JP2000077684A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
れを組み込んだセットやモジュールにおいても薄くする
ことが可能である。 【解決手段】 発光された光は、溝27の面26で反射
された後、溝29の面28を透過して、封止体25の側
面から射出される。また、封止体25の側面に入射され
た光は、面28で反射されて、受光用半導体チップ24
に受光される。
Description
びこれを実装した光半導体装置に関するもので、特にこ
れらの構造を薄くし、この薄い側面から光を射出(また
は入射)させるものであり、これらを用いた機器の小型
化・薄型化を実現するものである。
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
され、約8割がIrDA(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体をビームで照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。
化が実現されていない。例えば、図3は、特公平7−2
8085号公報の技術を説明するもので、半導体レーザ
1が半導体基板2に直接接続され、断面形状が台形のプ
リズム3が半導体基板2に固定されている。なお図番4
は、光学記録媒体である。半導体レーザ1と対向してい
るプリズム3の傾斜面5は半透過反射面で、半導体基板
2と対接しているプリズム面6は、光検出器(受光素
子)7以外の部分が、また面6と対向しているプリズム
面8は、共に反射面となっている。
らプリズム3に入射したビーム9は、反射面6と8で反
射されてから、光検出器7で検出される。
公報に開示される如き、従来の光半導体装置の例として
の赤外線データ通信モジュールで、赤外線LED、LE
Dドライバ、PINフォトダイオード、アンプ等が内蔵
されたモジュール11である。例えばモジュール内部に
形成された基板に前記LEDが実装され、ここから射出
される光は、上面に取り付けられたレンズ12を介して
外部へ放出され、前記基板に実装されたフォトダイオー
ドは、上面に取り付けられたレンズ13を介してモール
ド11内に入射される。このようなモジュールを任意の
回路が形成されたプリント基板に装着して動作をさせて
いた。
ルに於いて、半導体基板上に光学機器が実装され、また
半導体基板がモールドされたモジュールの上に更にレン
ズが実装されたりするため、これらを組み込んだセット
には、小型化が実現できない問題があった。
発光する発光用半導体チップと、上面を受光面とする受
光用半導体チップと、所定波長の光に対して透明であ
り、前記発光用及び受光用半導体チップを封止する樹脂
封止体と、該樹脂封止体の表面上において前記発光用半
導体チップの上部に形成するとともに、発光された光の
光路と所定の角度で交差する面を有する第1の溝と、前
記樹脂封止体の表面上において前記受光用半導体チップ
の上部に形成するとともに、前記樹脂封止体の側面より
入射された光の光路と所定の角度で交差する面を有する
第2の溝とを有し、発光された光は、前記第1の溝で反
射された後第2の溝を透過して、前記樹脂封止体の側面
より射出され、入射された光は前記第2の溝で反射され
て前記受光用半導体チップに受光されることを特徴とす
る。
の光路で光が入射及び射出されることを特徴とする。
図であり、図は理解のために2つの図を一体としたもの
であり、上が半導体装置の平面図、下が前記平面図のA
−A´線における断面図である。リードフレームはアイ
ランド21及びリード22により構成され、アイランド
21上には発光部となる発光用半導体チップ23と、受
光部となる受光用半導体チップ24がそれぞれ搭載され
る。半導体チップ23及び24の周囲にはボンディング
パッドが形成され、これに対応してチップの周囲から外
部の複数のリード22が延在され、チップ23及び24
と、リード22との間を金属細線で接続される。
21と、アイランドの上に搭載された半導体チップ23
及び24とは、所定の波長の光に対して透明な封止体2
5で封止される。この封止体には、光が反射される面2
6を有する第1の溝27と、光が反射及び透過される面
28を有する第2の溝29とが設けられている。面26
は発光用半導体チップ23上の発光面の上部に形成さ
れ、面28は受光用半導体チップ24上の受光面の上部
に形成される。
面26は封止体25に溝27を形成することによって構
成され、面28は封止体25に溝29を形成することに
よって構成される。溝27及び29の形成は、後述され
るように光が封止体25の側面から入射及び射出される
ように面26及び28の角度を調整して、形成される。
そして、面26及び28は、界面の両側の空気と透明樹
脂の屈折率の違いにより、反射面となる。
上面から発光された光は、まず樹脂封止体25中を上部
方向へ進む。光は面26で反射され、光の進行方向が図
1上を左側になる。その後、発光された光は、一度樹脂
封止体25を出た後、再び面28に入射され、面28を
透過する。透過された光は、樹脂封止体25中を進んだ
後、封止体25の側面から射出される。また、外部から
樹脂封止体25の側面に光が入射されると、入射光は封
止体25中を図1上の右側へ進み、面28で反射され、
図1上を下側へ進む。反射された光は、受光用半導体チ
ップ24で受光される。
部分は45°に成っており、面26及び28の反射させ
る部分の高さを同一にすることにより、射出光及び入射
光は略同一の光路を進むことが可能である。尚、面26
で反射された反射光が面28に入射されたされた場合、
光が透過するだけでなく、光が図1上を上の方向に反射
されるが、大部分の光が透過するので、光の射出に悪影
響は与えられない。
光を発光するものであるので、図1の形態は赤外線光を
発光する半導体チップに用いて好適である。
体チップは、この上に、プリズムやレンズを構成して半
導体装置となるため、これを使用したモジュールやセッ
トは、セット自身の厚みが厚くなり、しかもこの上や周
辺に光学機器が配置されるため、薄型・小型が難しかっ
た。しかし溝の一部分である反射面26により、封止体
の側面で光の出し入れが可能となるためプリズムは不要
である。また、レンズが必要で有ればこの側面Eに形成
できる。つまり、透明封止体の側面に凸状のレンズを一
体成型することも可能であるし、ここに別途レンズを取
り付けても良い。従って装置自身の厚みを薄くすること
ができる。次に、本発明による光半導体装置の厚みにつ
いて説明する。例えば、リードフレームはCuより成
り、厚さは、約0.125mmで、半導体チップの厚み
は、例えば250〜300μm程度である。また封止体
25は、透明なエポキシ材料で、例えばトランスファー
モールドされ、全体の厚みは、約1mm〜1.5mmで
ある。当然チップの厚みが薄くなれば、更に薄くできる
事は言うまでもない。樹脂封止体で半導体チップを封止
するとき、金型にも溝を形成する部分が設けられてお
り、樹脂封止体で半導体チップをトランスファーモール
ドした際に、溝が同時に形成される。ここで溝27は、
半導体チップを露出することなく、反射面が構成されれ
ばよく、例えば厚みの半分程度、ここでは750μm程
度である。
体チップを封止し、その上部にそれぞれ反射面を有する
溝を形成したので、光半導体装置の側面で光を射出及び
入射させることができる。その結果、プリズム等の光学
機器を削減することができ、光半導体装置を用いた機器
を小型化することが可能である。
図である。
図である。
Claims (2)
- 【請求項1】上面より光を発光する発光用半導体チップ
と、 上面を受光面とする受光用半導体チップと、 所定波長の光に対して透明であり、前記発光用及び受光
用半導体チップを封止する樹脂封止体と、 該樹脂封止体の表面上において前記発光用半導体チップ
の上部に形成するとともに、発光された光の光路と所定
の角度で交差する面を有する第1の溝と、 前記樹脂封止体の表面上において前記受光用半導体チッ
プの上部に形成するとともに、前記樹脂封止体の側面よ
り入射された光の光路と所定の角度で交差する面を有す
る第2の溝とを有し、 発光された光は、前記第1の溝で反射された後第2の溝
を透過して、前記樹脂封止体の側面より射出され、入射
された光は前記第2の溝で反射されて前記受光用半導体
チップに受光されることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項2】 前記樹脂封止体の側面では、略同一の光
路で光が入射及び射出されることを特徴とする請求項1
記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10242292A JP2000077684A (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10242292A JP2000077684A (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077684A true JP2000077684A (ja) | 2000-03-14 |
Family
ID=17087078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10242292A Pending JP2000077684A (ja) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000077684A (ja) |
-
1998
- 1998-08-27 JP JP10242292A patent/JP2000077684A/ja active Pending
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