JP2000200541A - 陰極構体 - Google Patents
陰極構体Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた高密度電流動作特性を維持しながら、
電子放射量の減少を防ぎ、かつ、陰極線管の大形化や高
輝度化にも対応可能な陰極構体を提供する。 【構成】 陰極スリーブ21と、陰極スリーブ21の一
端に嵌合された陰極基体22と、陰極基体22の頂面に
被着形成された電子放射物質層23とを備える陰極構体
であり、電子放射物質層23は、陰極基体22の頂面側
にあり、多面体形状のアルカリ土類金属酸化物粒子によ
って形成された下側層231 と、下側層231 上にあ
り、希土類金属酸化物を含んだ針形状のアルカリ土類金
属酸化物粒子によって形成された上側層232 とからな
り、下側層231 の厚さは電子放射物質層23の厚さの
5乃至37%の範囲内にあるように選ばれている。
電子放射量の減少を防ぎ、かつ、陰極線管の大形化や高
輝度化にも対応可能な陰極構体を提供する。 【構成】 陰極スリーブ21と、陰極スリーブ21の一
端に嵌合された陰極基体22と、陰極基体22の頂面に
被着形成された電子放射物質層23とを備える陰極構体
であり、電子放射物質層23は、陰極基体22の頂面側
にあり、多面体形状のアルカリ土類金属酸化物粒子によ
って形成された下側層231 と、下側層231 上にあ
り、希土類金属酸化物を含んだ針形状のアルカリ土類金
属酸化物粒子によって形成された上側層232 とからな
り、下側層231 の厚さは電子放射物質層23の厚さの
5乃至37%の範囲内にあるように選ばれている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、陰極構体に係わ
り、特に、陰極の電子放射物質層を下側層と上側層の2
層構造にし、下側層及び上側層を形成する粒子の形状ま
たはそれらの層の厚さを選択することにより、長期間に
わたって高密度電流動作特性を維持可能な陰極を得てい
る陰極線管に関する。
り、特に、陰極の電子放射物質層を下側層と上側層の2
層構造にし、下側層及び上側層を形成する粒子の形状ま
たはそれらの層の厚さを選択することにより、長期間に
わたって高密度電流動作特性を維持可能な陰極を得てい
る陰極線管に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、テレビジョン放送の受信画像を
表示するカラー受像管やパソコン等の情報処理機器で得
られたデータ画像情報を表示するデータ表示管等の陰極
線管においては、表示すべきデータ情報の多様化及び高
密度化等に伴って、表示される表示画像についても高精
細な画像の表示が要望されるようになっている。このよ
うな要望を満たす陰極線管としては、その陰極構体に、
高電流密度状態において長時間にわたって安定した電子
放射特性を維持できるものを用いる必要があり、このよ
うな陰極構体の1つに、特開平5−12983号に開示
された陰極構体が知られている。
表示するカラー受像管やパソコン等の情報処理機器で得
られたデータ画像情報を表示するデータ表示管等の陰極
線管においては、表示すべきデータ情報の多様化及び高
密度化等に伴って、表示される表示画像についても高精
細な画像の表示が要望されるようになっている。このよ
うな要望を満たす陰極線管としては、その陰極構体に、
高電流密度状態において長時間にわたって安定した電子
放射特性を維持できるものを用いる必要があり、このよ
うな陰極構体の1つに、特開平5−12983号に開示
された陰極構体が知られている。
【0003】ここで、図6は、前記特開平5−1298
3号に開示された陰極構体を示す断面図である。
3号に開示された陰極構体を示す断面図である。
【0004】図6において、61は円筒状陰極スリー
ブ、62は帽状陰極基体、63は電子放射物質層、63
1 は電子放射物質層63の下側層、632 は電子放射物
質層63の上側層、64はヒーターである。
ブ、62は帽状陰極基体、63は電子放射物質層、63
1 は電子放射物質層63の下側層、632 は電子放射物
質層63の上側層、64はヒーターである。
【0005】そして、円筒状陰極スリーブ61は、高融
点金属、例えばニッケル(Ni)を主成分とし、その中
に少量のシリコン(Si)やマグネシウム(Mg)等の
還元性金属を含んだ材料からなる。帽状陰極基体62
は、陰極スリーブ61と同じ材料からなり、陰極スリー
ブ61の一端に嵌合される。電子放射物質層63は、ア
ルカリ土類金属酸化物からなり、陰極基体62の頂面に
被着形成された下側層631 と、希土類金属酸化物、例
えばバリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )等の複
合酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなり、下
側層631 上に被着形成された上側層632 とによって
2層構造になっている。ヒーター64は、陰極スリーブ
61内に支持固定され、傍熱型の陰極が構成される。
点金属、例えばニッケル(Ni)を主成分とし、その中
に少量のシリコン(Si)やマグネシウム(Mg)等の
還元性金属を含んだ材料からなる。帽状陰極基体62
は、陰極スリーブ61と同じ材料からなり、陰極スリー
ブ61の一端に嵌合される。電子放射物質層63は、ア
ルカリ土類金属酸化物からなり、陰極基体62の頂面に
被着形成された下側層631 と、希土類金属酸化物、例
えばバリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )等の複
合酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物からなり、下
側層631 上に被着形成された上側層632 とによって
2層構造になっている。ヒーター64は、陰極スリーブ
61内に支持固定され、傍熱型の陰極が構成される。
【0006】前記構成による電子放射物質層63を形成
する場合、始めに、陰極基体62の頂面(表面)にアル
カリ土類金属炭酸塩からなる下側(第1)層を被着形成
し、次に、その下側層上にバリウムスカンデート(Ba
2 Sc2 O5 )等の希土類金属酸化物を含有したアルカ
リ土類金属炭酸塩からなる上側(第2)層を被着形成
し、次いで、陰極線管の製造工程における熱処理時に、
下側(第1)層及び上側(第2)層の熱分解により、下
側(第1)層及び上側(第2)層のアルカリ土類金属炭
酸塩をそれぞれアルカリ土類金属酸化物に変化させ、下
側層631 及び上側層632 を形成している。
する場合、始めに、陰極基体62の頂面(表面)にアル
カリ土類金属炭酸塩からなる下側(第1)層を被着形成
し、次に、その下側層上にバリウムスカンデート(Ba
2 Sc2 O5 )等の希土類金属酸化物を含有したアルカ
リ土類金属炭酸塩からなる上側(第2)層を被着形成
し、次いで、陰極線管の製造工程における熱処理時に、
下側(第1)層及び上側(第2)層の熱分解により、下
側(第1)層及び上側(第2)層のアルカリ土類金属炭
酸塩をそれぞれアルカリ土類金属酸化物に変化させ、下
側層631 及び上側層632 を形成している。
【0007】前記構成による陰極構体によれば、電子放
射物質層63の電子放射面側に形成されたバリウムスカ
ンデート(Ba2 Sc2 O5 )等の希土類金属酸化物を
含んだアルカリ土類金属酸化物からなる上側層63
2 は、陰極基体62中のシリコン(Si)やマグネシウ
ム(Mg)等の還元性金属によって生成された遊離バリ
ウム(Ba)を上側層632 内に拘束させ、電子放射物
質層63中の遊離バリウム(Ba)が高濃度状態になる
ように維持させる。その結果、陰極を高電流密度の状態
で動作させた場合においても、電子放射物質層63内の
ジュール熱の発生が少なくなり、かつ、バリウム(B
a)の蒸発の程度も少なくなる。
射物質層63の電子放射面側に形成されたバリウムスカ
ンデート(Ba2 Sc2 O5 )等の希土類金属酸化物を
含んだアルカリ土類金属酸化物からなる上側層63
2 は、陰極基体62中のシリコン(Si)やマグネシウ
ム(Mg)等の還元性金属によって生成された遊離バリ
ウム(Ba)を上側層632 内に拘束させ、電子放射物
質層63中の遊離バリウム(Ba)が高濃度状態になる
ように維持させる。その結果、陰極を高電流密度の状態
で動作させた場合においても、電子放射物質層63内の
ジュール熱の発生が少なくなり、かつ、バリウム(B
a)の蒸発の程度も少なくなる。
【0008】このように、前記特開平5−12983号
に開示の陰極構体は、高密度電流動作状態、例えば2A
/cm2 程度の高電流密度状態で動作させても、電流エ
ミッションの低下を少なくすることができ、長寿命の陰
極構体を得ることができる。
に開示の陰極構体は、高密度電流動作状態、例えば2A
/cm2 程度の高電流密度状態で動作させても、電流エ
ミッションの低下を少なくすることができ、長寿命の陰
極構体を得ることができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】前記特開平5−129
83号に開示の陰極構体は、長時間にわたり高電流密度
動作状態で、安定した電子放射特性を得ることができる
ものであるが、例えば、51cmの螢光面対角径を有す
る大型ディスプレーモニターに使用されるカラー陰極線
管においては、電子銃の第1グリッド電極(G1)の電
子ビーム通過孔の径が0.4mmで、陰極電流が300
μA(陰極負荷時に2.7A/cm2 相当)である場
合、陰極負荷時の陰極電流が大きいため、カラー陰極線
管として十分な電子放射特性を得ることができず、比較
的短寿命のカラー陰極線管となる場合がある。すなわ
ち、前記特開平5−12983号に開示の陰極構体は、
大型ディスプレーモニターに使用されるカラー陰極線管
のようなカラー陰極線管の大形化や高輝度化(陰極電流
の増大)に対して、何等の考慮が払われていない。
83号に開示の陰極構体は、長時間にわたり高電流密度
動作状態で、安定した電子放射特性を得ることができる
ものであるが、例えば、51cmの螢光面対角径を有す
る大型ディスプレーモニターに使用されるカラー陰極線
管においては、電子銃の第1グリッド電極(G1)の電
子ビーム通過孔の径が0.4mmで、陰極電流が300
μA(陰極負荷時に2.7A/cm2 相当)である場
合、陰極負荷時の陰極電流が大きいため、カラー陰極線
管として十分な電子放射特性を得ることができず、比較
的短寿命のカラー陰極線管となる場合がある。すなわ
ち、前記特開平5−12983号に開示の陰極構体は、
大型ディスプレーモニターに使用されるカラー陰極線管
のようなカラー陰極線管の大形化や高輝度化(陰極電流
の増大)に対して、何等の考慮が払われていない。
【0010】一般に、バリウムスカンデート(Ba2 S
c2 O5 )等の希土類金属酸化物は、電子放射物質層6
3内に遊離バリウム(Ba)を拘束し、電子放射物質層
63中の遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に維持させ
るものであって、電子放射物質層63の上側層632 に
含まれるバリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )の
分散量を多くすればする程、遊離バリウム(Ba)を高
濃度状態に維持させることができる。
c2 O5 )等の希土類金属酸化物は、電子放射物質層6
3内に遊離バリウム(Ba)を拘束し、電子放射物質層
63中の遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に維持させ
るものであって、電子放射物質層63の上側層632 に
含まれるバリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )の
分散量を多くすればする程、遊離バリウム(Ba)を高
濃度状態に維持させることができる。
【0011】ところが、バリウムスカンデート(Ba2
Sc2 O5 )等の希土類金属酸化物は、全く電子放射に
寄与しないものであるため、高密度電流動作特性を向上
させようとして希土類金属酸化物の含有量を増大させる
と、電子放射物質層63からの電子放射量が減少するよ
うになる。これに対して、電子放射物質層63の層厚を
厚くし、相対的に希土類金属酸化物の分散量を増すこと
も可能であるが、このような構成にすると、電子放射物
質層63の熱容量が増加し、エミッション立ち上がり時
間(出画時間)が遅くなる等の動作特性の悪化をもたら
し、同時に、電子放射物質層63と陰極基体62との間
の熱膨張係数差に基づく熱ストレスが増大し、陰極基体
62から電子放射物質層63が剥離してしまうことがあ
る。
Sc2 O5 )等の希土類金属酸化物は、全く電子放射に
寄与しないものであるため、高密度電流動作特性を向上
させようとして希土類金属酸化物の含有量を増大させる
と、電子放射物質層63からの電子放射量が減少するよ
うになる。これに対して、電子放射物質層63の層厚を
厚くし、相対的に希土類金属酸化物の分散量を増すこと
も可能であるが、このような構成にすると、電子放射物
質層63の熱容量が増加し、エミッション立ち上がり時
間(出画時間)が遅くなる等の動作特性の悪化をもたら
し、同時に、電子放射物質層63と陰極基体62との間
の熱膨張係数差に基づく熱ストレスが増大し、陰極基体
62から電子放射物質層63が剥離してしまうことがあ
る。
【0012】また、電子放射物質層63において、下側
層631 の層厚を薄くし、相対的に上側層632 の層厚
を厚くすると、下側層631 内のアルカリ金属酸化物の
平均粒径が下側層631 の層厚とほぼ同じ程度となるた
め、上側層632 中のバリウムスカンデート(Ba2 S
c2 O5 )等の希土類金属酸化物が陰極基体62に接す
るようになり、電子放射物質層63の接着力が低下し、
陰極基体62から電子放射物質層63が剥離してしまう
ようになる。
層631 の層厚を薄くし、相対的に上側層632 の層厚
を厚くすると、下側層631 内のアルカリ金属酸化物の
平均粒径が下側層631 の層厚とほぼ同じ程度となるた
め、上側層632 中のバリウムスカンデート(Ba2 S
c2 O5 )等の希土類金属酸化物が陰極基体62に接す
るようになり、電子放射物質層63の接着力が低下し、
陰極基体62から電子放射物質層63が剥離してしまう
ようになる。
【0013】本発明は、このような技術的背景に鑑みて
なされたもので、その目的は、優れた高密度電流動作特
性を維持しながら、電子放射量の減少を防ぎ、かつ、陰
極線管の大形化や高輝度化にも対応可能な陰極構体を提
供することにある。
なされたもので、その目的は、優れた高密度電流動作特
性を維持しながら、電子放射量の減少を防ぎ、かつ、陰
極線管の大形化や高輝度化にも対応可能な陰極構体を提
供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明による陰極構体は、電子放射物質層が、陰極
基体の頂面側にあって、多面体形状のアルカリ土類金属
酸化物粒子によって形成された下側層と、下側層上にあ
って、希土類金属酸化物を含んだ針形状のアルカリ土類
金属酸化物粒子によって形成された上側層とからなって
おり、下側層の厚さが電子放射物質層の厚さの5乃至3
7%の範囲内にあるように選ばれた第1の手段を具備す
る。
に、本発明による陰極構体は、電子放射物質層が、陰極
基体の頂面側にあって、多面体形状のアルカリ土類金属
酸化物粒子によって形成された下側層と、下側層上にあ
って、希土類金属酸化物を含んだ針形状のアルカリ土類
金属酸化物粒子によって形成された上側層とからなって
おり、下側層の厚さが電子放射物質層の厚さの5乃至3
7%の範囲内にあるように選ばれた第1の手段を具備す
る。
【0015】また、前記目的を達成するために、本発明
による陰極構体は、電子放射物質層が、陰極基体の頂面
側にあって、第1の平均粒径を持つアルカリ土類金属酸
化物粒子によって形成された下側層と、下側層上にあっ
て、希土類金属酸化物を含んだ第1の平均粒径よりも大
きい第2の平均粒径を持つアルカリ土類金属酸化物粒子
によって形成された上側層とからなっており、下側層の
厚さが電子放射物質層の厚さの5乃至37%の範囲内に
あるように選ばれた第2の手段を具備する。
による陰極構体は、電子放射物質層が、陰極基体の頂面
側にあって、第1の平均粒径を持つアルカリ土類金属酸
化物粒子によって形成された下側層と、下側層上にあっ
て、希土類金属酸化物を含んだ第1の平均粒径よりも大
きい第2の平均粒径を持つアルカリ土類金属酸化物粒子
によって形成された上側層とからなっており、下側層の
厚さが電子放射物質層の厚さの5乃至37%の範囲内に
あるように選ばれた第2の手段を具備する。
【0016】前記第1の手段及び第2の手段によれば、
陰極基体の頂面側に被着形成させる電子放射物質層の下
側層を、多面体形状のアルカリ土類金属酸化物粒子また
は平均粒径の小さいアルカリ土類金属酸化物粒子によっ
て形成しているので、下側層の層厚を薄くしても、電子
放射物質層の上側層内の希土類金属酸化物と陰極基体と
の接触を防止することができるので、上側層の層厚を厚
くすることが可能となり、その結果、上側層中に含まれ
る希土類金属酸化物の分散量を相対的に多くすることが
できる。そして、希土類金属酸化物の分散量が相対的に
多くなると、電子放射物質層内の遊離バリウム(Ba)
を高濃度状態に維持されるようになるので、電子放射物
質層の電気抵抗が小さく、電子放射物質層内のジュール
熱の発生が少なくなり、優れた高電流密度動作特性を発
揮できる陰極構体を得ることができる。
陰極基体の頂面側に被着形成させる電子放射物質層の下
側層を、多面体形状のアルカリ土類金属酸化物粒子また
は平均粒径の小さいアルカリ土類金属酸化物粒子によっ
て形成しているので、下側層の層厚を薄くしても、電子
放射物質層の上側層内の希土類金属酸化物と陰極基体と
の接触を防止することができるので、上側層の層厚を厚
くすることが可能となり、その結果、上側層中に含まれ
る希土類金属酸化物の分散量を相対的に多くすることが
できる。そして、希土類金属酸化物の分散量が相対的に
多くなると、電子放射物質層内の遊離バリウム(Ba)
を高濃度状態に維持されるようになるので、電子放射物
質層の電気抵抗が小さく、電子放射物質層内のジュール
熱の発生が少なくなり、優れた高電流密度動作特性を発
揮できる陰極構体を得ることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態におい
て、陰極構体は、陰極スリーブと、陰極スリーブの一端
に嵌合された陰極基体と、陰極基体の頂面に被着形成さ
れた電子放射物質層とを備えるものであって、電子放射
物質層は、陰極基体の頂面側にあり、多面体形状のアル
カリ土類金属酸化物粒子によって形成された下側層と、
下側層上にあり、希土類金属酸化物を含んだ針形状のア
ルカリ土類金属酸化物粒子によって形成された上側層と
からなり、下側層の厚さは電子放射物質層の厚さの5乃
至37%の範囲内にあるように選ばれているものであ
る。
て、陰極構体は、陰極スリーブと、陰極スリーブの一端
に嵌合された陰極基体と、陰極基体の頂面に被着形成さ
れた電子放射物質層とを備えるものであって、電子放射
物質層は、陰極基体の頂面側にあり、多面体形状のアル
カリ土類金属酸化物粒子によって形成された下側層と、
下側層上にあり、希土類金属酸化物を含んだ針形状のア
ルカリ土類金属酸化物粒子によって形成された上側層と
からなり、下側層の厚さは電子放射物質層の厚さの5乃
至37%の範囲内にあるように選ばれているものであ
る。
【0018】本発明の第2の実施の形態において、陰極
構体は、陰極スリーブと、陰極スリーブの一端に嵌合さ
れた陰極基体と、陰極基体の頂面に被着形成された電子
放射物質層とを備えるものであって、電子放射物質層
は、陰極基体の頂面側にあり、第1の平均粒径を持つア
ルカリ土類金属酸化物粒子によって形成された下側層
と、下側層上にあり、希土類金属酸化物を含んだ第1の
平均粒径よりも大きい第2の平均粒径を持つアルカリ土
類金属酸化物粒子によって形成された上側層とからな
り、下側層の厚さは電子放射物質層の厚さの5乃至37
%の範囲内にあるように選ばれているものである。
構体は、陰極スリーブと、陰極スリーブの一端に嵌合さ
れた陰極基体と、陰極基体の頂面に被着形成された電子
放射物質層とを備えるものであって、電子放射物質層
は、陰極基体の頂面側にあり、第1の平均粒径を持つア
ルカリ土類金属酸化物粒子によって形成された下側層
と、下側層上にあり、希土類金属酸化物を含んだ第1の
平均粒径よりも大きい第2の平均粒径を持つアルカリ土
類金属酸化物粒子によって形成された上側層とからな
り、下側層の厚さは電子放射物質層の厚さの5乃至37
%の範囲内にあるように選ばれているものである。
【0019】本発明の第2の実施の形態の一具体例にお
いて、陰極構体は、第1の平均粒径が第2の平均粒径の
1/2以下に選ばれているものである。
いて、陰極構体は、第1の平均粒径が第2の平均粒径の
1/2以下に選ばれているものである。
【0020】本発明の第1及び第2の実施の形態の好適
例において、陰極構体は、希土類金属酸化物がバリウム
スカンデート(Ba2 Sc2 O5 )であり、その含有量
が1乃至3重量%であるものである。
例において、陰極構体は、希土類金属酸化物がバリウム
スカンデート(Ba2 Sc2 O5 )であり、その含有量
が1乃至3重量%であるものである。
【0021】本発明の第1の実施の形態によれば、陰極
から電子放射する電子放射物質層として、陰極基体の頂
面側に被着形成した下側層と、下側層上に被着形成した
上側層との2層構造とし、下側層を多面体形状のアルカ
リ土類金属酸化物粒子により、上側層を希土類金属酸化
物を含んだ針形状のアルカリ土類金属酸化物粒子によっ
て形成しているもので、下側層におけるアルカリ土類金
属酸化物粒子の平均粒径が小さいので、下側層を比較的
薄い層厚に形成しても、上側層内の希土類金属酸化物と
陰極基体とが接触するのを防ぐことができ、下側層の層
厚を薄くできることにより、上側層の層厚をその分だけ
厚くすることが可能となり、上側層中に含まれる希土類
金属酸化物の分散量を相対的に多くすることができる。
から電子放射する電子放射物質層として、陰極基体の頂
面側に被着形成した下側層と、下側層上に被着形成した
上側層との2層構造とし、下側層を多面体形状のアルカ
リ土類金属酸化物粒子により、上側層を希土類金属酸化
物を含んだ針形状のアルカリ土類金属酸化物粒子によっ
て形成しているもので、下側層におけるアルカリ土類金
属酸化物粒子の平均粒径が小さいので、下側層を比較的
薄い層厚に形成しても、上側層内の希土類金属酸化物と
陰極基体とが接触するのを防ぐことができ、下側層の層
厚を薄くできることにより、上側層の層厚をその分だけ
厚くすることが可能となり、上側層中に含まれる希土類
金属酸化物の分散量を相対的に多くすることができる。
【0022】そして、電子放射物質層内の希土類金属酸
化物の分散量が相対的に多くなると、電子放射物質層内
の遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に維持できるの
で、電子放射物質層の電気抵抗が小さく、電子放射物質
層内のジュール熱の発生が少なくなり、陰極線管の大型
化または高輝度化に対応可能な、優れた高電流密度動作
特性を発揮できる陰極構体を得ることができる。
化物の分散量が相対的に多くなると、電子放射物質層内
の遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に維持できるの
で、電子放射物質層の電気抵抗が小さく、電子放射物質
層内のジュール熱の発生が少なくなり、陰極線管の大型
化または高輝度化に対応可能な、優れた高電流密度動作
特性を発揮できる陰極構体を得ることができる。
【0023】本発明の第2の実施の形態によれば、陰極
から電子放射する電子放射物質層として、陰極基体の頂
面側に被着形成した下側層と、下側層上に被着形成した
上側層との2層構造とし、下側層を平均粒径が小さいア
ルカリ土類金属酸化物粒子により、上側層を希土類金属
酸化物を含んだ平均粒径が大きいアルカリ土類金属酸化
物粒子によって形成しているもので、下側層を比較的薄
い層厚に形成しても、上側層内の希土類金属酸化物と陰
極基体とが接触するのを防ぐことができ、また、下側層
の層厚を薄くできることにより、上側層の層厚をその分
だけ厚くすることが可能となり、上側層中に含まれる希
土類金属酸化物の分散量を相対的に多くすることができ
る。
から電子放射する電子放射物質層として、陰極基体の頂
面側に被着形成した下側層と、下側層上に被着形成した
上側層との2層構造とし、下側層を平均粒径が小さいア
ルカリ土類金属酸化物粒子により、上側層を希土類金属
酸化物を含んだ平均粒径が大きいアルカリ土類金属酸化
物粒子によって形成しているもので、下側層を比較的薄
い層厚に形成しても、上側層内の希土類金属酸化物と陰
極基体とが接触するのを防ぐことができ、また、下側層
の層厚を薄くできることにより、上側層の層厚をその分
だけ厚くすることが可能となり、上側層中に含まれる希
土類金属酸化物の分散量を相対的に多くすることができ
る。
【0024】そして、電子放射物質層内の希土類金属酸
化物の分散量が相対的に多くなると、電子放射物質層内
の遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に維持できるの
で、電子放射物質層の電気抵抗が小さく、電子放射物質
層内のジュール熱の発生が少なくなって、陰極線管の大
型化または高輝度化に対応可能な、優れた高電流密度動
作特性を発揮できる陰極構体を得ることができる。
化物の分散量が相対的に多くなると、電子放射物質層内
の遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に維持できるの
で、電子放射物質層の電気抵抗が小さく、電子放射物質
層内のジュール熱の発生が少なくなって、陰極線管の大
型化または高輝度化に対応可能な、優れた高電流密度動
作特性を発揮できる陰極構体を得ることができる。
【0025】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。
説明する。
【0026】図1は、本発明による陰極構体が用いられ
るカラー陰極線管の概略構成を示す断面図である。
るカラー陰極線管の概略構成を示す断面図である。
【0027】図1において、1はパネル部、1Fはフェ
ースプレート、2はネック部、3はファンネル部、4は
螢光面、5はシャドウマスク、6は磁気シールド、7は
偏向ヨーク、8は調整用マグネット組立、9はインライ
ン電子銃、10は電子ビーム(3本の中の1本だけを示
している)である。
ースプレート、2はネック部、3はファンネル部、4は
螢光面、5はシャドウマスク、6は磁気シールド、7は
偏向ヨーク、8は調整用マグネット組立、9はインライ
ン電子銃、10は電子ビーム(3本の中の1本だけを示
している)である。
【0028】そして、カラー陰極線管を構成するガラス
管体は、ガラス管体の前側に設けられ、大径のフェース
プレート1Fを有するパネル部1と、ガラス管体の後側
に設けられ、内部にインライン電子銃9が収納される細
長いネック部2と、パネル部1とネック部2とを連接
し、外周に偏向ヨーク7が装着される漏斗形のファンネ
ル部3とからなっている。パネル部1のフェースプレー
ト1Fには内面に螢光面4が被着形成され、パネル部1
内部に螢光面4に対向配置されるようにシャドウマスク
5が固着される。パネル部1とファンネル部3の結合領
域の内側には磁気シールド6が配置される。ネック部2
の外側にはピュリテイ・コンバーゼンス調整用マグネッ
ト組立8が配置される。インライン電子銃9から投射さ
れた3本の電子ビーム10は、偏向ヨーク7が発生する
磁界によって所定方向に偏向された後、シャドウマスク
5に設けられている多くの電子ビーム通過孔(図示な
し)を通して螢光面4にある対応する色の画素に到達す
るように構成されている。
管体は、ガラス管体の前側に設けられ、大径のフェース
プレート1Fを有するパネル部1と、ガラス管体の後側
に設けられ、内部にインライン電子銃9が収納される細
長いネック部2と、パネル部1とネック部2とを連接
し、外周に偏向ヨーク7が装着される漏斗形のファンネ
ル部3とからなっている。パネル部1のフェースプレー
ト1Fには内面に螢光面4が被着形成され、パネル部1
内部に螢光面4に対向配置されるようにシャドウマスク
5が固着される。パネル部1とファンネル部3の結合領
域の内側には磁気シールド6が配置される。ネック部2
の外側にはピュリテイ・コンバーゼンス調整用マグネッ
ト組立8が配置される。インライン電子銃9から投射さ
れた3本の電子ビーム10は、偏向ヨーク7が発生する
磁界によって所定方向に偏向された後、シャドウマスク
5に設けられている多くの電子ビーム通過孔(図示な
し)を通して螢光面4にある対応する色の画素に到達す
るように構成されている。
【0029】前記構成によるカラー陰極線管における動
作、即ち、画像表示動作は、既知のカラー陰極線管にお
ける画像表示動作と全く同じであるので、このカラー陰
極線管における画像表示動作は、その説明を省略する。
作、即ち、画像表示動作は、既知のカラー陰極線管にお
ける画像表示動作と全く同じであるので、このカラー陰
極線管における画像表示動作は、その説明を省略する。
【0030】次に、図2は、図1に図示されたカラー陰
極線管に用いられるインライン電子銃9の構成を示す側
面図である。
極線管に用いられるインライン電子銃9の構成を示す側
面図である。
【0031】図2において、11は陰極構体、12は制
御電極(G1)、13は加速電極(G2)、14は第1
集束電極(G3)、15(1)、15(2)は第2集束
電極(G4)、16は第3集束電極(G5)、17は陽
極電極、18は一対のビードガラス、19はステム、2
0はサポート材である。
御電極(G1)、13は加速電極(G2)、14は第1
集束電極(G3)、15(1)、15(2)は第2集束
電極(G4)、16は第3集束電極(G5)、17は陽
極電極、18は一対のビードガラス、19はステム、2
0はサポート材である。
【0032】そして、インライン電子銃9は、陰極構体
11の電子放射面側に、制御電極12、加速電極13、
第1集束電極14、第2集束電極15(1)、第2集束
電極15(2)、第3集束電極16、陽極電極17がこ
の順に配置される。制御電極12、加速電極13、第1
集束電極14、第2集束電極15(1)、第2集束電極
15(2)、第3集束電極16、陽極電極17のそれぞ
れには、陰極構体11から放射される3本の電子ビーム
を通過させる電子ビーム通過孔(図示なし)が設けられ
るとともに、一対のビードガラス18によって保持固定
される。一対のビードガラス18は、ステム19に立設
されたピン(図番なし)に固定され、サポート材20に
よって陰極構体11を保持固定し、同時に、制御電極1
2、加速電極13、第1集束電極14、第2集束電極1
5(1)、第2集束電極15(2)、第3集束電極1
6、陽極電極17のそれぞれを保持固定する。
11の電子放射面側に、制御電極12、加速電極13、
第1集束電極14、第2集束電極15(1)、第2集束
電極15(2)、第3集束電極16、陽極電極17がこ
の順に配置される。制御電極12、加速電極13、第1
集束電極14、第2集束電極15(1)、第2集束電極
15(2)、第3集束電極16、陽極電極17のそれぞ
れには、陰極構体11から放射される3本の電子ビーム
を通過させる電子ビーム通過孔(図示なし)が設けられ
るとともに、一対のビードガラス18によって保持固定
される。一対のビードガラス18は、ステム19に立設
されたピン(図番なし)に固定され、サポート材20に
よって陰極構体11を保持固定し、同時に、制御電極1
2、加速電極13、第1集束電極14、第2集束電極1
5(1)、第2集束電極15(2)、第3集束電極1
6、陽極電極17のそれぞれを保持固定する。
【0033】次いで、図3は、図2に図示されたインラ
イン電子銃9における陰極構体11の近傍の構成を示す
断面図である。
イン電子銃9における陰極構体11の近傍の構成を示す
断面図である。
【0034】図3において、12Hは制御電極12の電
子ビーム通過孔、21は円筒状陰極スリーブ、22は帽
状陰極基体、23は電子放射物質層、24はヒーター、
24Lはヒーターリード、25は漏斗状金属支持体、2
6は朝顔状アイレット、27はヒーターサポートであ
り、その他、図2に示された構成要素と同じ構成要素に
ついては同じ符号を付けている。
子ビーム通過孔、21は円筒状陰極スリーブ、22は帽
状陰極基体、23は電子放射物質層、24はヒーター、
24Lはヒーターリード、25は漏斗状金属支持体、2
6は朝顔状アイレット、27はヒーターサポートであ
り、その他、図2に示された構成要素と同じ構成要素に
ついては同じ符号を付けている。
【0035】そして、円筒状陰極スリーブ21は、一端
に帽状陰極基体22が嵌合され、内部にヒーター24が
収納されて、傍熱型陰極を構成している。帽状陰極基体
22は、頂面に電子放射物質層23が被着形成される。
制御電極12は、電子放射物質層23に対向した部分に
電子ビーム通過孔12Hが形成される。ヒーター24
は、両端に設けられたヒーターリード24Lの開放端が
ヒーターサポート27の一端部に溶接される。漏斗状金
属支持体25は、小径部と大径部とからなり、小径部が
陰極スリーブ21の他端領域外周に嵌合固定される。朝
顔状アイレット26は、小径部と大径部とからなり、小
径部が漏斗状金属支持体25の大径部外周に嵌合固定さ
れ、大径部外周面がサポート材20を介して一対のビー
ドガラス18に接合される。ヒーターサポート27は、
他端部が一対のビードガラス18に接合される。
に帽状陰極基体22が嵌合され、内部にヒーター24が
収納されて、傍熱型陰極を構成している。帽状陰極基体
22は、頂面に電子放射物質層23が被着形成される。
制御電極12は、電子放射物質層23に対向した部分に
電子ビーム通過孔12Hが形成される。ヒーター24
は、両端に設けられたヒーターリード24Lの開放端が
ヒーターサポート27の一端部に溶接される。漏斗状金
属支持体25は、小径部と大径部とからなり、小径部が
陰極スリーブ21の他端領域外周に嵌合固定される。朝
顔状アイレット26は、小径部と大径部とからなり、小
径部が漏斗状金属支持体25の大径部外周に嵌合固定さ
れ、大径部外周面がサポート材20を介して一対のビー
ドガラス18に接合される。ヒーターサポート27は、
他端部が一対のビードガラス18に接合される。
【0036】このような構成によって、陰極スリーブ2
1は、漏斗状金属支持体25、朝顔状アイレット26及
びサポート材20によって一対のビードガラス18に固
定され、ヒーター24は、ヒーターリード24L及びヒ
ーターサポート27によって同じく一対のビードガラス
18に固定される。
1は、漏斗状金属支持体25、朝顔状アイレット26及
びサポート材20によって一対のビードガラス18に固
定され、ヒーター24は、ヒーターリード24L及びヒ
ーターサポート27によって同じく一対のビードガラス
18に固定される。
【0037】続いて、図4は、図3に図示された陰極構
体11における主要構成部分を示す断面構成図である。
体11における主要構成部分を示す断面構成図である。
【0038】図4において、231 は電子放射物質層2
3の下側(第1)層、232 は電子放射物質層23の上
側(第2)層であり、その他、図3に示された構成要素
と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
3の下側(第1)層、232 は電子放射物質層23の上
側(第2)層であり、その他、図3に示された構成要素
と同じ構成要素については同じ符号を付けている。
【0039】そして、円筒状陰極スリーブ21は、高融
点金属、例えば、ニッケル(Ni)を主成分とし、その
中に少量のシリコン(Si)やマグネシウム(Mg)の
還元性金属を含んだ金属材料によって構成される。同じ
ように、帽状陰極基体22は、高融点金属、例えば、ニ
ッケル(Ni)を主成分とし、その中に少量のシリコン
(Si)やマグネシウム(Mg)の還元性金属を含んだ
金属材料によって構成される。電子放射物質層23の下
側層231 は、多面体形状のアルカリ土類金属酸化物粒
子からなり、陰極基体22の頂面に被着形成される。電
子放射物質層23の上側層232 は、希土類金属酸化物
を含んだ針形状のアルカリ土類金属酸化物粒子からな
り、下側層231 の上面に被着形成される。
点金属、例えば、ニッケル(Ni)を主成分とし、その
中に少量のシリコン(Si)やマグネシウム(Mg)の
還元性金属を含んだ金属材料によって構成される。同じ
ように、帽状陰極基体22は、高融点金属、例えば、ニ
ッケル(Ni)を主成分とし、その中に少量のシリコン
(Si)やマグネシウム(Mg)の還元性金属を含んだ
金属材料によって構成される。電子放射物質層23の下
側層231 は、多面体形状のアルカリ土類金属酸化物粒
子からなり、陰極基体22の頂面に被着形成される。電
子放射物質層23の上側層232 は、希土類金属酸化物
を含んだ針形状のアルカリ土類金属酸化物粒子からな
り、下側層231 の上面に被着形成される。
【0040】この場合、下側層231 に用いられるアル
カリ土類金属酸化物は、バリウム・ストロンチウム・カ
ルシウムの炭酸塩[(Ba・Sr・Ca)CO3 ]であ
り、上側層232 に用いられる希土類金属酸化物を含ん
だアルカリ土類金属酸化物は、バリウムスカンデート
(Ba2 Sc2 O5 )等を分散したバリウム・ストロン
チウム・カルシウムの炭酸塩[(Ba・Sr・Ca)C
O3 ]である。
カリ土類金属酸化物は、バリウム・ストロンチウム・カ
ルシウムの炭酸塩[(Ba・Sr・Ca)CO3 ]であ
り、上側層232 に用いられる希土類金属酸化物を含ん
だアルカリ土類金属酸化物は、バリウムスカンデート
(Ba2 Sc2 O5 )等を分散したバリウム・ストロン
チウム・カルシウムの炭酸塩[(Ba・Sr・Ca)C
O3 ]である。
【0041】ここで、電子放射物質層23の下側層23
1 及び上側層232 は、次のような手順によって形成さ
れる。
1 及び上側層232 は、次のような手順によって形成さ
れる。
【0042】下側層231 を形成する第1の懸濁液(ス
ラリー)については、54重量%の硝酸バリウム(Ba
NO3 )、39重量%の硝酸ストロンチウム(SrNO
3 )、7重量%の硝酸カルシウム(CaNO3 )の混合
溶液に、炭酸ナトリウム(Na2 CO3 )を添加してバ
リウム・ストロンチウム・カルシウムの炭酸塩[(Ba
・Sr・Ca)CO3 ]を沈殿させ、粉末状の第1の沈
殿物を得ている。この第1の沈殿物であるバリウム・ス
トロンチウム・カルシウム炭酸塩[Ba・Sr・Ca)
CO3 ]は、粒子形状としてマイクロトラック粒度分布
計を用いて測定したとき平均粒径が2μmの多面体形状
(電子顕微鏡で観察)のものからなっている。得られた
第1の沈殿物にニトロセルロースラッカー、酢酸ブチル
を加えてローリング混合し、第1の懸濁液(スラリー)
が調製される。
ラリー)については、54重量%の硝酸バリウム(Ba
NO3 )、39重量%の硝酸ストロンチウム(SrNO
3 )、7重量%の硝酸カルシウム(CaNO3 )の混合
溶液に、炭酸ナトリウム(Na2 CO3 )を添加してバ
リウム・ストロンチウム・カルシウムの炭酸塩[(Ba
・Sr・Ca)CO3 ]を沈殿させ、粉末状の第1の沈
殿物を得ている。この第1の沈殿物であるバリウム・ス
トロンチウム・カルシウム炭酸塩[Ba・Sr・Ca)
CO3 ]は、粒子形状としてマイクロトラック粒度分布
計を用いて測定したとき平均粒径が2μmの多面体形状
(電子顕微鏡で観察)のものからなっている。得られた
第1の沈殿物にニトロセルロースラッカー、酢酸ブチル
を加えてローリング混合し、第1の懸濁液(スラリー)
が調製される。
【0043】なお、以下に述べる各粒子形状の測定は、
いずれも、マイクロトラック粒度分布計を用いて測定し
たものである。
いずれも、マイクロトラック粒度分布計を用いて測定し
たものである。
【0044】一方、上側層232 を形成する第2の懸濁
液(スラリー)については、53重量%の硝酸バリウム
(BaNO3 )、38重量%の硝酸ストロンチウム(S
rNO3 )、6重量%の硝酸カルシウム(CaNO3 )
の混合溶液に、炭酸ナトリウム(Na2 CO3 )を添加
してバリウム・ストロンチウム・カルシウムの炭酸塩
[(Ba・Sr・Ca)CO3 ]を沈殿させ、粉末状の
第2の沈殿物を得ている。この第2の沈殿物であるバリ
ウム・ストロンチウム・カルシウム炭酸塩[Ba・Sr
・Ca)CO3 ]は、粒子形状として平均粒径が10μ
mの針形状のものからなっている。得られた第2の沈殿
物に3重量%のバリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O
5 )を混合し、この混合物にニトロセルロースラッカ
ー、酢酸ブチルを加えてローリング混合し、第2の懸濁
液(スラリー)が調製される。
液(スラリー)については、53重量%の硝酸バリウム
(BaNO3 )、38重量%の硝酸ストロンチウム(S
rNO3 )、6重量%の硝酸カルシウム(CaNO3 )
の混合溶液に、炭酸ナトリウム(Na2 CO3 )を添加
してバリウム・ストロンチウム・カルシウムの炭酸塩
[(Ba・Sr・Ca)CO3 ]を沈殿させ、粉末状の
第2の沈殿物を得ている。この第2の沈殿物であるバリ
ウム・ストロンチウム・カルシウム炭酸塩[Ba・Sr
・Ca)CO3 ]は、粒子形状として平均粒径が10μ
mの針形状のものからなっている。得られた第2の沈殿
物に3重量%のバリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O
5 )を混合し、この混合物にニトロセルロースラッカ
ー、酢酸ブチルを加えてローリング混合し、第2の懸濁
液(スラリー)が調製される。
【0045】次に、ニッケル(Ni)を主成分とする帽
状陰極基体22の頂面に、スプレー法によって第1の懸
濁液を塗布し、約8μmの厚さの下側層231 を形成す
る。次いで、下側層231 の上面に、同様のスプレー法
によって第2の懸濁液を塗布し、約60μmの厚さの上
側層232 を形成する。このとき、バリウムスカンデー
ト(Ba2 Sc2 O5 )の粒子形状は、平均粒径が1.
2μの多面体形状をしている。
状陰極基体22の頂面に、スプレー法によって第1の懸
濁液を塗布し、約8μmの厚さの下側層231 を形成す
る。次いで、下側層231 の上面に、同様のスプレー法
によって第2の懸濁液を塗布し、約60μmの厚さの上
側層232 を形成する。このとき、バリウムスカンデー
ト(Ba2 Sc2 O5 )の粒子形状は、平均粒径が1.
2μの多面体形状をしている。
【0046】続いて、カラー陰極線管の真空排気工程に
おいて、電子放射物質層23の下側層231 及び上側層
232 を、ヒーター24の通電によって加熱することに
より、下側層231 及び上側層232 内にあるバリウム
・ストロンチウム・カルシウムの炭酸塩[(Ba・Sr
・Ca)CO3 ]を熱分解し、バリウム、ストロンチウ
ム、カルシウムの酸化物[(Ba・Sr・Ca)O]を
生成させる。このため、電子放射物質層23は、アルカ
リ土類金属酸化物粒子からなる下側層231 と、希土類
金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物粒子からな
る上側層232が形成される。
おいて、電子放射物質層23の下側層231 及び上側層
232 を、ヒーター24の通電によって加熱することに
より、下側層231 及び上側層232 内にあるバリウム
・ストロンチウム・カルシウムの炭酸塩[(Ba・Sr
・Ca)CO3 ]を熱分解し、バリウム、ストロンチウ
ム、カルシウムの酸化物[(Ba・Sr・Ca)O]を
生成させる。このため、電子放射物質層23は、アルカ
リ土類金属酸化物粒子からなる下側層231 と、希土類
金属酸化物を含んだアルカリ土類金属酸化物粒子からな
る上側層232が形成される。
【0047】この後、電子放射物質層23を、温度90
0乃至1100℃の雰囲気中で加熱して活性化させ、陰
極構体11が形成される。
0乃至1100℃の雰囲気中で加熱して活性化させ、陰
極構体11が形成される。
【0048】前記構成による本実施例の陰極構体11に
よれば、バリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )を
含んだアルカリ土類金属酸化物粒子からなる上側層23
2 を設け、バリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )
によって遊離バリウム(Ba)を拘束し、電子放射物質
層23における遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に維
持させることにより、優れた高電流密度動作特性を発揮
できる陰極構体を得ることができる。この場合、本実施
例の陰極構体11は、アルカリ土類金属酸化物粒子から
なる下側層231 の層厚を電子放射物質層23全体の層
厚の約12%に選んでいるため、電子放射物質層23の
88%を希土類金属酸化物を分散させた上側層232 に
よって構成することができ、高電流密度動作特性を良好
にすることができる。また、下側層231 を構成してい
るアルカリ土類金属酸化物粒子を多面体形状のものと
し、その平均粒径が2μmであって下側層231 の層厚
の約1/4に該当するので、上側層232 に分散された
バリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )が陰極基体
22に接触することがなく、電子放射物質層23と陰極
基体22との間の接着力が低下して陰極基体22から電
子放射物質層23が剥離することがない。
よれば、バリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )を
含んだアルカリ土類金属酸化物粒子からなる上側層23
2 を設け、バリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )
によって遊離バリウム(Ba)を拘束し、電子放射物質
層23における遊離バリウム(Ba)を高濃度状態に維
持させることにより、優れた高電流密度動作特性を発揮
できる陰極構体を得ることができる。この場合、本実施
例の陰極構体11は、アルカリ土類金属酸化物粒子から
なる下側層231 の層厚を電子放射物質層23全体の層
厚の約12%に選んでいるため、電子放射物質層23の
88%を希土類金属酸化物を分散させた上側層232 に
よって構成することができ、高電流密度動作特性を良好
にすることができる。また、下側層231 を構成してい
るアルカリ土類金属酸化物粒子を多面体形状のものと
し、その平均粒径が2μmであって下側層231 の層厚
の約1/4に該当するので、上側層232 に分散された
バリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )が陰極基体
22に接触することがなく、電子放射物質層23と陰極
基体22との間の接着力が低下して陰極基体22から電
子放射物質層23が剥離することがない。
【0049】前記実施例においては、電子放射物質層2
3における下側層231 の層厚を約8μmにし、上側層
232 の層厚を約60μmにした例を示すものである
が、本発明の陰極構体は下側層231 及び上側層232
の各層厚が前述の例に限られるものではなく、それぞれ
他の層厚になるように選んでもよい。
3における下側層231 の層厚を約8μmにし、上側層
232 の層厚を約60μmにした例を示すものである
が、本発明の陰極構体は下側層231 及び上側層232
の各層厚が前述の例に限られるものではなく、それぞれ
他の層厚になるように選んでもよい。
【0050】すなわち、その1つの例(以下、この例を
他の第1例という)としては、電子放射物質層23にお
ける下側層231 の層厚を約5μmにるように形成し、
上側層232 の層厚を約75μmになるように形成し
て、下側層231 の層厚を電子放射物質層23全体の層
厚の約6%にしたものである。他の第1例における電子
放射物質層23の形成方法は、前記実施例と同じであっ
て、まず、帽状陰極基体22の頂面に、スプレー法によ
って前記実施例において調製された第1の懸濁液(スラ
リー)と同じ懸濁液を塗布し、約5μmの層厚の下側層
231 を形成し、次に、下側層231 の上面に、同様な
スプレー法によって前記実施例において調製された第2
の懸濁液(スラリー)と同じ懸濁液を塗布し、約75μ
mの層厚の上側層232 を形成しているものである。
他の第1例という)としては、電子放射物質層23にお
ける下側層231 の層厚を約5μmにるように形成し、
上側層232 の層厚を約75μmになるように形成し
て、下側層231 の層厚を電子放射物質層23全体の層
厚の約6%にしたものである。他の第1例における電子
放射物質層23の形成方法は、前記実施例と同じであっ
て、まず、帽状陰極基体22の頂面に、スプレー法によ
って前記実施例において調製された第1の懸濁液(スラ
リー)と同じ懸濁液を塗布し、約5μmの層厚の下側層
231 を形成し、次に、下側層231 の上面に、同様な
スプレー法によって前記実施例において調製された第2
の懸濁液(スラリー)と同じ懸濁液を塗布し、約75μ
mの層厚の上側層232 を形成しているものである。
【0051】他の第1例においては、アルカリ土類金属
酸化物からなる下側層231 の層厚を電子放射物質層2
3の約6%にし、バリウムスカンデート(Ba2 Sc2
O5)を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる上側層
232 の層厚の占める割合を電子放射物質層23の層厚
の約94%にしたことにより、前記実施例と同様に、高
電流密度動作特性を良好にすることができる。また、他
の第1例においても、下側層231 を構成するアルカリ
土類金属酸化物の平均粒径が2μmで、下側層231 の
層厚の約2/5に該当するため、上側層232 に分散さ
れたバリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )が陰極
基体22に接触することはなく、電子放射物質層23と
陰極基体22との間の接着力が低下し、電子放射物質層
23が剥離することはない。
酸化物からなる下側層231 の層厚を電子放射物質層2
3の約6%にし、バリウムスカンデート(Ba2 Sc2
O5)を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる上側層
232 の層厚の占める割合を電子放射物質層23の層厚
の約94%にしたことにより、前記実施例と同様に、高
電流密度動作特性を良好にすることができる。また、他
の第1例においても、下側層231 を構成するアルカリ
土類金属酸化物の平均粒径が2μmで、下側層231 の
層厚の約2/5に該当するため、上側層232 に分散さ
れたバリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )が陰極
基体22に接触することはなく、電子放射物質層23と
陰極基体22との間の接着力が低下し、電子放射物質層
23が剥離することはない。
【0052】また、その他の例(以下、この例を他の第
2例という)としては、電子放射物質層23における下
側層231 の層厚を約26μmにるように形成し、上側
層232 の層厚を約60μmになるように形成して、下
側層231 の層厚を電子放射物質層23全体の層厚の約
30%にしたものである。他の第2例における電子放射
物質層23の形成方法も、前記実施例と同じであって、
まず、帽状陰極基体22の頂面に、スプレー法によって
前記実施例において調製された第1の懸濁液(スラリ
ー)と同じ懸濁液を塗布し、約26μmの層厚の下側層
231 を形成し、次に、下側層231 の上面に、同様な
スプレー法によって前記実施例において調製された第2
の懸濁液(スラリー)と同じ懸濁液を塗布し、約60μ
mの層厚の上側層232 を形成しているものである。
2例という)としては、電子放射物質層23における下
側層231 の層厚を約26μmにるように形成し、上側
層232 の層厚を約60μmになるように形成して、下
側層231 の層厚を電子放射物質層23全体の層厚の約
30%にしたものである。他の第2例における電子放射
物質層23の形成方法も、前記実施例と同じであって、
まず、帽状陰極基体22の頂面に、スプレー法によって
前記実施例において調製された第1の懸濁液(スラリ
ー)と同じ懸濁液を塗布し、約26μmの層厚の下側層
231 を形成し、次に、下側層231 の上面に、同様な
スプレー法によって前記実施例において調製された第2
の懸濁液(スラリー)と同じ懸濁液を塗布し、約60μ
mの層厚の上側層232 を形成しているものである。
【0053】他の第2例においては、アルカリ土類金属
酸化物からなる下側層231 の層厚を電子放射物質層2
3の約30%にし、バリウムスカンデート(Ba2 Sc
2 O 5 )を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる上側
層232 の層厚の占める割合を電子放射物質層23の層
厚の約70%にしたことにより、前記実施例と同様に、
高電流密度動作特性を良好にすることができる。また、
他の第2例においても、下側層231 を構成するアルカ
リ土類金属酸化物の平均粒径が2μmで、下側層231
の層厚の約1/15に該当するため、上側層232 に分
散されたバリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )が
陰極基体22に接触することはなく、電子放射物質層2
3と陰極基体22との間の接着力が低下し、電子放射物
質層23が剥離することはない。
酸化物からなる下側層231 の層厚を電子放射物質層2
3の約30%にし、バリウムスカンデート(Ba2 Sc
2 O 5 )を含んだアルカリ土類金属酸化物からなる上側
層232 の層厚の占める割合を電子放射物質層23の層
厚の約70%にしたことにより、前記実施例と同様に、
高電流密度動作特性を良好にすることができる。また、
他の第2例においても、下側層231 を構成するアルカ
リ土類金属酸化物の平均粒径が2μmで、下側層231
の層厚の約1/15に該当するため、上側層232 に分
散されたバリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )が
陰極基体22に接触することはなく、電子放射物質層2
3と陰極基体22との間の接着力が低下し、電子放射物
質層23が剥離することはない。
【0054】ここで、図5は、本発明の陰極構体におけ
る電子放射量と動作時間との関係を示す特性図である。
る電子放射量と動作時間との関係を示す特性図である。
【0055】図5において、縦軸は%で表した電子放射
量、横軸はkh(キロアワー)で表した動作時間であっ
て、曲線aは下側層231 の層厚を8μm、上側層23
2 の層厚を60μmにしたものの例及び下側層231 の
層厚を26μm、上側層232 の層厚を60μmにした
例であり、曲線bは下側層231 の層厚を5μm、上側
層232 の層厚を75μmにした例である。また、曲線
cは比較のために挙げたもので、下側層及び上側層の各
層厚を34μmにした既知の例である。
量、横軸はkh(キロアワー)で表した動作時間であっ
て、曲線aは下側層231 の層厚を8μm、上側層23
2 の層厚を60μmにしたものの例及び下側層231 の
層厚を26μm、上側層232 の層厚を60μmにした
例であり、曲線bは下側層231 の層厚を5μm、上側
層232 の層厚を75μmにした例である。また、曲線
cは比較のために挙げたもので、下側層及び上側層の各
層厚を34μmにした既知の例である。
【0056】図5の曲線a、bに示されるように、本実
施例の陰極構体は、既知の陰極構体に比べて、動作時間
の経過とともに電子放射量の低下の割合が少なくなって
おり、その結果として、高電流密度動作を維持しながら
寿命を長くすることができる。
施例の陰極構体は、既知の陰極構体に比べて、動作時間
の経過とともに電子放射量の低下の割合が少なくなって
おり、その結果として、高電流密度動作を維持しながら
寿命を長くすることができる。
【0057】この場合、下側層231 の層厚は、電子放
射物質層23の層厚の5%以下になると、下側層231
の層厚とアルカリ土類金属酸化物の平均粒径との関係か
ら上側層23に分散されたバリウムスカンデート(Ba
2 Sc2 O5 )が陰極基体22に接触することがあるの
で好ましくなく、一方、電子放射物質層23の層厚の3
7%以上になると、バリウムスカンデート(Ba2 Sc
2 O5 )の総量が不足するようになるので同様に好まし
くない。その結果、本発明おける下側層231の層厚は
電子放射物質層23の層厚の5乃至37%の範囲内にあ
るように選択する。
射物質層23の層厚の5%以下になると、下側層231
の層厚とアルカリ土類金属酸化物の平均粒径との関係か
ら上側層23に分散されたバリウムスカンデート(Ba
2 Sc2 O5 )が陰極基体22に接触することがあるの
で好ましくなく、一方、電子放射物質層23の層厚の3
7%以上になると、バリウムスカンデート(Ba2 Sc
2 O5 )の総量が不足するようになるので同様に好まし
くない。その結果、本発明おける下側層231の層厚は
電子放射物質層23の層厚の5乃至37%の範囲内にあ
るように選択する。
【0058】また、前記実施例を含む各例においては、
バリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )の含有量が
3重量%である例を挙げて説明したが、本発明における
電子放射物質層23の上側層232 に含まれるバリウム
スカンデート(Ba2 Sc2O5 )の含有量は3重量%
である場合に限られず、他の含有量、具体的には0.0
1乃至15.0重量%の範囲内であれば、任意の含有量
を選択することができる。
バリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )の含有量が
3重量%である例を挙げて説明したが、本発明における
電子放射物質層23の上側層232 に含まれるバリウム
スカンデート(Ba2 Sc2O5 )の含有量は3重量%
である場合に限られず、他の含有量、具体的には0.0
1乃至15.0重量%の範囲内であれば、任意の含有量
を選択することができる。
【0059】すなわち、バリウムスカンデート(Ba2
Sc2 O5 )の含有量が0.01重量%以下であれば、
バリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )の含有させ
たことの意義が失われ、一方、バリウムスカンデート
(Ba2 Sc2 O5 )の含有量が15.0重量%以上に
なると、電子放射物質層23における電子放射機能が低
下するので、バリウムスカンデート(Ba2 Sc
2 O5 )の含有量は0.01乃至15.0重量%の範囲
内に選ばれる。
Sc2 O5 )の含有量が0.01重量%以下であれば、
バリウムスカンデート(Ba2 Sc2 O5 )の含有させ
たことの意義が失われ、一方、バリウムスカンデート
(Ba2 Sc2 O5 )の含有量が15.0重量%以上に
なると、電子放射物質層23における電子放射機能が低
下するので、バリウムスカンデート(Ba2 Sc
2 O5 )の含有量は0.01乃至15.0重量%の範囲
内に選ばれる。
【0060】さらに、前記実施例を含む各例において
は、電子放射物質層23の上側層232 に用いられる希
土類金属酸化物としてバリウムスカンデート(Ba2 S
c2 O5 )を用いた例を挙げて説明したが、本発明に用
いられる希土類金属酸化物はバリウムスカンデート(B
a2 Sc2 O5 )に限られるものでなく、バリウムスカ
ンデート(Ba2 Sc2 O5 )に類似特性の他の希土類
金属酸化物を用いてもよいことは勿論である。
は、電子放射物質層23の上側層232 に用いられる希
土類金属酸化物としてバリウムスカンデート(Ba2 S
c2 O5 )を用いた例を挙げて説明したが、本発明に用
いられる希土類金属酸化物はバリウムスカンデート(B
a2 Sc2 O5 )に限られるものでなく、バリウムスカ
ンデート(Ba2 Sc2 O5 )に類似特性の他の希土類
金属酸化物を用いてもよいことは勿論である。
【0061】
【発明の効果】以上のように、請求項1に記載の発明に
よれば、陰極から電子放射する電子放射物質層として、
陰極基体の頂面側に被着形成した下側層と、下側層上に
被着形成した上側層との2層構造とし、下側層を多面体
形状のアルカリ土類金属酸化物粒子により、上側層を希
土類金属酸化物を含んだ針形状のアルカリ土類金属酸化
物粒子によって形成しているもので、下側層におけるア
ルカリ土類金属酸化物粒子の層厚方向の平均粒径が小さ
いので、下側層を比較的薄い層厚に形成しても、上側層
内の希土類金属酸化物と陰極基体とが接触するのを防ぐ
ことができ、また、下側層の層厚を薄くできることによ
り、上側層の層厚をその分だけ厚くすることが可能とな
り、上側層中に含まれる希土類金属酸化物の分散量を相
対的に多くすることができる。そして、電子放射物質層
内の希土類金属酸化物の分散量が相対的に多くなると、
電子放射物質層内の遊離バリウム(Ba)を高濃度状態
に維持できるようになるので、電子放射物質層の電気抵
抗が小さく、電子放射物質層内のジュール熱の発生が少
なくなり、陰極線管の大型化や高輝度化に対応可能な、
優れた高電流密度動作特性を発揮できる陰極構体が得ら
れるという効果がある。
よれば、陰極から電子放射する電子放射物質層として、
陰極基体の頂面側に被着形成した下側層と、下側層上に
被着形成した上側層との2層構造とし、下側層を多面体
形状のアルカリ土類金属酸化物粒子により、上側層を希
土類金属酸化物を含んだ針形状のアルカリ土類金属酸化
物粒子によって形成しているもので、下側層におけるア
ルカリ土類金属酸化物粒子の層厚方向の平均粒径が小さ
いので、下側層を比較的薄い層厚に形成しても、上側層
内の希土類金属酸化物と陰極基体とが接触するのを防ぐ
ことができ、また、下側層の層厚を薄くできることによ
り、上側層の層厚をその分だけ厚くすることが可能とな
り、上側層中に含まれる希土類金属酸化物の分散量を相
対的に多くすることができる。そして、電子放射物質層
内の希土類金属酸化物の分散量が相対的に多くなると、
電子放射物質層内の遊離バリウム(Ba)を高濃度状態
に維持できるようになるので、電子放射物質層の電気抵
抗が小さく、電子放射物質層内のジュール熱の発生が少
なくなり、陰極線管の大型化や高輝度化に対応可能な、
優れた高電流密度動作特性を発揮できる陰極構体が得ら
れるという効果がある。
【0062】また、請求項2に記載の発明によれば、陰
極から電子放射する電子放射物質層として、陰極基体の
頂面側に被着形成した下側層と、下側層上に被着形成し
た上側層との2層構造とし、下側層を平均粒径が小さい
アルカリ土類金属酸化物粒子により、上側層を希土類金
属酸化物を含んだ平均粒径が大きいアルカリ土類金属酸
化物粒子によって形成しているもので、下側層を比較的
薄い層厚に形成しても、上側層内の希土類金属酸化物と
陰極基体とが接触するのを防ぐことができ、また、下側
層の層厚を薄くできることにより、上側層の層厚をその
分だけ厚くすることが可能となり、上側層中に含まれる
希土類金属酸化物の分散量を相対的に多くすることがで
きる。そして、電子放射物質層内の希土類金属酸化物の
分散量が相対的に多くなると、電子放射物質層内の遊離
バリウム(Ba)を高濃度状態に維持できるようになる
ので、電子放射物質層の電気抵抗が小さく、電子放射物
質層内のジュール熱の発生が少なくなり、陰極線管の大
型化や高輝度化に対応可能な、優れた高電流密度動作特
性を発揮できる陰極構体が得られるという効果がある。
極から電子放射する電子放射物質層として、陰極基体の
頂面側に被着形成した下側層と、下側層上に被着形成し
た上側層との2層構造とし、下側層を平均粒径が小さい
アルカリ土類金属酸化物粒子により、上側層を希土類金
属酸化物を含んだ平均粒径が大きいアルカリ土類金属酸
化物粒子によって形成しているもので、下側層を比較的
薄い層厚に形成しても、上側層内の希土類金属酸化物と
陰極基体とが接触するのを防ぐことができ、また、下側
層の層厚を薄くできることにより、上側層の層厚をその
分だけ厚くすることが可能となり、上側層中に含まれる
希土類金属酸化物の分散量を相対的に多くすることがで
きる。そして、電子放射物質層内の希土類金属酸化物の
分散量が相対的に多くなると、電子放射物質層内の遊離
バリウム(Ba)を高濃度状態に維持できるようになる
ので、電子放射物質層の電気抵抗が小さく、電子放射物
質層内のジュール熱の発生が少なくなり、陰極線管の大
型化や高輝度化に対応可能な、優れた高電流密度動作特
性を発揮できる陰極構体が得られるという効果がある。
【図1】本発明による陰極構体が用いられるカラー陰極
線管の概略構成を示す断面図である。
線管の概略構成を示す断面図である。
【図2】図1に図示されたカラー陰極線管に用いられる
インライン電子銃の構成を示す側面図である。
インライン電子銃の構成を示す側面図である。
【図3】図2に図示されたインライン電子銃における陰
極構体近傍の構成を示す断面図である。
極構体近傍の構成を示す断面図である。
【図4】図3に図示された陰極構体における主要構成部
分を示す断面構成図である。
分を示す断面構成図である。
【図5】本発明によって得られる陰極構体における電子
放射量と動作時間との関係を示す特性図である。
放射量と動作時間との関係を示す特性図である。
【図6】既知の陰極構体の構成の一例を示す断面図であ
る。
る。
1 パネル部 1F フェースプレート 2 ネック部 3 ファンネル部 4 螢光面 5 シャドウマスク 6 磁気シールド 7 偏向ヨーク 8 調整用マグネット組立 9 インライン電子銃 10 電子ビーム 11 陰極構体 12 制御電極(G1) 12H 電子ビーム通過孔 13 加速電極(G2) 14 第1集束電極(G3) 15(1)、15(2) 第2集束電極(G4) 16 第3集束電極(G5) 17 陽極電極 18 一対のビードガラス 19 ステム 20 サポート材 21 円筒状陰極スリーブ 22 帽状陰極基体 23 電子放射物質層 231 下側(第1)層 232 上側(第2)層 24 ヒーター 24L ヒーターリード 25 金属支持体 26 アイレット 27 ヒーターサポート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小泉 幸生 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 (72)発明者 宮本 覚 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所電子デバイス事業部内 Fターム(参考) 5C031 DD04 DD09
Claims (4)
- 【請求項1】 陰極スリーブと、前記陰極スリーブの一
端に嵌合された陰極基体と、前記陰極基体の頂面に被着
形成された電子放射物質層とを備える陰極構体におい
て、前記電子放射物質層は、前記陰極基体の頂面側にあ
り、多面体形状のアルカリ土類金属酸化物粒子によって
形成された下側層と、前記下側層上にあり、希土類金属
酸化物を含んだ針形状のアルカリ土類金属酸化物粒子に
よって形成された上側層とからなり、前記下側層の厚さ
は前記電子放射物質層の厚さの5乃至37%の範囲内に
あるように選ばれていることを特徴とする陰極構体。 - 【請求項2】 陰極スリーブと、前記陰極スリーブの一
端に嵌合された陰極基体と、前記陰極基体の頂面に被着
形成された電子放射物質層とを備える陰極構体におい
て、前記電子放射物質層は、前記陰極基体の頂面側にあ
り、第1の平均粒径を持つアルカリ土類金属酸化物粒子
によって形成された下側層と、前記下側層上にあり、希
土類金属酸化物を含んだ前記第1の平均粒径よりも大き
い第2の平均粒径を持つアルカリ土類金属酸化物粒子に
よって形成された上側層とからなり、前記下側層の厚さ
は前記電子放射物質層の厚さの5乃至37%の範囲内に
あるように選ばれていることを特徴とする陰極構体。 - 【請求項3】 前記第1の平均粒径は、前記第2の平均
粒径の1/2以下に選ばれていることを特徴とする請求
項2に記載の陰極構体。 - 【請求項4】 前記希土類金属酸化物は、バリウムスカ
ンデート(Ba2 Sc2 O5 )であって、その含有量が
1乃至3重量%の範囲内にあることを特徴とする請求項
1乃至3に記載の陰極線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP135599A JP2000200541A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 陰極構体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP135599A JP2000200541A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 陰極構体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200541A true JP2000200541A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11499197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP135599A Pending JP2000200541A (ja) | 1999-01-06 | 1999-01-06 | 陰極構体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000200541A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428972B1 (ko) * | 2001-06-22 | 2004-04-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자관용 음극 및 그 제조방법 |
-
1999
- 1999-01-06 JP JP135599A patent/JP2000200541A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100428972B1 (ko) * | 2001-06-22 | 2004-04-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자관용 음극 및 그 제조방법 |
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