HK100596A - Procedure for annealing of semiconductors - Google Patents

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Claims (5)

  1. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, qui comprend l'étape consistant à soumettre à une Recuisson Thermique Rapide (RTR) une tranche de matériau semi-conducteur ayant des ions dopants implantés dans au moins une zone choisie d'au moins une de ses surfaces et une couche de matériau d'encapsulation sur ladite surface, ledit matériau semi-conducteur étant choisi parmi les matériaux semi-conducteurs composés III-V et II-VI, ladite RTR incluant au moins une étape de recuisson principale consistant à soumettre la tranche à une température et pendant un temps suffisant pour retirer les dégâts occasionnés à ladite surface par l'implantation d'ions et pour faire agir les ions dopants dans au moins une dite zone choisie de ladite surface de la tranche, caractérisé par l'étape consistant à    avant ladite RTR, enfermer la tranche dans une cavité d'un conteneur, appelé ici "boîte noire", comprenant une embase (10), une paroi latérale annulaire (11) et un couvercle (12), lesdits embase, paroi latérale et couvercle comprenant un matériau encore noir stable dans les conditions de recuisson, le matériau encore noir de l'embase, de la paroi latérale et du couvercle de la boîte noire comprenant un matériau choisi à partir du graphite et du silicium,    les surfaces internes de ladite boîte noire étant encapsulées avec une couche de matériau d'encapsulation qui peut ou ne peut pas être similaire au matériau d'encapsulation sur ladite au moins une surface de la tranche, le matériau d'encapsulation sur lesdites surfaces internes étant choisi dans le groupe incluant le verre de phosphosilicate, le verre de borosilicate, un verre consistant en 3 % de B₂O₃, 1 % de Al₂O₃ et 96 % de SiO₂, en poids (par ex. Vycor® ) et SiO₂,    CARACTERISE EN CE QUE    ladite RTR inclut une étape de pré-recuisson précédant ladite étape de recuisson principale, l'étape de pré-recuisson étant menée à une température fixe et pendant un temps suffisant pour préchauffer non seulement la boîte noire, mais aussi la tranche à l'intérieur de la boîte noire de façon à réduire tout choc thermique occasionné au matériau semi-conducteur qui pourrait résulter de la température plus élevée de l'étape de recuisson principale, et une étape de post-recuisson suivant l'étape de recuisson principale, l'étape de post-recuisson étant menée à une température et pendant un temps suffisant pour alléger les contraintes qui pourraient résulter de l'étape de recuisson principale, suivie par un refroidissement et dans laquelle,    quand ledit matériau semi-conducteur composé comprend GaAs, ladite RTR inclut une exposition à la boîte noire avec la tranche qui s'y trouve à la suite de la pré-recuisson à des températures allant de 625°C à 675°C pour une durée de 20 à 40 secondes, l'étape de recuisson principale à une température de pointe dans une gamme allant de 900°C à 1000°C pour une durée de 5 à 20 secondes et la post-recuisson à des températures allant de 825°C à 875°C pour une durée de 25 à 35 secondes, suivie par un refroidissement à un taux allant de 5°C et 50°C par seconde.
  2. Procédé de la revendication 1 caractérisé en ce que ledit semi-conducteur composé est GaAs, ladite RTR inclut l'exposition de la boîte noire avec la tranche qui s'y trouve à la suite de la pré-recuisson à une température d'environ 650°C pendant environ 30 secondes, à la recuisson principale à une température de pointe d'environ 950°C pendant environ 10 secondes et à la post-recuisson à une température d'environ 850°C pendant environ 30 secondes, suivi dudit refroidissement.
  3. Procédé de la revendication 1 ou 2 caractérisé en ce que ledit refroidissement s'effectue à un taux allant jusqu'à 30°C par seconde.
  4. Procédé de la revendication 1 ou 2 caractérisé en ce que ledit refroidissement s'effectue à un taux d'environ 10°C par seconde.
  5. Procédé de l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le matériau d'encapsulation comprend du verre de phosphosilicate comprenant du P₂O₅ au taux de 2-10 moles pourcent.
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