ITTO991027A1

ITTO991027A1 - Polimeri per rivestimenti anti-riflettenti e procedimento per la loropreparazione.

Info

Publication number: ITTO991027A1
Application number: IT1999TO001027A
Authority: IT
Inventors: Sung-Eun Hong; Min-Ho Jung; Hyeong-Soo Kim; Ki-Ho Baik
Original assignee: Hyundai Electronics Ind
Priority date: 1998-12-31
Filing date: 1999-11-24
Publication date: 2001-05-24
Also published as: FR2788060B1; DE19940320B4; TWI227259B; KR20010016643A; GB2345289B; US20020120070A1; JP4253088B2; JP2000204115A; GB2345289A; KR100363695B1; FR2788060A1; NL1012840C2; NL1012840A1; US6492441B2; ITTO991027A0; IT1308658B1; CN1166704C; CN1260355A; DE19940320A1; GB9917218D0

Description

DESCRIZIONE dell'invenzione industriale dal tìtolo: "POLIMERI PER RIVESTIMENTI ANTI-RIFLETTENTI E PRO-CEDIMENTO PER LA LORO PREPARAZIONE",

DESCRIZIONE SFONDO DELL'INVENZIONE

1. Campo dell'invenzione

La presente invenzione si riferisce a polimeri organici che possono venire usati in rivestimenti antiriflettenti su dispositivi semiconduttori e a procedimenti per la loro preparazione. Più specificamente, i polimeri della presente invenzione possono venire usati per formare uno strato che impedisce la riflessione della luce dagli strati inferiori applicati su un chip semiconduttore quando si usano procedimenti di fotolitografia che impiegano fonti di luce a lunghezza d'onda corta, come 248 nm (KrF) e 193 nm (ArF), durante la fabbricazione di dispositivi semiconduttori 64M, 256M, 1G, 4G e 16G DRAM. I rivestimenti antiriflettenti che comprendono i polimeri della presente invenzione eliminano pure l'effetto dell'onda stazionaria quando si impiega un fascio di ArF e la riflessione/diffrazione provocata dai cambiamenti di spessore dello stesso strato di fotoresist. La presente invenzione si riferisce pure ad una composizione antiriflettente contenente questi polimeri, da soli o in combinazione con altri composti di assorbimento della luce, ed al rivestimento antiriflettente formato da queste composizioni, come pure a procedimenti per la loro preparazione.

2. Descrizione della tecnica precedente.

Nei procedimenti di fotolitografia per preparare dei disegni sub-micronici durante la fabbricazione di semiconduttori, è inevitabile avere un incrocio di riflessione dell'onda stazionaria della radiazione di esposizione. Questo effetto è dovuto alle proprietà spettroscopiche degli strati inferiori applicati sulla fetta di semiconduttore, ai cambiamenti nello strato di fotoresist ed alle variazioni nelle dimensioni critiche (CD) dovute alla luce diffratta e riflessa dallo strato inferiore. È stata quindi suggerita l'adozione di uno strato, chiamato rivestimento antiriflettente, nei dispositivi semiconduttori per impedire la riflessione della luce dagli strati inferiori. Questo rivestimento antiriflettente comprende normalmente un prodotto organico che assorbe luce nel campo di lunghezza d'onda della fonte del fascio luminoso usato nel procedimento litografico. I rivestimenti antiriflettenti sono suddivisi in rivestimenti antiriflettenti inorganici ed organici a seconda del materiale di rivestimento usato, oppure in rivestimenti fotoassorbenti e foto-interferenti, a seconda del meccanismo.

Un rivestimento antiriflettente inorganico viene usato principalmente nel procedimento della formazione di _disegni sub-micronici usando la radiazione della riga i con una lunghezza d'onda di 365 nm. Nei rivestimenti fotoassorbenti sono stati largamente usati TiN e carbonio amorfo e nei rivestimenti ad interferenza luminosa è stato impiegato SiON.

Il composto inorganico SiON è stato usato per rivestimenti antiriflettenti nei procedimenti di preparazione di disegni sub-micronici usando un fascio di KrF. Una tendenza recente è stata quella di usare composti organici nel rivestimento antiriflettente. In base alle conoscenze attuali, un rivestimento organico antiriflettente adeguato deve avere i prerequisiti seguenti:

Primo, durante il processo di formazione del disegno, il fotoresist non deve essere distaccato dal substrato mediante dissoluzione nel solvente usato nel rivestimento organico antiriflettente. Per questa ragione, il rivestimento organico antiriflettente deve essere progettato in modo da formare una struttura reticolata e non deve formare prodotti chimici come sottoprodotto.

Secondo, verso o dal rivestimento antiriflet^ tente non devono migrare composti acidi o amminici. Questo poiché vi è tendenza a creare "sottosquadra" sul lato inferiore del disegno se vi è migrazione di un acido, e a creare un "piede" se a migrare è una base come una ammina.

Terzo, il rivestimento antiriflettente deve avere una velocità di attacco chimico maggiore rispetto allo strato di fotoresist cosicché il processo di corrosione possa essere eseguito in modo efficiente utilizzando come maschera lo strato di fotoresist.

Quarto, il rivestimento antiriflettente deve operare con uno spessore minimo.

Fino ad oggi, non sono stati sviluppati rivestimenti antiriflettenti adatti all'impiego in pròcedimenti di preparazione di un modello submicronico usando un fascio di ArF. Inoltre, poiché non vi è un rivestimento antiriflettente inorganico noto che controlli l'interferenza da una fonte luminosa a 193 nm, l'uso di prodotti chimici organici nei rivestimenti antiriflettenti è attualmente sotto studio.

È quindi desiderabile usare e sviluppare rivestimenti antiriflettenti organici che as'sorbano fortemente la luce a lunghezze d'onda specifiche per impedire l'effetto dell'onda stazionaria e la riflessione della luce nei procedimenti litografici, ed eliminare la diffrazione posteriore e la luce riflessa dagli strati inferiori.

SOMMARIO DELL'INVENZIONE

La presente invenzione fornisce nuovi composti chimici adatti all'uso in rivestimenti antiriflettenti nei processi fotolitografici per la formazione di modelli sub-micronici con l'impiego di fasci luminosi a 193 nm (ArF) e 248 nm (KrF) nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori.

La presente invenzione fornisce inoltre metodi di preparazione per composti chimici da usare nei rivestimenti antiriflettenti.

La presente invenzione fornisce pure composizioni per rivestimenti antiriflettenti contenenti i composti summenzionati e loro metodi di preparazione .

La presente invenzione provvede inoltre rivestimenti antiriflettenti formati usando la composizione antiriflettente suddetta e metodi per la loro formazione .

DESCRIZIONE DETTAGLIATA DELL'INVENZIONE

I polimeri della presente invenzione sono scelti dal gruppo costituito da composti rappresentati dalle seguenti formule generali (1), (2), e (3):

in cui R è idrogeno, un gruppo alchilico Ci-C6, ossidrile o idrossimetile; e m:n è il rapporto molare di 0,1-0,9:0,1-0,9;

in cui R è idrogeno, un gruppo alchilico C1-C6, ossidrile o idrossimetile; x è un numero tra 1 e 5 e a:b:c:d è il rapporto molare 0,1-0,9:0, 1-0,9:0,1-0,9:0, 1-0,9; e

in cui,

R1 è idrogeno, metile o ossidrile; e e è il grado medio di polimerizzazione.

Preferibilmente e ha un valore da 3,0 a 17,0.

I polimeri della presente invenzione sono progettati in modo da facilitare l'assorbimento della luce a lunghezze d'onda di 193 nm e 248 ma, avendo gruppi che assorbono fortemente luce ad ambedue dette lunghezze d'onda.

I polimeri rappresentati dalla formula generale 1 precedente possono venire preparati secondo la reazione 1 seguente, in cui si fanno reagire poliidrossistirene (composto I) e un alogenuro diazonaftochinone (composto II) in un solvente in presenza di una ammina:

in cui R è idrogeno, un gruppo C1-C6 alchile, ossidrile o idrossimetile; Y è un alogeno e m:n è il rapporto molare di 0,1-0,9:0,1-0,9.

il polimero rappresentato dalla formula generale 2 precedente può venire preparato secondo la reazione 2 seguente, in cui si fanno reagire poli (stiren acrilato) (composto III) e alogenuro di diazonaftochinone (composto II) in un solvente in presenza di una ammina.

in cui, R è idrogeno, un gruppo C1-C6 alchile, ossidrile o idrossimetile;

Y è un alogeno; x è un numero tra 1 e 5 e a:b:c:d è il rapporto molare di 0,1-0, 9:0,1-0,9:0,1-0, 9:0,1-0,9.

Il polimero rappresentato dalla formula generale 3 precedente può venire preparato con la reazione 3 seguente, in cui si fa reagire una resina novolacca (composto IV) e alogenuro di diazonaftochinone (composto II) in un solvente in presenza di una ammina:

in cui Ri è idrogeno, metile o ossidrile; Y è un alogeno e e è il grado medio di polimerizzazione. I prodotti di partenza usati nelle reazioni precedenti, poliidrossistirene (I), alogenuro di diazonaftochinone (II), resina di poli(stirenacrilato) (III) e resina novolacca (IV), sono disponibili in commercio o possono venire sintetizzati con procedimenti noti.

L'ammina usata nella preparazione dei polimeri della presente invenzione è preferibilmente trialchilammina e, più preferibilmente, trietilammina.

Il solvente usato nella preparazione dei polimeri della presente invenzione può venire scelto dal gruppo costituito da tetraidrofurano, toluene, benzene, metiletil chetone e diossano.

La temperatura di reazione del procedimento di polimerizzazione usato nella preparazione dei polimeri della presente invenzione è preferibilmente tra 50 e 80°C.

La presente invenzione fornisce pure una composizione di rivestimento antiriflettente contenente un polimero di formula generale 1,2 oppure 3 da solo in un solvente organico.

La composizione di rivestimento antiriflettente della presente invenzione può anche comprendere uno dei polimeri di formula generale 1, 2 oppure 3 ed un composto fotoassorbente scelto dal gruppo costituito da antracene e suoi derivati, derivati di fluorenone, fluorene e suoi derivati, fluorenolo, xantone, chinazarina e fluoresceina. Esempi di tali composti sono elencati nelle tabelle la e lb seguenti:

Tabella la

Segue Tabella la

Tabella lb

Segue tabella lb

Nella tabella la precedente, R5, R6 e R7 rappresentano ciascuno indipendentemente idrogeno, un gruppo C1-C5 alchile lineare o ramificato, sostitui-to o non sostituito, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile, e p è un numero intero. Prefe-ribilmente P ha un valore di 1-3.

Nella tabella lb precedente, R8-RIS rappresentano ciascuno indipendentemente idrogeno, ossidrile, C1-C5 alchile lineare o ramificato, sostituito o non sostituito, cicloalchile, alcossialchilé o cicloalcossialchile, e R16 e R17 rappresentano ciascuno indipendentemente un gruppo alchilico.

La composizione di rivestimento antiriflettente della presente invenzione viene preparata disciogliendo un polimero di formula generale 1, 2 o 3 suddette in un solvente organico ed aggiungendovi successivamente uno o più composti scelti dalle suddette tabelle la e lb.

Il solvente organico usato per la preparazione può essere qualsiasi solvente organico convenzionale adatto, preferibilmente un solvente scelto dal gruppo costituito da etil 3-etossipropionato, metil 3-metossipropionato, cicloesanone, glicole propilenico e metil etere acetato.

La quantità di solvente usata nella preparazione della composizione di rivestimento antiriflettente secondo la presente invenzione è preferibilmente dal 200 al 5000% (peso/peso) rispetto al peso del polimero usato.

Il rivestimento antiriflettente della presente invenzione può essere formato su un wafer di silicio semiconduttore filtrando una soluzione di polimero corrispondente alla formula generale 1, 2 o 3 da solo, oppure una composizione contenente un polimero di formula generale 1, 2 oppure 3 é uno o più dei composti fotoassorbenti indicati nelle tabelle la e lb, applicando successivamente la soluzione o composizione filtrata su un wafer che è stato,preparato nel modo convenzionale e effettuando una "cottura severa" del rivestimento (riscaldando il wafer ad una temperatura di 100-300°C per 10-1000 secondi) in modo da reticolare il polimero di rivestimento antiriflettente.

I polimeri comprendenti il rivestimento antiriflettente della presente invenzione formano una struttura reticolata quando vengono applicati su un wafer e cotti ad alte temperature ("cottura severa") mediante una reazione che apre l'anello del gruppo diazonaftochinonico in detti polimeri. Questa struttura reticolata consente ai polimeri della presente invenzione di formare un materiale di rivestimento organico antiriflettente che è spettroscopicamente stabile nelle convenzionali condizioni fotolitografiche .

I polimeri e le composizioni della presente invenzione si sono dimostrati materiali organici di rivestimento antiriflettente eccellenti durante la formazione di modelli sub-micronici in procedimenti fotolitografici con l'impiego di laser a 248 nm KrF e 193 nm ArF. L'effetto antiriflettente ottenuto secondo la presente invenzione è risultato anche superiore quando si impiega un fascio E, luce ultravioletta estrema (EUV) e fonti di luce a fascio ionico invece del fascio di ArF.

L'invenzione verrà ulteriormente illustrata dagli esempi seguenti, ma l'invenzione non è limitata agli esempi forniti.

ESEMPIO 1

Sintesi di un copolimero di poliidrossistirene avente un gruppo di diazonaftochinonsolfonile Dopo aver disciolto completamente 49,6 g (0,3 moli) di resina poliidrossistirenica in un pallone a fondo tondo da 300 mi contenente 250 g di tetraidrofurano (THF), si aggiungono alla miscela 15,2 g (0,15 moli) di trietilammina e si miscela compietamente. Nella miscela si aggiungono lentamente 45,1 g (0,15 moli) di cloruro di diazonaftochinone e si fa reagire per oltre 24 ore. Completata la reazione la resina viene separata mediante precipitazione in dietiletere ed essiccata sotto vuoto per ottenere un copolimero di poli(idrossistirene-diazonaftochinon solfonilstirene) secondo la presente invenzione, in cui il 50% del monomero di idrossistirene è sostituito con un gruppo diazonaftochinonsolfonile. La resa è del 90-95%.

ESEMPIO 2

Sintesi di un copolimero di poliidrossi-ametilstirene avente un gruppo di diazonaftochinonsolfonile

Dopo completa dissoluzione di 58,8 g (0,33 moli) di poli (idrossi-a-metilstirene) in un pallone a fondo tondo.da 300 mi contenente 250 g di tetraidrofurano (THF), si aggiungono alla miscela 13,45 g (0,132 moli) di trietilammina e si miscela completamente. Alla miscela si aggiungono lentamente 39,7 g (0,132 moli) di diazonaftochinone cloruro e si fa reagire per oltre 24 ore. Completata la reazione la resina viene separata mediante precipitazione in dietiletere ed essiccata sottovuoto ottenendo un copolimero di poli(idrossi-a-metilstirene-diazonaftochinonsolfonil- (α-metilstirene) della presente invenzione, in cui il 40% del monomero idrossi-ametilstirene è sostituito con un gruppo diazonaftochinonsolfonile. La resa è del 90-95%.

ESEMPIO 3

Sintesi di un copoliméro di poli(idrossistireneidrossietilacrilato) avente un gruppo di diazonaftochinonsolfonile

Dopo dissoluzione completa di 84,1 g (0,3 moli) di poli (idrossistiren idrossietilacrilàto) in un pallone a fondo tondo da 300 mi contenente 300 g di tetraidrofurano (THF), si aggiungono alla miscela 15,2 g (0,15 moli) di trietilammina e si miscela completamente.. Nella miscela si aggiungono lentamente 45,1 g (0,15 moli) di cloruro di diazonaftochinone e si fa reagire per oltre 24 ore. Completata la reazione la resina viene separata per precipitazione in dietiletere ed essiccata sottovuoto ottenendo un copoliméro di poli (idrossistireneidrossietilacrilato) della presente invenzione in cui il 50% del reagente è sostituito con un gruppo diazonaftochinonsolfonile . La.resa è dell'85-90%.

ESEMPIO 4

Sintesi di un copoliméro di poli(idrossistireneidrossietilmetacrilato) avente un gruppo di diazonaftochinonsolfonile

Dopo dissoluzione completa di 88,3 g (0,3 moli) di resina poli (idrossistirene-idrossietilmetacrilato) in un pallone a fondo tondo da 300 mi contenente 300 g di tetraidrofurano (THF), si aggiungono alla miscela 13,7 g (0,135 moli) di trietilammina e si miscela completamente. Nella miscela si aggiungono quindi lentamente 40,6 g (0,135 moli) di cloruro di diazonaftachinone e si fa reagire per oltre 24 ore. Completata la reazione la resina viene separata mediante precipitazione in dietiletere ed essiccata sottovuoto ottenendo una resina novolacca della presente invenzione in cui il 45% del reagente è sostituito con un gruppo di diazonaftochìnonsolfonile. La resa è del 90-95%.

ESEMPIO 5

Sintesi di un copolimero di fenil novolacca avente un gruppo diazonaftochinonsolfonilico Dopo dissoluzione completa di 63,1 g (0,35 moli) di resina fenilnovolacca in un pallone a fondo tondo da 300 mi contenente 250 g di tetraidrofurano (THF), si aggiungono alla miscela 17,7 g (0,175 moli) di trietilammina e si miscela completamente. Alla miscela si aggiungono quindi lentamente 52,6 g (0,175 moli) di diazonaftochinone e si fa reagire per oltre 24 ore. Completata la reazione la resina viene separata precipitandola in dietiletere, quindi si essicca sottovuoto ottenendo una resina di fenil novolacca della presente invenzione, in cui il 50% di reagente è sostituito con un gruppo di diazonaftochinonsolfonile . La resa è del 90-95%.

ESEMPIO 6

Sintesi di un copolimero di cresol novolacca avente un gruppo di diazonaftochinonsolfonile

Dopo dissoluzione completa di 62,2 g (0,3 moli) di resina cresol novolacca in un pallone a fondo tondo da 300 mi contenente 250 g di tetraidrofurano (THF), si aggiungono 15,2 g (0,15 moli) di trietilammina e si miscela completamente. Alla miscela si aggiungono quindi lentamente 45,1 g (0,15 moli) di cloruro di diazonaftochinone e si fa reagire per oltre 24 ore. Completata la reazione la resina viene separata precipitandola in dietiletere, quindi si essicca sottovuoto ottenendo una resina di cresol novolacca della presente invenzione in cui il 50% del reagente è sostituito con un gruppo di diazonaftochinonsolfonile. La resa è del 90-95%.

ESEMPIO 7

Preparazione di una pellicola di rivestimento antiriflettente

50 mg di un copolimero preparato secondo gli esempi da 1 a 6 precedenti vengono miscelati con 0,1-30% (peso/peso) di uno dei composti delle tabelle la e lb precedenti in circa 100 g di propilen glicole metiletere acetato (PGMEA) e la miscela viene disciolta completamente. La soluzione viene filtrata, applicata su un wafer e sottoposta a cottura severa a 100-300°C per 10-1000 secondi. Successivamente, su questa pellicola antiriflèttente si applica una pellicola fotosensibile per formare un dispositivo semiconduttore adatto alla preparazione di un modello fine in un convenzionale procedimento fotolitografico.

I polimeri della presente invenzione hanno elevate solubilità nella maggior parte dei solventi idrocarburici, ma il rivestimento antiriflettente viene reso insolubile in qualsiasi solvente dopo la cottura severa. Per conseguenza, i polimeri della presente invenzione sono superiori per l'uso in una pellicola di fotoresist e non presentano problemi quali la formazione di sottosquadra o di "piede" durante la preparazione del modello.

Quando i polimeri della presente invenzione vengono usati come rivestimenti antiriflettenti nel procedimento di preparazione di un modello submicronico per la formazione di semiconduttori, la resa di prodotto viene aumentata poiché l'eliminazione della variazione di CD dovuta agli strati inferiori forma modelli sub-micronici 64M, 256M, 1G, 4G, 16G DRAM stabili.

Claims

RIVENDICAZIONI 1. Polimero sostituito con diazonaftochinonsolfonile per l'uso come rivestimento antiriflet-tente in un dispositivo semiconduttore, detto polimero essendo scelto dal gruppo costituito da: (a) polimeri di poliidrossistirene aventi formula:

in cui R è idrogeno, un gruppo C1-C6 alchile, ossidrile o idrossiraetile; e m:n è il rapporto molare di 0,1-0,9:0, 1-0,9; (b) polimeri di poli (stirenacrilato) aventi formula:

in cui R è idrogeno, un gruppo C1-C6 alchile; ossi-drile o idrossimetile; x è un numero da 1 a 5 e a:b:c:d è il rapporto molare di 0,1-0,9:0,1-0,9:0, 1-0,9:0, 1-0,9; e ,(c) polimeri novolacca aventi formula:

in cui R1 è idrogeno, metile o ossidrile; e e è il grado medio di polimerizzazione.
2. Polimero secondo la rivendicazione 1, in cui R è idrogeno oppure metile, Ri è idrogeno oppure metile e x è 1.
3. Procedimento per la preparazione di un polimero secondo la rivendicazione 1, che comprende il far reagire una resina di poliidrossistirene (I) ed un alogenuro di diazonaftochinone (II) in un solvente in presenza di una ammina, come illustrato nella seguente equazione:

in cui R è idrogeno, un gruppo C1-C6 alchile, ossidrile o idrossimetile; Y è un alogeno e m:n è il rapporto molare di 0,1-0,9:0,1-0, 9.
4. Procedimento per la preparazione di un polimero secondo la rivendicazione 1, che comprende il far reagire una resina di poli (stirenacrilato) (III) ed un alogenuro di diazonaftochinone (II) in un solvente in presenza di una amiaina, come rappresentato nella seguente equazione:

in cui, R è idrogeno, un gruppo C1-C6 alchile, ossi-drile o idrossimetile; Y è un alogeno; x è un numero da 1 a 5 e a:b:c:d è il rapporto molare di 0,1:0, 9 :0,1-0, 9: 0,1-0, 9:0, 1-0, 9.
5. Procedimento per la preparazione di un polimero secondo la rivendicazione 1, che comprende il far reagire una resina novolacca- (IV) e un alogenuro di diazonaftochinone (II) in un solvente in presenza di una ammina come mostrato nella reazione seguente:

in cui Ri è idrogeno, metile o ossidrile; Y è un alogeno e e è il grado medio di polimerizzazione.
6. Procedimento secondo la rivendicazione 3, 4 o 5, in cui il rapporto molare di ciascun reagente è 0,1-0,9.
7. Procedimento secondo la rivendicazione 3, 4 o 5, in cui 1'ammina è una trietilammina.
8. Procedimento secondo la rivendicazione 3, 4 o 5, in cui il solvente è scelto dal gruppo costituito da tetraidrofurano, toluene, benzene, metiletil chetone e diossano.
9. Procedimento secondo la rivendicazione 3, 4 o 5, in cui la temperatura di reazione è tra 50 e 80°C.
10. Composizione di rivestimento antiriflettente comprendente un polimero sostituito con diazonaftochinonsolfonile secondo la rivendicazione 1 e uno o più composti fotoassorbenti scelti dal gruppo costituito da antracene e suoi derivati, derivati di fluorenone, fluorene e suoi derivati, fluorenolo, xantone, chinazarina e fluoresceina.
11. Composizione di rivestimento antiriflettente.. secondo la rivendicazione 10, in cui detto composto fotoassorbente è antracene, 9-antracen metanolo, 9-antracen carbonitrile, acido 9-antracen carbossilico, ditranolo, 1,2,10-antracentriolo, acido antraflavico, 9-antraldeide ossima, 9-antraldeide, 2-ammino-7-metil-5-osso-5H-[1]benzopirano [2,3-b]piridin-3-carbonitrile, 1-ammino antrachinone, acido antrachinon-2-carbossilico, 1,5-diidrossiantrachinone, antrone, 9-antril trifluorometilchetone, fluorene, acido 9-fluoren acetico, 2-fluoren carbossaldeide, acido 2-fluorencarbossilico, acido 1-fluoren carbossilico, acido 4-fluoren carbossilico, acido 9-fluoren carbossilico, 9-fluoren metanolo, fluorenolo, xantone, chinizari na e fluoresceina, un derivato di 9-alchilantracene avente formu la:

un derivato di acido 9-antracen carbossilico avente formula:

un derivato di acido 1-antracen carbossilico avente formula:

un derivato di fluorenone avente formula

un derivato di fluorenone avente formula:

un derivato di fluorenone avente formula:

o un derivato di fluorenone avente formula:

in cui R5 R6 e R7 rappresentano ciascuno indipendentemente idrogeno, un gruppo C1-C5 alchile lineare o ramificato, sostituito o non sostituito, cìcloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile; R8-R15 rappresentano ciascuno indipendentemente idrogeno, ossidrile, un gruppo C1-C5 alchile lineare o ramifi-cato sostituito o non sostituito, cicloalchile, al-cossialchile o cicloalcossialchile; R16 e R17 rappresentano ciascuno indipendentemente alchile e p è un numero intero.
12. Composizione antiriflettente secondo la rivendicazione 10, in cui la composizione viene usata per la litografia con KrF.
13. Procedimento per la preparazione di una composizione di rivestimento antiriflettente che comprende: disciogliere un polimero secondo la rivendicazione 1 nel 200-5000% (peso/peso) di un solvente organico; e aggiungere alla soluzione risultante uno o più composti fotoassorbenti scelti dal gruppo costituito da antracene, 9-antracenmetanolo, 9-antracencarbonitrile, acido 9-antracencarbossilico, ditraηοΐθ/ 1,2,10-antracentriolo, acido antraflavico, 9-antraldeide ossima, 9-antraldeide,· 2-ammino-7-metil-5-osso-5H- [l]benzopirano[2,3-b]piridin-3-carbonitrile, 1-amminoant rechinone, acido antrachinon-2-carbossilico, 1,5-diidrossiantrachinone, antrone, 9-antril trifluorometilchetone, fluorene, acido 9-fluorenacetico, 2-fluorencarbossaldeide, acido 2-fluorencarbossilico, acido 1-fluorencarbossilico, acido 4-fluorencarbossilico, acido 9-fluorencarbossilico, 9-fluorenmetanolo, fluorenolo, xantone, chinizarina e fluoresceina, derivati di 9-alchilantracene aventi formula:

derivati di acido 9-antracen carbossilico aventi formula:

derivati acido 1-antracen carbossilico aventi formula:

derivati di fluorenone aventi formula

derivati di fluorenone aventi formula

derivati di fluorenone aventi formula:

e derivati di fluorenone aventi'formula:

in cui R5, R6 e R7 rappresentano ciascuno indipendentemente idrogeno, un gruppo C1-C5 alchile lineare o ramificato, sostituito o non sostituito, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile; R8-R15 rappresentano ciascuno indipendentemente idrogeno, ossidrile, un gruppo C1-C5 alchile lineare o ramificato sostituito o non sostituito, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile; R16 e R17 rappresentano ciascuno indipendentemente alchile e p è un numero intero.
14. Procedimento secondo la rivendicazione 13 in cui la quantità di composto fotoassorbente è dallo 0,1 al 40% (peso/peso).
15. Procedimento secondo la rivendicazione 13, in cui il solvente è scelto dal gruppo costituito da etil 3-etossipropionato, metil 3-metossipropionato, cicloesanone, glicole propilenico e metiletere acetato.
16. Rivestimento antiriflettente contenente un polimero secondo la rivendicazione 1.
17. Rivestimento antiriflettente secondo la rivendicazione 16, adatto all'impiego nella fotolitografia con ArF.
18. Procedimento per la formazione di un rivestimento antiriflettente, comprendente le fasi di: disciogliere un polimero secondo la rivendicazione 1 in un solvente per formare una soluzione; applicare detta soluzione ad un wafer di silicio; e sottoporre detto wafer a cottura severa a 100-300°C·..per 10-1000 secondi.
19. Procedimento per la formazione di una composizione per rivestimento antiriflettente secondo la rivendicazione 18, comprendente inoltre: disciogliere con il polimero secondo la rivendicazione 1, uno o più dei composti fotoassorbenti scelti dal gruppo costituito da entracene, 9-antracenmetanolo, 9-antracencarbonitrile, acido 9-antracencarbossilico, ditranolo, 1,2,10-antracentriolo, acido antraflavico, 9-antraldeide ossima, 9-antraldeide, 2-ammino-7-metil-5-osso-5H-[ljbenzopirano [2,3-b]piridin-3-carbossile, 1-amminoantradanone, acido antrachinon-2-carbossilico, 1,5diidrossiantrachìnone, antrone, 9-antriltrifluorometilchetone, fluorene, acido 9-fluorenaceticO, 2-fluorencarbossaldeide, acido 2-fluorencarbossilico, acido l-fluorencarbossilico, acido 4-fluorencarbossilico, acido 9-fluorencarbossilico, 9-fluorenmetanolo, fluorenolo, xantone, chinazina e fluoresceina, derivati di 9-alchilantracene aventi formula:

derivati di acido 9-antracen carbossilico aventi formula:

derivati acido 1-antracen carbossilico aventi formula:

derivati di fluorenone aventi formula:

derivati di fluorenone aventi formula:

derivati di fluorenone aventi formula:

e derivati di fluorenone aventi formula:

in cui R5, Rg e R7 rappresentano ciascuno indipendentemente idrogeno, un gruppo C1-C5 alchile lineare o ramificato, sostituito o non sostituito, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile; R8-R15 rappresentano ciascuno indipendentemente idrogeno, ossidrile, un gruppo C1-C5 alchile lineare o ramificato sostituito o non sostituito, cicloalchile, alcossialchile o cicloalcossialchile; R16 e R17 rappresentano ciascuno indipendentemente alchile; e p è un numero intero.
20. Dispositivo semiconduttore comprendente un rivestimento antiriflettente contenente un polimero costituito con diazonaftochinonsolfonile scelto dal gruppo costituito da: (a) polimeri di poliidrossistirene aventi formula:

in cui R è idrogeno, un gruppo C1-C6 alchile, ossidrile o idrossimetile; e m:n è il rapporto molare di 0,1-0,9:0,1-0, 9; b) polimeri di poli (stirenacrilati) aventi formula:

in cui R è idrogeno, un gruppo C1-C6 alchile, ossidrile o idrossimetile; x è un numero tra 1 e 5 e a:b:c:d è il rapporto molare di 0,1-0, 9:0,1-0,9:0, 1-0,9:0, 1-0,9; e c) polimeri novolacca aventi formula:

in cui, Ri è idrogeno, metile o ossidrile; e e è il grado medio di polimerizzazione.