FR92860E - Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs dits tecnetrons a résistance négative et aux procédés de leur fabrication. - Google Patents
Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs dits tecnetrons a résistance négative et aux procédés de leur fabrication.Info
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K3/00—Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
- H03K3/02—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
- H03K3/353—Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use, as active elements, of field-effect transistors with internal or external positive feedback
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
- H10D30/80—FETs having rectifying junction gate electrodes
- H10D30/83—FETs having PN junction gate electrodes
- H10D30/831—Vertical FETs having PN junction gate electrodes
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| US6459108B1 (en) | 1997-04-25 | 2002-10-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Semiconductor configuration and current limiting device |
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