JP2000077318A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置Info
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- heat treatment
- lcd substrate
- treatment apparatus
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0432—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電気が発生せず，かつ基板を均一に熱処理
可能な熱処理装置を提供する。 【解決手段】 加熱載置台４２をＬＣＤ基板Ｇに熱を供
給する載置台本体５１と，ＬＣＤ基板Ｇを載置する表面
部材５２とで構成する。表面部材５２はグラナイトやガ
ラス等で形成されており，載置台本体５１よりも薄く形
成されている。表面部材５２の表面を粗面に形成し，Ｌ
ＣＤ基板Ｇをこの粗面に載置させる。ＬＣＤ基板Ｇと表
面部材５２との接触面積が小さくなるために，ＬＣＤ基
板Ｇと表面部材５２との摩擦で発生する静電気を防止で
きる。表面部材５２の粗面を３Ｓ〜１００Ｓの粗度で形
成するために，ＬＣＤ基板Ｇがたわまず，均一な加熱処
理が可能となる。
可能な熱処理装置を提供する。 【解決手段】 加熱載置台４２をＬＣＤ基板Ｇに熱を供
給する載置台本体５１と，ＬＣＤ基板Ｇを載置する表面
部材５２とで構成する。表面部材５２はグラナイトやガ
ラス等で形成されており，載置台本体５１よりも薄く形
成されている。表面部材５２の表面を粗面に形成し，Ｌ
ＣＤ基板Ｇをこの粗面に載置させる。ＬＣＤ基板Ｇと表
面部材５２との接触面積が小さくなるために，ＬＣＤ基
板Ｇと表面部材５２との摩擦で発生する静電気を防止で
きる。表面部材５２の粗面を３Ｓ〜１００Ｓの粗度で形
成するために，ＬＣＤ基板Ｇがたわまず，均一な加熱処
理が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，ＬＣＤ基板等の基
板を載置台で熱処理する熱処理装置に関する。
板を載置台で熱処理する熱処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に，液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造
工程においては，ＬＣＤ基板の表面に，例えばＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や電極パ
ターンを形成するために，半導体製造工程の場合と同様
にフォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォ
トリソグラフィ技術には，ＬＣＤ基板の表面にレジスト
液を塗布するレジスト塗布工程や，形成されたレジスト
膜に回路パターンを露光する露光処理工程等の各種処理
工程が含まれており，レジスト塗布工程と露光処理工程
との間には，レジスト膜中の残留溶剤を蒸発させてＬＣ
Ｄ基板とレジスト膜との密着性を向上させるための加熱
処理工程が行われている。
工程においては，ＬＣＤ基板の表面に，例えばＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の薄膜や電極パ
ターンを形成するために，半導体製造工程の場合と同様
にフォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォ
トリソグラフィ技術には，ＬＣＤ基板の表面にレジスト
液を塗布するレジスト塗布工程や，形成されたレジスト
膜に回路パターンを露光する露光処理工程等の各種処理
工程が含まれており，レジスト塗布工程と露光処理工程
との間には，レジスト膜中の残留溶剤を蒸発させてＬＣ
Ｄ基板とレジスト膜との密着性を向上させるための加熱
処理工程が行われている。
【０００３】この加熱処理工程で使用される加熱処理装
置には図１１に示すように，ＬＣＤ基板Ｇを載置する載
置台１００と，この載置台１００の表面から突出自在な
昇降ピン１０１とが具備されている。かかる構成によ
り，この加熱処理装置に搬入されたＬＣＤ基板Ｇは，昇
降ピン１０１に支持された後，この昇降ピン１０１と共
に下降して載置台１００上に載置される。そして，ＬＣ
Ｄ基板Ｇの全面と載置台１００とが接触した状態で加熱
処理される。このため，ＬＣＤ基板Ｇには載置台１００
からの熱が均一に行き渡り，ＬＣＤ基板Ｇに対する均一
な加熱処理が可能となる。
置には図１１に示すように，ＬＣＤ基板Ｇを載置する載
置台１００と，この載置台１００の表面から突出自在な
昇降ピン１０１とが具備されている。かかる構成によ
り，この加熱処理装置に搬入されたＬＣＤ基板Ｇは，昇
降ピン１０１に支持された後，この昇降ピン１０１と共
に下降して載置台１００上に載置される。そして，ＬＣ
Ｄ基板Ｇの全面と載置台１００とが接触した状態で加熱
処理される。このため，ＬＣＤ基板Ｇには載置台１００
からの熱が均一に行き渡り，ＬＣＤ基板Ｇに対する均一
な加熱処理が可能となる。
【０００４】しかしながら，載置台１００に載置された
ＬＣＤ基板Ｇを昇降ピン１０１で上昇させる際，即ちＬ
ＣＤ基板Ｇを載置台１００から剥離する際に生じる剥離
帯電により，ＬＣＤ基板Ｇが帯電する心配がある。ま
た，ＬＣＤ基板Ｇを載置台１００に載置させる場合や，
加熱処理でＬＣＤ基板Ｇが熱膨張する場合等に，ＬＣＤ
基板Ｇと載置台１００との間に生じる摩擦により静電気
が発生し，ＬＣＤ基板Ｇが帯電するおそれがあった。
ＬＣＤ基板Ｇを昇降ピン１０１で上昇させる際，即ちＬ
ＣＤ基板Ｇを載置台１００から剥離する際に生じる剥離
帯電により，ＬＣＤ基板Ｇが帯電する心配がある。ま
た，ＬＣＤ基板Ｇを載置台１００に載置させる場合や，
加熱処理でＬＣＤ基板Ｇが熱膨張する場合等に，ＬＣＤ
基板Ｇと載置台１００との間に生じる摩擦により静電気
が発生し，ＬＣＤ基板Ｇが帯電するおそれがあった。
【０００５】そこで従来では図１２に示すように，載置
台１００の表面にプロキシミティピン１０２を設け，Ｌ
ＣＤ基板Ｇをプロキシミティピン１０２に支持させた状
態で加熱処理する加熱処理装置１０３を使用する場合が
多かった。この加熱処理装置１０３によれば，ＬＣＤ基
板Ｇとプロキシミティピン１０２との接触面積が小さく
なるために，上記静電気の発生を防止することが可能と
なる。
台１００の表面にプロキシミティピン１０２を設け，Ｌ
ＣＤ基板Ｇをプロキシミティピン１０２に支持させた状
態で加熱処理する加熱処理装置１０３を使用する場合が
多かった。この加熱処理装置１０３によれば，ＬＣＤ基
板Ｇとプロキシミティピン１０２との接触面積が小さく
なるために，上記静電気の発生を防止することが可能と
なる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，プロキ
シミティピン１０２を用いた加熱処理装置１０３では載
置台１００とＬＣＤ基板Ｇとの間に隙間が形成されるた
めに，ＬＣＤ基板Ｇが自重でたわんでしまうおそれが生
じる。そしてこの場合には，ＬＣＤ基板Ｇと載置台１０
０との間隔が等間隔に維持されなくなるために，このＬ
ＣＤ基板Ｇに対して載置台１００からの輻射熱が均一に
行き渡らなくなる。その結果，均一な加熱処理ができな
くなるおそれが生じる。
シミティピン１０２を用いた加熱処理装置１０３では載
置台１００とＬＣＤ基板Ｇとの間に隙間が形成されるた
めに，ＬＣＤ基板Ｇが自重でたわんでしまうおそれが生
じる。そしてこの場合には，ＬＣＤ基板Ｇと載置台１０
０との間隔が等間隔に維持されなくなるために，このＬ
ＣＤ基板Ｇに対して載置台１００からの輻射熱が均一に
行き渡らなくなる。その結果，均一な加熱処理ができな
くなるおそれが生じる。
【０００７】本発明はかかる点に鑑みてなされたもので
あり，基板に静電気が帯電せず，かつ基板に対する均一
な熱処理が可能な新しい熱処理装置を提供することを目
的としている。
あり，基板に静電気が帯電せず，かつ基板に対する均一
な熱処理が可能な新しい熱処理装置を提供することを目
的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に，請求項１に記載の熱処理装置は，載置台に載置させ
た基板を，該載置台の表面から伝搬される熱で熱処理す
る熱処理装置において，前記載置台の表面を粗面に形成
したことを特徴としている。この場合の粗面は，請求項
２にように，３Ｓから１００Ｓの粗さで形成するとよ
い。
に，請求項１に記載の熱処理装置は，載置台に載置させ
た基板を，該載置台の表面から伝搬される熱で熱処理す
る熱処理装置において，前記載置台の表面を粗面に形成
したことを特徴としている。この場合の粗面は，請求項
２にように，３Ｓから１００Ｓの粗さで形成するとよ
い。
【０００９】請求項１，２に記載の熱処理装置にあって
は，粗面に基板を載置するために，基板と載置台との接
触面積が従来よりも小さくなる。従って，基板と載置台
との摩擦による静電気の発生を防止することができる。
さらに，粗面に載置された基板はたわまないために，基
板と載置台との間隔が等間隔に維持される。その結果，
基板に対する均一な加熱処理が可能となる。
は，粗面に基板を載置するために，基板と載置台との接
触面積が従来よりも小さくなる。従って，基板と載置台
との摩擦による静電気の発生を防止することができる。
さらに，粗面に載置された基板はたわまないために，基
板と載置台との間隔が等間隔に維持される。その結果，
基板に対する均一な加熱処理が可能となる。
【００１０】請求項３に記載の発明は，請求項１または
２に記載の熱処理装置において，前記粗面は，サンドブ
ラスト工法で形成されたことを特徴としている。
２に記載の熱処理装置において，前記粗面は，サンドブ
ラスト工法で形成されたことを特徴としている。
【００１１】かかる構成によれば，適度に高さのばらつ
いた粗面を簡単かつ安価に形成することができる。
いた粗面を簡単かつ安価に形成することができる。
【００１２】請求項４に記載の発明は，請求項１，２ま
たは３に記載の熱処理装置において，前記載置台は，基
板に対して熱を供給可能な載置台本体と，該載置台本体
の表面に配置された表面部材と，からなることを特徴と
している。
たは３に記載の熱処理装置において，前記載置台は，基
板に対して熱を供給可能な載置台本体と，該載置台本体
の表面に配置された表面部材と，からなることを特徴と
している。
【００１３】かかる構成によれば，基板を載置する表面
部材を適宜な材質で形成することができる。従って，表
面部材に粗面を形成することがより容易になる。また，
載置台を載置台本体と表面部材とで構成するために，表
面部材を容易に交換することができる。
部材を適宜な材質で形成することができる。従って，表
面部材に粗面を形成することがより容易になる。また，
載置台を載置台本体と表面部材とで構成するために，表
面部材を容易に交換することができる。
【００１４】前記表面部材は，請求項５のようにグラナ
イト，大理石等の鉱物で形成してもよく，また請求項６
のようにガラスで形成してもよい。
イト，大理石等の鉱物で形成してもよく，また請求項６
のようにガラスで形成してもよい。
【００１５】特にグラナイト，ガラスは，酸化ケイ素を
主成分とするために，基板がガラス基板の場合には，基
板と表面部材との摩擦による静電気の発生をより確実に
防止することが可能になる。
主成分とするために，基板がガラス基板の場合には，基
板と表面部材との摩擦による静電気の発生をより確実に
防止することが可能になる。
【００１６】請求項７に記載の熱処理装置は，載置台に
載置させた基板を，該載置台の表面から伝搬される熱で
熱処理する熱処理装置において，前記載置台は，基板に
対して熱を供給可能な載置台本体と，該載置台本体の表
面に配置された網と，からなることを特徴としている。
載置させた基板を，該載置台の表面から伝搬される熱で
熱処理する熱処理装置において，前記載置台は，基板に
対して熱を供給可能な載置台本体と，該載置台本体の表
面に配置された網と，からなることを特徴としている。
【００１７】請求項７に記載の熱処理装置にあっては，
網に形成された隙間のために，基板と網との接触面積が
小さくなる。従って，基板と網との摩擦が減少し，かか
る摩擦で発生する静電気をより確実に防止することが可
能となる。また，網によって均一かつ規則的に凹凸を形
成でき，基板に対して均一な熱伝導を行うことができ
る。
網に形成された隙間のために，基板と網との接触面積が
小さくなる。従って，基板と網との摩擦が減少し，かか
る摩擦で発生する静電気をより確実に防止することが可
能となる。また，網によって均一かつ規則的に凹凸を形
成でき，基板に対して均一な熱伝導を行うことができ
る。
【００１８】そして請求項８に記載した発明は，載置台
に載置させた基板を，該載置台の表面から伝搬される熱
で熱処理する熱処理装置において，前記載置台は，基板
に対して熱を供給可能な載置台本体と，該載置台本体の
表面に配置された綿状部材もしくは布状部材からなるこ
とを特徴としている。
に載置させた基板を，該載置台の表面から伝搬される熱
で熱処理する熱処理装置において，前記載置台は，基板
に対して熱を供給可能な載置台本体と，該載置台本体の
表面に配置された綿状部材もしくは布状部材からなるこ
とを特徴としている。
【００１９】かかる構成によれば，綿状部材や布状部材
が分散化した状態で基板と接触するために，基板に対す
る接触面積が小さくなる。従って，摩擦が減少するため
に，請求項７の場合と同様に，静電気の発生を防止する
ことが可能となる。また，綿状部材或いは布状部材を載
置台の表面に固定しない場合には，これらの綿状部材あ
るいは布状部材が基板と同様に，熱膨張，熱収縮する。
従って，基板と綿状部材あるいは布状部材の間で発生す
る摩擦を一層抑制することができ，静電気の発生を防止
することがより確実となる。さらに，綿状部材あるいは
布状部材が磨耗等によって好適に機能しなくなった際に
は，これらを簡単に交換することも可能である。
が分散化した状態で基板と接触するために，基板に対す
る接触面積が小さくなる。従って，摩擦が減少するため
に，請求項７の場合と同様に，静電気の発生を防止する
ことが可能となる。また，綿状部材或いは布状部材を載
置台の表面に固定しない場合には，これらの綿状部材あ
るいは布状部材が基板と同様に，熱膨張，熱収縮する。
従って，基板と綿状部材あるいは布状部材の間で発生す
る摩擦を一層抑制することができ，静電気の発生を防止
することがより確実となる。さらに，綿状部材あるいは
布状部材が磨耗等によって好適に機能しなくなった際に
は，これらを簡単に交換することも可能である。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下，添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。この実施の形態
は，塗布現像処理装置内に組み込まれた加熱処理装置と
して具体化されている。なお，図１は塗布現像処理装置
の斜視図を，図２は塗布現像処理装置の平面図をそれぞ
れ示している。
発明の好適な実施の形態を説明する。この実施の形態
は，塗布現像処理装置内に組み込まれた加熱処理装置と
して具体化されている。なお，図１は塗布現像処理装置
の斜視図を，図２は塗布現像処理装置の平面図をそれぞ
れ示している。
【００２１】塗布現像処理装置１は図１，２に示すよう
に，例えば矩形状のＬＣＤ基板Ｇを搬入出するローダ部
２と，ＬＣＤ基板Ｇを処理する第１の処理部３と，この
第１の処理部３とインターフェイス部４とを介して連設
された第２の処理部５と，この第２の処理部５と例えば
露光装置（図示せず）との間でＬＣＤ基板Ｇを授受する
ためのインターフェイス部７とから構成されている。
に，例えば矩形状のＬＣＤ基板Ｇを搬入出するローダ部
２と，ＬＣＤ基板Ｇを処理する第１の処理部３と，この
第１の処理部３とインターフェイス部４とを介して連設
された第２の処理部５と，この第２の処理部５と例えば
露光装置（図示せず）との間でＬＣＤ基板Ｇを授受する
ためのインターフェイス部７とから構成されている。
【００２２】ローダ部２にはカセット載置台１０が設け
られており，このカセット載置台１０には，例えば未処
理のＬＣＤ基板Ｇを収納するカセット１１，１１と，処
理済みのＬＣＤ基板Ｇが収納されるカセット１２，１２
とがＬＣＤ基板Ｇの出入口を第１の処理部３側に向けて
一列に載置自在である。またローダ部２には，ＬＣＤ基
板を搬送自在な副搬送装置１３が備えられている。
られており，このカセット載置台１０には，例えば未処
理のＬＣＤ基板Ｇを収納するカセット１１，１１と，処
理済みのＬＣＤ基板Ｇが収納されるカセット１２，１２
とがＬＣＤ基板Ｇの出入口を第１の処理部３側に向けて
一列に載置自在である。またローダ部２には，ＬＣＤ基
板を搬送自在な副搬送装置１３が備えられている。
【００２３】副搬送装置１３は搬送レール１３ａに沿っ
た方向（Ｙ方向）と，各カセット１１，１２内のＬＣＤ
基板Ｇの収納方向（Ｚ方向）に移動自在であり，かつθ
方向にも回転自在となるように構成されている。そし
て，副搬送装置１３はＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡
し台１４に対してもアクセス可能となるように構成され
ている。
た方向（Ｙ方向）と，各カセット１１，１２内のＬＣＤ
基板Ｇの収納方向（Ｚ方向）に移動自在であり，かつθ
方向にも回転自在となるように構成されている。そし
て，副搬送装置１３はＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡
し台１４に対してもアクセス可能となるように構成され
ている。
【００２４】第１の処理部３には，ＬＣＤ基板Ｇに対し
て所定の処理を施す各種の処理装置が主搬送装置１５の
搬送レール１６を挟んだ両側に配置されている。即ち，
搬送レール１６の一側には，各カセット１１，１１から
取り出されたＬＣＤ基板Ｇを洗浄するスクラバ洗浄装置
１７と，ＬＣＤ基板Ｇに対して現像処理を施す現像処理
装置１８とが並んで配置され，搬送レール１６の他側に
は紫外線オゾン洗浄装置１９と，ＬＣＤ基板Ｇを冷却処
理する冷却処理装置２０，２１と，ＬＣＤ基板Ｇを加熱
処理する加熱処理装置２２とが適宜多段に配置されてい
る。これら各種の処理装置に対するＬＣＤ基板Ｇの搬入
出は，主搬送装置１５に装備された搬送アーム１５ａに
より行われる。なお，かかる第１の処理部３と後述する
第２の処理部５との間に形成された前記インターフェイ
ス部４には，ＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡し台２３
が備えられている。
て所定の処理を施す各種の処理装置が主搬送装置１５の
搬送レール１６を挟んだ両側に配置されている。即ち，
搬送レール１６の一側には，各カセット１１，１１から
取り出されたＬＣＤ基板Ｇを洗浄するスクラバ洗浄装置
１７と，ＬＣＤ基板Ｇに対して現像処理を施す現像処理
装置１８とが並んで配置され，搬送レール１６の他側に
は紫外線オゾン洗浄装置１９と，ＬＣＤ基板Ｇを冷却処
理する冷却処理装置２０，２１と，ＬＣＤ基板Ｇを加熱
処理する加熱処理装置２２とが適宜多段に配置されてい
る。これら各種の処理装置に対するＬＣＤ基板Ｇの搬入
出は，主搬送装置１５に装備された搬送アーム１５ａに
より行われる。なお，かかる第１の処理部３と後述する
第２の処理部５との間に形成された前記インターフェイ
ス部４には，ＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡し台２３
が備えられている。
【００２５】第２の処理部５には，主搬送装置２５の搬
送レール２６を挟んだ一側に，塗布・周縁部除去装置２
７が配置され，この搬送レール２６を挟んだ他側には，
ＬＣＤ基板Ｇに疎水化処理を施す疎水化処理装置２８
と，ＬＣＤ基板Ｇを冷却する冷却処理装置２９と，本実
施の形態にかかる加熱処理装置３０，３０とが多段に配
置されている。なお，上記主搬送装置２５には第２の処
理部５に属する各種処理装置にＬＣＤ基板Ｇを搬入出す
る搬送アーム２５ａが装備されている。
送レール２６を挟んだ一側に，塗布・周縁部除去装置２
７が配置され，この搬送レール２６を挟んだ他側には，
ＬＣＤ基板Ｇに疎水化処理を施す疎水化処理装置２８
と，ＬＣＤ基板Ｇを冷却する冷却処理装置２９と，本実
施の形態にかかる加熱処理装置３０，３０とが多段に配
置されている。なお，上記主搬送装置２５には第２の処
理部５に属する各種処理装置にＬＣＤ基板Ｇを搬入出す
る搬送アーム２５ａが装備されている。
【００２６】インターフェイス部７には塗布現像処理装
置１と露光装置（図示せず）とのタクトを調整するため
に，ＬＣＤ基板Ｇを一時的に収納して待機させるカセッ
ト３１，３１と，ＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡し台
３２と，各カセット３１，３１，受け渡し台３２，露光
装置（図示せず）に対してＬＣＤ基板Ｇを搬送自在な副
搬送装置３３とが装備されている。
置１と露光装置（図示せず）とのタクトを調整するため
に，ＬＣＤ基板Ｇを一時的に収納して待機させるカセッ
ト３１，３１と，ＬＣＤ基板Ｇを載置自在な受け渡し台
３２と，各カセット３１，３１，受け渡し台３２，露光
装置（図示せず）に対してＬＣＤ基板Ｇを搬送自在な副
搬送装置３３とが装備されている。
【００２７】塗布現像処理装置１は以上のように構成さ
れている。次に，塗布現像処理装置１に組み込まれた加
熱処理装置３０について説明する。
れている。次に，塗布現像処理装置１に組み込まれた加
熱処理装置３０について説明する。
【００２８】加熱処理装置３０は図３に示すように，Ｌ
ＣＤ基板Ｇを加熱処理する処理室４０が形成されてお
り，この処理室４０には後述する加熱載置台４２と，こ
の加熱載置台４２を包囲するシャッタ４３とが備えられ
ている。
ＣＤ基板Ｇを加熱処理する処理室４０が形成されてお
り，この処理室４０には後述する加熱載置台４２と，こ
の加熱載置台４２を包囲するシャッタ４３とが備えられ
ている。
【００２９】シャッタ４３は昇降シリンダ４４により上
下動自在に構成されており，シャッタ４３が上昇した際
には，シャッタ４３と上部中央に排気口４５を有するカ
バー４６から垂下したストッパ４７とが接触して上記処
理室４０が形成されるようになっている。ストッパ４７
には給気口（図示せず）が設けられており，この給気口
（図示せず）から処理室４０内に流入した空気は排気口
４５から排気されるように構成されている。また，処理
室４０内にはＬＣＤ基板Ｇを支持可能な昇降ピン４８が
備えられており，この昇降ピン４８はモータ４９の駆動
で上下動自在となるように形成されている。
下動自在に構成されており，シャッタ４３が上昇した際
には，シャッタ４３と上部中央に排気口４５を有するカ
バー４６から垂下したストッパ４７とが接触して上記処
理室４０が形成されるようになっている。ストッパ４７
には給気口（図示せず）が設けられており，この給気口
（図示せず）から処理室４０内に流入した空気は排気口
４５から排気されるように構成されている。また，処理
室４０内にはＬＣＤ基板Ｇを支持可能な昇降ピン４８が
備えられており，この昇降ピン４８はモータ４９の駆動
で上下動自在となるように形成されている。
【００３０】そして，上述した加熱載置台４２は図４に
示すように，発熱体５０を内蔵したアルミニューム等の
材質からなる矩形状の載置台本体５１と，この載置台本
体５１の上部に配置された表面部材５２とで構成されて
いる。表面部材５２は，例えばグラナイト，大理石等の
鉱物やガラス等の材料で構成されており，載置台本体５
１からの熱がＬＣＤ基板Ｇに対してよく伝わるように載
置台本体５１よりも薄く形成されている。また，表面部
材５２は載置台本体５１に対して取り付け自在となるよ
うに形成されている。
示すように，発熱体５０を内蔵したアルミニューム等の
材質からなる矩形状の載置台本体５１と，この載置台本
体５１の上部に配置された表面部材５２とで構成されて
いる。表面部材５２は，例えばグラナイト，大理石等の
鉱物やガラス等の材料で構成されており，載置台本体５
１からの熱がＬＣＤ基板Ｇに対してよく伝わるように載
置台本体５１よりも薄く形成されている。また，表面部
材５２は載置台本体５１に対して取り付け自在となるよ
うに形成されている。
【００３１】さらに表面部材５２の表面は，例えばサン
ドブラスト工程により粗度が３Ｓ〜１００Ｓの粗面とな
るように形成されている。ＬＣＤ基板Ｇが表面部材５２
に載置される際には，ＬＣＤ基板Ｇの裏面が表面部材５
２の全体にわたって，この粗面と接触する。
ドブラスト工程により粗度が３Ｓ〜１００Ｓの粗面とな
るように形成されている。ＬＣＤ基板Ｇが表面部材５２
に載置される際には，ＬＣＤ基板Ｇの裏面が表面部材５
２の全体にわたって，この粗面と接触する。
【００３２】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置
３０は以上のように構成されている。次に，加熱処理装
置３０の作用，効果について説明する。
３０は以上のように構成されている。次に，加熱処理装
置３０の作用，効果について説明する。
【００３３】カセット載置台１０上に未処理のＬＣＤ基
板Ｇを収納したカセット１１が載置されると，副搬送装
置１３がカセット１１にアクセスしてＬＣＤ基板Ｇを１
枚抜き取る。次いで，副搬送装置１３はローダ部２に装
備された受け渡し台１４までこのＬＣＤ基板Ｇを搬送
し，このＬＣＤ基板Ｇを受け渡し台１４上に受け渡す。
板Ｇを収納したカセット１１が載置されると，副搬送装
置１３がカセット１１にアクセスしてＬＣＤ基板Ｇを１
枚抜き取る。次いで，副搬送装置１３はローダ部２に装
備された受け渡し台１４までこのＬＣＤ基板Ｇを搬送
し，このＬＣＤ基板Ｇを受け渡し台１４上に受け渡す。
【００３４】次いで，このＬＣＤ基板Ｇは主搬送装置１
５の搬送アーム１５ａに保持された状態で紫外線オゾン
洗浄装置１９に搬送され，ＬＣＤ基板Ｇに付着した有機
汚染物が除去される。その後，オゾン洗浄が終了したＬ
ＣＤ基板Ｇは主搬送装置１５でスクラバ洗浄装置１７に
搬送されてスクラブ洗浄処理が施された後，再び搬送ア
ーム１５ａに保持された状態で受け渡し台２３に搬送さ
れる。
５の搬送アーム１５ａに保持された状態で紫外線オゾン
洗浄装置１９に搬送され，ＬＣＤ基板Ｇに付着した有機
汚染物が除去される。その後，オゾン洗浄が終了したＬ
ＣＤ基板Ｇは主搬送装置１５でスクラバ洗浄装置１７に
搬送されてスクラブ洗浄処理が施された後，再び搬送ア
ーム１５ａに保持された状態で受け渡し台２３に搬送さ
れる。
【００３５】受け渡し台２３に受け渡されたＬＣＤ基板
Ｇは，主搬送装置２５の搬送アーム２５ａに保持された
状態で疎水化処理装置２８に搬送される。そして，疎水
化処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは，再び搬送アーム２５
ａに保持された状態で塗布・周縁部除去装置２７に搬送
される。この塗布・周縁部除去装置２７でレジスト液が
塗布され，周縁部の不要なレジスト膜が除去されたＬＣ
Ｄ基板Ｇは，搬送アーム２５ａで加熱処理装置３０に搬
送される。
Ｇは，主搬送装置２５の搬送アーム２５ａに保持された
状態で疎水化処理装置２８に搬送される。そして，疎水
化処理が終了したＬＣＤ基板Ｇは，再び搬送アーム２５
ａに保持された状態で塗布・周縁部除去装置２７に搬送
される。この塗布・周縁部除去装置２７でレジスト液が
塗布され，周縁部の不要なレジスト膜が除去されたＬＣ
Ｄ基板Ｇは，搬送アーム２５ａで加熱処理装置３０に搬
送される。
【００３６】この際，ＬＣＤ基板Ｇは図５に示すよう
に，下降したシャッタ４３の上方から搬送アーム２５ａ
と共に処理室４０内に進入し，１点鎖線で示す上昇した
昇降ピン４８上に支持される。そして，搬送アーム２５
ａを処理室４０から退出させた後にシャッタ４３を上昇
させて処理室４０内を気密にする。その後，ＬＣＤ基板
Ｇを昇降ピン４８と共に図６の１点鎖線で示した位置か
ら実線の位置まで下降させて，このＬＣＤ基板Ｇを加熱
載置台４２の表面部材５２上に載置させた後に加熱処理
を施す。
に，下降したシャッタ４３の上方から搬送アーム２５ａ
と共に処理室４０内に進入し，１点鎖線で示す上昇した
昇降ピン４８上に支持される。そして，搬送アーム２５
ａを処理室４０から退出させた後にシャッタ４３を上昇
させて処理室４０内を気密にする。その後，ＬＣＤ基板
Ｇを昇降ピン４８と共に図６の１点鎖線で示した位置か
ら実線の位置まで下降させて，このＬＣＤ基板Ｇを加熱
載置台４２の表面部材５２上に載置させた後に加熱処理
を施す。
【００３７】かかる加熱処理が終了した後は，昇降ピン
４８が上昇してシャッタ４３が下降する。次いで，搬送
アーム２５ａが処理室４０内に進入して昇降ピン４８か
らＬＣＤ基板Ｇを受け取った後，ＬＣＤ基板Ｇを保持し
た状態で処理室４０内から退出する。加熱処理装置３０
から搬出されたＬＣＤ基板Ｇは，その後受け渡し台３２
上に受け渡され，今度は副搬送装置３３により露光装置
（図示せず）に搬送される。
４８が上昇してシャッタ４３が下降する。次いで，搬送
アーム２５ａが処理室４０内に進入して昇降ピン４８か
らＬＣＤ基板Ｇを受け取った後，ＬＣＤ基板Ｇを保持し
た状態で処理室４０内から退出する。加熱処理装置３０
から搬出されたＬＣＤ基板Ｇは，その後受け渡し台３２
上に受け渡され，今度は副搬送装置３３により露光装置
（図示せず）に搬送される。
【００３８】本発明の実施の形態にかかる加熱処理装置
３０では，ＬＣＤ基板Ｇを載置させる表面部材５２の表
面が粗面となるように形成されている。従って図７に示
すように，ＬＣＤ基板Ｇと表面部材５２との接触面積が
従来よりも小さくなる。その結果，ＬＣＤ基板Ｇが昇降
ピン４８によって表面部材５２から剥離される時等で
も，ＬＣＤ基板Ｇと表面部材５２との摩擦が減少し，こ
の摩擦による静電気の発生を防止することが可能とな
る。
３０では，ＬＣＤ基板Ｇを載置させる表面部材５２の表
面が粗面となるように形成されている。従って図７に示
すように，ＬＣＤ基板Ｇと表面部材５２との接触面積が
従来よりも小さくなる。その結果，ＬＣＤ基板Ｇが昇降
ピン４８によって表面部材５２から剥離される時等で
も，ＬＣＤ基板Ｇと表面部材５２との摩擦が減少し，こ
の摩擦による静電気の発生を防止することが可能とな
る。
【００３９】また，上記粗面は３Ｓ〜１００Ｓの粗さに
形成されており，かつＬＣＤ基板Ｇが表面部材５２に載
置される際には，ＬＣＤ基板Ｇの裏面が全面にわたって
粗面と接触した状態となっている。従って，粗面に載置
されたＬＣＤ基板Ｇは自重でたわむことがなく，このＬ
ＣＤ基板Ｇと表面部材５２との間隔は，ＬＣＤ基板Ｇの
全面にわたって等間隔に維持される。その結果，このＬ
ＣＤ基板Ｇには載置台本体５１からの熱が均一に供給さ
れて，均一な加熱処理が可能となる。
形成されており，かつＬＣＤ基板Ｇが表面部材５２に載
置される際には，ＬＣＤ基板Ｇの裏面が全面にわたって
粗面と接触した状態となっている。従って，粗面に載置
されたＬＣＤ基板Ｇは自重でたわむことがなく，このＬ
ＣＤ基板Ｇと表面部材５２との間隔は，ＬＣＤ基板Ｇの
全面にわたって等間隔に維持される。その結果，このＬ
ＣＤ基板Ｇには載置台本体５１からの熱が均一に供給さ
れて，均一な加熱処理が可能となる。
【００４０】また，表面部材５２は載置台本体５１に対
して取り付け自在であるために，表面部材５２の交換が
容易である。そして，加熱載置台４２を構成するアルミ
ニューム等よりも表面処理しやすいグラナイトやガラス
等の材料で表面部材５２を構成することにより，表面部
材５２の粗面をより容易に形成することが可能になる。
して取り付け自在であるために，表面部材５２の交換が
容易である。そして，加熱載置台４２を構成するアルミ
ニューム等よりも表面処理しやすいグラナイトやガラス
等の材料で表面部材５２を構成することにより，表面部
材５２の粗面をより容易に形成することが可能になる。
【００４１】そして，上記グラナイトやガラスはＬＣＤ
基板Ｇの主成分と同じ酸化ケイ素で構成されているため
に，表面部材５２とＬＣＤ基板Ｇとの摩擦で発生する静
電気をより確実に防止することが可能である。
基板Ｇの主成分と同じ酸化ケイ素で構成されているため
に，表面部材５２とＬＣＤ基板Ｇとの摩擦で発生する静
電気をより確実に防止することが可能である。
【００４２】なお，上記実施の形態では，加熱載置台４
２を載置台本体５１と表面部材５２とで構成すると共に
表面部材５２の表面に粗面を形成した例を挙げて説明し
たが，本発明は載置台本体５１と表面部材５２とが一体
化した加熱載置台，即ち従来の加熱載置台の表面に粗面
を形成し，かつこの粗面が３Ｓ〜１００Ｓの粗さとなる
ように形成してもよい。また，表面部材５２はグラナイ
トまたはガラス以外にも，例えば金属等で形成してもよ
い。
２を載置台本体５１と表面部材５２とで構成すると共に
表面部材５２の表面に粗面を形成した例を挙げて説明し
たが，本発明は載置台本体５１と表面部材５２とが一体
化した加熱載置台，即ち従来の加熱載置台の表面に粗面
を形成し，かつこの粗面が３Ｓ〜１００Ｓの粗さとなる
ように形成してもよい。また，表面部材５２はグラナイ
トまたはガラス以外にも，例えば金属等で形成してもよ
い。
【００４３】さらに本発明では，上記表面部材５２に代
えて網５５を備えた加熱載置台５６を提案することも可
能である。この加熱載置台５６は図８に示すように，載
置台本体５１の上面が網５５で覆われており，ＬＣＤ基
板Ｇは網５５に載置された状態で加熱処理されるように
構成されている。
えて網５５を備えた加熱載置台５６を提案することも可
能である。この加熱載置台５６は図８に示すように，載
置台本体５１の上面が網５５で覆われており，ＬＣＤ基
板Ｇは網５５に載置された状態で加熱処理されるように
構成されている。
【００４４】かかる構成によれば，網５５の隙間のため
にＬＣＤ基板Ｇと網５５との接触面積が小さくなる。従
って，ＬＣＤ基板Ｇと網５５との摩擦が減少するため
に，静電気の発生をより確実に防止することができる。
そしてこの場合も，網５５に載置されたＬＣＤ基板Ｇは
たわまないために，ＬＣＤ基板Ｇと網５５との間隔は等
間隔に維持される。従って，ＬＣＤ基板Ｇに対する均一
な加熱処理が可能である。
にＬＣＤ基板Ｇと網５５との接触面積が小さくなる。従
って，ＬＣＤ基板Ｇと網５５との摩擦が減少するため
に，静電気の発生をより確実に防止することができる。
そしてこの場合も，網５５に載置されたＬＣＤ基板Ｇは
たわまないために，ＬＣＤ基板Ｇと網５５との間隔は等
間隔に維持される。従って，ＬＣＤ基板Ｇに対する均一
な加熱処理が可能である。
【００４５】そして，ＬＣＤ基板Ｇと網５５との接触面
積は網５５に形成された隙間のために小さくなるので，
サンドブラスト工程等の特別な表面処理が不要となる。
なお，網５５は載置台本体５１の上面を必ずしも覆う必
要はなく，少なくともＬＣＤ基板Ｇ全面と網５５との接
触部分に網５５が配置されていればよい。
積は網５５に形成された隙間のために小さくなるので，
サンドブラスト工程等の特別な表面処理が不要となる。
なお，網５５は載置台本体５１の上面を必ずしも覆う必
要はなく，少なくともＬＣＤ基板Ｇ全面と網５５との接
触部分に網５５が配置されていればよい。
【００４６】また表面部材５２や網５５に代えて，図９
に示すように例えばステンレス製の緻密な金属綿５７で
ＬＣＤ基板Ｇを支持するようにしてもよい。かかる構成
によれば，金属綿５７とＬＣＤ基板Ｇとの接触部分が分
散化するために，ＬＣＤ基板Ｇと金属綿５７との接触面
積が小さくなる。従って，静電気の発生をより確実に防
止することが可能となる。また図１０に示すように，金
属綿５７の代わりに綿状部材６０や布状部材６１でＬＣ
Ｄ基板Ｇを支持するようにしてもよい。この場合，綿状
部材６０や布状部材６１を載置台本体５１に固定しなけ
れば，綿状部材６０や布状部材６１がＬＣＤ基板Ｇと同
様に熱膨張，熱収縮する。従って，ＬＣＤ基板Ｇと綿状
部材６０との間あるいはＬＣＤ基板Ｇと布状部材６１と
の間で発生する摩擦を一層抑制することができ，より確
実に静電気の発生を防止することが可能となる。また，
磨耗等で好適に機能しなくなった綿状部材６０や布状部
材６１を交換することも容易である。
に示すように例えばステンレス製の緻密な金属綿５７で
ＬＣＤ基板Ｇを支持するようにしてもよい。かかる構成
によれば，金属綿５７とＬＣＤ基板Ｇとの接触部分が分
散化するために，ＬＣＤ基板Ｇと金属綿５７との接触面
積が小さくなる。従って，静電気の発生をより確実に防
止することが可能となる。また図１０に示すように，金
属綿５７の代わりに綿状部材６０や布状部材６１でＬＣ
Ｄ基板Ｇを支持するようにしてもよい。この場合，綿状
部材６０や布状部材６１を載置台本体５１に固定しなけ
れば，綿状部材６０や布状部材６１がＬＣＤ基板Ｇと同
様に熱膨張，熱収縮する。従って，ＬＣＤ基板Ｇと綿状
部材６０との間あるいはＬＣＤ基板Ｇと布状部材６１と
の間で発生する摩擦を一層抑制することができ，より確
実に静電気の発生を防止することが可能となる。また，
磨耗等で好適に機能しなくなった綿状部材６０や布状部
材６１を交換することも容易である。
【００４７】なお上記実施の形態では，サンドブラスト
工程による表面処理を例に挙げて説明したが，表面部材
５２または加熱載置台４２の表面を３Ｓから１００Ｓの
粗度に形成できるのであれば，本発明はこのような例に
は限定されない。
工程による表面処理を例に挙げて説明したが，表面部材
５２または加熱載置台４２の表面を３Ｓから１００Ｓの
粗度に形成できるのであれば，本発明はこのような例に
は限定されない。
【００４８】また，上記実施の形態ではレジスト塗布後
のＬＣＤ基板Ｇを加熱処理する加熱処理装置３０を例に
挙げて説明したが，本発明はかかる例には限定されず，
現像処理後の加熱処理装置２２はもちろん，例えば冷却
処理装置２９に対しても適用が可能である。そして，本
発明に使用可能な基板は上記実施の形態のようにＬＣＤ
基板Ｇには限定されず，例えばＣＤ基板や半導体ウェハ
等にも応用が可能である。
のＬＣＤ基板Ｇを加熱処理する加熱処理装置３０を例に
挙げて説明したが，本発明はかかる例には限定されず，
現像処理後の加熱処理装置２２はもちろん，例えば冷却
処理装置２９に対しても適用が可能である。そして，本
発明に使用可能な基板は上記実施の形態のようにＬＣＤ
基板Ｇには限定されず，例えばＣＤ基板や半導体ウェハ
等にも応用が可能である。
【００４９】
【発明の効果】請求項１〜８に記載の発明では，基板の
接触面積が従来よりも小さくなるために，静電気の発生
を防止することができる。また，基板がたわまないため
に，均一な熱処理が可能である。
接触面積が従来よりも小さくなるために，静電気の発生
を防止することができる。また，基板がたわまないため
に，均一な熱処理が可能である。
【００５０】特に請求項３に記載の発明では，粗面の形
成が容易になり，その製造コストも安くなる。
成が容易になり，その製造コストも安くなる。
【００５１】特に請求項４に記載の発明では，表面部材
を適宜の材質で形成することにより，粗面が形成しやす
くなる。また，載置台を載置台本体と表面部材とで構成
するために，表面部材の交換が容易になる。
を適宜の材質で形成することにより，粗面が形成しやす
くなる。また，載置台を載置台本体と表面部材とで構成
するために，表面部材の交換が容易になる。
【００５２】特に請求項５，６に記載の発明では，表面
部材がガラス基板に含まれる主成分で構成されているた
めに，ガラス基板を基板として使用する場合には，静電
気の発生をより確実に防止することが可能となる。
部材がガラス基板に含まれる主成分で構成されているた
めに，ガラス基板を基板として使用する場合には，静電
気の発生をより確実に防止することが可能となる。
【００５３】特に請求項７，８に記載の発明では，サン
ドブラスト工程等の特別な表面処理が不要となる。
ドブラスト工程等の特別な表面処理が不要となる。
【図１】本実施の形態にかかる加熱処理装置を備えた塗
布現像処理装置の外観を示す斜視図である。
布現像処理装置の外観を示す斜視図である。
【図２】図１の塗布現像処理装置の平面図である。
【図３】本実施の形態にかかる加熱処理装置の断面図で
ある。
ある。
【図４】図３の加熱処理装置に具備された加熱載置台の
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図５】図３の加熱処理装置にＬＣＤ基板が搬入される
様子を示す説明図である。
様子を示す説明図である。
【図６】図５の状態からＬＣＤ基板が表面部材上に載置
される様子を示す説明図である。
される様子を示す説明図である。
【図７】図６の表面部材上にＬＣＤ基板が載置された様
子を示す説明図である。
子を示す説明図である。
【図８】他の実施の形態にかかる加熱処理装置に装備さ
れた加熱載置台の構成を示す斜視図である。
れた加熱載置台の構成を示す斜視図である。
【図９】図８の加熱載置台の変更例を示す断面図であ
る。
る。
【図１０】図９の加熱載置台の変更例を示す断面図であ
る。
る。
【図１１】従来の加熱処理装置に装備された加熱載置台
上にＬＣＤ基板が載置された様子を示す説明図である。
上にＬＣＤ基板が載置された様子を示す説明図である。
【図１２】従来の加熱処理装置に装備されたプロキシミ
ティピン上にＬＣＤ基板が支持された様子を示す説明図
である。
ティピン上にＬＣＤ基板が支持された様子を示す説明図
である。
１ 塗布現像処理装置 ３０ 加熱処理装置 ４２ 加熱載置台 ５１ 載置台本体 ５２ 表面部材 ５５ 網 ５７ 金属綿 Ｇ ＬＣＤ基板
Claims (8)
- 【請求項１】 載置台に載置させた基板を，該載置台の
表面から伝搬される熱で熱処理する熱処理装置におい
て，前記載置台の表面を粗面に形成したことを特徴とす
る，熱処理装置。 - 【請求項２】 前記粗面は，３Ｓから１００Ｓの粗さで
あることを特徴とする，請求項１に記載の熱処理装置。 - 【請求項３】 前記粗面は，サンドブラスト工法で形成
されたことを特徴とする，請求項１または２に記載の熱
処理装置。 - 【請求項４】 前記載置台は，基板に対して熱を供給可
能な載置台本体と，該載置台本体の表面に配置された表
面部材と，からなることを特徴とする，請求項１，２ま
たは３に記載の熱処理装置。 - 【請求項５】 前記表面部材は，グラナイト，大理石等
の鉱物で形成されたことを特徴とする，請求項４に記載
の熱処理装置。 - 【請求項６】 前記表面部材は，ガラスで形成されたこ
とを特徴とする，請求項４に記載の熱処理装置。 - 【請求項７】 載置台に載置させた基板を，該載置台の
表面から伝搬される熱で熱処理する熱処理装置におい
て，前記載置台は，基板に対して熱を供給可能な載置台
本体と，該載置台本体の表面に配置された網と，からな
ることを特徴とする，熱処理装置。 - 【請求項８】 載置台に載置させた基板を，該載置台の
表面から伝搬される熱で熱処理する熱処理装置におい
て，前記載置台は，基板に対して熱を供給可能な載置台
本体と，該載置台本体の表面に配置された綿状部材もし
くは布状部材からなることを特徴とする，熱処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10255964A JP2000077318A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 熱処理装置 |
| KR1019990035411A KR100680769B1 (ko) | 1998-08-26 | 1999-08-25 | 열처리장치 |
| TW088114543A TW525211B (en) | 1998-08-26 | 1999-08-25 | Heat treating apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10255964A JP2000077318A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 熱処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077318A true JP2000077318A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17286032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10255964A Withdrawn JP2000077318A (ja) | 1998-08-26 | 1998-08-26 | 熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077318A (ja) |
| KR (1) | KR100680769B1 (ja) |
| TW (1) | TW525211B (ja) |
Cited By (3)
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| JP2007322630A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Toppan Printing Co Ltd | 露光装置 |
| CN107235622A (zh) * | 2016-03-28 | 2017-10-10 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃基板的热处理方法 |
| KR20180064071A (ko) * | 2016-12-05 | 2018-06-14 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 가열 건조 장치 |
Families Citing this family (1)
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|---|---|---|---|---|
| KR100966436B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2010-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 형성을 위한 배향막 형성용 테이블 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02290013A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-29 | Tokyo Electron Ltd | 温度処理方法 |
| US5588827A (en) * | 1993-12-17 | 1996-12-31 | Brooks Automation Inc. | Passive gas substrate thermal conditioning apparatus and method |
| JP3366753B2 (ja) * | 1994-11-25 | 2003-01-14 | 富士通株式会社 | 基板加熱装置 |
| JPH10284360A (ja) * | 1997-04-02 | 1998-10-23 | Hitachi Ltd | 基板温度制御装置及び方法 |
-
1998
- 1998-08-26 JP JP10255964A patent/JP2000077318A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-08-25 TW TW088114543A patent/TW525211B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-08-25 KR KR1019990035411A patent/KR100680769B1/ko not_active Expired - Fee Related
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| CN107235622B (zh) * | 2016-03-28 | 2020-11-27 | 日本电气硝子株式会社 | 玻璃基板的热处理方法 |
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