IT1245495B - Memoria ad accesso casuale dinamica avente un condensatore del tipo impilato e procedimento di fabbricazione di essa - Google Patents

Memoria ad accesso casuale dinamica avente un condensatore del tipo impilato e procedimento di fabbricazione di essa

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IT1245495B
IT1245495B ITMI910177A ITMI910177A IT1245495B IT 1245495 B IT1245495 B IT 1245495B IT MI910177 A ITMI910177 A IT MI910177A IT MI910177 A ITMI910177 A IT MI910177A IT 1245495 B IT1245495 B IT 1245495B
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IT
Italy
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capacitors
capacitor
insulating layer
cylindrical
bit line
Prior art date
Application number
ITMI910177A
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English (en)
Inventor
Natsuo Ajika
Hideaki Arima
Atsushi Hachisuka
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
    • H10B12/30—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells
    • H10B12/31—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor
    • H10B12/318—DRAM devices comprising one-transistor - one-capacitor [1T-1C] memory cells having a storage electrode stacked over the transistor the storage electrode having multiple segments

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Abstract

La DRAM secondo la presente invenzione comprende condensatori del tipo cosiddetto impilato cilindrici. Ciascuno dei condensatori di tipo impilato cilindrici comprende una porzione di base estendentesi di piatto su uno strato isolante ed una superficie di un substrato, ed una porzione cilindrica estendentesi verticalmente verso l'alto dalla porzione di base. Quindi, la porzione cilindrica sporge verticalmente verso l'alto da una posizione periferica più esterna della porzione di base. Di conseguenza, l'area ove vi sono gli elettrodi del condensatore e la capacità del condensatore possono essere aumentate. Inoltre, con una linea di bit disposta al di sotto di uno strato elettrodico del condensatore, condensatori adiacenti al di sopra della linea di bit possono essere isolati. Perciò, è possibile impedire, al contatto della linea di bit; di definire una distanza di isolamento tra i condensatori. Inoltre, uno strato isolante modellato mediante incisione, viene impiegato come una regione isolante tra i condensatori ed un elettrodo inferiore del condensatore è formato lungo una superficie dello strato isolante per formare una regione isolante tra i condensatori adiacenti. In aggiunta, l'elettrodo inferiore del condensatore di tipo impilato cilindrico è formato integralmente impiegando un gradino formato nello strato isolante. Di conseguenza la fase di fabbricazione viene semplificata.
ITMI910177A 1990-01-26 1991-01-24 Memoria ad accesso casuale dinamica avente un condensatore del tipo impilato e procedimento di fabbricazione di essa IT1245495B (it)

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