HK73895A - A semiconductor substrate having a superconducting thin film - Google Patents

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HK73895A
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Hideo Itozaki
Keizo Harada
Naoji Fujimori
Shuji Yazu
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Sumitomo Electric Industries, Ltd.
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Claims (13)

  1. Halbleitersubstrat mit einem Oxidsubstrat, einer Dünnfilmschicht aus einem Oxidsupraleiter, der auf der gesamten Oberfläche des Oxidsubstrats vorgesehen ist und diese bedeckt, und einer Dünnfilmschicht eines Mischhalbleiters (Compound-Halbleiters), der auf der gesamten Oberfläche der Dünnfilmschicht des Oxidsupraleiters vorgesehen ist und diese bedeckt, wobei eine Pufferschicht zwischen der Dünnfilmschicht des Mischhalbleiters und der Dünnfilmschicht des Supraleiters vorgesehen ist.
  2. Substrat nach Anspruch 1, bei der der Mischhalbleiter aus der durch GaAs, InP, InSb, ZnSe, CdTe, SiC, GaP, HgCdTe, GaAlAs, GaInAs, InAlAs and InGaAsP gebildeten Gruppe ausgewählt ist.
  3. Substrat nach Anspruch 1, wobei die Gitterparameter der Pufferschicht denen der Dünnfilmschicht des Halbleiters ähnlich sind.
  4. Substrat nach Anspruch 1, bei dem die Pufferschicht aus Platin hergestellt ist.
  5. Substrat nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Supraleiter ein Hoch-Tc-Supraleiter mit Kupfergehalt ist.
  6. Substrat nach Anspruch 5, bei dem der Supraleiter ein Mischoxid der allgemeinen Formel ist:         (α1-xβx)CuyOz worin α mindestens ein Element aus der Gruppe IIa ist und β mindestens ein Element aus der Gruppe IIIa ist, x ein Atomverhältnis von β in Bezug auf (α + β) ist und einem Bereich von 0,1 ≦ x ≦ 0,9 entspricht und y und z jeweilige Atomverhältnisse im Bezug auf (α1-xβx) sind, was annahmegemäß gleich 1 ist und die jeweils 0,4 ≦ y ≦ 3,0 bzw. 1 ≦ z ≦ 5 entsprechen.
  7. Substrat nach Anspruch 6, bei dem der Supraleiter ein Mischoxid der allgemeinen Formel ist:         (La1-xαx)₂CuO₄ worin α Ba oder Sr bedeutet.
  8. Substrat nach Anspruch 5, bei dem der Supraleiter eine Kristallstruktur von Perovskit oder Perovskit mit Sauerstoffmangel besitzt.
  9. Substrat nach Anspruch 5, bei dem der Supraleiter ein Mischoxid der allgemeinen Formel ist:         Ln₁Ba₂Cu₃O7 - 8 worin Ln mindestens ein Lanthaniden-Element bedeutet, das aus der durch La, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Y, Er, Yb, Tm und Lu gebildeten Gruppe ausgewählt ist, und δ eine Zahl ist, die dem Bereich 0 ≦ δ ≦ 1 entspricht.
  10. Substrat nach Anspruch 9, worin Ln Y, Er, Ho oder Dy ist.
  11. Substrat nach Anspruch 9, worin das Mischoxid zusätzlich mindestens ein Element aus der durch Al, Fe, Co, Ni, Zn, Ag und Ti gebildeten Gruppe enthält.
  12. Substrat nach Anspruch 5, worin der Supraleiter ein Mischoxid der allgemeinen Formel ist:         Θ₄(Φ1-qCaq)mCunOp+r worin Θ Bi oder Tl bedeutet; Φ Sr bedeutet, wenn Θ Bi bedeutet, und Ba bedeutet, wenn Θ Tl ist, m und n Zahlen sind, die 6 ≦ m ≦ 10 bzw. 4 ≦ n ≦ 8 entsprechen, p = (6+m+n) , q eine Zahl ist, die dem Bereich von 0 < q < 1 entspricht und r eine Zahl ist, die dem Bereich von -2 ≦ r ≦ +2 entspricht.
  13. Substrat nach Anspruch 1, wobei das Oxidsubstrat aus einem Einkristall von MgO, SrTiO₃, Al₂O₃, LiNbO₃, LiTaO₃ oder ZrO₂ hergestellt ist.
HK73895A 1987-12-25 1995-05-11 A semiconductor substrate having a superconducting thin film HK73895A (en)

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DE3850084T2 (de) 1995-01-19
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