HK85295A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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HK85295A
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HK
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bias voltage
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HK85295A
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Katsuyuki Sato
Kazumasa Yanagisawa
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Hitachi, Ltd.
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Claims (20)

  1. Dispositif à circuits intégrés à semiconducteurs comprenant :    un premier circuit qui comprend des transistors à effet de champ à grille isolée (Qm) possédant une région de substrat commune, à laquelle une tension de polarisation arrière (-Vbb) est appliquée, le fonctionnement dudit premier circuit étant commandé par un signal de commande (RAS1), et    un circuit (Vbb-G) pour produire une tension de polarisation arrière (-Vbb), la capacité de délivrance de courant dudit circuit (Vbb-G) de production de la tension de polarisation arrière étant modifiée sur la base dudit signal de commande (RAS1) pendant la période pendant laquelle ledit premier circuit fonctionne,    caractérisé en ce    qu'il est prévu un circuit de détection de niveau (VLD) pour détecter le niveau de ladite tension de polarisation arrière (-Vbb), ladite capacité de sortie de courant étant également modifiée sur la base du signal de détection dudit circuit de détection de niveau (VLD), et    que ledit circuit (Vbb-G) de production de la tension de polarisation arrière comprend un premier circuit redresseur délivrant ladite tension de polarisation arrière et comprenant un condensateur (C1) et une pluralité d'éléments redresseurs (Q18,Q19) et un circuit de commande (G1) pour commander des signaux impulsionnels envoyés audit premier circuit redresseur en réponse audit signal de sortie dudit circuit de détection de niveau (VLD) et audit signal de commande (RAS1).
  2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel ledit circuit (Vbb-G) de production de la tension de polarisation arrière comprend un second circuit redresseur comprenant un condensateur (C2) et une pluralité d'éléments redresseurs (Q20,Q21) et recevant des signaux impulsionnels périodiques.
  3. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel ledit signal impulsionnel devant être envoyé audit premier circuit redresseur est réglé à un niveau tel que ledit condensateur (Cl) dudit premier circuit redresseur est placé dans un état de précharge lorsque ledit signal de commande (RASl) est à un niveau tel qu'il rend inactif le premier circuit.
  4. Dispositif selon la revendication 2 ou 3, dans lequel ledit circuit (Vbb-G) de production de la tension de polarisation arrière comprend un premier circuit oscillateur (OSC2) pour produire des signaux impulsionnels devant être envoyés audit second circuit redresseur et un second circuit oscillateur (OSC1) dont le fonctionnement est commandé en réponse à un signal de fonctionnement produit par ledit circuit de commande (G1), et produisant des signaux impulsionnels devant être envoyés audit premier circuit redresseur.
  5. Dispositif selon la revendication 4, dans lequel ledit second circuit oscillateur (OSC1) comprend un oscillateur en anneau formant une boucle de réaction sur la base dudit signal de commande (RAS1).
  6. Dispositif selon la revendication 4 ou 5, dans lequel ledit circuit de commande (G1) produit ledit signal de commande de fonctionnement pour rendre ledit second circuit oscillateur (OSC1) actif sur la base dudit signal de commande de fonctionnement pendant la période pendant laquelle ledit premier circuit est actif et pendant la période pendant laquelle ledit signal de détection est produit.
  7. Dispositif selon la revendication 6, dans lequel ledit circuit de détection de niveau (VLD) comprend un circuit de décalage de niveau (Q10...Q14) pour produire une tension de sortie à niveau décalé par rapport à ladite tension de polarisation arrière (-Vbb) lors de la réception de ladite tension de polarisation arrière, et un circuit discriminateur de niveau (Q4...Q17, IVo) recevant le signal de sortie dudit circuit de décalage de niveau.
  8. Dispositif selon la revendication 7, dans lequel ledit circuit de décalage de niveau comprend une pluralité d'éléments de décalage de niveau (Q12...Q14) comprenant chacun un transistor à effet de champ à grille isolée, branché en diode, ces transistors étant branchés en série, et un élément de polarisation (Q10,Q11).
  9. Dispositif selon la revendication 7 ou 8, dans lequel ledit circuit discriminateur de niveau comprend un circuit à hystérésis (Q15...Q17, IVo).
  10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 9, dans lequel la fréquence d'oscillations dudit premier circuit oscillateur (OSC2) est inférieure à celle dudit second circuit oscillateur (OSC1).
  11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel ledit premier circuit comprend une mémoire (MARY), dont le fonctionnement est commandé par ledit signal de commande (RAS1).
  12. Dispositif selon la revendication 11, dans lequel ladite mémoire (MARY) comprend une mémoire à accès direct de type dynamique, et ledit signal de commande (RAS1) est un signal de sélection de microplaquette (RAS1).
  13. Dispositif selon la revendication 12, dans lequel ladite mémoire à accès direct de type dynamique (MARY) est rendue active au moment de la sélection de microplaquette déterminée par ledit signal de sélection de microplaquette (RAS1) et au moment d'une opération de régénération déterminée par un signal de commande de régénération (φref), et ledit circuit de commande (G1) produit ledit signal de commande de fonctionnement pour rendre actif ledit second circuit oscillateur (OSC1) en synchronisme avec l'état de fonctionnement de ladite mémoire à accès direct de type dynamique, sur la base dudit signal de sélection de microplaquette (RAS1) et dudit signal de commande de régénération (φref).
  14. Dispositif selon la revendication 13, dans lequel ledit circuit de commande (G1) produit ledit signal de commande de fonctionnement pour rendre actif ledit second circuit oscillateur (OSC1) pendant la période pendant laquelle ladite mémoire à accès direct de type dynamique (MARY) est rendue active sur la base dudit signal de sélection de microplaquette (RAS1) et dudit signal de commande de régénération (φref), et pendant la période pendant laquelle le signal de détection est produit par ledit circuit de détection de niveau (VLD).
  15. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel ledit circuit (Vbb-G) de production de la tension de polarisation comprend un circuit oscillateur commun (OSC) produisant des signaux impulsionnels devant être envoyés auxdits premier et second circuits redresseurs (CPC2,CPC1), auxdits circuits de commande et auxdits premier et second circuits redresseurs, et dans lequel ledit circuit de commande comprend un circuit de porte (G7) empêchant le fonctionnement dudit premier circuit redresseur (CPC2) lorsque ledit premier circuit est rendu actif.
  16. Dispositif selon la revendication 15, dans lequel ledit circuit de porte (G7) est disposé entre la borne de sortie dudit circuit oscillateur (OSC) et la borne d'entrée dudit premier circuit redresseur (CPC2), et le fonctionnement dudit circuit de porte (G7) est commandé par ledit signal de commande.
  17. Dispositif selon la revendication 15 ou 16, dans lequel ledit circuit de porte (G7) empêche le fonctionnement dudit premier circuit redresseur (CPC2) lorsque ledit premier circuit est rendu actif et lorsque le signal de détection (VD) n'est pas produit par ledit circuit de détection de niveau (VLD).
  18. Dispositif selon la revendication 17, dans lequel ledit circuit de détection de niveau (VLD) comprend un circuit de décalage de niveau (Q26...Q29) produisant une tension de sortie dont le niveau est décalé par rapport à ladite tension de polarisation arrière (-Vbb) lors de la réception de ladite tension de polarisation arrière, et un circuit discriminateur de niveau (IV10) recevant le signal de sortie dudit circuit de décalage de niveau.
  19. Dispositif selon la revendication 18, dans lequel ledit circuit de décalage de niveau comprend une pluralité d'éléments de décalage de niveau (Q27...Q29),dont chacun comprend un transistor à effet de champ à grille isolée, ces transistors étant branchés en série entre eux, et un élément de polarisation (Q26) appliquant un courant de polarisation audit élément de décalage de niveau.
  20. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel ledit circuit (Vbb-G) de production de la tension de polarisation arrière comprend    ledit premier circuit redresseur (C6, Q35, Q36) comprenant un premier condensateur (C6) qui augmente le niveau de précharge d'un second condensateur (C5) lorsque ledit premier circuit redresseur est rendu actif en réponse audit signal de commande (VCN2) envoyé à un circuit de porte (G8);    ledit second circuit redresseur (C5, Q37, Q38)comprenant ledit second condensateur (C5) qui est préchargé en réponse à un premier niveau d'un signal impulsionnel périodique et qui applique un potentiel de polarisation à ladite région de substrat commune, en un premier noeud (N1) en réponse à un second niveau dudit signal impulsionnel, un premier circuit de commutation (Q36) raccordé audit premier noeud (N1) et formant un trajet préchargé pour ledit second condensateur (C5), et un second circuit de commutation (Q38) disposé entre ledit premier noeud (N1) et ladite région de substrat commune et tenu de fonctionner d'une manière sensiblement complémentaire par rapport audit premier circuit de commutation (Q37).
HK85295A 1984-08-31 1995-06-01 Semiconductor integrated circuit device HK85295A (en)

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