HK73895A - A semiconductor substrate having a superconducting thin film - Google Patents

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HK73895A
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Keizo Harada
Naoji Fujimori
Shuji Yazu
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Sumitomo Electric Industries, Ltd.
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Claims (13)

  1. Substrat semi-conducteur comprenant un substrat d'oxyde, une mince couche en pellicule d'oxyde supraconducteur déposée sur et recouvrant toute la surface dudit substrat oxyde, et une mince couche en pellicule de composé semi-conducteur déposée sur et recouvrant toute la surface de ladite mince couche en pellicule d'oxyde supraconducteur, une couche tampon étant interposée entre ladite mince couche en pellicule de composé semi-conducteur et ladite mince couche en pellicule de supraconducteur.
  2. Substrat selon la revendication 1 dans lequel ledit composé semi-conducteur est choisi dans le groupe constitué par GaAs, InP, InSb, ZnSe, CdTe, SiC, GaP, HgCdTe, GaAlAs, GaInAs, InAlAs, et InGaAsP.
  3. Substrat selon la revendication 1 dans lequel les paramètres du réseau de ladite couche tampon sont semblables à ceux de ladite mince couche en pellicule de semiconducteur .
  4. Substrat selon la revendication 1 dans lequel ladite couche tampon est faite de platine.
  5. Substrat selon une quel conque des revendications 1 à 4 dans lequel ledit supraconducteur est un supraconducteur contenant du cuivre à haute teneur en Tc.
  6. Substrat selon la revendication 5 dans lequel ledit supraconducteur est un composé d'oxyde repésenté par la formule générale :         (α1-xβx)CuyOz dans laquelle α est au moins un élément choisi dans le groupe IIa et β est au moins un élément choisi dans le groupe IIIa, "x" est le rapport atomique de β à (α+β) et a un intervalle de 0,1≦x≦0,9 , et y et z sont les rapports atomiques respectifs relativement à ( α 1-xβx) qui est considéré comme étant égal à 1 , chacun satisfaisant à 0,4≦y≦3,0 et 1≦z≦5 .
  7. Substrat selon la revendication 6 dans lequel ledit supraconducteur est un composé d'oxyde représenté par la formule générale :         (La1-xαx)₂CuO₄ dans laquelle α représente Ba ou Sr.
  8. Substrat selon la revendication 5 dans lequel ledit supraconducteur a une structure cristalline de pérovskite ou de pérovskite déficient en oxygène.
  9. Substrat selon la revendication 5 dans lequel ledit supraconducteur est un composé oxyde représenté par la formule générale:         Ln₁Ba₂CU₃O7-δ dans laquelle "Ln" représente au moins un élément lanthanide choisi dans le groupe comprenant La, Nd, Sm, Eu, Gd, Dy, Ho, Y, Er, Yb, Tm et Lu et δ est un nombre satisfaisant à l'intervalle 0≦δ<1 .
  10. Substrat selon la revendication 9 dans lequel "Ln" représente Y, Er, Ho ou Dy.
  11. Substrat selon la revendication 9 dans lequel ledit composé oxyde contient en outre au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Al, Fe, Co, Ni, Zn, Ag, et Ti.
  12. Substrat selon la revendication 5 dans lequel ledit supraconducteur est un composé d'oxyde représenté par la formule générale:         Θ₄(Φ1-q,Caq)mCunOp+r dans laquelle Θ représente Bi ou Tl, Φ représente Sr lorsque Θ représente Bi et représente Ba lorsque représente Θ représente Tl, "m" et "n" sont des nombres satisfaisants chacun à 6≦m≦10 et 4≦n≦8 respectivement, p=(6+m+n) , "q" est un nombre satisfaisant à l'intervalle 0<q<1 , et "r" est un nombre satisfaisant à l'intervalle -2≦r≦+2 .
  13. Substrat selon la revendication 1 dans lequel ledit substrat oxyde est fait d'un seul cristal de MgO, SrTiO₃, Al₂O₃, LiNbO₃, LiTaO₃ ou ZrO₂ .
HK73895A 1987-12-25 1995-05-11 A semiconductor substrate having a superconducting thin film HK73895A (en)

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DE3850084T2 (de) 1995-01-19
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