ITRM960563A1 - Sistema di collaudo per moduli di memoria simm fabbricati con l'uso di chip di memoria affetti da difettosita' - Google Patents
Sistema di collaudo per moduli di memoria simm fabbricati con l'uso di chip di memoria affetti da difettosita' Download PDFInfo
- Publication number
- ITRM960563A1 ITRM960563A1 IT96RM000563A ITRM960563A ITRM960563A1 IT RM960563 A1 ITRM960563 A1 IT RM960563A1 IT 96RM000563 A IT96RM000563 A IT 96RM000563A IT RM960563 A ITRM960563 A IT RM960563A IT RM960563 A1 ITRM960563 A1 IT RM960563A1
- Authority
- IT
- Italy
- Prior art keywords
- memory
- data
- simm
- testing
- module
- Prior art date
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims description 72
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims description 40
- 230000002950 deficient Effects 0.000 title claims description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 28
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000008520 organization Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004883 computer application Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012956 testing procedure Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/36—Data generation devices, e.g. data inverters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/38—Response verification devices
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Description
DESCRIZIONE
a corredo di una domanda di brevetto avente per titolo:
“Sistema di collaudo per moduli di memoria SIMM fabbricati con l'uso di chip di memoria affetti da difettosità”
La presente invenzione si riferisce in linea generale all’impiego di memorie ARAM e concerne, in modo particolare, un sistema per l’impiego di tali memorie in ambienti nei quali le specifiche richiederebbero memorie di migliori prestazioni in fatto di difettosità e per i quali tali memorie, quindi, risulterebbero di per sé non conformi alle specifiche.
Ancora più particolarmente, l’invenzione si riferisce ad un sistema per il collaudo o test di moduli di memoria SIMM. (Single ln-line Memory Module) realizzati con l’uso di chip di memoria ARAM (Audio grade RAM) e destinati all’impiego in calcolatori e simili.
Le memorie DRAM Audio, denominate memorie ARAM, sono memorie DRAM dinamiche affette da una certa difettosità, cioè esse presentano delle locazioni di bit fallenti o difettose in posizioni casuali o randomiche. Le memorie ARAM vengono impiegate in applicazioni audio, quali i risponditori telefonici o le segreterie telefoniche, perchè la loro difettosità è tale che un messaggio vocale immagazzinato per mezzo di esse può essere replicato senza difetto apprezzabile perchè l'orecchio umano è in grado di supplire alle informazioni che mancano, tramite meccanismi di integrazione ed interpolazione.
L'impiego di queste memorie in queste applicazioni non presenta, quindi, problemi a meno che non vengano superati certi limiti di difettosità. Per esempio, esse non sarebbero comunque utilizzabili, qualora avessero delle righe o delle colonne completamente fallenti: neanche l'orecchio umano, infatti, sarebbe in grado di supplire per integrazione o per interpolazione ad una lacuna di informazioni così rilevante. Quindi, le specifiche di queste memorie tendono non solo a stabilire il limite massimo di difettosità, ma aggiungono l'ulteriore vincolo che la difettosità debba in ogni caso essere ubicata in posizioni casuali.
In aggiunta a questi vincoli, anche se il 99,9% delle locazioni di memoria fossero appropriatamente funzionanti, tali memorie ARAM non possono essere impiegate in convenzionali applicazioni di calcolatori, proprio perchè gli indirizzi dei bit difettosi sono disposti casualmente nella matrice di memoria.
In altre parole, considerando una memoria ARAM convenzionale, si può pensare di mettere a punto un sistema per correggere i bit difettosi, facendo ricorso ad un sistema di correzione assimilabile ad un canale trasmissivo: cioè ad un canale in qualche modo affetto da rumore. Il problema delle memorie difettose può essere risolto assimilando la memoria e quindi la spazzolatura della memoria ad una stringa di bit da correggere con le stesse tecniche dei canali trasmissivi.
Mentre, però, nei canali trasmissivi si può parlare di una stringa che è eminentemente sequenziale, nelle applicazioni dei calcolatori la stringa da considerare non è certamente sequenziale, ma randomica. Quindi bisogna studiare un codice di errore che sia adeguato ad una informazione immagazzinabile nella memoria oppure estraibile da essa in maniera randomica.
Come descritto e rivendicato in altra domanda di brevetto della stessa Richiedente depositata contemporaneamente alla presente, questo problema viene risolto realizzando moduli di memoria SIMM comprendenti chip di memoria ARAM con bus di indirizzi interno per ciascun chip di memoria ed un modulo ASIC per l’interfacciamento con l’esterno adatto alla correzione delle seguenti categorie di difettosità:
A - difettosità coinvolgenti un singolo bit in una parola di codice, le quali vengono corrette mediante applicazione di un convenzionale codice di correzione di errore (ECC),
B - difettosità coinvolgenti una molteplicità di bit in una parola di codice, ciascun bit provenendo da un diverso chip di memoria, le quali vengono corrette mediante conversione da una condizione di m errori in una parola di codice ad una condizione di m parole di codice ciascuna affetta da un errore,
C - difettosità coinvolgenti una molteplicità di bit in una parola di codice che verificano nello stesso chip di memoria, le quali vengono corrette tramite una memoria associativa incorporata in detto modulo ASIC per immagazzinare/recuperare gli indirizzi identificati in fase di collaudo ed i dati generati nel funzionamento normale relativi alle locazioni difettose.
Lo scopo specifico della presente invenzione è di proporre una apparecchiatura specializzata coadiuvata da un opportuno software per il collaudo o testaggio di moduli SIMM come sopra indicati basati sul’impiego di chip di memoria non-compliant, ovvero non rispondenti e non conformi alle specifiche. Tali chip sono anche denominati con diversa terminologia chip di memoria SS (Secondary Silicon).
CONSIDERAZIONI GENERALI
Le apparecchiature note per il collaudo o test di chip di memoria sono specificamente progettate per verificare la conformità o rispondenza di tali chip alle specifiche del prodotto. Esse forniscono in semplice formato (go/no-go, ossia passa/non-passa) un insieme di informazioni, quali la scelta della velocità, il fail mode e simili. Tuttavia, esse si dimostrano del tutto inefficienti quando ad esse si richieda di fornire e di gestire dati di difettosità relativi alle celle di memoria.
Inoltre è da considerare che le procedure di collaudo usate nella fabbricazione di chip di memoria non sono perfettamente idonee a gestire diverse categorie e topologie di difettosità ed è quasi impossibile apportare ad esse significativi perfezionamenti.
La maggior parte delle volte, i prodotti non rispondenti vengono identificati e classificati sulla base di criteri o secondo categorie piuttosto indefinite, lasciando agii utenti finali la responsabilità di utilizzarli in maniera efficace ed economica.
Compito specifico che la presente invenzione si propone è di definire i requisiti minimi in termini di apparecchiatura e procedure di collaudo per la fabbricazione di moduli SIMM basati sull’uso di chip di memoria non rispondenti denominati chip SS.
Come descrìtto in detta domanda di brevetto contemporanea, è possibile realizzare un modulo SIMM basato sull'uso di chip SS in cui sia implementato un modulo ASIC per l'interfacciamento di una matrice di memoria con il sistema Host attraverso un connettore standard, cioè un connettore da 72 pin o piedini ovvero 32 porte di ingresso/uscita (I/O) di dati. Tuttavia è stato constatato che questo connettore rappresenta una effettiva strozzatura per il sistema di collaudo, il quale deve far fronte alla necessità di accedere a ciascuna singola porta di I/O (vale a dire 48) della matrice di memoria.
Per superare questo problema, che rappresenta uno scopo della presente invenzione, il modulo ASIC in questione deve essere progettato in modo da includere una specifica circuiteria, abilitata in fase di collaudo, per incanalare in un percorso di dati di ampiezza 32 bit un flusso di dati di ampiezza maggiore.
Gli scopi della presente invenzione vengono raggiunti a mezzo di un sistema di collaudo per moduli di memoria SIMM fabbricati con l’uso di chip di memoria affetti da difettosità in cui, per l’accertamento della entità della fallosità e del relativo indirizzo, è prevista una circuiteria che, per una fase di scrittura di riferimento, comprende un registro di configurazione avente un ingresso a 32 bit dal bus di dati ed una uscita a 48 bit verso un invertitore di configurazione avente anch’esso una uscita (Dout) a 48 bit o, per la fase di lettura di comparazione, comprende un invertitore di configurazione avente un ingresso (Din) a 48 bit, collegato ad un comparatore di dati e, attraverso di esso, ad un codificatore di errore, avente una uscita a 32 bit sul bus di dati.
Nella preferita forma di realizzazione, tra detti invertitori di configurazione per le fasi di scrittura e di lettura è previsto un invertitore topologico per complementare il flusso dei dati e scrivere nelle locazioni di memoria dati veri.
Ancora nella preferita forma di realizzazione, il modulo SIMM, comprendente fondamentalmente un array di memoria, il modulo ASIC ed un Fail Memory Register, viene interfacciato, durante il collaudo, tramite una circuiteria di interfacciamento con una memoria FIFO in cui vengono memorizzati l'indirizzo della parola difettosa e l'informazione di errore codificata.
Ulteriori particolarità e vantaggi della presente invenzione appariranno evidenti dal seguito della descrizione con riferimento ai disegni allegati in cui è rappresentata, a titolo illustrativo e non restrittivo, la preferita forma di realizzazione.
Nei disegni:
la Figura 1 mostra uno schema a blocchi della circuiteria inclusa nel modulo ASIC secondo la presente invenzione,
La Figura 2 mostra uno schema a blocchi della funzione di scope da implementare per determinare la posizione reale dei bit difettosi,
la Figura 3 mostra una circuiteria per memorizzare in una memoria FIF O l'indirizzo della parola difettosa e l'informazione di errore codificata,
la Figura 4 mostra un diagramma di flusso in grado di gestire per lo stesso modulo SIMM diversi tipi di organizzazioni di memoria, accessi, codici ECC, livelli di difettosità.
Con riferimento ora ai disegni, è da considerare, innanzi tutto, che una apparecchiatura di collaudo o test di memorie scrive una certa configurazione di riferimento di dati nel dispositivo sotto collaudo (DUT) e quindi rilegge tali dati effettuando un confronto tra i dati riletti e la configurazione di riferimento inizialmente introdotta in fase di scrittura. Se viene riscontrata una condizione di coincidenza o match il collaudo è superato, mentre una qualsiasi deviazione viene considerata una condizione di difetto o fallo (bit fallente o difettoso).
Quando viene effettuato il test di chip di memoria SS si parte già dalla conoscenza del fatto che si tratta di chip non rispondenti o non compliant, almeno per la applicazione a cui si intende destinare il chip, per cui (o scopo del test non è quello di decidere se il chip in questione sia o meno conforme alle specifiche, ma piuttosto quello di accertare la entità o grandezza della deviazione ed il suo indirizzo.
Questa funzione viene svolta dalla circuiteria della Figura 1 , in cui si vede che, per la fase di scrittura di riferimento, è previsto un registro di configurazione 10 avente un ingresso a 32 bit dal bus di dati ed una uscita a 48 bit verso un invertitore di configurazione (scrittura) 11 avente anch'esso una uscita Dout a 48 bit. Per la fase di rilettura, è previsto un invertitore di configurazione (lettura) 13 avente un ingresso D|„ a 48 bit, collegato ad un comparatore di dati 14 e, attraverso di esso, ad un codificatore di errore 15, avente una uscita a 32 bit sul bus di dati.
Prima di iniziare il collaudo, il registro di configurazione 10 viene caricato con la configurazione di bit scelta e, durante la esecuzione del test, i dati vengono trasferiti ai chip di memoria interessati. I bit vengono trasferiti da questo registro e non dal bus di dati che è da 32 bit. Il blocco di invertitore topologico 12 è fornito per complementare la corrente dei dati in modo da scrìvere nelle locazioni della memoria dei “dati veri”, cosa che avviene introducendo una polarità specifica nella cella di memoria.
Nel modo di lettura, i dati estratti dai chip di memoria vengono confrontati, a mezzo del comparatore 14 con i dati contenuti nel registro di configurazione 10. L’uscita del comparatore di dati 14 viene applicata ad un codificatore di errore 15 che fornirà all'apparecchiatura di collaudo o ad una apposita unità CPU dedicata il risultato della comparazione in formato compatto. Il codificatore di errore applica la sua uscita da 32 bit al bus di dati.
La soluzione implementata prevede di aggruppare le porte di I/O di ingresso dei dati in un insieme di quattro bit ed il codificatore fornirà per ciascun insieme una delle seguenti indicazioni:
- non si è verificato alcun errore,
- si è verificato un errore,
- si sono verificati errori multipli.
Applicando questa tecnica, l’informazione relativa a 48 bit (dodici gruppi di quattro bis) può essere concentrata in 24 bit, per cui essa può liberamente fluire attraverso un percorso di dati avente una ampiezza di 32 bit.
Per determinare la posizione reale dei bit difettosi o fallenti, è necessario implementare una funzione di spazzolatura o “ scope ", riportata nello schema a blocchi della Figura 2.
Come si vede, tale funzione deve essere in grado di trasferire, mediante un blocco multipiexer 16 ed un blocco di registro della funzione di scope 17, gruppi scelti di bit, in questo caso tre gruppi di 16 bit, al connettore del modulo SIMM, da 16 bit, in posizioni predefinite, ad esempio DO - D15. Questa funzione può essere utile per una off-line engineering analysis.
ESECUZIONE DEL TEST
Durante il test, il modulo SIMM comprendente fondamentalmente la matrice o array di memoria 18, il modulo ASIC 19 ed il Fail Memory Register 20, verrà interfacciato, tramite una speciale circuiteria di interfacciamento 21 con una memoria FIFO (First-ln-First-Out: Primo in Ingresso-Primo in Uscita) 22 in cui sono memorizzati l'indirizzo della parola difettosa e l'informazione di errore codificata.
La memoria FIFO 22 avrà una ampiezza sufficiente per memorizzare le summenzionate informazioni ed una profondità sufficiente per immagazzinare i dati di difettosità di una intera riga o di una intera colonna.
I dati della memoria FIFO saranno immagazzinati su un dispositivo di memorizzazione di massa per ulteriori calcoli.
COMPILAZIONE DI UNA MAPPA DI DIFETTOSITÀ
Sfruttando i dati di difettosità immagazzinati in fase di collaudo o di test, è possibile compilare delle tabelle di informazioni da immagazzinare permanentemente in un Registro delle Locazioni Difettose (non rappresentato) implementato sul modulo SIMM. Questo registro può essere realizzato su un chip separato, oppure può essere integrato nello stesso modulo ASIC, a seconda della tecnologia disponibile.
Inoltre, più di un Codice di Correzione di Errore (ECC) possono essere implementati nei modulo ASIC, ciascuno ottimizzato per specifiche configurazioni di difettosità o con diversi requisiti di ridondanza, che hanno un impatto diretto sul costo del prodotto finale.
II diagramma di flusso illustrato nella Figura 4 descrive il flusso di programma capace di gestire, per lo stesso modulo SIMM, diversi tipi di organizzazioni della matrice di memoria (per esempio x 4, mista oppure x 16), diversi tipi di accesso alla matrice di memoria (per byte, per parola, etc), diversi tipi di codice ECC (ad alta oppure a bassa difettosità), diversi livelli di difettosità (alta o bassa) nei chip di memoria. Lo schema di flusso della Figura 4 non necessita di ulteriori spiegazioni, essendo la sua comprensione alla portata di qualsiasi esperto del ramo.
A seconda del tipo di codice ECC scelto e del livello di difettosità riscontrato, il lotto sottoposto al collaudo può essere classificato in diverse categorie di prodotti.
Naturalmente una volta completata la programmazione del registro delle locazioni difettose e la classificazione dei dispositivi DUT, si può applicare una convenzionale procedura di test di go/no-go ai singoli prodotti, prima dell'inoltro ai consumo.
In quel che precede è stata descritta la preferita forma di realizzazione, ma deve essere sottinteso che gii esperti nel ramo potranno apportare modifiche e varianti senza con ciò uscire dall’ambito della presente privativa industriale.
Claims (10)
- RIVENDICAZIONI 1. Sistema di collaudo per moduli di memoria SIMM fabbricati con l’uso di chip di memoria affetti da difettosità caratterizzato dal fatto che, per l’accertamento della entità della fallosità e del loro indirizzo, è prevista una circuiteria che, per una fase di scrittura di riferimento, comprende un registro di configurazione (10) avente un ingresso a 32 bit dal bus di dati ed una uscita a 48 bit verso un invertitore di configurazione (11) avente anch’esso una uscita (Dout) a 48 bit e, per la fase di lettura di comparazione, comprende un invertitore di configurazione (13) avente un ingresso (Din) a 48 bit, collegato ad un comparatore di dati (14) e, attraverso di esso, ad un codificatore di errore, avente una uscita a 32 bit sul bus di dati.
- 2. Sistema di collaudo secondo la rivendicazione 1, caratterizzato dai fatto che tra detti invertitori di configurazione (11, 13) per le fasi di scrittura e di lettura è previsto un invertitore topologico (12) per complementare il flusso dei dati e scrivere nelle locazioni di memoria dati veri.
- 3. Sistema di collaudo secondo le rivendicazioni 1 e 2, caratterizzato dal fatto che. per determinare la posizione reale dei bit fallenti, viene implementata una funzione di scope, basata su un blocco multiplexer (16) comandato da un blocco di registro (17), in grado di trasferire gruppi scelti di bit al connettore del modulo SIMM in posizioni predefinite.
- 4. Sistema di collaudo secondo le rivendicazioni 1-3, caratterizzato dai fatto che il modulo SIMM, comprendente fondamentalmente un array di memoria (18), il modulo ASIC (19) ed un Fail Memory Register (20), viene interfacciato, durante il collaudo, tramite una circuiteria di interfacciamento (21 ) con una memoria FIFO (22) in cui vengono memorizzati l'indirizzo della parola difettosa e l'informazione di errore codificata.
- 5. Sistema di collaudo secondo la rivendicazione 4, caratterizzato dal fatto che detta memoria FIFO (22) ha una ampiezza sufficiente per memorizzare dette informazioni ed una profondità sufficiente per immagazzinare i dati di difettosità di una intera riga/colonna.
- 6. Sistema di collaudo secondo le rivendicazioni 4 e 5, caratterizzato dal fatto che i dati della memoria FIFO (22) sono immagazzinati in una memoria di massa per ulteriori calcoli.
- 7. Sistema di collaudo secondo una qualsiasi delle precedenti rivendicazioni, caratterizzato dai fatto che su detto modulo SIMM è implementato un Registro delle Locazioni Difettose per immagazzinare permanentemente i dati di difettosità rilevati in fase di collaudo, in modo da formare una mappa di difettosità.
- 8. Sistema di collaudo secondo una qualsiasi delle precedenti rivendicazioni, caratterizzato dal fatto che, su detto modulo ASIC sono implementati più di un codice ECC, ciascuno ottimizzato per specifiche configurazioni di difettosità o con diversi requisiti di ridondanza.
- 9. Metodo di collaudo eseguito a mezzo di un sistema di collaudo secondo una qualsiasi delle precedenti rivendicazioni caratterizzato dal fatto che il flusso di programma con cui esso è attuato è capace di gestire, per lo stesso modulo SIMM, diversi tipi di organizzazione della matrice di memoria, diversi tipi di accesso alla matrice di memoria, diversi tipi di codice ECC, diversi livelli di difettosità dei chip di memoria.
- 10. Sistema di collaudo per moduli di memoria SIMM fabbricati con l’uso di chip di memoria affetti da difettosità secondo una qualsiasi delle precedenti rivendicazioni e sostanzialmente come rappresentato e descritto.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT96RM000563A IT1284245B1 (it) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | Sistema di collaudo per moduli di memoria simm fabbricati con l'uso di chip di memoria affetti da difettosita' |
| SG1997002788A SG76524A1 (en) | 1996-08-05 | 1997-08-05 | Specialized hardware and software to test simm's manufactured using non compliant memory chips |
| EP97830413A EP0825615A3 (en) | 1996-08-05 | 1997-08-05 | System and method for testing audio RAM memories |
| KR1019970037319A KR19980018371A (ko) | 1996-08-05 | 1997-08-05 | 논 컴플리언트 메모리 칩을 이용하여 제조된 simm을 테스트하기 위한 특수 하드웨어 및 소프트웨어 |
| JP9243319A JPH10106294A (ja) | 1996-08-05 | 1997-08-05 | Simmメモリモジュールのための試験システムおよび方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT96RM000563A IT1284245B1 (it) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | Sistema di collaudo per moduli di memoria simm fabbricati con l'uso di chip di memoria affetti da difettosita' |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ITRM960563A0 ITRM960563A0 (it) | 1996-08-05 |
| ITRM960563A1 true ITRM960563A1 (it) | 1998-02-05 |
| IT1284245B1 IT1284245B1 (it) | 1998-05-14 |
Family
ID=11404384
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| IT96RM000563A IT1284245B1 (it) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | Sistema di collaudo per moduli di memoria simm fabbricati con l'uso di chip di memoria affetti da difettosita' |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0825615A3 (it) |
| JP (1) | JPH10106294A (it) |
| KR (1) | KR19980018371A (it) |
| IT (1) | IT1284245B1 (it) |
| SG (1) | SG76524A1 (it) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100612127B1 (ko) | 2004-09-22 | 2006-08-11 | 삼성전자주식회사 | 메모리 모듈 테스트 방법 및 이를 위한 메모리 모듈의 허브 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5537631A (en) * | 1994-03-21 | 1996-07-16 | Current Logic Systems, Inc. | Memory management technique for defective memory |
-
1996
- 1996-08-05 IT IT96RM000563A patent/IT1284245B1/it active IP Right Grant
-
1997
- 1997-08-05 SG SG1997002788A patent/SG76524A1/en unknown
- 1997-08-05 EP EP97830413A patent/EP0825615A3/en not_active Withdrawn
- 1997-08-05 KR KR1019970037319A patent/KR19980018371A/ko not_active Withdrawn
- 1997-08-05 JP JP9243319A patent/JPH10106294A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0825615A3 (en) | 1999-06-09 |
| SG76524A1 (en) | 2000-11-21 |
| JPH10106294A (ja) | 1998-04-24 |
| ITRM960563A0 (it) | 1996-08-05 |
| IT1284245B1 (it) | 1998-05-14 |
| KR19980018371A (ko) | 1998-06-05 |
| EP0825615A2 (en) | 1998-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102669502B1 (ko) | 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 | |
| KR101234444B1 (ko) | 고용량/고대역폭의 메모리 장치를 복구하기 위한 방법 및 장치 | |
| US6636998B1 (en) | Semiconductor memory device and parallel bit test method thereof | |
| US4878220A (en) | Semiconductor memory device | |
| TWI359424B (en) | Memory, repair system and method for testing the s | |
| US20090172480A1 (en) | System and method for testing a packetized memory device | |
| KR20080086152A (ko) | 반도체 메모리장치 | |
| US7293221B1 (en) | Methods and systems for detecting memory address transfer errors in an address bus | |
| ATE83331T1 (de) | Speicher und deren pruefung. | |
| JPS6042560B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
| US12222829B2 (en) | Memory module with dedicated repair devices | |
| KR20230055614A (ko) | 반도체 메모리 장치 및 메모리 시스템 | |
| CN110942798A (zh) | 半导体存储器件、存储系统及操作半导体存储器件的方法 | |
| US6779141B1 (en) | System and method for implementing memory testing in a SRAM unit | |
| US10043588B2 (en) | Memory device | |
| ITRM960563A1 (it) | Sistema di collaudo per moduli di memoria simm fabbricati con l'uso di chip di memoria affetti da difettosita' | |
| EP0366757B1 (en) | Memory selftest method and apparatus | |
| JP6862487B2 (ja) | エラー訂正回路を有するメモリ | |
| US20080013389A1 (en) | Random access memory including test circuit | |
| US20230013082A1 (en) | Test method and test system | |
| JP2950858B2 (ja) | エラー識別方法 | |
| CN118711644A (zh) | 一种存储系统、存储芯片以及错误检查与清除方法 | |
| ITRM960562A1 (it) | Sistema per produrre moduli di memoria simm utilizzando chip di memoria aram e per il loro collaudo | |
| TWI342566B (en) | Motherboard fault-finding testing method | |
| JPS585681A (ja) | 半導体メモリ試験装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 0001 | Granted |