FR2670008A1 - Circuit de resistances pour jauge de contrainte. - Google Patents

Circuit de resistances pour jauge de contrainte. Download PDF

Info

Publication number
FR2670008A1
FR2670008A1 FR9015029A FR9015029A FR2670008A1 FR 2670008 A1 FR2670008 A1 FR 2670008A1 FR 9015029 A FR9015029 A FR 9015029A FR 9015029 A FR9015029 A FR 9015029A FR 2670008 A1 FR2670008 A1 FR 2670008A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
circuit according
sep
resistors
glass
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR9015029A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2670008B1 (fr
Inventor
Baudry Hughes
Jean Claude
Ongaretti Sylvie
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Laboratoires dElectronique Philips SAS
Original Assignee
Laboratoires dElectronique Philips SAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Laboratoires dElectronique Philips SAS filed Critical Laboratoires dElectronique Philips SAS
Priority to FR9015029A priority Critical patent/FR2670008B1/fr
Publication of FR2670008A1 publication Critical patent/FR2670008A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2670008B1 publication Critical patent/FR2670008B1/fr
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00Measuring force or stress, in general
    • G01L1/20Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
    • G01L1/22Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
    • G01L1/2287Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges constructional details of the strain gauges
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/06Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
    • H01C17/065Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
    • H01C17/06506Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body
    • H01C17/06573Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the permanent binder
    • H01C17/0658Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits or green body characterised by the permanent binder composed of inorganic material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/003Thick film resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

Circuit de résistances en couches associées à un substrat, pour la détection et la mesure de contraintes appliquées à ces résistances, caractérisé en ce que le substrat est une zircone ZrO2 partiellement stabilisée dans une structure cubique incluant une phase quadratique en faible teneur de précipités métastables formant une pastille mince. Application: jauges de contrainte

Description

"CIRCUIT DE RESISTANCES POUR JAUGE DE CONTRAINTE"
L'invention concerne un circuit de résistances en couches associées à un substrat, pour la détection et la mesure de contraintes appliquées à ces résistances.
Il est déjà connu du dispositif Philips HR 2383 une balance comportant un circuit de résistances. Ces résistances sont formées par des couches résistives sérigraphiées sur un substrat en alumine. Quatre de ces résistances sont montées en pont dit de Wheatstone. Au cours d'une mesure de poids ou de pression, deux des résistances se trouvent en compression, alors que les deux autres sont en extension. Il en résulte un déséquilibre du pont de Wheatstone et la création aux bornes du pont d'un signal proportionnel à la déformation des couches résistives. Ceci est dû à l'évolution de la valeur des résistances en fonction de la contrainte appliquée.Dans ce dispositif, on met donc à profit le défaut de stabilité de la valeur des résistances soumises à une compression pour réaliser des jauges de contrainte et par exemple des balances;
Cependant les dispositifs connus présentent deux inconvénients. Ces deux inconvénients viennent du fait que le substrat sur lequel les résistances sont sérigraphiées est l'alumine. Ce matériau est celui qui est le plus couramment utilisé pour réaliser les circuits sérigraphiés en couches.
Par conséquent, il a été tout naturellement adopté pour réaliser les jauges de contrainte connues. Car les substrats en alumine sont bon marché, facilement disponibles, et le concepteur de circuits en couches sérigraphiées connaît bien les techniques et les matériaux (encres) appropriés à réaliser les circuits résistifs sur de tels substrats. Mais il s'avère à l'usage, que si la partie réalisation des jauges de contrainte sur alumine est aisée à mettre en oeuvre, la partie utilisation est décevante. En effet, d'une part les substrats en alumine sont peu résistants mécaniquement, et d'autre part les signaux électriques fournis par les circuits résistifs montés en jauge de contrainte sont faibles.
Le but de l'invention est donc de proposer un nouveau type de substrat et de nouvelles compositions de couches résistives adaptées à ce nouveau substrat pour réaliser des jauges de contrainte dont la résistance mécanique est améliorée, et dont la sensibilité est plus grande, dû au fait que le montage de résistances est capable de fournir un signal plus grand pour une même contrainte.
Ce problème est résolu au moyen d'un dispositif tel que défini dans le préambule et caractérisé en ce que le substrat est une zircone ZrO2 partiellement stabilisée dans une structure cubique incluant une phase quadratique en faible teneur de précipités métastables, formant une pastille mince.
L'invention sera décrite ci-après en détail, en référence avec les figures, parmi lesquelles
- la figure 1 représente une résistance sérigraphiée, en coupe simplifiée
- la figure 2 représente un circuit de résistances à titre d'exemple pour constituer une jauge de contrainte.
Comme on l'a remarqué plus haut, l'alumine pure, substrat traditionnel des circuits en couches sérigraphiée se révèle être un substrat mal adapté à la réalisation de jauges de contrainte.
Or il existe actuellement dans le commerce un matériau de zircone stabilisée qui présente à la fois de bonnes propriétés mécaniques et électriques. Ce matériau se présente à la vente sous la forme de blocs massifs et est utilisé à ce jour pour former des lames de couteaux ou de ciseaux qui ont la propriété de nécessiter des affûtages moins fréquents que l'acier, ou pour former des sondes à oxygène, ou encore des creusets.
La zircone pure ou oxyde de zirconium ZrO2 existe sous trois formes cristallines : cubique, quadratique et monoclinique. Son refroidissement à partir d'une température de fusion de 27000C conduit d'abord à une cristallisation selon une structure cubique stable jusqu'à 23700C, température à laquelle se produit un premier changement de la phase cubique vers la phase quadratique. Pour une température comprise entre 11500C et 1000C se produit une seconde transformation de la phase quadratique vers la phase monoclinique, de type martensitique. Une importante variation de volume, de 3 à 5 % accompagne cette dernière réaction et engendre l'effritement du matériau au cours de la transition.C'est pourquoi, la zircone est stabilisée dans la phase cubique à toutes températures par l'incorporation d'oxydes métalliques tels que
MgO, CaO, Y203. Cependant l'incorporation de ces oxydes doit rester dans des proportions limitées, car de trop grandes quantités entraînent une diminution des propriétés mécaniques de la zircone. La zircone est alors dite partiellement stabilisée, du fait qu'elle est formée d'une matrice cubique stable comprenant une phase quadratique en faible teneur, maintenue sous forme de précipités métastables dans cette matrice. Dans ce cas, la matrice exerce une pression suffisante sur les précipités qui s'opposent à la transformation martensitique lors du refroidissement.
L'élaboration de ces matériaux est obtenue par frittage naturel à l'air d'une poudre de zircone en présence d'ajouts de densification et stabilisants, c'est-à-dire par exemple la magnésie MgO, la chaux CaO ou l'oxyde d'yttrium Y203.
Selon les quantités de stabilisants, la charge à la rupture de la zircone varie et présente un maximum pour des compositions incluant
soit 3 à 6 moles % de Y203
6 à 12 moles % de MgO ou CaO.
Il est important de noter que les performances des zircones totalement ou partiellement stabilisés sont également fonction de la taille des particules à l'état quadratique, notamment le diamètre des particules quadratiques dans la matrice cubique doit être tel qu'elles restent quadratiques à température ordinaire.
Pour l'utilisation en vue de la réalisation de substrats pour circuits en couches sérigraphiées, la zircone partiellement stabilisée, disponible dans le commerce sous forme de blocs, doit alors être usinée pour fournir des plaquettes minces dont les dimensions seront favorablement
largeur x longueur x épaisseur = 25 x 50 x 1 mm.
Dans une variante de l'invention, on peut également utiliser comme substrat, de l'alumine frittée renforcée par des inclusions de zircone stabilisée. Le module de rupture est élevé et présente un maximum pour la composition où le matériau d'alumine contient 10 % de ZrO2 sans stabilisant. Si un stabilisant est ajouté, par exemple 2 % Y303, alors on observe un maximum de résistance à la rupture lorsque le composé d'alumine comprend 20 % de Zoos. Si la teneur en ZrO2 augmente, dans les deux cas (avec ou sans stabilisant) ces caractéristiques diminuent.
Après préparation du substrat 3, des résistances 102 en couches sérigraphiées sont réalisées, par exemple sous forme d'un circuit en pont de Wheatstone comme il est connu de l'état de la technique et par exemple représenté schématiquement sur la figure 2.
Cependant le procédé de réalisation de ces résistances, connu par exemple du brevet FR n0 1 541 456, ne peut être appliqué, du fait de la modification du substrat. Une nouvelle composition pour réaliser des couches résistives est donc proposée.
L'encre comprend une partie active d'oxyde de ruthénium, et un liant en verre, ces deux constituants étant finement broyés et mis en suspension dans un liquide organique tel qu'une solution d'éthyl cellulose dans du terpinéol.
Dans le but d'obtenir une encre résistive pour réaliser des résistivités e de valeurs
1 Q.cm < Q < 10 Q.cm l'oxyde de ruthénium sera mis en proportion volumique dans le verre
Ru02 20 à 30 %
Verre 80 à 70 %
Dans des variantes, pour ajuster les valeurs des résistances et les coefficients de température, on peut ajouter à la composition résistive, d'autres oxydes en faible proportion, tels RhO2, IrO2 par exemple.
La composition du verre variera selon que l'on adoptera pour substrat la zircone partiellement stabilisée, qui est le composé préféré, ou bien l'alumine-zircone moins onéreuse, mais aux propriétés moins bien adaptées à l'application aux jauges de contrainte.
Pour un substrat en zircone partiellement stabilisé ou bien en alumine-zircone, le tableau I suivant donne la composition de verre en pourcentage molaire
TABLEAU I
Figure img00050001
<tb> SiO2 <SEP> 20 <SEP> à <SEP> 45 <SEP> %
<tb> Pb <SEP> 0 <SEP> 70 <SEP> à <SEP> 25 <SEP> %
<tb> B203 <SEP> 10 <SEP> à <SEP> 30 <SEP> %
<tb> Al2O3 <SEP> <SEP> 0 <SEP> à <SEP> 15 <SEP> %
<tb> ZnO <SEP> O <SEP> à <SEP> 45 <SEP> %
<tb> CaO, <SEP> SrO, <SEP> BaO <SEP> O <SEP> à <SEP> 20 <SEP> %
<tb> les pourcentages les plus élevés n'étant pas tous choisis en même temps, et le tableau Il donne la composition préférée pour le verre, en moles, dans le cas d'un substrat en zircone partiellement stabilisée
TABLEAU Il
Figure img00050002
<tb> SiO2 <SEP> <SEP> 20 <SEP> %
<tb> Pb <SEP> 0 <SEP> 50 <SEP> %
<tb> B203 <SEP> 10 <SEP> %
<tb> Au203 <SEP> <SEP> 10 <SEP> %
<tb> ZnO <SEP> 10 <SEP> %
<tb>
Pour un substrat en alumine-zircone, le tableau
III donne la composition préférée du verre
TABLEAU III
Figure img00060001
<tb> Si02 <SEP> <SEP> 35 <SEP> %
<tb> Pb <SEP> 0 <SEP> 35 <SEP> %
<tb> B203 <SEP> 20 <SEP> %
<tb> Au203 <SEP> <SEP> 5 <SEP> % <SEP>
<tb> CaO <SEP> 5 <SEP> % <SEP>
<tb>
Dans des variantes, on peut ajouter à la composition du verre décrite plus haut, des oxydes en faible proportion tels que Nb205;; Ta205 par exemple, qui permettent d'ajuster les coefficients de température de la résistance réalisée.
Pour la fabrication de l'encre sérigraphiable, on réalise d'abord le verre à partir des produits des tableaux I à III. A titre d'exemple, le mélange des poudres est porté à haute température 11000C à 13500C) pendant trois heures dans un creuset en platine ; le verre est ensuite coulé, trempé à l'eau, concassé puis refondu à la même température durant une heure pour une bonne homogénéisation.
A ce stade, on prélève un échantillon qui est coulé puis recuit à une température proche du point de recuit supérieur pendant 30 minutes. (Le point de recuit supérieur correspond au changement de pente de la courbe de dilatométrie). Le but du recuit est d'obtenir un verre libre des tensions apparues au cours du refroidissement.
Le verre est ensuite broyé dans l'eau à l'aide d'un broyeur planétaire puis d'un broyeur à rouleaux.
La suspension est filtrée puis séchée à 3000C pendant trois heures. Avant son utilisation la poudre est tamisée très finement.
L'oxyde de ruthénium est disponible dans le commerce sous forme hydratée. La poudre directement utilisable est obtenue après calcination à 8500C pendant 12 heures.
L'encre est obtenue ensuite par dispersion du dioxyde de ruthénium et de la poudre de verre dans un véhicule organique composé de
Ethylcellulose 5 %
Terpinéol 95 %
L'ensemble est homogénéisé dans un mortier mécanique à pilon en céramique pendant une heure.
ExemPle de mise en oeuvre de l'invention
La sérigraphie consiste à déposer sur le substrat, à travers un masque au motif à reproduire, une ou plusieurs couches d'encre.
Il est nécessaire de réaliser autant de masques et d'écrans qu'il y a de couches différentes à déposer. Par exemple pour réaliser des résistances, on réalisera deux couches principales : l'une d'une encre totalement conductrice pour les liaisons et les contacts et l'autre de l'encre résistive décrite plus haut.
Comme encre conductrice on pourra utiliser tout matériau connu de l'homme du métier et approprié à être cuit dans l'air.
Après avoir tracé sur ordinateur les motifs des masques à réaliser, on reproduit ceux-ci à l'échelle 10 sur un film pelliculable.
Le film pelliculable est constitué d'une couche masque en gélatine destinée à être découpée, fixée sur un support polyester. La découpe s'effectue à l'aide d'une table traçante pilotée par l'ordinateur. On élimine les parties découpées qui seront celles à imprimer.
Les motifs obtenus sont alors réduits à l'échelle 1 par microphotographie, puis visionnés sur un projecteur (x 200) afin de contrôler leur définition et la restitution des cotes.
On utilise un écran composé d'un tissu en inox, caractérisé par son nombre de Meshs (nombre de mailles par pouce), tendu sur un cadre, sur lequel on va restituer le motif réalisé auparavant. Les formats standards sont 100, 165, 200 et 325 Meshs.
Pour ce faire on colle par capillarité sur l'écran une gélatine photosensible. Le négatif de la microphotographie est alors placé sur l'écran, et l'ensemble est insolé aux
U.V.. Ainsi, toutes les parties exposées durcissent (résine négative).
Enfin, l'écran est arrosé à l'eau tiède : la gélatine s'élimine aux endroits non insolés correspondant aux parties à imprimer.
L'écran est fixé sur une machine à sérigraphier pneumatique et automatique. Le substrat est maintenu par aspiration sur un support que l'on peut déplacer en x, y et 8 afin de l'ajuster par rapport à l'écran.
Plusieurs paramètres de réglage dépendent des caractéristiques de l'encre (rhéologie) et conditionnent l'aspect de la couche épaisse obtenue après cuisson. Ce sont principalement
- la distance écran-substrat
- la vitesse de passage de la raclette qui étale l'encre à travers l'écran
- la tension de cisaillement exercée par la raclette sur l'écran.
Les échantillons sont obtenus après sérigraphie sur des substrats de dimensions 1x2 pouces et d'épaisseur 0.635 mm. (Des substrats de 0.250 mm et 1 mm ont aussi été utilisés).
L'opération de sérigraphie consiste à déposer successivement suivant le schéma de la figure 1, qui montre une résistance en coupe
- une couche conductrice 1 Argent-Palladium à travers un écran de 325 Meshs, pour former les connexions,
- une couche résistive 2 dont le matériau conducteur est le dioxyde de ruthénium.
Les couches sont déposées sur le substrat choisi 3.
Après l'impression on procède à un étuvage de 15 minutes à 1400C pour éliminer la majeure partie des solvants contenus dans les encres, avant la cuisson.
Le choix du dioxyde de ruthénium comme matériau conducteur dans les encres résistives est motivé par deux facteurs intéressant les utilisateurs
la possibilité de réaliser une large gamme de résistance de 10 ohms à plusieurs méga ohms.
- la cuisson en atmosphère normale, c'est-à-dire sous air.
Le choix de l'argent-palladium comme encre conductrice est dicté par ses propriétés de compatibilité (cuisson sous air) avec l'encre résistive.
La cuisson dure environ 50 minutes avec un palier de Il minutes à la température maximale de 850 C. Elle a lieu dans un four à passage.
Pour les besoins des mesures de facteur de Jauge, les substrats sont prédécoupés avec précision au laser. Puis ils sont grillés à 13000C.
Tel que représenté sur la figure 2, à titre d'exemple, un circuit pour réaliser une balance comprend des résistances 2a, 2b, 2c, 2d montées en pont de Wheatstone, reliées entre elles par les interconnexions 1 conductrices, un détecteur 4 de la variation de tension qui apparaît dans le pont, et un circuit annexe de compensation en température comprenant des résistances sérigraphiées 21, 22 du même type que les résistances 2 et un circuit amplificateur 5.

Claims (10)

REVENDICATIONS:
1. Circuit de résistances en couches associées à un substrat, pour la détection et la mesure de contraintes appliquées à ces résistances, caractérisé en ce que le substrat est une zircone Zr02 partiellement stabilisée dans une structure cubique incluant une phase quadratique en faible teneur de précipites métastables formant une pastille mince.
2. Circuit selon la revendication 1, caractérisée ce que la zircone est partiellement stabilisée par ajout d'oxyde métalliques choisis parmi l'oxyde de magnésium MgO, l'anhydride calcique CaO, l'oxyde d'Yttrium Y203, l'oxyde métallique choisi étant inclus dans le composé avec une concentration en moles de 6 à 12 moles % pour MgO et CaO ou de 3 à 6 Moles % pour Y203.
3. Circuit selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les résistances en couche sont constituées d'une composition sérigraphiée résistive comprenant un mélange pouvant être cuit à l'air d'oxyde de ruthénium en poudre comme élément actif et d'un verre comme élément passif, mélange dans lequel d'oxyde de ruthénium a une concentration de 20 à 30 % en volume, le verre occupant 80 à 70 % en volume.
4. Circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce que, dans la composition résistive le verre comprend en moles
SiO2 20 à 45 %
Pb 0 70 à 25 %
B203 10 à 30 % les pourcentages les plus élevés n'étant pas tous choisis en même temps, et en complément à 100 % éventuellement
Au203 0 à 15 %
ZnO O à 45 %
CaO, SrO, BaO O à 20 Oc
5. Circuit selon la revendication 4, caractérisé en ce que le verre comprend en moles
SiO2 20 %
Pb 0 50 %
B203 10 %
Au203 10 %
SrO 10 %
6. Circuit selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la zircone stabilisée contient en outre de l'alumine dans les proportions 55 à 95 % en volume.
7. Circuit selon la revendication 6, caractérisé en ce que le verre pour réaliser la composition résistive comprend en moles
SiO2 35 %
Pb 0 35 %
B203 20 %
Al203 5 %
CaO 5 %
8. Circuit selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les interconnexions entre les résistances sont constituées par des couches sérigraphiées au moyen d'une encre dont l'élément actif est llargent-palladium.
9. Circuit selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que pour la mesure des contraintes, les résistances sont montées en pont de Wheatstone.
10. Circuit selon la revendication 9, caractérisé ce qu'il comporte un circuit de compensation en température.
FR9015029A 1990-11-30 1990-11-30 Circuit de resistances pour jauge de contrainte. Expired - Fee Related FR2670008B1 (fr)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9015029A FR2670008B1 (fr) 1990-11-30 1990-11-30 Circuit de resistances pour jauge de contrainte.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9015029A FR2670008B1 (fr) 1990-11-30 1990-11-30 Circuit de resistances pour jauge de contrainte.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2670008A1 true FR2670008A1 (fr) 1992-06-05
FR2670008B1 FR2670008B1 (fr) 1993-03-12

Family

ID=9402789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR9015029A Expired - Fee Related FR2670008B1 (fr) 1990-11-30 1990-11-30 Circuit de resistances pour jauge de contrainte.

Country Status (1)

Country Link
FR (1) FR2670008B1 (fr)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0561397A3 (en) * 1992-03-18 1993-11-03 Matsushita Electric Industrial Co Ltd A pressure sensor
FR2866952A1 (fr) * 2004-02-26 2005-09-02 Denso Corp Dispositif et procede pour detecter une force agissant sur un pneumatique

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4175061A (en) * 1977-07-09 1979-11-20 Sumitomo Metal Mining Company Limited Method of manufacturing resistor paste
DE3008608A1 (de) * 1979-03-08 1980-09-11 Philips Nv Widerstandsmaterial
EP0071190A2 (fr) * 1981-07-24 1983-02-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions pour résistances à couche épaisse
EP0124948A1 (fr) * 1983-05-09 1984-11-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Pâte résistante pour une résistance électrique

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4175061A (en) * 1977-07-09 1979-11-20 Sumitomo Metal Mining Company Limited Method of manufacturing resistor paste
DE3008608A1 (de) * 1979-03-08 1980-09-11 Philips Nv Widerstandsmaterial
EP0071190A2 (fr) * 1981-07-24 1983-02-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Compositions pour résistances à couche épaisse
EP0124948A1 (fr) * 1983-05-09 1984-11-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Pâte résistante pour une résistance électrique

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0561397A3 (en) * 1992-03-18 1993-11-03 Matsushita Electric Industrial Co Ltd A pressure sensor
US5406852A (en) * 1992-03-18 1995-04-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Pressure sensor having a resistor element on a glass dryer with electrodes connected thereto
FR2866952A1 (fr) * 2004-02-26 2005-09-02 Denso Corp Dispositif et procede pour detecter une force agissant sur un pneumatique
US7028540B2 (en) 2004-02-26 2006-04-18 Denso Corporation Device and method for detecting force acting on tire

Also Published As

Publication number Publication date
FR2670008B1 (fr) 1993-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009149204A (ru) Емкостный датчик давления
CN102007080B (zh) 使用含铜玻璃料的电阻器组合物
JPH03223157A (ja) アルミナ焼結基板
JPH11295145A (ja) 可視光応答性電極
KR20050103515A (ko) 탄탈산 리튬 결정의 제조방법
JPS5928962B2 (ja) 厚膜バリスタの製造方法
JPH05254923A (ja) セラミック組成物及びセラミック回路基板
JPH04502966A (ja) 温度センサとその製造方法
FR2670008A1 (fr) Circuit de resistances pour jauge de contrainte.
GB2170653A (en) Production of photoelectric conversion film and contact type image sensor
JPH01275467A (ja) 固体電解質の製造方法
US4076894A (en) Electrical circuit element comprising thick film resistor bonded to conductor
CN110024053A (zh) 热敏电阻烧结体及热敏电阻元件
FR2570223A1 (fr) Dispositif piezoelectrique et procede de realisation d&#39;un tel dispositif
EP1899279B1 (fr) Electrodes a base d&#39;oxyde d&#39;etain presentant une resistance accrue a la corrosion
JPH05335110A (ja) 厚膜抵抗体組成物
JPH0955118A (ja) 導体ペーストおよびセラミック積層コンデンサ
CN101774305B (zh) 热敏头
CN109837512B (zh) Izo靶材及其制造方法
JP2003163244A (ja) ウェハプローバ
KR970027013A (ko) 압전 세라믹
JP3132094B2 (ja) 単結晶の製造方法および単結晶製造装置
JPS6152420B2 (fr)
US5494864A (en) Resistive paste
JP2007314812A (ja) スパッタリングターゲットおよび成膜方法

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse