IT1229168B - Cella di memoria uprom con struttura compatibile con la fabbricazione di matrici di celle eprom a tovaglia con linee di source e drain autoallineate, e processo per la sua fabbricazione - Google Patents

Cella di memoria uprom con struttura compatibile con la fabbricazione di matrici di celle eprom a tovaglia con linee di source e drain autoallineate, e processo per la sua fabbricazione

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US07/503,931 US5063424A (en) 1989-04-10 1990-04-04 Uprom memory cell integrable with a tablecloth matrix eprom
JP2093267A JP2584334B2 (ja) 1989-04-10 1990-04-10 自己整合で形成されたソース線及びドレイン線のあるｅｐｒｏｍメモリセルのテーブルクロス型マトリックスの製造と両立する構造を有するｕｐｒｏｍメモリセルの製造方法

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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5656521A (en) * 1995-01-12 1997-08-12 Advanced Micro Devices, Inc. Method of erasing UPROM transistors
JP2001358088A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4377818A (en) * 1978-11-02 1983-03-22 Texas Instruments Incorporated High density electrically programmable ROM
US4334347A (en) * 1979-10-19 1982-06-15 Rca Corporation Method of forming an improved gate member for a gate injected floating gate memory device
US4519050A (en) * 1982-06-17 1985-05-21 Intel Corporation Radiation shield for an integrated circuit memory with redundant elements
US4613956A (en) * 1983-02-23 1986-09-23 Texas Instruments Incorporated Floating gate memory with improved dielectric
JPS616868A (ja) * 1984-06-20 1986-01-13 Nec Corp Ｍｉｓ型電界効果半導体装置
US4717943A (en) * 1984-06-25 1988-01-05 International Business Machines Charge storage structure for nonvolatile memories
IT1213241B (it) * 1984-11-07 1989-12-14 Ates Componenti Elettron Matrice di memoria eprom con celle elementari simmetriche mos e suo metodo di scrittura.
JPS61136274A (ja) * 1984-12-07 1986-06-24 Toshiba Corp 半導体装置
US4597060A (en) * 1985-05-01 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated EPROM array and method for fabricating
JPS6245075A (ja) * 1985-08-22 1987-02-27 Nec Corp 不揮発性メモリ
JPH0793381B2 (ja) * 1985-10-28 1995-10-09 株式会社日立製作所 半導体集積回路装置
JPS62143476A (ja) * 1985-12-18 1987-06-26 Fujitsu Ltd 半導体記憶装置
US4698900A (en) * 1986-03-27 1987-10-13 Texas Instruments Incorporated Method of making a non-volatile memory having dielectric filled trenches
US4758869A (en) * 1986-08-29 1988-07-19 Waferscale Integration, Inc. Nonvolatile floating gate transistor structure
US4812885A (en) * 1987-08-04 1989-03-14 Texas Instruments Incorporated Capacitive coupling
US4905062A (en) * 1987-11-19 1990-02-27 Texas Instruments Incorporated Planar famos transistor with trench isolation

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