HK85295A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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Claims (20)
- Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung, umfassend eine erste Schaltung mit Isolierschicht-Feldeffekttransistoren (Qm) mit einem gemeinsamen Substratbereich, an dem eine Substratvorspannung (-Vbb) liegt, wobei der Betrieb der ersten Schaltung durch ein Steuersignal (
RAS1 ) gesteuert wird, und eine Schaltung (Vbb-G) zur Erzeugung der Substratvorspannung (-Vbb), wobei die Stromausgangskapazität der diese Vorspannung erzeugenden Schaltung (Vbb-G) während der Periode, in der die erste Schaltung in Betrieb ist, aufgrund des Steuersignals (RAS1 ) geändert wird, dadurch gekennzeichnet, daß eine Pegeldetektorschaltung (VLD) zur Erfassung des Pegels der Substratvorspannung (-Vbb) vorgesehen ist, wobei die Stromausgangskapazität auch aufgrund des Erfassungssignals der Pegeldetektorschaltung (VLD) geändert wird, und daß die die Substratvorspannung erzeugende Schaltung (Vbb-G) eine diese Vorspannung abgebende erste Gleichrichterstufe mit einem Kondensator (C1) und mehreren Gleichrichterelementen (Q18, Q19) sowie eine Steuerschaltung (G1) zur Steuerung von Impulssignalen umfaßt, die in Abhängigkeit vom Ausgangssignal der Pegeldetektorschaltung (VLD) und vom Steuersignal (RAS1 ) der ersten Gleichrichterstufe zugeführt werden. - Anordnung nach Anspruch 1, wobei die die Substratvorspannung erzeugende Schaltung (Vbb-G) eine periodische Impulssignale empfangende zweite Gleichrichterstufe mit einem Kondensator (C2) und mehreren Gleichrichterelementen (Q20, Q21) umfaßt.
- Anordnung nach Anspruch 2, wobei das der ersten Gleichrichterstufe zuzuführende Impulssignal auf einen derartigen Pegel gelegt ist, daß der Kondensator (C1) der ersten Gleichrichterstufe in einen Voraufladezustand gelangt, wenn das Steuersignal (
RAS1 ) sich auf einem derartigen Pegel befindet, daß die erste Schaltung nicht in Betrieb ist. - Anordnung nach Anspruch 2 oder 3, wobei die die Substratvorspannung erzeugende Schaltung (Vbb-G) eine erste Oszillatorschaltung (OSC2) zur Erzeugung von der zweiten Gleichrichterstufe zuzuführenden Impulssignalen und eine zweite Oszillatorschaltung (OSC1) umfaßt, deren Betrieb in Abhängigkeit von einem von der Steuerschaltung (G1) erzeugten Steuersignal gesteuert ist und die Impulssignale zur Zuführung an die erste Gleichrichterstufe erzeugt.
- Anordnung nach Anspruch 4, wobei die zweite Oszillatorschaltung (OSC1) einen Ringoszillator umfaßt, der aufgrund des Steuersignals (
RAS1 ) eine Rückkopplungsschleife bildet. - Anordnung nach Anspruch 4 oder 5, wobei die Steuerschaltung (G1) das Betriebssteuersignal erzeugt, um aufgrund dessen während der Periode, in der die erste Schaltung in Betrieb ist, sowie während der Periode, in der das Erfassungssignal erzeugt wird, die zweite Oszillatorstufe (OSC1) in Betrieb zu setzen.
- Anordnung nach Anspruch 6, wobei die Pegeldetektorschaltung (VLD) eine Pegelschiebestufe (Q10...Q14), die bei Empfang der Substratvorspannung (-Vbb) eine bezüglich derselben im Pegel verschobene Ausgangsspannung erzeugt, sowie eine Pegeldiskriminatorstufe (Q15...Q17, IVo) umfaßt, die das Ausgangssignal der Pegelschiebestufe empfängt.
- Anordnung nach Anspruch 7, wobei die Pegelschiebestufe mehrere Pegelschiebeelemente (Q12...Q14), deren jedes einen Isolierschicht-Feldeffekttransistor in Diodenschaltung aufweist, wobei diese Transistoren in Serie liegen, sowie ein Vorspannungselement (Q10, Q11) umfaßt.
- Anordnung nach Anspruch 7 oder 8, wobei die Pegeldiskriminatorstufe eine Hystereseschaltung (Q15...Q17, IVo) umfaßt.
- Anordnung nach einem der Ansprüche 4 bis 9, wobei die Oszillatorfrequenz der ersten Oszillatorschaltung (OSC2) niedriger ist als die der zweiten Oszillatorschaltung (OSC1).
- Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die erste Schaltung einen Speicher (MARY) aufweist, dessen Betrieb von dem Steuersignal (
RAS1 ) gesteuert ist. - Anordnung nach Anspruch 11, wobei der Speicher (MARY) einen dynamischen Random-Access-Speicher umfaßt und das Steuersignal (
RAS1 ) ein Chip-Auswahlsignal (RAS1 ) ist. - Anordnung nach Anspruch 12, wobei der dynamische Random-Access-Speicher (MARY) zu dem durch das Chip-Auswahlsignal (
RAS1 ) bestimmten Zeitpunkt der Chipauswahl sowie zu dem von einem Auffrisch-Steuersignal (φref) bestimmten Zeitpunkt eines Auffrischvorgangs in Betrieb gesetzt wird, und wobei die Steuerschaltung (G1) das Betriebssteuersignal, das die zweite Oszillatorschaltung (OS1) in Betrieb setzt, aufgrund des Chip-Auswahlsignals (RAS1 ) und des Auffrisch-Steuersignals (φref) synchron mit dem Betriebszustand des dynamischen Random-Access-Speichers erzeugt. - Anordnung nach Anspruch 13, wobei die Steuerschaltung (G1) das Betriebssteuersignal erzeugt, um die zweite Oszillatorschaltung (OSC1) während der Periode, in der der dynamische Random-Access-Speicher (MARY) aufgrund des Chip-Auswahlsignals (
RAS1 ) und des Auffrisch-Steuersignals (φref) in Betrieb ist, sowie während der Periode, in der das Erfassungssignal von der Pegeldetektorschaltung (VLD) erzeugt wird, in Betrieb zu setzen. - Anordnung nach Anspruch 2, wobei die die Substratvorspannung erzeugende Schaltung (Vbb-G) eine gemeinsame Oszillatorschaltung (OSC) zur Erzeugung von der ersten und der zweiten Gleichrichterstufe (CPC2, CPC1) zuzuführenden Impulssignalen, die Steuerschaltung und die ersten und die zweite Gleichrichterstufe umfaßt, und wobei die Steuerschaltung eine Torschaltung (G7) aufweist, die den Betrieb der ersten Gleichrichterstufe (CPC2) inhibiert, wenn die erste Schaltung außer Betrieb ist.
- Anordnung nach Anspruch 15, wobei die Torschaltung (G7) zwischen der Ausgangsklemme der Oszillatorschaltung (OSC) und der Eingangsklemme der ersten Gleichrichterstufe (CPC2) angeordnet ist und ihr Betrieb von dem Steuersignal gesteuert wird.
- Anordnung nach Anspruch 15 oder 16, wobei die Torschaltung (G7) den Betrieb der ersten Gleichrichterstufe (CPC2) inhibiert, wenn die erste Schaltung außer Betrieb ist und wenn von der Pegeldetektorschaltung (VLD) das Erfassungssignal (GD) nicht erzeugt wird.
- Anordnung nach Anspruch 17, wobei die Pegeldetektorschaltung (VLD) eine Pegelschiebestufe (Q26...Q29), die bei Empfang der Substratvorspannung (-Vbb) eine bezüglich derselben im Pegel verschobene Ausgansspannung erzeugt, sowie eine Pegeldiskriminatorstufe (IV10) aufweist, die das Ausgangssignal der Pegelschiebestufe empfängt.
- Anordnung nach Anspruch 18, wobei die Pegelschiebestufe mehrere Pegelschiebeelemente (Q27...Q29), deren jedes einen Isolierschicht-Feldeffekttransistor aufweist, wobei diese Transistoren in Serie liegen, sowie ein Vorspannungselement (Q26) umfaßt, das die Pegelschiebeelemente mit einem Vorstrom versorgt.
- Anordnung nach Anspruch 2, wobei die die Substratvorspannung erzeugende Schaltung (Vbb-G) umfaßt: eine erste Gleichrichterstufe (C6, Q35, Q36) mit einem ersten Kondensator (C6), der den Voraufladepegel eines zweiten Kondensators (C5) erhöht, wenn die erste Gleichrichterstufe aufgrund des einer Torschaltung (G8) zugeführten Steuersignals (VCN2) in Betrieb gesetzt wird, und eine zweite Gleichrichterstufe (C5, Q37, Q38), die den zweiten Kondensator (C5), der in Abhängigkeit von einem ersten Pegel eines periodischen Impulssignales voraufgeladen wird und in Abhängigkeit von einem zweiten Pegel dieses Impulssignals dem gemeinsamen Substratbereich an einem ersten Knotenpunkt (N1) ein Vorspannpotential zuführt, eine erste Schaltstufe (Q37), die mit dem ersten Knotenpunkt (N1) verbunden ist und einen Voraufladepfad für den zweiten Kondensator (C5) bildet, sowie eine zweite Schaltstufe (Q38) umfaßt, die zwischen dem ersten Knotenpunkt (N1) und dem gemeinsamen Substratbereich angeordnet ist und im wesentlichen komplementär zu der ersten Schaltstufe (Q37) arbeitet.
Applications Claiming Priority (2)
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Families Citing this family (86)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6159688A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| JPH0618249B2 (ja) * | 1984-10-17 | 1994-03-09 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路 |
| DE8714849U1 (de) * | 1986-12-23 | 1987-12-23 | Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena | Geregelter CMOS-Substratspannungsgenerator |
| US5249159A (en) * | 1987-05-27 | 1993-09-28 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory |
| KR900006192B1 (ko) * | 1987-10-30 | 1990-08-25 | 삼성전자 주식회사 | 백 바이어스 전압 발생기 |
| US4794278A (en) * | 1987-12-30 | 1988-12-27 | Intel Corporation | Stable substrate bias generator for MOS circuits |
| JP2824470B2 (ja) * | 1988-07-05 | 1998-11-11 | 株式会社日立製作所 | ダイナミック型ram |
| KR0134773B1 (ko) * | 1988-07-05 | 1998-04-20 | Hitachi Ltd | 반도체 기억장치 |
| IT1225608B (it) * | 1988-07-06 | 1990-11-22 | Sgs Thomson Microelectronics | Regolazione della tensione prodotta da un moltiplicatore di tensione. |
| JPH0814986B2 (ja) * | 1988-12-08 | 1996-02-14 | 三菱電機株式会社 | リフレッシュ機能内蔵ダイナミック型半導体記憶装置 |
| US4961167A (en) * | 1988-08-26 | 1990-10-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Substrate bias generator in a dynamic random access memory with auto/self refresh functions and a method of generating a substrate bias therein |
| JPH0817033B2 (ja) * | 1988-12-08 | 1996-02-21 | 三菱電機株式会社 | 基板バイアス電位発生回路 |
| JPH02215154A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-28 | Toshiba Corp | 電圧制御回路 |
| KR920010749B1 (ko) * | 1989-06-10 | 1992-12-14 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 집적소자의 내부전압 변환회로 |
| US5341035A (en) * | 1990-06-04 | 1994-08-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Substrate potential generator |
| US5039877A (en) * | 1990-08-30 | 1991-08-13 | Micron Technology, Inc. | Low current substrate bias generator |
| FR2668668B1 (fr) * | 1990-10-30 | 1994-02-04 | Samsung Electronics Co Ltd | Generateur de tension de substrat pour un dispositif a semiconducteurs. |
| JP2724919B2 (ja) * | 1991-02-05 | 1998-03-09 | 三菱電機株式会社 | 基板バイアス発生装置 |
| JPH04255989A (ja) * | 1991-02-07 | 1992-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置および内部電圧発生方法 |
| JPH04259983A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-16 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| US5196739A (en) * | 1991-04-03 | 1993-03-23 | National Semiconductor Corporation | High voltage charge pump |
| KR940004482Y1 (ko) * | 1991-10-10 | 1994-07-04 | 금성일렉트론 주식회사 | 셑 플레이트 전압 초기 셑업회로 |
| DE4237589C2 (de) * | 1991-11-07 | 1999-10-28 | Samsung Electronics Co Ltd | Spannungspumpschaltung |
| KR940008147B1 (ko) * | 1991-11-25 | 1994-09-03 | 삼성전자 주식회사 | 저전력 데이타 리텐션 기능을 가지는 반도체 메모리장치 |
| US5260646A (en) * | 1991-12-23 | 1993-11-09 | Micron Technology, Inc. | Low power regulator for a voltage generator circuit |
| KR950002015B1 (ko) * | 1991-12-23 | 1995-03-08 | 삼성전자주식회사 | 하나의 오실레이터에 의해 동작되는 정전원 발생회로 |
| DE4221575C2 (de) * | 1992-07-01 | 1995-02-09 | Ibm | Integrierter CMOS-Halbleiterschaltkreis und Datenverarbeitungssystem mit integriertem CMOS-Halbleiterschaltkreis |
| KR950003390Y1 (ko) * | 1992-09-24 | 1995-04-27 | 문정환 | 로우 어드레스 스트로브(/ras) 신호의 클램핑 회로 |
| KR950006067Y1 (ko) * | 1992-10-08 | 1995-07-27 | 문정환 | 반도체 메모리 장치 |
| JPH06195971A (ja) * | 1992-10-29 | 1994-07-15 | Mitsubishi Electric Corp | 基板電位発生回路 |
| JPH07105681A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP3110262B2 (ja) * | 1993-11-15 | 2000-11-20 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置のオペレーティング方法 |
| US5461591A (en) * | 1993-12-02 | 1995-10-24 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Voltage generator for semiconductor memory device |
| JP3090833B2 (ja) | 1993-12-28 | 2000-09-25 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
| US6882215B1 (en) * | 1994-01-21 | 2005-04-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate bias generator in semiconductor memory device |
| KR0123849B1 (ko) * | 1994-04-08 | 1997-11-25 | 문정환 | 반도체 디바이스의 내부 전압발생기 |
| US5502671A (en) * | 1994-08-31 | 1996-03-26 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for a semiconductor memory configuration-dependent output buffer supply circuit |
| JP3167904B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2001-05-21 | 日本鋼管株式会社 | 電圧昇圧回路 |
| US5670907A (en) * | 1995-03-14 | 1997-09-23 | Lattice Semiconductor Corporation | VBB reference for pumped substrates |
| JPH08272467A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Mitsubishi Electric Corp | 基板電位発生回路 |
| DE69632098T2 (de) * | 1995-04-21 | 2005-03-24 | Nippon Telegraph And Telephone Corp. | MOSFET Schaltung und ihre Anwendung in einer CMOS Logikschaltung |
| KR0142967B1 (ko) * | 1995-04-26 | 1998-08-17 | 김광호 | 반도체 메모리장치의 기판 전압 제어회로 |
| US6259310B1 (en) * | 1995-05-23 | 2001-07-10 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for a variable negative substrate bias generator |
| US5719890A (en) * | 1995-06-01 | 1998-02-17 | Micron Technology, Inc. | Method and circuit for transferring data with dynamic parity generation and checking scheme in multi-port DRAM |
| US5644215A (en) * | 1995-06-07 | 1997-07-01 | Micron Technology, Inc. | Circuit and method for regulating a voltage |
| US5694072A (en) * | 1995-08-28 | 1997-12-02 | Pericom Semiconductor Corp. | Programmable substrate bias generator with current-mirrored differential comparator and isolated bulk-node sensing transistor for bias voltage control |
| US6822470B2 (en) | 1995-08-30 | 2004-11-23 | Micron Technology, Inc. | On-chip substrate regulator test mode |
| US5880593A (en) | 1995-08-30 | 1999-03-09 | Micron Technology, Inc. | On-chip substrate regulator test mode |
| US5612644A (en) * | 1995-08-31 | 1997-03-18 | Cirrus Logic Inc. | Circuits, systems and methods for controlling substrate bias in integrated circuits |
| US5773999A (en) * | 1995-09-28 | 1998-06-30 | Lg Semicon Co., Ltd. | Output buffer for memory circuit |
| JP3597281B2 (ja) * | 1995-11-28 | 2004-12-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 電位検出回路及び半導体集積回路 |
| JPH09213073A (ja) * | 1996-02-06 | 1997-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路 |
| US5896041A (en) * | 1996-05-28 | 1999-04-20 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for programming anti-fuses using internally generated programming voltage |
| US5841723A (en) * | 1996-05-28 | 1998-11-24 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for programming anti-fuses using an isolated well programming circuit |
| KR100223770B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-10-15 | 김영환 | 반도체 장치의 문턱전압 제어회로 |
| US6064250A (en) * | 1996-07-29 | 2000-05-16 | Townsend And Townsend And Crew Llp | Various embodiments for a low power adaptive charge pump circuit |
| US5883544A (en) * | 1996-12-03 | 1999-03-16 | Stmicroelectronics, Inc. | Integrated circuit actively biasing the threshold voltage of transistors and related methods |
| US5715199A (en) * | 1996-12-23 | 1998-02-03 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Back bias voltage generating circuit |
| US6487207B1 (en) | 1997-02-26 | 2002-11-26 | Micron Technology, Inc. | Shared buffer memory architecture for asynchronous transfer mode switching and multiplexing technology |
| US6300819B1 (en) | 1997-06-20 | 2001-10-09 | Intel Corporation | Circuit including forward body bias from supply voltage and ground nodes |
| US6593799B2 (en) | 1997-06-20 | 2003-07-15 | Intel Corporation | Circuit including forward body bias from supply voltage and ground nodes |
| US6100751A (en) * | 1997-06-20 | 2000-08-08 | Intel Corporation | Forward body biased field effect transistor providing decoupling capacitance |
| US6232827B1 (en) | 1997-06-20 | 2001-05-15 | Intel Corporation | Transistors providing desired threshold voltage and reduced short channel effects with forward body bias |
| US6218895B1 (en) | 1997-06-20 | 2001-04-17 | Intel Corporation | Multiple well transistor circuits having forward body bias |
| KR100319164B1 (ko) * | 1997-12-31 | 2002-04-22 | 박종섭 | 다중레벨검출에의한다중구동장치및그방법 |
| US6172554B1 (en) * | 1998-09-24 | 2001-01-09 | Mosel Vitelic, Inc. | Power supply insensitive substrate bias voltage detector circuit |
| DE19845673A1 (de) * | 1998-10-05 | 2000-04-20 | Fahrzeugklimaregelung Gmbh | Schutzschaltung für einen Leistungs-Feldeffekttransistor (FET) |
| KR100307525B1 (ko) * | 1998-11-26 | 2001-11-15 | 김영환 | 기판전압감지제어회로 |
| US6262585B1 (en) * | 1999-06-14 | 2001-07-17 | Intel Corporation | Apparatus for I/O leakage self-test in an integrated circuit |
| US6448823B1 (en) * | 1999-11-30 | 2002-09-10 | Xilinx, Inc. | Tunable circuit for detection of negative voltages |
| JP2001274265A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP4834261B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2011-12-14 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 昇圧電源発生回路 |
| JP3794326B2 (ja) * | 2002-01-10 | 2006-07-05 | 富士通株式会社 | 負電圧生成回路及びこれを備えた強誘電体メモリ回路並びに集積回路装置 |
| US6621445B1 (en) * | 2002-06-24 | 2003-09-16 | Intel Corporation | Low power reference buffer circuit utilizing switched capacitors |
| US6809986B2 (en) * | 2002-08-29 | 2004-10-26 | Micron Technology, Inc. | System and method for negative word line driver circuit |
| JP4381305B2 (ja) | 2002-09-11 | 2009-12-09 | 三菱電機株式会社 | 電圧検出回路およびこれを用いた内部電圧発生回路 |
| US7230453B2 (en) * | 2003-12-29 | 2007-06-12 | Stmicroelectronics Pvt. Ltd. | Output buffer providing multiple voltages |
| US7248988B2 (en) * | 2004-03-01 | 2007-07-24 | Transmeta Corporation | System and method for reducing temperature variation during burn in |
| US7119604B2 (en) * | 2004-06-17 | 2006-10-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Back-bias voltage regulator having temperature and process variation compensation and related method of regulating a back-bias voltage |
| KR100732756B1 (ko) * | 2005-04-08 | 2007-06-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 전압 펌핑장치 |
| JP2007226938A (ja) * | 2006-01-25 | 2007-09-06 | Citizen Holdings Co Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP2008191442A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Nec Electronics Corp | 表示ドライバic |
| US7911261B1 (en) | 2009-04-13 | 2011-03-22 | Netlogic Microsystems, Inc. | Substrate bias circuit and method for integrated circuit device |
| US7911263B2 (en) * | 2009-06-30 | 2011-03-22 | International Business Machines Corporation | Leakage current mitigation in a semiconductor device |
| KR101750215B1 (ko) | 2012-03-31 | 2017-06-22 | 인텔 코포레이션 | 지연 보상 에러 표시 신호 |
| KR102433093B1 (ko) * | 2016-06-01 | 2022-08-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 리프레쉬 제어 장치 및 이를 포함하는 메모리 장치 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2412850A1 (fr) * | 1977-04-26 | 1979-07-20 | Suwa Seikosha Kk | Circuit integre a semi-conducteurs |
| JPS5513566A (en) * | 1978-07-17 | 1980-01-30 | Hitachi Ltd | Mis field effect semiconductor circuit device |
| US4161791A (en) * | 1978-08-28 | 1979-07-17 | Electronic Memories & Magnetics Corporation | Automatic refresh memory cell |
| US4492973A (en) * | 1978-12-25 | 1985-01-08 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | MOS Dynamic memory cells and method of fabricating the same |
| JPS5632758A (en) * | 1979-08-27 | 1981-04-02 | Fujitsu Ltd | Substrate bias generating circuit |
| US4393481A (en) * | 1979-08-31 | 1983-07-12 | Xicor, Inc. | Nonvolatile static random access memory system |
| US4263664A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-21 | Xicor, Inc. | Nonvolatile static random access memory system |
| US4337524A (en) * | 1980-02-07 | 1982-06-29 | Mostek Corporation | Backup power circuit for biasing bit lines of a static semiconductor memory |
| US4460835A (en) * | 1980-05-13 | 1984-07-17 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor integrated circuit device with low power consumption in a standby mode using an on-chip substrate bias generator |
| US4438346A (en) * | 1981-10-15 | 1984-03-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Regulated substrate bias generator for random access memory |
| JPS58105563A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 基板バイアス発生回路 |
| JPS5965467A (ja) * | 1982-10-06 | 1984-04-13 | Matsushita Electronics Corp | 基板電位発生回路 |
| US4585955B1 (en) * | 1982-12-15 | 2000-11-21 | Tokyo Shibaura Electric Co | Internally regulated power voltage circuit for mis semiconductor integrated circuit |
| JPS59162690A (ja) * | 1983-03-04 | 1984-09-13 | Nec Corp | 擬似スタテイツクメモリ |
| JPH0762958B2 (ja) * | 1983-06-03 | 1995-07-05 | 株式会社日立製作所 | Mos記憶装置 |
| US4631421A (en) * | 1984-08-14 | 1986-12-23 | Texas Instruments | CMOS substrate bias generator |
| JPS6159688A (ja) * | 1984-08-31 | 1986-03-27 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置 |
| US4670861A (en) * | 1985-06-21 | 1987-06-02 | Advanced Micro Devices, Inc. | CMOS N-well bias generator and gating system |
| JPH07113863B2 (ja) * | 1985-06-29 | 1995-12-06 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置 |
| US4769787A (en) * | 1985-07-26 | 1988-09-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor memory device |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59180534A patent/JPS6159688A/ja active Pending
-
1985
- 1985-08-03 KR KR1019850005597A patent/KR940001638B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-08 US US06/763,615 patent/US4775959A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-08-30 EP EP85110960A patent/EP0173980B1/de not_active Expired - Lifetime
-
1988
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-
1992
- 1992-10-16 US US07/962,329 patent/USRE34797E/en not_active Expired - Lifetime
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-
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-
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