FR2964193A1 - Procede de mesure d'une energie d'adhesion, et substrats associes - Google Patents
Procede de mesure d'une energie d'adhesion, et substrats associes Download PDFInfo
- Publication number
- FR2964193A1 FR2964193A1 FR1056719A FR1056719A FR2964193A1 FR 2964193 A1 FR2964193 A1 FR 2964193A1 FR 1056719 A FR1056719 A FR 1056719A FR 1056719 A FR1056719 A FR 1056719A FR 2964193 A1 FR2964193 A1 FR 2964193A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- test
- substrate
- temperature
- predetermined
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 125
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 claims 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004513 sizing Methods 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 238000009864 tensile test Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N19/00—Investigating materials by mechanical methods
- G01N19/04—Measuring adhesive force between materials, e.g. of sealing tape, of coating
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Strength Of Materials By Application Of Mechanical Stress (AREA)
Abstract
L'invention concerne un procédé de mesure d'une énergie d'adhésion entre deux substrats collés, selon une direction transversale, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à prévoir que l'un (1) au moins des deux substrats (1, 8) comprenne une pluralité de cellules (6) élémentaires de test, chacune étant apte à exercer localement, dans la direction transversale, une contrainte mécanique (σ) prédéterminée fonction de la température (T), sur une interface de collage (10) entre les substrats (1, 8), selon un sens tendant à les éloigner, soumettre (21) les substrats à une température de test, et identifier (22) des zones de l'interface de collage (10) présentant un décollement pour en déduire l'énergie locale d'adhésion à la température de test au niveau desdites zones, l'énergie locale d'adhésion au niveau d'une zone de l'interface (10) de collage étant déduite de la contrainte exercée par les cellules (6) de test ayant provoqué un décollement au niveau de ladite zone.
Description
DOMAINE TECHNIQUE GENERAL L'invention concerne un procédé de mesure d'une énergie d'adhésion entre des substrats à coller. L'invention concerne également un substrat pour la mesure d'une telle énergie d'adhésion, et une structure comprenant un tel substrat.
ETAT DE L'ART Dans le domaine de l'électronique et de la microélectronique, il est courant de recourir à une étape de collage de deux substrats. Ce type de collage est par exemple utilisé pour fabriquer des substrats de type SOI (Silicium sur Isolant) ou pour intégration 3D de substrats comportant des circuits électroniques à connecter. Or, il est en général nécessaire d'évaluer la qualité du collage, qui se caractérise en particulier par l'énergie d'adhésion, également appelée 15 énergie de collage, entre les deux substrats. Divers procédés de métrologie ont été proposés dans l'art antérieur pour caractériser cette énergie d'adhésion. On connaît de l'art antérieur un procédé de test en traction, qui est un procédé de détermination directe et macroscopique de l'énergie 20 d'adhésion. Toutefois, ce procédé est très difficile à mettre en oeuvre. On connaît également un procédé de mesure de collage, proposé par Maszara dans le document intitulé « Bonding of silicon wafers for silicon-on-insulators », J. Appl. Phys. 1988, 64, 4943. Dans ce procédé, une lame est insérée au niveau de l'interface de 25 collage entre les deux substrats. L'application d'une force mécanique par l'intermédiaire de la lame, dans une direction parallèle au plan de l'interface de collage, provoque localement le décollement des deux substrats et une propagation de la zone décollée sur une certaine distance. La longueur de propagation de la zone décollée donne une indication de l'énergie 30 d'adhésion qui existe entre les deux substrats. Toutefois, ce procédé présente plusieurs inconvénients. Ce procédé est une mesure indirecte de l'énergie d'adhésion, puisque celle-ci est extrapolée à partir de la propagation du décollement de 1 l'interface. La grandeur mesurée est donc la résistance au déchirement d'une interface et non pas l'énergie d'adhésion elle-même. En outre, ce procédé est sensible aux conditions d'insertion de la lame et à l'opérateur, ce qui en fait un procédé peu précis.
De plus, ce procédé est macroscopique, c'est-à-dire qu'il ne permet de déterminer qu'une énergie d'adhésion moyenne sur une surface importante, et non pas une énergie d'adhésion locale. Enfin, ce procédé est mis en oeuvre à température ambiante, et caractérise donc l'énergie d'adhésion à température ambiante uniquement.
Il apparaît donc que les procédés de mesure d'une énergie d'adhésion de l'art antérieur présentent de nombreux inconvénients.
PRESENTATION DE L'INVENTION L'invention propose de pallier les inconvénients précités.
A cet effet, l'invention propose un procédé de mesure d'une énergie d'adhésion entre deux substrats collés, selon une direction transversale, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : - prévoir que l'un au moins des deux substrats comprenne une pluralité de cellules élémentaires de test, chacune étant apte à exercer localement, dans la direction transversale, une contrainte mécanique prédéterminée fonction de la température, sur une interface de collage entre les substrats, selon un sens tendant à les éloigner, - soumettre les substrats à une température de test, et - identifier des zones de l'interface de collage présentant un décollement pour en déduire l'énergie locale d'adhésion à la température de test au niveau desdites zones, l'énergie locale d'adhésion au niveau d'une zone de l'interface de collage étant déduite de la contrainte exercée par les cellules de test ayant provoqué un décollement au niveau de ladite zone. L'invention est avantageusement complétée par les caractéristiques suivantes, prises seules ou en une quelconque de leur combinaison techniquement possible : 2 - la séquence comprenant les étapes consistant à soumettre les substrats à une température de test, et identifier les zones de l'interface de collage présentant un décollement, est répétée sur une plage comprenant plusieurs températures de test, afin de déduire l'énergie locale d'adhésion pour ladite plage de températures de test ; - chaque cellule élémentaire de test exerce une contrainte prédéterminée à une température prédéterminée lors de l'étape de soumission à une température de test, l'ensemble consistant en ladite contrainte prédéterminée et en ladite température prédéterminée étant différent d'une cellule à l'autre ; - le substrat comprend une pluralité de structures de test réparties de sorte à exercer des contraintes sur une pluralité de zones de l'interface de collage, chaque structure de test comprenant une pluralité de cellules élémentaires de test différentes ; - chaque cellule est repérée matériellement par un ensemble d'indications comprenant une contrainte prédéterminée exercée par ladite cellule et une température prédéterminée à laquelle ladite contrainte est exercée, et/ou une énergie locale d'adhésion et une température à laquelle ladite énergie est atteinte, l'étape de déduction de l'énergie locale d'adhésion étant réalisée à partir de la lecture dudit ensemble d'indications ; - l'identification des zones de l'interface de collage présentant un décollement se fait par microscope acoustique. L'invention propose également un substrat comprenant une pluralité de cellules élémentaires de test, chacune apte à exercer localement, dans une direction transversale, une contrainte mécanique prédéterminée fonction de la température sur une interface de collage située au niveau d'une surface libre du substrat. Le substrat peut comprendre en outre l'une au moins des caractéristiques suivantes : 3 - chaque cellule élémentaire de test est apte à exercer une contrainte prédéterminée à une température prédéterminée, l'ensemble consistant en ladite contrainte prédéterminée et en ladite température prédéterminée étant différent d'une cellule à l'autre ; - les cellules élémentaires de test sont réparties dans une couche de test disposée sous une couche de collage dont une surface libre constitue l'interface de collage ; - les cellules élémentaires de test sont disposées au niveau de la surface libre du substrat ; - le substrat comprend une pluralité de structures de test étant apte à exercer des contraintes sur une pluralité de zones de l'interface de collage, chaque structure de test comprenant une pluralité de cellules élémentaires de test différentes ; - chaque cellule est repérée matériellement par un ensemble d'indications comprenant une contrainte prédéterminée exercée par ladite cellule et une température prédéterminée à laquelle ladite contrainte est exercée, et/ou une énergie locale d'adhésion et une température à laquelle ladite énergie est atteinte ; - le substrat comprend une couche support transparente sous la couche de test. L'invention propose également une structure comprenant le substrat précédemment décrit et un deuxième substrat collé audit substrat au niveau de l'interface de collage. Dans un mode de réalisation, l'un au moins du substrat et du deuxième substrat comporte des circuits électroniques.
L'invention présente de nombreux avantages. Un avantage de l'invention est d'offrir une mesure simple et directe de l'énergie d'adhésion au niveau d'une interface de collage. Un autre avantage de l'invention est d'offrir une mesure précise de ladite énergie d'adhésion.
Un autre avantage encore de l'invention est d'offrir une mesure locale de ladite énergie d'adhésion. Enfin, un autre avantage de l'invention est d'offrir une mesure de l'énergie d'adhésion à différentes températures. 4 PRESENTATION DES FIGURES D'autres caractéristiques, buts et avantages de l'invention ressortiront de la description qui suit, qui est purement illustrative et non limitative, et qui doit être lue en regard des dessins annexés sur lesquels : - la Figure 1 représente un mode de réalisation d'un substrat selon un premier aspect de l'invention ; - la Figure 2 représente un mode de réalisation d'une pluralité de cellules élémentaires de test utilisées dans le substrat de la Figure 10 1 , - la Figure 3 représente un mode de réalisation d'une cellule élémentaire de test; - la Figure 4 représente un mode de réalisation d'une juxtaposition de cellules élémentaires de test utilisable dans un substrat de la Figure 15 1 ; - la Figure 5 représente un mode de réalisation d'une pluralité de cellules élémentaires de test repérées avec la contrainte et la température prédéterminées et associées à chacune desdites cellules ; 20 - la Figure 6 représente un mode de réalisation de structures de test comprenant chacune une pluralité de cellules élémentaires de test ; - la Figure 7 représente un mode de réalisation d'un procédé de mesure de l'énergie d'adhésion selon un deuxième aspect de l'invention ; 25 - la Figure 8 représente schématiquement un principe d'observation des cellules de test après une étape de traitement thermique.
DESCRIPTION DETAILLEE On a représenté en Figure 1 un mode de réalisation d'un substrat 1 30 selon un premier aspect de l'invention. Le substrat 1 comprend une couche de collage 4, sur l'une de ses faces, destinée à être collée à un deuxième substrat 8. La couche de collage 4 est par exemple une couche d'oxyde. Le 5 collage est destiné à être réalisé selon une direction transversale colinéaire au vecteur normal au plan des substrats 1, 8 en situation de collage. Les substrats à coller peuvent être de tout type, comme par exemple des substrats de type SOI (Silicium sur Isolant).
Le substrat 1 comprend en outre au moins une couche de test 3, disposée sous la couche de collage 4. Le substrat 1 comprend en général un substrat support 2 disposé sous la couche de test 3. Le substrat support 2 est par exemple en silicium. Il est clair que le substrat 1 peut comprendre des couches ou éléments supplémentaires selon les besoins et applications. En particulier le premier substrat 1 et/ou le deuxième substrat 8 peuvent comporter des circuits électriques dans le cadre classique de l'intégration 3D. Comme représentés en Figure 2 et 3, la couche de test 3 est notamment caractérisée par le fait qu'elle comprend une pluralité de cellules 6 élémentaires de test, chaque cellule 6 étant apte à exercer localement, selon la direction transversale, une contrainte mécanique a prédéterminée sur une interface de collage 10 située entre le substrat 1 et le substrat 8. Cette contrainte est fonction de la température T à laquelle le substrat 1 est soumis et est orientée transversalement dans un sens tendant à éloigner les substrats 1 et 8. Autrement dit, les cellules 6 sont dimensionnées pour exercer une contrainte de traction a sur l'interface 10 de collage, comme cela est schématisé en Figure 3. L'interface 10 de collage est l'interface au niveau de laquelle le collage entre le substrat 1 et le substrat 8 est réalisé. En particulier, l'interface 10 de collage est située au niveau d'une surface libre de la couche de collage 4. Les substrats 1 et 8 collés constituent une structure dans laquelle le deuxième substrat 8 est collé au premier substrat 1 au niveau de l'interface de collage 10. Cette structure constitue un troisième aspect de l'invention.
En général, chaque cellule 6 élémentaire de test est dimensionnée pour exercer une contrainte prédéterminée à une température prédéterminée sur l'interface 10 de collage. Une cellule élémentaire de test peut par exemple exercer une contrainte a de 100MPa à 300°C. 6 Si la contrainte a localement exercée par les cellules 6 est supérieure à l'énergie locale d'adhésion à une température T donnée, l'interface 10 de collage présentera un décollement au niveau de la zone de l'interface 10 de collage située au-dessus de la cellule 6 de test, ce qui permet de déterminer l'énergie locale d'adhésion à la température T. Il s'agit en général de la zone de l'interface 10 de collage située à l'aplomb de la cellule 6 de test dans la direction transversale. Un avantage notable de l'invention est que les cellules 6 peuvent être enterrées, c'est-à-dire qu'elles ne sont pas présentes au niveau de l'interface de collage 10 ou dans la couche de collage 4, mais, par exemple, dans une couche de test située sous la couche de collage dont une surface libre consiste l'interface de collage. Ceci permet d'obtenir une couche de collage 4 homogène et évite de perturber les opérations de traitement de la couche de collage 4, en particulier de la surface libre de la couche de collage 4. On peut donc mesurer l'énergie locale d'adhésion sans perturber ni endommager l'interface de collage, et en particulier la surface libre de la couche de collage. On évite ainsi de nombreux inconvénients et limitations des procédés et dispositifs de l'art antérieur. Par exemple, chaque cellule 6 comprend deux plots 13, 14 d'un matériau se dilatant thermiquement, comme du cuivre. On entend par plot une structure ayant une forme générale de cube ou parallélépipède. En général, le matériau de chaque cellule est choisi avec un coefficient de dilatation thermique différent du coefficient de dilatation thermique de la couche de test 3, qui est par exemple une couche d'oxyde. Toutefois le nombre de plots peut varier, et, plus généralement, la cellule peut avoir toute structure idoine permettant d'arriver au résultat recherché. La contrainte a exercée par chaque cellule dépend de la température et des dimensions de la cellule. Dans le cas des plots 13, 14 matérialisés en Figure 3, la contrainte exercée par la cellule 6 est fonction de l'espacement a entre les plots, de la largeur L des plots, de la hauteur transversale h des plots, et de la distance e par rapport à l'interface 10 de collage. Par exemple, les cellules sont de taille micrométrique. 7 De manière avantageuse, la couche de test 3 comprend une pluralité de cellules 6 de test, dimensionnées pour exercer chacune une contrainte différente, comme représenté en Figure 4. Avantageusement, chaque cellule 6 élémentaire de test est apte à exercer une contrainte prédéterminée à une température prédéterminée, et l'ensemble constitué de la contrainte prédéterminé et de la température prédéterminé est différent d'une cellule à l'autre, comme schématisé en Figure 5. Comme explicité par la suite, l'augmentation du nombre de cellules 6 de test permet d'augmenter la résolution en énergie d'adhésion pour chaque température de test à laquelle la structure comprenant le premier 1 et le deuxième 8 substrats est soumise. Par exemple, une cellule peut être caractérisée par le fait qu'elle exerce une contrainte de 100MPa à une température de 200°C. Ces valeurs sont prédéterminées et connues de l'opérateur, par le choix et le dimensionnement des cellules de test. Avantageusement, la couche 3 de test comprend une pluralité de structures de test 15 étant apte à exercer des contraintes sur une pluralité de zones différentes de l'interface 10 de collage, chaque structure de test 15 comprenant une pluralité de cellules 6 élémentaires de test différentes.
Avantageusement, chaque cellule élémentaire de test d'une structure de test est apte à exercer une contrainte prédéterminée à une température prédéterminée, l'ensemble comprenant la contrainte et la température étant différent d'une cellule à l'autre dans une structure de test donnée. Ceci revient à dupliquer la pluralité de cellules 6 de test, comme par exemple les cellules 6 de test représentées en Figure 5, sur plusieurs zones de la couche de test 3. Grâce à cette configuration, il est possible de mesurer l'énergie locale d'adhésion en plusieurs zones de l'interface 10 de collage. En général, une structure de test a une superficie de l'ordre de 0.5 cm2. On obtient donc pour chaque zone couverte par une structure 15 de test une valeur d'énergie locale d'adhésion à différentes températures. Il est clair que plus le nombre de structures 15 de test est élevé, plus l'on dispose de zones de l'interface 10 de collage dont on connaît l'énergie d'adhésion. 8 Il est à présent décrit un mode de réalisation d'un procédé de mesure d'une énergie d'adhésion selon un deuxième aspect de l'invention, mettant en oeuvre le substrat 1 précédemment décrit. Dans une première étape 20, la couche de collage 4 dudit substrat 1 est collée dans une direction transversale avec un deuxième substrat 8. Ce type de collage est largement connu de l'homme du métier et n'est pas détaillée. La structure comprenant le substrat 1 et le substrat 8 collés est alors soumise (étape 21) à un traitement thermique.
Il s'agit d'un traitement dans lequel ladite structure est soumise à une montée en température, jusqu'à une température de test. Cette montée en température est réalisée de manière connue dans un four. Lors de la montée en température, et comme décrit précédemment, les cellules de test 6 de la couche 3 de test exercent alors une contrainte transversale de traction sur l'interface 10 de collage située entre le substrat 1 et le substrat 8. En fonction de la température de test appliquée à la structure comprenant le substrat 1 et le substrat 8, seules certaines cellules de test vont exercer une contrainte, ladite contrainte étant prédéterminée et propre à chaque cellule, comme illustré en Figure 5.
En effet, les structures 15 de test de la couche de test sont dimensionnées pour que chaque cellule 6 élémentaire de test de la structure de test exerce une contrainte prédéterminée à une température prédéterminée lors de l'étape de soumission 22 à une température de test, l'ensemble consistant en ladite contrainte prédéterminée et en ladite température prédéterminée étant différent d'une cellule 6 à l'autre. On notera que le traitement thermique précédemment décrit est couramment utilisé pour consolider le collage entre deux substrats. En effet, le collage à température ambiante de deux substrats ne fournit généralement pas une tenue mécanique suffisante pour les besoins de l'industrie électronique ou micro-électronique. L'invention exploite donc cette étape de renforcement du collage en tant qu'étape de test, ce qui permet d'éviter l'ajout de nouvelles étapes coûteuses et néfastes à la structure sous test, comme dans les procédés de l'art antérieur. 9 Dans certains cas, au moins l'un des substrats 1 et/ou 8 est muni de circuits électroniques. On connaît par exemple le procédé de fabrication dit d'intégration 3D, consistant à coller des couches de substrat comprenant des circuits électroniques, et à connecter lesdits circuits pour former un composant électronique. Le collage comprend le plus souvent une étape de traitement thermique. Avantageusement, les zones de l'interface 10 équipées de cellules de test peuvent être aménagées au niveau de lignes de découpe des substrats post-collage.
Les structures de test sont alors intégrées dans les circuits électroniques qui contiennent classiquement sur leur périphérie, en général dans les lignes de découpe, un certain nombre de structures de test et de mesures pour le procédé de surveillance (« monitoring process »). Les structures de test de l'énergie d'adhésion conformes à l'invention sont très facilement intégrables, notamment par une modification d'un jeu de masques. Un avantage de cette solution est qu'elle constitue un moyen pour contrôler directement lors du procédé de fabrication dit d'intégration 3D l'énergie d'adhésion et permet donc détecter d'éventuels défauts ou problèmes de fabrication. En particulier, cette solution exploite l'étape de traitement thermique nécessaire au collage des couches comprenant des circuits électroniques, pour caractériser l'énergie d'adhésion. Dans une étape 22 ultérieure, l'interface 10 de collage est observée. Les zones de l'interface 10 de collage présentant un décollement et/ou des défauts sont identifiées et indiquent que l'énergie locale d'adhésion a été atteinte voire dépassée. L'énergie locale d'adhésion au niveau de chaque zone de l'interface 10 de collage est déduite de la contrainte exercée par la cellule 6 de test ou les cellules 6 de test ayant provoqué un décollement de ladite zone, comme illustré en Figure 8. Les cellules 6 de test de la Figure 8 réalisent une structure 15 de test. Les zones de l'interface 10 de collage présentant un défaut et/ou un décollement sont identifiées, ce qui permet d'identifier les cellules de test 6 10 ayant provoqué un décollement (schématisé par un rectangle noir en Figure 8). Dans le cas de plots, le décollement s'opère dans la zone de l'interface de collage située entre les plots. Par exemple, en Figure 8, on a soumis la structure comprenant le premier substrat 1 et le deuxième substrat 2 à une température de test de 300°C. On constate alors que l'interface 10 de collage s'est décollée uniquement au niveau des cellules de la structure 15 dimensionnées pour exercer des contraintes à 300°C qui sont supérieures à l'énergie locale de collage.
On en déduit donc que la contrainte ayant provoquée un décollement de la zone correspondante de l'interface 10 de collage est comprise entre 29MPa et 30MPa à 300°C. Ceci permet de déduire, notamment à partir d'abaques donnant la correspondance entre contrainte, température et énergie, l'énergie locale d'adhésion à température donnée au niveau de la zone de l'interface de collage située à l'aplomb de la structure 15 de test selon la direction transversale. Ces abaques sont établis à partir de modèles prenant en compte les différents paramètres de mise en oeuvre du procédé : contrainte, température, type de matériau...
Dans le cas précédemment décrit de la Figure 8, et à partir de la contrainte déterminée comme explicité précédemment, on peut en déduire l'énergie locale d'adhésion à 300°C de la zone décollée. L'énergie locale d'adhésion au niveau d'une zone de l'interface 10 de collage est donc avantageusement déduite de la contrainte exercée par les cellules 6 de test ayant provoqué un décollement au niveau de ladite zone. On comprend que plus l'on dispose de cellules de test pour une structure de test donnée, plus l'on dispose de points de mesure. En particulier, le fait de disposer d'un nombre élevé de couples différents contrainte prédéterminée/température prédéterminée augmente la résolution de mesure. On augmente alors la résolution en énergie locale d'adhésion pour chaque température. De même, le fait de disposer d'une pluralité de structures de test comprenant elles-mêmes une pluralité de cellules 6 élémentaires de test 11 permet de déterminer l'énergie locale d'adhésion en un nombre élevé de zones de l'interface 10 de collage. De manière avantageuse, les étapes 21 et 22 peuvent être répétées de manière itérative, dans le cas d'une température croissante.
En particulier, la séquence comprenant les étapes consistant à soumettre le premier et le deuxième substrats à une température de test, et à identifier les zones de l'interface de collage présentant un décollement, est répétée sur une plage comprenant plusieurs températures de test, afin de déduire l'énergie locale d'adhésion pour ladite plage de températures de test. On obtient alors une série de mesures discrètes, qui permet de tracer une courbe de variation de l'énergie d'adhésion en fonction de la température pour chaque zone étudiée de l'interface 10 de collage. Toutefois, ce principe ne fonctionne que dans le cas où l'on applique une montée progressive en température au cours des tests successifs.
En pratique, le premier 1 et le deuxième 8 substrats collés l'un avec l'autre sont soumis à une nouvelle température de test, puis l'interface 10 de collage est observée. Cette séquence est répétée autant que nécessaire. L'invention offre une mesure de l'énergie locale en différentes zones 20 de l'interface 10 de collage. L'observation des défauts de l'interface 10 de collage peut se faire selon toute technique connue de l'homme du métier. Avantageusement, l'observation des zones de l'interface 10 de collage peut se faire après recuit, par microscope acoustique de type SAM 25 (« Scanning Acoustic Microscope »). Il reste toutefois envisageable d'observer les défauts de l'interface en temps réel, c'est-à-dire en même temps que la soumission des substrats collés à la température de test. Dans un mode de réalisation avantageux, chaque cellule est repérée matériellement par un ensemble d'indications comprenant la contrainte 30 prédéterminée exercée par la cellule et la température prédéterminée à laquelle ladite contrainte est exercée, comme illustré en Figure 8, et/ou un ensemble d'indications comprenant l'énergie locale d'adhésion et la 12 température à laquelle ladite énergie est atteinte. Ces données sont gravées ou inscrites à proximité de chaque cellule. Ainsi, la déduction de l'énergie locale d'adhésion est opérée à partir de la lecture directe dudit ensemble.
Avantageusement, la couche 2 de support est transparente ce qui permet de lire directement la contrainte ou l'énergie d'adhésion en utilisant un microscope. Il peut par exemple s'agir d'une couche de verre ou de quartz. L'invention peut avantageusement être appliquée au cas de test ou 10 au cas de la surveillance du collage dans le cadre d'une intégration 3D de substrats. Les cellules de test peuvent, dans les deux cas, être directement disposées au niveau de la surface libre de l'un ou l'autre des substrats, c'est à dire au niveau de l'interface 10 de collage. En particulier, les cellules de 15 test peuvent affleurer la surface libre de l'un ou l'autre des substrats (c'est à dire avec la distance e nulle ou quasi nulle), ou même comprendre une portion émergeant de la surface libre. Il est alors possible de supprimer la couche de collage, c'est-à-dire que les cellules de test ne sont plus enterrées. 20 Les cellules de test sont identiques à celles décrites dans les modes de réalisations précédents, et peuvent être disposées sous la forme de structures de test réparties au niveau de la surface libre du substrat. Dans le cas de l'intégration 3D, il est en outre possible de prévoir que le substrat comprenant les cellules de test comprenne en outre des circuits 25 électroniques. Ceci est applicable aussi bien dans le cas où les substrats sont collés par l'intermédiaire d'une couche de collage (également connue de l'homme du métier sous l'expression anglo-saxonne « blancket ») ou non, c'est-à-dire que les substrats sont directement assemblés au niveau de leur couche supérieure comprenant des circuits électroniques. 30 D'une manière générale, les mesures obtenues par le procédé selon l'invention sont précises et améliorent les résultats de l'art antérieur, comme par exemple les résultats obtenus avec le procédé proposé par Maszara. 13 De plus, l'invention offre une mesure simple et directe de l'énergie d'adhésion de l'interface de collage. En outre, l'invention offre une mesure de l'énergie d'adhésion à différentes températures.
Enfin, le procédé selon l'invention est avantageux car peu invasif. Un opérateur souhaitant mesurer l'énergie d'adhésion entre deux substrats à coller pourra facilement utiliser le substrat selon l'invention, qui comprend toutes les couches utiles nécessaires à une application donnée (couche de collage et substrat support) et diffère uniquement de par la présence de cellules de test, enterrées ou non. De plus, le procédé ne nécessite que peu d'étapes supplémentaires en plus des étapes classiques de collage et de consolidation par chauffage des substrats collés. L'invention est donc très avantageuse aussi bien en terme de flexibilité que de coût. L'invention trouve de nombreuses applications, et notamment dans les domaines de l'électronique, de la micro-électronique ou de l'optique. 14
Claims (8)
- REVENDICATIONS1. Procédé de mesure d'une énergie d'adhésion entre deux substrats collés, selon une direction transversale, caractérisé en ce qu'il comprend les 5 étapes consistant à : - prévoir que l'un (1) au moins des deux substrats (1, 8) comprenne une pluralité de cellules (6) élémentaires de test, chacune étant apte à exercer localement, dans la direction transversale, une contrainte mécanique (a) prédéterminée fonction de la température (T), sur une 10 interface de collage (10) entre les substrats (1, 8), selon un sens tendant à les éloigner, - soumettre (21) les substrats à une température de test, et - identifier (22) des zones de l'interface de collage (10) présentant un décollement pour en déduire l'énergie locale d'adhésion à la température de 15 test au niveau desdites zones, l'énergie locale d'adhésion au niveau d'une zone de l'interface (10) de collage étant déduite de la contrainte exercée par les cellules (6) de test ayant provoqué un décollement au niveau de ladite zone. 20
- 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la séquence comprenant les étapes consistant à : - soumettre (21) les substrats (1, 8) à une température de test, et - identifier (22) les zones de l'interface de collage (10) présentant un décollement, 25 est répétée sur une plage comprenant plusieurs températures de test, afin de déduire l'énergie locale d'adhésion pour ladite plage de températures de test.
- 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel chaque 30 cellule (6) élémentaire de test exerce une contrainte prédéterminée à une température prédéterminée lors de l'étape de soumission (21) à une température de test, l'ensemble consistant en ladite contrainte 15prédéterminée et en ladite température prédéterminée étant différent d'une cellule (6) à l'autre.
- 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat comprend une pluralité de structures (15) de test réparties de sorte à exercer des contraintes sur une pluralité de zones de l'interface (10) de collage, chaque structure (15) de test comprenant une pluralité (6) de cellules élémentaires de test différentes.
- 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel chaque cellule (6) est repérée matériellement par un ensemble d'indications comprenant une contrainte prédéterminée exercée par ladite cellule et une température prédéterminée à laquelle ladite contrainte est exercée, et/ou une énergie locale d'adhésion et une température à laquelle ladite 15 énergie est atteinte, l'étape de déduction de l'énergie locale d'adhésion étant réalisée à partir de la lecture dudit ensemble d'indications.
- 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'identification 20 des zones de l'interface (10) de collage présentant un décollement se fait par microscope acoustique.
- 7. Substrat (1) comprenant une pluralité de cellules (6) élémentaires de test, chacune apte à exercer localement, dans une direction transversale, une 25 contrainte mécanique (a) prédéterminée fonction de la température (T) sur une interface (10) de collage située au niveau d'une surface libre du substrat (1).
- 8. Substrat selon la revendication 7, dans lequel chaque cellule élémentaire 30 (6) de test est apte à exercer une contrainte prédéterminée à une température prédéterminée, l'ensemble consistant en ladite contrainte prédéterminée et en ladite température prédéterminée étant différent d'une cellule (6) à l'autre. 16. Substrat selon l'une des revendications 7 ou 8, dans lequel les cellules élémentaires (6) de test sont réparties dans une couche (3) de test disposée sous une couche de collage (4) dont une surface libre constitue l'interface (10) de collage. 10. Substrat selon l'une des revendications 7 ou 8, dans lequel les cellules élémentaires (6) de test sont disposées au niveau de la surface libre du substrat (1). 10 11. Substrat selon l'une des revendications 7 à 10, comprenant une pluralité de structures (15) de test étant apte à exercer des contraintes sur une pluralité de zones de l'interface (10) de collage, chaque structure (15) de test comprenant une pluralité de cellules (6) élémentaires de test différentes. 15 12. Substrat selon l'une des revendications 7 à 11, dans lequel chaque cellule (6) est repérée matériellement par un ensemble d'indications comprenant une contrainte prédéterminée exercée par ladite cellule et une 20 température prédéterminée à laquelle ladite contrainte est exercée, et/ou une énergie locale d'adhésion et une température à laquelle ladite énergie est atteinte. 13. Substrat selon l'une des revendications 9, 11 ou 12, comprenant en 25 outre une couche (2) support transparente sous la couche (3) de test. 14. Structure comprenant le substrat (1) selon l'une des revendications 7 à 13 et un deuxième substrat collé audit substrat (1) au niveau de l'interface (10) de collage. 15. Structure selon la revendication 14, caractérisée en ce que l'un au moins du substrat et du deuxième substrat (1, 8) comporte des circuits électroniques. 30 17
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1056719A FR2964193A1 (fr) | 2010-08-24 | 2010-08-24 | Procede de mesure d'une energie d'adhesion, et substrats associes |
| US12/910,023 US8429960B2 (en) | 2010-08-24 | 2010-10-22 | Process for measuring an adhesion energy, and associated substrates |
| PCT/EP2011/064481 WO2012025532A1 (fr) | 2010-08-24 | 2011-08-23 | Procédé de mesure d'énergie d'adhésion et substrats associés |
| TW100130148A TW201221935A (en) | 2010-08-24 | 2011-08-23 | Method for measuring adhesion energy and associated substrates |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR1056719A FR2964193A1 (fr) | 2010-08-24 | 2010-08-24 | Procede de mesure d'une energie d'adhesion, et substrats associes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2964193A1 true FR2964193A1 (fr) | 2012-03-02 |
Family
ID=43827344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR1056719A Withdrawn FR2964193A1 (fr) | 2010-08-24 | 2010-08-24 | Procede de mesure d'une energie d'adhesion, et substrats associes |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8429960B2 (fr) |
| FR (1) | FR2964193A1 (fr) |
| TW (1) | TW201221935A (fr) |
| WO (1) | WO2012025532A1 (fr) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2935536B1 (fr) * | 2008-09-02 | 2010-09-24 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de detourage progressif |
| EP2200077B1 (fr) * | 2008-12-22 | 2012-12-05 | Soitec | Procédé pour la liaison de deux substrats |
| FR2961630B1 (fr) | 2010-06-22 | 2013-03-29 | Soitec Silicon On Insulator Technologies | Appareil de fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
| US8338266B2 (en) | 2010-08-11 | 2012-12-25 | Soitec | Method for molecular adhesion bonding at low pressure |
| FR2977069B1 (fr) | 2011-06-23 | 2014-02-07 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure semi-conductrice mettant en oeuvre un collage temporaire |
| US8709957B2 (en) * | 2012-05-25 | 2014-04-29 | International Business Machines Corporation | Spalling utilizing stressor layer portions |
| US8796049B2 (en) * | 2012-07-30 | 2014-08-05 | International Business Machines Corporation | Underfill adhesion measurements at a microscopic scale |
| FR2995445B1 (fr) | 2012-09-07 | 2016-01-08 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de fabrication d'une structure en vue d'une separation ulterieure |
| CN103454153A (zh) * | 2013-09-12 | 2013-12-18 | 南京理工大学 | 复合推进剂/包覆层粘接界面i型断裂能测定试件 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537884A (en) * | 1992-05-18 | 1996-07-23 | Hitachi, Ltd. | Method for measuring adhesion strength of resin material |
| US5696327A (en) * | 1994-11-23 | 1997-12-09 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for separating a thin film from a substrate |
| US6117695A (en) * | 1998-05-08 | 2000-09-12 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and method for testing a flip chip integrated circuit package adhesive layer |
| WO2003008938A2 (fr) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Procede permettant de determiner l'adherence d'un revetement applique sur un composant |
| US6523419B1 (en) * | 1999-04-02 | 2003-02-25 | Kabushiki Kaisha Arctek | Electrode tensile test method and apparatus, substrate/probe support device for electrode tensile test, and electrode-probe bonding device for electrode tensile test |
| WO2003019157A1 (fr) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | Symyx Technologies, Inc. | Testage en serie, rapide et a haut debit de proprietes mecaniques de materiautheques |
| US6616332B1 (en) * | 1999-11-18 | 2003-09-09 | Sensarray Corporation | Optical techniques for measuring parameters such as temperature across a surface |
| US20070039395A1 (en) * | 2004-03-05 | 2007-02-22 | Vijay Gupta | Glass-modified stress waves for separation of ultra thin films and nanoelectronics device fabrication |
| US20070237448A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Honda Motor Co., Ltd. | Method for inspecting peeling in adhesive joint |
Family Cites Families (61)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1230026B (it) | 1988-10-28 | 1991-09-24 | Sgs Thomson Microelectronics | Processo di saldatura di fette di silicio fra loro, per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore |
| JPH0389519A (ja) | 1989-08-31 | 1991-04-15 | Sony Corp | 半導体基板の製法 |
| JPH0719737B2 (ja) | 1990-02-28 | 1995-03-06 | 信越半導体株式会社 | Ｓ０１基板の製造方法 |
| JPH0636413B2 (ja) | 1990-03-29 | 1994-05-11 | 信越半導体株式会社 | 半導体素子形成用基板の製造方法 |
| JPH04263425A (ja) | 1991-02-18 | 1992-09-18 | Toshiba Corp | 半導体基板の研削装置及び研削方法 |
| US5223001A (en) | 1991-11-21 | 1993-06-29 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Vacuum processing apparatus |
| JP3089519B2 (ja) | 1993-03-01 | 2000-09-18 | 日本電信電話株式会社 | 衛星通信方式 |
| JPH0799295A (ja) | 1993-06-07 | 1995-04-11 | Canon Inc | 半導体基体の作成方法及び半導体基体 |
| JP2662495B2 (ja) | 1993-06-28 | 1997-10-15 | 住友シチックス株式会社 | 接着半導体基板の製造方法 |
| US5668045A (en) | 1994-11-30 | 1997-09-16 | Sibond, L.L.C. | Process for stripping outer edge of BESOI wafers |
| US6113721A (en) | 1995-01-03 | 2000-09-05 | Motorola, Inc. | Method of bonding a semiconductor wafer |
| US5937312A (en) | 1995-03-23 | 1999-08-10 | Sibond L.L.C. | Single-etch stop process for the manufacture of silicon-on-insulator wafers |
| JPH0917984A (ja) | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Sumitomo Sitix Corp | 貼り合わせｓｏｉ基板の製造方法 |
| JP3352896B2 (ja) | 1997-01-17 | 2002-12-03 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせ基板の作製方法 |
| JP3352902B2 (ja) | 1997-02-21 | 2002-12-03 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせ基板の作製方法 |
| JP3132425B2 (ja) | 1997-06-20 | 2001-02-05 | 日本電気株式会社 | 衛星イントラネットサービスにおける通信時間短縮方式 |
| US6153524A (en) | 1997-07-29 | 2000-11-28 | Silicon Genesis Corporation | Cluster tool method using plasma immersion ion implantation |
| JP3367880B2 (ja) * | 1997-08-01 | 2003-01-20 | 三菱重工業株式会社 | 異種材料界面付着エネルギー予測装置 |
| JP3216583B2 (ja) | 1997-08-22 | 2001-10-09 | 住友金属工業株式会社 | 貼り合わせｓｏｉ基板の製造方法 |
| AU9296098A (en) | 1997-08-29 | 1999-03-16 | Sharon N. Farrens | In situ plasma wafer bonding method |
| US6417108B1 (en) | 1998-02-04 | 2002-07-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same |
| US6221774B1 (en) | 1998-04-10 | 2001-04-24 | Silicon Genesis Corporation | Method for surface treatment of substrates |
| US6008113A (en) | 1998-05-19 | 1999-12-28 | Kavlico Corporation | Process for wafer bonding in a vacuum |
| JP3635200B2 (ja) | 1998-06-04 | 2005-04-06 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
| JPH11354761A (ja) | 1998-06-09 | 1999-12-24 | Sumitomo Metal Ind Ltd | Ｓｏｉ基板及びその製造方法 |
| US20020187595A1 (en) | 1999-08-04 | 2002-12-12 | Silicon Evolution, Inc. | Methods for silicon-on-insulator (SOI) manufacturing with improved control and site thickness variations and improved bonding interface quality |
| JP3632531B2 (ja) | 1999-11-17 | 2005-03-23 | 株式会社デンソー | 半導体基板の製造方法 |
| EP1189266B1 (fr) | 2000-03-29 | 2017-04-05 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede d'obtention de tranches de silicium ou de soi et tranches ainsi obtenues |
| JP4822577B2 (ja) | 2000-08-18 | 2011-11-24 | 東レエンジニアリング株式会社 | 実装方法および装置 |
| AU2001293125A1 (en) | 2000-09-27 | 2002-04-08 | Strasbaugh, Inc. | Tool for applying resilient tape to chuck used for grinding or polishing wafers |
| US6813958B2 (en) * | 2001-06-21 | 2004-11-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Method for combinatorially measuring adhesion strength |
| JP4093793B2 (ja) | 2002-04-30 | 2008-06-04 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの製造方法及びウエーハ |
| FR2874455B1 (fr) | 2004-08-19 | 2008-02-08 | Soitec Silicon On Insulator | Traitement thermique avant collage de deux plaquettes |
| DE10231383A1 (de) * | 2002-07-09 | 2004-02-05 | Universität Göttingen | Verfahren zur Bestimmung der Hafteigenschaften von Materialien |
| US6958255B2 (en) | 2002-08-08 | 2005-10-25 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Micromachined ultrasonic transducers and method of fabrication |
| JP4556158B2 (ja) | 2002-10-22 | 2010-10-06 | 株式会社Sumco | 貼り合わせｓｏｉ基板の製造方法および半導体装置 |
| US6790748B2 (en) | 2002-12-19 | 2004-09-14 | Intel Corporation | Thinning techniques for wafer-to-wafer vertical stacks |
| US7176528B2 (en) | 2003-02-18 | 2007-02-13 | Corning Incorporated | Glass-based SOI structures |
| US7399681B2 (en) | 2003-02-18 | 2008-07-15 | Corning Incorporated | Glass-based SOI structures |
| JP4066889B2 (ja) | 2003-06-09 | 2008-03-26 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | 貼り合わせ基板およびその製造方法 |
| US7625808B2 (en) | 2003-09-01 | 2009-12-01 | Sumco Corporation | Method for manufacturing bonded wafer |
| FR2860842B1 (fr) | 2003-10-14 | 2007-11-02 | Tracit Technologies | Procede de preparation et d'assemblage de substrats |
| JP4744855B2 (ja) | 2003-12-26 | 2011-08-10 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
| US7442992B2 (en) | 2004-05-19 | 2008-10-28 | Sumco Corporation | Bonded SOI substrate, and method for manufacturing the same |
| US7018877B1 (en) * | 2004-09-28 | 2006-03-28 | Palo Alto Research Center | Selective delamination of thin-films by interface adhesion energy contrasts and thin film transistor devices formed thereby |
| JP4918229B2 (ja) | 2005-05-31 | 2012-04-18 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウエーハの製造方法 |
| JP5122731B2 (ja) | 2005-06-01 | 2013-01-16 | 信越半導体株式会社 | 貼り合わせウェーハの製造方法 |
| JP4107316B2 (ja) | 2005-09-02 | 2008-06-25 | 株式会社日立プラントテクノロジー | 基板貼合装置 |
| US7705342B2 (en) | 2005-09-16 | 2010-04-27 | University Of Cincinnati | Porous semiconductor-based evaporator having porous and non-porous regions, the porous regions having through-holes |
| KR100755368B1 (ko) | 2006-01-10 | 2007-09-04 | 삼성전자주식회사 | 3차원 구조를 갖는 반도체 소자의 제조 방법들 및 그에의해 제조된 반도체 소자들 |
| US20080044984A1 (en) | 2006-08-16 | 2008-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Methods of avoiding wafer breakage during manufacture of backside illuminated image sensors |
| US7473909B2 (en) | 2006-12-04 | 2009-01-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Use of ion induced luminescence (IIL) as feedback control for ion implantation |
| FR2912839B1 (fr) | 2007-02-16 | 2009-05-15 | Soitec Silicon On Insulator | Amelioration de la qualite de l'interface de collage par nettoyage froid et collage a chaud |
| JP5143477B2 (ja) | 2007-05-31 | 2013-02-13 | 信越化学工業株式会社 | Ｓｏｉウエーハの製造方法 |
| FR2935537B1 (fr) | 2008-08-28 | 2010-10-22 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'initiation d'adhesion moleculaire |
| FR2935536B1 (fr) | 2008-09-02 | 2010-09-24 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de detourage progressif |
| FR2935535B1 (fr) | 2008-09-02 | 2010-12-10 | S O I Tec Silicon On Insulator Tech | Procede de detourage mixte. |
| WO2010057068A2 (fr) | 2008-11-16 | 2010-05-20 | Suss Microtec, Inc. | Procédé et appareil de liaison de plaquette à connexion de plaquette améliorée |
| EP2200077B1 (fr) | 2008-12-22 | 2012-12-05 | Soitec | Procédé pour la liaison de deux substrats |
| FR2961630B1 (fr) | 2010-06-22 | 2013-03-29 | Soitec Silicon On Insulator Technologies | Appareil de fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
| US8338266B2 (en) | 2010-08-11 | 2012-12-25 | Soitec | Method for molecular adhesion bonding at low pressure |
-
2010
- 2010-08-24 FR FR1056719A patent/FR2964193A1/fr not_active Withdrawn
- 2010-10-22 US US12/910,023 patent/US8429960B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-08-23 TW TW100130148A patent/TW201221935A/zh unknown
- 2011-08-23 WO PCT/EP2011/064481 patent/WO2012025532A1/fr not_active Ceased
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537884A (en) * | 1992-05-18 | 1996-07-23 | Hitachi, Ltd. | Method for measuring adhesion strength of resin material |
| US5696327A (en) * | 1994-11-23 | 1997-12-09 | Regents Of The University Of Minnesota | Method and apparatus for separating a thin film from a substrate |
| US6117695A (en) * | 1998-05-08 | 2000-09-12 | Lsi Logic Corporation | Apparatus and method for testing a flip chip integrated circuit package adhesive layer |
| US6523419B1 (en) * | 1999-04-02 | 2003-02-25 | Kabushiki Kaisha Arctek | Electrode tensile test method and apparatus, substrate/probe support device for electrode tensile test, and electrode-probe bonding device for electrode tensile test |
| US6616332B1 (en) * | 1999-11-18 | 2003-09-09 | Sensarray Corporation | Optical techniques for measuring parameters such as temperature across a surface |
| WO2003008938A2 (fr) * | 2001-07-16 | 2003-01-30 | Siemens Aktiengesellschaft | Procede permettant de determiner l'adherence d'un revetement applique sur un composant |
| WO2003019157A1 (fr) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | Symyx Technologies, Inc. | Testage en serie, rapide et a haut debit de proprietes mecaniques de materiautheques |
| US20070039395A1 (en) * | 2004-03-05 | 2007-02-22 | Vijay Gupta | Glass-modified stress waves for separation of ultra thin films and nanoelectronics device fabrication |
| US20070237448A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Honda Motor Co., Ltd. | Method for inspecting peeling in adhesive joint |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20120048007A1 (en) | 2012-03-01 |
| TW201221935A (en) | 2012-06-01 |
| WO2012025532A1 (fr) | 2012-03-01 |
| US8429960B2 (en) | 2013-04-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2964193A1 (fr) | Procede de mesure d'une energie d'adhesion, et substrats associes | |
| EP3058602B1 (fr) | Capteur sensible à la pression par déformation d'une couche piézoélectrique ridée | |
| FR2914422A1 (fr) | Procede de detection de defauts de surface d'un substrat et dispositif mettant en oeuvre ledit procede. | |
| EP0408456A1 (fr) | Carte à microcircuit protégée contre l'intrusion | |
| EP3707503A1 (fr) | Contrôle de sante d'une structure industrielle | |
| FR2985812A1 (fr) | Procede et dispositif de test de substrats semi-conducteurs pour applications radiofrequences | |
| EP2434280A2 (fr) | Contrôle non destructif d'une structure dans un aéronef | |
| FR2955654A1 (fr) | Systeme et procede d'evaluation de deformations inhomogenes dans des plaques multicouches | |
| WO2015073873A1 (fr) | Procédés de mesure en plan de contraintes d'un substrat | |
| CA2152887C (fr) | Procede de caracterisation non destructif de l'etat de surface d'une piece | |
| EP2030231B1 (fr) | Procede et dispositif de suivi d'un traitement thermique d'un substrat microtechnologique | |
| FR2863357A1 (fr) | Dispositif de mesure d'energie rayonnante ameliore a deux positions | |
| EP2960657A1 (fr) | Procede de caracterisation d'un dispositif de connexion electrique destine a etre contacte a un dispositif electronique | |
| EP3771879A1 (fr) | Dispositif de détection et de caractérisation d'un encrassement apte à se former sur une paroi soumise à un échange thermique | |
| EP0209476A2 (fr) | Procédé et dispositif de détection d'apparition et de quantification d'évolution de fissures à la surface d'un matériau | |
| FR2781931A1 (fr) | Thermopiles a thermojonctions du type distribuees, fluxmetres thermiques radiatif et conductif mettant en oeuvre ces thermopiles, ainsi que leurs procedes de fabrication | |
| EP3502676B1 (fr) | Méthode de détermination du coefficient de dilatation thermique d'un film mince cristallin par diffraction | |
| FR2977034A1 (fr) | Capteur de mesure calorimetrique differentielle et procede de fabrication | |
| EP3365929A1 (fr) | Procédé de fabrication d'une structure hybride | |
| WO2021099727A1 (fr) | Procédé de détection de défaut par focalisation d'ondes ultrasonores générés par impulsion laser | |
| KR100877216B1 (ko) | 엑스선 감지 액정소자 및 그 제조 방법 | |
| CA3041166C (fr) | Procede de controle non destructif par ultrasons d'un assemblage colle | |
| WO2023281101A1 (fr) | Procédé de génération d'une carte représentative de zones mécaniquement altérées d'un adhesif au sein d'un assemblage collé de matériaux composites, dispositif et programme d'ordinateur correspondants | |
| FR2993972A1 (fr) | Dispositif de determination d'un ensemble de donnees spatiales d'epaisseur d'une couche mince a la surface d'un substrat, par mesure d'emission infra-rouge | |
| FR2914495A1 (fr) | Amelioration de la qualite d'une couche mince par recuit thermique haute temperature. |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| CD | Change of name or company name |
Owner name: SOITEC, FR Effective date: 20120423 |
|
| PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 6 |
|
| ST | Notification of lapse |
Effective date: 20170428 |