IT8021994A1 - Composizione per pulitura, in particolare per l'eliminazione di fondente per saldatura - Google Patents

Composizione per pulitura, in particolare per l'eliminazione di fondente per saldatura Download PDF

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Description

D E S C R I Z I O N E dell'invenzione avente per titolo:
"Composizione per pulitura, in particolare per l'eliminazione di fondente per saldatura"
Riassunto dell'invenzione Composizione per pulitura che include N-metil-2-pirrolidone ed un'alcanolammina, e suo impiego per pulire substrati.
Descrizione dell'invenzione
La presente invenzione si prefigge di fornire una composizione per pulitura particolarmente adatta per eliminare fondente per saldatura e residui dello stesso da un substrato, particolarmente durante la fabbricazione di moduli a circuito integrato. Inoltre, la presente invenzione si riferisce a composizioni per politura adatte per eliminare varie composizioni di polimeri organici sintetici reticolati d un substrato e particolarmente per eliminare il sigillante superiore di un modulo a chip a circuito integrato, ad esempio una composizione di rivestimento poliimmidica reticolata. Inoltre, la presente invenzione si riferisce al processo di impiego della composizione per pulitura.
Durante la preparazione di moduli a circuito integrato, piedini di entrata/uscita (I/O) sono inseriti nel substrato. I piedini di entrata/uscita forniscono le necessarie connessioni elettriche al chip o ai chip a circuito integrato che sono sostanzialmente connessi al substrato o supporto. Quando il modulo deve essere connesso ad un pannello a circuito stampato mediante un processo di saldatura, composizioni di fondente per saldatura sono applicate ai piedini. Composizioni di fondente sono impiegate per asportare ossidi dai piedini e per impedire che i piedini si ossidino quando sottoposti a temperature elevate per la saldatura e servono pertanto a mantenere la conduttivit? elettrica dei piedini. Una volta applicata la lega per saldatura, l'eventuale composizione fondente o residui della stessa (ad esempio - specie polirnerizzate) rimanente sui
piedini e sul substrato deve essere eliminata per fornire un substrato il pi? pulito possibile.
Tuttavia, l'ottenimento di una composizione adatta per eliminare il fondente o residui dello stesso ? veramente un problema. In particolare, la composizione deve agire da disperdente o solvente selettivo per un fondente e/o residui di fondente ma allo stesso tempo non deve agire negativamente (ad esempio - attaccare) sul substrato, piedini e altri materiali presenti sul substrato. Per esempio, il substrato pud includere, in aree prescelte, certi metalli, quali rame e/o cromo, che, se rimossi dalla composizione per pulitura, distruggerebbero il tracciato metallurgico necessario sul substrato e potrebbero rendere il modulo a circuito integrato non adatto allo scopo cui 3 destinato.
Chip a circuito integrato sono uniti al substrato o supporto a circuito integrato mediante applicazione di lega per saldatura ad aree prescelte sul substrato che sono generalmente chiamate nella tecnica aree a ringrossi per chip. Tali ?ree possono essere definite, per esempio, fornendo aree esposte prescelte di un metallo che accetter? la lega per saldatura, ad esempio rame. Inoltre, la composizione di fondente viene normalmente applicata al substrato per facilitare l'applicazione della lega per saldatura all'area a ringrossi. Dopo che la lega per saldatura 3 stata applicata all'area a ringrossi, qualsiasi fondente e/o residui di fondente deve essere eliminato prima di fissare il chip a circuito integrato cosi da fornire un modulo il piu pulito possibile.
Quindi, uno scopo della presente invenzione 3 quello di fornire una composizione in grado di rimuovere fondente e/o residui dello stesso senza agire negativamente sul resto del modulo.
Un rivestimento sigillante superiore pud essere applicato al modulo a circuito integrato dopo il fissaggio del chip o dei chip a circuito integrato allo scopo di proteggere il lato posteriore di quello che contiene il chip o i chip a circuito integrato dalla corrosione e/o elettromigrazione. Quando vi sono pi? chip a circuito integrato su un substrato e/o quando pi? substrati sono interconnessi ad esempio mediante impilameno e pertanto il sigillante superiore agisce per mantenere i vari substrati interconnessi, il cattivo funzionamento di un chip richiederebbe lo scarto dell'intero assieme a circuito integrato a meno che il sigillante superiore non possa essere rimosso senza distruggere il resto del modulo.
Di conseguenza, uno scopo della presente invenzione ? quello di fornire una composizione in grado di eliminare il sigillante superiore senza agire negativamente sul resto del modulo e rendendo cosi possibile rimuovere qualsiasi chip difettoso che pu? essere presente e quindi sostituirlo, permettendo cosi di conservare il resto del modulo a circuito integrato e il riutilizzo dello stesso?
Un tipo di sigillante superiore impiegato ? quello ottenuto trattando termicamente e chimicamente una composizione contenente enne legante un polimero poliimmidico. Le poliimmidi sono in effetti polimeri trattati ottenuti dalle cosiddette poliamaidi o acidi poliammidici contenenti gruppi immidici lungo la catena polimerica mediante condensazione della forma ammidica con un gruppo acido della catena polimerica. Tali polimeri, carne ? noto nella tecnica, vengono preparati facendo reagire almeno un diammina con almeno un acido policarbossilico e/o una sua anidride e/o estere. Di conseguenza, uno scopo della presente invenzione ? quello di fornire una composizione per pulitura in grado di eliminare da un substrato una composizione poliimmidica trattata.
L'N-metil-2?pirrolidone ? un ben noto solvente e agente pulente. Infatti, esso ? stato impiegato in combinazione con altri componenti come composizione per l'asportazione per distacco o come disincapsulante. Per esempio, il brevetto statunitense N. 3.673.099 suggerisce composizioni contenenti N-metil-2-pirrolidone in combinazione con una base forte, quale un idrossido alcalino e l'impiego dello stesso per asportare a strappo dal substrato certe resine indurite, quali siliconi e cinnamato di polivinile. Inoltre, il brevetto statunitense N. 3.876.461 suggerisce di immergere dispositivi semiconduttori incapsulati con plastica in N-metil-2-pirrolidone. Il brevetto statunitense N. 3.706.691 suggerisce di disciogliore certe composizioni di incapsulamento quali poliammidi, poliesteri, e certi poliuretani che sono state deteriorate dall'esposizione ad un?atmosfera umida a caldo impiegando una composizione che contiene idrossido di benziltrimetilammonio in combinazione con N-metil-2-pirrolidone. Tuttavia, nessuno dei succitati brevetti suggerisce le composizioni richieste dalla presente invenzione, che contengono N-metil-2-pirrolidone, e neppure che tali composizioni sono in grado di eliminare fondente e/o residui di fondente e quando opportunamente modificate sono in grado di eliminare polimeri sigillanti superiori trattati termicamente e chimicamente quali poliimmidi trattate.
Il brevetto statunitense N. 3.331.718 suggerisce l'eliminazione di pellicole di poliammide/immide con sostanza caustica forte ma non suggerisce l'impiego di composizioni contenenti gli ingredienti richiesti come sar? descritto in seguito.
Il brevetto statunitense N. 3.551.204 ed altri suggerisce composizioni per disciogliere sistemi di poliuretano e resine epossidiche che contengono circa 0,1-3,0 parti in peso di acqua, circa 3-7 parti in peso di idrossido di metallo alcalino e circa 90-96,9 parti in peso di certi alcooli monoidri ci o certi etilen-glicol-monoalchil eteri. Questo brevetto suggerisce inoltre l'aggiunta di piccolissime quantit? (ad esempio - fino al circa il 5 o 10%) di altri solventi incluso metil-pirzolidone (si veda colonna 13, righe 10-18).
La presente invenzione si riferisce ad una composizione per pulitura che contiene almeno circa il 50% in peso di N-metil-2-pirrolidone ed almeno circa il 102 in peso di un'alcanolammine miscibile in acqua. Inoltre, la presente invenzione si riferisce ad una composizione per pulitura che contiene i succitati componenti insieme a circa lo 0,1-102 in peso di una base di metallo alcalino e/o base di metallo alcalino-terroso. La presente invenzione si riferisce pure alla pulitura di un substrato consistente nel mettere il substrato a contatto con una composizione del tipo sopra descritto.
Le composizioni della presente invenzione contengono Nmetil-2-pirrolidone e un'alcanolammina miscibile in acqua. Tali composizioni sono particolarmente adatte per eliminare il fondente per saldatura e i residui dello stesso da un substrato ad esempio piedini di entrata/uscita ed un supporto ceramico a chip a circuito integrato sia prima che dopo il fissaggio dei chip a circuito integrato.
Le alcanolammine impiegate secondo la presente invenzione sono preferibilmente solubili in acqua e devono essere miscibili con l?N-metil-2-pirrolidone. Inoltre, tali andine dovrebbero essere sostanze relativamente altobollenti, ad esempio bollenti a pi? di circa 100?C, ed avere alti punti di infiammabilit?, ad esempio pi? di circa 150?C?. Le alcanolammine possono essere ammine primarie, secondarie o terziarie e sono preferibilmente monoammine , diammine, o trammine e pi? preferibilmente monoammine. Il gruppo alcanolo dell'ammina ? preferibilmente un monoalcanolo non sostituito e contiene preferibilmente da uno a quattro atomi di carbonio. Esempi di alcune alcanolammine adatte includono monoetanolammina, dietanolammina, trietanolammina, isopropanolammina, 2-ammino-1-propanolo, 3- ammino-1-propanolo, e isobutanolammina. Le alcanolammine preferite ? impiegate secondo la presente invenzione sono monoetanolammina, dietanolammina e trietanolammina. Se desiderato possono essere impiegate miscele di alcanolammine.
La presenza dell'alcanolammina esalta l'azione solvente della composizione. Bench? metil -pirrolidone specialmente ad elevate temperature, pud eliminare certe macchie di fondente dovute alla polimerizzazione del fondente in seguito a esposizione alle temperature elevate subite durante la saldatura, il processo di rimozione avviene lentamente e richiede una quantit? considerevole di tempo. La presenza dell'alcanolammina riduce significativamente il tempo richiesto per la rimozione. Inoltre, l'uso dell'alcanolammina fa si che sia possibile eliminare macchie o residuo del fondente per saldatura che il metil-pirrolidone da solo non eliminerebbe in misura significativa. Inoltre, si ritiene che le alcanolammine impiegate agiscano da agente bagnante per facilitare il lavaggio della composizione per pulitura dal substrato dopo il contatto con il substrato.
Le composizioni per pulitura della presente invenzione contengono almeno circa il 50% in peso di N-metil-2-pirrolidone, preferibilmente almeno circa il 75% in peso e pi? preferibilmen te almeno circa il 90% in peso di N-metil-2-pirrolidone. Inoltre, le composizioni della presente invenzione contengono almeno circa il 5% in peso di alcanolammina e preferibilmente almeno circa il 10% in peso di alcanolammina.
Le precedenti quantit? relative si basano sul totale di N-metil-2?pirrolidone e di alcanolammina presenti nella composizione. Inoltre, le composizioni della presente invenzione dovrebbero essere sostanzialmente (ad esempio - meno di circa il 5% in peso), se non completamente, prive di acqua. Per esempio, la presenza di pi? di circa il 5% in peso di acqua evita l'eliminazione significativa del fondente e/o residui di fondente.
E' pure possibile includere altri solventi nella composizione a patto che questi non siano presenti in quantit? tali da alterare negativamente le composizioni in misura indesiderabile, Per esempio, possono essere usati fino a circa il 35% di solventi idrocarburici come gli idrocarburi aromatici, inclusi toluene e xilene, e cicloalifatici, come cicloesano; chetoni, come cicloesanone e idrocarburi clorurati e/o fluorurati,
come percloroetilene,e i solventi Freon, quale il tetrafluoroetano.
Le composizioni della presente invenzione possono pure includere quantit? minori (ad esempio -fino a circa il 5% in peso) di agenti superficialattivi includi tensioattivi estionici, anionici e anfoteri. Un esempio di un tensioattivo adatto ? sodio lauril solfato.
I substrati che sono trattati in conformit? alla presente invenzione includono quei substrati comunemente impiegati nella preparazione di moduli o supporti a circuito integrato quali substrati ceramici. Una ceramica ? un prodotto o materiale ottenuto per l'azione di calore su materiali grezzi terrosi.
Substrati ceramici preferiti includono ossidi di alluminio, ossidi di silicio e silicati, quale silicato di alluminio. 11 fondente per saldatura o residui dello stesso, che possono essere trattati con le succitate composizioni per pulitura, includono quelle composizioni di fondente, che sono particolarmente adatte nella preparazione di moduli a circuito integrato ed includono quelle composizioni in cui il principale o primario materiale di fondente include acido abietico, miscele che contengono maggiori quantit? di acido abietico, come colofonia, gomma lacca, i glicoli polialchilenici, gli eteri poliossialchilettici, o loro miscele.
I gruppi alchilenici dei glicoli ed eteri includono etilene, propilene e butilene o loro miscele, e pi? preferibilmente etilene. Tali glicoli ed eteri generalmente hanno pesi molecolari compresi fra circa 200 e circa 6000. Alcuni glicoli polialchilenici ed eteri poliossialchilenici reperibili in commercio includono Carbovax 300 - forma monostearato
Carbowax 400 - forma monolaurato
e Carbowax 400 - forma monocleato . Un esempio di un etere poliossialchilenico ? quello venduto dalla Dow Chemical Company con il nome P-15? 200. P-15-200, secondo il produttore, ? un etere poliossialchilenico contenente catene laterali metiliche e gruppi ossidrilici terminali. Il numero "200" dopo il numero "15" indica la viscosit? del materiale in centis tolte a 100 ?F (37,8?C).
Miscele di materiali fondenti principali possono essere presenti in qualunque composizione di fondente per saldatura. Inoltre, le composizioni di fondente per saldatura possono includere altri componenti che sono presenti, quali plastificanti ? agenti leganti ausiliari.
Le composizioni precedenti della presente invenzione sono pure in grado di asportare dai substrati trattati composizioni di mascheratura di lega per saldatura a base di polimeri organici. Tali composizioni possono essere ottenute da miscele contenenti un polimero filtmogeno, quale poliepossido liquido o Una poliimmide/ammide , un deadesivante e un riempitivo solido resistente alle alte temperature. Composizioni preferite di mascheratura per lega di saldatura di questo tipo sono descritte nella domanda di brevetto statunitense N. di serie 045.524, depositata il 4 giugno 1979, , intitolata "Screenable and Strippable-Solder Mask and Use Thereof", IBM Docket EN979-005, la cui descrizione si intende qui incorporata da questo riferimento.
Le poliimmide/anmiide preferite in dette composizioni di mascheratura di lega per saldatura hanno pesi molecolari compresi fra circa 500 e circa 2500, e gli epossidi liquidi sono preferibilmente poliepossidi di epicloxoidrina e bisfenolo ?. Inoltre, il componente deadesivante di tali composizioni include oli siliconici liquidi, terpeni, terpineoli, oli essiccanti e miscele di questi. Quando un polimero filmogeno ? un poliepossido liquido, il deadesivante include un olio siliconico.
Le composizioni precedenti una volta riscaldata ma senza il riempitivo non potranno essere asportate dal substrato mediante l'impiego di composizioni contenenti solo N-metil-2pirrolidone ed alcanolammina. Il riempitivo impiegato in tali composizioni generalmente ha dimensioni delle particelle di circa 0,1-20 micron, e preferibilmente di circa 0,1-5 micron. Tale riempitivo deve essere in grado di sopportare le temperature elevate derivanti dall?esposizione alla lega per saldatura a caldo e dovrebbe sopportare temperature di almeno cirea 300?C, e preferibilmente di almeno 350?C. La lega per saldatura viene generalmente applicata a temperature comprese fra circa 300 a circa 400?C. Esempi d? tali riempitivi solidi resistenti alle alte temperature includono vetro triturato, ossido di zinco, biossido di silicio, allumina, polvere di diamante e s?bbie resistenti alle alte temperature.
Il rapporto fra polimero filmogeno dalla porzione polimerica della composizione e adesivante in tali composizioni ? generalmente compreso fra circa 2:1 e circa 1:3, e preferibilmente fra circa 1;1 e circa 2:3. La quantit? del riempitivo impiegato rispetto al componente polimerico filmogeno della porzione polimerica della composizione ? compresa fra circa 1:3 a circa 6:1; e preferibilmente fra circa 2:1 e circa 6:1.
Substrati che devono essere trattati con una delle composizioni precedenti vengano generalmente messi a contatto con una delle composizioni precedenti mentre la composizione ? ad una temperatura di circa 35?100?C, preferibilmente di circa 50-90?C, e pi? preferibilmente di circa 60-85?C. Il contatto viene ottenuto pi? prontamente immergendo i substrati in un recipiente che contiene la composizione. Il tempo di contatto ? generalmente compreso fra circa 10 secondi e circa 30 minuti? La temperatura della composizione e il tempo di contatto sono inversamente proporzionali. Vale a dire, pi? alta ? la temperatura, minore ? il tempo di contatto necessario per assicurare la rimozione. Un tempo di contatto di circa 2 minati per una composizione di circa il 902 in peso di N-metil-2-pirrolidone e circa il 102 in peso di trietanolanmina ad una temperatura di circa 65?C ? 5?C ? particolarmente adatto per un'operazione industriale. Si ? osservato che con la specifica composizione precedente non si ottiene la rimozione di residui di fondente a temperature al di sotto di 35?C e a temperature comprese tra 35 e circa 40?C ? richiesto un tempo di contatto di circa 23 minuti per ottenere la rimozione.
Il contatto pu? essere effettuato con una certa agitazione della composizione, ad esempio mediante rimescolamento o scuotimento, per facilitare il contatto della composizione con parti del substrato difficili da raggiungere. Inoltre, la composizione pud essere ricircolata ad uno scambiatore di calore allo scopo di mantenere e controllare la temperatura della composizione.
Il substrato, dopo il contatto con la composizione e l'eliminazione della stessa, pu? essere risciacquato con acqua per eliminare dallo stesso eventuale residuo di composizione per pulitura. Si ritiene che le armine presenti nella composizione per pulitura fungano da detergente durante questo stadio dal processo. Inoltre, pud essere desiderabile impiegare una fase di essiccamento, ad esempio soffiando aria sul substrato.
Allo scopo di eliminare da un substrato composizioni sigillanti di copertura indurite, quali composizioni poliimmidiche trattate termicamente e chimicamente ? necessario modificare le composizioni per pulitura sopra definite incorporandovi una base di metallo alcalino e/o una base di metallo alcalinoterroso. Adatti materiali basici di metallo alcalino e/o di metallo alcalino-terroso includono i composti basici dei metalli alcalini e alcalino-terrosi, quali idrossidi, ossidi e alcoolati. Esempi di alcuni metalli adatti includono litio, sodio, potassio, calcio e magnesio? Esempi di alcuni composti basici specifici sono idrossido di litio, idrossido di sodio, idrossido di potassio, e idrossido di calcio. Se desiderato possono essere impiegate miscele di materiali basici. La base dovrebbe essere miscibile con la combinazione di metil-pirrolidone e aleanolammina. Generalmente, la base di metallo alcalino e/o base di metallo alcalino-terroso sono impiegate in quantit? comprese fra circa lo 0,1 e circa il 101 in peso del totale del metilpirrolidone, alcanolammina e base di metallo alcalino e/o base di metallo alcalino-terroso nella composizione. Le composizioni che contengono tali materiali basici generalmente hanno un pH di circa 10 come verificato con cartine al tornasole.
E' del tutto sorprendente che le composizioni della presente invenzione rimuovano poliimmide indurita senza danneggiare la metallurgia sul substrato, quali linee di cromo, poich? il cromo ? considerato solubile in sostanza alcalina e generalmente composizioni alcaline con pH di 10 o pi? attaccano il cromo. Tuttavia, in conformit? alla presente invenzione, le composizioni non attaccano il cromo anche quando esposto alle composizioni per 24 ore a circa 100?C. Le composizioni modificate oltre all?eliminazione di rivestimenti sigillanti di copertura trattati termicamente e chimicamente elimineranno pure le sostanze che vengono eliminate dalle composizioni della presente invenzio ne che contengono solo N-metil-2-pirrolidone e l?alcanolammina.
Questo composizioni modificate sono pure in grado di eliminare composizioni di fotoresist organici esposte quali quelle ottenute da polivinilcinnamato, polivinilacrilato e polialchilacrilati, e polialchilmetacrilati, quale polimetilmetacrilato (ad esempio - Boston della Du Pont). Le composizioni modificate sono pure in grado di eliminare rivestimenti essiccati da componenti impieganti leganti quali i polialchilacrilati e polialchilmetacrilati, e oli essiccanti, quali oli essiccanti naturali incluso olio di tino, olio di legno e simili.
Nelle composizioni della presente invenzione che contengono materiali basici di metallo alcalino e/o di metallo alcalinoterroso, l?alcanolammina funge pure da agente stabilizzante per evitare la precipitazione della base idi metallo alcalino e/o base di metallo alcalino-terroso
Le composizioni contenenti il materiale basico di metallo alcalino e/o di metallo alcalino-terroso sono preferibilmente preparate sciogliendo tale materiale nell'alcanolammina mediante l?impiego di temperature elevate ad esempio a circa 125-170?C.
Successivamente , la composizione di alcanolammina e di base di metallo alcalino e/o di metallo alcalino-terroso viene mescolata con il metil-pirrolidone. Questa sequenza tende a stabilire la composizione e ad impedire la precipitazione del materiale basico di metallo alcalino e/o alcalino-terroso.
Tipiche composizioni sigillanti di copertura poliimmidiche contengono una resina poliimmidica aromatica quale AIP-10 della AMOCO che viene ottenuta da diandride piromellitica e 4,4? diamminodifenolo etere, ed una minore quantit? (ad esempio -circa l'1-2% in peso) di un silano quale beta-(3,4-epossicicloesil)-etiltrimetossisilano , gmnma-amminopropiltrietoss?silano, N-bis(beta-idrossietil)-gamma-amminopropiltrietossilano, N-beta(amminoetil)-gamma -amminopropil-trimetossisilano e gammaglicidossipropiltrimetossisilano.
Alcuni esempi di poliimmidi aromatici si possono trovare nel brevetto statunitense N. 3.331.718 e nella domanda di brevetto statunitense N. di serie 045.524 succitati.
Le composizioni poliimmidiche sigillanti di copertura
non contengono un riempitivo solido resistente alle alte temperature in quantit? quali quelle impiegate nelle succitate composizioni di mascheratura di lega per saldatura che renderebbero il sigillante di copertura asportabile dal substrato con solo la combinazione di N-metil-2-pirrolidone e alcanolammina.
Le composizioni modificate che contengono i materiali basici di metallo alcalino e/o di metallo alcalino-terroso quando impiegate per eliminare un sigillante di copertura indurito, quali poliimmidi indurite, sono generalmente impiegate a temperature elevate, ad esempio a circa 100-200?C, e preferibilmente a circa 115-150?C. Il tempo d? contatto per eliminare le composizioni dipender? dallo spessore del rivestimento che deve essere eliminato. Per esempio, un rivestimento dello spessore di circa 80-150 micron richieder? circa da mezzora a 3 ore e preferibilmente circa da 1 ora a 1 ora e mezza di contatto alle temperature sopra indicate, mentre un rivestimento dello spessore di circa 8-25 micron richieder? generalmente circa 5-10 minuti. Dopo il contatto con la composizione di solvente, i substrati possono essere lavati con acqua e quindi asciugati soffiando aria calda o fredda.
Quando le precedenti composizioni sono impiegate per eliminare il sigillante di copertura, ci? che a sua volta ? desiderabile allo scopo di togliere un chip difettoso dal substrato, il substrato sar? poi esposto a temperature abbastan za alte per fondere la lega per saldatura che congiunge i chip al substrato. Quindi 1 chip possono essere tolti e sostituiti.
Sebbene la descrizione precedente si riferisca pr?ncipalmen -te al trattamento di moduli a circuito integrato, si comprender? che le presente invenzione? applicabile al trattamento di substrati in generale che necessitano l?eliminazione daessi dei tipi dimateriali sopradescritti-Gli esempi non limitativi che seguono sono fomiti per illustrate ulteriormente lapresente invenzione.
Esempio I
Circa 920 ml di N-metil-2-pirrolidone e circa 80 ml di trietanolammina vengono mescolati per fornire una composizione per pulitura. In un recipiente contenente la composizione a circa 85?C vengono immersi moduli ceramici a circuito integrato aventi macchie di fondente e residui dello stesso sopra enel substrato. Il substrato ceramico ? un substrato di biossido di alluminio recante unametallurgia di cromo e rame e contenente piedini di entrata/uscita rivestiti di oro. Le macchie di fondente o macchie di residui di fondente derivano da una composizione di fondente che conteneva colofonia e alcool isopropilico come solvente.
I substrati vengono immersi nella composizione per circa 2 minuti. Dopo, i substrati vengono messi a contatto con N-metil-2-pirrolidone per circa mezzo minuto per allontanare il solvente evengono risciacquati in acqua per circa mezzo minuto e quindi asciugati soffiando aria sui moduli.
La composizione della presente invenzione elimin? tutto il fondente o residui di fondente dal substrato e dai piedini. Moduli che furono esposti per toppo tempo all'alta temperatura del processo di saldatura a causa dell'inceppamento della macchina per saldare contenevano del residuo carbonizzato che non pot? essere eliminato con la composizione precedente n? con qualunque altra composizione nota.
La metallurgia di rame e cromo e le altre parti del substra to non furono attaccate dalla composizione di rimozione.
Esempio II
Circa 49,25 grammi trietanolammina vengono riscaldati a circa 130?C, e circa 0,15 grandi di idrossido di sodio vengono aggiunti mentre la trietonolammina calda viene agitata. L 'idrossido di sodio aggiunto ? in forma di polvere e richiede circa un'ora per passare in soluzione. Se si impiegano pastiglie di idrossido di sodio, sono richieste circa 2-3 ore per discioglierlo nella trietanolammina.
Dopo aver ottenuto una soluzione trasparente chiara dell'idrossido di sodio e della trietanolammina, circa 50 grammi di N-metil-2-pirrolidone vengono aggiunti alla composizione. Quindi , la temperatura viene innalzata a circa 130 ? 5?C.
Substrati del tipo impiegato nell'Esempio I che contenevano pure un chip a circuito integrato saldato al substrato e un sigillante di copertura di pollim ide indurita contenente la composizione ottenuta venivano immersi nella soluzione solvente riscaldata con rimescolamento della soluzione. Il tempo di contatto impiegato ? di circa 12 minuti dopo di che il substrato viene risciacquato con acqua.

Claims (24)

R I V E N D I C A Z I O N I
1. Composizione per pulitura che comprende almeno circa il 50% in peso di N-metil?2-pirrolidone ed almeno circa il 10% in peso di una alcanolammina miscibile in acqua, in cui dette quantit? sono riferite al totale di detto N-metil-2-pirrolidone e detta alcanolammina.
2. Composizione per pulitura secondo la rivendicazione 1 in cui il gruppo alcanolo dell'alcanolammina ? un monoalcanolo non sostituito contenente 1-4 atomi di carbonio.
3. Composizione secondo la rivendicazione 1 in cui detta ammina ? una monoammina.
4. Composizione per pulitura secondo la rivendicazione 1 in cui detta alcanolammina ? scelta dal gruppo comprendente monoetanolammina , dietanolammina e trietanolammina e loro miscele.
5. Composizione secondo la rivendicazione 1 in cui l'N-metil-2-pirrolidone g presente in una quantit? di almeno circa il 75% in peso.
6. Composizione per pulitura secondo la rivendicazione 1 in cui l 'N-metil-2-pirrolidone ? presente nella composizione in una quantit? di almeno circa il 90% in peso.
7. Composizione per pulitura secondo la rivendicazione 1 in cui l'alcanolammina ? presente in una quantit? di almeno il 10% in peso.
8. Composizione per pulitura secondo la rivendicazione 1 che contiene inoltre circa lo 0,1-102 in peso di una base di metallo alcalino, o una base di metallo alcalino-terroso o loro miscele
9. Composizione per pulitura secondo la rivendicazione 8 in cui detta base ? scelta dal groppo comprendente idrossido, ossido, alcoolato e loro miscele?
10. Composizione secondo la rivendicazione 8 in cui detto materiale basico ? scelto dal gruppo dell'idrossido di litio, idrossido di sodio, idrossido di potassio, idrossido di calcio e l?ro miscele.
11. Metodo per preparare la composizione per pulitura secondo la rivendicazione 7 che comprende la fase di disciogliere detta base di metallo alcalino, detta base di metallo alcalino-terroso o loro miscele in detta alcanolammina riscaldando detta alcanolammina ad una temperatura di circa 125-170?C, e quindi il mescolamento della composizione cos? ottenuta con N-metil-2-pirrolidone.
12. Metodo per pulire un substrato che comprende la fase di mettere detto substrato a contatto con la composizione secondo la rivendicazione 1.
13. Metodo secondo la rivendicazione 12 in cui detto substrato ? un substrato ceramico contenente un fondente o residui di fondente.
14. Metodo secondo la rivendicazione 12 in cui detto fondente o residui di fondente virale ottenuto dalla composizione di fondente che contiene un materiale scelto dal gruppo di acido abietico, colofonia, gomma lacca, glicolpolialchilenico, glicolpoliossialchilenico, o loro miscele.
15. Metodo secondo la rivendicazione 12 in cui detta composizione ? ad una temperatura di circa 35-100?C.
16. Metodo secondo la rivendicazione 12 in cui detta composizione ? ad una temperatura di circa 50?90?C.
17. Metodo secondo la rivendicazione 12 in cui detta composizione ? ad una temperatura di circa 60-85?C.
18. Metodo secondo la rivendicazione 12 in cui detto substrato ? un circuito integrato ceramico che contiene rame, cromo o entrambi.
19.Metodo secondo la rivendicazione 12 in cui detto contatto avviene per circa 10 secondi -30 minuti.
20. Metodo per pulire un substrato che contiene una composizione poliimidica indurita che comprende la fase di mettere a contatto detto substrato con una composizione secondo la rivendicazione 8.
21. Metodo secondo la rivendicazione 19 in cui detto substrato ? un modulo a circuito integrato contenente un rivestimento sigillante di copertura poliimmidico indurito.
22. Metodo secondo la rivendicazione 19 in cui detto contatto viene effettuato ad una temperatura di circa 100-200?C.
23. Metodo secondo la rivendicazione 19 in cui detto contatto viene effettuato ad una temperatura di circa 115-150?C.
24. Metodo secondo la rivendicazione 12 in cui detto substrato ? un substrato ceramico contenente almeno un chip a circuito integrato saldato su di esso.
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