JPH11121673A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
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- JPH11121673A JPH11121673A JP9276880A JP27688097A JPH11121673A JP H11121673 A JPH11121673 A JP H11121673A JP 9276880 A JP9276880 A JP 9276880A JP 27688097 A JP27688097 A JP 27688097A JP H11121673 A JPH11121673 A JP H11121673A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
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- H—ELECTRICITY
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＩＣ組み立て時の温度が比較的高温であって
も、リードフレーム表面の酸化膜の生成に起因したデラ
ミネーションの発生を防止でき、かつ、ワイヤーボンデ
ィング性を損なわない銅合金製のリードフレームを提供
する。 【解決手段】銅合金材からなり、半導体素子が載置され
るダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられ、半導体
素子上の接続用パッドと結線するためのインナーリード
と、前記インナーリードから連続し、外部回路との結線
を行うアウターリードとを少なくとも備え、銅ストライ
クメッキを介し、前記インナーリードの先端部位および
ダイパッド面に部分銀メッキを施した樹脂封止型の半導
体装置用リードフレームであって、部分銀メッキ部位以
外の銅ストライクメッキ表面全体にＣｕ2 Ｏ酸化膜が形
成してあることを特徴とするリードフレーム
も、リードフレーム表面の酸化膜の生成に起因したデラ
ミネーションの発生を防止でき、かつ、ワイヤーボンデ
ィング性を損なわない銅合金製のリードフレームを提供
する。 【解決手段】銅合金材からなり、半導体素子が載置され
るダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられ、半導体
素子上の接続用パッドと結線するためのインナーリード
と、前記インナーリードから連続し、外部回路との結線
を行うアウターリードとを少なくとも備え、銅ストライ
クメッキを介し、前記インナーリードの先端部位および
ダイパッド面に部分銀メッキを施した樹脂封止型の半導
体装置用リードフレームであって、部分銀メッキ部位以
外の銅ストライクメッキ表面全体にＣｕ2 Ｏ酸化膜が形
成してあることを特徴とするリードフレーム
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路装
置等に用いる樹脂封止型のリードフレームに係わり、特
に、銅合金を素材とし、封止用樹脂との接合強度を向上
させたリードフレームに関する。
置等に用いる樹脂封止型のリードフレームに係わり、特
に、銅合金を素材とし、封止用樹脂との接合強度を向上
させたリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体装置に組み込まれるリード
フレームは、４２合金（ニッケル42重量％、残部鉄であ
る鉄合金）、銅系合金もしくは、コバール等の導電性に
優れた金属を素材とし、金型を用いたプレス法、もしく
はフォトエッチング法等により成形されている。
フレームは、４２合金（ニッケル42重量％、残部鉄であ
る鉄合金）、銅系合金もしくは、コバール等の導電性に
優れた金属を素材とし、金型を用いたプレス法、もしく
はフォトエッチング法等により成形されている。
【０００３】リードフレームの種類の一つに、樹脂封止
（プラスチックパケージ）型のリードフレームが知られ
ている。図７は、樹脂封止（プラスチックパケージ）型
リードフレームの一般的な形態である、ＱＦＰ（Ｑｕａ
ｄ Ｆｌａｔ Ｐａｋｅａｇｅ）タイプのリードフレー
ムを模式的に示す図である。ＱＦＰタイプのリードフレ
ーム１２０は、図７に示すように、半導体素子（ＩＣチ
ップ）を搭載する部位であるダイパッド１２１と、ダイ
パッド１２１上に搭載する半導体素子に形成された接続
用パッドと結線される、ダイパッド１２１の周囲に設け
られた複数のインナーリード１２３と、外部回路との結
線を行う、インナーリード１２３から連続するアウター
リード１２２と、リードフレーム１２０を樹脂封止する
際に封止樹脂をせき止めるダムとなるダムバー１２４
と、リードフレーム１２０全体を保持するフレーム
（枠）部１２５等を備えている。
（プラスチックパケージ）型のリードフレームが知られ
ている。図７は、樹脂封止（プラスチックパケージ）型
リードフレームの一般的な形態である、ＱＦＰ（Ｑｕａ
ｄ Ｆｌａｔ Ｐａｋｅａｇｅ）タイプのリードフレー
ムを模式的に示す図である。ＱＦＰタイプのリードフレ
ーム１２０は、図７に示すように、半導体素子（ＩＣチ
ップ）を搭載する部位であるダイパッド１２１と、ダイ
パッド１２１上に搭載する半導体素子に形成された接続
用パッドと結線される、ダイパッド１２１の周囲に設け
られた複数のインナーリード１２３と、外部回路との結
線を行う、インナーリード１２３から連続するアウター
リード１２２と、リードフレーム１２０を樹脂封止する
際に封止樹脂をせき止めるダムとなるダムバー１２４
と、リードフレーム１２０全体を保持するフレーム
（枠）部１２５等を備えている。
【０００４】半導体装置の断面を模式的に表す図６に示
すように、ダイパッド１２１上に半導体素子１１０を搭
載した後、半導体素子１１０に形成された端子（接続用
パッド１１１）とインナーリード１２３の先端部とを、
金（Ａｕ）等の細線（ワイヤー１３０）で結線（ワイヤ
ーボンディング）を行う。次いで、樹脂１４０にて半導
体素子１１０を覆うようダムバー１２４より内側を樹脂
封止した後、ダムバー１２４部の切断、アウターリード
１２２部を所定の形状に成形する等の工程を経て半導体
装置１００を得るものである。
すように、ダイパッド１２１上に半導体素子１１０を搭
載した後、半導体素子１１０に形成された端子（接続用
パッド１１１）とインナーリード１２３の先端部とを、
金（Ａｕ）等の細線（ワイヤー１３０）で結線（ワイヤ
ーボンディング）を行う。次いで、樹脂１４０にて半導
体素子１１０を覆うようダムバー１２４より内側を樹脂
封止した後、ダムバー１２４部の切断、アウターリード
１２２部を所定の形状に成形する等の工程を経て半導体
装置１００を得るものである。
【０００５】上述した例に示すリードフレーム１２０
は、ワイヤーボンディング時、および、ダイパッド１２
１に半導体素子１１０を搭載する際に、リードフレーム
との強い結合力と導電性を得るため、図５に示すよう
に、ワイヤーボンディングを行うインナーリード１２３
の先端部位、および半導体素子を搭載する面側のダイパ
ッド１２１面に少なくとも貴金属メッキを施していもの
である。貴金属メッキとしては、銀メッキが一般的に行
われており、図５の例では、銀メッキ２５０部位として
示している。なお、インナーリード１２３の先端部位、
および半導体素子を搭載する面側のダイパッド１２１面
に行う銀メッキを、以下部分銀メッキと記す。
は、ワイヤーボンディング時、および、ダイパッド１２
１に半導体素子１１０を搭載する際に、リードフレーム
との強い結合力と導電性を得るため、図５に示すよう
に、ワイヤーボンディングを行うインナーリード１２３
の先端部位、および半導体素子を搭載する面側のダイパ
ッド１２１面に少なくとも貴金属メッキを施していもの
である。貴金属メッキとしては、銀メッキが一般的に行
われており、図５の例では、銀メッキ２５０部位として
示している。なお、インナーリード１２３の先端部位、
および半導体素子を搭載する面側のダイパッド１２１面
に行う銀メッキを、以下部分銀メッキと記す。
【０００６】従来、銅合金を素材とするリードフレーム
１２０に部分銀メッキ処理を行うにあたり、図３に示す
ように、リードフレーム１２０上に銅ストライクメッキ
２４０を施した後、半導体素子搭載部であるダイパッド
１２１とインナーリード１２３の先端部とに部分銀メッ
キ２５０を形成していたものである。その部分銀メッキ
工程の一例を以下に記す。
１２０に部分銀メッキ処理を行うにあたり、図３に示す
ように、リードフレーム１２０上に銅ストライクメッキ
２４０を施した後、半導体素子搭載部であるダイパッド
１２１とインナーリード１２３の先端部とに部分銀メッ
キ２５０を形成していたものである。その部分銀メッキ
工程の一例を以下に記す。
【０００７】まず、図４の工程図に示すように、プレス
法、もしくはフォトエッチング法等の公知の手段により
外形加工されたリードフレーム１２０に対し、脱脂、酸
洗浄等の前処理工程を行う。
法、もしくはフォトエッチング法等の公知の手段により
外形加工されたリードフレーム１２０に対し、脱脂、酸
洗浄等の前処理工程を行う。
【０００８】次いで、部分銀メッキの下地となる下地メ
ッキをリードフレーム１２０に施す。下地メッキは銅
（Ｃｕ）ストライクメッキが通常的に用いられ、 0.1〜
0.2μｍ厚程度の銅（Ｃｕ）ストライクメッキとするこ
とが一般的となっている。
ッキをリードフレーム１２０に施す。下地メッキは銅
（Ｃｕ）ストライクメッキが通常的に用いられ、 0.1〜
0.2μｍ厚程度の銅（Ｃｕ）ストライクメッキとするこ
とが一般的となっている。
【０００９】次いで、所定の領域（例えば、インナーリ
ード１２３の先端部位、および半導体素子を搭載する面
側のダイパッド１２１面）に 1.5〜10μｍ厚程度の部分
銀メッキを施す。なお、部分銀メッキの手段としては、
所定の開口部を有するマスキング治具をリードフレーム
に密着させ、または、所定の開口部を有する電着レジス
トをリードフレームに形成し、しかる後、リードフレー
ムに銀メッキを行うことで、開口部より露出した部位に
選択的に銀メッキを行う方法等が知られている。
ード１２３の先端部位、および半導体素子を搭載する面
側のダイパッド１２１面）に 1.5〜10μｍ厚程度の部分
銀メッキを施す。なお、部分銀メッキの手段としては、
所定の開口部を有するマスキング治具をリードフレーム
に密着させ、または、所定の開口部を有する電着レジス
トをリードフレームに形成し、しかる後、リードフレー
ムに銀メッキを行うことで、開口部より露出した部位に
選択的に銀メッキを行う方法等が知られている。
【００１０】次いで、部分銀メッキの後、メッキ液がモ
レる等で、銀メッキが施されてはならないリードフレー
ム部位に付着した銀を除去する電解剥離処理を行う。次
いで、酸化、水酸化による銀メッキの変色を防止するた
め変色防止処理を行う。なお、変色防止処理の手段とし
ては、例えば、銀メッキ表面に薄く銀（Ａｇ）有機被膜
を形成することが一般的となっている。
レる等で、銀メッキが施されてはならないリードフレー
ム部位に付着した銀を除去する電解剥離処理を行う。次
いで、酸化、水酸化による銀メッキの変色を防止するた
め変色防止処理を行う。なお、変色防止処理の手段とし
ては、例えば、銀メッキ表面に薄く銀（Ａｇ）有機被膜
を形成することが一般的となっている。
【００１１】銅合金を素材とし、下地メッキ（銅ストラ
イクメッキ）を介して部分銀メッキを施したリードフレ
ームにあっては、リードフレーム製造後に行われる、半
導体素子の搭載、ワイヤーボンディング、樹脂封止等の
半導体装置の製造工程や、半導体装置の実装工程におい
て、下地メッキ（銅ストライクメッキ）が剥離すること
がなく、また、半導体装置を使用する際にも下地メッキ
（銅ストライクメッキ）が剥離しないことが要求される
ものである。
イクメッキ）を介して部分銀メッキを施したリードフレ
ームにあっては、リードフレーム製造後に行われる、半
導体素子の搭載、ワイヤーボンディング、樹脂封止等の
半導体装置の製造工程や、半導体装置の実装工程におい
て、下地メッキ（銅ストライクメッキ）が剥離すること
がなく、また、半導体装置を使用する際にも下地メッキ
（銅ストライクメッキ）が剥離しないことが要求される
ものである。
【００１２】しかしながら、上述したメッキ処理を施し
た銅合金を素材とするリードフレームであっても、半導
体装置の製造工程や半導体装置の実装工程で、リードフ
レームに起因する封止樹脂のデラミネーション（剥離）
が生じているものである。
た銅合金を素材とするリードフレームであっても、半導
体装置の製造工程や半導体装置の実装工程で、リードフ
レームに起因する封止樹脂のデラミネーション（剥離）
が生じているものである。
【００１３】封止樹脂がデラミネーション（剥離）を生
じた場合、リードフレームと封止樹脂の隙間より湿気が
進入し、半導体装置の耐久性、信頼性を低下させる等の
問題となるものである。
じた場合、リードフレームと封止樹脂の隙間より湿気が
進入し、半導体装置の耐久性、信頼性を低下させる等の
問題となるものである。
【００１４】封止樹脂とリードフレーム（例えば、ダイ
パッド裏面）との界面に生じるデラミネーション（剥
離）の原因として、銅ストライクメッキを介して部分銀
メッキを施した後に電解剥離と変色防止処理が施された
銅合金を素材とするリードフレームにおいて、半導体装
置製造工程中のリードフレームへの加熱工程で、銅スト
ライクメッキまたは、銅合金表面に酸化膜が生じ、酸化
膜と金属（銅ストライクメッキ、または、銅合金）との
密着強度が不十分となると推測されるものである。
パッド裏面）との界面に生じるデラミネーション（剥
離）の原因として、銅ストライクメッキを介して部分銀
メッキを施した後に電解剥離と変色防止処理が施された
銅合金を素材とするリードフレームにおいて、半導体装
置製造工程中のリードフレームへの加熱工程で、銅スト
ライクメッキまたは、銅合金表面に酸化膜が生じ、酸化
膜と金属（銅ストライクメッキ、または、銅合金）との
密着強度が不十分となると推測されるものである。
【００１５】このため、封止樹脂とリードフレーム（例
えば、ダイパッド裏面）との界面における密着強度を向
上し、デラミネーション（剥離）の発生を防止する方法
として、以下の提案がなされているものである。すなわ
ち、特願平５−５１２６８８号においては、クロムと亜
鉛の混合体あるいは、クロム、亜鉛それぞれの単体から
なる薄い被膜で全面を覆ったリードフレームが提案され
ている。しかし、上記提案のリードフレームは、部分銀
メッキ部位をもクロム、亜鉛等の金属被膜で覆うため、
金（Ａｕ）ワイヤーを用いたワイヤーボンディング性が
劣るという問題が生じる。
えば、ダイパッド裏面）との界面における密着強度を向
上し、デラミネーション（剥離）の発生を防止する方法
として、以下の提案がなされているものである。すなわ
ち、特願平５−５１２６８８号においては、クロムと亜
鉛の混合体あるいは、クロム、亜鉛それぞれの単体から
なる薄い被膜で全面を覆ったリードフレームが提案され
ている。しかし、上記提案のリードフレームは、部分銀
メッキ部位をもクロム、亜鉛等の金属被膜で覆うため、
金（Ａｕ）ワイヤーを用いたワイヤーボンディング性が
劣るという問題が生じる。
【００１６】また、特開平９−１１６０６５号公報で
は、部分銀メッキの下地メッキとして、亜鉛フラッシュ
メッキ、銅ストライクメッキによる外装メッキを全面に
施したリードフレームが提案されている。しかし、この
提案のリードフレームにおいても、外装メッキする際
に、スズ（Ｓｎ）の針状結晶ができ、アウターリード間
の短絡を招く恐れが有り、信頼性の面で問題があるとい
える。
は、部分銀メッキの下地メッキとして、亜鉛フラッシュ
メッキ、銅ストライクメッキによる外装メッキを全面に
施したリードフレームが提案されている。しかし、この
提案のリードフレームにおいても、外装メッキする際
に、スズ（Ｓｎ）の針状結晶ができ、アウターリード間
の短絡を招く恐れが有り、信頼性の面で問題があるとい
える。
【００１７】また、図４に示した、従来のリードフレー
ムへのメッキ工程のように、銀（Ａｇ）有機被膜を形成
することで、銅の酸化、または水酸化による変色防止を
行う方法では、半導体装置の製造時にリードフレームへ
の加熱温度を高くした場合、デラミネーション防止の効
果が得られないものである。
ムへのメッキ工程のように、銀（Ａｇ）有機被膜を形成
することで、銅の酸化、または水酸化による変色防止を
行う方法では、半導体装置の製造時にリードフレームへ
の加熱温度を高くした場合、デラミネーション防止の効
果が得られないものである。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述した問
題点に鑑みなされたもので、半導体装置製造時にリード
フレームへの加熱温度が比較的高温（例えば 300℃程
度）であっても、リードフレーム表面の酸化膜（ＣｕＯ
酸化膜）の生成に起因したデラミネーションの発生を防
止でき、かつ、ワイヤーボンディング性を損なわない銅
合金製のリードフレームを提供するものである。
題点に鑑みなされたもので、半導体装置製造時にリード
フレームへの加熱温度が比較的高温（例えば 300℃程
度）であっても、リードフレーム表面の酸化膜（ＣｕＯ
酸化膜）の生成に起因したデラミネーションの発生を防
止でき、かつ、ワイヤーボンディング性を損なわない銅
合金製のリードフレームを提供するものである。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明に於いて上記課題
を達成するために、まず請求項１においては、銅合金材
からなり、半導体素子が載置されるダイパッドと、ダイ
パッドの周囲に設けられ、半導体素子上の接続用パッド
と結線するためのインナーリードと、前記インナーリー
ドから連続し、外部回路との結線を行うアウターリード
とを少なくとも備え、銅ストライクメッキを介し、前記
インナーリードの先端部位および半導体素子が載置され
るダイパッド面に部分銀メッキを施した樹脂封止型の半
導体装置用リードフレームであって、前記部分銀メッキ
部位を除いた銅ストライクメッキ表面にＣｕ2 Ｏ酸化膜
を形成したことを特徴とするリードフレームとしたもの
である。
を達成するために、まず請求項１においては、銅合金材
からなり、半導体素子が載置されるダイパッドと、ダイ
パッドの周囲に設けられ、半導体素子上の接続用パッド
と結線するためのインナーリードと、前記インナーリー
ドから連続し、外部回路との結線を行うアウターリード
とを少なくとも備え、銅ストライクメッキを介し、前記
インナーリードの先端部位および半導体素子が載置され
るダイパッド面に部分銀メッキを施した樹脂封止型の半
導体装置用リードフレームであって、前記部分銀メッキ
部位を除いた銅ストライクメッキ表面にＣｕ2 Ｏ酸化膜
を形成したことを特徴とするリードフレームとしたもの
である。
【００２０】また、請求項２においては、Ｃｕ2 Ｏ酸化
膜の厚さが０．００２μｍ以上、０．０２０μｍ以下で
あることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム
としたものである。
膜の厚さが０．００２μｍ以上、０．０２０μｍ以下で
あることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム
としたものである。
【００２１】すなわち、前述したように、半導体装置製
造時に温度を高くした際、銅ストライクメッキ表面に酸
化膜（ＣｕＯ酸化膜）が生成され、この酸化膜（ＣｕＯ
酸化膜）が、ダイパッド裏面を含むリードフレーム表面
と封止樹脂との結合を弱め、リードフレーム表面と封止
樹脂との界面でのデラミネーション（剥離）を生じると
推定されるものである。そこで、本発明者らは上記課題
を解決すべく鋭意検討を行った結果、図１に示すよう
に、部分銀メッキ２５０を施す部位を除く銅ストライク
メッキ２４０表面にＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成してお
けば、半導体装置製造時にリードフレーム２１０への加
熱温度を高くしても、銅ストライクメッキ２４０からの
ＣｕＯ酸化膜の生成および、成長が抑制され、リードフ
レーム２１０表面と封止樹脂との界面でのデラミネーシ
ョン（剥離）を防止でき、かつ、ボンディング性も損な
われないことを見いだしたものであり、これを提案する
ものである。
造時に温度を高くした際、銅ストライクメッキ表面に酸
化膜（ＣｕＯ酸化膜）が生成され、この酸化膜（ＣｕＯ
酸化膜）が、ダイパッド裏面を含むリードフレーム表面
と封止樹脂との結合を弱め、リードフレーム表面と封止
樹脂との界面でのデラミネーション（剥離）を生じると
推定されるものである。そこで、本発明者らは上記課題
を解決すべく鋭意検討を行った結果、図１に示すよう
に、部分銀メッキ２５０を施す部位を除く銅ストライク
メッキ２４０表面にＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成してお
けば、半導体装置製造時にリードフレーム２１０への加
熱温度を高くしても、銅ストライクメッキ２４０からの
ＣｕＯ酸化膜の生成および、成長が抑制され、リードフ
レーム２１０表面と封止樹脂との界面でのデラミネーシ
ョン（剥離）を防止でき、かつ、ボンディング性も損な
われないことを見いだしたものであり、これを提案する
ものである。
【００２２】ここで、銅ストライクメッキ２４０表面に
Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成する手段として、硫酸銅水
溶液または、亜塩素酸系ナトリウム水溶液（亜塩素酸ナ
トリウム、水酸化ナトリウム、リン酸三ナトリウムの混
合水溶液）等にリードフレームを浸漬処理する方法等が
あげられる。これにより、銅ストライクメッキ２４０表
面にＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０が形成され、ダイパッド裏面
を含めたリードフレーム表面と封止樹脂との全ての界面
で、酸化膜（ＣｕＯ酸化膜）の生成に起因するデラミネ
ーション（剥離）を防止できる。
Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成する手段として、硫酸銅水
溶液または、亜塩素酸系ナトリウム水溶液（亜塩素酸ナ
トリウム、水酸化ナトリウム、リン酸三ナトリウムの混
合水溶液）等にリードフレームを浸漬処理する方法等が
あげられる。これにより、銅ストライクメッキ２４０表
面にＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０が形成され、ダイパッド裏面
を含めたリードフレーム表面と封止樹脂との全ての界面
で、酸化膜（ＣｕＯ酸化膜）の生成に起因するデラミネ
ーション（剥離）を防止できる。
【００２３】なお、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０上に部分銀メ
ッキ２５０を施した場合、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０と部分
銀メッキ２５０との密着力が弱いため、部分銀メッキ２
５０が剥離する恐れがある。このため本発明では、部分
銀メッキ２５０は銅ストライクメッキ２４０上に施し、
部分銀メッキ２５０を施す部位を除く銅ストライクメッ
キ２４０表面上にＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成するもの
である。
ッキ２５０を施した場合、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０と部分
銀メッキ２５０との密着力が弱いため、部分銀メッキ２
５０が剥離する恐れがある。このため本発明では、部分
銀メッキ２５０は銅ストライクメッキ２４０上に施し、
部分銀メッキ２５０を施す部位を除く銅ストライクメッ
キ２４０表面上にＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成するもの
である。
【００２４】次いで、本発明者らは、デラミネーション
（剥離）の防止の効果が得られるＣｕ2 Ｏ酸化膜の適切
な厚みとして、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜の膜厚を０．００２μｍ
以上、０．０２０μｍ以下とすることを提案するもので
ある。
（剥離）の防止の効果が得られるＣｕ2 Ｏ酸化膜の適切
な厚みとして、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜の膜厚を０．００２μｍ
以上、０．０２０μｍ以下とすることを提案するもので
ある。
【００２５】すなわち、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０の膜厚が
０．００２μｍより薄い場合、半導体装置製造工程にお
けるリードフレームへの加熱時に、銅ストライクメッキ
よりＣｕ2 Ｏ酸化膜中に拡散する銅イオン濃度が大きく
なり、ＣｕＯ酸化膜の生成および成長を抑制することが
不十分となり、デラミネーション（剥離）の発生を防止
できないことになる。また、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜の膜厚が
０．０２μｍより厚いと、リードフレームの外観が変色
し、かつ、強度的に弱いＣｕ2 Ｏ酸化膜が厚くなるため
強度不足となり、かえってデラミネーション（剥離）を
生じる結果となる。このことより、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜の膜
厚を０．００２μｍ以上、０．０２０μｍ以下とするも
のであり、これにより、半導体装置製造工程において、
リードフレーム２１０を例えば 300℃程度と比較的高い
温度としても、酸化膜（ＣｕＯ酸化膜）の成長に起因す
る、封止樹脂のデラミネーション（剥離）の発生を防止
できるものである。
０．００２μｍより薄い場合、半導体装置製造工程にお
けるリードフレームへの加熱時に、銅ストライクメッキ
よりＣｕ2 Ｏ酸化膜中に拡散する銅イオン濃度が大きく
なり、ＣｕＯ酸化膜の生成および成長を抑制することが
不十分となり、デラミネーション（剥離）の発生を防止
できないことになる。また、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜の膜厚が
０．０２μｍより厚いと、リードフレームの外観が変色
し、かつ、強度的に弱いＣｕ2 Ｏ酸化膜が厚くなるため
強度不足となり、かえってデラミネーション（剥離）を
生じる結果となる。このことより、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜の膜
厚を０．００２μｍ以上、０．０２０μｍ以下とするも
のであり、これにより、半導体装置製造工程において、
リードフレーム２１０を例えば 300℃程度と比較的高い
温度としても、酸化膜（ＣｕＯ酸化膜）の成長に起因す
る、封止樹脂のデラミネーション（剥離）の発生を防止
できるものである。
【００２６】また、本発明のリードフレームにおいて
は、銅ストライクメッキ２４０表面に、非常に薄い銅酸
化膜（Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０）を形成しただけなので、
ワイヤーボンディング性は従来のリードフレームと同等
のものが得られる。また、Ｃｕ 2 Ｏ酸化膜２３０の形成
工程を除けば、本発明のリードフレームは従来のリード
フレームと同様の工程で製造が可能であり、かつ、リー
ドフレーム製造後に行われる各種の後工程も従来のリー
ドフレームと同様の処理で構わず、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜の形
成工程を除けば、特殊な製造工程や処理を必要としな
い。
は、銅ストライクメッキ２４０表面に、非常に薄い銅酸
化膜（Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０）を形成しただけなので、
ワイヤーボンディング性は従来のリードフレームと同等
のものが得られる。また、Ｃｕ 2 Ｏ酸化膜２３０の形成
工程を除けば、本発明のリードフレームは従来のリード
フレームと同様の工程で製造が可能であり、かつ、リー
ドフレーム製造後に行われる各種の後工程も従来のリー
ドフレームと同様の処理で構わず、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜の形
成工程を除けば、特殊な製造工程や処理を必要としな
い。
【００２７】
【発明の実施の形態】本発明のリードフレームの実施例
を示す以下の図面に基づき、さらに説明を行う。
を示す以下の図面に基づき、さらに説明を行う。
【００２８】＜実施例１＞本実施例１のリードフレーム
２１０は、銅合金を素材とし、プレス法または、フォト
エッチング法等を用い、図５に示す従来のリードフレー
ムと同様に、ダイパッド、インナーリード、アウターリ
ード、ダムバー、フレーム（枠）部、および、吊りバー
等で構成されているものである。また、銅ストライクメ
ッキ２４０がリードフレーム２１０全面に施され、ワイ
ヤーボンディングが行われるインナーリードの先端部位
および、半導体素子が搭載される面側のダイパッド面に
は銅ストライクメッキ２４０を介し部分銀メッキ２５０
を施している。
２１０は、銅合金を素材とし、プレス法または、フォト
エッチング法等を用い、図５に示す従来のリードフレー
ムと同様に、ダイパッド、インナーリード、アウターリ
ード、ダムバー、フレーム（枠）部、および、吊りバー
等で構成されているものである。また、銅ストライクメ
ッキ２４０がリードフレーム２１０全面に施され、ワイ
ヤーボンディングが行われるインナーリードの先端部位
および、半導体素子が搭載される面側のダイパッド面に
は銅ストライクメッキ２４０を介し部分銀メッキ２５０
を施している。
【００２９】ここで、本発明のリードフレーム２１０の
特徴として、図１に示すように、部分銀メッキ２５０が
施される部位を除く銅ストライクメッキ２４０表面全体
に、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成しているものである。
なお、図１は、本発明のリードフレーム２１０の一実施
例の要部を模式的に示す断面図であり、部分銀メッキ２
５０が施される、ダイパッド２２１部および、インナー
リード２２３の先端部位を示している。
特徴として、図１に示すように、部分銀メッキ２５０が
施される部位を除く銅ストライクメッキ２４０表面全体
に、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成しているものである。
なお、図１は、本発明のリードフレーム２１０の一実施
例の要部を模式的に示す断面図であり、部分銀メッキ２
５０が施される、ダイパッド２２１部および、インナー
リード２２３の先端部位を示している。
【００３０】本実施例１のリードフレーム２１０は、素
材として厚さ 0.125mmの銅合金材（古河電工（株）製、
商品名「ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１／２Ｈ材」）を用い、公
知のフォトエッチング法により図５の外形形状に加工し
た後、銅ストライクメッキ２４０をリードフレーム２１
０表面全体に施し、しかる後、部分銀メッキ２５０を施
したものである。
材として厚さ 0.125mmの銅合金材（古河電工（株）製、
商品名「ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１／２Ｈ材」）を用い、公
知のフォトエッチング法により図５の外形形状に加工し
た後、銅ストライクメッキ２４０をリードフレーム２１
０表面全体に施し、しかる後、部分銀メッキ２５０を施
したものである。
【００３１】ここで、本実施例１においては、部分銀メ
ッキ２５０を施す部位を除いた銅ストライクメッキ２４
０表面に、硫酸銅水溶液、または亜塩素酸系ナトリウム
水溶液（亜塩素酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、リン
酸三ナトリウムの混合水溶液）等の薬液を用いた処理に
より、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成し、しかる後、Ｃｕ
2 Ｏ酸化膜２３０より露出した銅ストライクメッキ２４
０部位に部分銀メッキ２５０を施したものである。
ッキ２５０を施す部位を除いた銅ストライクメッキ２４
０表面に、硫酸銅水溶液、または亜塩素酸系ナトリウム
水溶液（亜塩素酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、リン
酸三ナトリウムの混合水溶液）等の薬液を用いた処理に
より、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成し、しかる後、Ｃｕ
2 Ｏ酸化膜２３０より露出した銅ストライクメッキ２４
０部位に部分銀メッキ２５０を施したものである。
【００３２】部分銀メッキ２５０を施す部位を除いた銅
ストライクメッキ２４０表面に予めＣｕ2 Ｏ酸化膜２３
０を形成しておくことで、半導体装置製造時にリードフ
レーム２１０への加熱温度を、例えば 300℃程度に高く
しても、銅ストライクメッキ２４０よりＣｕＯ酸化膜が
生成されることを、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０が抑えるもの
である。
ストライクメッキ２４０表面に予めＣｕ2 Ｏ酸化膜２３
０を形成しておくことで、半導体装置製造時にリードフ
レーム２１０への加熱温度を、例えば 300℃程度に高く
しても、銅ストライクメッキ２４０よりＣｕＯ酸化膜が
生成されることを、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０が抑えるもの
である。
【００３３】次いで、本実施例１におけるリードフレー
ム２１０へのメッキ工程を図２に基づき説明する。な
お、図２は、図１と同様に、部分銀メッキ２５０が施さ
れるダイパッド２２１部および、インナーリード２２３
の先端部位を示している。
ム２１０へのメッキ工程を図２に基づき説明する。な
お、図２は、図１と同様に、部分銀メッキ２５０が施さ
れるダイパッド２２１部および、インナーリード２２３
の先端部位を示している。
【００３４】まず、公知のフォトエッチング法にて外形
加工されたリードフレーム２１０の表面をアルカリ水溶
液で脱脂した後、水洗洗浄を行った。次いで、リードフ
レーム２１０表面に形成されている酸化膜を酸性液で除
去する酸活性化処理を行い、リードフレーム２１０の表
面を活性化した後、再度水洗洗浄し、図２（ａ）を得
た。
加工されたリードフレーム２１０の表面をアルカリ水溶
液で脱脂した後、水洗洗浄を行った。次いで、リードフ
レーム２１０表面に形成されている酸化膜を酸性液で除
去する酸活性化処理を行い、リードフレーム２１０の表
面を活性化した後、再度水洗洗浄し、図２（ａ）を得
た。
【００３５】次いで、リードフレーム２１０全面に、液
温５０℃のメッキ液（シアン化銅液）にて約２０秒間銅
メッキを行い、 0.2μｍの厚さの銅ストライクメッキ２
４０を形成し、図２（ｂ）を得た。
温５０℃のメッキ液（シアン化銅液）にて約２０秒間銅
メッキを行い、 0.2μｍの厚さの銅ストライクメッキ２
４０を形成し、図２（ｂ）を得た。
【００３６】次いで、銅ストライクメッキ２４０が形成
されたリードフレーム２１０表面を水洗洗浄した後、部
分銀メッキを行う際にリードフレーム２１０の不要な部
位に銀が析出しないよう、リードフレーム２１０全面に
置換防止処理を行った。置換防止処理は、薄い銀（Ａ
ｇ）有機被膜をリードフレーム２１０表面に形成したも
のである。次いで、半導体素子を搭載する面側のダイパ
ッド２２１面、およびインナーリード２２３の先端領域
が露出するよう、所定の開口部を有するマスキング治具
でリードフレーム２１０を覆った後、リードフレームを
陰極として、メッキ液をノズルよりリードフレームに噴
射する方式のメッキ法により、厚さ 3μｍの部分銀メッ
キをリードフレーム２１０の所定の領域に施した。
されたリードフレーム２１０表面を水洗洗浄した後、部
分銀メッキを行う際にリードフレーム２１０の不要な部
位に銀が析出しないよう、リードフレーム２１０全面に
置換防止処理を行った。置換防止処理は、薄い銀（Ａ
ｇ）有機被膜をリードフレーム２１０表面に形成したも
のである。次いで、半導体素子を搭載する面側のダイパ
ッド２２１面、およびインナーリード２２３の先端領域
が露出するよう、所定の開口部を有するマスキング治具
でリードフレーム２１０を覆った後、リードフレームを
陰極として、メッキ液をノズルよりリードフレームに噴
射する方式のメッキ法により、厚さ 3μｍの部分銀メッ
キをリードフレーム２１０の所定の領域に施した。
【００３７】次いで、リードフレーム２１０を水洗洗浄
した後、ダイパッド２２１面およびインナーリード２２
３の先端部以外の、銀が付着してはいけないリードフレ
ーム部位に付着したＡｇメッキ（例えば、マスキング治
具よりモレたＡｇメッキ）を電解剥離により除去した。
次いで、液温60℃の亜塩素酸系ナトリウム水溶液（亜塩
素酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、リン酸三ナトリウ
ムの混合水溶液）に約30秒間リードフレーム２１０を浸
漬処理した後、リードフレームを水洗洗浄し、しかる
後、温風でリードフレームを乾燥した。これにより、図
２（ｃ）に示す、部分銀メッキ２５０部位を除く銅スト
ライクメッキ２４０表面上に、厚さ 0.002μｍのＣｕ2
Ｏ酸化膜２３０を有する本実施例１のリードフレーム２
１０を得た。
した後、ダイパッド２２１面およびインナーリード２２
３の先端部以外の、銀が付着してはいけないリードフレ
ーム部位に付着したＡｇメッキ（例えば、マスキング治
具よりモレたＡｇメッキ）を電解剥離により除去した。
次いで、液温60℃の亜塩素酸系ナトリウム水溶液（亜塩
素酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、リン酸三ナトリウ
ムの混合水溶液）に約30秒間リードフレーム２１０を浸
漬処理した後、リードフレームを水洗洗浄し、しかる
後、温風でリードフレームを乾燥した。これにより、図
２（ｃ）に示す、部分銀メッキ２５０部位を除く銅スト
ライクメッキ２４０表面上に、厚さ 0.002μｍのＣｕ2
Ｏ酸化膜２３０を有する本実施例１のリードフレーム２
１０を得た。
【００３８】次いで、本発明の他の実施例につき説明す
る。 ＜実施例２＞本実施例２においては、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２
３０の形成処理を変えた以外は、上記実施例１と同様の
工程にてリードフレーム２１０を得たものである。すな
わち、実施例１と同様に、部分銀メッキ後に、ダイパッ
ド２２１面および、インナーリード２２３の先端部位以
外の、銀が付着してはいけないリードフレーム２１０部
位に付着したＡｇメッキ（マスキング治具よりモレたＡ
ｇメッキ）を電解剥離した後、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０を
形成する薬液処理として、液温50℃、 3〜10重量％の硫
酸銅水溶液を用い、硫酸銅水溶液中に約１分間リードフ
レームを浸漬したものである。これにより、部分銀メッ
キ２５０を施す部位を除く銅ストライクメッキ２４０表
面上に厚さ 0.018μｍのＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０を有する
リードフレーム２１０を得た。
る。 ＜実施例２＞本実施例２においては、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２
３０の形成処理を変えた以外は、上記実施例１と同様の
工程にてリードフレーム２１０を得たものである。すな
わち、実施例１と同様に、部分銀メッキ後に、ダイパッ
ド２２１面および、インナーリード２２３の先端部位以
外の、銀が付着してはいけないリードフレーム２１０部
位に付着したＡｇメッキ（マスキング治具よりモレたＡ
ｇメッキ）を電解剥離した後、Ｃｕ2 Ｏ酸化膜２３０を
形成する薬液処理として、液温50℃、 3〜10重量％の硫
酸銅水溶液を用い、硫酸銅水溶液中に約１分間リードフ
レームを浸漬したものである。これにより、部分銀メッ
キ２５０を施す部位を除く銅ストライクメッキ２４０表
面上に厚さ 0.018μｍのＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０を有する
リードフレーム２１０を得た。
【００３９】次いで、上述した実施例１および実施例２
の本発明によるリードフレーム、および、以下に記す各
比較例のリードフレームの、封止樹脂との密着強度、酸
化膜の剥がれ状態を各々以下に記す方法で評価した。な
お、本評価においては、メッキを施す素材として、封止
樹脂密着強度評価用のベタ板状の専用フレーム（古河電
工（株）製、商品名「ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１／２Ｈ
材」、板厚 0.125mm）を用いたものである。
の本発明によるリードフレーム、および、以下に記す各
比較例のリードフレームの、封止樹脂との密着強度、酸
化膜の剥がれ状態を各々以下に記す方法で評価した。な
お、本評価においては、メッキを施す素材として、封止
樹脂密着強度評価用のベタ板状の専用フレーム（古河電
工（株）製、商品名「ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１／２Ｈ
材」、板厚 0.125mm）を用いたものである。
【００４０】次いで、上記専用フレームに各々、上述し
た実施例１および実施例２と同様のメッキ工程を行っ
た。すなわち、 0.2μｍ厚の銅ストライクメッキ２４
０、 3μｍ厚の部分銀メッキ２５０、および、部分銀メ
ッキ２５０部位を除く銅ストライクメッキ２４０表面上
に厚さ 0.002μｍのＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０を有する本実
施例１に相当する専用フレームと、 0.2μｍ厚の銅スト
ライクメッキ２４０、 3μｍ厚の部分銀メッキ２５０、
および、部分銀メッキ２５０部位を除く銅ストライクメ
ッキ２４０表面上に厚さ 0.018μｍのＣｕ2 Ｏ酸化膜２
３０を有する本実施例２に相当する専用フレームとを得
たものである。
た実施例１および実施例２と同様のメッキ工程を行っ
た。すなわち、 0.2μｍ厚の銅ストライクメッキ２４
０、 3μｍ厚の部分銀メッキ２５０、および、部分銀メ
ッキ２５０部位を除く銅ストライクメッキ２４０表面上
に厚さ 0.002μｍのＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０を有する本実
施例１に相当する専用フレームと、 0.2μｍ厚の銅スト
ライクメッキ２４０、 3μｍ厚の部分銀メッキ２５０、
および、部分銀メッキ２５０部位を除く銅ストライクメ
ッキ２４０表面上に厚さ 0.018μｍのＣｕ2 Ｏ酸化膜２
３０を有する本実施例２に相当する専用フレームとを得
たものである。
【００４１】また、比較例１として、図３に示す従来の
リードフレームに行ったのと同様のメッキ処理を施し、
0.2μｍ厚の銅ストライクメッキ２４０および、 3μｍ
厚の部分銀メッキ２５０を有する専用フレームを得たも
のである。なお、比較例１におけるメッキ工程は、図４
に示す工程図に従って行ったものである。次いで、比較
例２として、変色処理を行わない以外は、比較例１と同
様のメッキ処理を施し、 0.2μｍ厚の銅ストライクメッ
キ２４０と、 3μｍ厚の部分銀メッキ２３０とを有する
専用フレームを得た。
リードフレームに行ったのと同様のメッキ処理を施し、
0.2μｍ厚の銅ストライクメッキ２４０および、 3μｍ
厚の部分銀メッキ２５０を有する専用フレームを得たも
のである。なお、比較例１におけるメッキ工程は、図４
に示す工程図に従って行ったものである。次いで、比較
例２として、変色処理を行わない以外は、比較例１と同
様のメッキ処理を施し、 0.2μｍ厚の銅ストライクメッ
キ２４０と、 3μｍ厚の部分銀メッキ２３０とを有する
専用フレームを得た。
【００４２】上記比較例１および比較例２の酸化膜の膜
厚を各々測定した。その結果、比較例１のＣｕ2 Ｏ酸化
膜の膜厚は0.0015μｍ、ＣｕＯ酸化膜の膜厚は0.0007μ
ｍであり、また、比較例２のＣｕ2 Ｏ酸化膜の膜厚は0.
0015μｍ、ＣｕＯ酸化膜の膜厚は0.0020μｍであった。
なお、酸化膜の膜厚の測定は、還元電位法により行った
（使用測定装置、ＥＣＩテクノロジー（株）社製、商品
名「ＱＣ−１００ Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｓｃａｎ」）。
厚を各々測定した。その結果、比較例１のＣｕ2 Ｏ酸化
膜の膜厚は0.0015μｍ、ＣｕＯ酸化膜の膜厚は0.0007μ
ｍであり、また、比較例２のＣｕ2 Ｏ酸化膜の膜厚は0.
0015μｍ、ＣｕＯ酸化膜の膜厚は0.0020μｍであった。
なお、酸化膜の膜厚の測定は、還元電位法により行った
（使用測定装置、ＥＣＩテクノロジー（株）社製、商品
名「ＱＣ−１００ Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｓｃａｎ」）。
【００４３】次いで、上記実施例１、実施例２、比較例
１および比較例２の各専用フレームに同一条件で表面処
理を施した後、通常のワイヤーボンディングで行われる
270℃の加熱温度より50℃高い、 320℃の温度にて５分
間各専用フレームを加熱した後、各専用フレーム表面に
一定面積の封止樹脂を成形した。しかる後、シェア法を
用い、各専用フレーム表面に成形した封止樹脂の密着強
度を測定した。なお、シェア法による密着強度の判定
は、 3.0Ｎ／mm2 以上を「良」、 2.0Ｎ／mm2 以上 3.0
Ｎ／mm2 未満を「可」、 2.0Ｎ／mm2 未満を「不可」と
判定したものである。次いで、密着強度測定後、専用フ
レームより剥がれた封止樹脂に付着した酸化膜の付着状
態を観察し、素材である専用フレームからの酸化膜剥が
れを評価した。測定した各専用フレームにおける封止樹
脂の密着強度、および酸化膜の剥がれ状態を、以下の
（表１）に合わせて記す。
１および比較例２の各専用フレームに同一条件で表面処
理を施した後、通常のワイヤーボンディングで行われる
270℃の加熱温度より50℃高い、 320℃の温度にて５分
間各専用フレームを加熱した後、各専用フレーム表面に
一定面積の封止樹脂を成形した。しかる後、シェア法を
用い、各専用フレーム表面に成形した封止樹脂の密着強
度を測定した。なお、シェア法による密着強度の判定
は、 3.0Ｎ／mm2 以上を「良」、 2.0Ｎ／mm2 以上 3.0
Ｎ／mm2 未満を「可」、 2.0Ｎ／mm2 未満を「不可」と
判定したものである。次いで、密着強度測定後、専用フ
レームより剥がれた封止樹脂に付着した酸化膜の付着状
態を観察し、素材である専用フレームからの酸化膜剥が
れを評価した。測定した各専用フレームにおける封止樹
脂の密着強度、および酸化膜の剥がれ状態を、以下の
（表１）に合わせて記す。
【００４４】
【表１】
【００４５】上記の（表１）に示すように、銅ストライ
クメッキ２４０表面上にＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成し
た実施例１および実施例２は、封止樹脂密着強度および
酸化膜剥がれの点において、従来と同様の方法で銀メッ
キが施された比較例１よりも優れていることが分かる。
また、比較例２は、封止樹脂密着強度の点では比較例１
より良いものの、酸化膜剥がれの点においては、比較例
１と同様に実施例１および実施例２に劣ることが分か
る。
クメッキ２４０表面上にＣｕ2 Ｏ酸化膜２３０を形成し
た実施例１および実施例２は、封止樹脂密着強度および
酸化膜剥がれの点において、従来と同様の方法で銀メッ
キが施された比較例１よりも優れていることが分かる。
また、比較例２は、封止樹脂密着強度の点では比較例１
より良いものの、酸化膜剥がれの点においては、比較例
１と同様に実施例１および実施例２に劣ることが分か
る。
【００４６】このことより、本発明である上記実施例１
および実施例２のリードフレームを半導体装置に用いれ
ば、図３に示す従来と同様のメッキ工程で得られたリー
ドフレームを半導体装置に用いた場合に比べて、銅酸化
膜の酸化状態に起因するＩＣパッケージのデラミネーシ
ョンの発生を効果的に抑えることができると判断され
る。
および実施例２のリードフレームを半導体装置に用いれ
ば、図３に示す従来と同様のメッキ工程で得られたリー
ドフレームを半導体装置に用いた場合に比べて、銅酸化
膜の酸化状態に起因するＩＣパッケージのデラミネーシ
ョンの発生を効果的に抑えることができると判断され
る。
【００４７】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、半導体
装置の製造条件によらず（たとえ半導体装置製造時にリ
ードフレームへの加熱温度が高くても）、リードフレー
ム表面の銅酸化膜の酸化状態に起因する封止樹脂のデラ
ミネーションの発生を防止し、かつ、ワイヤーボンディ
ング性を損なわない銅合金製のリードフレームを得るこ
とができる。
装置の製造条件によらず（たとえ半導体装置製造時にリ
ードフレームへの加熱温度が高くても）、リードフレー
ム表面の銅酸化膜の酸化状態に起因する封止樹脂のデラ
ミネーションの発生を防止し、かつ、ワイヤーボンディ
ング性を損なわない銅合金製のリードフレームを得るこ
とができる。
【００４８】
【図１】本発明のリードフレームの一実施例の要部を示
す断面説明図。
す断面説明図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は本発明のリードフレームの製
造工程の一例の要部を工程順に示す断面説明図。
造工程の一例の要部を工程順に示す断面説明図。
【図３】従来のリードフレームの一例の要部を示す断面
説明図。
説明図。
【図４】リードフレームへのメッキ工程の一例を示す工
程図。
程図。
【図５】リードフレームに施した部分銀メッキの一例を
示す平面説明図。
示す平面説明図。
【図６】半導体装置の一例の要部を示す断面説明図。
【図７】リードフレームの一例を示す平面説明図。
１００ 半導体装置 １１０ 半導体素子 １１１ 接続用パッド １２０、２１０ リードフレーム １２１、２２１ ダイパッド １２２ アウターリード １２３、２２３ インナーリード １２４ ダムバー １２５ フレーム部 １３０ ワイヤー １４０ 樹脂 ２３０ Ｃｕ2 Ｏ酸化膜 ２４０ 銅ストライクメッキ ２５０ 銀メッキ
Claims (2)
- 【請求項１】銅合金材からなり、半導体素子が載置され
るダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられ、半導体
素子上の接続用パッドと結線するためのインナーリード
と、前記インナーリードから連続し、外部回路との結線
を行うアウターリードとを少なくとも備え、銅ストライ
クメッキを介し、前記インナーリードの先端部位および
半導体素子が載置されるダイパッド面に部分銀メッキを
施した樹脂封止型の半導体装置用リードフレームであっ
て、前記部分銀メッキ部位を除いた銅ストライクメッキ
表面にＣｕ2 Ｏ酸化膜を形成したことを特徴とするリー
ドフレーム。 - 【請求項２】Ｃｕ2 Ｏ酸化膜の厚さが０．００２μｍ以
上、０．０２０μｍ以下であることを特徴とする請求項
１に記載のリードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9276880A JPH11121673A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9276880A JPH11121673A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11121673A true JPH11121673A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17575695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9276880A Pending JPH11121673A (ja) | 1997-10-09 | 1997-10-09 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11121673A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004007019A (ja) * | 2003-09-30 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2006196920A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-07-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 導体基材、半導体装置及びそれらの製造方法 |
| JP2008300492A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2009099871A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| KR101025775B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2011-04-04 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 |
| JP2012505307A (ja) * | 2008-10-13 | 2012-03-01 | アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー | 銀表面と樹脂材料間の接着の改良法 |
| JP2015149370A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2017028152A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム及びその製造方法 |
| US10818580B2 (en) * | 2017-07-07 | 2020-10-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic component device |
| DE112017003058B4 (de) * | 2016-06-20 | 2021-06-10 | Nippon Micrometal Corporation | Kupferlegierungs-Bonddrähte für Halbleiterbauteile |
-
1997
- 1997-10-09 JP JP9276880A patent/JPH11121673A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006196920A (ja) * | 2003-04-16 | 2006-07-27 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 導体基材、半導体装置及びそれらの製造方法 |
| JP2004007019A (ja) * | 2003-09-30 | 2004-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2008300492A (ja) * | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2009099871A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Toppan Printing Co Ltd | リードフレーム及びその製造方法並びに樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 |
| KR101025775B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2011-04-04 | 삼성테크윈 주식회사 | 리드 프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지의 제조 방법 |
| JP2012505307A (ja) * | 2008-10-13 | 2012-03-01 | アトテック・ドイチュラント・ゲーエムベーハー | 銀表面と樹脂材料間の接着の改良法 |
| JP2015149370A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2017028152A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム及びその製造方法 |
| DE112017003058B4 (de) * | 2016-06-20 | 2021-06-10 | Nippon Micrometal Corporation | Kupferlegierungs-Bonddrähte für Halbleiterbauteile |
| US12300658B2 (en) | 2016-06-20 | 2025-05-13 | Nippon Micrometal Corporation | Copper alloy bonding wire for semiconductor devices |
| US10818580B2 (en) * | 2017-07-07 | 2020-10-27 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic component device |
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