JP2000077720A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- light
- semiconductor device
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- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発光素子や受光素子の外形をできる限り薄く
し、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小
型化を可能とする。 【解決手段】 発光素子、受光素子として半導体チップ
２３，２４があり、これらを封止する樹脂封止体２５
は、光に対して透明となる材料で成る。また光が素子か
ら発光される領域上、光が素子に入射される領域上に
は、溝２７が形成され、ここに反射面２６を構成する。
その結果光は側面Ｅを介して、射出・入射が可能とな
る。さらに、反射面の上部には、斜面３０が設けられて
いるので、強度が高い。
し、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小
型化を可能とする。 【解決手段】 発光素子、受光素子として半導体チップ
２３，２４があり、これらを封止する樹脂封止体２５
は、光に対して透明となる材料で成る。また光が素子か
ら発光される領域上、光が素子に入射される領域上に
は、溝２７が形成され、ここに反射面２６を構成する。
その結果光は側面Ｅを介して、射出・入射が可能とな
る。さらに、反射面の上部には、斜面３０が設けられて
いるので、強度が高い。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体装置およ
びこれを実装した光半導体モジュールに関するもので、
特に光半導体装置の構造を薄くし、この薄い側面から光
を射出（または入射）させるものであり、これらを用い
た機器の小型化・薄型化を実現するものである。
びこれを実装した光半導体モジュールに関するもので、
特に光半導体装置の構造を薄くし、この薄い側面から光
を射出（または入射）させるものであり、これらを用い
た機器の小型化・薄型化を実現するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
【０００３】しかも携帯機器は、年間７００万台も販売
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
され、約８割がＩｒＤＡ(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
【０００４】またＭＤやＣＤ等の光学式記録再生装置で
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体へビームを照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体へビームを照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。
【０００５】しかしこれら発光素子、受光素子は、小型
化が実現されていない。例えば、図５は、特公平７−２
８０８５号公報の技術を説明するもので、半導体レーザ
１が半導体基板２に直接配置され、断面形状が台形のプ
リズム３が半導体基板２に固定されている。なお図番４
は、光学記録媒体である。半導体レーザ１と対向してい
るプリズム３の傾斜面５は半透過反射面で、半導体基板
２と対接しているプリズム面６は、光検出器（受光素
子）７以外の部分が、また面６と対向しているプリズム
面８は、共に反射面となっている。
化が実現されていない。例えば、図５は、特公平７−２
８０８５号公報の技術を説明するもので、半導体レーザ
１が半導体基板２に直接配置され、断面形状が台形のプ
リズム３が半導体基板２に固定されている。なお図番４
は、光学記録媒体である。半導体レーザ１と対向してい
るプリズム３の傾斜面５は半透過反射面で、半導体基板
２と対接しているプリズム面６は、光検出器（受光素
子）７以外の部分が、また面６と対向しているプリズム
面８は、共に反射面となっている。
【０００６】半導体レーザ１から発光され、傾斜面５か
らプリズム３に入射したビーム９は、反射面６と８で反
射されてから、光検出器７で検出される。
らプリズム３に入射したビーム９は、反射面６と８で反
射されてから、光検出器７で検出される。
【０００７】一方、図６は、赤外線データ通信モジュー
ル１１で、赤外線ＬＥＤ、ＬＥＤドライバ、ＰＩＮフォ
トダイオード、アンプ等が内蔵されている。例えば基板
に前記ＬＥＤ１２が実装され、ここから射出される光
は、レンズ１３を介して外部へ放出される。また前記基
板に実装されたフォトダイオード１４には、レンズ１５
を介してモールド１１内に入射される。
ル１１で、赤外線ＬＥＤ、ＬＥＤドライバ、ＰＩＮフォ
トダイオード、アンプ等が内蔵されている。例えば基板
に前記ＬＥＤ１２が実装され、ここから射出される光
は、レンズ１３を介して外部へ放出される。また前記基
板に実装されたフォトダイオード１４には、レンズ１５
を介してモールド１１内に入射される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述のモジュールに於
いて、図５では半導体基板の上方に光学機器が実装され
るため、非常に高度な技術が必要となり、価格も高価と
なる問題があった。また図６では、モールド体の上で光
の出し入れが必要となり、対向位置にもう一つの光半導
体装置をセットする必要があるため、これらを組み込ん
だセットは、厚みを有し小型化が実現できない問題があ
った。
いて、図５では半導体基板の上方に光学機器が実装され
るため、非常に高度な技術が必要となり、価格も高価と
なる問題があった。また図６では、モールド体の上で光
の出し入れが必要となり、対向位置にもう一つの光半導
体装置をセットする必要があるため、これらを組み込ん
だセットは、厚みを有し小型化が実現できない問題があ
った。
【０００９】また図４で光の出し入れを水平方向にしよ
うとすれば、図７のように光半導体装置１１のリード１
６を９０度に折り曲げなければ成らず、リード１１の曲
げ方によってはこの光半導体装置１１の位置固定、安定
性に問題があった。
うとすれば、図７のように光半導体装置１１のリード１
６を９０度に折り曲げなければ成らず、リード１１の曲
げ方によってはこの光半導体装置１１の位置固定、安定
性に問題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、受光面もしくは／及び発光面を有する半導
体チップと、前記半導体チップを封止する封止体と、前
記封止体の前記半導体チップに対向する面に設けられた
溝と、前記溝に設けられる前記受光面もしくは発光面の
垂線と所定角度で交差する反射面とを有するので、光の
光路は、前記反射面を介して前記封止体の側面から射出
される事で課題を解決し、前記反射面の、前記受光面へ
の光路上にない部分の一部は、前記反射面の所定角度よ
りも、前記受光面の垂線との成す角が小さい光半導体装
置である。
みて成され、受光面もしくは／及び発光面を有する半導
体チップと、前記半導体チップを封止する封止体と、前
記封止体の前記半導体チップに対向する面に設けられた
溝と、前記溝に設けられる前記受光面もしくは発光面の
垂線と所定角度で交差する反射面とを有するので、光の
光路は、前記反射面を介して前記封止体の側面から射出
される事で課題を解決し、前記反射面の、前記受光面へ
の光路上にない部分の一部は、前記反射面の所定角度よ
りも、前記受光面の垂線との成す角が小さい光半導体装
置である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１を参照しながら説明する。図１（Ａ）は光半導
体装置の平面図、（Ｂ）は前記平面図のＡ−Ａ線に於け
る断面図である。
て、図１を参照しながら説明する。図１（Ａ）は光半導
体装置の平面図、（Ｂ）は前記平面図のＡ−Ａ線に於け
る断面図である。
【００１２】まずリードフレームがある。このリードフ
レームは、アイランド２１とリード２２により構成さ
れ、例えばＣｕより成り、この上に発光部となる半導体
チップ２３、受光部となる半導体チップ２４が半田等の
固着手段を介して固定されている。
レームは、アイランド２１とリード２２により構成さ
れ、例えばＣｕより成り、この上に発光部となる半導体
チップ２３、受光部となる半導体チップ２４が半田等の
固着手段を介して固定されている。
【００１３】また半導体チップ２３は、例えば赤外ＬＥ
Ｄ、レーザ等の発光素子であり、駆動回路が一体になっ
ていても良い。赤外線ＬＥＤの光は、チップの上面から
上に出るため図１のようにアイランド２１に水平に配置
される。
Ｄ、レーザ等の発光素子であり、駆動回路が一体になっ
ていても良い。赤外線ＬＥＤの光は、チップの上面から
上に出るため図１のようにアイランド２１に水平に配置
される。
【００１４】また半導体チップ２４は、受光素子として
のフォトセンサであり、ＰＩＮダイオード等であり、や
はりこのＰＩＮダイオードの駆動回路が一体のものでよ
いし、更にはＬＥＤやレーザの駆動回路が一体で構成さ
れても良い。
のフォトセンサであり、ＰＩＮダイオード等であり、や
はりこのＰＩＮダイオードの駆動回路が一体のものでよ
いし、更にはＬＥＤやレーザの駆動回路が一体で構成さ
れても良い。
【００１５】これらの半導体チップ２３、２４の周囲に
は、ボンディングパッドが形成され、これに対応して、
チップの周囲から外部へ複数のリード２２が延在され、
ボンディングパッドとリード２２の間を金属細線で接続
している。
は、ボンディングパッドが形成され、これに対応して、
チップの周囲から外部へ複数のリード２２が延在され、
ボンディングパッドとリード２２の間を金属細線で接続
している。
【００１６】リードの先端および半導体チップは、例え
ば透明なエポキシ樹脂のような、光に対して透明な封止
体２５で封止されている。ここで封止材としては光に対
して透明で有ればよく、材料は特に選ばない。またＬＥ
Ｄでは、一般的に発光する光は、赤外線であるので、少
なくともこの赤外線を透過する材質であればよい。つま
り所定の光に対して少なくとも透過であれば良い。そし
てこの封止体２５には、反射面２６を持つ溝２７が設け
られている。
ば透明なエポキシ樹脂のような、光に対して透明な封止
体２５で封止されている。ここで封止材としては光に対
して透明で有ればよく、材料は特に選ばない。またＬＥ
Ｄでは、一般的に発光する光は、赤外線であるので、少
なくともこの赤外線を透過する材質であればよい。つま
り所定の光に対して少なくとも透過であれば良い。そし
てこの封止体２５には、反射面２６を持つ溝２７が設け
られている。
【００１７】本発明の特徴は、前記反射面２６にあり、
この反射面は封止体２５に溝２７を形成することで構成
され、側面Ｅから入射した光は、反射面２６によって反
射され、半導体チップ２４に入射する。これにより矢印
で示すように封止体２５の側面Ｅから光の射出、側面Ｅ
への入射が可能となる。
この反射面は封止体２５に溝２７を形成することで構成
され、側面Ｅから入射した光は、反射面２６によって反
射され、半導体チップ２４に入射する。これにより矢印
で示すように封止体２５の側面Ｅから光の射出、側面Ｅ
への入射が可能となる。
【００１８】一般には、発光部や受光部を構成する半導
体チップは、この上に、プリズムやレンズを構成して光
半導体装置となるため、これを使用したモジュールやセ
ットは、セット自身の縦方向の厚みが厚くなり、しかも
この上や周辺に光学機器が配置されるため、薄型・小型
が難しかった。しかし封止体の溝２７の一部分である反
射面２６により、封止体２５の側面Ｅから光の出し入れ
が可能となるため、プリズムは不要であるし、レンズ２
９が必要で有れば、この側面Ｅに形成できる。従って装
置自身の厚みを薄くすることができる。
体チップは、この上に、プリズムやレンズを構成して光
半導体装置となるため、これを使用したモジュールやセ
ットは、セット自身の縦方向の厚みが厚くなり、しかも
この上や周辺に光学機器が配置されるため、薄型・小型
が難しかった。しかし封止体の溝２７の一部分である反
射面２６により、封止体２５の側面Ｅから光の出し入れ
が可能となるため、プリズムは不要であるし、レンズ２
９が必要で有れば、この側面Ｅに形成できる。従って装
置自身の厚みを薄くすることができる。
【００１９】前記リードフレーム２２はＣｕより成り、
厚さは、約０．１２５ｍｍで、半導体チップの厚みは、
例えば２５０〜３００μｍ程度である。また封止体２５
は、例えば透明なエポキシ材料で、全体の厚みは、約１
ｍｍ〜１．５ｍｍである。当然チップの厚みが薄くなれ
ば、更に薄くできる事は言うまでもない。
厚さは、約０．１２５ｍｍで、半導体チップの厚みは、
例えば２５０〜３００μｍ程度である。また封止体２５
は、例えば透明なエポキシ材料で、全体の厚みは、約１
ｍｍ〜１．５ｍｍである。当然チップの厚みが薄くなれ
ば、更に薄くできる事は言うまでもない。
【００２０】このような封止体２５の形状は、例えばト
ランスファーモールドやインジェクションなど、金型を
用いた樹脂封止を行い、この際に溝２７のモールドを形
成した金型を用いて作ることができる。
ランスファーモールドやインジェクションなど、金型を
用いた樹脂封止を行い、この際に溝２７のモールドを形
成した金型を用いて作ることができる。
【００２１】反射面２６の角度は例えば半導体チップの
垂線に対して４５゜であれば横から入射した光を半導体
チップに垂直にすることができる。しかし、円Ｂで示し
た反射面の端部は、光半導体装置の端部であるため、強
度が弱く、ここがかけてしまう恐れがある。
垂線に対して４５゜であれば横から入射した光を半導体
チップに垂直にすることができる。しかし、円Ｂで示し
た反射面の端部は、光半導体装置の端部であるため、強
度が弱く、ここがかけてしまう恐れがある。
【００２２】そこで、図２に示すように、反射面２６の
うちで、半導体チップ２３の受光面への光路上にない部
分に、反射面２６よりも急峻な角度をもつ斜面３０を形
成するとよい。これによって、反射面２６の端部の封止
体の肉厚を増すことができるので、光半導体装置の強度
が増す。また、光半導体装置の上面に平坦部２８を形成
することができるので、光半導体装置をサーキットボー
ドに設置する際などの作業性が向上する。
うちで、半導体チップ２３の受光面への光路上にない部
分に、反射面２６よりも急峻な角度をもつ斜面３０を形
成するとよい。これによって、反射面２６の端部の封止
体の肉厚を増すことができるので、光半導体装置の強度
が増す。また、光半導体装置の上面に平坦部２８を形成
することができるので、光半導体装置をサーキットボー
ドに設置する際などの作業性が向上する。
【００２３】ところで、金型を用いて溝２７を形成する
と、樹脂と金型が密着し、光半導体装置を金型から脱離
する時に光半導体装置が破損する恐れがある。これを防
止するために、斜面３０は、光半導体装置の垂線に対し
て１２゜程度の傾斜を持たせる必要がある。通常の樹脂
の抜きテーパは一般的に５゜程度であるが、透明樹脂の
粘度の都合から、少なくとも１０゜以上であることが望
ましい。もちろん角度が大きく、即ち斜面が緩やかにな
れば、より離型性はよくなるが、その分平坦部２８が狭
くなり、光半導体装置の強度は落ちる。
と、樹脂と金型が密着し、光半導体装置を金型から脱離
する時に光半導体装置が破損する恐れがある。これを防
止するために、斜面３０は、光半導体装置の垂線に対し
て１２゜程度の傾斜を持たせる必要がある。通常の樹脂
の抜きテーパは一般的に５゜程度であるが、透明樹脂の
粘度の都合から、少なくとも１０゜以上であることが望
ましい。もちろん角度が大きく、即ち斜面が緩やかにな
れば、より離型性はよくなるが、その分平坦部２８が狭
くなり、光半導体装置の強度は落ちる。
【００２４】上述したように、側面Ｅにはレンズ２９を
形成することができる。レンズ２９を封止体と一体で形
成すると、レンズの厚みの分だけ肉厚が増すので、レン
ズ２９の厚みが大きいところは強度が高い。従って、レ
ンズ２９が形成されないもしくはレンズ２９が薄い側面
Ｅの領域は、特に強度の増強が必要である。また、本実
施形態の光半導体装置は、反射面として封止体の厚さの
半分程度の溝２７を形成する。ところが、このような構
造であると外力が加わった際に、溝２７の底部を中心に
光半導体装置が割れるおそれがある。そこで、図３に示
したように、溝２７のレンズ２９が形成されていない、
もしくはレンズ２９が薄く、強度の弱い領域に壁体３２
を形成する。この構造であれば、さらに光半導体装置の
強度が増し、また、壁体３２が支柱となって、光半導体
装置が割れることを防止できる。このとき、壁体３２の
位置は、半導体チップ２３、２４の直上でないことが望
ましい。壁体３２の位置には反射面が形成されず、半導
体チップ１３に入射する、もしくは半導体チップ２４か
ら発射する光量が減少するためである。
形成することができる。レンズ２９を封止体と一体で形
成すると、レンズの厚みの分だけ肉厚が増すので、レン
ズ２９の厚みが大きいところは強度が高い。従って、レ
ンズ２９が形成されないもしくはレンズ２９が薄い側面
Ｅの領域は、特に強度の増強が必要である。また、本実
施形態の光半導体装置は、反射面として封止体の厚さの
半分程度の溝２７を形成する。ところが、このような構
造であると外力が加わった際に、溝２７の底部を中心に
光半導体装置が割れるおそれがある。そこで、図３に示
したように、溝２７のレンズ２９が形成されていない、
もしくはレンズ２９が薄く、強度の弱い領域に壁体３２
を形成する。この構造であれば、さらに光半導体装置の
強度が増し、また、壁体３２が支柱となって、光半導体
装置が割れることを防止できる。このとき、壁体３２の
位置は、半導体チップ２３、２４の直上でないことが望
ましい。壁体３２の位置には反射面が形成されず、半導
体チップ１３に入射する、もしくは半導体チップ２４か
ら発射する光量が減少するためである。
【００２５】図４に示すように、さらに斜面３０を形成
してもよい。斜面３０によって、上面２８の肉厚が増
し、レンズ２９が形成されていない領域に壁体３２が形
成されているので、より高い強度を実現できる。
してもよい。斜面３０によって、上面２８の肉厚が増
し、レンズ２９が形成されていない領域に壁体３２が形
成されているので、より高い強度を実現できる。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、受光面または発光面を
有する半導体チップと、これを封止する封止体と、封止
体の上面に設けられた反射面を有する溝とを有するの
で、光半導体装置を小型化でき、さらに、前記反射面
の、前記受光面への光路上にない部分の一部は、前記反
射面の所定角度よりも、前記受光面の垂線との成す角が
小さいので、光半導体装置の上面の面積を確保でき、光
半導体装置の強度を増すことができる。
有する半導体チップと、これを封止する封止体と、封止
体の上面に設けられた反射面を有する溝とを有するの
で、光半導体装置を小型化でき、さらに、前記反射面
の、前記受光面への光路上にない部分の一部は、前記反
射面の所定角度よりも、前記受光面の垂線との成す角が
小さいので、光半導体装置の上面の面積を確保でき、光
半導体装置の強度を増すことができる。
【図１】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。
図である。
【図２】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。
図である。
【図３】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。
図である。
【図４】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。
図である。
【図５】従来の光半導体装置と光学機器を組んだ概略図
である。
である。
【図６】従来の光半導体装置の概略図である。
【図７】従来の光半導体装置をサーキットボードに取り
付けた図である。
付けた図である。
フロントページの続き (72)発明者 落合 公 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 井野口 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 石川 勉 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 関口 智 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小堀 浩 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA47 DA13 DA17 DA44 DA57 EE11 FF14
Claims (4)
- 【請求項１】 受光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記封止体の前記半導
体チップに対向する面に設けられた溝と、前記溝に設け
られる前記受光面の垂線と所定角度で交差する反射面と
を有し、前記反射面の、前記受光面への光路上にない部
分の一部は、前記反射面の所定角度よりも、前記受光面
の垂線との成す角が小さいことを特徴とする光半導体装
置。 - 【請求項２】 発光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記封止体の前記半導
体チップに対向する面に設けられた溝と、前記溝に設け
られる前記発光面の垂線と所定角度で交差する反射面と
を有し、前記反射面の、前記発光面への光路上にない部
分の一部は、前記反射面の所定角度よりも、前記発光面
の垂線との成す角が小さいことを特徴とする光半導体装
置。 - 【請求項３】 受光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記封止体の側面に、
前記封止体に一体で設けられたレンズと、前記封止体の
前記半導体チップに対向する面に設けられた溝と、前記
溝に設けられる前記受光面の垂線と所定角度で交差する
反射面とを有し、前記封止体の前記レンズが形成された
側面の、前記レンズが形成されていない領域に対向する
前記溝には、壁体が形成されていることを特徴とする光
半導体装置。 - 【請求項４】 発光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記封止体の側面に、
前記封止体に一体で設けられたレンズと、前記封止体の
前記半導体チップに対向する面に設けられた溝と、前記
溝に設けられる前記発光面の垂線と所定角度で交差する
反射面とを有し、前記封止体の前記レンズが形成された
側面の、前記レンズが形成されていない領域に対向する
前記溝には、壁体が形成されていることを特徴とする光
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10245250A JP2000077720A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10245250A JP2000077720A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077720A true JP2000077720A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17130893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10245250A Pending JP2000077720A (ja) | 1998-08-31 | 1998-08-31 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077720A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10131698A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2013165258A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-08-22 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄモジュール |
-
1998
- 1998-08-31 JP JP10245250A patent/JP2000077720A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10131698A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US7436002B2 (en) | 2001-06-29 | 2008-10-14 | Osram Gmbh | Surface-mountable radiation-emitting component |
| JP2013165258A (ja) * | 2012-01-10 | 2013-08-22 | Rohm Co Ltd | Ｌｅｄモジュール |
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