JP2000200818A - エレクトロマイグレ―ション評価用ｔｅｇ - Google Patents
エレクトロマイグレ―ション評価用ｔｅｇInfo
- Publication number
- JP2000200818A JP2000200818A JP11000745A JP74599A JP2000200818A JP 2000200818 A JP2000200818 A JP 2000200818A JP 11000745 A JP11000745 A JP 11000745A JP 74599 A JP74599 A JP 74599A JP 2000200818 A JP2000200818 A JP 2000200818A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- electromigration
- evaluation
- teg
- electromigration evaluation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ワイヤボンディング時のボンディング用パッ
ドの劣化を防止してエレクトロマイグレーション耐量を
正確に評価することができるようにする。 【解決手段】 開示されているエレクトロマイグレーシ
ョン評価用ＴＥＧは、アルミニウムを主成分とする導電
性材料からなるエレクトロマイグレーション評価用配線
３と、この評価用配線３の両端部に形成された一対のボ
ンディング用パッド４、５とが、例えば互いに並列接続
された第１分岐配線７Ａ、第２分岐配線７Ｂ、第３分岐
配線７Ｃ、第４分岐配線７Ｄ及び第５分岐配線７Ｅから
なる分岐配線７を通じて接続され、各分岐配線７Ａ〜７
Ｅとエレクトロマイグレーション評価用配線３との接続
部の断面積Ｓ１は、エレクトロマイグレーション評価用
配線３自身の断面積Ｓ２よりも大きく形成されている。
ドの劣化を防止してエレクトロマイグレーション耐量を
正確に評価することができるようにする。 【解決手段】 開示されているエレクトロマイグレーシ
ョン評価用ＴＥＧは、アルミニウムを主成分とする導電
性材料からなるエレクトロマイグレーション評価用配線
３と、この評価用配線３の両端部に形成された一対のボ
ンディング用パッド４、５とが、例えば互いに並列接続
された第１分岐配線７Ａ、第２分岐配線７Ｂ、第３分岐
配線７Ｃ、第４分岐配線７Ｄ及び第５分岐配線７Ｅから
なる分岐配線７を通じて接続され、各分岐配線７Ａ〜７
Ｅとエレクトロマイグレーション評価用配線３との接続
部の断面積Ｓ１は、エレクトロマイグレーション評価用
配線３自身の断面積Ｓ２よりも大きく形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、エレクトロマイ
グレーション評価用ＴＥＧ（テスト・エレメント・グル
ープ(Test Element Group)）に係り、詳しくは、エレク
トロマイグレーション評価用配線の両端部に一対のボン
ディング用パッドが接続されたエレクトロマイグレーシ
ョン評価用ＴＥＧに関する。
グレーション評価用ＴＥＧ（テスト・エレメント・グル
ープ(Test Element Group)）に係り、詳しくは、エレク
トロマイグレーション評価用配線の両端部に一対のボン
ディング用パッドが接続されたエレクトロマイグレーシ
ョン評価用ＴＥＧに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の代表としてメモリ、プロセ
ッサなどのＬＳＩ（大規模集積回路）が知られている
が、最近のＬＳＩのようにより一層の高集積化が図られ
ると、半導体基板上に形成される配線は益々微細化され
る傾向になってきている。ＬＳＩを含めた半導体装置の
配線材料としては例えばアルミニウムを主成分とする導
電性材料が広く用いられている。
ッサなどのＬＳＩ（大規模集積回路）が知られている
が、最近のＬＳＩのようにより一層の高集積化が図られ
ると、半導体基板上に形成される配線は益々微細化され
る傾向になってきている。ＬＳＩを含めた半導体装置の
配線材料としては例えばアルミニウムを主成分とする導
電性材料が広く用いられている。
【０００３】ところで、アルミニウムを主成分とする導
電性材料を用いて微細化配線を形成した場合、配線に流
れる電流密度が大きくなると、アルミニウムの粒子界面
（粒界）に沿ってアルミニウム原子が移動する現象が生
じ、いわゆるエレクトロマイグレーションが生ずる。エ
レクトロマイグレーションの発生の度合いが大きくなる
と、最悪の場合配線は断線に至るので、半導体装置の信
頼性を著しく低下させることになる。
電性材料を用いて微細化配線を形成した場合、配線に流
れる電流密度が大きくなると、アルミニウムの粒子界面
（粒界）に沿ってアルミニウム原子が移動する現象が生
じ、いわゆるエレクトロマイグレーションが生ずる。エ
レクトロマイグレーションの発生の度合いが大きくなる
と、最悪の場合配線は断線に至るので、半導体装置の信
頼性を著しく低下させることになる。
【０００４】したがって、上述したような微細化配線を
形成する場合はその配線のエレクトロマイグレーション
耐量（エレクトロマイグレーションレベル）を評価する
ために、エレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧが実
施されている。このエレクトロマイグレーション評価用
ＴＥＧは、実際の配線の形成条件と同じ条件で半導体基
板上にエレクトロマイグレーション評価用配線を形成し
て、この評価用配線の平均寿命を算出することにより本
来の製品の配線の寿命、いわゆるエレクトロマイグレー
ション耐量を評価するものである。ここで、上述のエレ
クトロマイグレーション評価用配線の平均寿命ｔは次式
のように表される。 ｔ＝Ａ／Ｊnｅｘｐ（ＥA／ｋＴ） 但し、Ａ：定数 Ｊ：電流密度 ｎ：電流密度依存係数（１＜ｎ＜３） ＥA：活性化エネルギー ｋ：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温度
形成する場合はその配線のエレクトロマイグレーション
耐量（エレクトロマイグレーションレベル）を評価する
ために、エレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧが実
施されている。このエレクトロマイグレーション評価用
ＴＥＧは、実際の配線の形成条件と同じ条件で半導体基
板上にエレクトロマイグレーション評価用配線を形成し
て、この評価用配線の平均寿命を算出することにより本
来の製品の配線の寿命、いわゆるエレクトロマイグレー
ション耐量を評価するものである。ここで、上述のエレ
クトロマイグレーション評価用配線の平均寿命ｔは次式
のように表される。 ｔ＝Ａ／Ｊnｅｘｐ（ＥA／ｋＴ） 但し、Ａ：定数 Ｊ：電流密度 ｎ：電流密度依存係数（１＜ｎ＜３） ＥA：活性化エネルギー ｋ：ボルツマン定数 Ｔ：絶対温度
【０００５】図１０は、従来のエレクトロマイグレーシ
ョン評価用ＴＥＧを示す平面図である。同図において、
半導体基板上に絶縁膜を介してアルミニウムを主成分と
する導電性材料からなるエレクトロマイグレーション評
価用配線５１が形成されている。この評価用配線５１の
幅Ｗは、アルミニウム粒子（グレイン）５２のサイズ以
下である略８μｍ以下のバンブー（Bamboo）構造に形成
されている。この評価用配線５１の両端部にはこれと同
一材料からなる、正方形状で評価用配線５１より大面積
（略１００μｍ×１００μｍ）の一対のボンディング用
パッド５３、５４が接続されるように形成されている。
ここで、各ボンディング用パッド５３、５４の面積は大
きいので、それには多くのアルミニウム粒子５２が存在
しており、各粒子５２間には粒子界面５５が存在してい
る。そして、各ボンディング用パッド５３、５４間にボ
ンディングワイヤ（図示せず）を通じて電流を流すこと
により、上述の式に基づいて平均寿命が算出されること
になる。
ョン評価用ＴＥＧを示す平面図である。同図において、
半導体基板上に絶縁膜を介してアルミニウムを主成分と
する導電性材料からなるエレクトロマイグレーション評
価用配線５１が形成されている。この評価用配線５１の
幅Ｗは、アルミニウム粒子（グレイン）５２のサイズ以
下である略８μｍ以下のバンブー（Bamboo）構造に形成
されている。この評価用配線５１の両端部にはこれと同
一材料からなる、正方形状で評価用配線５１より大面積
（略１００μｍ×１００μｍ）の一対のボンディング用
パッド５３、５４が接続されるように形成されている。
ここで、各ボンディング用パッド５３、５４の面積は大
きいので、それには多くのアルミニウム粒子５２が存在
しており、各粒子５２間には粒子界面５５が存在してい
る。そして、各ボンディング用パッド５３、５４間にボ
ンディングワイヤ（図示せず）を通じて電流を流すこと
により、上述の式に基づいて平均寿命が算出されること
になる。
【０００６】しかしながら、上述のエレクトロマイグレ
ーション評価用ＴＥＧでは、一対のボンディング用パッ
ド５３、５４には多くのアルミニウム粒子５２及び粒子
界面５５が存在しているので、前述したように粒子界面
５５に沿って多くのアルミニウム原子が移動するように
なる。したがって、ボンディング用パッド５３、５４の
電流密度が大きくなるので、このボンディング用パッド
５３、５４のエレクトロマイグレーション耐量は低下す
る。一方、エレクトロマイグレーション評価用配線５１
の幅Ｗはバンブー構造となる値以下に設定されているの
で、電流密度は小さいのでそのエレクトロマイグレーシ
ョン耐量は高くなっている。この結果、エレクトロマイ
グレーション評価配線５１よりも先に、ボンディング用
パッド５３、５４がその根本部分５３Ａ、５４Ａでボイ
ドが発生して断線するという現象が生ずる。したがっ
て、エレクトロマイグレーション評価配線５１の平均寿
命を算出できないことになる。
ーション評価用ＴＥＧでは、一対のボンディング用パッ
ド５３、５４には多くのアルミニウム粒子５２及び粒子
界面５５が存在しているので、前述したように粒子界面
５５に沿って多くのアルミニウム原子が移動するように
なる。したがって、ボンディング用パッド５３、５４の
電流密度が大きくなるので、このボンディング用パッド
５３、５４のエレクトロマイグレーション耐量は低下す
る。一方、エレクトロマイグレーション評価用配線５１
の幅Ｗはバンブー構造となる値以下に設定されているの
で、電流密度は小さいのでそのエレクトロマイグレーシ
ョン耐量は高くなっている。この結果、エレクトロマイ
グレーション評価配線５１よりも先に、ボンディング用
パッド５３、５４がその根本部分５３Ａ、５４Ａでボイ
ドが発生して断線するという現象が生ずる。したがっ
て、エレクトロマイグレーション評価配線５１の平均寿
命を算出できないことになる。
【０００７】上述したようにエレクトロマイグレーショ
ン評価配線５１よりも先に、ボンディング用パッド５
３、５４が断線するいう欠点を防止するようにしたエレ
クトロマイグレーション評価用ＴＥＧが、例えば特開平
９−８０９１号公報に開示されている。図１１は、同公
報に示されているエレクトロマイグレーション評価用Ｔ
ＥＧを示す平面図である。同図において、エレクトロマ
イグレーション評価用配線６１の両端部に形成された一
対のボンディング用パッド６３、６４は、エレクトロマ
イグレーション評価用配線６１の径Ｗ（略８μｍ以下）
より狭い幅（略６μｍ以下）の配線６２により格子状に
形成されている。
ン評価配線５１よりも先に、ボンディング用パッド５
３、５４が断線するいう欠点を防止するようにしたエレ
クトロマイグレーション評価用ＴＥＧが、例えば特開平
９−８０９１号公報に開示されている。図１１は、同公
報に示されているエレクトロマイグレーション評価用Ｔ
ＥＧを示す平面図である。同図において、エレクトロマ
イグレーション評価用配線６１の両端部に形成された一
対のボンディング用パッド６３、６４は、エレクトロマ
イグレーション評価用配線６１の径Ｗ（略８μｍ以下）
より狭い幅（略６μｍ以下）の配線６２により格子状に
形成されている。
【０００８】上述のようなエレクトロマイグレーション
評価用ＴＥＧによれば、ボンディング用パッド６３、６
４のエレクトロマイグレーション耐量をエレクトロマイ
グレーション評価用配線６１のそれよりも高めることが
できるので、エレクトロマイグレーション評価用配線６
１よりも先にボンディング用パッド６３、６４が断線す
るのを防止することができるため、本来の配線のエレク
トロマイグレーション耐量を評価することができる。
評価用ＴＥＧによれば、ボンディング用パッド６３、６
４のエレクトロマイグレーション耐量をエレクトロマイ
グレーション評価用配線６１のそれよりも高めることが
できるので、エレクトロマイグレーション評価用配線６
１よりも先にボンディング用パッド６３、６４が断線す
るのを防止することができるため、本来の配線のエレク
トロマイグレーション耐量を評価することができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記公報記
載の従来のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧで
は、ボンディング用パッドが狭い幅の配線により格子状
に形成されているので、ワイヤボンディング時にボンデ
ィング用パッドが劣化し易いため、エレクトロマイグレ
ーション耐量を正確に評価するのが困難になる、という
問題がある。すなわち、図１１に示されているようにボ
ンディング用パッド６３、６４は狭い幅の配線６２によ
り格子状に形成されているために、そのトータルの面積
が小さくなっているだけでなく機械的強度も弱くなって
いる。したがって、このようなボンディング用パッド６
２、６３にワイヤボンディングを行うことは、ボンディ
ング時の圧力によりボンディング用パッド６２、６３を
部分的に断線させたり、変形させたりするのが避けられ
なくなるので、ワイヤボンディングが良好に行われにく
くなる。この結果、エレクトロマイグレーション評価用
配線への通電不良が生じるので、エレクトロマイグレー
ション評価用配線の平均寿命を算出するのが不可能にな
る。
載の従来のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧで
は、ボンディング用パッドが狭い幅の配線により格子状
に形成されているので、ワイヤボンディング時にボンデ
ィング用パッドが劣化し易いため、エレクトロマイグレ
ーション耐量を正確に評価するのが困難になる、という
問題がある。すなわち、図１１に示されているようにボ
ンディング用パッド６３、６４は狭い幅の配線６２によ
り格子状に形成されているために、そのトータルの面積
が小さくなっているだけでなく機械的強度も弱くなって
いる。したがって、このようなボンディング用パッド６
２、６３にワイヤボンディングを行うことは、ボンディ
ング時の圧力によりボンディング用パッド６２、６３を
部分的に断線させたり、変形させたりするのが避けられ
なくなるので、ワイヤボンディングが良好に行われにく
くなる。この結果、エレクトロマイグレーション評価用
配線への通電不良が生じるので、エレクトロマイグレー
ション評価用配線の平均寿命を算出するのが不可能にな
る。
【００１０】この発明は、上述の事情に鑑みてなされた
もので、ワイヤボンディング時のボンディング用パッド
の劣化を防止してエレクトロマイグレーション耐量を正
確に評価することができるようにしたエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧを提供することを目的としてい
る。
もので、ワイヤボンディング時のボンディング用パッド
の劣化を防止してエレクトロマイグレーション耐量を正
確に評価することができるようにしたエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧを提供することを目的としてい
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、基板上に絶縁膜を介して形
成されたエレクトロマイグレーション評価用配線の両端
部に一対のボンディング用パッドが接続されてなるエレ
クトロマイグレーション評価用ＴＥＧであって、上記エ
レクトロマイグレーション評価用配線と上記ボンディン
グ用パッドとの接続部の断面積が、上記エレクトロマイ
グレーション評価用配線自身のそれよりも大きく形成さ
れていることを特徴としている。
に、請求項１記載の発明は、基板上に絶縁膜を介して形
成されたエレクトロマイグレーション評価用配線の両端
部に一対のボンディング用パッドが接続されてなるエレ
クトロマイグレーション評価用ＴＥＧであって、上記エ
レクトロマイグレーション評価用配線と上記ボンディン
グ用パッドとの接続部の断面積が、上記エレクトロマイ
グレーション評価用配線自身のそれよりも大きく形成さ
れていることを特徴としている。
【００１２】請求項２記載の発明は、基板上に絶縁膜を
介して形成されたエレクトロマイグレーション評価用配
線の両端部に一対のボンディング用パッドが接続されて
なるエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧであっ
て、上記エレクトロマイグレーション評価用配線と上記
ボンディング用パッドとが複数の分岐配線を通じて接続
され、該分岐配線と上記エレクトロマイグレーション評
価用配線との接続部の断面積が、上記エレクトロマイグ
レーション評価用配線自身のそれよりも大きく形成され
ていることを特徴としている。
介して形成されたエレクトロマイグレーション評価用配
線の両端部に一対のボンディング用パッドが接続されて
なるエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧであっ
て、上記エレクトロマイグレーション評価用配線と上記
ボンディング用パッドとが複数の分岐配線を通じて接続
され、該分岐配線と上記エレクトロマイグレーション評
価用配線との接続部の断面積が、上記エレクトロマイグ
レーション評価用配線自身のそれよりも大きく形成され
ていることを特徴としている。
【００１３】請求項３記載の発明は、請求項１又は２記
載のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧに係り、
上記エレクトロマイグレーション評価用配線は下層配線
からなる一方、上記ボンディング用パッドは上記下層配
線上にスルーホール配線を通じて形成された上層配線か
らなることを特徴としている。
載のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧに係り、
上記エレクトロマイグレーション評価用配線は下層配線
からなる一方、上記ボンディング用パッドは上記下層配
線上にスルーホール配線を通じて形成された上層配線か
らなることを特徴としている。
【００１４】請求項４記載の発明は、請求項１、２又は
３記載のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧに係
り、上記下層配線からなるエレクトロマイグレーション
評価用配線は、第１層配線と該第１層配線上にスルーホ
ール配線を通じて形成された第２層配線とから構成され
ていることを特徴としている。
３記載のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧに係
り、上記下層配線からなるエレクトロマイグレーション
評価用配線は、第１層配線と該第１層配線上にスルーホ
ール配線を通じて形成された第２層配線とから構成され
ていることを特徴としている。
【００１５】請求項５記載の発明は、請求項１乃至４の
いずれか１に記載のエレクトロマイグレーション評価用
ＴＥＧに係り、上記エレクトロマイグレーション評価用
配線の幅は、該評価用配線がバンブー構造となる値以下
に設定されていることを特徴としている。
いずれか１に記載のエレクトロマイグレーション評価用
ＴＥＧに係り、上記エレクトロマイグレーション評価用
配線の幅は、該評価用配線がバンブー構造となる値以下
に設定されていることを特徴としている。
【００１６】請求項６記載の発明は、請求項５記載のエ
レクトロマイグレーション評価用ＴＥＧに係り、上記エ
レクトロマイグレーション評価用配線の幅は、略２μｍ
以下に設定されていることを特徴としている。
レクトロマイグレーション評価用ＴＥＧに係り、上記エ
レクトロマイグレーション評価用配線の幅は、略２μｍ
以下に設定されていることを特徴としている。
【００１７】請求項７記載の発明は、請求項１乃至６の
いずれか１に記載のエレクトロマイグレーション評価用
ＴＥＧに係り、上記エレクトロマイグレーション評価用
配線及び上記ボンディング用パッドは、アルミニウムを
主成分とする導電性材料から構成されていることを特徴
としている。
いずれか１に記載のエレクトロマイグレーション評価用
ＴＥＧに係り、上記エレクトロマイグレーション評価用
配線及び上記ボンディング用パッドは、アルミニウムを
主成分とする導電性材料から構成されていることを特徴
としている。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の実施の形態について説明する。説明は実施例を用いて
具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例であるエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図、図２は図
１のＡ−Ａ矢視断面図、図３は図１のＢ−Ｂ矢視断面
図、また、図４（ａ）〜（ｃ）は同エレクトロマイグレ
ーション評価用ＴＥＧの製造方法を工程順に示す工程図
である。この例のエレクトロマイグレーション評価用Ｔ
ＥＧは、図１〜図３に示すように、半導体基板１上にシ
リコン酸化膜などの絶縁膜２を介してアルミニウムを主
成分とする導電性材料からなるエレクトロマイグレーシ
ョン評価用配線３が形成されている。この評価用配線３
の幅Ｗは、アルミニウム粒子のサイズ以下である略２μ
ｍ以下のバンブー構造に形成されている。この評価用配
線３の両端部にはこれと同一材料からなる、正方形状で
評価用配線３より大面積（略１００μｍ×１００μｍ）
の一対のボンディング用パッド４、５が形成されてい
る。
の実施の形態について説明する。説明は実施例を用いて
具体的に行う。 ◇第１実施例 図１は、この発明の第１実施例であるエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図、図２は図
１のＡ−Ａ矢視断面図、図３は図１のＢ−Ｂ矢視断面
図、また、図４（ａ）〜（ｃ）は同エレクトロマイグレ
ーション評価用ＴＥＧの製造方法を工程順に示す工程図
である。この例のエレクトロマイグレーション評価用Ｔ
ＥＧは、図１〜図３に示すように、半導体基板１上にシ
リコン酸化膜などの絶縁膜２を介してアルミニウムを主
成分とする導電性材料からなるエレクトロマイグレーシ
ョン評価用配線３が形成されている。この評価用配線３
の幅Ｗは、アルミニウム粒子のサイズ以下である略２μ
ｍ以下のバンブー構造に形成されている。この評価用配
線３の両端部にはこれと同一材料からなる、正方形状で
評価用配線３より大面積（略１００μｍ×１００μｍ）
の一対のボンディング用パッド４、５が形成されてい
る。
【００１９】エレクトロマイグレーション評価用配線３
と各ボンディング用パッド４、５とは、例えば互いに並
列接続された第１分岐配線７Ａ、第２分岐配線７Ｂ、第
３分岐配線７Ｃ、第４分岐配線７Ｄ及び第５分岐配線７
Ｅからなる分岐配線７を通じて接続され、各分岐配線７
Ａ〜７Ｅとエレクトロマイグレーション評価用配線３と
の接続部の断面積Ｓ１は、エレクトロマイグレーション
評価用配線３自身の断面積Ｓ２よりも大きく（断面積Ｓ
１＞断面積Ｓ２）形成されている。ここで、上述の断面
積Ｓ１は、図３に示すように、第１分岐配線７Ａの断面
積Ｓａと、第２分岐配線７Ｂの断面積Ｓｂと、第３分岐
配線７Ｃの断面積Ｓｃと、第４分岐配線７Ｄの断面積Ｓ
ｄと、第５分岐配線７Ｄの断面積Ｓｅとの総断面積によ
り決定されている。
と各ボンディング用パッド４、５とは、例えば互いに並
列接続された第１分岐配線７Ａ、第２分岐配線７Ｂ、第
３分岐配線７Ｃ、第４分岐配線７Ｄ及び第５分岐配線７
Ｅからなる分岐配線７を通じて接続され、各分岐配線７
Ａ〜７Ｅとエレクトロマイグレーション評価用配線３と
の接続部の断面積Ｓ１は、エレクトロマイグレーション
評価用配線３自身の断面積Ｓ２よりも大きく（断面積Ｓ
１＞断面積Ｓ２）形成されている。ここで、上述の断面
積Ｓ１は、図３に示すように、第１分岐配線７Ａの断面
積Ｓａと、第２分岐配線７Ｂの断面積Ｓｂと、第３分岐
配線７Ｃの断面積Ｓｃと、第４分岐配線７Ｄの断面積Ｓ
ｄと、第５分岐配線７Ｄの断面積Ｓｅとの総断面積によ
り決定されている。
【００２０】エレクトロマイグレーション評価用配線
３、一対のボンディング用パッド４、５及び各分岐配線
７Ａ〜７Ｅの膜厚は等しく、０．５〜１．５μｍに形成
されている。そして、各ボンディング用パッド４、５に
は金線、アルミニウム線などからなるワイヤ８がボンデ
ィングされている。このワイヤ８間には、エレクトロマ
イグレーション評価用配線３に通電するための電流源が
接続される。符号１１はシリコン酸化膜、シリコン窒化
膜などからなる層間絶縁膜、符号１２は層間絶縁膜１１
に形成されて各ボンディング用パッド４、５を露出して
いる窓である。なお、図１では説明を理解し易くするた
めに、層間絶縁膜１１を省略したパターンで示してい
る。
３、一対のボンディング用パッド４、５及び各分岐配線
７Ａ〜７Ｅの膜厚は等しく、０．５〜１．５μｍに形成
されている。そして、各ボンディング用パッド４、５に
は金線、アルミニウム線などからなるワイヤ８がボンデ
ィングされている。このワイヤ８間には、エレクトロマ
イグレーション評価用配線３に通電するための電流源が
接続される。符号１１はシリコン酸化膜、シリコン窒化
膜などからなる層間絶縁膜、符号１２は層間絶縁膜１１
に形成されて各ボンディング用パッド４、５を露出して
いる窓である。なお、図１では説明を理解し易くするた
めに、層間絶縁膜１１を省略したパターンで示してい
る。
【００２１】上述のように、この例の構成によれば、各
分岐配線７Ａ〜７Ｅとエレクトロマイグレーション評価
用配線３との接続部の断面積Ｓ１を、エレクトロマイグ
レーション評価用配線３自身の断面積Ｓ２よりも大きく
形成することにより、一対のボンディング用パッド４、
５の電流密度を小さくすることができるので、各ボンデ
ィング用パッド４、５のエレクトロマイグレーション耐
量を高めることができる。そして、そのボンディング用
パッド４、５のエレクトロマイグレーション耐量は、エ
レクトロマイグレーション評価用配線３がバンブー構造
になっていてエレクトロマイグレーション耐量が大きく
なっていても、エレクトロマイグレーション評価用配線
３のそれよりも大きくすることができる。この結果、エ
レクトロマイグレーション評価用配線３よりも先にボン
ディング用パッド４、５が断線するのを防止することが
できるようになる。しかも、各ボンディング用パッド
４、５は全面積にわたって導電層が形成されているの
で、ワイヤボンディング時にボンディング用パッドが劣
化することがなくなる。
分岐配線７Ａ〜７Ｅとエレクトロマイグレーション評価
用配線３との接続部の断面積Ｓ１を、エレクトロマイグ
レーション評価用配線３自身の断面積Ｓ２よりも大きく
形成することにより、一対のボンディング用パッド４、
５の電流密度を小さくすることができるので、各ボンデ
ィング用パッド４、５のエレクトロマイグレーション耐
量を高めることができる。そして、そのボンディング用
パッド４、５のエレクトロマイグレーション耐量は、エ
レクトロマイグレーション評価用配線３がバンブー構造
になっていてエレクトロマイグレーション耐量が大きく
なっていても、エレクトロマイグレーション評価用配線
３のそれよりも大きくすることができる。この結果、エ
レクトロマイグレーション評価用配線３よりも先にボン
ディング用パッド４、５が断線するのを防止することが
できるようになる。しかも、各ボンディング用パッド
４、５は全面積にわたって導電層が形成されているの
で、ワイヤボンディング時にボンディング用パッドが劣
化することがなくなる。
【００２２】次に、図４（ａ）〜（ｃ）を参照して、同
エレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧの製造方法に
ついて工程順に説明する。まず、図４（ａ）に示すよう
に、半導体基板１上にシリコン酸化膜などの絶縁膜２を
介して、スパッタ法などによりアルミニウムを主成分と
する導電性材料からなる膜厚が０．５〜１．５μｍの配
線膜９を形成する。次に、周知のリソグラフィ法によ
り、エレクトロマイグレーション評価用配線、一対のボ
ンディング用パッド及び分岐配線を形成する領域にレジ
スト膜１０を塗布する。
エレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧの製造方法に
ついて工程順に説明する。まず、図４（ａ）に示すよう
に、半導体基板１上にシリコン酸化膜などの絶縁膜２を
介して、スパッタ法などによりアルミニウムを主成分と
する導電性材料からなる膜厚が０．５〜１．５μｍの配
線膜９を形成する。次に、周知のリソグラフィ法によ
り、エレクトロマイグレーション評価用配線、一対のボ
ンディング用パッド及び分岐配線を形成する領域にレジ
スト膜１０を塗布する。
【００２３】次に、図４（ｂ）に示すように、レジスト
膜１０を耐エッチング性マスクとして用いて、エッチン
グ処理を施して配線膜９をパターニングして図１に示し
たように、エレクトロマイグレーション評価用配線３、
一対のボンディング用パッド４、５及び第１分岐配線７
Ａ、第２分岐配線７Ｂ、第３分岐配線７Ｃ、第４分岐配
線７Ｄ及び第５分岐配線７Ｅからなる分岐配線７を形成
する。
膜１０を耐エッチング性マスクとして用いて、エッチン
グ処理を施して配線膜９をパターニングして図１に示し
たように、エレクトロマイグレーション評価用配線３、
一対のボンディング用パッド４、５及び第１分岐配線７
Ａ、第２分岐配線７Ｂ、第３分岐配線７Ｃ、第４分岐配
線７Ｄ及び第５分岐配線７Ｅからなる分岐配線７を形成
する。
【００２４】次に、レジスト膜１０を除去した後、図４
（ｃ）に示すように、ＣＶＤ(Chemical Vapor Depositi
on)法などにより、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜な
どからなる層間絶縁膜１１を形成する。次に、リソグラ
フィ法により層間絶縁膜１１をパターニングして一対の
ボンディング用パッド４、５を露出するように窓１２を
形成する。次に、窓１２を通じてワイヤボンディングを
行うことにより、この例のエレクトロマイグレーション
評価用ＴＥＧを完成させる。
（ｃ）に示すように、ＣＶＤ(Chemical Vapor Depositi
on)法などにより、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜な
どからなる層間絶縁膜１１を形成する。次に、リソグラ
フィ法により層間絶縁膜１１をパターニングして一対の
ボンディング用パッド４、５を露出するように窓１２を
形成する。次に、窓１２を通じてワイヤボンディングを
行うことにより、この例のエレクトロマイグレーション
評価用ＴＥＧを完成させる。
【００２５】このように、この例の構成によれば、アル
ミニウムを主成分とする導電性材料からなるエレクトロ
マイグレーション評価用配線３と、この評価用配線３の
両端部に形成された一対のボンディング用パッド４、５
とが、例えば互いに並列接続された第１分岐配線７Ａ、
第２分岐配線７Ｂ、第３分岐配線７Ｃ、第４分岐配線７
Ｄ及び第５分岐配線７Ｅからなる分岐配線７を通じて接
続され、各分岐配線７Ａ〜７Ｅとエレクトロマイグレー
ション評価用配線３との接続部の断面積Ｓ１は、エレク
トロマイグレーション評価用配線３自身の断面積Ｓ２よ
りも大きく形成されているので、マイグレーション評価
用配線３よりも先にボンディング用パッド４、５が断線
するのを防止することができる。したがって、ワイヤボ
ンディング時のボンディング用パッドの劣化を防止して
エレクトロマイグレーション耐量を正確に評価すること
ができる。
ミニウムを主成分とする導電性材料からなるエレクトロ
マイグレーション評価用配線３と、この評価用配線３の
両端部に形成された一対のボンディング用パッド４、５
とが、例えば互いに並列接続された第１分岐配線７Ａ、
第２分岐配線７Ｂ、第３分岐配線７Ｃ、第４分岐配線７
Ｄ及び第５分岐配線７Ｅからなる分岐配線７を通じて接
続され、各分岐配線７Ａ〜７Ｅとエレクトロマイグレー
ション評価用配線３との接続部の断面積Ｓ１は、エレク
トロマイグレーション評価用配線３自身の断面積Ｓ２よ
りも大きく形成されているので、マイグレーション評価
用配線３よりも先にボンディング用パッド４、５が断線
するのを防止することができる。したがって、ワイヤボ
ンディング時のボンディング用パッドの劣化を防止して
エレクトロマイグレーション耐量を正確に評価すること
ができる。
【００２６】◇第２実施例 図５は、この発明の第２実施例であるエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図、図６は図
５のＣ−Ｃ矢視断面図である。この例のエレクトロマイ
グレーション評価用ＴＥＧの構成が、上述した第１実施
例の構成と大きく異なるところは、エレクトロマイグレ
ーション評価用配線と一対のボンディング用パッドと
を、高さ位置の異なる配線層で形成するようにした点で
ある。この例のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥ
Ｇは、図５及び図６に示すように、絶縁膜２を介して下
層配線からなるエレクトロマイグレーション評価用配線
１３が形成されている一方、この評価用配線１３の両端
部には層間絶縁膜１１にそれぞれ形成されたスルーホー
ル配線１６を通じて上層配線からなる一対のボンディン
グ用パッド１４、１５が形成されている。また、下層配
線のエレクトロマイグレーション評価用配線１３の両端
部には、分岐配線１７が形成されている。
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図、図６は図
５のＣ−Ｃ矢視断面図である。この例のエレクトロマイ
グレーション評価用ＴＥＧの構成が、上述した第１実施
例の構成と大きく異なるところは、エレクトロマイグレ
ーション評価用配線と一対のボンディング用パッドと
を、高さ位置の異なる配線層で形成するようにした点で
ある。この例のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥ
Ｇは、図５及び図６に示すように、絶縁膜２を介して下
層配線からなるエレクトロマイグレーション評価用配線
１３が形成されている一方、この評価用配線１３の両端
部には層間絶縁膜１１にそれぞれ形成されたスルーホー
ル配線１６を通じて上層配線からなる一対のボンディン
グ用パッド１４、１５が形成されている。また、下層配
線のエレクトロマイグレーション評価用配線１３の両端
部には、分岐配線１７が形成されている。
【００２７】この例の構成においても、複数の分岐配線
７Ａ〜７Ｅからなる分岐配線１７とエレクトロマイグレ
ーション評価用配線１３との接続部の断面積Ｓ１は、エ
レクトロマイグレーション評価用配線１３自身の断面積
Ｓ２よりも大きく形成されている。これ以外は、上述し
た第１実施例と略同じである。それゆえ、図５及び図６
において、図１〜図３の構成部分と対応する各部には、
同一の番号を付してその説明を省略する。
７Ａ〜７Ｅからなる分岐配線１７とエレクトロマイグレ
ーション評価用配線１３との接続部の断面積Ｓ１は、エ
レクトロマイグレーション評価用配線１３自身の断面積
Ｓ２よりも大きく形成されている。これ以外は、上述し
た第１実施例と略同じである。それゆえ、図５及び図６
において、図１〜図３の構成部分と対応する各部には、
同一の番号を付してその説明を省略する。
【００２８】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様な効果を得ることが
できる。
１実施例において述べたのと略同様な効果を得ることが
できる。
【００２９】◇第３実施例 図７は、この発明の第３実施例であるエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図、図８は図
７の主要部Ａを拡大して示す平面図、図９は図７のＤ−
Ｄ矢視断面図である。この例のエレクトロマイグレーシ
ョン評価用ＴＥＧの構成が、上述した第１実施例の構成
と大きく異なるところは、エレクトロマイグレーション
評価用配線をスルーホール配線を通じて下層配線と上層
配線とにより一体に形成するようにした点である。この
例のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧは、図７
〜図９に示すように、一対のボンディング用パッド４、
５間に形成されているエレクトロマイグレーション評価
用配線２３は、絶縁膜２を介して形成された下層配線か
らなる第１層配線２４と、この第１層配線２４の両端部
に層間絶縁膜１１にそれぞれ形成されたスルーホール配
線２６、２７を通じて形成された上層配線からなる第２
層配線２５とにより一体に構成されている。
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図、図８は図
７の主要部Ａを拡大して示す平面図、図９は図７のＤ−
Ｄ矢視断面図である。この例のエレクトロマイグレーシ
ョン評価用ＴＥＧの構成が、上述した第１実施例の構成
と大きく異なるところは、エレクトロマイグレーション
評価用配線をスルーホール配線を通じて下層配線と上層
配線とにより一体に形成するようにした点である。この
例のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧは、図７
〜図９に示すように、一対のボンディング用パッド４、
５間に形成されているエレクトロマイグレーション評価
用配線２３は、絶縁膜２を介して形成された下層配線か
らなる第１層配線２４と、この第１層配線２４の両端部
に層間絶縁膜１１にそれぞれ形成されたスルーホール配
線２６、２７を通じて形成された上層配線からなる第２
層配線２５とにより一体に構成されている。
【００３０】第１層配線２４、スルーホール配線２６、
２７及び第２層配線２５からなるエレクトロマイグレー
ション評価用配線２３は、この両端部には第１実施例に
おける分岐配線７を介して各ボンディング用パッド４、
５に接続されている。
２７及び第２層配線２５からなるエレクトロマイグレー
ション評価用配線２３は、この両端部には第１実施例に
おける分岐配線７を介して各ボンディング用パッド４、
５に接続されている。
【００３１】このように、この例の構成によっても、第
１実施例において述べたのと略同様な効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、スルーホール
配線を含めたエレクトロマイグレーション評価用配線の
評価が行われるので、多層配線構造に適用して効果的と
なる。
１実施例において述べたのと略同様な効果を得ることが
できる。加えて、この例の構成によれば、スルーホール
配線を含めたエレクトロマイグレーション評価用配線の
評価が行われるので、多層配線構造に適用して効果的と
なる。
【００３２】以上、この発明の実施例を図面により詳述
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、配線材
料としてはアルミニウムにシリコン、銅などの材料を含
ませたアルミニウムを主成分とする導電性材料に限ら
ず、金を主成分とする導電性材料のように他の導電性材
料を用いた場合にも適用することができる。
してきたが、具体的な構成はこの実施例に限られるもの
ではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変
更などがあってもこの発明に含まれる。例えば、配線材
料としてはアルミニウムにシリコン、銅などの材料を含
ませたアルミニウムを主成分とする導電性材料に限ら
ず、金を主成分とする導電性材料のように他の導電性材
料を用いた場合にも適用することができる。
【００３３】また、エレクトロマイグレーション評価用
配線と一対のボンディング用パッドとを接続する分岐配
線は、５つを並列接続した例で示したが、この数は評価
用配線自身の断面積よりもボンディング用パッドとの接
続部の断面積が大きくなる条件を満足していれば任意に
設定することができる。また、第３実施例で用いたエレ
クトロマイグレーション評価用配線は、複数個をチェー
ン状に接続して用いるようにすることができる。また、
その評価用配線は第２実施例と組み合わせて用いること
ができる。
配線と一対のボンディング用パッドとを接続する分岐配
線は、５つを並列接続した例で示したが、この数は評価
用配線自身の断面積よりもボンディング用パッドとの接
続部の断面積が大きくなる条件を満足していれば任意に
設定することができる。また、第３実施例で用いたエレ
クトロマイグレーション評価用配線は、複数個をチェー
ン状に接続して用いるようにすることができる。また、
その評価用配線は第２実施例と組み合わせて用いること
ができる。
【００３４】また、絶縁膜、層間絶縁膜などはシリコン
酸化膜、シリコン窒化膜に限らず、例えばＢＳＧ(Boro-
Silicate Glass）膜、ＰＳＧ（Phospho-Silicate Glas
s)膜、ＢＰＳＧ（Boro-Phospho-Silicate Glass)膜な
ど、他の絶縁膜を用いることができる。また、エレクト
ロマイグレーション評価用配線の形成は、半導体基板上
に限ることなく、セラミックス基板などの絶縁性基板上
に形成することもできる。
酸化膜、シリコン窒化膜に限らず、例えばＢＳＧ(Boro-
Silicate Glass）膜、ＰＳＧ（Phospho-Silicate Glas
s)膜、ＢＰＳＧ（Boro-Phospho-Silicate Glass)膜な
ど、他の絶縁膜を用いることができる。また、エレクト
ロマイグレーション評価用配線の形成は、半導体基板上
に限ることなく、セラミックス基板などの絶縁性基板上
に形成することもできる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、この発明のエレク
トロマイグレーション評価用ＴＥＧによれば、エレクト
ロマイグレーション評価用配線とボンディング用パッド
との接続部の断面積が、エレクトロマイグレーション評
価用配線自身のそれよりも大きく形成されているので、
マイグレーション評価用配線よりも先にボンディング用
が断線するのを防止することができる。また、この発明
のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧによれば、
エレクトロマイグレーション評価用配線とボンディング
用パッドとが複数の分岐配線を通じて接続され、この分
岐配線とエレクトロマイグレーション評価用配線との接
続部の断面積が、エレクトロマイグレーション評価用配
線自身のそれよりも大きく形成されているので、マイグ
レーション評価用配線よりも先にボンディング用が断線
するのを防止することができる。したがって、ワイヤボ
ンディング時のボンディング用パッドの劣化を防止して
エレクトロマイグレーション耐量を正確に評価すること
ができる。
トロマイグレーション評価用ＴＥＧによれば、エレクト
ロマイグレーション評価用配線とボンディング用パッド
との接続部の断面積が、エレクトロマイグレーション評
価用配線自身のそれよりも大きく形成されているので、
マイグレーション評価用配線よりも先にボンディング用
が断線するのを防止することができる。また、この発明
のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧによれば、
エレクトロマイグレーション評価用配線とボンディング
用パッドとが複数の分岐配線を通じて接続され、この分
岐配線とエレクトロマイグレーション評価用配線との接
続部の断面積が、エレクトロマイグレーション評価用配
線自身のそれよりも大きく形成されているので、マイグ
レーション評価用配線よりも先にボンディング用が断線
するのを防止することができる。したがって、ワイヤボ
ンディング時のボンディング用パッドの劣化を防止して
エレクトロマイグレーション耐量を正確に評価すること
ができる。
【図１】この発明の第１実施例であるエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図である。
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図４】同エレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧの
製造方法を工程順に示す工程図である。
製造方法を工程順に示す工程図である。
【図５】この発明の第２実施例であるエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図である。
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ矢視断面図である。
【図７】この発明の第３実施例であるエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図である。
レーション評価用ＴＥＧの構成を示す平面図である。
【図８】図７の主要部を拡大して示す平面図である。
【図９】図７のＤ−Ｄ矢視断面図である。
【図１０】従来のエレクトロマイグレーション評価用Ｔ
ＥＧの概略構成を示す平面図である。
ＥＧの概略構成を示す平面図である。
【図１１】従来のエレクトロマイグレーション評価用Ｔ
ＥＧの概略構成を示す平面図である。
ＥＧの概略構成を示す平面図である。
１ 半導体基板 ２ 絶縁膜 ３、１３、２３ エレクトロマイグレーション評価
用配線 ４、５、１４、１５ ボンディング用パッド ７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｅ 分岐配線 ８ ボンディングワイヤ ９ 配線膜 １０ レジスト膜 １１ 層間絶縁膜 １２ 窓 １６、２６、２７ スルーホール配線 ２４ 第１層配線 Ｓ１ 分岐配線とエレクトロマイグレーション評価
用配線との接続部の断面積 Ｓ２ エレクトロマイグレーション評価用配線自身
の断面積
用配線 ４、５、１４、１５ ボンディング用パッド ７、７Ａ、７Ｂ、７Ｃ、７Ｄ、７Ｅ 分岐配線 ８ ボンディングワイヤ ９ 配線膜 １０ レジスト膜 １１ 層間絶縁膜 １２ 窓 １６、２６、２７ スルーホール配線 ２４ 第１層配線 Ｓ１ 分岐配線とエレクトロマイグレーション評価
用配線との接続部の断面積 Ｓ２ エレクトロマイグレーション評価用配線自身
の断面積
Claims (7)
- 【請求項１】 基板上に絶縁膜を介して形成されたエレ
クトロマイグレーション評価用配線の両端部に一対のボ
ンディング用パッドが接続されてなるエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧであって、 前記エレクトロマイグレーション評価用配線と前記ボン
ディング用パッドとの接続部の断面積が、前記エレクト
ロマイグレーション評価用配線自身のそれよりも大きく
形成されていることを特徴とするエレクトロマイグレー
ション評価用ＴＥＧ。 - 【請求項２】 基板上に絶縁膜を介して形成されたエレ
クトロマイグレーション評価用配線の両端部に一対のボ
ンディング用パッドが接続されてなるエレクトロマイグ
レーション評価用ＴＥＧであって、 前記エレクトロマイグレーション評価用配線と前記ボン
ディング用パッドとが複数の分岐配線を通じて接続さ
れ、該分岐配線と前記エレクトロマイグレーション評価
用配線との接続部の断面積が、前記エレクトロマイグレ
ーション評価用配線自身のそれよりも大きく形成されて
いることを特徴とするエレクトロマイグレーション評価
用ＴＥＧ。 - 【請求項３】 前記エレクトロマイグレーション評価用
配線は下層配線からなる一方、前記ボンディング用パッ
ドは前記下層配線上にスルーホール配線を通じて形成さ
れた上層配線からなることを特徴とする請求項１又は２
記載のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧ。 - 【請求項４】 前記下層配線からなるエレクトロマイグ
レーション評価用配線は、第１層配線と該第１層配線上
にスルーホール配線を通じて形成された第２層配線とか
ら構成されていることを特徴とする請求項１、２又は３
記載のエレクトロマイグレーション評価用ＴＥＧ。 - 【請求項５】 前記エレクトロマイグレーション評価用
配線の幅は、該評価用配線がバンブー構造となる値以下
に設定されていることを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれか１に記載のエレクトロマイグレーション評価用Ｔ
ＥＧ。 - 【請求項６】 前記エレクトロマイグレーション評価用
配線の幅は、略２μｍ以下に設定されていることを特徴
とする請求項５記載のエレクトロマイグレーション評価
用ＴＥＧ。 - 【請求項７】 前記エレクトロマイグレーション評価用
配線及び前記ボンディング用パッドは、アルミニウムを
主成分とする導電性材料から構成されていることを特徴
とする請求項１乃至６のいずれか１に記載のエレクトロ
マイグレーション評価用ＴＥＧ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000745A JP2000200818A (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | エレクトロマイグレ―ション評価用ｔｅｇ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11000745A JP2000200818A (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | エレクトロマイグレ―ション評価用ｔｅｇ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200818A true JP2000200818A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11482246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11000745A Pending JP2000200818A (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | エレクトロマイグレ―ション評価用ｔｅｇ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000200818A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005508080A (ja) * | 2001-10-26 | 2005-03-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体のエレクトロマイグレーション特性の加速決定のための方法および装置 |
| CN103809062A (zh) * | 2012-11-07 | 2014-05-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 电迁移测试结构 |
| JP2025061534A (ja) * | 2020-07-16 | 2025-04-10 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
-
1999
- 1999-01-05 JP JP11000745A patent/JP2000200818A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005508080A (ja) * | 2001-10-26 | 2005-03-24 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 半導体のエレクトロマイグレーション特性の加速決定のための方法および装置 |
| CN103809062A (zh) * | 2012-11-07 | 2014-05-21 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 电迁移测试结构 |
| CN103809062B (zh) * | 2012-11-07 | 2016-07-06 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 电迁移测试结构 |
| JP2025061534A (ja) * | 2020-07-16 | 2025-04-10 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
| JP7802975B2 (ja) | 2020-07-16 | 2026-01-20 | キヤノン株式会社 | 半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7632714B2 (ja) | 多層配線構造体 | |
| JP3500308B2 (ja) | 集積回路 | |
| JP2943805B1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP5205066B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP3954974B2 (ja) | 半導体デバイス | |
| US6908841B2 (en) | Support structures for wirebond regions of contact pads over low modulus materials | |
| JP3415010B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0845936A (ja) | ダミーリードを用いた高速ｌｓｉ半導体装置およびその信頼性改善方法 | |
| USRE40887E1 (en) | Semiconductor chip with redistribution metal layer | |
| CN101449376B (zh) | 由钝化物和聚酰亚胺包围的接触及其方法 | |
| US7795130B2 (en) | Active area bonding compatible high current structures | |
| JPS5943092B2 (ja) | パッド構造体 | |
| JP2010147267A (ja) | 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法 | |
| CN101740547B (zh) | 半导体器件，制造半导体器件的方法以及溅射设备的靶 | |
| JP2005142351A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2000200818A (ja) | エレクトロマイグレ―ション評価用ｔｅｇ | |
| KR20100033711A (ko) | 배선 구조, 이를 갖는 반도체 소자 및 반도체 소자의 제조 방법 | |
| US8569896B2 (en) | Active area bonding compatible high current structures | |
| CN100511660C (zh) | 半导体器件及其构建方法 | |
| JP2999463B2 (ja) | 半導体装置の多層配線構造およびその製造方法 | |
| JPH09129524A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2003282574A (ja) | 半導体装置 | |
| TW561583B (en) | Al-Cu covered connect structure of integrated circuit and method for producing the same | |
| JPH09266205A (ja) | 配線構造およびそれを用いた半導体装置 | |
| Hampy | A Versatile Ta 2 NW-Au/SiO 2/Al/SiO 2 Thin Film Hybrid Microcircuit Metallization System |