JPH08231989A - 洗浄剤組成物及び洗浄方法 - Google Patents
洗浄剤組成物及び洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【構成】炭化水素系溶媒と金属イオンを配位し得る有機
化合物を含有することを特徴とする洗浄剤組成物、及
び、被洗浄物を該洗浄剤組成物と接触させたのち、溶媒
と接触させることを特徴とする洗浄方法。 【効果】本発明の洗浄剤組成物及び洗浄方法によれば、
オゾン層破壊の原因となる有機ハロゲン系溶媒を使用す
ることなく、プリント基板上のフラックス残渣を溶解
し、効果的に除去することができる。
化合物を含有することを特徴とする洗浄剤組成物、及
び、被洗浄物を該洗浄剤組成物と接触させたのち、溶媒
と接触させることを特徴とする洗浄方法。 【効果】本発明の洗浄剤組成物及び洗浄方法によれば、
オゾン層破壊の原因となる有機ハロゲン系溶媒を使用す
ることなく、プリント基板上のフラックス残渣を溶解
し、効果的に除去することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄剤組成物及び洗浄
方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、ハロゲン化
合物を含まない、洗浄効果の優れた有機溶媒系洗浄剤組
成物、特にプリント基板の洗浄に適した洗浄剤組成物及
び該組成物を用いた洗浄方法に関する。
方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、ハロゲン化
合物を含まない、洗浄効果の優れた有機溶媒系洗浄剤組
成物、特にプリント基板の洗浄に適した洗浄剤組成物及
び該組成物を用いた洗浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プリント基板に電子部品をハンダ付けす
る際には、ハンダ表面の酸化物皮膜を除去したり、ハン
ダの再酸化を防止する目的で、フラックスが使用され
る。フラックスがハンダ付け後に変性した残渣にはイオ
ン性物質が含まれており、これが基板配線の腐食や電気
絶縁性劣化の原因となる。このため、プリント基板はハ
ンダ付け後に、充分洗浄して残渣を除去する必要があ
る。従来、残渣を除去する洗浄剤としては、１,１,１−
トリクロロエタンのような有機塩素系溶媒や、ＣＦＣ−
１１３等のいわゆるフロン系溶媒が広く使用されてき
た。しかし、これらの溶媒は、成層圏のオゾン層を破壊
することが明らかになり、１９９５年末までに使用が全
廃されることが決定されている。このため、これらの溶
媒に替わり得る新規な洗浄剤、いわゆるフロン代替洗浄
剤の開発が急務になっている。フロン代替洗浄剤が、水
系あるいは炭化水素系溶媒等を中心として普及しつつあ
るが、前者は廃水処理や乾燥工程が必要なため、コスト
面での負担が大きい。また、後者は溶媒系洗浄剤の中で
は低毒性で、プリント基板樹脂材料に対する影響も小さ
く、比較的安価な点等で有利であるが、イオン性物質の
溶解性が低いために、フラックス残渣の洗浄力が小さ
く、これまであまり使用されていない。また平均炭素数
８〜２０の脂肪族炭化水素にアルコール、エーテル、エ
ステル、カルボン酸、ケトン等の極性基を有する有機化
合物を添加して洗浄力を強化する方法も提案されている
が（特開平３−１４６５９７号公報）、洗浄力は必ずし
も十分ではない。
る際には、ハンダ表面の酸化物皮膜を除去したり、ハン
ダの再酸化を防止する目的で、フラックスが使用され
る。フラックスがハンダ付け後に変性した残渣にはイオ
ン性物質が含まれており、これが基板配線の腐食や電気
絶縁性劣化の原因となる。このため、プリント基板はハ
ンダ付け後に、充分洗浄して残渣を除去する必要があ
る。従来、残渣を除去する洗浄剤としては、１,１,１−
トリクロロエタンのような有機塩素系溶媒や、ＣＦＣ−
１１３等のいわゆるフロン系溶媒が広く使用されてき
た。しかし、これらの溶媒は、成層圏のオゾン層を破壊
することが明らかになり、１９９５年末までに使用が全
廃されることが決定されている。このため、これらの溶
媒に替わり得る新規な洗浄剤、いわゆるフロン代替洗浄
剤の開発が急務になっている。フロン代替洗浄剤が、水
系あるいは炭化水素系溶媒等を中心として普及しつつあ
るが、前者は廃水処理や乾燥工程が必要なため、コスト
面での負担が大きい。また、後者は溶媒系洗浄剤の中で
は低毒性で、プリント基板樹脂材料に対する影響も小さ
く、比較的安価な点等で有利であるが、イオン性物質の
溶解性が低いために、フラックス残渣の洗浄力が小さ
く、これまであまり使用されていない。また平均炭素数
８〜２０の脂肪族炭化水素にアルコール、エーテル、エ
ステル、カルボン酸、ケトン等の極性基を有する有機化
合物を添加して洗浄力を強化する方法も提案されている
が（特開平３−１４６５９７号公報）、洗浄力は必ずし
も十分ではない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の有機
ハロゲン系洗浄剤に替わる、オゾン層を破壊せず、しか
もフラックス残渣の洗浄効果に優れた、プリント基板用
洗浄剤を提供することを目的としてなされたものであ
る。
ハロゲン系洗浄剤に替わる、オゾン層を破壊せず、しか
もフラックス残渣の洗浄効果に優れた、プリント基板用
洗浄剤を提供することを目的としてなされたものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、炭化水素系溶媒と
金属イオンに配位し得る有機化合物を併用することによ
って、フロンやトリクロロエタン等の有機ハロゲン系溶
媒と同等以上の洗浄効果が得られることを見いだし、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は、（１）炭化水素系溶媒と金属イオンに配
位し得る有機化合物を含有することを特徴とする洗浄剤
組成物、（２）被洗浄物を第(１)項記載の洗浄剤組成物
と接触させたのち、溶媒と接触させることを特徴とする
洗浄方法、を提供するものである。さらに、本発明の好
ましい態様として、（３）炭化水素系溶媒が、炭素数５
〜２０の脂肪族炭化水素である第(１)項記載の洗浄剤組
成物、（４）金属イオンに配位し得る有機化合物が、酸
素原子を配位原子とする配位性化合物である第(１)項又
は第(３)項記載の洗浄剤組成物、（５）酸素原子を配位
原子とする配位性化合物が、１−アルキル−２−ピロリ
ジノン、トリアルキルホスフィンオキシド及びジアルキ
ルスルホキシドよりなる群より選ばれた１種又は２種以
上の化合物である第(４)項記載の洗浄剤組成物、（６）
１−アルキル−２−ピロリジノン、トリアルキルホスフ
ィンオキシド及びジアルキルスルホキシドのアルキル基
が、炭素数３〜１８の直鎖状のアルキル基である第(５)
項記載の洗浄剤組成物、（７）金属イオンに配位し得る
有機化合物の添加量が、炭化水素系溶媒１リットル当た
り１０〜３００ｇである第(１)、(３)、(４)、（５）又
は(６)項記載の洗浄剤組成物、及び、（８）被洗浄物が
フラックス残渣の付着したプリント基板である第(２)項
記載の洗浄方法、を挙げることができる。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、炭化水素系溶媒と
金属イオンに配位し得る有機化合物を併用することによ
って、フロンやトリクロロエタン等の有機ハロゲン系溶
媒と同等以上の洗浄効果が得られることを見いだし、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は、（１）炭化水素系溶媒と金属イオンに配
位し得る有機化合物を含有することを特徴とする洗浄剤
組成物、（２）被洗浄物を第(１)項記載の洗浄剤組成物
と接触させたのち、溶媒と接触させることを特徴とする
洗浄方法、を提供するものである。さらに、本発明の好
ましい態様として、（３）炭化水素系溶媒が、炭素数５
〜２０の脂肪族炭化水素である第(１)項記載の洗浄剤組
成物、（４）金属イオンに配位し得る有機化合物が、酸
素原子を配位原子とする配位性化合物である第(１)項又
は第(３)項記載の洗浄剤組成物、（５）酸素原子を配位
原子とする配位性化合物が、１−アルキル−２−ピロリ
ジノン、トリアルキルホスフィンオキシド及びジアルキ
ルスルホキシドよりなる群より選ばれた１種又は２種以
上の化合物である第(４)項記載の洗浄剤組成物、（６）
１−アルキル−２−ピロリジノン、トリアルキルホスフ
ィンオキシド及びジアルキルスルホキシドのアルキル基
が、炭素数３〜１８の直鎖状のアルキル基である第(５)
項記載の洗浄剤組成物、（７）金属イオンに配位し得る
有機化合物の添加量が、炭化水素系溶媒１リットル当た
り１０〜３００ｇである第(１)、(３)、(４)、（５）又
は(６)項記載の洗浄剤組成物、及び、（８）被洗浄物が
フラックス残渣の付着したプリント基板である第(２)項
記載の洗浄方法、を挙げることができる。
【０００５】本発明に使用する炭化水素系溶媒には、フ
ラックス残渣を溶解するものであれば特に制限はなく、
例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、
ｎ−ヘプタン、イソヘプタン、イソオクタン、デカン、
ドデカン、ヘキサデカン、イコサン等のパラフィン系炭
化水素、１−デセン、１−ドデセン等のオレフィン系炭
化水素、シクロヘキサン、デカリン等のナフテン系炭化
水素、リモネン、ピネン等のテルペン系炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テトラリ
ン等の芳香族炭化水素等のほか、石油エーテル、石油ベ
ンジン、リグロイン、ソルベントナフサ等を挙げること
ができる。本発明において、これらの炭化水素系溶媒
は、１種を使用することができ、２種以上を混合して使
用することができる。これらの炭化水素系溶媒のうち、
炭素数５〜２０の脂肪族炭化水素は特に洗浄効果に優れ
好適に使用することができる。安全性を重視する場合に
は、これらのうち、引火点が７０℃以上の溶媒（消防法
第四類第三石油類）を使用することが望ましい。また、
本発明方法において、金属イオンに配位し得る有機化合
物を添加した洗浄剤組成物に用いる炭化水素系溶媒と、
被洗浄物を洗浄剤組成物と接触させたのち接触させる溶
媒は、同一であっても異なっていてもよい。本発明に使
用する金属イオンに配位し得る有機化合物は、炭化水素
系溶媒に可溶のものであれば特に制限はないが、このよ
うな金属イオンに配位し得る有機化合物（以下「配位性
化合物」という。）としては、酸素原子を配位原子とす
る化合物が挙げられ、例えば、１−アルキル−２−ピロ
リジノン、トリアルキルホスフィンオキシド、ジアルキ
ルスルホキシド等を挙げることができる。これらの化合
物において、アルキル基は炭素数３〜１８の直鎖状アル
キル基であることが好ましいが、アルキル基が短い側鎖
を有する化合物であっても使用することができる。この
ような配位性化合物としては、具体的には、例えば、１
−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）、１−ｎ
−ドデシル−２−ピロリジノン（ＮＤＰ）、トリ−ｎ−
オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）、ジ−ｎ−ブ
チルスルホキシド（ＤＢＳＯ）、トリ−ｎ−ブチルホス
フィンオキシド（ＴＢＰＯ）等を挙げることができる。
これらの配位性化合物は炭化水素系溶媒に１種のみを添
加することができ、あるいは２種以上を添加することが
できる。これら配位性化合物は、炭化水素系溶媒１リッ
トルに対して、１０〜３００ｇ添加することが好まし
く、３０〜２５０ｇ添加することがさらに好ましい。配
位性化合物の添加量が炭化水素系溶媒１リットルに対し
て１０ｇ未満であると、十分な洗浄効果が得られないお
それがある。配位性化合物の添加量が炭化水素系溶媒１
リットルに対して３００ｇを超えても、配位性化合物の
量の増加に見合って洗浄効果は向上せず、かえって洗浄
効果が低下する場合もあり、プリント基板樹脂に悪影響
を及ぼすおそれがあり、さらに洗浄後のリンス液の必要
量が多くなる。
ラックス残渣を溶解するものであれば特に制限はなく、
例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、
ｎ−ヘプタン、イソヘプタン、イソオクタン、デカン、
ドデカン、ヘキサデカン、イコサン等のパラフィン系炭
化水素、１−デセン、１−ドデセン等のオレフィン系炭
化水素、シクロヘキサン、デカリン等のナフテン系炭化
水素、リモネン、ピネン等のテルペン系炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テトラリ
ン等の芳香族炭化水素等のほか、石油エーテル、石油ベ
ンジン、リグロイン、ソルベントナフサ等を挙げること
ができる。本発明において、これらの炭化水素系溶媒
は、１種を使用することができ、２種以上を混合して使
用することができる。これらの炭化水素系溶媒のうち、
炭素数５〜２０の脂肪族炭化水素は特に洗浄効果に優れ
好適に使用することができる。安全性を重視する場合に
は、これらのうち、引火点が７０℃以上の溶媒（消防法
第四類第三石油類）を使用することが望ましい。また、
本発明方法において、金属イオンに配位し得る有機化合
物を添加した洗浄剤組成物に用いる炭化水素系溶媒と、
被洗浄物を洗浄剤組成物と接触させたのち接触させる溶
媒は、同一であっても異なっていてもよい。本発明に使
用する金属イオンに配位し得る有機化合物は、炭化水素
系溶媒に可溶のものであれば特に制限はないが、このよ
うな金属イオンに配位し得る有機化合物（以下「配位性
化合物」という。）としては、酸素原子を配位原子とす
る化合物が挙げられ、例えば、１−アルキル−２−ピロ
リジノン、トリアルキルホスフィンオキシド、ジアルキ
ルスルホキシド等を挙げることができる。これらの化合
物において、アルキル基は炭素数３〜１８の直鎖状アル
キル基であることが好ましいが、アルキル基が短い側鎖
を有する化合物であっても使用することができる。この
ような配位性化合物としては、具体的には、例えば、１
−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）、１−ｎ
−ドデシル−２−ピロリジノン（ＮＤＰ）、トリ−ｎ−
オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）、ジ−ｎ−ブ
チルスルホキシド（ＤＢＳＯ）、トリ−ｎ−ブチルホス
フィンオキシド（ＴＢＰＯ）等を挙げることができる。
これらの配位性化合物は炭化水素系溶媒に１種のみを添
加することができ、あるいは２種以上を添加することが
できる。これら配位性化合物は、炭化水素系溶媒１リッ
トルに対して、１０〜３００ｇ添加することが好まし
く、３０〜２５０ｇ添加することがさらに好ましい。配
位性化合物の添加量が炭化水素系溶媒１リットルに対し
て１０ｇ未満であると、十分な洗浄効果が得られないお
それがある。配位性化合物の添加量が炭化水素系溶媒１
リットルに対して３００ｇを超えても、配位性化合物の
量の増加に見合って洗浄効果は向上せず、かえって洗浄
効果が低下する場合もあり、プリント基板樹脂に悪影響
を及ぼすおそれがあり、さらに洗浄後のリンス液の必要
量が多くなる。
【０００６】本発明の組成物には、必要に応じて他の成
分を含有せしめることができる。含有せしめる他の成分
としては、例えば、界面活性剤や腐食抑制剤等を挙げる
ことができる。界面活性剤としては、ＨＬＢの低い親油
性の非イオン性界面活性剤を好適に使用することがで
き、このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキ
シエチレンアルキルエーテル、アルキルアミンオキシド
等のほか、ポリエーテル変性シリコーン等のシリコーン
系界面活性剤等を挙げることができる。腐食抑制剤とし
ては、例えば、メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾト
リアゾール等を挙げることができる。本発明方法におい
ては、被洗浄物をまず炭化水素系溶媒と配位性化合物を
含有する洗浄剤組成物と接触せしめる。本発明方法は、
被洗浄物がフラックスを塗布しハンダ付けしたプリント
基板であるとき特に効果を発揮し、プリント基板上に付
着するフラックス残渣を効率的に除去することができ
る。被洗浄物と洗浄剤組成物を接触させる方法には特に
制限はなく、例えば、被洗浄物を洗浄剤組成物に浸漬
し、あるいは、被洗浄物に洗浄剤組成物をスプレーする
ことができる。被洗浄物を洗浄剤組成物に浸漬したとき
には、必要に応じて、撹拌、揺動、超音波の作用等によ
り、洗浄を促進することができる。被洗浄物がフラック
ス残渣の付着したプリント基板である場合には、フラッ
クス残渣中の金属成分が配位性化合物と金属錯体を形成
して溶解し、プリント基板表面より除去される。本発明
方法においては、洗浄剤組成物と接触させた被洗浄物
は、次いで溶媒と接触させる。溶媒との接触により、被
洗浄物に洗浄剤組成物とともに付着残留する配位性化合
物及びその金属錯体等は、溶媒のリンス効果により除去
される。本発明方法において、洗浄剤組成物と接触させ
た被洗浄物を続いて接触させる溶媒としては、洗浄剤組
成物中の炭化水素系溶媒と相溶性を有し、配位化合物を
溶解することができる溶媒であれば特に制限はなく、こ
のような溶媒としては、例えば、本発明の洗浄剤組成物
に使用することができる炭化水素系溶媒をはじめとし
て、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶
媒、ギ酸エチル、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセ
トン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒等を挙げる
ことができる。溶媒との接触方法には特に制限はなく、
例えば、浸漬、スプレー、蒸気洗浄等により行うことが
できる。本発明の洗浄剤組成物が、フラックス残渣の付
着したプリント基板に対して特に優れた洗浄効果を発揮
するのは、配位性化合物がプリント基板上及びフラック
ス残渣中に存在する金属化合物に作用して炭化水素系溶
媒に可溶性の錯体を形成し、残渣の溶解度を増大させる
ためと考えられる。
分を含有せしめることができる。含有せしめる他の成分
としては、例えば、界面活性剤や腐食抑制剤等を挙げる
ことができる。界面活性剤としては、ＨＬＢの低い親油
性の非イオン性界面活性剤を好適に使用することがで
き、このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキ
シエチレンアルキルエーテル、アルキルアミンオキシド
等のほか、ポリエーテル変性シリコーン等のシリコーン
系界面活性剤等を挙げることができる。腐食抑制剤とし
ては、例えば、メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾト
リアゾール等を挙げることができる。本発明方法におい
ては、被洗浄物をまず炭化水素系溶媒と配位性化合物を
含有する洗浄剤組成物と接触せしめる。本発明方法は、
被洗浄物がフラックスを塗布しハンダ付けしたプリント
基板であるとき特に効果を発揮し、プリント基板上に付
着するフラックス残渣を効率的に除去することができ
る。被洗浄物と洗浄剤組成物を接触させる方法には特に
制限はなく、例えば、被洗浄物を洗浄剤組成物に浸漬
し、あるいは、被洗浄物に洗浄剤組成物をスプレーする
ことができる。被洗浄物を洗浄剤組成物に浸漬したとき
には、必要に応じて、撹拌、揺動、超音波の作用等によ
り、洗浄を促進することができる。被洗浄物がフラック
ス残渣の付着したプリント基板である場合には、フラッ
クス残渣中の金属成分が配位性化合物と金属錯体を形成
して溶解し、プリント基板表面より除去される。本発明
方法においては、洗浄剤組成物と接触させた被洗浄物
は、次いで溶媒と接触させる。溶媒との接触により、被
洗浄物に洗浄剤組成物とともに付着残留する配位性化合
物及びその金属錯体等は、溶媒のリンス効果により除去
される。本発明方法において、洗浄剤組成物と接触させ
た被洗浄物を続いて接触させる溶媒としては、洗浄剤組
成物中の炭化水素系溶媒と相溶性を有し、配位化合物を
溶解することができる溶媒であれば特に制限はなく、こ
のような溶媒としては、例えば、本発明の洗浄剤組成物
に使用することができる炭化水素系溶媒をはじめとし
て、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶
媒、ギ酸エチル、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセ
トン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒等を挙げる
ことができる。溶媒との接触方法には特に制限はなく、
例えば、浸漬、スプレー、蒸気洗浄等により行うことが
できる。本発明の洗浄剤組成物が、フラックス残渣の付
着したプリント基板に対して特に優れた洗浄効果を発揮
するのは、配位性化合物がプリント基板上及びフラック
ス残渣中に存在する金属化合物に作用して炭化水素系溶
媒に可溶性の錯体を形成し、残渣の溶解度を増大させる
ためと考えられる。
【０００７】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。 実施例１ 小型プリント基板［サンハヤト(株)、ＩＣＢ−８６Ｇ、
寸法３６×４６mm］にフラックス［日本ハンダ(株)、ラ
ピックスＲＡ］を０.２mlずつ２回塗布し、自然乾燥し
た。これを２６０℃のハンダ槽でハンダ付けしたものを
被洗浄物とした。ｎ−ヘキサン１,０００mlに、１−ｎ
−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.０ｇ
（０.２３３モル）を加えて撹拌し、完全に溶解して洗
浄剤とした。この洗浄剤７５mlをステンレス製容器にい
れ、２５℃の恒温水槽に浸漬し、洗浄剤の温度が２５℃
となったのち被洗浄物を浸漬し、スターラーで撹拌しつ
つ２分間洗浄した。被洗浄物を取り出し、ｎ−ヘキサン
中に３０秒浸漬してリンスし、ドライヤーで乾燥した。
洗浄、乾燥した小型プリント基板を、イソプロピルアル
コールの７５容量％水溶液７５mlに浸漬し、超音波を作
用させて５分間残渣の抽出を行った。この抽出液の電気
伝導率を測定したところ、０.８５μＳ／cmであった。 実施例２ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）の添加
量を９２.１ｇ（０.４６７モル）とした以外は、実施例
１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率は
０.６２μＳ／cmであった。 実施例３ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、１−ｎ−ドデシル−２−ピロリジノン
（ＮＤＰ）５９.０ｇ（０.２３３モル）を用いた以外
は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は０.８１μＳ／cmであった。 実施例４ １−ｎ−ドデシル−２−ピロリジノン（ＮＤＰ）の添加
量を１１８.３ｇ（０.４６７モル）とした以外は、実施
例３と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率
は０.６５μＳ／cmであった。 実施例５ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシ
ド（ＴＯＰＯ）３６.０ｇ（０.０９３モル）を用いた以
外は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の
電気伝導率は０.７９μＳ／cmであった。 実施例６ トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）の
添加量を９０.１ｇ（０.２３３モル）とした以外は、実
施例５と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は０.６５μＳ／cmであった。 実施例７ トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）の
添加量を１８０.６ｇ（０.４６７モル）とした以外は、
実施例５と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝
導率は０.５９μＳ／cmであった。 実施例８ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、ジ−ｎ−ブチルスルホキシド（ＤＢＳ
Ｏ）３７.８ｇ（０.２３３モル）を用いた以外は、実施
例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率
は０.８１μＳ／cmであった。 実施例９ ジ−ｎ−ブチルスルホキシド（ＤＢＳＯ）の添加量を７
５.８ｇ（０.４６７モル）とした以外は、実施例８と全
く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率は０.７
９μＳ／cmであった。 実施例１０ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、トリ−ｎ−ブチルホスフィンオキシド
（ＴＢＰＯ）５０.９ｇ（０.２３３モル）を用いた以外
は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は０.７０μＳ／cmであった。 実施例１１ ｎ−ヘキサン１,０００mlの代わりに、ｎ−ドデカン１,
０００mlを用い、１−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン
（ＮＯＰ）４６.０ｇの代わりに、１−ｎ−ドデシル−
２−ピロリジノン（ＮＤＰ）５９.０ｇ（０.２３３モ
ル）を用いた以外は、実施例１と全く同じ操作を繰り返
した。抽出液の電気伝導率は０.８７μＳ／cmであっ
た。 実施例１２ ｎ−ヘキサン１,０００mlの代わりに、１−ドデセン１,
０００mlを用い、１−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン
（ＮＯＰ）４６.０ｇの代わりに、トリ−ｎ−オクチル
ホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）９０.１ｇ（０.２３３
モル）を用いた以外は、実施例１と全く同じ操作を繰り
返した。抽出液の電気伝導率は０.８１μＳ／cmであっ
た。 実施例１３ ｎ−ヘキサン１,０００mlの代わりに、デカリン１,００
０mlを用い、１−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（Ｎ
ＯＰ）の添加量を９２.１ｇ（０.４６７モル）とした以
外は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の
電気伝導率は０.７１μＳ／cmであった。 実施例１４ ｎ−ヘキサン１,０００mlの代わりに、テクリーンＮ−
２０［日本石油(株)製、ナフテン系溶媒］１,０００ml
を用い、１−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯ
Ｐ）の添加量を９２.１ｇ（０.４６７モル）とした以外
は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は０.７５μＳ／cmであった。 実施例１５ ｎ−ヘキサン１,０００mlの代わりに、１−ドデセン１,
０００mlを用い、１−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン
（ＮＯＰ）の添加量を９２.１ｇ（０.４６７モル）とし
た以外は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出
液の電気伝導率は０.８３μＳ／cmであった。 比較例１ ＣＦＣ−１１３を９５重量％とエタノールを５重量％含
有する洗浄剤７５mlをステンレス製容器にいれ、２５℃
の恒温水槽に浸漬し、洗浄剤の温度が２５℃となったの
ち実施例１で用いたものと同じ被洗浄物を浸漬し、スタ
ーラーで撹拌しつつ２分間洗浄した。被洗浄物を取り出
し、ＣＦＣ−１１３中に３０秒浸漬してリンスし、ドラ
イヤーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリント基板
を、イソプロピルアルコールの７５容量％水溶液７５ml
に浸漬し、超音波を作用させて５分間残渣の抽出を行っ
た。この抽出液の電気伝導率を測定したところ、０.８
６μＳ／cmであった。 比較例２ １,１,１−トリクロロエタン７５mlをステンレス製容器
にいれ、２５℃の恒温水槽に浸漬し、１,１,１−トリク
ロロエタンの温度が２５℃となったのち実施例１で用い
たものと同じ被洗浄物を浸漬し、スターラーで撹拌しつ
つ２分間洗浄した。被洗浄物を取り出し、１,１,１−ト
リクロロエタン中に３０秒浸漬してリンスし、ドライヤ
ーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリント基板を、イ
ソプロピルアルコールの７５容量％水溶液７５mlに浸漬
し、超音波を作用させて５分間残渣の抽出を行った。こ
の抽出液の電気伝導率を測定したところ、０.８８μＳ
／cmであった。 比較例３ ｎ−ヘキサン７５mlをステンレス製容器にいれ、２５℃
の恒温水槽に浸漬し、ｎ−ヘキサンの温度が２５℃とな
ったのち実施例１で用いたものと同じ被洗浄物を浸漬
し、スターラーで撹拌しつつ２分間洗浄した。被洗浄物
を取り出し、ｎ−ヘキサンン中に３０秒浸漬してリンス
し、ドライヤーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリン
ト基板を、イソプロピルアルコールの７５容量％水溶液
７５mlに浸漬し、超音波を作用させて５分間残渣の抽出
を行った。この抽出液の電気伝導率を測定したところ、
１.８１μＳ／cmであった。 比較例４ 実施例１で用いたものと同じ被洗浄物を、洗浄剤で洗浄
することなく、直接イソプロピルアルコールの７５容量
％水溶液７５mlに浸漬し、超音波を作用させて５分間残
渣の抽出を行った。この抽出液の電気伝導率を測定した
ところ、２.３７μＳ／cmであった。実施例１〜１５及
び比較例１〜４の結果をまとめて第１表に示す。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。 実施例１ 小型プリント基板［サンハヤト(株)、ＩＣＢ−８６Ｇ、
寸法３６×４６mm］にフラックス［日本ハンダ(株)、ラ
ピックスＲＡ］を０.２mlずつ２回塗布し、自然乾燥し
た。これを２６０℃のハンダ槽でハンダ付けしたものを
被洗浄物とした。ｎ−ヘキサン１,０００mlに、１−ｎ
−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.０ｇ
（０.２３３モル）を加えて撹拌し、完全に溶解して洗
浄剤とした。この洗浄剤７５mlをステンレス製容器にい
れ、２５℃の恒温水槽に浸漬し、洗浄剤の温度が２５℃
となったのち被洗浄物を浸漬し、スターラーで撹拌しつ
つ２分間洗浄した。被洗浄物を取り出し、ｎ−ヘキサン
中に３０秒浸漬してリンスし、ドライヤーで乾燥した。
洗浄、乾燥した小型プリント基板を、イソプロピルアル
コールの７５容量％水溶液７５mlに浸漬し、超音波を作
用させて５分間残渣の抽出を行った。この抽出液の電気
伝導率を測定したところ、０.８５μＳ／cmであった。 実施例２ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）の添加
量を９２.１ｇ（０.４６７モル）とした以外は、実施例
１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率は
０.６２μＳ／cmであった。 実施例３ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、１−ｎ−ドデシル−２−ピロリジノン
（ＮＤＰ）５９.０ｇ（０.２３３モル）を用いた以外
は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は０.８１μＳ／cmであった。 実施例４ １−ｎ−ドデシル−２−ピロリジノン（ＮＤＰ）の添加
量を１１８.３ｇ（０.４６７モル）とした以外は、実施
例３と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率
は０.６５μＳ／cmであった。 実施例５ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシ
ド（ＴＯＰＯ）３６.０ｇ（０.０９３モル）を用いた以
外は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の
電気伝導率は０.７９μＳ／cmであった。 実施例６ トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）の
添加量を９０.１ｇ（０.２３３モル）とした以外は、実
施例５と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は０.６５μＳ／cmであった。 実施例７ トリ−ｎ−オクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）の
添加量を１８０.６ｇ（０.４６７モル）とした以外は、
実施例５と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝
導率は０.５９μＳ／cmであった。 実施例８ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、ジ−ｎ−ブチルスルホキシド（ＤＢＳ
Ｏ）３７.８ｇ（０.２３３モル）を用いた以外は、実施
例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率
は０.８１μＳ／cmであった。 実施例９ ジ−ｎ−ブチルスルホキシド（ＤＢＳＯ）の添加量を７
５.８ｇ（０.４６７モル）とした以外は、実施例８と全
く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率は０.７
９μＳ／cmであった。 実施例１０ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、トリ−ｎ−ブチルホスフィンオキシド
（ＴＢＰＯ）５０.９ｇ（０.２３３モル）を用いた以外
は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は０.７０μＳ／cmであった。 実施例１１ ｎ−ヘキサン１,０００mlの代わりに、ｎ−ドデカン１,
０００mlを用い、１−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン
（ＮＯＰ）４６.０ｇの代わりに、１−ｎ−ドデシル−
２−ピロリジノン（ＮＤＰ）５９.０ｇ（０.２３３モ
ル）を用いた以外は、実施例１と全く同じ操作を繰り返
した。抽出液の電気伝導率は０.８７μＳ／cmであっ
た。 実施例１２ ｎ−ヘキサン１,０００mlの代わりに、１−ドデセン１,
０００mlを用い、１−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン
（ＮＯＰ）４６.０ｇの代わりに、トリ−ｎ−オクチル
ホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）９０.１ｇ（０.２３３
モル）を用いた以外は、実施例１と全く同じ操作を繰り
返した。抽出液の電気伝導率は０.８１μＳ／cmであっ
た。 実施例１３ ｎ−ヘキサン１,０００mlの代わりに、デカリン１,００
０mlを用い、１−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（Ｎ
ＯＰ）の添加量を９２.１ｇ（０.４６７モル）とした以
外は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の
電気伝導率は０.７１μＳ／cmであった。 実施例１４ ｎ−ヘキサン１,０００mlの代わりに、テクリーンＮ−
２０［日本石油(株)製、ナフテン系溶媒］１,０００ml
を用い、１−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯ
Ｐ）の添加量を９２.１ｇ（０.４６７モル）とした以外
は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は０.７５μＳ／cmであった。 実施例１５ ｎ−ヘキサン１,０００mlの代わりに、１−ドデセン１,
０００mlを用い、１−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン
（ＮＯＰ）の添加量を９２.１ｇ（０.４６７モル）とし
た以外は、実施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出
液の電気伝導率は０.８３μＳ／cmであった。 比較例１ ＣＦＣ−１１３を９５重量％とエタノールを５重量％含
有する洗浄剤７５mlをステンレス製容器にいれ、２５℃
の恒温水槽に浸漬し、洗浄剤の温度が２５℃となったの
ち実施例１で用いたものと同じ被洗浄物を浸漬し、スタ
ーラーで撹拌しつつ２分間洗浄した。被洗浄物を取り出
し、ＣＦＣ−１１３中に３０秒浸漬してリンスし、ドラ
イヤーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリント基板
を、イソプロピルアルコールの７５容量％水溶液７５ml
に浸漬し、超音波を作用させて５分間残渣の抽出を行っ
た。この抽出液の電気伝導率を測定したところ、０.８
６μＳ／cmであった。 比較例２ １,１,１−トリクロロエタン７５mlをステンレス製容器
にいれ、２５℃の恒温水槽に浸漬し、１,１,１−トリク
ロロエタンの温度が２５℃となったのち実施例１で用い
たものと同じ被洗浄物を浸漬し、スターラーで撹拌しつ
つ２分間洗浄した。被洗浄物を取り出し、１,１,１−ト
リクロロエタン中に３０秒浸漬してリンスし、ドライヤ
ーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリント基板を、イ
ソプロピルアルコールの７５容量％水溶液７５mlに浸漬
し、超音波を作用させて５分間残渣の抽出を行った。こ
の抽出液の電気伝導率を測定したところ、０.８８μＳ
／cmであった。 比較例３ ｎ−ヘキサン７５mlをステンレス製容器にいれ、２５℃
の恒温水槽に浸漬し、ｎ−ヘキサンの温度が２５℃とな
ったのち実施例１で用いたものと同じ被洗浄物を浸漬
し、スターラーで撹拌しつつ２分間洗浄した。被洗浄物
を取り出し、ｎ−ヘキサンン中に３０秒浸漬してリンス
し、ドライヤーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリン
ト基板を、イソプロピルアルコールの７５容量％水溶液
７５mlに浸漬し、超音波を作用させて５分間残渣の抽出
を行った。この抽出液の電気伝導率を測定したところ、
１.８１μＳ／cmであった。 比較例４ 実施例１で用いたものと同じ被洗浄物を、洗浄剤で洗浄
することなく、直接イソプロピルアルコールの７５容量
％水溶液７５mlに浸漬し、超音波を作用させて５分間残
渣の抽出を行った。この抽出液の電気伝導率を測定した
ところ、２.３７μＳ／cmであった。実施例１〜１５及
び比較例１〜４の結果をまとめて第１表に示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】抽出液の電気伝導率は、洗浄後のプリント
基板上に残存するフラックス残渣の指標となるものであ
り、抽出液の電気伝導率が小さいほど、フラックス残渣
の洗浄が良好に行われたことになる。抽出液の電気伝導
率から、洗浄効果が従来から用いられている洗浄剤であ
るＣＦＣ−１１３又は１,１,１−トリクロロエタンより
も優れているものを○、同程度であるものを△、劣って
いるものを×として、第１表に併せて示した。従来の有
機ハロゲン系洗浄剤であるフロン系溶媒ＣＦＣ−１１３
を主成分とする洗浄剤で洗浄した比較例１及び１,１,１
−トリクロロエタンで洗浄した比較例２では、抽出液の
電気伝導率はそれぞれ０.８６μＳ／cmと０.８８μＳ／
cmであった。炭化水素系溶媒の１種であるｎ−ヘキサン
のみで洗浄した比較例３では、抽出液の電気伝導率が
１.８１μＳ／cmで洗浄効果が劣っていることが分か
る。しかし、ｎ−ヘキサンに配位性化合物を濃度が０.
０９３〜０.４６７モル／リットルになるよう添加した
本発明の洗浄剤組成物を用いた実施例１〜１０では洗浄
効果が著しく向上し、従来の有機ハロゲン系溶媒に比し
て、同等以上の洗浄効果が得られた。また、ｎ−ヘキサ
ン以外の炭化水素系溶媒であるｎ−ドデカン（実施例１
１）、１−ドデセン（実施例１２及び１５）、デカリン
（実施例１３）及びナフテン系溶媒（実施例１４）で
も、配位性化合物を加えることにより、従来の有機ハロ
ゲン系溶媒と同等以上の洗浄効果が得られた。 比較例５ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、シクロヘキサノール２３.４ｇ（０.２
３３モル）を添加した以外は、実施例１と全く同じ操作
を繰り返した。抽出液の電気伝導率は１.４１μＳ／cm
であった。 比較例６ シクロヘキサノールの添加量を７３.３ｇ（０.７３２モ
ル）とした以外は、比較例４と全く同じ操作を繰り返し
た。この混合液中のシクロヘキサノールの含量は、１０
重量％である。抽出液の電気伝導率は１.１９μＳ／cm
であった。 比較例７ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル３１.３ｇ（０.２３３モル）を添加した以外は、実
施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は１.２７μＳ／cmであった。 比較例８ １−ｎ−ドデシル−２−ピロリジノン（ＮＤＰ）５９.
０ｇの代わりに、シクロヘキサノール２３.４ｇ（０.２
３３モル）を用いた以外は、実施例１１と全く同じ操作
を繰り返した。抽出液の電気伝導率は１.５０μＳ／cm
であった。 比較例９ １−ｎ−ドデシル−２−ピロリジノン（ＮＤＰ）５９.
０ｇの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル３１.３ｇ（０.２３３モル）を用いた以外は、実施
例１１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は１.４２μＳ／cmであった。比較例５〜９の結果を
まとめて第２表に示す。
基板上に残存するフラックス残渣の指標となるものであ
り、抽出液の電気伝導率が小さいほど、フラックス残渣
の洗浄が良好に行われたことになる。抽出液の電気伝導
率から、洗浄効果が従来から用いられている洗浄剤であ
るＣＦＣ−１１３又は１,１,１−トリクロロエタンより
も優れているものを○、同程度であるものを△、劣って
いるものを×として、第１表に併せて示した。従来の有
機ハロゲン系洗浄剤であるフロン系溶媒ＣＦＣ−１１３
を主成分とする洗浄剤で洗浄した比較例１及び１,１,１
−トリクロロエタンで洗浄した比較例２では、抽出液の
電気伝導率はそれぞれ０.８６μＳ／cmと０.８８μＳ／
cmであった。炭化水素系溶媒の１種であるｎ−ヘキサン
のみで洗浄した比較例３では、抽出液の電気伝導率が
１.８１μＳ／cmで洗浄効果が劣っていることが分か
る。しかし、ｎ−ヘキサンに配位性化合物を濃度が０.
０９３〜０.４６７モル／リットルになるよう添加した
本発明の洗浄剤組成物を用いた実施例１〜１０では洗浄
効果が著しく向上し、従来の有機ハロゲン系溶媒に比し
て、同等以上の洗浄効果が得られた。また、ｎ−ヘキサ
ン以外の炭化水素系溶媒であるｎ−ドデカン（実施例１
１）、１−ドデセン（実施例１２及び１５）、デカリン
（実施例１３）及びナフテン系溶媒（実施例１４）で
も、配位性化合物を加えることにより、従来の有機ハロ
ゲン系溶媒と同等以上の洗浄効果が得られた。 比較例５ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、シクロヘキサノール２３.４ｇ（０.２
３３モル）を添加した以外は、実施例１と全く同じ操作
を繰り返した。抽出液の電気伝導率は１.４１μＳ／cm
であった。 比較例６ シクロヘキサノールの添加量を７３.３ｇ（０.７３２モ
ル）とした以外は、比較例４と全く同じ操作を繰り返し
た。この混合液中のシクロヘキサノールの含量は、１０
重量％である。抽出液の電気伝導率は１.１９μＳ／cm
であった。 比較例７ １−ｎ−オクチル−２−ピロリジノン（ＮＯＰ）４６.
０ｇの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル３１.３ｇ（０.２３３モル）を添加した以外は、実
施例１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は１.２７μＳ／cmであった。 比較例８ １−ｎ−ドデシル−２−ピロリジノン（ＮＤＰ）５９.
０ｇの代わりに、シクロヘキサノール２３.４ｇ（０.２
３３モル）を用いた以外は、実施例１１と全く同じ操作
を繰り返した。抽出液の電気伝導率は１.５０μＳ／cm
であった。 比較例９ １−ｎ−ドデシル−２−ピロリジノン（ＮＤＰ）５９.
０ｇの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル３１.３ｇ（０.２３３モル）を用いた以外は、実施
例１１と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は１.４２μＳ／cmであった。比較例５〜９の結果を
まとめて第２表に示す。
【００１０】
【表２】
【００１１】ｎ−ヘキサン１,０００mlに配位化合物を
添加する代わりに、シクロヘキサノール又はジエチレン
グリコールモノエチルエーテル０.２３３モルを添加し
た洗浄剤を用いた比較例５及び７では、同じモル数の配
位化合物を添加した洗浄剤を用いた実施例１、３、６、
８及び１０と比較すると、抽出液の電気伝導率が高く、
フラックス残渣の洗浄が十分でないことが分かる。さら
に、比較例６ではシクロヘキサノールの添加量を増加
し、洗浄剤中のシクロヘキサノールの含量を１０重量％
としたが、洗浄効果の改善は顕著ではなく、従来の有機
ハロゲン系溶媒に劣る結果となっている。洗浄剤組成物
の溶媒をｎ−ヘキサンからｎ−ドデカンに変えた比較例
８及び９においては、抽出液の電気伝導率は比較例５及
び７よりむしろ高く、溶媒としてｎ−ドデカンを用いて
もシクロヘキサノール又はジエチレングリコールモノエ
チルエーテルとの組み合わせでは十分な洗浄効果が得ら
れないことが分かる。
添加する代わりに、シクロヘキサノール又はジエチレン
グリコールモノエチルエーテル０.２３３モルを添加し
た洗浄剤を用いた比較例５及び７では、同じモル数の配
位化合物を添加した洗浄剤を用いた実施例１、３、６、
８及び１０と比較すると、抽出液の電気伝導率が高く、
フラックス残渣の洗浄が十分でないことが分かる。さら
に、比較例６ではシクロヘキサノールの添加量を増加
し、洗浄剤中のシクロヘキサノールの含量を１０重量％
としたが、洗浄効果の改善は顕著ではなく、従来の有機
ハロゲン系溶媒に劣る結果となっている。洗浄剤組成物
の溶媒をｎ−ヘキサンからｎ−ドデカンに変えた比較例
８及び９においては、抽出液の電気伝導率は比較例５及
び７よりむしろ高く、溶媒としてｎ−ドデカンを用いて
もシクロヘキサノール又はジエチレングリコールモノエ
チルエーテルとの組み合わせでは十分な洗浄効果が得ら
れないことが分かる。
【００１２】
【発明の効果】本発明の洗浄剤組成物及び洗浄方法によ
れば、オゾン層破壊の原因となる有機ハロゲン系溶媒を
使用することなく、プリント基板上のフラックス残渣を
溶解し、効果的に除去することができる。
れば、オゾン層破壊の原因となる有機ハロゲン系溶媒を
使用することなく、プリント基板上のフラックス残渣を
溶解し、効果的に除去することができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１ Ｈ０１Ｌ 21/304 ３４１Ｌ
Claims (2)
- 【請求項１】炭化水素系溶媒と金属イオンに配位し得る
有機化合物を含有することを特徴とする洗浄剤組成物。 - 【請求項２】被洗浄物を請求項１記載の洗浄剤組成物と
接触させたのち、溶媒と接触させることを特徴とする洗
浄方法。
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|---|---|---|---|
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1997
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