JP2000200867A - 半導体パッケ―ジ及びその組立方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リード先端とボンディングワイヤとの間のボ
ンディング不良を防止することができ、電気的信頼性を
向上させることができる半導体パッケージ及びその組立
方法を提供する。 【解決手段】 半導体パッケージにおいて、支持基板２
上に延在して配置されるリード３０１〜３０４のそれぞ
れのインナー部に密着用溝３１〜３４をそれぞれ配設す
る。密着用溝３１〜３４を有することで、リード押え治
具１２による押え付けでインナー部先端のボンディング
領域の裏面を支持基板２の表面に密着させることができ
る。インナー部先端には超音波ボンディングによりボン
ディングワイヤ５がボンディングされている。密着用溝
３１〜３４の断面形状は、凹型溝、Ｖ型溝又はＵ型溝等
の種々の形状が採用可能である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
及びその組立方法に関し、特に電力用半導体素子（パワ
ーデバイス）やパワーＩＣを搭載した半導体チップとリ
ード先端との間をボンディングワイヤを介して接続する
構造を有する樹脂封止型半導体パッケージ及びその組立
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図６は従来技術に係る樹脂封止型半導体
パッケージの一部分を示す平面図である（図６には、内
部の構成をわかり易くするために、樹脂封止体の上側部
分を便宜的に取り除いた状態を示す）。図６に示すよう
に、樹脂封止型半導体パッケージは、支持基板１２０
と、支持基板１２０上の中央部分にマウントされた半導
体チップ１４０と、複数本のリード１３０〜１３９と、
これらを封止する樹脂封止体１１０とを備えて構成され
ている。

【０００３】半導体チップ１４０の表面上の周縁に沿っ
た領域には複数のボンディングパッド１４１が配設さ
れ、このボンディングパッド１４１とリード１３０〜１
３９のそれぞれのインナー部先端（ボンディング領域）
との間はボンディングワイヤ１５０を通して電気的に接
続される。ボンディングワイヤ１５０は樹脂封止型半導
体パッケージの組立プロセス中に周知のワイヤボンディ
ング法によりボンディングされる。すなわち、図示しな
いワイヤボンディング装置のキャピラリィにより、ボン
ディングワイヤ１５０の一端が半導体チップ１４０のボ
ンディングパッド１４１にボンディングされ、他端がリ
ード１３０〜１３９のそれぞれのインナー部先端にボン
ディングされている。ボンディングにおいては、ボンデ
ィングパッド１４１表面、インナー部先端表面のそれぞ
れに平行な方向においてキャピラリィに超音波振動が加
えられる。また、ボンディングにおいては、半導体チッ
プ１４０、リード１３０〜１３９のそれぞれがヒータに
より加熱されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述の樹脂封止型半導
体パッケージにおいて、平面パターン上重複する位置に
まで延在して、インナー部が支持基板１２０上に配置さ
れたリード１３０、１３１、１３５、１３６のそれぞれ
のインナー部先端とボンディングパッド１４１との間の
ボンディングに際し、以下の点について配慮がなされて
いなかった。

【０００５】リード１３０、１３１、１３５、１３６の
それぞれのインナー部は、リード１３０、１３１、１３
５、１３６と支持基板１２０との間の電気的絶縁を十分
に取るために、支持基板１２０表面上から所定距離、例
えば、０．３mm乃至０．５mm程度だけ離間して配置され
ている。ワイヤボンディング時においては、図６中、符
号１６０を付して輪郭を破線で示す押え治具でインナー
部を支持基板１２０表面に押え付けた状態で、インナー
部先端にボンディングワイヤ１５０がボンディングされ
る。しかしながら、押え治具１６０でインナー部を押え
付けてもインナー部の弾力性によりインナー部、特にイ
ンナー部先端のボンディング領域の大半が支持基板１２
０表面から浮き上がってしまい、インナー部先端にボン
ディングワイヤ１５０を強く押し付けることができな
い。さらにこの浮き上がりによりインナー部先端が支持
基板１２０表面を滑ってしまい、ボンディング面に超音
波振動による擦り付けを充分に発生させることができな
い。この結果、リード１３０、１３１、１３５、１３６
のそれぞれとボンディングワイヤ１５０との間にボンデ
ィング不良を生じる可能性があり、樹脂封止型半導体パ
ッケージの電気的信頼性を低下させてしまうという問題
があった。

【０００６】さらに、このようなボンディング不良を生
じる可能性がある樹脂封止型半導体パッケージは製品と
しては不良品として取り扱われるので、組立プロセス上
の歩留まりを低下させてしまうという問題があった。

【０００７】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものである。従って、本発明の目的は、支持基板上に
重複配置されたリード先端とボンディングワイヤとの間
のボンディング不良を防止することができ、電気的信頼
性を向上させることができる半導体パッケージを提供す
ることである。

【０００８】さらに、本発明の他の目的は、ボンディン
グ不良に伴う製品不良の発生を減少させることができ、
歩留まりを向上させることができる半導体パッケージの
組立方法を提供することである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、半導体チップを搭載する支持基板と、こ
の支持基板上にまで延在して配置されたリードと、この
リードの一部と支持基板とを少なくともモールドする樹
脂封止体とを備え、ボンディング領域近傍の、リードの
表面にこのリードを横断する密着用溝を備えた半導体パ
ッケージであることを第１の特徴とする。ここで、「ボ
ンディング領域」とは、半導体チップから延びるボンデ
ィングワイヤがいわゆるセカンドボンディング（第２ボ
ンディング）される領域の意である。

【００１０】本発明の第１の特徴に係る半導体パッケー
ジにおいては、密着用溝で支持基板上にリード先端を密
着させ、位置の変動がない状態でリード先端とボンディ
ングワイヤとの間をボンディングすることができる。従
って、ボンディングに必要な温度、圧力、場合によって
は超音波パワー等が十分に印加できるので、リード先端
とボンディングワイヤとの間を電気的かつ機械的、ある
いは金属学的に確実に接続することができる。従って、
ボンディング不良を防止することができるので、半導体
パッケージの電気的信頼性を向上させることができる。

【００１１】本発明の第１の特徴において、複数本のリ
ードを備える場合には必ずしもすべてのリードに密着用
溝を備える必要はなく、少なくとも支持基板上に延在し
て、即ち平面パターン上重複して配置されるリードに密
着用溝が形成されていればよい。さらに、本発明の第１
の特徴に係る半導体パッケージにおいて、密着用溝は、
リードに外力を加えると少なくともリード先端裏面を確
実に支持基板表面に密着させるために、リードの形状変
化を容易にする（リードを変形し易くする）溝の意で使
用されている。従って、このような機能を有する溝であ
れば、密着用溝の形状には限定されず、例えば密着用溝
には凹型溝（溝部の底部角部がほぼ直角）、Ｖ型溝、Ｕ
型溝（溝部の底部角部が丸みを帯びている）等の種々の
断面形状の溝が使用できる。しかし、Ｖ型溝の場合は、
押さえ治具でリードを支持板に押さえたときにその角部
からクラックが生じ易い。従って、凹型やＵ型の断面形
状が望ましい。これらの溝は、リードフレームの形成前
又は形成後に、エッチング加工や機械加工で容易に形成
することができる。リードの表面に形成された密着用溝
の深さは、リードの支持基板への密着を容易に行うこと
ができ、しかもリードの機械的強度を充分に確保しつ
つ、搭載される半導体チップの電流容量を充分に確保す
るために、リードの板厚の1/3〜1/2の範囲内の寸法で形
成されることが好ましい。

【００１２】本発明の第２の特徴は、支持基板上に半導
体チップをマウントし、密着用溝を備えたリードを支持
基板上に配置する工程と、リードの密着用溝よりも先端
部の所定の領域を支持基板側に押し付け、リードを折り
曲げ、この所定の領域を支持基板に密着させる工程と、
半導体チップのボンディングパッドにボンディングワイ
ヤの一端を第１ボンディングする工程と、所定の領域に
対してボンディングワイヤの他端を第２ボンディングす
る工程とを少なくとも有する半導体パッケージの組立方
法であることである。ここで、「所定の領域」とは、第
１の特徴において述べた「ボンディング領域」を含む領
域である。

【００１３】このような半導体パッケージの組立方法に
おいては、リードを支持基板側に押し付けると、密着用
溝によりリードの形状変化を助長し、リード先端の位置
が変動しないようにリード先端を支持基板に密着させる
ことができる。この密着状態でリード先端とボンディン
グワイヤとの間をボンディングすることにより、リード
先端とボンディングワイヤとの間の電気的かつ機械的な
接続を確実に行うことができ、ボンディング不良を防止
することができる。従って、半導体パッケージの組立プ
ロセスにおいて、不良品の発生を減少させることができ
るので、歩留まりを向上させることができる。なお、本
発明の第２の特徴に係る半導体パッケージの組立方法に
おいて、支持基板上に延在して配置されたリード先端は
必ずしも半導体パッケージの完成時点で支持基板に密着
されている必要はない。リード先端と支持基板との間は
少なくともリード先端とボンディングワイヤとの間のボ
ンディング時に密着されていればよい。

【００１４】本発明においては、第１ボンディング（フ
ァーストボンディング）と第２ボンディング（セカンド
ボンディング）とを入れ替えてもよい。どちらを第１ボ
ンディングと呼び、どちらを第２ボンディングと呼ぶか
は単なる呼称の問題にすぎない。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照し説明する。

【００１６】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態に係る樹脂封止型半導体パッケージにおい
て、その樹脂封止体の一部を取り除き見やすくした状態
のパッケージの左側一部分を示す平面図、図２（Ａ）は
図１に示すＦ２−Ｆ２切断線部分で切った樹脂封止型半
導体パッケージの要部拡大断面図である。図１及び図２
（Ａ）に示すように、本発明の第１の実施の形態に係る
樹脂封止型半導体パッケージは、半導体チップ４を搭載
する支持基板２と、この支持基板２上にまで延在して配
置された複数本のリード３０１〜３０４と、リード３０
１〜３０４の一部と支持基板２とを少なくともモールド
する樹脂封止体１とを備え、ボンディング領域近傍のリ
ード３０１〜３０４の表面に、このリード３０１〜３０
４をそれぞれ横断する密着用溝をそれぞれ備えている。
半導体チップ４の表面上には、複数個のボンディングパ
ッド４１〜４６が配置されている。なお、図１に示す樹
脂封止型半導体パッケージは、さらに複数本のリード３
１１〜３１６を備えている。図１（及び図２（Ａ））に
は樹脂封止型半導体パッケージの左側の一部分を示し、
パッケージの中央部分より右側の部分は図示省略してい
る。この省略された右側の他の部分は、パッケージの中
央部分を縦断する線に関して、図示された左側の部分の
実質的に線対称となる形状で構成されていることは勿論
である。

【００１７】本発明の第１の実施の形態において、支持
基板２には銅(Cu)板、銅(Cu)合金板、鉄(Fe)−ニッケル
(Ni)合金板等の導電性基板が使用されている。このた
め、支持基板２を電源基板として兼用することが出来
る。

【００１８】また、半導体チップ４には、パワーMOSFET
や絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)等の電力
用半導体素子（パワーデバイス）及びこのパワーデバイ
スの制御回路や保護回路等が集積化されたパワーＩＣを
搭載することが出来る。ただし、制御回路や保護回路等
は必ずしも、パワーデバイスと同一の半導体チップ４に
モノリシックに集積化されている必要はなく、複数個の
パワーデバイスのみが搭載されたパワーモジュールでも
良い。場合によっては単一のパワーデバイスが搭載され
た半導体チップ４でも良い。半導体チップ４は例えばシ
リコン(Si)や炭化珪素(SiC)等で形成すればよい。図１
に示すように、半導体チップ４の平面形状は方形状で形
成されている。図１中、この半導体チップ４の左辺に沿
った周縁部分には複数のボンディングパッド４１〜４４
が配設され、上辺に沿った周縁部分には複数のボンディ
ングパッド４５が配設され、下辺に沿った周縁部分には
複数のボンディングパッド４６が配設されている。半導
体チップ４は銀（Ag）ペーストや半田などの接着材を利
用し支持基板２の表面に上にマウントされている。

【００１９】図１中、上側に配列されたリード３０１、
３０２、３１１〜３１３のそれぞれの樹脂封止体１内部
に延在するインナー部は半導体チップ４の周縁近傍に配
置され、それぞれのアウター部は樹脂封止体１の外部に
おいて上方向に導出されている。下側に配列されたリー
ド３０３、３０４、３１４〜３１６のそれぞれのインナ
ー部は同様に半導体チップ４の周縁近傍に配置され、そ
れぞれのアウター部は樹脂封止体１の外部において下方
向に導出されている。樹脂封止型半導体パッケージは横
方向に細長い平面形状で形成されており、短辺側に配置
されたリード３０１、３０２、３０３、３０４のそれぞ
れのインナー部はボンディングワイヤ長を短くするため
に支持基板２上に配置され、それぞれのインナー部先端
は半導体チップ４の左辺周縁近傍まで引き延ばされてい
る。第１の実施の形態に係る樹脂封止型半導体パッケー
ジにおいて、リード３０１〜３０４のそれぞれのインナ
ー部は、支持基板２の表面と所定距離だけ離間された状
態で支持基板２の表面とほぼ平行に引き延ばされてい
る。リード３１１〜３１６のそれぞれは支持基板２の上
部には配置されていない。リード３０１〜３０４、３１
１〜３１６はいずれも同一のリードフレームから切り離
されたものであり、このリードフレームは例えばFe-42%
Ni合金板、Fe-50%Ni合金板、Cu板、Cu合金板等の導電性
板材から形成されている。

【００２０】そして、支持基板２上にまで延在して配置
されたリード３０１のインナー部には密着用溝３１が配
設されている。同様に支持基板２上にまで延在して配置
されたリード３０２のインナー部には密着用溝３２、支
持基板２上にまで延在して配置されたリード３０３のイ
ンナー部には密着用溝３３、支持基板２上にまで延在し
て配置されたリード３０４のインナー部には密着用溝３
４がそれぞれ配設されている。密着用溝３１〜３４のそ
れぞれは、図１及び図２（Ａ）に符号１２を付して波線
で輪郭形状を示す、組立プロセスにおいて使用されるリ
ード押え治具の当接部近傍において、この当接部分とア
ウター部との間に配設されている。

【００２１】図２（Ｂ）はリード３０１〜３０４のそれ
ぞれの拡大斜視図である。密着用溝３１〜３４は、いず
れもリード３０１〜３０４のそれぞれの支持基板２側の
裏面に、リード幅全域に渡って形成された凹型形状の溝
であり、インナー部先端のボンディング領域（第１の実
施の形態においてはセカンドボンディング領域）裏面を
支持基板２表面に密着させるための溝である。すなわ
ち、密着用溝３１〜３４は、リード３０１〜３０４に外
力を加えると少なくともインナー部先端裏面を確実に支
持基板２の表面に密着させるために、リード３０１〜３
０４の形状変化を容易にする（リードを変形し易くす
る）ことができる。密着用溝３１〜３４の深さt2は、リ
ード３０１〜３０４の機械的強度を充分に確保すること
ができ、かつ搭載されるMOSFET、IGBT等のパワーデバイ
スやパワーＩＣの電流容量を充分に確保することができ
る深さに設計される。さらに、密着用溝３１〜３４の深
さt2は、インナー部先端裏面の支持基板２表面への密着
を容易に行うことができるように設計され、具体的に
は、リード３０１〜３０４の板厚t1の1/3〜1/2の範囲内
の寸法で形成されることが好ましい。例えば、リードフ
レームの材料にFe-42%Ni合金板を使用し、リード３０１
〜３０４の板厚t1を０．２５mmに設定した場合、密着用
溝３１〜３４の深さt2は０．０８３mm〜０．１２５mmの
範囲内で形成すればよい。

【００２２】リード３０１のインナー部先端と半導体チ
ップ４のボンディングパッド４１との間、リード３０２
のインナー部先端とボンディングパッド４２との間、リ
ード３０３のインナー部先端とボンディングパッド４３
との間、リード３０４のインナー部先端とボンディング
パッド４４との間は、いずれもボンディングワイヤ５を
通して電気的に接続される。同様に、リード３１１〜３
１３のそれぞれのインナー部先端とボンディングパッド
４５との間、リード３１４〜３１６のそれぞれのインナ
ー部先端とボンディングパッド４６との間は、いずれも
ボンディングワイヤ５を通して電気的に接続される。ボ
ンディングワイヤ５には例えば直径３０μｍ乃至７５μ
ｍの金（Au）ワイヤ、銅（Cu）ワイヤ、アルミニウム
（Al）ワイヤ等が実用的に使用できる。

【００２３】樹脂封止体１は、支持基板２、半導体チッ
プ４、リード３０１〜３０４、３１１〜３１６のそれぞ
れのインナー部及びボンディングワイヤ５を覆うように
形成されている。樹脂封止体１には例えばエポキシ系樹
脂が実用的に使用できる。

【００２４】次に、前述の樹脂封止型半導体パッケージ
の組立方法を説明する。図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図４
（Ａ）、図４（Ｂ）はいずれも組立工程毎に示す樹脂封
止型半導体パッケージの組立工程断面図である。なお、
これらの工程断面図は図１に示すＦ２−Ｆ２切断線で切
った断面に相当する図である。

【００２５】（１）まず、支持基板２を準備し、図３
（Ａ）に示すようにこの支持基板２の表面上に半導体チ
ップ４をマウントするとともに、リード３０１〜３０
４、３１１〜３１６（図１参照）を配置する。これらの
リード３０１〜３０４、３１１〜３１６は図示しない同
一のリードフレームに連結された状態にある。同図３
（Ａ）にはリード３０４だけが示されている。前述のよ
うにリード３０１〜３０４のインナー部は支持基板２上
にまで延在して配置されており、これらのインナー部に
は密着用溝３１〜３４が予め形成されている。リードフ
レームはエッチング加工又は打ち抜き加工で形成される
が、このリードフレームの形成前又は形成後にエッチン
グ加工若しくはダイヤモンドブレードやワイヤーソー等
を用いた機械加工、レーザー加工等により密着用溝３１
〜３４が形成されている。

【００２６】（２）ワイヤボンディング工程に先立ち、
第２ボンディング（セカンドボンディング）領域となる
リード３０１〜３０４、３１１〜３１６（図１参照）の
それぞれのインナー部をリード押え治具１２により押え
付け、それぞれのインナー部先端の位置が固定される。
支持基板２上にまで延在して配置されないリード３１１
〜３１６のそれぞれのインナー部は、図示しないが表面
及び裏面がリード押え治具１２により挟み込まれるの
で、強固に押え付けられる。これに対して、支持基板２
にまで延在して配置されたリード３０１〜３０４のそれ
ぞれのインナー部は、図３（Ｂ）に示すように、リード
押え治具１２により支持基板２の表面側に押え付けら
れ、折り曲げられる。この結果、少なくともインナー部
先端（セカンドボンディング領域）の裏面と支持基板２
の表面との間が密着される。リード３０１〜３０４のそ
れぞれのインナー部には密着用溝３１〜３４が各々配設
されており、この密着用溝３１〜３４のそれぞれを折れ
曲がり点として、好ましくは弾性変形範囲内で、インナ
ー部が折れ曲がり、インナー部先端の裏面と支持基板２
の表面との間を確実に密着させることができる。この密
着によりリード３０１〜３０４のそれぞれのインナー部
先端の位置が固定される。なお、図３（Ｂ）にはリード
３０４の密着状態が示されるが、他のリード３０１、３
０２、３０３のそれぞれの密着状態も同様である。

【００２７】（３）引き続き、ワイヤボンディング工程
を行う。まずワイヤボンディング装置（ワイヤボンダ）
のキャピラリィ１０の先端からボンディングワイヤ５を
送り出し、ボンディングワイヤ５の先端部分にボールを
形成する。ボールは、ボンディングワイヤ５の先端部分
に電気スパークを発生させることにより、またボンディ
ングワイヤ５の先端部分を加熱溶融させることにより容
易に形成することができる。図４（Ａ）に示すように、
このボールを半導体チップ４のボンディングパッド（フ
ァーストボンディング領域）４４の表面に押し付け、ボ
ンディングワイヤ５の第１ボンディング（ファーストボ
ンディング）を行う。ボールは、キャピラリィ１０の先
端で押し潰されることにより、ボール形状から釘頭形状
に変形されている。この第１ボンディング（ファースト
ボンディング）においては、半導体チップ４が加熱され
た状態で、熱圧着される。若しくは、半導体チップ４が
加熱された状態で、さらに、キャピラリィ１０にボンデ
ィングパッド４４の表面と平行な方向の超音波振動が加
えられ、ボンディングワイヤ５の先端のボールと半導体
チップ４のボンディングパッド４４とが電気的に接続さ
れる。

【００２８】（４）ファーストボンディングが終了する
と、キャピラリィ１０は、ボンディングワイヤ５を送り
出しながら上方に移動し、さらにリード３０４のインナ
ー部先端（セカンドボンディング領域）の表面上まで移
動し、そしてインナー部先端の表面にボンディングワイ
ヤ５の他端側を押し付け、図４（Ｂ）に示すように第２
ボンディング（セカンドボンディング）を行う。この第
２ボンディング（セカンドボンディング）においては、
リードフレームが加熱された状態で、熱圧着されるか、
若しくは、半導体チップ４が加熱された状態で、さら
に、キャピラリィ１０にインナー部先端の表面と平行な
方向の超音波振動が加えられる。セカンドボンディング
においては、インナー部先端は密着用溝３４により支持
基板２の表面に密着されており、支持基板２がボンディ
ングの際のインナー部先端の台座として働くので、イン
ナー部先端の表面にキャピラリィ１０によりボンディン
グワイヤ５を強く押し付けることができる。さらに、セ
カンドボンディングにおいては、インナー部先端が密着
用溝３４により支持基板２の表面に密着された状態でリ
ード押え治具１２によりインナー部先端が押え付けられ
ているので、キャピラリィ１０に超音波振動が加えられ
てもインナー部先端の位置ずれがなく、超音波振動のパ
ワーが十分に印加出来る。このため、超音波パワーによ
り、インナー部先端の表面にボンディングワイヤ５を強
く擦り付けることができる。従って、インナー部先端の
表面とボンディングワイヤ５との間の接合を確実に行う
ことができるので、ボンディング不良、特にセカンドボ
ンディング不良を防止することができる。

【００２９】（５）セカンドボンディングが終了する
と、キュピラリィ１０を上昇させ、セカンドボンディン
グにより発生した肉薄部分でボンディングワイヤ５を切
断することにより、半導体チップ４のボンディングパッ
ド４４とリード３０４との間がボンディングワイヤ５に
より電気的に接続されている。同様に、図１に示すリー
ド３０１のインナー部とボンディングパッド４１との
間、リード３０２のインナー部とボンディングパッド４
２との間、リード３０３のインナー部とボンディングパ
ッド４３との間のそれぞれをワイヤボンディングにより
電気的に接続する。さらに同様に、リード３１１〜３１
３のそれぞれのインナー部とボンディングパッド４５と
の間、リード３１４〜３１６のそれぞれのインナー部と
ボンディングパッド４６との間をワイヤボンディングに
より電気的に接続する。すべてのワイヤボンディングが
終了した後にリード押え治具１２によるリード３０１〜
３０４、３１１〜３１６の押え付けを解除する。この押
え付けの解除により、リード３０１〜３０４、３１１〜
３１６のそれぞれのインナー部は、復元力により元の位
置に復帰し、支持基板２の表面から所定間隔だけ離間さ
れる。

【００３０】（６）トランスファーモールド法により支
持基板２、半導体チップ４、リード３０１〜３０４、３
１１〜３１６のそれぞれのインナー部及びボンディング
ワイヤ５を覆う樹脂封止体１を形成する。引き続き、リ
ード３０１〜３０４、３１１〜３１６のそれぞれのアウ
ター部をリードフレームから切り離し、必要に応じてこ
のアウター部に所定のリード成形を行うことにより、前
述の図１及び図２（Ａ）に示す樹脂封止型半導体パッケ
ージが完成する。

【００３１】このように構成される樹脂封止型半導体パ
ッケージにおいては、密着用溝３１〜３４のそれぞれで
支持基板２上にリード３０１〜３０４のそれぞれのイン
ナー部先端を密着させ位置の変動がない状態でインナー
部先端とボンディングワイヤ５との間をボンディングす
ることができるので、インナー部先端とボンディングワ
イヤ５との間を電気的かつ機械的に確実に接続すること
ができる。従って、ボンディング不良を防止することが
できるので、樹脂封止型半導体パッケージの電気的信頼
性を向上させることができる。

【００３２】さらに、このような樹脂封止型半導体パッ
ケージの組立方法においては、３０１〜３０４のそれぞ
れのインナー部を支持基板２側に押し付けると、密着用
溝３１〜３４のそれぞれによりインナー部の形状変化を
助長し、インナー部先端の位置が変動しないようにイン
ナー部先端を支持基板２に密着させることができる。こ
の密着状態でインナー部先端とボンディングワイヤ５と
の間をボンディングすることにより、インナー部先端と
ボンディングワイヤ５との間の電気的かつ機械的な接続
を確実に行うことができ、ボンディング不良を防止する
ことができる。従って、樹脂封止型半導体パッケージの
組立プロセスにおいて、不良品の発生を減少させること
ができるので、歩留まりを向上させることができる。

【００３３】なお、第１の実施の形態に係る樹脂封止型
半導体パッケージにおいては、半導体チップ４のボンデ
ィングパッド４１〜４６のそれぞれをファーストボンデ
ィング領域、リード３０１〜３０４、３１１〜３１６の
それぞれのインナー部先端をセカンドボンディング領域
としたが、本発明においては、ファーストボンディング
領域とセカンドボンディング領域とを入れ替えてもよ
い。

【００３４】（その他の実施の形態）上記のように、本
発明は第１の実施の形態によって記載したが、この開示
の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであ
ると理解すべきではない。この開示から当業者には様々
な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろ
う。

【００３５】例えば、上記第１の実施の形態に係る樹脂
封止型半導体パッケージの密着用溝は種々の形状が採用
可能である。図５（Ａ）、図５（Ｂ）は、本発明の他の
実施の形態（第２の実施の形態）に係る樹脂封止型半導
体パッケージの要部拡大断面図である。図５（Ａ）に示
す樹脂封止型半導体パッケージにおいては、リード３０
１〜３０４（図１参照。同図５（Ａ）にはリード３０４
だけを示す。）のそれぞれのインナー部にＶ型形状の密
着用溝３５が配設されている。図５（Ｂ）に示す樹脂封
止型半導体パッケージにおいては、リード３０１〜３０
４（同様に図１参照。同図５（Ｂ）にはリード３０４だ
けを示す。）のそれぞれのインナー部には、底部角部が
丸みを帯びたＵ型形状の密着用溝３６が配設されてい
る。更に、図示を省略するがＷ字形状や逆メサ形状等で
もかまわない。このように構成される種々の形状の密着
用溝の場合であっても、第１の実施の形態に係る樹脂封
止型半導体パッケージで得られる効果と同様の効果を得
ることができる。

【００３６】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。した
がって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特
許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められ
るものである。

【００３７】

【発明の効果】本発明は、支持基板上に重複配置された
リード先端とボンディングワイヤとの間のボンディング
不良を防止することができ、電気的信頼性を向上させる
ことができる半導体パッケージを提供することができ
る。

【００３８】さらに、本発明は、ボンディング不良に伴
う製品不良の発生を減少させることができ、歩留まりを
向上させることができる半導体パッケージの組立方法を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止型半
導体パッケージの一部分を示す平面図である。

【図２】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る樹脂
封止型半導体パッケージの要部拡大断面図、（Ｂ）は本
発明の第１の実施の形態に係る樹脂封止型半導体パッケ
ージのリードの拡大斜視図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係る組立工程毎に
示す樹脂封止型半導体パッケージの組立工程断面図であ
る（その１）。

【図４】本発明の第１の実施の形態に係る組立工程毎に
示す樹脂封止型半導体パッケージの組立工程断面図であ
る（その２）。

【図５】本発明の他の実施の形態（第２の実施の形態）
に係る樹脂封止型半導体パッケージの要部拡大断面図で
ある。

【図６】従来技術に係る樹脂封止型半導体パッケージの
平面図である。

【符号の説明】

１ 樹脂封止体 ２ 支持基板 ３１〜３４，３５，３６ 密着用溝 ３０１〜３０４，３１１〜３１６ 支持基板 ４ 半導体チップ ４１〜４６ ボンディングパッド ５ ボンディングワイヤ １０ キャピラリィ １２ リード押え治具

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体チップを搭載する支持基板と、 前記支持基板上にまで延在して配置されたリードと、 前記リードの一部と前記支持基板とを少なくともモール
   ドする樹脂封止体とを備え、 ボンディング領域近傍の、前記リードの表面に前記リー
   ドを横断する密着用溝を備えたことを特徴とする半導体
   パッケージ。
2. 【請求項２】 支持基板上に半導体チップをマウント
   し、密着用溝を備えたリードを前記支持基板上に配置す
   る工程と、 前記リードの前記密着用溝よりも先端部の所定の領域を
   前記支持基板側に押し付け前記リードを折り曲げ、該所
   定の領域を前記支持基板に密着させる工程と、 前記半導体チップのボンディングパッドにボンディング
   ワイヤの一端を第１ボンディングする工程と、 前記所定の領域に対して前記ボンディングワイヤの他端
   を第２ボンディングする工程とを少なくとも有すること
   を特徴とする半導体パッケージの組立方法。