JP2000077683A

JP2000077683A - 光半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000077683A
Application number: JP10245241A
Authority: JP
Inventors: Hideo Kunii; 秀雄国井; Toshiyuki Take; 俊之武; Hiroshi Inoguchi; 浩井野口; Tsutomu Ishikawa; 勉石川; Masashi Arai; 政至新井; Hiroshi Kobori; 浩小堀; Hiroki Seyama; 浩樹瀬山
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1998-08-31
Filing date: 1998-08-31
Publication date: 2000-03-14

Abstract

(57)【要約】【課題】発光素子や受光素子の外形をできる限り薄く
し、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小
型化を可能とする。【解決手段】発光素子、受光素子として半導体チップ
２３，２４があり、これらを封止する樹脂封止体２５
は、光に対して透明となる材料で成る。また光が素子か
ら発光される領域上、光が素子に入射される領域上に
は、溝２７が形成され、ここに反射面２６を構成する。
その結果光は側面Ｅを介して、射出・入射が可能とな
る。また光束を絞るため、レンズを側面Ｅに形成する
が、凸部の最端部ＯＳと金型の接合面とを一致させて、
封止後の離型性を向上させている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体装置およ
びこれを実装した光半導体モジュールに関するもので、
特に光半導体装置の構造を薄くし、この薄い側面から光
を射出（または入射）させるものであり、これらを用い
た機器の小型化・薄型化を実現するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。

【０００３】しかも携帯機器は、年間７００万台も販売
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。

【０００４】またＭＤやＣＤ等の光学式記録再生装置で
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体へビームを照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。

【０００５】しかしこれら発光素子、受光素子は、小型
化が実現されていない。例えば、図１５は、特公平７−
２８０８５号公報の技術を説明するもので、半導体レー
ザ１が半導体基板２に直接配置され、断面形状が台形の
プリズム３が半導体基板２に固定されている。なお図番
４は、光学記録媒体である。半導体レーザ１と対向して
いるプリズム３の傾斜面５は半透過反射面で、半導体基
板２と対接しているプリズム面６は、光検出器（受光素
子）７以外の部分が、また面６と対向しているプリズム
面８は、共に反射面となっている。

【０００６】半導体レーザ１から発光され、傾斜面５か
らプリズム３に入射したビーム９は、反射面６と８で反
射されてから、光検出器７で検出される。

【０００７】一方、図１６は、赤外線データ通信モジュ
ール１１で、赤外線ＬＥＤ、ＬＥＤドライバ、ＰＩＮフ
ォトダイオード、アンプ等が内蔵されている。例えば基
板に前記ＬＥＤ１２が実装され、ここから射出される光
は、レンズ１３を介して外部へ放出される。また前記基
板に実装されたフォトダイオード１４には、レンズ１５
を介してモールド１１内に入射される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】前述のモジュールに於
いて、図１５では半導体基板の上方に光学機器が実装さ
れるため、非常に高度な技術が必要となり、価格も高価
となる問題があった。

【０００９】また図１６では、モールド体の上で光の出
し入れが必要となり、対向位置にもう一つの光半導体装
置をセットする必要があるため、これらを組み込んだセ
ットは、厚みを有し小型化が実現できない問題があっ
た。

【００１０】また図１６で光の出し入れを水平方向にし
ようとすれば、図１７のように光半導体装置１１のリー
ド１６を９０度に折り曲げなければ成らず、リード１１
の曲げ方によってはこの光半導体装置１１の位置固定、
安定性に問題があった。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、前述の課題に
鑑みて成され、上面を受光面とする半導体チップと、前
記半導体チップを封止し、少なくとも所定の光に対して
透明な樹脂封止体と、前記受光面の垂線と交差する位置
に設けられ、前記樹脂封止体に設けられて成る反射面
と、前記樹脂封止体の側面に一体成型で形成された凸状
のレンズとを有し、前記レンズの飛び出しに方向に沿っ
た最端部と前記樹脂封止体を封止する上下金型の接合部
を、実質一致させることで解決するものである。

【００１２】反射面を設けることで光を側面に入射させ
ることができ、しかも金型の接合部にレンズの最端部を
位置させることで、本光半導体装置の離型性を向上させ
ることができる。

【００１３】第２に、上面を発光面とする半導体チップ
と、前記半導体チップを封止し、少なくとも所定の光に
対して透明な樹脂封止体と、前記受光面の垂線と交差
し、前記樹脂封止体に設けられて成る反射面と、前記樹
脂封止体の側面に一体成型で形成された凸状のレンズと
を有し、前記レンズの飛び出しに方向に沿った最端部と
前記樹脂封止体を封止する上下金型の接合部と、実質一
致させることで解決するものである。

【００１４】第３に、前記樹脂封止体は、リードを有
し、リードの上面と前記最端部とを同一面に延在させる
ことで解決するものである。

【００１５】両者は、第１と同様に、反射面を設けるこ
とで光を側面から発射さることができ、しかも金型内で
成型された本光半導体装置の離型性を向上させることが
できる。

【００１６】第４に、前記レンズの最下端部と前記レン
ズの焦点で形成される仮想線分を、前記反射面と交差さ
せる事で解決するものである。

【００１７】前記仮想線分が反射面と交差するように溝
を深く形成することで効率の良い反射が実現できる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１を参照しながら説明する。

【００１９】図は理解のために、三つの図を一体にした
もので、左上が光半導体装置の平面図、左下が前記平面
図のＡ−Ａ線に於ける断面図、右上が前記平面図のＢ−
Ｂ線に於ける断面図である。

【００２０】まずリードフレームがある。このリードフ
レームは、２点鎖線で示すアイランド２１とリード２２
により構成され、ここではＣｕより成り、この上に発光
部となる一点鎖線で示す半導体チップ２３、受光部とな
る一点鎖線で示す半導体チップ２４が半田等の固着手段
を介して固定されている。

【００２１】また半導体チップ２３は、例えば赤外ＬＥ
Ｄ、レーザ等の発光素子であり、駆動回路が一体になっ
ていても良い。赤外線ＬＥＤは、チップの上面から上に
出るため図１のようにアイランドに水平に配置される
が、半導体レーザの場合は、チップの側面から光が発射
されるため、図のような溝は必要としない。しかし製造
上図３のように溝を作るよりも図１２のように全面に設
けた方が簡便な、この上にも溝を形成しても良い。

【００２２】また半導体チップ２４は、フォトセンサで
あり、ＰＩＮダイオード等であり、やはりこのＰＩＮダ
イオードの駆動回路が一体のものでよし、更にはＬＥＤ
やレーザの駆動回路が一体で構成されても良い。これら
の半導体チップの周囲には、ボンディングパッドが形成
され、これに対応して、チップの周囲から外部へ複数の
リード２２が延在され、この間を金属細線で接続してい
る。ここで封止材としては光に対して透明で有ればよ
く、材料は特に選ばない。またＬＥＤでは、一般的に光
は、赤外線であるので、この赤外線を透過する樹脂であ
ればよい。つまり所定の光に対して少なくとも透過であ
れば良く、リードの先端および半導体チップは、この光
に対して透明な封止体２５で封止されている。そしてこ
の封止体２５には、反射面２６を持つ溝２７が設けられ
ている。

【００２３】本発明の特徴は、前記反射面２６にあり、
この反射面は封止体２５に溝を形成することで構成さ
れ、これにより点線矢印で示すように封止体２５の側面
Ｅから光の射出、側面Ｅへの入射が可能となる。

【００２４】一般には、発光部や受光部を構成する半導
体チップは、この上に、プリズムやレンズを構成して半
導体装置となるため、これを使用したモジュールやセッ
トは、セット自身の縦方向の厚みが厚くなり、しかもこ
の上や周辺に光学機器が配置されるため、薄型・小型が
難しかった。しかし封止体の溝の一部分である反射面２
６により、封止体の側面Ｅから光の出し入れが可能とな
るため、プリズムは不要であるし、レンズが必要で有れ
ば、この側面Ｅに形成できる。つまり図３の様に透明封
止体の側面に凸状のレンズを一体成型することも可能で
あるし、ここに別途レンズを取り付けても良い。従って
装置自身の厚みを薄くすることができる。

【００２５】前記リードフレームはＣｕより成り、厚さ
は、約０．１２５ｍｍで、半導体チップの厚みは、例え
ば２５０〜３００μｍ程度である。また封止体２５は、
透明なエポキシ材料で、例えばトランスファーモールド
により成され、全体の厚みは、約１ｍｍ〜１．５ｍｍで
ある。当然チップの厚みが薄くなれば、更に薄くできる
事は言うまでもない。また金型にも溝を形成する部分が
設けられており、透明の樹脂封止体で半導体チップをト
ランスファーモールドした際に、溝が同時に形成され
る。

【００２６】ここで溝２７は、半導体チップを露出する
ことなく、反射面が構成されればよく、例えば厚みの半
分程度、ここでは７５０μｍ程度の深さを有し、少なく
とも反射面２６を構成する部分は４５°に成っている。
ここの反射面は、界面の両側の空気と透明樹脂の屈折率
の違いにより、反射面となる。しかし全ての光が反射さ
れないので、反射面に金属被膜を形成しても良い。

【００２７】この被膜方法としては、半導体技術で使用
される蒸着、スパッタ成膜が考えられ、またその他に
は、メッキが考えられる。ここで注意を要する所は、封
止体２５に形成された被膜材料との短絡である。前者の
二つの被膜方法では、マスクを必要とする。また例えば
無電解メッキで、溶液の中に全体をディップする場合
は、導出する部分のリード２２、その導出部周囲の封止
体２５の部分に樹脂を塗り、その後でメッキし、この樹
脂を取り除けばよい。またディップ以外では、この溶液
を溝の部分のみに滴下してメッキさせても良い。金属材
料としては、金、Ａｌ、ニッケル等が考えられる。

【００２８】また金型は、放電加工が施されて形成され
るため、また成型品の離型性が考慮されて梨地加工され
るため、反射面に対応する部分を鏡面研磨し、前述した
反射面の被膜の代わりにしても良いし、さらにこの表面
に被膜処理しても良い。また側面Ｅから入射または発光
されるためこの部分も鏡面処理された方が良い。

【００２９】本実施例では、光の出し入れ（射出や入
射）が行われる側面Ｅを除いた側面Ｆ、Ｇ、Ｈにリード
を配置できる。しかし金属細線やリードによる反射を考
えると、側面Ｈが好ましい。平面図に於いて、受光部で
ある半導体チップは、実質右側に受光素子領域（第１の
領域）が形成され、左側にこれを駆動する駆動素子領域
（第２の領域）が形成される。つまり第２の半導体領域
は、光の経路とは成らないため、この領域をリードが導
出される領域、金属細線の領域として活用でき、光の反
射等によるノイズが第１の領域に浸入することを防止し
ている。また第１の領域が右側にずれているので、当然
溝２７も右側にずれ、溝から左側の領域は、ワイヤを延
在させる領域として確保できる。もし左側や中央に第１
の領域があれば、ワイヤは、溝から露出する可能性があ
る。

【００３０】以上述べた光半導体装置を、例えばプリン
ト基板、セラミック基板、絶縁性金属基板、ＴＡＢ等の
樹脂フィルムに実装する場合、図１の左下断面図の如
く、水平に配置されるので、薄型のモジュールや機器が
形成可能である。

【００３１】例えばＩＣカード等に実装すれば、カード
自身の厚みを薄く且つ側辺方向で光信号のやりとりがで
きる。

【００３２】一方、アイランド２１は、２点鎖線で示す
ように二つで成っているが、一体で構成しても良い。ま
た樹脂封止体２５は、二つの半導体チップを一体でモー
ルドしているが、個別でも良い。当然、一つのアイラン
ドに二つの半導体チップを固着し、各々を個別にモール
ドしても良いし、更には、リードフレームを別にしてデ
ィスクリート部品のように個別モールドしても良い。

【００３３】なお点線で囲んだ最小の矩形は、光の照射
される、または光が射出される部分を示している。

【００３４】一方、図２は、溝２７の一方の反射面３０
を垂直にしたものである。この場合図１と比較し溝から
左の領域を確保でき、この部分にワイヤーを延在させる
ことも可能となるし、この近傍まで第２の領域を拡大配
置できる。しかし垂直な面であると金型からの離型性が
悪化するので、若干左側に傾けた方がよい。

【００３５】図３は、実際に形成した光半導体装置の図
面で、中央左が上から見た平面図、中央右が前記平面図
を左側から見た図面、上段は、平面図のＡ−Ａ線の断面
図でホトＩＣ部分である。また下段は、平面図Ｂ−Ｂ線
断面図で、発光ダイオードの部分である。また図４は、
リードフレームにホトダイオードとＬＥＤを実装した図
面である。

【００３６】先ず図４から説明すれば、ここではアイラ
ンド２１の左側辺にのみリード２２が延在され、その先
端にはボンディング用の拡張部３０が形成されている。
またＩＣチップの左側辺と下側辺にボンディシングパッ
ドが形成され、拡張部３０とボンディングパッドとの間
をワイヤーボンディングで電気的に接続している。符号
３１は、ＬＥＤのアイランドで、光を上方に飛ばすため
に、図３下段のようにカップ状になっている。このカッ
プは、側面が斜めに形成され、上方以外に飛んだ光をこ
の傾斜部分で集光して効率よく上方へ飛ばしている。例
えば携帯用ランプの豆球の周囲に形成されている集光板
の様なものである。受光部２４には、ＰＩＮホトダイオ
ードが形成され、周囲にはこの駆動用のＩＣ回路が作り
込まれている。またＬＥＤから延在されている二本のワ
イヤーの接続部近傍には、ＬＥＤの駆動回路が作り込ま
れている。また点線で示す矩形は、樹脂封止領域を示す
部分である。

【００３７】図３を説明する。中央左を見れば判るよう
に、反射面２６が形成された溝が二つ形成され、この溝
の間は、間を遮るように壁体３２が形成されている。こ
の溝は、図１２に示すように、一方の側辺から他方の側
辺まで連続して形成しても良いが、この構造であると外
力が加わった際、溝の底部を中心に割れが発生するおそ
れがある。そのため、ホトＩＣとＬＥＤを囲むように枠
が形成され、前記破壊に対する強度の向上を図ってい
る。また溝の反射面以外は、モールド後の離型(光半導
体装置の抜き特性)を向上させるためにある角度を持た
せている。当然外形形状もこの離型特性向上のため、抜
き方向と平行にならないように角度を持たせている。

【００３８】また側面Ｅには、球面を切ったレンズＬが
設けられている。しかしレンズＬは、楕円レンズでも良
い。この光半導体装置は、ＩｒＤＡ様に形成されたもの
で、上の受光素子が形成されている所のレンズＬは、外
部からの光信号を効率よく、受光素子の光検出領域に光
が当たるように設計されている。また下のＬＥＤは、発
光された光を、別の光半導体装置の検出領域に到達する
ように設計されている。

【００３９】本レンズの詳細は、更に図１８、図１９を
採用して後述する。

【００４０】図５は、反射面の他の形成方法を説明した
もので、実質直方体の樹脂封止体（前述の如く離型性が
考えられ、テーパー面が形成されても良い。）に反射面
２６を有する手段（以下プリズム体４０と呼ぶ。）を固
着したものである。このプリズム体４０と樹脂封止体
は、少なくとも点線で示した光路が所定の光に対して透
過性を有する材料である必要がある。また屈折を考える
と図１の様に、両者が一体の構造が好ましい。しかし個
別部品にして固着しても良い。この場合、固着する接着
剤も含めて屈折率が実質同一のものが好ましい。

【００４１】図６は、基板４１について述べたものであ
る。前述したよう例えばプリント基板、セラミック基
板、絶縁性金属基板、ＴＡＢ等の樹脂フィルムに実装で
きると述べた。

【００４２】またこれらはいわゆるハイブリッド基板と
して採用するもので、半導体ベアチップ等の能動素子、
受動素子が半田等により固着され、光半導体装置も含め
て所定の機能が実現されている。またプリント基板で
は、モールドしたチップで構成されている場合もある。

【００４３】例えば金属基板等は、枠部材が基板の周囲
に形成され、この中にエポキシ樹脂等が充填されている
のが一般的であるが、点線から右側の領域は、少なくと
も所定の光に対して透過である材料が好ましい。またこ
の場合、光の光路に該当する部分は、光に対して透過な
材料で構成する必要がある。またフルモールドで形成す
る場合は、全てが光に対して透過な材料で構成する必要
がある。

【００４４】セラミック基板は、図２と同様にフルモー
ルドで封止されている場合が多く、この場合、全てが所
定の光に対して透過な材料が好ましい。更にはプリント
基板等は、一般的モールドされたチップを使用するた
め、点線から右側だけ封止しても良い。しかし一般的に
は、単に図１の光半導体装置を図１２のように実装した
方が合理的である。

【００４５】図７、図８は、セラミックパッケージ、金
属で構成されるカンタイプに応用したものであり、図番
４３がセラミックパッケージ、４４が金属より成るカン
であり、両者ともに光に対して非透過の材料であり、中
が中空構造である。従ってこの場合、蓋となる部分に反
射面を有する光に対して透過なプリズム体４５、４６が
設けられ、点線のように光は９０度曲げられ、水平方向
に射出または入射される。ここの図は、封止体の説明に
用いたため、具体的なリード、電極、金属細線等は省略
した。

【００４６】図４では、リードフレームについて説明し
たが、このリードフレーム以外にも半導体分野で使用さ
れているリードフレームは全て使用可能である。しかし
モールド時の樹脂圧によるアイランドの安定性を考えた
なら、吊りリードが相対向する側辺にあった方がよい。
またアイランドの四つの角部から延在されているいわゆ
る４方向吊りリードも、アイランドの安定性を向上さ
せ、製品の光の方向性を一定にさせるための重要な構造
である。

【００４７】また封止構造も、いろいろ適用できる。例
えばエレクトロニクス(１９９７年１０月号、７４頁〜)
に述べているように、パッケージのリードを基板のスル
ーホールに挿入するタイプ、つまりリード挿入型として
は、インライン型ののＳＩＰ、ＨＳＩＰ、ＺＩＰ、デュ
アルライン型のＤＩＰ、ＨＤＩＰ、ＳＤＩＰ、ＷＤＩ
Ｐ、ＰＧＡ(ピングリッドアレイ)、また基板の表面に半
田クリーム等を用いて直接半田付けする表面実装型とし
ては、ＳＶＰ、ＳＯＰ、ＳＳＯＰ、ＴＳＯＰ、ＨＳＯ
Ｐ、ＱＦＰ、ＴＱＦＰ、ＨＱＦＰ、ＱＦＮ、ＳＯＪ、Ｑ
ＦＪ、ＢＧＡ、ＬＧＡ、ＤＴＰ、ＱＴＰ等が考えられ
る。

【００４８】もちろんフェイスアップ、フェイスダウン
が採用できるし、最近特に話題を呼んでいるＣＳＰ、Ｂ
ＧＡでも可能である。

【００４９】図９、図１０、図１１は、ＩＣカードにつ
いて説明したものである。これは金属ケース４７の中に
回路素子が半田付けされたプリント基板４８が入ったも
ので、このケース４７からの光の出入り口は、口が開い
ているか、または透過な材料、例えばガラスやプラスチ
ックが設けられている。光半導体装置５０は、ここで
は、基板と一緒にモールドしたものが示されているが、
図１のような部品を実装したものでも良い。図１０は、
ＩＣカードの概略平面図を示したもので、右側より、光
が発光されて外部に発射され、また外部からの光を取り
入れ、光ＩＣで光信号を電気信号に変えている。この変
換された信号は、例えばフラッシュメモリ、ＦＲＡＭ等
のメモリに記憶される。

【００５０】図１１は、ＩＣカードの使用方法を説明し
たもので、パーソナルコンピュータ４８とＩＣカード４
９のＩｒＤＡを実現させたものである。ＩＣカードの電
源としては、ＩＣカード内に電池を内蔵させたもの、コ
イルを用いて電磁誘導したもの等が考えられる。また光
は、データー量が多くスピードも早いため、高速の光通
信が可能となる。更には、電気信号のやりとりと違い、
信号のための電気的接続は不要となるため、電気的接続
不良による信頼性低下が全くなくなる。

【００５１】図１２は、サーキットボード５０、５１に
本光半導体装置５２、５３を実装したもので、ボード間
の信号のやりとりを実現した構造を示している。また図
１の反射面をハーフミラーとして光信号を上方にも透過
させたものである。ボード５４にも光半導体装置５５が
実装され、ボード裏面の光半導体装置５６と上下方向で
光通信を実現している。従って、水平、上下に配置され
たサーキットボードの信号のやりとりに必要な電気的配
線は、不要となる。

【００５２】図１３は、図１５の光学媒体の読みとりを
再現したものである。レーザ６０から出た光は、本光半
導体装置６１のハーフミラーの反射面を介して一端記録
媒体６２に飛び、この光が反射してハーフミラーの反射
面を介して光半導体装置の光ＩＣに入り、記録媒体の
１、０の状況を判断する。

【００５３】図１４は、光半導体装置６３は、封止体に
レーザ６４も一体封止されたものであり、発光面、受光
面および媒体は、直線上に配置されたものである。ま
た、図１の左上の様にレーザと受光素子が取り付けら
れ、紙面に対して上方に媒体が取り付けられたトライア
ングル構造では、反射面の角度の調整が必要となる。

【００５４】最後に金型について説明する。まず光束を
絞るためにレンズＬを取り付けた方が良いため、封止体
の側面に図１９のようにレンズＬ２を取り付けた。しか
し以下の問題が有った。つまり中心Ｐを通るレンズＬ２
の最端部ＯＳ（レンズＬ２の最大突出点）が、上金型７
１側に有ったため、封止後、封止体が離型できない問題
が発生した。

【００５５】この問題は、図１６の従来構造では発生し
なかった。つまりレンズの最端部ＯＳに対応する部分
は、上に向いているため離型性については全く考慮する
必要がなかった。

【００５６】本光半導体装置は、光路の位置決め精度、
また実装基板を下金型７０に当接する等の制約条件から
どうしても上金型７１と下金型７０にまたがるようにレ
ンズＬを形成しなければならない。

【００５７】従って、図１８のようにレンズＬ１の最端
部ＯＳと上下金型７０、７１の接合面７２は、一致させ
る必要がある。また反射面２６は、レンズＬ１の下端部
Ｖと焦点をＰを結ぶ線分Ｒ２が交差するように深く形成
しなければならない。図では、焦点が半導体チップの表
面に一致するように形成しているが、ある面積を有した
スポット上にするには、焦点Ｐから若干前後させる必要
があり、その場合も線分Ｒ２は反射面と交差するように
形成されなければならない。ここでＲ１、Ｒ２は、球面
Ｌ１の半径と成る。

【００５８】また一般に、リード２２は、モールドする
際、下金型７０に埋め込まれる。また樹脂バリを考える
と、リード２２の表面と接合面は、一致させる必要があ
る。従って、最端部ＯＳの位置とリード２２の表面は、
仮想的に同一平面を構成する必要がある。

【００５９】これにより、封止された光半導体装置は、
金型からの離型が容易となる。

【００６０】

【発明の効果】本発明によれば、第１に、反射面を設
けることで光を側面に入射させることができ、しかも金
型の接合部にレンズの最端部を位置させることで、本光
半導体装置の離型性を向上させることができる。

【００６１】第２に、反射面を設けることで光を側面か
ら発射さることができ、しかも金型内で成型された本光
半導体装置の離型性を向上させることができる。

【００６２】第３に、レンズの最下端部と前記レンズの
焦点で形成される仮想線分を、前記反射面と交差させる
事で、効率の良い反射が実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。

【図２】図１の溝の説明をする図である。

【図３】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。

【図４】図３に用いたリードフレームを説明する図であ
る。

【図５】反射面を構成する手段を説明したものである。

【図６】ハイブリッド基板に応用した際の図である。

【図７】セラミックパッケージに応用した際の図面であ
る。

【図８】カンタイプのパッケージに応用した際の図面で
ある。

【図９】ＩＣカードに応用したときの図である。

【図１０】図９の概略平面図を説明したものである。

【図１１】ＩＣカードとコンピュータの関係を説明した
図である。

【図１２】三次元に配置したサーキットボードに本光半
導体装置を実装した図である。

【図１３】本発明の光半導体装置を光ピックアップに応
用した図である。

【図１４】本発明の光半導体装置を光ピックアップに応
用した図である。

【図１５】従来の光半導体装置と光学機器を組んだ概略
図である。

【図１６】従来の光半導体装置の概略図である。

【図１７】従来の光半導体装置をサーキットボードに取
り付けた図である。

【図１８】本光半導体装置の封止方法を説明する図であ
る。

【図１９】本光半導体装置の封止方法に於ける問題点を
説明する図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者井野口浩大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者石川勉大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者新井政至大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者小堀浩大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内 (72)発明者瀬山浩樹大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号三洋電機株式会社内Ｆターム(参考） 5F088 AA03 BA15 BA18 BA20 BB01 EA07 EA09 JA02 JA06 JA10 JA11 JA12 LA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】上面を受光面とする半導体チップと、前
記半導体チップを封止し、少なくとも所定の光に対して
透明な樹脂封止体と、前記受光面の垂線と交差する位置
に設けられ、前記樹脂封止体に設けられて成る反射面
と、前記樹脂封止体の側面に一体成型で形成された凸状
のレンズとを有し、前記レンズの飛び出しに方向に沿った最端部と前記樹脂
封止体を封止する上下金型の接合部は、実質一致するこ
とを特徴とした光半導体装置。
【請求項２】上面を発光面とする半導体チップと、前
記半導体チップを封止し、少なくとも所定の光に対して
透明な樹脂封止体と、前記受光面の垂線と交差し、前記
樹脂封止体に設けられて成る反射面と、前記樹脂封止体
の側面に一体成型で形成された凸状のレンズとを有し、前記レンズの飛び出しに方向に沿った最端部と前記樹脂
封止体を封止する上下金型の接合部は、実質一致するこ
とを特徴とした光半導体装置。
【請求項３】前記樹脂封止体は、リードを有し、実質
リードの上面と前記最端部とは同一面を構成する請求項
１または２記載の光半導体装置。
【請求項４】前記レンズの最下端部と前記レンズの焦
点で形成される仮想線分は、前記反射面と交差する請求
項１、２または３記載の光半導体装置。
【請求項５】受光面（または発光面）を有する半導体
チップが少なくとも固着された実装基板を下金型に配置
し、下金型と接合する上金型と前記下金型を接合し、前記上金型と前記下金型とで成る空間に、少なくとも所
定の光に対して透明な樹脂を注入して前記半導体チップ
を封止する光半導体装置の製造方法に於いて、前記上金型には、受光面（または発光面）の垂線と交差
する位置に設けられ、前記樹脂封止体に設けられる反射
面となる部分が設けられ、前記樹脂封止体の側面に一体成型で形成されるレンズの
飛び出しに方向に沿った最端部と上金型または下金型の
接合部を実質一致させた状態で封止し、後に、前記光半導体装置を金型から離型することを特徴
とした光半導体装置の製造方法。