JP2000133763A

JP2000133763A - 樹脂封止型半導体装置用の回路部材およびその製造方法

Info

Publication number: JP2000133763A
Application number: JP10321313A
Authority: JP
Inventors: Hideo Hotta; 日出男堀田
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1998-10-26
Filing date: 1998-10-26
Publication date: 2000-05-12

Abstract

(57)【要約】【課題】封止樹脂との密着性に優れ、耐久性、信頼性
が高い樹脂封止型半導体装置の製造を可能とする回路部
材と、この回路部材の製造方法を提供する。【解決手段】金属層形成工程で、導電性基板の少なく
とも一方の面に、該導電性基板よりもエッチング加工性
の低い材料で金属層を形成し、エッチング工程で、上記
金属層が形成された導電性基板の両面に所定の形状でレ
ジストパターンを形成し、該レジストパターンを耐腐蝕
膜として前記金属層および導電性基板をエッチングし、
その後、レジスト除去工程で、レジストパターンを除去
することにより、外枠部材と、該外枠部材から各々接続
リードを介して相互に独立して配設された複数の端子部
と、前記外枠部材から接続リードを介して配設されたダ
イパッドとを備え、前記端子部は少なくとも一方の面に
側面部へ突出するような金属層を有し、前記ダイパッド
は少なくとも一方の面に凹部を有するとともに、少なく
とも該凹部の開口部とダイパッド側面部へ突出するよう
な金属層を有する回路部材とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子を搭載し
た樹脂封止型の半導体装置に用いる回路部材と、その製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置は、高集積化や小型化
技術の進歩、電気機器の高性能化と小型化の傾向から、
ＬＳＩのＡＳＩＣに代表されるように、ますます高集積
化、高機能化が進んできている。このような半導体装置
の高集積化、高機能化において、外部端子（ピン）の総
和の増加を来すとともに、更なる多端子（ピン）化が要
請されている。

【０００３】上記のような多端子（ピン）化の要請に応
えるものとして、高精細なリードフレーム等、および、
ＢＧＡ（ＢａｌｌＧｒｉｄＡｒｒａｙ）、ＣＳＰ
（ＣｈｉｐＳｉｚｅＰａｃｋａｇｅ）に代表される
様々な樹脂封止型の半導体装置が普及してきた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の樹脂封
止型半導体装置では、端子部やダイパッドと封止樹脂と
の密着性が問題となっていた。すなわち、端子部やダイ
パッドと封止樹脂との密着性が悪い場合、半導体装置の
製造途中あるいは使用中に剥離を生じ、この剥離が原因
で封止樹脂のクラックが発生し、これにより半導体装置
の信頼性が損なわれ、耐久性が保てないという重大な欠
陥を生じることある。

【０００５】このため、剥離を生じやすいダイパッドに
微小凹部を形成するディンプル加工やスルーホール加工
を施すこと、あるいは、ダイパッドを半導体素子に比較
して小さくする、等の対応がなされている。しかしなが
ら、上記のディンプル加工は、ダイパッドと封止樹脂と
の密着性向上の効果が不十分であり、また、スルーホー
ル加工やダイパッドの小面積化は、半導体素子の搭載に
高い技術が必要になるという問題がある。

【０００６】また、封止樹脂の面からの対応もなされ、
端子部やダイパッドを構成する金属材料への接着性を向
上させることが行われているが、金属材料への高い接着
性をもつ封止樹脂は、製造時に使用する金型にも接着す
るため、半導体装置の量産性に支障を来すという問題が
あり、また、このような封止樹脂の価格が高いという問
題もある。

【０００７】本発明は、上記のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、封止樹脂との密着性に優れ、耐久性、
信頼性が高い樹脂封止型半導体装置の製造を可能とする
回路部材と、この回路部材の製造方法を提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置用の回路部材
は、外枠部材と、該外枠部材から各々接続リードを介し
て相互に独立して配設された複数の端子部と、前記外枠
部材から接続リードを介して配設されたダイパッドとを
備え、前記端子部は少なくとも一方の面に側面部へ突出
するような金属層を有し、前記ダイパッドは少なくとも
一方の面に凹部を有するとともに、少なくとも該凹部の
開口部へ突出するような金属層を有するような構成とし
た。

【０００９】また、本発明の樹脂封止型半導体装置用の
回路部材は、前記金属層がＮｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕおよびその合金のいずれかからな
る単層、あるいは、２種以上の組み合わせの多層である
ような構成とした。

【００１０】また、本発明の樹脂封止型半導体装置用の
回路部材は、前記端子部の側面部と、前記ダイパッドの
凹部内表面と、前記金属層の少なくとも側端面とに、め
っき層を有するような構成とした。

【００１１】さらに、本発明の樹脂封止型半導体装置用
の回路部材は、前記めっき層がＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕおよびその合金のい
ずれかからなる単層、あるいは、２種以上の組み合わせ
の多層であるような構成とした。

【００１２】本発明の回路部材の製造方法は、導電性基
板の少なくとも一方の面に、該導電性基板よりもエッチ
ング加工性の低い材料で金属層を形成する金属層形成工
程と、金属層が形成された導電性基板の両面に所定の形
状でレジストパターンを形成し、該レジストパターンを
耐腐蝕膜として前記金属層および導電性基板をエッチン
グして、外枠部材と、接続リードを介して相互に独立す
るように前記外枠部材に連結された複数の端子部と、接
続リードを介して前記外枠部材に連結され少なくとも一
方の面に凹部を有するダイパッドを形成するエッチング
工程と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程
と、を有するような構成とした。

【００１３】また、本発明の回路部材の製造方法は、前
記エッチング工程と前記レジスト除去工程との間に、露
出している前記端子部の側面部と、前記ダイパッドの側
面部および凹部内表面と、前記金属層の側端面とにめっ
き層を形成するめっき工程を有するような構成とした。

【００１４】また、本発明の回路部材の製造方法は、前
記レジスト除去工程の後に、露出している前記端子部の
側面部と、前記ダイパッドの側面部および凹部内表面
と、前記金属層とに、めっき層を形成するめっき工程を
有するような構成とした。

【００１５】さらに、本発明の回路部材の製造方法は、
前記金属層形成工程において、金属層をＮｉ、Ｓｎ、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕおよびその合金のい
ずれかからなる単層、あるいは、２種以上の組み合わせ
の多層として形成するような構成とした。

【００１６】また、本発明の回路部材の製造方法は、前
記めっき工程において、めっき層をＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、
Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕおよびその合金の
いずれかからなる単層、あるいは、２種以上の組み合わ
せの多層として形成するような構成とした。

【００１７】このような本発明では、端子部やダイパッ
ドの側面部、および、ダイパッドの凹部の開口部へ突出
する金属層の突出部が、封止樹脂に端子部、ダイパッド
を確実に固定する作用をなす。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。回路部材の第１の実施形態図１は本発明の回路部材の一実施形態を示す平面図、図
２は図１に示される回路部材のＡ−Ａ線における縦断面
図である。図１および図２において、本発明の回路部材
１は、外枠部材２と、この外枠部材２から接続リード４
を介して相互に独立して配設された複数の端子部３と、
外枠部材２から接続リード９を介して配設されたダイパ
ッド７とを備えている。そして、回路部材１は、端子部
３の裏面３Ｂとダイパッド７の裏面７Ｂを含む裏面側に
金属層５を備えている。

【００１９】外枠部材２は、外形形状および内側開口形
状が矩形であり、各接続リード４は外枠部材２の内側開
口の各辺から同一平面内に突設されている。

【００２０】端子部３は、接続リード４の先端に設けら
れ、先端側に半導体素子との接続部位である内部端子３
ａを、接続リード４寄りに外部端子３ｂを有している。
外枠部材２と端子部３と接続リード４の裏面には金属層
５が設けられている。図３は、このような端子部３の部
分斜視図である。図３に示されるように、端子部３の裏
面３Ｂには金属層５が配設されており、この金属層５
は、端子部３の側面部へ突出する突出部５ａを有してお
り、この突出部５ａが、樹脂封止型半導体装置の製造に
おいて、封止樹脂に端子部３を確実に固定する作用をな
す。尚、図示例では端子部３の内部端子３ａの表面には
半導体素子の端子との接続用のめっき部材６が設けられ
ている。

【００２１】ダイパッド７は、外枠部材２の内側開口の
各隅部から延設された４本の接続リード９に支持され、
裏面７Ｂ側には複数の凹部８が形成され、さらに、ダイ
パッド７の裏面７Ｂと接続リード９の裏面には金属層５
が設けられている。図４は、このようなダイパッド７の
裏面７Ｂ側の斜視図である。図２および図４において、
ダイパッド７の裏面７Ｂ側に設けられた凹部８は略半球
形状の凹部（ディンプル）であり、上記の金属層５は、
ダイパッド７の側面部へ突出する突出部５ａと、凹部８
の開口部８ａへ突出する突出部５ａを有している。この
ような突出部５ａが、樹脂封止型半導体装置の製造にお
いて、封止樹脂にダイパッド７を確実に固定する作用を
なす。凹部８の形状は略半球形状に限定されるものでは
なく、例えば、溝形状のもの等いずれであってもよい。
凹部８の形状、寸法、個数等は適宜設定することができ
るが、開口部８ａに突出している突出部５ａの開口幅
は、封止樹脂の凹部８内への侵入の容易さを考慮して５
０〜４００μｍの範囲内であることが好ましい。

【００２２】金属層５は、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａ
ｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕおよびその合金のいずれかからな
る単層、あるいは、２種以上の組み合わせの多層であ
り、厚みは２〜２０μｍ程度である。この金属層５の突
出部５ａの突出量（図２のＷ１、Ｗ２）は、１０〜１０
０μｍ程度の範囲内にあることが好ましい。また、接続
用のめっき部材６は、金、パラジウム、銀等のいずれか
からなる単層めっきであり、厚みは２〜５μｍ程度であ
る。

【００２３】このような回路部材１の材質は、４２合金
（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）、銅、銅合金等とすることが
できる。

【００２４】また、本発明の回路部材１は、ダイパッド
７の表面７Ａ（半導体素子搭載面）側に電気絶縁性の両
面接着テープを設けたものであってもよい。両面接着テ
ープは、電気絶縁性のベースフィルムの両面に接着剤層
を備えたもの、例えば、ユーピレックス（宇部興産
（株）製の電気絶縁性のベースフィルム）の両面にＲＸ
Ｆ（（株）巴川製紙所製の接着剤）層を備えたＵＸ１Ｗ
（（株）巴川製紙所製）のような両面接着テープを使用
することができる。回路部材の第２の実施形態図５は本発明の回路部材の他の実施形態を示す図２相当
の断面図である。図５において、本発明の回路部材１１
は、表面にも金属層を備えている点、および、端子部１
３の内部端子１３ａが薄肉部である点を除いて、上述の
回路部材１と同様である。すなわち、外枠部材１２と、
この外枠部材１２から接続リード１４を介して相互に独
立して配設された複数の端子部１３と、外枠部材１２か
ら接続リード（図示せず）を介して配設されたダイパッ
ド１７とを備えている。そして、回路部材１１は、端子
部１３の裏面１３Ｂとダイパッド１７の裏面１７Ｂを含
む裏面側に金属層１５を備え、さらに、表面側にも金属
層１５を備えている。

【００２５】外枠部材１２は、上記の外枠部材２と同様
であり、外形形状および内側開口形状が矩形であり、各
接続リード１４は外枠部材１２の内側開口の各辺から同
一平面内に突設されている。

【００２６】端子部１３は、上記の端子部３と同様に接
続リード１４の先端に設けられ、先端側に薄肉部であり
半導体素子との接続部位である内部端子１３ａを、接続
リード寄りに外部端子１３ｂを有している。外枠部材１
２と端子部１３と接続リード１４の表面および裏面には
金属層１５が設けられている。ただし、薄肉部である内
部端子１３ａの表面には金属層１５は設けられていな
い。このような金属層１５は、端子部１３の側面部へ突
出する突出部１５ａを有しており、この突出部１５ａ
が、樹脂封止型半導体装置の製造において、封止樹脂に
端子部１３を確実に固定する作用をなす。尚、図示例で
は端子部１３の内部端子１３ａの薄肉部の表面には半導
体素子の端子との接続用のめっき部材１６が設けられて
いる。

【００２７】ダイパッド１７は、上述のダイパッド７と
同様に、外枠部材１２の内側開口の各隅部から延設され
た４本の接続リード（図示せず）に支持され、裏面１７
Ｂ側には複数の凹部１８が形成され、さらに、ダイパッ
ド１７および接続リードの表面および裏面には金属層１
５が設けられている。ダイパッド１７の裏面１７Ｂ側に
設けられた凹部１８は略半球形状の凹部（ディンプル）
であり、上記の金属層１５は、ダイパッド１７の側面部
へ突出する突出部１５ａと、凹部１８の開口部１８ａへ
突出する突出部１５ａを有している。このような突出部
１５ａが、樹脂封止型半導体装置の製造において、封止
樹脂にダイパッド１７を確実に固定する作用をなす。

【００２８】回路部材１１の材質、金属層１５の材質や
厚み、ダイパッド１７に設ける凹部１８の形状、寸法、
個数、この開口部１８ａに突出している突出部１５ａの
開口幅等は、上述の回路部材１の該当する部位と同様と
することができ、ここでの説明は省略する。

【００２９】また、本発明の回路部材１１は、ダイパッ
ド１７の表面１７Ａ（半導体素子搭載面）側に電気絶縁
性の両面接着テープを設けたものであってもよい。両面
接着テープは、上述のような両面接着テープを使用する
ことができる。回路部材の第３の実施形態図６は本発明の回路部材の他の実施形態を示す図２相当
の部分拡大断面図である。図６において、本発明の回路
部材２１は、端子部、接続リード部、ダイパッド、接続
リードの各側面と、ダイパッドに設けられた凹部内と、
金属層の側端面とにめっき層を備えている点、および、
端子部２３の内部端子２３ａが薄肉部である点を除い
て、上述の回路部材１と同様である。すなわち、回路部
材２１は、外枠部材２２（図示せず）と、この外枠部材
２２から接続リード２４を介して相互に独立して配設さ
れた複数の端子部２３と、外枠部材２２から接続リード
２９（図示せず）を介して配設されたダイパッド２７と
を備えている。また、端子部２３の裏面２３Ｂとダイパ
ッド２７の裏面２７Ｂを含む裏面に金属層２５を備えて
いる。そして、端子部２３、接続リード部２４、ダイパ
ッド２７、接続リード２９の各側面と、ダイパッド２７
に設けられた凹部２８内と、金属層２５の側端面とに、
めっき層３０を備えている。

【００３０】外枠部材２２は、上記の外枠部材２と同様
であり、外形形状および内側開口形状が矩形であり、各
接続リード２４は外枠部材２２の内側開口の各辺から同
一平面内に突設されている。

【００３１】端子部２３は、上記の端子部３と同様に接
続リード２４の先端に設けられ、先端側に薄肉部であり
半導体素子との接続部位である内部端子２３ａを、接続
リード寄りに外部端子２３ｂを有している。外枠部材２
２と端子部２３と接続リード２４の裏面には金属層２５
が設けられている。このような金属層２５は、端子部２
３の側面部へ突出する突出部２５ａを有しており、この
突出部２５ａが、樹脂封止型半導体装置の製造におい
て、封止樹脂に端子部２３を確実に固定する作用をな
す。尚、図示例では端子部２３の内部端子２３ａの薄肉
部の表面には半導体素子の端子との接続用のめっき部材
２６が設けられている。

【００３２】ダイパッド２７は、上述のダイパッド７と
同様に、外枠部材２２の内側開口の各隅部から延設され
た４本の接続リード２９（図示せず）に支持され、裏面
２７Ｂ側には複数の凹部２８が形成され、さらに、ダイ
パッド２７および接続リードの裏面には金属層２５が設
けられている。ダイパッド２７の裏面２７Ｂ側に設けら
れた凹部２８は略半球形状の凹部（ディンプル）であ
り、上記の金属層２５は、ダイパッド２７の側面部へ突
出する突出部２５ａと、凹部２８の開口部２８ａへ突出
する突出部２５ａを有している。このような突出部２５
ａが、樹脂封止型半導体装置の製造において、封止樹脂
にダイパッド２７を確実に固定する作用をなす。

【００３３】めっき層３０は、上述のように、端子部２
３、接続リード２４、ダイパッド２７、接続リード２９
の各側面と、ダイパッド２７に設けられた凹部２８内
と、金属層２５の側端面（突出部２５ａ）との設けられ
ており、特に金属層２５の側端面（突出部２５ａ）で
は、めっき層３０の成長が進み大きな突出部がめっき層
３０によって形成されている。これにより、上記の突出
部２５ａによる封止樹脂と端子部２３やダイパッド２７
との密着性向上の効果が更に大きなものとなる。

【００３４】めっき層３０は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕおよびその合金のい
ずれかからなる単層、あるいは、２種以上の組み合わせ
の多層であり、金属層２５の側面（突出部２５ａ）にお
けるめっき層３０の厚みは１〜２０μｍ程度とすること
が好ましい。

【００３５】尚、回路部材２１の材質、金属層２５の材
質や厚み、ダイパッド２７に設ける凹部２８の形状、寸
法、個数、この開口部２８ａに突出している突出部２５
ａ（めっき層３０）の開口幅等は、上述の回路部材１の
該当する部位と同様とすることができ、ここでの説明は
省略する。

【００３６】また、本発明の回路部材２１は、ダイパッ
ド２７の表面２７Ａ（半導体素子搭載面）側に電気絶縁
性の両面接着テープを設けたものであってもよい。両面
接着テープは、上述のような両面接着テープを使用する
ことができる。

【００３７】本実施形態においても、図５に示される実
施形態と同様に、回路部材の表面にも金属層を備えるも
のであってよい。回路部材の第４の実施形態図７は本発明の回路部材の他の実施形態を示す図２相当
の部分拡大断面図である。図７において、本発明の回路
部材３１は、端子部、接続リード、ダイパッド、接続リ
ードの各側面と、ダイパッドに設けられた凹部内と、金
属層上とにめっき層を備えている点を除いて、上述の回
路部材１１と同様である。すなわち、回路部材３１は、
外枠部材３２（図示せず）と、この外枠部材３２から接
続リード３４を介して相互に独立して配設された複数の
端子部３３と、外枠部材３２から接続リード３９（図示
せず）を介して配設されたダイパッド３７とを備えてい
る。また、回路部材３１は、端子部３３の裏面３３Ｂと
ダイパッド３７の裏面３７Ｂを含む裏面側に金属層３５
を備え、かつ、表面側にも金属層３５を備えている。そ
して、端子部３３、接続リード３４、ダイパッド３７、
接続リード３９の各側面と、ダイパッド３７に設けられ
た凹部３８内と、金属層３５上とに、めっき層４０を備
えている。

【００３８】外枠部材３２は、上記の外枠部材２と同様
であり、外形形状および内側開口形状が矩形であり、各
接続リード３４は外枠部材３２の内側開口の各辺から同
一平面内に突設されている。

【００３９】端子部３３は、上記の端子部３と同様に接
続リード３４の先端に設けられ、先端側に薄肉部であり
半導体素子との接続部位である内部端子３３ａを、接続
リード寄りに外部端子３３ｂを有している。外枠部材３
２と端子部３３と接続リード３４の表面および裏面には
金属層３５が設けられている。ただし、薄肉部である内
部端子３３ａの表面には金属層３５は設けられていな
い。このような金属層３５は、端子部３３の側面部へ突
出する突出部３５ａを有しており、この突出部３５ａ
が、樹脂封止型半導体装置の製造において、封止樹脂に
端子部３３を確実に固定する作用をなす。

【００４０】ダイパッド３７は、上述のダイパッド７と
同様に、外枠部材３２の内側開口の各隅部から延設され
た４本の接続リード３９（図示せず）に支持され、裏面
３７Ｂ側には複数の凹部３８が形成され、さらに、ダイ
パッド３７および接続リードの表面および裏面には金属
層３５が設けられている。ダイパッド３７の裏面３７Ｂ
側に設けられた凹部３８は略半球形状の凹部（ディンプ
ル）であり、上記の金属層３５は、ダイパッド３７の側
面部へ突出する突出部３５ａと、凹部３８の開口部３８
ａへ突出する突出部３５ａを有している。このような突
出部３５ａが、樹脂封止型半導体装置の製造において、
封止樹脂にダイパッド３７を確実に固定する作用をな
す。

【００４１】めっき層４０は、上述のように、端子部３
３、接続リード３４、ダイパッド３７、接続リード３９
の各側面と、ダイパッド３７に設けられた凹部３８内
と、金属層３５上とに設けられているが、特に金属層３
５の側端面（突出部３５ａ）では、めっき層４０の成長
が進み大きな突出部がめっき層４０によって形成されて
いる。これにより、上記の突出部３５ａによる封止樹脂
と端子部３３やダイパッド３７との密着性向上の効果が
更に大きなものとなる。

【００４２】尚、めっき層４０の材質、厚みは、上述の
回路部材２１と同様とすることができる。また、回路部
材３１の材質、金属層３５の材質や厚み、ダイパッド３
７に設ける凹部３８の形状、寸法、個数、この開口部３
８ａに突出している突出部３５ａ（めっき層４０）の開
口幅等は、上述の回路部材１の該当する部位と同様とす
ることができ、ここでの説明は省略する。

【００４３】また、本発明の回路部材３１は、ダイパッ
ド３７の表面３７Ａ（半導体素子搭載面）側に電気絶縁
性の両面接着テープを設けたものであってもよい。両面
接着テープは、上述のような両面接着テープを使用する
ことができる。

【００４４】尚、上述の回路部材１、１１、２１、３１
における端子数、端子配列等は例示であり、本発明の回
路部材がこれに限定されないことは勿論である。また、
上述の回路部材では、いずれもダイパッドの裏面側に凹
部が形成されているが、表面側に半導体素子搭載領域外
の余地がある場合、この部分に凹部を設けてもよい。回路部材の製造方法の第１の実施形態次に、本発明の回路部材の製造方法について説明する。

【００４５】図８は、図１乃至図４に示される本発明の
回路部材１を例とした本発明の回路部材の製造方法の一
実施形態を示す工程図である。各工程は、上記の図２に
対応する回路部材の縦断面図で示してある。

【００４６】図８において、まず、金属層形成工程とし
て、導電性基板５１の一方の面に金属層５を形成する
（図８（Ａ））。導電性基板５１としては、上述のよう
に４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）、銅、銅合金等の
金属基板（厚み１００〜２５０μｍ）を使用することが
でき、この導電性基板５１は、両面を脱脂等を行い洗浄
処理を施したものを使用することが好ましい。金属層５
は、導電性基板５１よりもエッチング加工性の低い材料
を用いてめっき法、真空蒸着法、スパッタリング法等の
公知の成膜方法により形成することができる。例えば、
Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒ
ｕおよびその合金のなかから、導電性基板５１のエッチ
ング加工性との差を考慮して適宜選択した１種の材料か
らなる単層、あるいは、２種以上の組み合わせの多層と
することができる。金属層５の厚みは導電性基板５１の
エッチング加工性との差を考慮して設定することがで
き、例えば、２〜２０μｍ程度の厚みとすることができ
る。

【００４７】次に、エッチング工程を行う。このエッチ
ング工程では、まず、金属層５を有する導電性基板５１
の両面に感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望の
フォトマスクを介して露光した後、現像して、導電性基
板５１の表面側にレジストパターン５３Ａを、裏面側
（金属層５上）にレジストパターン５３Ｂを形成する
（図８（Ｂ））。感光性レジストとしては、従来公知の
ものを使用することができる。次いで、レジストパター
ン５３Ａ，５３Ｂを耐腐蝕膜として導電性基板５１およ
び金属層５に対して腐蝕液でエッチングを行う（図８
（Ｃ））。腐蝕液は、通常、塩化第二鉄水溶液を使用
し、導電性基板５１の両面からスプレーエッチングにて
行う。このエッチング工程により、外枠部材２と、接続
リード４を介して相互に独立するように外枠部材２に連
結された複数の端子部３と、接続リード９（図示せず）
を介して外枠部材２に連結されたダイパッド７が形成さ
れる。また、エッチングで除去された端子部３、接続リ
ード４、ダイパッド７および接続リード９（図示せず）
の側面部は、導電性基板５１がエッチング加工性の低い
金属層５よりも内側まで腐蝕除去され、その結果、金属
層５は側面部へ突出する突出部５ａを有するものとな
る。また、形成されたダイパッド７は、裏面７Ｂに複数
の凹部８が形成されており、この凹部８は導電性基板５
１がエッチング加工性の低い金属層５よりも内側まで腐
蝕除去され形成されたものである。したがって、凹部８
の開口部８ａは、この開口部８ａに突出している金属層
５の突出部５ａの開口幅よりも大きくなっている。

【００４８】次いで、レジストパターン５３Ａ，５３Ｂ
を剥離して除去し、内部端子３ａ上の所定位置に、端子
接続用のめっき部材６を形成して、図１乃至図４に示さ
れる本発明の回路部材１が得られる（図８（Ｄ）。

【００４９】尚、図５に示される本発明の回路部材１１
の製造は、両面に金属層５を設けた導電性基板５１を使
用することにより、上記の回路部材１の製造方法と同様
の工程で行うことができる。

【００５０】次に、本発明の回路部材１を用いた樹脂封
止型半導体装置の製造方法について、図９を参照して説
明する。

【００５１】図９において、まず、上述の本発明の製造
方法により製造した回路部材１を用い、この回路部材１
のダイパッド７の表面７Ａ側に半導体素子１０２の回路
形成面反対側を電気絶縁性の両面接着テープ１０５を介
して固着することにより、半導体素子１０２を搭載する
（図９（Ａ））。

【００５２】次に、搭載した半導体素子１０２の端子１
０２ａと、回路部材の内部端子３ａのめっき部材６と
を、ボンディングワイヤ１０４で電気的に接続する（図
９（Ｂ））。

【００５３】次いで、端子部３、ダイパッド７、半導体
素子１０２およびボンディングワイヤ１０４を封止樹脂
１０６で封止する（図９（Ｃ））。次いで、回路部材１
の各接続リード４および接続リード９を切断し外枠部材
２を除去し、封止樹脂１０６から突出している外部端子
３ｂを所定の形状に加工して、樹脂封止型の半導体装置
１０１を得ることができる（図９（Ｄ））。回路部材の製造方法の第２の実施形態図１０および図１１は、図６に示される本発明の回路部
材２１を例とした本発明の回路部材の製造方法の一実施
形態を示す工程図である。各工程は、図６に対応する回
路部材の縦断面図で示してある。

【００５４】図１０および図１１において、まず、金属
層形成工程として、導電性基板６１の一方の面に金属層
２５を形成する（図１０（Ａ））。使用する導電性基板
６１、および、導電性基板６１に形成する金属層２５
は、上述の製造方法の第１の実施形態における導電性基
板５１、金属層５と同様である。

【００５５】次に、上述の製造方法の第１の実施形態と
同様に、エッチング工程を行う。このエッチング工程で
は、まず、金属層２５を有する導電性基板６１の両面に
感光性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマ
スクを介して露光した後、現像して、導電性基板６１の
表面側にレジストパターン６３Ａを、裏面側（金属層２
５上）にレジストパターン６３Ｂを形成する（図１０
（Ｂ））。次いで、レジストパターン６３Ａ，６３Ｂを
耐腐蝕膜として導電性基板６１および金属層２５に対し
て腐蝕液でエッチングを行う（図１０（Ｃ））。このエ
ッチング工程により、外枠部材２２（図示せず）と、接
続リード２４（図示せず）を介して相互に独立するよう
に外枠部材２２に連結された複数の端子部２３と、接続
リード２９（図示せず）を介して外枠部材２２に連結さ
れたダイパッド２７が形成される。形成された端子部２
３の内部端子２３ａはハーフエッチングによる薄肉部と
なっている。また、エッチングで除去された端子部２
３、接続リード２４、ダイパッド２７および接続リード
２９の側面部は、導電性基板６１がエッチング加工性の
低い金属層２５よりも内側まで腐蝕除去され、その結
果、金属層２５は側面部へ突出する突出部２５ａを有す
るものとなる。また、形成されたダイパッド２７は、裏
面２７Ｂに複数の凹部２８が形成されており、この凹部
２８は導電性基板６１がエッチング加工性の低い金属層
２５よりも内側まで腐蝕除去され形成されたものであ
る。したがって、凹部２８の開口部２８ａは、この開口
部２８ａに突出している金属層２５の突出部２５ａの開
口幅よりも大きくなっている。

【００５６】次に、めっき工程として、エッチング加工
が終了した導電性基板６１をめっき浴に浸漬し、残って
いるレジストパターン６３Ａ，６３Ｂをマスクとして、
導電性基板６１と金属層２５の露出部位に電気めっきに
よりめっき層３０を形成する（図１１（Ａ））。めっき
層３０は、端子部２３、接続リード２４、ダイパッド２
７、接続リード２９の各側面と、ダイパッド２７に設け
られた凹部２８内と、金属層２５の側端面とに設けられ
ている。特に、上記の突出部２５ａの端面である金属層
２５の側端面では、金属析出が大きくめっき層３０の厚
みが大きいものとなる。

【００５７】めっき層３０は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕおよびその合金のい
ずれかからなる単層、あるいは、２種以上の組み合わせ
の多層とすることができる。

【００５８】次いで、レジストパターン６３Ａ，６３Ｂ
を剥離して除去し、内部端子２３ａ上の所定位置に、端
子接続用のめっき部材２６を形成して、図６に示される
本発明の回路部材２１が得られる（図１１（Ｂ））。

【００５９】尚、めっき工程で形成しためっき層３０に
樹脂封止部材との密着性を向上させるために、化学的結
合強化処理や粗面化処理（物理的結合強化処理）を施し
てもよい。粗面化処理は、Ｚｎ−Ｃｒ合金等のめっき層
形成（米国オーリン社のＡ２プロセス）、もしくはニッ
ケルめっきに対する種々のクロメート処理等が挙げら
れ、めっき層３０の表面粗さＲａを３０ｎｍ以上程度に
設定することが好ましい。このような粗面化処理を施す
ことにより、めっき層３０の封止樹脂に対する密着性が
向上する。

【００６０】このような本発明の回路部材２１を用いた
樹脂封止型半導体装置の製造方法は、上述の図９に示し
たものと同様である。回路部材の製造方法の第３の実施形態図１２および図１３は、図７に示される本発明の回路部
材３１を例とした本発明の回路部材の製造方法の一実施
形態を示す工程図である。各工程は、図７に対応する回
路部材の縦断面図で示してある。

【００６１】図１２および図１３において、まず、金属
層形成工程として、導電性基板７１の両面に金属層３５
を形成する（図１２（Ａ））。使用する導電性基板７
１、および、導電性基板７１に形成する金属層３５は、
上述の製造方法の第１の実施形態における導電性基板５
１、金属層５と同様である。

【００６２】次に、上述の製造方法の第１の実施形態と
同様に、エッチング加工を行う。このエッチング工程で
は、まず、電性基板７１の両面（金属層３５上）に感光
性レジストを塗布、乾燥し、これを所望のフォトマスク
を介して露光した後、現像して、導電性基板７１の表面
側にレジストパターン７３Ａを、裏面側にレジストパタ
ーン７３Ｂを形成する（図１２（Ｂ））。次いで、レジ
ストパターン７３Ａ，７３Ｂを耐腐蝕膜として導電性基
板７１および金属層３５に対して腐蝕液でエッチングを
行う（図１２（Ｃ））。このエッチング工程により、外
枠部材３２（図示せず）と、接続リード３４（図示せ
ず）を介して相互に独立するように外枠部材３２に連結
された複数の端子部３３と、接続リード３９を介して外
枠部材３２に連結されたダイパッド３７が形成される。
形成された端子部３３の内部端子３３ａはハーフエッチ
ングによる薄肉部となっている。また、エッチングで除
去された端子部３３、接続リード３４、ダイパッド３７
および接続リード３９の側面部は、導電性基板７１がエ
ッチング加工性の低い金属層３５よりも内側まで腐蝕除
去され、その結果、金属層３５は側面部へ突出する突出
部３５ａを有するものとなる。また、形成されたダイパ
ッド３７は、裏面３７Ｂに複数の凹部３８が形成されて
おり、この凹部３８は導電性基板７１がエッチング加工
性の低い金属層３５よりも内側まで腐蝕除去され形成さ
れたものである。したがって、凹部３８の開口部３８ａ
は、この開口部３８ａに突出している金属層３５の突出
部３５ａの開口幅よりも大きくなっている。

【００６３】次いで、レジストパターン７３Ａ，７３Ｂ
を剥離して除去する（図１３（Ａ）レジスト除去工
程）。

【００６４】次に、めっき工程として、レジスト除去が
終了した導電性基板７１をめっき浴に浸漬して、導電性
基板７１と金属層３５の露出部位に電気めっきによりめ
っき層４０を形成して、図７に示される本発明の回路部
材３１が得られる（図１３（Ｂ））。めっき層４０は、
端子部３３、接続リード３４、ダイパッド３７、接続リ
ード３９の各側面と、ダイパッド３７に設けられた凹部
３８内と、金属層３５上とに設けられている。特に、上
記の突出部３５ａでは、金属析出が大きくめっき層４０
の厚みが大きいものとなる。

【００６５】めっき層４０は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕおよびその合金のい
ずれかからなる単層、あるいは、２種以上の組み合わせ
の多層とすることができる。

【００６６】尚、めっき工程で形成しためっき層４０に
樹脂封止部材との密着性を向上させるために、化学的結
合強化処理や粗面化処理（物理的結合強化処理）を施し
てもよい。粗面化処理は、Ｚｎ−Ｃｒ合金等のめっき層
形成（米国オーリン社のＡ２プロセス）、もしくはニッ
ケルめっきに対する種々のクロメート処理等が挙げら
れ、めっき層４０の表面粗さＲａを３０ｎｍ以上程度に
設定することが好ましい。このような粗面化処理を施す
ことにより、めっき層４０の封止樹脂に対する密着性が
向上する。

【００６７】このような本発明の回路部材３１を用いた
樹脂封止型半導体装置の製造方法は、上述の図９に示し
たものと同様である。

【００６８】

【実施例】次に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に
詳細に説明する。（実施例１）導電性基板として厚み０．１５ｍｍのＣｕ
合金基板（古河電気工業（株）製ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１
／２Ｈ）を準備し、脱脂処理、洗浄処理を行った後、こ
の導電性基板の片面にＮｉ電気めっき（ワット浴）によ
り厚み２μｍのＮｉ金属層を形成した。

【００６９】このようにＮｉ金属層を形成したＣｕ合金
基板に、紫外線硬化型レジスト（東京応化工業（株）製
ＯＦＰＲ１３０５）を掛け流し法により塗布して乾燥し
た。次いで、表面側および裏面側のレジスト層を、２０
８ピンＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）
タイプの回路部材作製用のフォトマスクを介してそれぞ
れ露光した後、現像してレジストパターンを形成した。
上記のフォトマスクは、ダイパッドの裏面（Ｎｉ金属層
形成面側）にハーフエッチング加工により半球形状の凹
部（ディンプル）が形成される設計となっている。次
に、導電性基板の両面から塩化第二鉄水溶液を使用して
スプレーエッチングを行い、洗浄後、有機アルカリ溶液
を用いてレジストパターンを剥離除去した。

【００７０】上記のエッチング工程では、Ｃｕ合金基板
がエッチング加工性の低いＮｉ金属層よりも内側まで腐
蝕除去された。その結果、得られた回路部材は、図１〜
図４に示されるように裏面にＮｉ金属層を備え、このＮ
ｉ金属層は端子部、接続リード部の側面部へ突出する突
出部、ダイパッドの側面部へ突出する突出部、および、
ダイパッドの凹部の開口部へ突出する突出部とを有する
ものであった。（実施例２）導電性基板として厚み０．１５ｍｍのＣｕ
合金基板（古河電気工業（株）製ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１
／２Ｈ）を準備し、脱脂処理、洗浄処理を行った後、こ
の導電性基板の片面にＮｉ電気めっき（ワット浴）によ
り厚み２μｍのＮｉ金属層を形成した。

【００７１】このようにＮｉ金属層を形成したＣｕ合金
基板に、紫外線硬化型レジスト（東京応化工業（株）製
ＯＦＰＲ１３０５）を掛け流し法により塗布して乾燥し
た。次いで、表面側および裏面側のレジスト層を、２０
８ピンＱＦＰタイプの回路部材作製用のフォトマスクを
介してそれぞれ露光した後、現像してレジストパターン
を形成した。上記のフォトマスクは、ダイパッドの裏面
（Ｎｉ金属層形成面側）にハーフエッチング加工により
半球形状の凹部（ディンプル）が形成される設計となっ
ている。次に、導電性基板の両面から塩化第二鉄水溶液
を使用してスプレーエッチングを行い洗浄した。上記の
エッチング工程では、Ｃｕ合金基板がエッチング加工性
の低いＮｉ金属層よりも内側まで腐蝕除去された。

【００７２】次に、残存しているレジストパターンをマ
スクとして、Ｃｕ電気めっき（シアン浴）により厚み２
μｍのＣｕめっき層を形成した。その後、有機アルカリ
溶液を用いてレジストパターンを剥離除去して回路部材
を得た。得られた回路部材は、図６に示されるように裏
面にＮｉ金属層を備え、このＮｉ金属層は端子部、接続
リード部の側面部へ突出する突出部、ダイパッドの側面
部へ突出する突出部、および、ダイパッドの凹部の開口
部へ突出する突出部を有するものであった。そして、端
子部のハーフエッチング部（薄肉部）や側面部、ダイパ
ッドの側面部や凹部内面、および、Ｎｉ金属層の突出部
にはＣｕめっき層が形成され、一方、回路部材の表面に
はＣｕめっき層が形成されていないことが確認された。（実施例３）導電性基板として厚み０．１５ｍｍのＣｕ
合金基板（古河電気工業（株）製ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１
／２Ｈ）を準備し、脱脂処理、洗浄処理を行った後、こ
の導電性基板の両面にＮｉ電気めっき（ワット浴）によ
り厚み２μｍのＮｉ金属層を形成した。

【００７３】このようにＮｉ金属層を形成したＣｕ合金
基板に、紫外線硬化型レジスト（東京応化工業（株）製
ＯＦＰＲ１３０５）を掛け流し法により塗布して乾燥し
た。次いで、表面側および裏面側のレジスト層を、２０
８ピンＱＦＰタイプの回路部材作製用のフォトマスクを
介してそれぞれ露光した後、現像してレジストパターン
を形成した。上記のフォトマスクは、ダイパッドの裏面
にハーフエッチング加工により半球形状の凹部（ディン
プル）が形成される設計となっている。その後、導電性
基板の両面から塩化第二鉄水溶液を使用してスプレーエ
ッチングを行い、洗浄後、有機アルカリ溶液を用いてレ
ジストパターンを剥離除去した。上記のエッチング工程
では、Ｃｕ合金基板がエッチング加工性の低いＮｉ金属
層よりも内側まで腐蝕除去された。その結果、レジスト
パターン除去段階で得られた回路部材は、表面および裏
面にＮｉ金属層を備え、このＮｉ金属層は端子部、接続
リード部の側面部へ突出する突出部、ダイパッドの側面
部へ突出する突出部、および、ダイパッドの凹部の開口
部へ突出する突出部とを有するものであった。

【００７４】次に、上記の回路部材にＮｉ電気めっき
（ワット浴）により厚み１μｍのＮｉめっき層を形成
し、この上にＰｄ電気めっき（アンミン浴）により厚み
０．１μｍのＰｄめっき層を形成して２層構造のＮｉ−
Ｐｄめっき層を設けた。これにより得られた回路部材
は、図７に示されるように表面および裏面の全体にＮｉ
−Ｐｄめっき層が形成されたものであった。

【００７５】尚、比較として、Ｃｕ合金基板上にＮｉめ
っき層を形成しない他は、実施例１と同様にして回路部
材（比較例１）を作製した。

【００７６】さらに、比較として、Ｃｕ合金基板上にＮ
ｉめっき層を形成せず、かつ、ダイパッド裏面に凹部
（ディンプル）を形成しない他は、実施例１と同様にし
て回路部材（比較例２）を作製した。（半導体装置の作製）まず、上記の回路部材のうち実施
例１〜２、比較例１〜２の内部端子上に銀めっき層（厚
み約５μｍ）を形成した。

【００７７】次に、上記の回路部材（実施例１〜３、比
較例１〜２）のダイパッド表面側に両面接着テープ
（（株）巴川製紙所製ＵＸ１Ｗ）を介して半導体素子の
回路形成面の裏面側を圧着して加熱（１８０℃）するこ
とにより固着して半導体素子を搭載した。次いで、回路
部材の内部端子と搭載した半導体素子の端子とを金線に
より結線した。その後、外部端子の一部を外部に露出さ
せるようにして、端子部、ダイパッド、半導体素子およ
び金線を封止樹脂（日東電工（株）製ＭＰ−８０００）
で封止した。

【００７８】次に、露出している回路部材の各接続リー
ドを切断して外枠部材を除去し、封止樹脂から外部に突
出している外部端子を所定形状に折り曲げて、樹脂封止
型半導体装置（２０８ピンＱＦＰ（２．２ｍｍ厚））を
作製した。

【００７９】このようにして作製した樹脂封止型半導体
装置（実施例１〜３、比較例１〜２）に対して、下記の
パッケージクラック試験を実施し、実体顕微鏡（倍率１
０〜４０）で外観を観察し、パッケージクラックの発生
数を測定した。この結果を下記の表１に示した。

【００８０】パッケージクラック試験２４０℃の共晶はんだ浴に浸漬（１０秒間×３回）する
操作を、樹脂封止型半導体装置の作製後、４時間、８時
間、１６時間、３２時間、６４時間の経時で行う。尚、
１回の浸漬操作には５個の樹脂封止型半導体装置を使用
し、また、樹脂封止型半導体装置は８５℃、８５％ＲＨ
の環境下で保管する。

【００８１】

【表１】表１に示されるように、本発明の回路部材を使用した樹
脂封止型半導体装置（実施例１〜３）は、いずれも６４
時間経過後もパッケージクラックが発生せず、高い耐性
を有していることが確認された。

【００８２】一方、比較の回路部材（比較例１〜２）を
用いた樹脂封止型半導体装置は、８時間経過、あるいは
１６時間経過でパッケージクラックが発生した。

【００８３】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば金
属層が、端子部の側面部へ突出し、ダイパッドの側面部
や凹部の開口部へ突出し、この金属層の突出部によっ
て、封止樹脂と端子部、ダイパッドが確実に固定される
ので、端子部やダイパッドの剥離が防止され、封止樹脂
にクラックの発生がない耐久性および信頼性に優れた樹
脂封止型の半導体装置が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の回路部材の一実施形態を示す平面図で
ある。

【図２】図１に示される回路部材のＡ−Ａ線における縦
断面図である。

【図３】図１に示される回路部材の端子部の部分拡大斜
視図である。

【図４】図１に示される回路部材のダイパッドの裏面側
の斜視図である。

【図５】本発明の回路部材の他の実施形態を示す図２相
当の断面図である。

【図６】本発明の回路部材の他の実施形態を示す図２相
当の断面図である。

【図７】本発明の回路部材の他の実施形態を示す図２相
当の断面図である。

【図８】図１乃至図４に示される回路部材の製造方法の
一実施形態を示す工程図である。

【図９】本発明の回路部材を用いた樹脂封止型半導体装
置の製造方法の一例を示す工程図である。

【図１０】図６に示される回路部材の製造方法の一実施
形態を示す工程図である。

【図１１】図６に示される回路部材の製造方法の一実施
形態を示す工程図である。

【図１２】図７に示される回路部材の製造方法の一実施
形態を示す工程図である。

【図１３】図７に示される回路部材の製造方法の一実施
形態を示す工程図である。

【符号の説明】

１，１１，２１，３１…回路部材２，１２，２２，３２…外枠部材３，１３，２３，３３…端子部３ａ，１３ａ，２３ａ，３３ａ…内部端子３ｂ，１３ｂ，２３ｂ，３３ｂ…外部端子４，９，１４…接続リード５，１５，２５，３５…金属層５ａ，１５ａ，２５ａ，３５ａ…突出部７，１７，２７，３７…ダイパッド８，１８，２８，３８…凹部８ａ，１８ａ，２８ａ，３８ａ…凹部の開口部３０，４０…めっき層５１，６１，７１…導電性基板５３Ａ，５３Ｂ，６３Ａ，６３Ｂ，７３Ａ，７３Ｂ…レ
ジストパターン１０１…樹脂封止型半導体装置１０２…半導体素子１０２ａ…端子１０４…ワイヤ１０６…封止樹脂

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】外枠部材と、該外枠部材から各々接続リ
ードを介して相互に独立して配設された複数の端子部
と、前記外枠部材から接続リードを介して配設されたダ
イパッドとを備え、前記端子部は少なくとも一方の面に
側面部へ突出するような金属層を有し、前記ダイパッド
は少なくとも一方の面に凹部を有するとともに、少なく
とも該凹部の開口部へ突出するような金属層を有するこ
とを特徴とする樹脂封止型半導体装置用の回路部材。
【請求項２】前記金属層はＮｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、
Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕおよびその合金のいずれかから
なる単層、あるいは、２種以上の組み合わせの多層であ
ることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体
装置用の回路部材。
【請求項３】前記端子部の側面部と、前記ダイパッド
の凹部内表面と、前記金属層の少なくとも側端面とに、
めっき層を有することを特徴とする請求項１または請求
項２に記載の樹脂封止型半導体装置用の回路部材。
【請求項４】前記めっき層はＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａ
ｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕおよびその合金のい
ずれかからなる単層、あるいは、２種以上の組み合わせ
の多層であることを特徴とする請求項３に記載の樹脂封
止型半導体装置用の回路部材。
【請求項５】導電性基板の少なくとも一方の面に、該
導電性基板よりもエッチング加工性の低い材料で金属層
を形成する金属層形成工程と、金属層が形成された導電性基板の両面に所定の形状でレ
ジストパターンを形成し、該レジストパターンを耐腐蝕
膜として前記金属層および導電性基板をエッチングし
て、外枠部材と、接続リードを介して相互に独立するよ
うに前記外枠部材に連結された複数の端子部と、接続リ
ードを介して前記外枠部材に連結され少なくとも一方の
面に凹部を有するダイパッドを形成するエッチング工程
と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程と、を有
することを特徴とする回路部材の製造方法。
【請求項６】前記エッチング工程と前記レジスト除去
工程との間に、露出している前記端子部の側面部と、前
記ダイパッドの側面部および凹部内表面と、前記金属層
の側端面とに、めっき層を形成するめっき工程を有する
ことを特徴とする請求項５に記載の回路部材の製造方
法。
【請求項７】前記レジスト除去工程の後に、露出して
いる前記端子部の側面部と、前記ダイパッドの側面部お
よび凹部内表面と、前記金属層とに、めっき層を形成す
るめっき工程を有することを特徴とする請求項５に記載
の回路部材の製造方法。
【請求項８】前記金属層形成工程において、金属層を
Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕおよ
びその合金のいずれかからなる単層、あるいは、２種以
上の組み合わせの多層として形成することを特徴とする
請求項５乃至請求項７のいずれかに記載の回路部材の製
造方法。
【請求項９】前記めっき工程において、めっき層をＣ
ｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｒｕ
およびその合金のいずれかからなる単層、あるいは、２
種以上の組み合わせの多層として形成することを特徴と
する請求項６乃至請求項８のいずれかに記載の回路部材
の製造方法。