JPH0210346A - パターン形成材料 - Google Patents
パターン形成材料Info
- Publication number
- JPH0210346A JPH0210346A JP63161650A JP16165088A JPH0210346A JP H0210346 A JPH0210346 A JP H0210346A JP 63161650 A JP63161650 A JP 63161650A JP 16165088 A JP16165088 A JP 16165088A JP H0210346 A JPH0210346 A JP H0210346A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern forming
- forming material
- sulfonyl chloride
- resin
- compd
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体製造工程のエキシマレーザや遠紫外線
を用いたりソゲラフイエ程で主に使用するパターン形成
材料に関する。
を用いたりソゲラフイエ程で主に使用するパターン形成
材料に関する。
従来の技術
遠紫外線・エキシマレーザを用いたリングラフィばその
短波長性を利用して、高解像度のパターン形成が可能で
ある。ところが、用いるパターン形成材料（レジスト）
の光吸収比が大きいためて形状の良いパターンが得られ
ない〔たとえば、工ムエンドウ（Ｍ、Ｅｎｄｏ） ａｔ
２Ｌｌ、 プロシーディング オプ エスピーアイ
イー（Ｐｒｏｃ 、 ｏｆＳＰＩＩＣ）、１３８（１
９８７）、ｌ。
短波長性を利用して、高解像度のパターン形成が可能で
ある。ところが、用いるパターン形成材料（レジスト）
の光吸収比が大きいためて形状の良いパターンが得られ
ない〔たとえば、工ムエンドウ（Ｍ、Ｅｎｄｏ） ａｔ
２Ｌｌ、 プロシーディング オプ エスピーアイ
イー（Ｐｒｏｃ 、 ｏｆＳＰＩＩＣ）、１３８（１
９８７）、ｌ。
第２図を用いて、従来のパターン形成材料を用いたパタ
ーン形成方法を説明する。
ーン形成方法を説明する。
基板１上に従来のパターン形成材料２′であるＭＰ２４
００（シブソイ）を１、０μｍ形成しく第２図ム）、マ
スク３を介して所望のパターン露光４ヲＫｒＦエキシマ
レーザ・ステッパ（ＮムＯ，３ａ）により行う（第２図
Ｂ）。この後、アルカリ現像液であるＭＰ２４０１ ２
ａ％水溶ｉ’＆（シプンイ）にて６０秒間の現像を行い
、パターン２′ムを形成した（第２図Ｇ）。得られた０
、４μｍライン・アンド・スペースパターン２′ムは２
０π嘆減すＩ。
００（シブソイ）を１、０μｍ形成しく第２図ム）、マ
スク３を介して所望のパターン露光４ヲＫｒＦエキシマ
レーザ・ステッパ（ＮムＯ，３ａ）により行う（第２図
Ｂ）。この後、アルカリ現像液であるＭＰ２４０１ ２
ａ％水溶ｉ’＆（シプンイ）にて６０秒間の現像を行い
、パターン２′ムを形成した（第２図Ｇ）。得られた０
、４μｍライン・アンド・スペースパターン２′ムは２
０π嘆減すＩ。
たアスペクト比６０°の不良パターンであった。
このような不良パターンは以後の半導体製造工程での歩
留まり低下の要因となるために危惧すべき事態であった
。
留まり低下の要因となるために危惧すべき事態であった
。
発明が解決しようとする課題
本発明は従来の技術が有していた遠紫外線・エキシマレ
ーザ光て対するパターン形成材料のパターン不良という
課１須を解決することを目的とする。
ーザ光て対するパターン形成材料のパターン不良という
課１須を解決することを目的とする。
課題を解決するだめの手段
本発明は従来技術の課、煩を解決するため・て、１、２
−キノンジアジドスルホニルクロライド。
−キノンジアジドスルホニルクロライド。
父・は、１、２−キノンジアジドとアルカリ可容性樹脂
より成ることを特徴とするパターン形成材料を提供する
ものである。
より成ることを特徴とするパターン形成材料を提供する
ものである。
作用
本発明に係る１、２−キノンジアジドスルホニルクロラ
イド化合物は樹脂のアルカリ可溶性を著しく制御し、又
、露光部はインデンカルボン駿となると同時に樹脂のア
ルカリ可溶阻止効果も喪失する。このことから、本発明
の１、２−キノンジアジドスルホニルクロライド化合物
を感光体としたパターン形成材料は、遠紫外光・エキシ
マレーザ光の光吸収によって未露光部に光が回折されて
も、回折されたエネルギーの弱い光に対しては依然とし
て前記感光体のアルカリ阻止性が強めために、未露光部
のパターン形成材料はアルカリ現象液に対して不溶とな
る。
イド化合物は樹脂のアルカリ可溶性を著しく制御し、又
、露光部はインデンカルボン駿となると同時に樹脂のア
ルカリ可溶阻止効果も喪失する。このことから、本発明
の１、２−キノンジアジドスルホニルクロライド化合物
を感光体としたパターン形成材料は、遠紫外光・エキシ
マレーザ光の光吸収によって未露光部に光が回折されて
も、回折されたエネルギーの弱い光に対しては依然とし
て前記感光体のアルカリ阻止性が強めために、未露光部
のパターン形成材料はアルカリ現象液に対して不溶とな
る。
このように本発明のパターン形成材料は、遠紫外光・エ
キシマレーザ光に対して、露光部・未露光部の区別が明
らかとなり、形状の良いパターンを形成することができ
た。なお、１、２−キノンジアジドスルホニルクロライ
ド化合物の中のスルホニルクロライド基が特に樹脂のア
ルカリ可溶性を阻止する効果をもっていると考えられる
。
キシマレーザ光に対して、露光部・未露光部の区別が明
らかとなり、形状の良いパターンを形成することができ
た。なお、１、２−キノンジアジドスルホニルクロライ
ド化合物の中のスルホニルクロライド基が特に樹脂のア
ルカリ可溶性を阻止する効果をもっていると考えられる
。
本発明に係る１、２−キノンジアジド化合物を感光体と
して用いた場合ては、これが樹脂の光架喬を増進させる
ことを見出した。即ち、１、２−キノンジアジド化合物
とアルカリ可容性樹脂により、遠紫外光・エキシマレー
ザ光に対するネガ型のパターン形成材料となった。１、
２−キノンジアジド化合物はこれらの光に対して、パタ
ーン形成材料としての膜として形成した基板との界面ま
で良く架橋を促進させることから、形状の良いパターン
を形成することができた。
して用いた場合ては、これが樹脂の光架喬を増進させる
ことを見出した。即ち、１、２−キノンジアジド化合物
とアルカリ可容性樹脂により、遠紫外光・エキシマレー
ザ光に対するネガ型のパターン形成材料となった。１、
２−キノンジアジド化合物はこれらの光に対して、パタ
ーン形成材料としての膜として形成した基板との界面ま
で良く架橋を促進させることから、形状の良いパターン
を形成することができた。
なお、本発明の１、２−キノンジアジドスルホニルクロ
ライド化合物としては、１、２−ナツトキノンジアジド
−４−スルホニルクロライド。
ライド化合物としては、１、２−ナツトキノンジアジド
−４−スルホニルクロライド。
１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロラ
イド、１、２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル
クロライド、１、２−ナフトキノンジアジド−７−スル
ホニルフロラ（）’、１、２−ナフトキノンジアジド−
８−スルホニルクロライド、１、２−キノンジアジド化
合物としては、１、２−ナフトキノンジアジドなどが挙
げられるが、これらの限りではなく、ベンゼン環、ナフ
タレン環、アントラセン環など、又はこれらの誘導体を
基本とした化合物でも良い。
イド、１、２−ナフトキノンジアジド−６−スルホニル
クロライド、１、２−ナフトキノンジアジド−７−スル
ホニルフロラ（）’、１、２−ナフトキノンジアジド−
８−スルホニルクロライド、１、２−キノンジアジド化
合物としては、１、２−ナフトキノンジアジドなどが挙
げられるが、これらの限りではなく、ベンゼン環、ナフ
タレン環、アントラセン環など、又はこれらの誘導体を
基本とした化合物でも良い。
物を添加しても良論。これは、露光後のパターン形成材
料の透過率の向上を助長させる。これらの化合物として
は、たとえば、 り馬υ アルカリ可容性樹脂としては、ノボラック樹脂。
料の透過率の向上を助長させる。これらの化合物として
は、たとえば、 り馬υ アルカリ可容性樹脂としては、ノボラック樹脂。
ポリビニルフェノール樹脂又はその誘導本樹脂。
（スチレン−マレイン酸エステル）共重合樹脂などが挙
げられるがこれらの限シではない。
げられるがこれらの限シではない。
実施例
（その１）
第１図を用いて本発明の一実施例のパターン形成材料を
用いたパターン形成方法につめて説明する。
用いたパターン形成方法につめて説明する。
本発明の一実施例のパターン形成材料として以下の組成
の材料を合成した。
の材料を合成した。
半導体等の基板１上に本発明のパターン形成材＃＝＋２
を１、０μ扉形成しく第１図ム）、マスク３を介して所
望のパターン露光４をＫｒＦエキシマンーザステッパ（
Ｎムｏ、ｓｅ）＜より行った（第１図Ｂ）。この後１Ｍ
Ｐ２４０１ １ ｏ写本溶液にで６０秒間の現象を行い
、パターン２人を形成した（第１図Ｇ）。得られたパタ
ーン２人はアスペクト比８５°の、漠減シのない０．４
μｍライン・アンド８スベーヌパターンテアった。
を１、０μ扉形成しく第１図ム）、マスク３を介して所
望のパターン露光４をＫｒＦエキシマンーザステッパ（
Ｎムｏ、ｓｅ）＜より行った（第１図Ｂ）。この後１Ｍ
Ｐ２４０１ １ ｏ写本溶液にで６０秒間の現象を行い
、パターン２人を形成した（第１図Ｇ）。得られたパタ
ーン２人はアスペクト比８５°の、漠減シのない０．４
μｍライン・アンド８スベーヌパターンテアった。
（その２）
実施例その１と同様の実・験を以下の組成の本発明のパ
ターン形成材料で行＾、０．４μｍの８５゜のアスペク
ト比のパターンを得た。
ターン形成材料で行＾、０．４μｍの８５゜のアスペク
ト比のパターンを得た。
半導本素子製潰の摩留まりが向上し工業１杓価ｊ直が非
常に大きい。
常に大きい。
第１図は本発明り一実施例のパターン形成オ料を用いた
パターン形成方法Ｄ Ｉ ａ断面゛図、第２図（は従来
のパターン形成材料を用いたパターン形成方法の工δ断
面図である。 １・・・・・基板、２・・・本発明のパターン形、戎材
料、３・・・・・マスク、４・・・・・ＫｒＦエキシマ
レーザ光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名発明
の効果 本発明のパターン形成材料を用（八ることにより半導体
製造工程における微細パターンの形成が高アスペクト比
で容易に得ることができることから第 図 第 図
パターン形成方法Ｄ Ｉ ａ断面゛図、第２図（は従来
のパターン形成材料を用いたパターン形成方法の工δ断
面図である。 １・・・・・基板、２・・・本発明のパターン形、戎材
料、３・・・・・マスク、４・・・・・ＫｒＦエキシマ
レーザ光。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 はが１名発明
の効果 本発明のパターン形成材料を用（八ることにより半導体
製造工程における微細パターンの形成が高アスペクト比
で容易に得ることができることから第 図 第 図
Claims (6)
- （１）１、２−キノンジアジドスルホニルクロライド化
合物とアルカリ可溶性樹脂より成ることを特徴とするパ
ターン形成材料。 - （２）１、２−キノンジアジドスルホニルクロライド化
合物の代わりに、１、２−キノンジアジド化合物を用い
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパタ
ーン形成材料。 - （３）▲数式、化学式、表等があります▼を含む化合物
をさらに添加す ることを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項
に記載のパターン形成材料。 - （４）１、２−キノンジアジドスルホニルクロライド化
合物が１、２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニル
クロライド又は１、２−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホニルクロライドであることを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載のパターン形成材料 - （５）１、２−キノンジアジド化合物が１、２−ナフト
キノンジアジドであることを特徴とする特許請求の範囲
第２項に記載のパターン形成材料。 - （６）アルカリ可溶性樹脂がノボラック樹脂、ポリビニ
ルフェノール樹脂又はその誘導体樹脂、（スチレン・マ
レイン酸エステル）共重合樹脂のいずれかであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成
材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161650A JPH0210346A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | パターン形成材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63161650A JPH0210346A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | パターン形成材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0210346A true JPH0210346A (ja) | 1990-01-16 |
Family
ID=15739221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63161650A Pending JPH0210346A (ja) | 1988-06-29 | 1988-06-29 | パターン形成材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0210346A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2788060A1 (fr) * | 1998-12-31 | 2000-07-07 | Hyundai Electronics Ind | Polymere de revetement anti-reflecteur et procede de preparation |
-
1988
- 1988-06-29 JP JP63161650A patent/JPH0210346A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2788060A1 (fr) * | 1998-12-31 | 2000-07-07 | Hyundai Electronics Ind | Polymere de revetement anti-reflecteur et procede de preparation |
| NL1012840C2 (nl) * | 1998-12-31 | 2001-06-07 | Hyundai Electronics Ind | Polymeren om te worden toegepast in antireflectiedeklagen en werkwijzen ter bereiding hiervan. |
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