JP2000077687A - Optical semiconductor device - Google Patents

Optical semiconductor device

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JP2000077687A
JP2000077687A JP10245242A JP24524298A JP2000077687A JP 2000077687 A JP2000077687 A JP 2000077687A JP 10245242 A JP10245242 A JP 10245242A JP 24524298 A JP24524298 A JP 24524298A JP 2000077687 A JP2000077687 A JP 2000077687A
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island
semiconductor chip
semiconductor device
optical
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Hideo Kunii
秀雄 国井
Toshiyuki Take
俊之 武
Hiroshi Inoguchi
浩 井野口
Tsutomu Ishikawa
勉 石川
Masashi Arai
政至 新井
Hiroshi Kobori
浩 小堀
Hiroki Seyama
浩樹 瀬山
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光素子や受光素子の外形をできる限り薄く
し、これを組み込んだモジュールやセットに於いても小
型化を可能とする。 【解決手段】 発光素子、受光素子として半導体チップ
23,24があり、これらを封止する樹脂封止体25
は、光に対して透明となる材料で成る。また光が素子か
ら発光される領域上、光が素子に入射される領域上に
は、溝27が形成され、ここに反射面26を構成する。
その結果光は側面Eを介して、射出・入射が可能とな
る。更には、吊りリードTLでアイランドを支えている
ので、光路の位置精度を向上できる。
(57) [Problem] To make the outer shape of a light emitting element or a light receiving element as thin as possible, and to reduce the size of a module or set incorporating the same. SOLUTION: There are semiconductor chips 23 and 24 as a light emitting element and a light receiving element, and a resin sealing body 25 for sealing them.
Is made of a material that is transparent to light. Further, a groove 27 is formed on a region where light is emitted from the element and on a region where light is incident on the element, and the reflection surface 26 is formed here.
As a result, light can be emitted and incident through the side surface E. Further, since the island is supported by the suspension lead TL, the positional accuracy of the optical path can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光半導体装置およ
びこれを実装した光半導体モジュールに関するもので、
特に光半導体装置の構造を薄くし、この薄い側面から光
を射出(または入射)させるものであり、これらを用い
た機器の小型化・薄型化を実現するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor device and an optical semiconductor module mounting the same.
In particular, the structure of the optical semiconductor device is made thinner, and light is emitted (or made incident) from the thinner side surface, thereby realizing miniaturization and thinning of a device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近、サブノートパソコン、携帯情報端
末、電子スチルカメラ等のマルチメディア機器がめざま
しい発展を遂げている。
2. Description of the Related Art Recently, multimedia equipment such as a sub-notebook personal computer, a portable information terminal, and an electronic still camera has been remarkably developed.

【0003】しかも携帯機器は、年間700万台も販売
され、約8割がIrDA(InfraredData Association)規
格の赤外線方式を採用している。つまり外部機器と本体
との赤外線信号を介した送受信が必要で、そこには、赤
外線を発光する発光素子、赤外線を受光する受光素子が
必要となってくる。
[0003] Moreover, 7 million portable devices are sold annually, and about 80% adopt the infrared system of the IrDA (InfraredData Association) standard. That is, transmission / reception between the external device and the main body via an infrared signal is required, and a light emitting element that emits infrared light and a light receiving element that receives infrared light are required.

【0004】またMDやCD等の光学式記録再生装置で
用いられる光学ヘッドは、光学記録媒体へビームを照射
して光学記録媒体からの変調されたビームを検出するこ
とにより、情報の記録や再生を行う。やはりここでも発
光素子、受光素子が必要となってくる。
An optical head used in an optical recording / reproducing apparatus such as an MD or a CD irradiates a beam onto an optical recording medium to detect a modulated beam from the optical recording medium, thereby recording and reproducing information. I do. Also here, a light emitting element and a light receiving element are required.

【0005】しかしこれら発光素子、受光素子は、小型
化が実現されていない。例えば、図15は、特公平7−
28085号公報の技術を説明するもので、半導体レー
ザ1が半導体基板2に直接配置され、断面形状が台形の
プリズム3が半導体基板2に固定されている。なお図番
4は、光学記録媒体である。半導体レーザ1と対向して
いるプリズム3の傾斜面5は半透過反射面で、半導体基
板2と対接しているプリズム面6は、光検出器(受光素
子)7以外の部分が、また面6と対向しているプリズム
面8は、共に反射面となっている。
However, these light emitting elements and light receiving elements have not been reduced in size. For example, FIG.
The semiconductor laser 1 is directly disposed on a semiconductor substrate 2, and a prism 3 having a trapezoidal cross section is fixed to the semiconductor substrate 2. FIG. 4 is an optical recording medium. The inclined surface 5 of the prism 3 facing the semiconductor laser 1 is a semi-transmissive reflecting surface, and the prism surface 6 in contact with the semiconductor substrate 2 has a portion other than the photodetector (light receiving element) 7. The prism surfaces 8 facing each other are reflection surfaces.

【0006】半導体レーザ1から発光され、傾斜面5か
らプリズム3に入射したビーム9は、反射面6と8で反
射されてから、光検出器7で検出される。
A beam 9 emitted from the semiconductor laser 1 and incident on the prism 3 from the inclined surface 5 is reflected by the reflecting surfaces 6 and 8 and detected by the photodetector 7.

【0007】一方、図16は、赤外線データ通信モジュ
ール11で、赤外線LED、LEDドライバ、PINフ
ォトダイオード、アンプ等が内蔵されている。例えば基
板に前記LED12が実装され、ここから射出される光
は、レンズ13を介して外部へ放出される。また前記基
板に実装されたフォトダイオード14には、レンズ15
を介してモールド11内に入射される。
FIG. 16 shows an infrared data communication module 11, which includes an infrared LED, an LED driver, a PIN photodiode, an amplifier, and the like. For example, the LED 12 is mounted on a substrate, and light emitted from the LED 12 is emitted to the outside via the lens 13. The photodiode 14 mounted on the substrate has a lens 15
And enters the mold 11.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】前述のモジュールに於
いて、図15では半導体基板の上方に光学機器が実装さ
れるため、非常に高度な技術が必要となり、価格も高価
となる問題があった。また図16では、モールド体の上
で光の出し入れが必要となり、対向位置にもう一つの光
半導体装置をセットする必要があるため、これらを組み
込んだセットは、厚みを有し小型化が実現できない問題
があった。
In the above-mentioned module, the optical equipment is mounted above the semiconductor substrate in FIG. 15, so that a very advanced technique is required and the price is high. . In FIG. 16, light needs to be put in and out of the mold, and another optical semiconductor device needs to be set at the opposing position. Therefore, the set incorporating these has a thickness and cannot be miniaturized. There was a problem.

【0009】また図16で光の出し入れを水平方向にし
ようとすれば、図17のように光半導体装置11のリー
ド16を90度に折り曲げなければ成らず、リード11
の曲げ方によってはこの光半導体装置11の位置固定、
安定性に問題があった。
If the light is to be taken in and out in the horizontal direction in FIG. 16, the lead 16 of the optical semiconductor device 11 must be bent at 90 degrees as shown in FIG.
Depending on how the optical semiconductor device 11 is bent,
There was a problem with stability.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は前述の課題に鑑
みて成され、第1に、受光面を有する半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止体と、前記受光面の垂
線と所定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射
面とを有し、前記半導体チップを実装する基板を、リー
ドフレームの一構成要素であるアイランドより成し、こ
のアイランドの角部またはその近傍からアイランドの吊
りリードを延在させることで解決するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the aforementioned problems, and firstly, a semiconductor chip having a light receiving surface,
A sealing body for sealing the semiconductor chip, and a reflecting surface provided on the sealing body, which intersects a perpendicular line of the light receiving surface at a predetermined angle, and mounts the semiconductor chip on a lead frame. The problem is solved by extending a suspension lead of the island from a corner or a vicinity of the corner of the island.

【0011】第2に、発光面を有する半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止体と、前記発光面と所
定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを
有し、前記半導体チップを実装する基板を、リードフレ
ームの一構成要素であるアイランドより成し、このアイ
ランドの角部またはその近傍からアイランドの吊りリー
ドを延在させることで解決するものである。
Second, a semiconductor chip having a light emitting surface;
A substrate having a sealing body for sealing the semiconductor chip and a reflection surface provided on the sealing body so as to intersect the light emitting surface at a predetermined angle, and mount the semiconductor chip on a lead frame. The problem is solved by forming the island as a component, and extending the suspension lead of the island from the corner or the vicinity of the corner of the island.

【0012】両者ともに封止体に反射面を有する手段を
別体または一体で設けることで、この光半導体装置を水
平に置いたまま、入射光または射出光を水平にすること
が出来るため、この光の光路の位置精度が向上し、しか
も対向位置にこれらの光半導体装置を置けば、光通信が
水平方向で可能となる。
In both cases, by providing means having a reflecting surface on the sealing body separately or integrally, it is possible to level the incident light or the emitted light while keeping the optical semiconductor device horizontal. If the position accuracy of the optical path of the light is improved, and these optical semiconductor devices are placed at opposing positions, optical communication becomes possible in the horizontal direction.

【0013】しかも、いわゆる4方向吊りリードでアイ
ランドを支えるため、樹脂を注入する際に、アイラン
ド、この上に実装される半導体チップの位置精度を向上
させることができ、光の光路の精度を高めることができ
る。
In addition, since the island is supported by the so-called four-direction hanging leads, when the resin is injected, the position accuracy of the island and the semiconductor chip mounted thereon can be improved, and the accuracy of the optical path of light can be improved. be able to.

【0014】第3、第4共に、半導体チップを実装する
基板を、リードフレームの一構成要素であるアイランド
より成し、前記アイランドの相対向する側辺に吊りリー
ドを延在させることで解決するものである。
In both the third and fourth embodiments, the problem is solved by forming the substrate on which the semiconductor chip is mounted from islands, which are one component of the lead frame, and extending the suspension leads to the opposite sides of the islands. Things.

【0015】前述同様に、アイランドに吊りリードを設
けているため、樹脂を注入する際に、アイランド、この
上に実装される半導体チップの位置精度を向上させるこ
とができ、光の光路の精度を高めることができる。
As described above, since the suspension leads are provided on the island, when the resin is injected, the position accuracy of the island and the semiconductor chip mounted thereon can be improved, and the accuracy of the optical path of light can be improved. Can be enhanced.

【0016】第5に、レンズの端部に前記吊りリードを
延在させることで、光の乱反射を防止することができ
る。
Fifth, diffused reflection of light can be prevented by extending the suspension lead at the end of the lens.

【0017】第6に、アイランドから外部へ導出される
リードを、前記光が入射される(または射出される)側
面との対向面から導出することで、前述同様に光の乱反
射を防止し、誤動作を抑制することが出来る。
Sixth, the lead led out from the island is led out from a surface facing the side surface on which the light is incident (or emitted), thereby preventing the light from being diffusely reflected as described above. Malfunction can be suppressed.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図1を参照しながら説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

【0019】図は理解のために、三つの図を一体にした
もので、左上が光半導体装置の平面図、左下が前記平面
図のA−A線に於ける断面図、右上が前記平面図のB−
B線に於ける断面図である。
For the sake of comprehension, the figures are made by integrating the three figures, wherein the upper left is a plan view of the optical semiconductor device, the lower left is a cross-sectional view taken along line AA of the plan view, and the upper right is the plan view. B-
It is sectional drawing in the B line.

【0020】まずリードフレームがある。このリードフ
レームは、2点鎖線で示すアイランド21、リード22
および吊りリードTLにより構成され、ここではCuよ
り成り、この上に発光部となる一点鎖線で示す半導体チ
ップ23、受光部となる一点鎖線で示す半導体チップ2
4が半田等の固着手段を介して固定されている。
First, there is a lead frame. This lead frame includes an island 21 and a lead 22 indicated by a two-dot chain line.
And a suspension lead TL, made of Cu here, and a semiconductor chip 23 indicated by a dashed line serving as a light emitting portion, and a semiconductor chip 2 indicated by a dashed line serving as a light receiving portion.
4 is fixed via fixing means such as solder.

【0021】また半導体チップ23は、例えば赤外LE
D、レーザ等の発光素子であり、駆動回路が一体になっ
ていても良い。赤外線LEDは、チップの上面から上に
出るため図1のようにアイランドに水平に配置される
が、半導体レーザの場合は、チップの側面から光が発射
されるため、図のような溝は必要としない。しかし製造
上図3のように溝を作るよりも図12のように一側辺か
ら他側辺に渡り全面に設けた方が簡便な、この上にも溝
を形成しても良い。
The semiconductor chip 23 is, for example, an infrared LE.
D, a light emitting element such as a laser, and a driving circuit may be integrated. Infrared LEDs are arranged horizontally on the island as shown in FIG. 1 because they come out from the top surface of the chip. However, in the case of a semiconductor laser, light is emitted from the side surface of the chip, so a groove as shown is necessary. And not. However, in terms of manufacturing, it is simpler to provide the groove from one side to the other side as shown in FIG. 12 than to form the groove as shown in FIG. 3, and the groove may be formed thereon.

【0022】また半導体チップ24は、フォトセンサで
あり、PINダイオード等であり、やはりこのPINダ
イオードの駆動回路が一体のものでよし、更にはLED
やレーザの駆動回路が一体で構成されても良い。これら
の半導体チップの周囲には、ボンディングパッドが形成
され、これに対応して、チップの周囲から外部へ複数の
リード22が延在され、この間を金属細線で接続してい
る。ここで封止材としては光に対して透明で有ればよ
く、材料は特に選ばない。またLEDから発射される光
は、赤外線であるので、この赤外線を透過する樹脂であ
ればよい。つまり所定の光に対して少なくとも透過であ
れば良く、リードの先端および半導体チップは、この光
に対して透明な封止体25で封止されている。そしてこ
の封止体25には、反射面26を持つ溝27が設けられ
ている。
The semiconductor chip 24 is a photo sensor, such as a PIN diode, and the driving circuit of the PIN diode may be an integrated circuit.
Alternatively, a laser driving circuit may be integrally formed. Bonding pads are formed around these semiconductor chips. Correspondingly, a plurality of leads 22 extend from the periphery of the chips to the outside, and these are connected by thin metal wires. Here, the sealing material only needs to be transparent to light, and the material is not particularly limited. Further, since the light emitted from the LED is infrared light, any resin that transmits this infrared light may be used. In other words, it suffices to transmit at least the predetermined light, and the tip of the lead and the semiconductor chip are sealed with the sealing body 25 transparent to the light. The sealing body 25 has a groove 27 having a reflection surface 26.

【0023】本発明の特徴は、前記反射面26にあり、
この反射面は封止体25に溝を形成することで構成さ
れ、これにより点線矢印で示すように封止体25の側面
Eから光の射出、側面Eへの入射が可能となる。
A feature of the present invention resides in the reflection surface 26,
The reflecting surface is formed by forming a groove in the sealing body 25, whereby light can be emitted from the side surface E of the sealing body 25 and incident on the side surface E as indicated by a dotted arrow.

【0024】従来、発光部や受光部を構成する半導体チ
ップは、この上に、プリズムやレンズを構成して半導体
装置となるため、これを使用したモジュールやセット
は、セット自身の縦方向の厚みが厚くなり、しかもこの
上や周辺に光学機器が配置されるため、薄型・小型が難
しかった。しかし封止体の溝の一部分である反射面26
を採用する事により、封止体の側面Eから光の出し入れ
が可能となるため、プリズムは不要であるし、レンズが
必要で有れば、この側面Eに形成できる。つまり図3の
様に透明封止体の側面に凸状のレンズLを一体成型する
ことも可能であるし、ここに別途レンズを取り付けても
良い。従って装置自身の厚みを薄くすることができる。
Conventionally, a semiconductor chip that constitutes a light emitting section and a light receiving section forms a semiconductor device by forming a prism and a lens on the semiconductor chip. Therefore, a module or set using the semiconductor chip has a thickness in the vertical direction of the set itself. However, since optical devices are arranged on and around the device, it is difficult to make the device thin and small. However, the reflecting surface 26 which is a part of the groove of the sealing body
By adopting the above structure, light can enter and exit from the side surface E of the sealing body. Therefore, a prism is unnecessary, and a lens can be formed on the side surface E if necessary. That is, as shown in FIG. 3, the convex lens L can be integrally molded on the side surface of the transparent sealing body, or a separate lens may be attached here. Therefore, the thickness of the device itself can be reduced.

【0025】前記リードフレームはCuより成り、厚さ
は、約0.125mmで、半導体チップの厚みは、例え
ば250〜300μm程度である。また封止体25は、
透明なエポキシ材料で、例えばトランスファーモールド
により成され、全体の厚みは、約1mm〜1.5mmで
ある。当然チップの厚みが薄くなれば、更に薄くできる
事は言うまでもない。また金型にも溝を形成する部分が
設けられており、透明の樹脂封止体で半導体チップをト
ランスファーモールドした際に、溝が同時に形成され
る。
The lead frame is made of Cu, the thickness is about 0.125 mm, and the thickness of the semiconductor chip is, for example, about 250 to 300 μm. The sealing body 25 is
It is made of a transparent epoxy material, for example, by transfer molding, and has a total thickness of about 1 mm to 1.5 mm. It goes without saying that if the thickness of the chip is reduced, it can be further reduced. The mold is also provided with a portion for forming a groove, and when the semiconductor chip is transfer-molded with a transparent resin sealing body, the groove is formed at the same time.

【0026】ここで溝27は、半導体チップを露出する
ことなく、反射面が構成されればよく、例えば封止厚の
半分程度、ここでは750μm程度の深さを有し、少な
くとも反射面26を構成する部分は45°に成ってい
る。ここの反射面は、界面の両側の空気と透明樹脂の屈
折率の違いにより、反射面となる。しかし全ての光が反
射されないので、反射面に金属被膜を形成しても良い。
Here, the groove 27 may have a reflection surface without exposing the semiconductor chip. For example, the groove 27 has a depth of about half of the sealing thickness, here about 750 μm. The constituent part is at 45 °. The reflecting surface here becomes a reflecting surface due to the difference in the refractive index between the air on both sides of the interface and the transparent resin. However, since not all light is reflected, a metal film may be formed on the reflection surface.

【0027】この被膜方法としては、半導体技術で使用
される蒸着、スパッタ成膜が考えられ、またその他に
は、メッキが考えられる。ここで注意を要する所は、封
止体25に形成された被膜材料との短絡である。前者の
二つの被膜方法では、マスクを必要とする。また例えば
無電解メッキで、溶液の中に全体をディップする場合
は、導出する部分のリード22、その導出部周囲の封止
体25の部分に樹脂を塗り、その後でメッキし、この樹
脂を取り除けばよい。またディップ以外では、この溶液
を溝の部分のみに滴下してメッキさせても良い。金属材
料としては、金、Al、ニッケル等が考えられる。
As the coating method, vapor deposition and sputter deposition used in semiconductor technology can be considered, and in addition, plating can be considered. A point to be noted here is a short circuit with the coating material formed on the sealing body 25. The former two coating methods require a mask. When the whole is dipped in a solution by, for example, electroless plating, a resin is applied to a lead 22 of a lead-out part and a sealing body 25 around the lead-out part, and thereafter, plating is performed to remove the resin. I just need. In addition to the dip, this solution may be dropped only on the groove to perform plating. As the metal material, gold, Al, nickel and the like can be considered.

【0028】また金型は、放電加工が施されて形成され
るため、また成型品の離型性が考慮されて梨地加工され
るため、反射面に対応する部分を鏡面研磨し、前述した
反射面の被膜の代わりにしても良いし、さらにこの表面
に被膜処理しても良い。また側面Eから入射または発光
されるためこの部分も鏡面処理された方が良い。
Since the mold is formed by electrical discharge machining, and is matte-finished in consideration of the releasability of a molded product, the portion corresponding to the reflection surface is mirror-polished, and the above-described reflection is performed. The film may be substituted for the surface, or the surface may be subjected to a film treatment. Further, since the light is incident or emitted from the side surface E, it is preferable that this portion is also subjected to mirror finishing.

【0029】本実施例では、光の出し入れ(射出や入
射)が行われる側面E、特にレンズを配置した領域を除
いた側面F、G、Hにリードを配置できる。
In this embodiment, the leads can be arranged on the side E where light enters and exits (emission and incidence), particularly on the side F, G and H excluding the region where the lens is arranged.

【0030】本発明の特徴は、吊りリードTLにある。
本光半導体装置は、光路に精度を要するため、特にアイ
ランド21の水平度を要求する。従って図のようにアイ
ランドの角部またはその近傍から吊りリードTLが設け
られていると、アイランドの水平性が保たれ、光路の精
度が維持でき、光の発射精度、光の取り込み精度が向上
される。
The feature of the present invention lies in the suspension lead TL.
Since the optical semiconductor device requires precision in the optical path, the horizontal level of the island 21 is particularly required. Therefore, when the suspension leads TL are provided from the corners of the island or the vicinity thereof as shown in the figure, the horizontality of the island is maintained, the accuracy of the optical path can be maintained, and the accuracy of emitting light and the accuracy of capturing light are improved. You.

【0031】また図では、アイランドの裏面を露出させ
ているが、この裏面も樹脂で覆う場合、金型からアイラ
ンドを離間させる必要があるが、この場合も、樹脂の封
止圧で位置精度が悪化するが、いわゆる4吊りリードT
Lを採用しているため、アイランドの位置精度が向上で
き、光路の精度を高めることが出来る。
In the figure, the back surface of the island is exposed. When this back surface is also covered with resin, it is necessary to separate the island from the mold. In this case, too, the positional accuracy is reduced by the sealing pressure of the resin. Deteriorated, so-called 4 suspension lead T
Since L is used, the position accuracy of the island can be improved, and the accuracy of the optical path can be improved.

【0032】また金属細線やリードによる反射を考える
と、側面Eは、出来るだけはじに吊りリードが配置され
るだけで、光の光路となる部分には、リードは、配置さ
れない。
In consideration of reflection by a thin metal wire or a lead, only a hanging lead is arranged on the side surface E as much as possible, and no lead is arranged in a portion serving as an optical path of light.

【0033】平面図に於いて、受光部である半導体チッ
プは、実質右側に受光素子領域(第1の領域)が形成さ
れ、左側にこれを駆動する駆動素子領域(第2の領域)
が形成される。つまり第2の半導体領域は、光の経路と
は成らないため、この領域をリードが導出される領域、
金属細線の領域として活用でき、光の反射等によるノイ
ズが第1の領域に浸入することを防止している。また第
1の領域が右側にずれているので、当然溝27も右側に
ずれ、溝から左側の領域は、ワイヤを延在させる領域と
して確保できる。もし左側や中央に第1の領域があれ
ば、ワイヤは、溝から露出する可能性がある。
In the plan view, a semiconductor chip as a light receiving portion has a light receiving element region (first region) formed substantially on the right side and a driving element region (second region) for driving the light receiving element region on the left side.
Is formed. That is, since the second semiconductor region does not serve as a light path, this region is defined as a region from which leads are led out,
It can be used as an area of a thin metal wire, and prevents noise due to light reflection or the like from entering the first area. Since the first region is shifted to the right, the groove 27 is also shifted to the right, and the region on the left from the groove can be secured as a region for extending the wire. If there is a first region on the left or center, the wire can be exposed from the groove.

【0034】ここで、発光素子と受光素子の2チップ
は、それぞれのアイランドに個々に実装されているが、
一つのアイランドに実装されても良い。また前記2チッ
プ以外に、受動素子や能動素子が実装されても良い。
Here, the two chips of the light emitting element and the light receiving element are individually mounted on each island.
It may be implemented on one island. In addition to the two chips, a passive element or an active element may be mounted.

【0035】以上述べた光半導体装置を、例えばプリン
ト基板、セラミック基板、絶縁性金属基板、TAB等の
樹脂フィルムに実装する場合、図1の左下断面図の如
く、水平に配置されるので、薄型のモジュールや機器が
形成可能である。
When the optical semiconductor device described above is mounted on a resin film such as a printed circuit board, a ceramic substrate, an insulating metal substrate, or a TAB, for example, it is arranged horizontally as shown in the lower left sectional view of FIG. Modules and devices can be formed.

【0036】例えばICカード等に実装すれば、カード
自身の厚みを薄く且つ側辺方向で光信号のやりとりがで
きる。
For example, when mounted on an IC card or the like, the thickness of the card itself can be reduced and optical signals can be exchanged in the lateral direction.

【0037】前述したように、アイランド21は、2点
鎖線で示すように二つで成っているが、一体で構成して
も良い。また樹脂封止体25は、二つの半導体チップを
一体でモールドしているが、個別でも良い。当然、一つ
のアイランドに二つの半導体チップを固着し、各々を個
別にモールドしても良いし、更には、リードフレームを
別にしてディスクリート部品のように個別モールドして
も良い。
As described above, the island 21 is composed of two islands as shown by a two-dot chain line, but may be constituted integrally. Further, the resin sealing body 25 is formed by integrally molding two semiconductor chips, but may be individually formed. Naturally, two semiconductor chips may be fixed to one island and each of them may be individually molded, or may be separately molded like a discrete component separately from the lead frame.

【0038】なお点線で囲んだ最小の矩形は、光の照射
される、または光が射出される部分を示している。
The smallest rectangle surrounded by a dotted line indicates a portion where light is irradiated or light is emitted.

【0039】一方、図2は、溝27の反射面26以外の
面30を垂直にしたものである。この場合図1と比較し
溝から側面までの領域を確保でき、この部分にワイヤー
を延在させることも可能となるし、この近傍まで第2の
領域を拡大配置できる。しかし垂直な面であると金型か
らの離型性が悪化するので、若干左側に傾けた方がよ
い。
On the other hand, in FIG. 2, the surface 30 of the groove 27 other than the reflection surface 26 is made vertical. In this case, a region from the groove to the side surface can be secured as compared with FIG. However, if the surface is vertical, the releasability from the mold deteriorates. Therefore, it is better to incline slightly to the left.

【0040】図3は、実際に形成した光半導体装置の図
面で、中央左が上から見た平面図、中央右が前記平面図
を左側から見た図面、上段は、平面図のA−A線の断面
図でホトIC部分である。また下段は、平面図B−B線
断面図で、発光ダイオードの部分である。また図4は、
リードフレームにホトダイオードとLEDを実装した図
面である。
FIG. 3 is a plan view of the optical semiconductor device actually formed. The center left is a plan view seen from above, the center right is a plan view of the plan view seen from the left, and the upper part is an AA of the plan view. It is a photo IC part in the sectional view of the line. The lower part is a plan view taken along the line BB, and shows a light emitting diode portion. Also, FIG.
It is the drawing which mounted the photodiode and LED on the lead frame.

【0041】先ず図4から説明すれば、ここではアイラ
ンド21の左側辺にのみリード22が延在されている。
またアイランド水平度を維持させるために吊りリードT
Lがアイランド21の角または角部の近傍から延在され
ている。
Referring first to FIG. 4, the leads 22 extend only on the left side of the island 21 here.
In order to maintain the island level, the suspension leads T
L extends from a corner or near the corner of the island 21.

【0042】またリードの先端にはボンディング用の拡
張部30が形成され、ICチップの左側辺と下側辺にボ
ンディシングパッドが形成され、拡張部30とボンディ
ングパッドとの間をワイヤーボンディングで電気的に接
続している。
An extended portion 30 for bonding is formed at the tip of the lead, a bonding pad is formed on the left side and lower side of the IC chip, and the extended portion 30 and the bonding pad are electrically connected by wire bonding. Connected.

【0043】符号31は、光を上方に飛ばすために、図
3下段のようにカップ状になったものにチップは実装さ
れている。このカップは、側面が斜めに形成され、上方
以外に飛んだ光をこの傾斜部分で集光して効率よく上方
へ飛ばしている。例えば携帯用ランプの豆球の周囲に形
成されている反射板(コレクタ)の様なものである。
Reference numeral 31 denotes a chip mounted on a cup-shaped member as shown in the lower part of FIG. 3 for transmitting light upward. This cup is formed with a slanted side surface, and condenses the light that has flown to a position other than the upper portion at the inclined portion to efficiently fly upward. For example, it is a reflector (collector) formed around a bean ball of a portable lamp.

【0044】またこのカップは、吊りリードTL´が設
けられたアイランドに固着されても良い。この場合、カ
ップは個別部品として用意され、アイランドの上に半田
付けされる。ここの吊りリードも、アイランドの水平精
度を維持するために設けられている。
The cup may be fixed to an island provided with the suspension lead TL '. In this case, the cup is prepared as a separate component and soldered onto the island. The suspension leads here are also provided to maintain the horizontal accuracy of the island.

【0045】受光部24には、PINホトダイオードが
形成され、周囲にはこの駆動用のIC回路が作り込まれ
ている。またLEDから延在されている二本のワイヤー
の接続部近傍には、LEDの駆動回路が作り込まれてい
る。また点線で示す矩形は、樹脂封止領域を示す部分で
ある。
A PIN photodiode is formed in the light receiving section 24, and an IC circuit for driving is formed around the PIN photodiode. An LED driving circuit is built in the vicinity of the connection between the two wires extending from the LED. A rectangle indicated by a dotted line is a portion indicating a resin sealing region.

【0046】図3を説明する。中央左を見れば判るよう
に、反射面26が形成された溝が二つ形成され、この溝
の間は、間を遮るように壁体32が形成されている。こ
の溝は、図12に示すように、一方の側辺から他方の側
辺まで連続して形成しても良いが、この構造であると外
力が加わった際、溝の底部を中心に割れが発生するおそ
れがある。そのため、平面的に見たらホトICとLED
を囲むように枠が形成され、前記破壊に対する強度の向
上を図っている。また溝の反射面以外は、モールド後の
離型(光半導体装置の抜き特性)を向上させるためにある
角度を持たせている。当然外形形状もこの離型特性向上
のため、抜き方向と平行にならないように角度を持たせ
ている。
Referring to FIG. As can be seen from the left side of the center, two grooves having the reflection surface 26 are formed, and a wall 32 is formed between the grooves so as to block the gap. This groove may be formed continuously from one side to the other side as shown in FIG. 12, but with this structure, when an external force is applied, cracks are formed around the bottom of the groove. May occur. Therefore, when viewed in plan, the photo IC and LED
Are formed so as to surround the frame, thereby improving the strength against the destruction. Except for the reflection surface of the groove, a certain angle is provided to improve the mold release after molding (pulling characteristics of the optical semiconductor device). Naturally, the outer shape is also angled so as not to be parallel to the drawing direction in order to improve the release characteristics.

【0047】また側面Eには、球面を切ったレンズLが
設けられている。しかしレンズLは、楕円レンズでも良
い。この光半導体装置は、IrDA様に形成されたもの
で、上の受光素子が形成されている所のレンズLは、外
部からの光信号を効率よく、受光素子の光検出領域に光
が当たるように設計されている。また下のLEDは、発
光された光を、別の光半導体装置の検出領域に到達する
ように設計されている。
On the side surface E, a lens L having a spherical surface is provided. However, the lens L may be an elliptical lens. This optical semiconductor device is formed in an IrDA-like manner, and the lens L where the upper light receiving element is formed efficiently receives an external optical signal so that light shines on the light detection area of the light receiving element. Designed for The lower LED is designed so that emitted light reaches a detection area of another optical semiconductor device.

【0048】図5は、反射面の他の形成方法を説明した
もので、実質直方体の樹脂封止体(前述の如く離型性が
考えられ、テーパー面が形成されても良い。)に反射面
26を有する手段(以下プリズム体40と呼ぶ。)を固
着したものである。このプリズム体40と樹脂封止体
は、少なくとも点線で示した光路が所定の光に対して透
過性を有する材料である必要がある。また屈折を考える
と図1の様に、両者が一体の構造が好ましい。しかし個
別部品にして固着しても良い。この場合、固着する接着
剤も含めて屈折率が実質同一のものが好ましい。
FIG. 5 illustrates another method of forming the reflecting surface, and the light is reflected on a substantially rectangular parallelepiped resin sealing body (a tapered surface may be formed in consideration of releasability as described above). A means having a surface 26 (hereinafter, referred to as a prism body 40) is fixed thereto. The prism body 40 and the resin sealing body need to be made of a material having at least an optical path indicated by a dotted line having transparency to predetermined light. Considering refraction, it is preferable that both are integrated as shown in FIG. However, they may be fixed as individual parts. In this case, those having substantially the same refractive index including the adhesive to be fixed are preferable.

【0049】図6は、基板41について述べたものであ
る。前述したよう例えばプリント基板、セラミック基
板、絶縁性金属基板、TAB等の樹脂フィルムに実装で
きると述べた。
FIG. 6 describes the substrate 41. As described above, it can be mounted on a resin film such as a printed board, a ceramic substrate, an insulating metal substrate, or TAB.

【0050】またこれらはいわゆるハイブリッド基板と
して採用するもので、半導体ベアチップ等の能動素子、
受動素子が半田等により固着され、光半導体装置も含め
て所定の機能が実現されている。またプリント基板で
は、モールドしたチップで構成されている場合もある。
These are employed as so-called hybrid substrates, and include active elements such as semiconductor bare chips,
The passive element is fixed by solder or the like, and a predetermined function including the optical semiconductor device is realized. Further, the printed circuit board may be constituted by a molded chip.

【0051】例えば金属基板等は、枠部材が基板の周囲
に形成され、この中にエポキシ樹脂等が充填されている
のが一般的であるが、点線から右側の領域は、少なくと
も所定の光に対して透過である材料が好ましい。またこ
の場合、光の光路に該当する部分は、光に対して透過な
材料で構成する必要がある。またフルモールドで形成す
る場合は、全てが光に対して透過な材料で構成する必要
がある。
For example, a metal substrate or the like generally has a frame member formed around the substrate and filled with an epoxy resin or the like. The area on the right side of the dotted line is at least a predetermined light. Materials that are permeable to them are preferred. In this case, the portion corresponding to the optical path of light needs to be made of a material that transmits light. Further, in the case of forming by a full mold, it is necessary that all are formed of a material that transmits light.

【0052】セラミック基板は、図2と同様にフルモー
ルドで封止されている場合が多く、この場合、全てが所
定の光に対して透過な材料が好ましい。更にプリント基
板等は、一般的モールドされたチップを使用するため、
点線から右側だけ封止しても良い。しかし、単に図1の
光半導体装置を図12のように実装した方が合理的であ
る。
In many cases, the ceramic substrate is sealed with a full mold as in FIG. 2, and in this case, it is preferable that all of the material be transparent to predetermined light. In addition, for printed circuit boards, etc., to use general molded chips,
Only the right side from the dotted line may be sealed. However, it is more reasonable to simply mount the optical semiconductor device of FIG. 1 as shown in FIG.

【0053】図7、図8は、セラミックパッケージ、金
属で構成されるカンタイプに応用したものであり、図番
43がセラミックパッケージ、44が金属より成るカン
であり、両者ともに光に対して非透過の材料であり、中
が中空構造である。従ってこの場合、蓋となる部分に反
射面を有する光に対して透過なプリズム体45、46が
設けられ、点線のように光は90度曲げられ、水平方向
に射出または入射される。ここの図は、封止体の説明に
用いたため、具体的なリード、電極、金属細線等は省略
した。
FIGS. 7 and 8 show a case where the present invention is applied to a can type made of a ceramic package and a metal. FIG. 43 shows a ceramic package and a can 44 made of a metal. It is a permeable material and the inside has a hollow structure. Therefore, in this case, prisms 45 and 46 that transmit light having a reflection surface are provided in a portion serving as a lid, and the light is bent 90 degrees as indicated by a dotted line, and is emitted or incident in the horizontal direction. Since the drawings are used for describing the sealing body, specific leads, electrodes, fine metal wires, and the like are omitted.

【0054】図4では、リードフレームについて説明し
たが、このリードフレーム以外にも半導体分野で使用さ
れているリードフレームは全て使用可能である。しかし
モールド時の樹脂圧によるアイランドの安定性を考えた
なら、吊りリードが相対向する側辺にあった方がよい。
またアイランドの四つの角部から延在されているいわゆ
る4方向吊りリードも、アイランドの安定性を向上さ
せ、製品の光の方向性を一定にさせるための重要な構造
である。
In FIG. 4, the lead frame has been described. However, other than this lead frame, all lead frames used in the semiconductor field can be used. However, considering the stability of the island due to the resin pressure at the time of molding, it is preferable that the suspension leads are on the opposite sides.
The so-called four-way suspension leads extending from the four corners of the island are also important structures for improving the stability of the island and keeping the light directivity of the product constant.

【0055】また封止構造も、いろいろ適用できる。例
えばエレクトロニクス(1997年10月号、74頁〜)
に述べているように、パッケージのリードを基板のスル
ーホールに挿入するタイプ、つまりリード挿入型として
は、インライン型ののSIP、HSIP、ZIP、デュ
アルライン型のDIP、HDIP、SDIP、WDI
P、PGA(ピングリッドアレイ)、また基板の表面に半
田クリーム等を用いて直接半田付けする表面実装型とし
ては、SVP、SOP、SSOP、TSOP、HSO
P、QFP、TQFP、HQFP、QFN、SOJ、Q
FJ、BGA、LGA、DTP、QTP等が考えられ
る。
Also, various sealing structures can be applied. For example, Electronics (October 1997, p. 74-)
As described in the above, the type in which the lead of the package is inserted into the through hole of the substrate, that is, the lead insertion type is inline type SIP, HSIP, ZIP, dual line type DIP, HDIP, SDIP, WDI.
P, PGA (pin grid array), and surface mount types that are directly soldered to the surface of the substrate using solder cream, etc. are SVP, SOP, SSOP, TSOP, HSO
P, QFP, TQFP, HQFP, QFN, SOJ, Q
FJ, BGA, LGA, DTP, QTP and the like can be considered.

【0056】もちろんフェイスアップ、フェイスダウン
が採用できるし、最近特に話題を呼んでいるCSP、B
GAでも可能である。
Of course, face-up and face-down can be adopted, and CSP, B
GA is also possible.

【0057】図9、図10、図11は、ICカードにつ
いて説明したものである。これは金属ケース47の中に
回路素子が半田付けされたプリント基板48が入ったも
ので、このケース47からの光の出入り口は、口が開い
ているか、または透過な材料、例えばガラスやプラスチ
ックが設けられている。光半導体装置50は、ここで
は、基板と一緒にモールドしたものが示されているが、
図1のような部品を実装したものでも良い。図10は、
ICカードの概略平面図を示したもので、右側より、光
が発光されて外部に発射され、また外部からの光を取り
入れ、光ICで光信号を電気信号に変えている。この変
換された信号は、例えばフラッシュメモリ、FRAM等
のメモリに記憶される。
FIGS. 9, 10 and 11 illustrate an IC card. This is a case in which a printed circuit board 48 to which circuit elements are soldered is placed in a metal case 47, and the entrance of light from the case 47 is open or a transparent material such as glass or plastic. Is provided. Although the optical semiconductor device 50 is shown here molded together with the substrate,
A component as shown in FIG. 1 may be mounted. FIG.
FIG. 1 is a schematic plan view of an IC card, in which light is emitted from the right side and emitted to the outside, and light from outside is taken in, and an optical signal is converted into an electric signal by an optical IC. The converted signal is stored in a memory such as a flash memory and an FRAM.

【0058】図11は、ICカードの使用方法を説明し
たもので、パーソナルコンピュータ48とICカード4
9のIrDAを実現させたものである。ICカードの電
源としては、ICカード内に電池を内蔵させたもの、コ
イルを用いて電磁誘導したもの等が考えられる。また光
は、データー量が多くスピードも早いため、高速の光通
信が可能となる。更には、電気信号のやりとりと違い、
信号のための電気的接続は不要となるため、電気的接続
不良による信頼性低下が全くなくなる。
FIG. 11 illustrates a method of using an IC card.
9 realizes IrDA. As a power source of the IC card, a power source in which a battery is built in the IC card, a power source in which electromagnetic induction is performed using a coil, and the like can be considered. In addition, light has a large amount of data and a high speed, so that high-speed optical communication is possible. Furthermore, unlike the exchange of electrical signals,
Since electrical connection for signals is not required, there is no reduction in reliability due to poor electrical connection.

【0059】図12は、サーキットボード50、51に
本光半導体装置52、53を実装したもので、ボード間
の信号のやりとりを実現した構造を示している。また図
1の反射面をハーフミラーとして光信号を上方にも透過
させたものである。ボード54にも光半導体装置55が
実装され、ボード裏面の光半導体装置56と上下方向で
光通信を実現している。従って、水平、上下に配置され
たサーキットボードの信号のやりとりに必要な電気的配
線は、不要となる。
FIG. 12 shows a structure in which the present optical semiconductor devices 52, 53 are mounted on circuit boards 50, 51, and a signal exchange between the boards is realized. The optical signal is also transmitted upward using the reflection surface of FIG. 1 as a half mirror. The optical semiconductor device 55 is also mounted on the board 54, and realizes optical communication with the optical semiconductor device 56 on the back surface of the board in the vertical direction. Therefore, electrical wirings necessary for exchanging signals between circuit boards arranged horizontally and vertically are not required.

【0060】図13は、図15の光学媒体の読みとりを
再現したものである。レーザ60から出た光は、本光半
導体装置61のハーフミラーの反射面を介して一端記録
媒体62に飛び、この光が反射してハーフミラーの反射
面を介して光半導体装置の光ICに入り、記録媒体の
1、0の状況を判断する。
FIG. 13 is a reproduction of the reading of the optical medium of FIG. The light emitted from the laser 60 jumps once to the recording medium 62 via the reflection surface of the half mirror of the optical semiconductor device 61, and this light is reflected to the optical IC of the optical semiconductor device via the reflection surface of the half mirror. Then, the status of the recording medium 1 or 0 is determined.

【0061】図14は、光半導体装置63は、封止体に
レーザ64も一体封止されたものであり、発光面、受光
面および媒体は、直線上に配置されたものである。ま
た、図1の左上の様にレーザと受光素子が取り付けら
れ、紙面に対して上方に媒体が取り付けられたトライア
ングル構造では、反射面の角度の調整が必要となる。
FIG. 14 shows an optical semiconductor device 63 in which a laser 64 is integrally sealed in a sealing body, and a light emitting surface, a light receiving surface and a medium are arranged on a straight line. Further, in a triangle structure in which a laser and a light receiving element are attached as shown in the upper left of FIG.

【0062】[0062]

【発明の効果】本発明によれば、 第1に、受光面を有
する半導体チップと、前記半導体チップを封止する封止
体と、前記受光面の垂線と所定の角度で交差して前記封
止体に設けられる反射面とを有し、光の光路は、前記封
止体の側面より入射し、前記反射面を介して曲折され、
前記受光面に入射する事で、また、発光面を有する半導
体チップと、前記前記半導体チップを封止する封止体
と、前記発光面と所定の角度で交差して前記封止体に設
けられる反射面とを有し、前記光の光路は、前記反射面
を介して前記封止体の側面から射出される事で、封止体
に反射面を有する手段を別体または一体で設けること
で、この光半導体装置を水平に置いたまま、入射光また
は射出光を水平にすることが出来るため、この光の光路
の位置精度が向上し、しかも対向位置にこれらの光半導
体装置を置けば、光通信が水平方向で可能となる。
According to the present invention, first, a semiconductor chip having a light receiving surface, a sealing body for sealing the semiconductor chip, and the sealing member intersecting a perpendicular to the light receiving surface at a predetermined angle. Having a reflection surface provided on the stationary body, the optical path of light is incident from the side surface of the sealing body, is bent through the reflection surface,
By being incident on the light receiving surface, a semiconductor chip having a light emitting surface, a sealing body for sealing the semiconductor chip, and the light emitting surface intersecting at a predetermined angle are provided on the sealing body. A reflecting surface, and the optical path of the light is emitted from a side surface of the sealing body through the reflecting surface, so that a means having a reflecting surface in the sealing body is provided separately or integrally. Since the incident light or the outgoing light can be made horizontal while the optical semiconductor device is placed horizontally, the positional accuracy of the optical path of this light is improved, and if these optical semiconductor devices are placed at the opposing positions, Optical communication becomes possible in the horizontal direction.

【0063】しかも、いわゆる4方向吊りリードでアイ
ランドを支えるため、樹脂を注入する際に、アイラン
ド、この上に実装される半導体チップの位置精度を向上
させることができ、光の光路の精度を高めることができ
る。
Moreover, since the island is supported by the so-called four-direction hanging leads, when the resin is injected, the position accuracy of the island and the semiconductor chip mounted thereon can be improved, and the accuracy of the optical path of light can be improved. be able to.

【0064】第3、第4共に、半導体チップを実装する
基板を、リードフレームの一構成要素であるアイランド
より成し、前記アイランドの相対向する側辺に吊りリー
ドを延在させることで、樹脂を注入する際に、アイラン
ド、この上に実装される半導体チップの位置精度を向上
させることができ、光の光路の精度を高めることができ
る。
In both the third and fourth embodiments, the substrate on which the semiconductor chip is mounted is made up of islands, which are one component of a lead frame, and the suspension leads are extended to opposing sides of the islands, so that the resin Injecting the island, the position accuracy of the island and the semiconductor chip mounted thereon can be improved, and the accuracy of the optical path of light can be improved.

【0065】第5に、レンズの端部に前記吊りリードを
延在させることで、光の乱反射を防止することができ
る。
Fifth, by extending the suspension lead at the end of the lens, irregular reflection of light can be prevented.

【0066】第6に、アイランドから外部へ導出される
リードを、前記光が入射される(または射出される)側
面との対向面から導出することで、前述同様に光の乱反
射を防止し、誤動作を抑制することが出来る。
Sixth, the leads led out from the islands are led out from the surface opposite to the side surface on which the light is incident (or emitted), thereby preventing diffused reflection of the light as described above. Malfunction can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。
FIG. 1 is an explanatory diagram of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図2】図1の溝の説明をする図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a groove in FIG. 1;

【図3】本発明の実施の形態である光半導体装置の説明
図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention.

【図4】図3に用いたリードフレームを説明する図であ
る。
FIG. 4 is a diagram illustrating a lead frame used in FIG. 3;

【図5】反射面を構成する手段を説明したものである。FIG. 5 is a view for explaining means for forming a reflection surface.

【図6】ハイブリッド基板に応用した際の図である。FIG. 6 is a diagram when applied to a hybrid substrate.

【図7】セラミックパッケージに応用した際の図面であ
る。
FIG. 7 is a drawing when applied to a ceramic package.

【図8】カンタイプのパッケージに応用した際の図面で
ある。
FIG. 8 is a drawing when applied to a can type package.

【図9】ICカードに応用したときの図である。FIG. 9 is a diagram when applied to an IC card.

【図10】図9の概略平面図を説明したものである。FIG. 10 is a schematic plan view of FIG. 9;

【図11】ICカードとコンピュータの関係を説明した
図である。
FIG. 11 is a diagram illustrating a relationship between an IC card and a computer.

【図12】三次元に配置したサーキットボードに本光半
導体装置を実装した図である。
FIG. 12 is a diagram in which the present optical semiconductor device is mounted on a circuit board arranged three-dimensionally.

【図13】本発明の光半導体装置を光ピックアップに応
用した図である。
FIG. 13 is a diagram in which the optical semiconductor device of the present invention is applied to an optical pickup.

【図14】本発明の光半導体装置を光ピックアップに応
用した図である。
FIG. 14 is a diagram in which the optical semiconductor device of the present invention is applied to an optical pickup.

【図15】従来の光半導体装置と光学機器を組んだ概略
図である。
FIG. 15 is a schematic view showing a combination of a conventional optical semiconductor device and an optical device.

【図16】従来の光半導体装置の概略図である。FIG. 16 is a schematic view of a conventional optical semiconductor device.

【図17】従来の光半導体装置をサーキットボードに取
り付けた図である。
FIG. 17 is a diagram in which a conventional optical semiconductor device is mounted on a circuit board.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井野口 浩 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 石川 勉 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 新井 政至 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 小堀 浩 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 瀬山 浩樹 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 Fターム(参考) 5F041 AA37 DA03 DA07 DA17 DA22 DA25 DA26 DA43 DA55 DA57 DA83 EE17 5F088 AA03 BA20 JA06 JA10  ──────────────────────────────────────────────────の Continuing on the front page (72) Inventor Hiroshi Inoguchi 2-5-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Tsutomu Ishikawa 2-5-2 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka No. 5 Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Masatoshi Arai 2-5-2-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka Prefecture Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Kobori, Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka 2-5-5 Sanyo Electric Co., Ltd. (72) Inventor Hiroki Seyama 2-5-5 Keihanhondori, Moriguchi-shi, Osaka F-term in Sanyo Electric Co., Ltd. 5F041 AA37 DA03 DA07 DA17 DA17 DA22 DA25 DA26 DA43 DA55 DA57 DA83 EE17 5F088 AA03 BA20 JA06 JA10

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 受光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記受光面の垂線と所
定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを
有し、 前記半導体チップを実装する基板は、リードフレームの
一構成要素であるアイランドより成り、このアイランド
の角部またはその近傍からアイランドの吊りリードが延
在されている事を特徴とした光半導体装置。
1. A semiconductor chip having a light receiving surface, a sealing body for sealing the semiconductor chip, and a reflecting surface provided on the sealing body at a predetermined angle with a perpendicular to the light receiving surface. An optical semiconductor device characterized in that the substrate on which the semiconductor chip is mounted is composed of an island, which is a component of a lead frame, and that a suspension lead of the island extends from a corner of the island or in the vicinity thereof. .
【請求項2】 発光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記発光面と所定の角
度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを有し、 前記半導体チップを実装する基板は、リードフレームの
一構成要素であるアイランドより成り、このアイランド
の角部またはその近傍からアイランドの吊りリードが延
在されている事を特徴とした光半導体装置。
2. A semiconductor chip having a light emitting surface, a sealing body for sealing the semiconductor chip, and a reflecting surface provided on the sealing body at a predetermined angle with the light emitting surface. An optical semiconductor device, wherein the substrate on which the semiconductor chip is mounted is composed of an island, which is a component of a lead frame, and a suspension lead of the island extends from a corner of the island or in the vicinity thereof.
【請求項3】 受光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記受光面の垂線と所
定の角度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを
有し、 前記半導体チップを実装する基板は、リードフレームの
一構成要素であるアイランドより成り、前記アイランド
の相対向する側辺に吊りリードが延在されている事を特
徴とした光半導体装置。
3. A semiconductor chip having a light receiving surface, a sealing member for sealing the semiconductor chip, and a reflecting surface provided on the sealing member so as to intersect a perpendicular to the light receiving surface at a predetermined angle. An optical semiconductor device, wherein the substrate on which the semiconductor chip is mounted is composed of an island, which is a component of a lead frame, and suspension leads are extended to opposing sides of the island.
【請求項4】 発光面を有する半導体チップと、前記半
導体チップを封止する封止体と、前記発光面と所定の角
度で交差して前記封止体に設けられる反射面とを有し、 前記半導体チップを実装する基板は、リードフレームの
一構成要素であるアイランドより成り、前記アイランド
の相対向する側辺に吊りリードが延在されている事を特
徴とした光半導体装置。
4. A semiconductor chip having a light emitting surface, a sealing body for sealing the semiconductor chip, and a reflecting surface provided on the sealing body at a predetermined angle with the light emitting surface. An optical semiconductor device, wherein a substrate on which the semiconductor chip is mounted is composed of an island, which is a component of a lead frame, and suspension leads are extended to opposing sides of the island.
【請求項5】 前記光半導体装置の光が入射および/ま
たは発射する前記封止体の側面にレンズが設けられ、こ
のレンズの端部に前記吊りリードが延在される請求項
1、2、3または4記載の光半導体装置。
5. The lens according to claim 1, wherein a lens is provided on a side surface of the sealing body on which light of the optical semiconductor device enters and / or emits, and the suspension lead extends to an end of the lens. 5. The optical semiconductor device according to 3 or 4.
【請求項6】 前記アイランドから外部へ導出されるリ
ードは、前記光が入射される(または射出される)側面
との対向面から導出される請求項1、2、3、4または
5記載の光半導体装置。
6. The lead according to claim 1, wherein the lead led out from the island is led out from a surface facing a side on which the light is incident (or emitted). Optical semiconductor device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008502133A (en) * 2004-06-03 2008-01-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ Circuit with light emitting diode
JP2018074067A (en) * 2016-11-01 2018-05-10 旭化成エレクトロニクス株式会社 Semiconductor device

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