子科技股份有限公司 一种改善带钝化层结构的Ag面产品金属残留的方法

Also Published As

Publication number Publication date
SE7415380L (es) 1975-06-11
CA1018677A (en) 1977-10-04
BR7410276A (pt) 1976-06-29
SE405429B (sv) 1978-12-04
BE823138A (fr) 1975-06-09
AU7621174A (en) 1976-06-10
GB1490715A (en) 1977-11-02
JPS5092089A (es) 1975-07-23
CH588164A5 (es) 1977-05-31
NL7316851A (nl) 1975-06-12
FR2254105A1 (es) 1975-07-04
IT1026859B (it) 1978-10-20
JPS5646263B2 (es) 1981-10-31
DE2455963A1 (de) 1975-06-12
FR2254105B1 (es) 1978-06-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2408973A1 (fr) Support de circuit imprime avec des resistances
NL181768C (nl) Inrichting voor het plaatsen van elektrische geleiders in een verbindingsinrichting volgens een vooraf bepaald patroon.
JPS5717194A (en) Method of providing conductor path on insulator substrate
ES196297U (es) Un dispositivo semiconductor.
NL185249C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van elektrische geleiders op een isolerend substraat.
NL166362C (nl) Elektrische schakeling, omvattende een geleiderplaat bestaande uit een isolerend substraat met een daarop aangebracht geleiderpatroon van geleidende banen, en ten minste een op de geleiderplaat aangebracht halfge- leiderelement, waarvan ten minste een metalen aansluit- contact door middel van een verbindingsorgaan is ver- bonden met een van de geleidende banen, waarbij ten minste het halfgeleiderelement en de verbindingsorga- nen zijnelektrische schakeling, omvattende een geleiderplaat bestaande uit
DE69028504D1 (de) Elektrisch leitfähige Schicht für elektrische Vorrichtungen
IT7922105A0 (it) Processo per fabbricare contatti conduttivi in dispositivi semiconduttori.
DE69028613D1 (de) Elektrisch leitfähige Schicht für elektrische Vorrichtungen
ATE55T1 (de) Vorrichtung zum einsetzen von draehten in elektrische kontakte.
BE836260A (fr) Procede de formation de conducteurs electriques sur un substrat isolant
ES419104A1 (es) Procedimiento para contactar yno cablear elementos cons- tructivos electricos.
ES432700A1 (es) Un metodo mejorado de ataque quimico para fabricar un dispo-sitivo de traslacion electrica dotado de un trazado de con- ductores sobre un cuerpo de soporte.
NL7612433A (nl) Inrichting voor het inbrengen van draden in gleuven van elektrische contacten.
GB1553257A (en) Method of manufacturing an electrically conductive contact layer
NL166430B (nl) Werkwijze voor het witmaken van koper(i)jodide, alsmede registratievel, voorzien van elektrische geleidende lagen van aldus behandeld koper(i) jodide.
NL174686C (nl) Elektrische verbindingsinrichting voor elektrische geleiders.
NL7410878A (nl) Siliciumlegering met een elektrische geleidbaar- heid boven 100 (ohm.cm)-1.
ES298472A1 (es) Procedimiento y aparato para depositar electrolíticamente una capa superficial sobre artículos metálicos
DE59007591D1 (de) Gerät zum Anbringen von Kontakten an elektrische Leiter.
CH533351A (de) Elektrische Kontaktvorrichtung für hohe Ströme
GB1425732A (en) Methods of manufacturing printed circuits and a printed circuit produced by such method
JPS5240968A (en) Process for production of semiconductor device
ES447245A1 (es) Perfeccionamientos introducidos en un bastidor de conducto- res para una dispositivo semiconductor.
JPS5613759A (en) Hybrid integrated circuit