JP2000123391A - 光導波路ユニット、およびこれを用いた光学ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来の構成では、光ピックアップを構成した
ときに光導波路素子が斜めに立て掛けられた配置となっ
ていたため、光導波路素子の３次元的位置調整や電気的
配線の工程を複雑になっていたので、これらを解決す
る。 【解決手段】 光導波路ユニット１は、パッケージ２内
に、半導体レーザ等の光源６、光被照射物からの反射光
を光導波路を介して光検出素子で検出する光導波路素子
５、およびこの光導波路素子５の前記光導波路に反射光
を結合する光反射手段１０が実装配置されており、光導
波路素子５は、光導波路が形成された基板表面１５aが
反射光の光軸に対して垂直になるように配置されてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光情報記録再生装
置の光ピックアップや光集積回路、光センサ等に応用さ
れる集積型光導波路素子を実装した光導波路ユニット、
およびこれを用いた光学ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】光ピックアップで光磁気ディスクからの
信号を検出するとき、一般に半導体レーザからの光を光
磁気ディスクで反射させ、その反射光をサーボエラー信
号検出用の光と、光磁気信号検出用の光とに分離して、
それぞれの目的に使用する。このとき、光を分離するた
めにビームスプリッタが利用される。

【０００３】図８は、そのような構成を備えた光磁気デ
ィスク装置用の光ピックアップの一例を示す平面図で、
たとえば、特開平８−１７１７４７号公報に開示されて
いる。

【０００４】図８において、パッケージ２内に設けられ
た半導体レーザ６から出射されたレーザ光は、グレーテ
ィング２５によってメインビームとトラッキングビーム
とに分けられ、ホログラム２７を透過して、ビームスプ
リッタ２６に入射される。ビームスプリッタ２６は、平
板ガラス４３とプリズム４４とを張り合わせてなり、入
射光は、平板ガラス４３とプリズム４４との境界面にあ
るミラー面Ｍ１で反射され、コリメートレンズ２２を透
過した後、立ち上げミラー２３で図面に対して垂直に上
方に反射されて、対物レンズ２４により図示しない光磁
気ディスク上に集光される。

【０００５】光磁気ディスクで反射された光は、再び対
物レンズ２４、立ち上げミラー２３およびコリメートレ
ンズ２２を通ってビームスプリッタ２６に入射し、平板
ガラス４３の上下の各界面のミラー面Ｍ１，Ｍ２でそれ
ぞれ反射される。一方のミラー面Ｍ１で反射される光
は、サーボエラー信号検出光Ｌ１としてホログラム２７
に入射し、ここで回折されてフォトダイオード７(図１
１参照)に導かれて、サーボエラー信号として検出され
る。

【０００６】また、他方のミラー面Ｍ２で反射された光
は、光磁気信号検出光Ｌ２としてホログラム２７の右側
方を透過してパッケージ２内に導かれてプリズム１０に
入射される。

【０００７】なお、４はパッケージ２を外部に電気的に
取り出すためのリードピンである。

【０００８】図９および図１０はパッケージ２内におい
てプリズム１０と光導波路素子５を含む部分をそれぞれ
示しており、図９は断面図、図１０は平面図である。

【０００９】光導波路素子５は、ビームスプリッタ２６
で分岐された光磁気信号検出光Ｌ２の偏光面の回転を検
出するもので、シリコン基板１５上に光導波路１７、偏
光分離素子１１、および光検出素子１２が一体的に形成
されている。

【００１０】偏光分離素子１１としては、たとえば、各
偏光の屈折角の差を利用するモードスプリッタが用いら
れる(たとえば、特開平６−８２６４４号公報参照)。ま
た、光検出素子１２はフォトダイオードとして作用す
る。

【００１１】光導波路素子５の上には、台形のプリズム
１０が配置され、さらにこのプリズム１０の上にマイク
ロレンズ４７が設けられている。

【００１２】上記のようにしてパッケージ２内に導かれ
た光磁気信号検出光Ｌ２は、マイクロレンズ４７で平行
光に変換された後、プリズム１０に導かれて所定の角度
で反射されて光導波路１７に結合される。

【００１３】この光導波路１７に導かれた光は、偏光分
離素子１１によりＴＥ光とＴＭ光に分離され、光検出素
子１２で光磁気信号が検出される。

【００１４】図１１は、図８に示される光導波路素子
５、半導体レーザ６およびサーボエラー信号検出用のフ
ォトダイオード７を光の入出射方向(Ｚ軸方向)から見た
正面図である。

【００１５】半導体レーザ６から図中Ｚ軸方向に出射さ
れるレーザ光の偏光方向は、ここではＸ軸に平行に設定
してある。一方、光磁気信号検出光Ｌ２は、カー効果に
よって偏光面が１〜２°回転している。しかし、その回
転角は微小であるため、光磁気信号検出光Ｌ２に対して
は、光磁気ディスクに集光される光の偏光方向に対して
±４５°の方向となる偏光成分を検出し、その差動信号
を検出するのが望ましい。そこで、図に示すように、光
導波路素子５の光導波路１７をＹ軸に対して４５°傾け
て配置すると、光導波路１７内のＴＥモードとＴＭモー
ドは半導体レーザ６からの出射光の偏光方向に対して±
４５°の方向の偏光成分に対応するようになり、Ｓ／Ｎ
の高い再生信号が得られる。

【００１６】ところが、上記のような構成の光ピックア
ップでは、ビームスプリッタ２６がコリメートレンズ２
２とホログラム２７との間に配置された構成であるた
め、光源である半導体レーザ６とビームスプリッタ２６
間の距離が長くなり、その結果、ビームスプリッタ２６
内で光の通過する範囲(必要有効径)が大きくなってい
た。

【００１７】これに伴い、光磁気信号検出光Ｌ２の収束
点がグレーティング２５が形成された部材の下面に近付
いた位置になり、光磁気信号検出光Ｌ２を直接に光導波
路１７上に結合させることができなかった。

【００１８】その対策として、上記のようにマイクロレ
ンズ４７を設けることで、発散光となった光磁気信号検
出光Ｌ２を平行光に変換してから光導波路１７上に結合
させていた。

【００１９】ここで、マイクロレンズ４７の焦点距離は
１mm程度であり、このように焦点距離の短いレンズをプ
リズム１０上に作製するのは容易ではなかった。

【００２０】また、この構成の光ピックアップでは、半
導体レーザ６、フォトダイオード７、光導波路素子５が
Ｌ字状に平面配置されており(図１１参照)、光ピックア
ップを構成したときの厚さになるＸ軸方向の長さが、フ
ォトダイオード７の配置の分だけ大きくなっている。こ
のことが光ピックアップの薄型化の障害となっていた。

【００２１】そこで、これらの不都合を改善するため、
本出願人は、図１２〜図１４に示すような構成の光ピッ
クアップを提案した(たとえば、特願平９−０４０５１
７号参照)。

【００２２】図１２は光ピックアップの平面図であり、
図８に示した構成と対応する部分には同一の符号を付し
ている。

【００２３】この光ピックアップでは、グレーティング
２５によって半導体レーザ６からの光束を１つのメイン
ビームと２つのトラッキングビームとからなる３つの光
束に分割するようになっている。また、ホログラム２７
は、図外の光磁気ディスクからの反射光の一部を回折さ
せるものである。

【００２４】また、光磁気ディスクで反射された光が再
度グレーティング２５を通過すると、トラッキング用ビ
ームとメインビームが重なり合い、正しく情報が再生で
きなくなるので、ビームスプリッタ２６は、ホログラム
２７とグレーティング２５の間に配置されている。これ
により、ビームスプリッタ２６は、図８の構成の場合と
異なり、ホログラム２７よりも半導体レーザ６側により
近接している。

【００２５】そして、このビームスプリッタ２６は、ホ
ログラム２７で回折されなかった光磁気ディスクからの
反射光の一部を反射する第１の反射面２６aと、この第
１の反射面２６aと平行に配置されて第１反射面２６aか
らの反射光を再度反射させる第２の反射面２６bとが形
成されている。

【００２６】なお、２２はコリメートレンズ、２３は立
ち上げミラー、２４は対物レンズであり、これらの構成
は図８に示した場合と同様である。

【００２７】上記のビームスプリッタ２６は、パッケー
ジ２８に取り付けられている。このパッケージ２８は、
ベース１３、キャップ３、およびカバーガラス４６を有
し、このパッケージ２内に半導体レーザ６、光導波路素
子５、およびフォトダイオード７が設けられている。

【００２８】半導体レーザ６とフォトダイオード７と
は、ベース１３に直接配置され、また、光導波路素子５
は、くさび状のブロック６２を介してベース１３上に配
置されている。さらに、光導波路素子５の上には台形の
プリズム１０が配置されている。

【００２９】図１３に示すように、光磁気ディスクから
の反射光がプリズム１０の斜面に対して垂直に入射する
とともに、導波路素子５に対して所定の入射角が得られ
るように、ブロック６２の形状が設計されている。つま
り、プリズム１０の斜面の角度とブロック６２の斜面の
角度は互いに対応していて、プリズム１０の斜面は、ベ
ース１３の平面と平行(入射光の光軸に対しては垂直)に
なっている。

【００３０】上記構成において、半導体レーザ６から放
射された光は、グレーティング２５によって２つのトラ
ッキングビームと１つのメインビームの３つの光束に分
割され、コリメートレンズ２２、立ち上げミラー２３、
対物レンズ２４により図示しない光磁気ディスク上に各
トラッキングビームスポットとメインビームスポットと
を形成する。

【００３１】光磁気ディスクで反射された光は、再び対
物レンズ２４、立ち上げミラー２３、コリメートレンズ
２２を通過し、ホログラム２７によってその一部が回折
され、その回折された光はビームスプリッタ２６の第１
の反射面２６aを透過した後、グレーティング２５の右
側を通過してフォトダイオード７でサーボエラー信号検
出光Ｌ１として検出される。

【００３２】一方、ホログラム２７で回折されなかった
光束は、ビームスプリッタ２６の第１の反射面２６aお
よび第２の反射面２６bを介してグレーティング２５の
左側を透過した後、プリズム１０の斜面に対して垂直に
入射する。

【００３３】プリズム１０に入射した光は、導波路素子
５に対して所定の入射角で結合される。光導波路素子５
の光導波路１７に入射した光は、図７に示した構成のも
のと同様に、素子内に形成された偏光分離素子１１によ
りＴＥ光とＴＭ光に分離された後、光検出素子１２で光
磁気信号検出光Ｌ２として検出される。

【００３４】図１４は、図１２および図１３に示される
光導波路素子５、半導体レーザ６およびフォトダイオー
ド７を光の入出射方向(Ｚ軸方向)から見た正面図であ
る。

【００３５】半導体レーザ６から図中Ｚ軸方向に出射さ
れるレーザ光の偏光方向は、ここではＹ軸に平行に設定
してある。

【００３６】この場合も、図８ないし図１１に示した構
成のものと同様に、光導波路素子５の光導波路１７をＹ
軸に対して４５°傾けて配置すると、光導波路１７のＴ
Ｅ光およびＴＭ光は半導体レーザ６から出射される光の
偏光方向に対して±４５°の方向の偏光成分に対応する
ようになり、Ｓ／Ｎ比の高い再生信号が得られる。

【００３７】このように、図１２ないし図１４に示した
構成にすれば、図８ないし図１１に示した構成のものに
比べて、ビームスプリッタ２６が半導体レーザ６側に一
層近付いた位置にあるため、ビームスプリッタ２６内で
光の通過する範囲(必要有効径)を小さくでき、結果とし
て光磁気ディスクからの反射光を図９に示したようなマ
イクロレンズ４７を介さずに直接に光導波路素子５に結
合させることができ、光ピックアップ全体を小型化する
ことができる。

【００３８】しかも、半導体レーザ６、光導波路素子
５、フォトダイオード７がＹ軸に沿って直線状に配置さ
れているため(図１４参照)、光ピックアップを構成した
ときの厚さになるＸ軸方向の長さを短くでき、薄型化を
図ることができるなどの利点を有する。

【００３９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１２
ないし図１４に示す構成のものでは、前述のように、光
導波路素子５をブロック６２上に斜めに立て掛けた配置
とするため、光導波路素子５の３次元的位置調整が難し
かった。

【００４０】また、光導波路素子５の光検出素子１２か
らの検出出力を取り出すためには、電気的配線を行う必
要があるが、上記のように、光導波路素子５はブロック
６２上に斜めに立て掛けられているために、ワイヤボン
ディングなどの工程が複雑になるなどの課題を残してい
た。

【００４１】本発明は、薄型で安価で、しかも、光導波
路素子の３次元的配置や電気的配線の接続などを容易に
行える光導波路ユニットおよびこれを用いた光学ヘッド
を提供することを目的とする。

【００４２】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、請求請１記載の発明にかかる光導波路ユニットで
は、パッケージ内に、半導体レーザ等の光源、光被照射
物からの反射光を光導波路を介して光検出素子で検出す
る光導波路素子、およびこの光導波路素子の前記光導波
路に反射光を結合する光反射手段が実装配置されてお
り、前記光導波路素子は、前記光導波路が形成された基
板表面が前記反射光の光軸に対して垂直になるように配
置されていることを特徴としている。

【００４３】これにより、光源、光導波路素子等を含む
パッケージを最も低い高さで実装することができ、パッ
ケージの側面部から光の出入射を行える。また、光導波
路素子は斜めに立て掛けることなく、平面的に配置でき
るため、光導波路素子の取り付けや光学的調整が容易と
なる。

【００４４】また、請求項２記載の発明にかかる光導波
路ユニットでは、請求項１記載の構成において、前記パ
ッケージ内には、配線中継用の配線パターンが形成され
たブロックが配置されていることを特徴としている。

【００４５】これにより、各素子のボンディング部分と
ブロックに形成された配線パターンとの段差が少なくな
り、また、光導波路素子も平板的に配置されているた
め、パッケージ内での配線が容易となる。

【００４６】さらに、請求項３記載の発明にかかる光学
ヘッドでは、請求項１または請求項２記載の光導波路ユ
ニットを搭載したことを特徴としている。

【００４７】これにより、光学ヘッドが薄型となる。

【００４８】

【発明の実施の形態】図１は本発明の実施形態にかかる
光導波路ユニットを備えた光学ヘッドを示す平面図であ
り、図８ないし図１４に示した従来技術に対応する部分
には同一の符号を付す。

【００４９】図１において、符号１は光導波路ユニッ
ト、２２はコリメートレンズ、２３は立ち上げミラー、
２４は対物レンズである。また、２５はグレーティン
グ、２６はビームスプリッタ、２６aは第１反射面、２
６bは第２反射面、２７はホログラムであり、これらの
構成、および作用は図１２に示した従来技術の場合と同
様であるからここでは詳しい説明は省略する。

【００５０】本発明の特徴は、光導波路ユニット１の構
成にある。したがって、以下では、光導波路ユニット１
についてさらに詳しく説明する。

【００５１】図２は図１の光学ヘッドを構成する光導波
路ユニットのみを取り出して示す斜視図、図３は図２の
光導波路ユニットを光の入出射方向から見た正面図であ
り、図８ないし図１４に示した従来技術に対応する部分
には同一の符号を付す。

【００５２】この光導波路ユニット１は、パッケージ２
を有する。このパッケージ２は、リードフレーム型プリ
モールドタイプであり、平板状のベース１３の上に一辺
が開口された方形のフレーム２０が固定され、このフレ
ーム２０にリードピン４を整列した状態で埋め込んで一
体に樹脂成型され、さらに、このフレーム２０にキャッ
プ３が取り付けられている。

【００５３】上記のベース１３は、そのほぼ中央に中央
ブロック１４が突出形成されており、この中央ブロック
１４は、半導体レーザ６の放熱の役目も兼用できるよう
に熱伝導性のよい金属で製作されている。

【００５４】キャップ３は、アクリルなどの透明材料で
形成されており、フレーム２０の開口側に位置する側面
部３aと、これに直交配置された上面部３bとで断面Ｌ字
形になっていて、熱硬化性あるいは光硬化性などの接着
剤を用いてフレーム２０に接着固定されている。上記の
側面部３aは、グレーティング２５が形成されていて、
入出射する光が透過できるように透明になっている。な
お、必要に応じて側面部３aの内側や外側に反射防止コ
ートを施すことにより光の透過率を向上することができ
る。また、上面部３bは、必ずしも透明にする必要はな
く、むしろ外部からの光を遮断するために不透明にする
のが望ましい。さらに、光導波路ユニット１を単体で使
用する場合には、気密シールのため側面部３aが必要で
あるが、フレーム２０の開口側に光学部品を直接に接着
して使用する場合は側面部３aは省略することもでき
る。

【００５５】上記のリードピン４は、そのフレーム２０
内方側の端部が電気的接続のためのワイヤのボンディン
グ部４aとされ、フレーム２０よりも外方に突出した端
部４bは、光導波路ユニット１が配置される図外の回路
基板と電気的に接続するために、ベース１３の底面と同
じ高となるように折り曲げられている。

【００５６】パッケージ２の内部には、半導体レーザ
６、光磁気信号検出光Ｌ２を受光する光導波路素子５、
サーボエラー信号検出光Ｌ１を受光するフォトダイオー
ド７、半導体レーザ６の出力モニタ用のフォトダイオー
ド８、および配線中継用の複数(本例では３つ)のブロッ
ク９a，９b，９cがそれぞれ配置されている。

【００５７】各ブロック９a，９b，９cは、樹脂あるい
はセラミック基材でできており、その所定の表面に配線
パターン２９が形成されている。そして、各配線パター
ン２９のボンディング面は、ワイヤをボンディングする
際の作業性を考慮して、リードピン４のボンディング部
４aとほぼ同じ高さになるように設定されている。これ
より、ワイヤボンディングする際に、ワイヤがブロック
９a，９b，９cやパッケージの縁できれたりすることが
防止できる。

【００５８】そして、中央ブロック１４の両側に左右の
ブロック９a，９cが、また、中央ブロック１４の上面に
中央のブロック９bが配置されており、右側のブロック
９aの前面に光導波路素子５が固定されている。また、
中央ブロック１４の前面には半導体レーザ６の出力モニ
タ用のフォトダイオード８が配置され、さらに、その中
央ブロック１４の前方に位置する箇所に半導体レーザ６
が配置されている。この場合の半導体レーザ６からの出
射光の偏光方向はＹ軸に平行となる。左側のブロック９
cの前面にはトラッキングサーボ検出用のフォトダイオ
ード７が取り付けられている。

【００５９】このように、この実施形態の光導波路ユニ
ット１は、パッケージ２の厚さ方向(Ｘ軸方向)に直交す
る方向(Ｙ軸方向)に沿って光導波路素子５、半導体レー
ザ６、フォトダイオード７が直線状に配置されるため、
光導波路ユニット１全体の高さを低く設定できる。

【００６０】図４は、ブロック９aに光導波路素子５を
配置した状態を示す平面図、図５は光導波路素子５の部
分を示す断面図である。

【００６１】光導波路素子５は、シリコン基板１５の上
に光学的バッファ層１６および光導波路１７、偏光分離
素子１１、光検出素子１２が一体形成されている。この
偏光分離素子１１から光検出素子１２に至る構成は、た
とえば、特開平１０−７８５２２号公報に示されている
ものが利用できる。さらに、シリコン基板１５上には、
ボンディングパッド１８とマーカ１９とが形成されてい
る。なお、マーカー１９は、光導波路素子５をウェハの
状態からチップに切り分ける際のダイシング用の基準を
与えるものである。

【００６２】さらに、シリコン基板１５の光導波路１７
上の位置には、同路１７内に光を結合するためのプリズ
ム１０が配置されている。このプリズム１０は、内部に
ミラー面Ｍ０が形成された、いわゆる反射型カプラープ
リズムで、プリズム１０を接着する際やその他の作業に
よってミラー面Ｍ０が汚れることがないため、常に所定
の反射率を確保することできる。

【００６３】この構成の光導波路素子５においては、プ
リズム１０に入射した光磁気信号検出光Ｌ２は、そのミ
ラー面Ｍ０で反射されて光導波路１７へ所定の角度で結
合され、光導波路１７に入射した光Ｌ２は、偏光分離部
１１を通過するときに屈折を受けてＴＥ光とＴＭ光とに
分離され、各光が光検出素子１２で検出される。この場
合、光検出素子１２の周辺では光学的バッファ層１６は
徐々に薄くなっており、これによって、光検出素子１２
に近付くにつれて光はシリコン基板１５側へ漏れ始め、
光検出器１２へ結合される。そして、光検出素子１２の
出力がボンディングパッド１８に伝えられ、さらにブロ
ック９aの配線パターン２９を介してリードピン４のボ
ンディング部４aに伝えられる。なお、図４において
は、ボンディングパッド１８と配線パターン２９を電気
的に接続するワイヤは省略している。

【００６４】このように、この実施形態では、光導波路
素子５がブロック９aの平坦な側面に直接取り付けられ
ていて、そのシリコン基板１５の表面１５aが光の出入
射の光軸oに対して垂直になっていて、図１２および図
１３に示した従来技術のように、光導波路素子５が斜め
に立て掛けられて配置していないので、光導波路素子５
の配置作業や光学的な調整を極めて容易に行える。

【００６５】次に、本発明の光導波路ユニットの製作工
程について、図６を参照して説明する。

【００６６】図６(a)に示すように、ベース１３の中央
付近に中央ブロック１４が取り付けられる。この中央ブ
ロック１４は、金属であればプレス加工により作製する
ことができる。

【００６７】次に、図６(b)に示すように、中央ブロッ
ク１４に半導体レーザ６およびモニター用のフォトダイ
オード８を固定する。

【００６８】続いて、図６(c)に示すように、予めブロ
ック９aに前以てプリズム１０の固定された光導波路素
子５を固定し、さらにワイヤボンディングを施してお
き、このブロック９aをベース１３に固定する。

【００６９】次に、図６(d)に示すように、ブロック９c
を固定する。

【００７０】この後、図６(e)に示すように、ブロック
９cに、サーボ用のフォトダイオード７を固定し、ワイ
ヤボンディングを施す。ここで、半導体レーザ６および
モニター用光検出器８にも併せてワイヤボンディングを
施す。

【００７１】その後、図６(f)に示すように、フレーム
２０を接着し、リードピン４のボンディング部４aと各
ブロック９a，９b，９cの配線パターン２９間をワイヤ
ボンディングで接続する。

【００７２】最後に、図６(g)に示すように、キャップ
３をフレーム２０に接着して、工程を完了する。

【００７３】図７は、本発明の光導波路ユニットの他の
実施形態を示す斜視図であり、図１に示した部分と対応
する部分には同一の符号を付す。

【００７４】この実施形態の光導波路ユニットでは、リ
ードピン４の形状と配列とが図１に示した場合と相違し
ている。

【００７５】すなわち、図１の場合では、リードピン４
がフレーム２０の周壁から側方に突出しているが、図７
の実施形態の場合は、リードピン４をベース１３の下方
に突出するようにし、また、各リードピン４はフレーム
２０の一辺側にまとめて配置している。このような構成
によれば、パッケージ２の外形寸法を小さくすることが
できる。

【００７６】

【発明の効果】本発明によれば、次の効果を奏する。

【００７７】(１) 請求項１記載の発明では、光源、光
導波路素子等を含むパッケージを最も低い高さで実装す
ることができ、光導波路ユニットを小型かつ薄型にする
ことができる。また、光導波路素子は斜めに立て掛ける
ことなく、平面的に配置できるため、光導波路素子の取
り付けや光学的調整が容易となる (２) 請求項２記載の発明では、パッケージ内での配線
が容易となるので、光導波路ユニット作製のコストダウ
ンが図れる。

【００７８】(３) 請求項３記載の発明では、上記光導
波路ユニットを搭載して光学ヘッドを構成することによ
り、光学ヘッドが小型かつ薄型となり、かつ、光学ヘッ
ド作製のコストダウンが図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態にかかる光導波路ユニットを
備えた光学ヘッドを示す平面図

【図２】図１に示す光学ヘッドに使用される光導波路ユ
ニットの斜視図

【図３】図２の光導波路ユニットを光の入出射方向(Ｚ
軸方向)から見た正面図

【図４】図２の光導波路ユニットにおいて、光導波路素
子を配線パターン付きのブロックに取り付けた状態を示
す平面図

【図５】図２の光導波路ユニットで使用される光導波路
素子とプリズムの部分を示す断面図

【図６】本発明の光導波路ユニットの作製工程を示す説
明図

【図７】本発明の他の実施形態にかかる光導波路ユニッ
トの斜視図

【図８】従来の光磁気ディスク装置用の光ピックアップ
の一例を示す平面図

【図９】図８の光ピックアップで使用される光導波路素
子とプリズムの部分を示す断面図

【図１０】図８の光ピックアップで使用される光導波路
素子とプリズムの部分を示す平面図

【図１１】図８に示される半導体レーザや光導波路素子
等を光の入出射方向(Ｚ軸方向)から見た正面図

【図１２】従来の他の光磁気ディスク装置用の光ピック
アップの一例を示す平面図

【図１３】図１２に示される光導波路素子とプリズムの
部分を示す平面図

【図１４】図１２に示される半導体レーザや光導波路素
子等を光の入出射方向(Ｚ軸方向)から見た正面図

【符号の説明】

１…光導波路ユニット、２…パッケージ、５…光導波路
素子、６…半導体レーザ、７…サーボ用のフォトダイオ
ード、８…モニタ用のフォトダイオード、９a，９b，９
c…配線パターン付きのブロック、１１…偏光分離素
子、１２…光検出素子、１５…シリコン基板、１５a…
基板表面、１７…光導波路、２２…コリメートレンズ、
２３…立ち上げミラー、２４…対物レンズ、２５…グレ
ーティング、２６…ビームスプリッタ、２７…ホログラ
ム、Ｌ１…サーボエラー信号検出光、Ｌ２…光磁気信号
検出光。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 パッケージ内に、半導体レーザ等の光
   源、光被照射物からの反射光を光導波路を介して光検出
   素子で検出する光導波路素子、およびこの光導波路素子
   の前記光導波路に反射光を結合する光反射手段が実装配
   置されており、前記光導波路素子は、前記光導波路が形
   成された基板表面が前記反射光の光軸に対して垂直にな
   るように配置されていることを特徴とする光導波路ユニ
   ット。
2. 【請求項２】 請求項１記載の光導波路ユニットにおい
   て、 前記パッケージ内には、配線中継用の配線パターンが形
   成されたブロックが配置されていることを特徴とする光
   導波路ユニット。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の光導波路
   ユニットを搭載した光学ヘッド。