JP2000206146A - プロ―ブ針 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 多数のパッドが半導体素子に設けられた場
合、プローブ針をプローブカード基板に取り付けること
が難しいという課題があった。 【解決手段】 第１の導電体２と、第２の導電体３と、
第１の導電体２と第２の導電体３との間に位置し、第１
の導電体２と第２の導電体３とを接続する絶縁体とを備
える。第１及び第２の導電体２，３は針状であり、各導
電体の長手方向に垂直な断面は半円形である。すなわ
ち、第１及び第２の導電体２，３は従来のかたもち針を
２等分することにより得られる形状をしている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体素子をウ
ェハ状態で検査する際に用いるプローブ針に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】従来、プローブ針は単一の針状の導電体
で構成されていた。そして、このようなプローブ針を用
いて半導体素子をウェハ状態で高精度に検査する場合、
フォース用のプローブ針とセンス用のプローブ針とを半
導体素子に設けられたパッドに接触させ、これらプロー
ブ針をケルビン接続していた。このような検査に用いる
プローブ針として、半導体素子の検査時にパッドに対し
て斜め方向を向いた状態でパッドに接触するプローブ針
（いわゆる、かたもち針）や、半導体素子の検査時にパ
ッドに対して垂直な方向を向いた状態でパッドに接触す
るプローブ針（いわゆる、垂直針）があった。

【０００３】なお、近年、テスタを用いて高速ロジック
などの半導体素子のＩ／Ｏの検査を行う場合、テスタの
ドライバが出力したデータを半導体素子の信号端子に入
力させ、半導体素子の信号端子から出力されたデータを
テスタのコンパレータで受け取る際に生じるコンパレー
タのデッドバンド（判定不可能となる期間）を解消する
ために、テスタのドライバが出力したデータを半導体素
子の信号端子に伝送する専用のラインと、半導体素子の
信号端子から出力されたデータをテスタのコンパレータ
に伝送する専用のラインを設けることが試みられてい
る。デッドバンドは、半導体素子の信号端子からの出力
とテスタのドライバからの出力が衝突することにより生
じる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】従来のプローブ針は以
上のように単一の針状の導電体で構成されていたので、
多数のパッドが半導体素子に設けられた場合、半導体素
子をウェハ状態で高精度に検査するために必要とするプ
ローブ針の数が多くなる。従って、多数のパッドが半導
体素子に設けられた場合、プローブ針をプローブカード
基板に取り付けることが難しいという課題があった。

【０００５】また、プローブ針として垂直針を用いた場
合、プローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触
したとき、プローブカード基板が反るという課題があっ
た。この発明は上記のような課題を解決するためになさ
れたもので、多数のパッドが半導体素子に設けられた場
合でも半導体素子をウェハ状態で高精度に検査すること
を可能とするプローブ針を得ることを目的とする。

【０００６】また、この発明は、多数のパッドが半導体
素子に設けられた場合でも半導体素子をウェハ状態で高
精度に検査することを可能とするとともに、半導体素子
のパッドに接触したときプローブカード基板が反らない
プローブ針を得ることを目的とする。

【０００７】なお、多数のパッドが半導体素子に設けら
れた場合でも半導体素子をウェハ状態で高精度に検査す
ることを可能とするプローブ針の例が、例えば特開平５
−１４４８９５号公報、実開平１−１７４９３２号公
報、実開昭６１−１０４３８０号公報、特開平２−１２
４４６９号公報及び特開平４−２８８８４７号公報に開
示されている。

【０００８】図６２は特開平５−１４４８９５号公報に
示されたプローブ針の構成図である。図６２はプローブ
針が半導体素子に設けられたパッドに接触している状態
を示している。図において、２０１はプローブ針、２０
２は第１の導電体、２０３は第２の導電体、２０４は半
導体素子に設けられたパッドである。

【０００９】プローブ針２０１はいわゆるかたもち針で
ある。また、プローブ針２０１は従来のかたもち針と同
様の形状の第１及び第２の導電体２０２，２０３をそれ
らの先端で接続した二股構造をしている。

【００１０】図６３は実開平１−１７４９３２号公報に
示されたプローブ針の構成図である。図６３はプローブ
針が半導体素子に設けられたパッドに接触している状態
を示している。図において、２１１はプローブ針、２１
２は第１の導電体、２１３は第２の導電体、２１４は第
１の導電体２１２と第２の導電体２１３との間に位置す
る絶縁体、２１５は第１及び第２の導電体２１２，２１
３と絶縁体２１４とを固定する接着剤、２１６は半導体
素子に設けられたパッドである。

【００１１】プローブ針２１１はいわゆる垂直針であ
る。また、プローブ針２１１は従来の垂直針と同様の形
状の第１及び第２の導電体２０２，２０３を絶縁体２１
４を通して接着剤２１５ではりつけた構造をしている。

【００１２】図６４は実開昭６１−１０４３８０号公報
に示されたプローブ針の構成図である。図６４はプロー
ブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触している状
態を示している。図において、２２１はプローブ針、２
２２は第１の導電体、２２３は第２の導電体、２２４は
第１の導電体２２２と第２の導電体２２３との間及び第
１及び第２の導電体２２２，２２３の周囲に位置する絶
縁体である。

【００１３】プローブ２２１はいわゆるかたもち針であ
る。また、プローブ２２１は従来のかたもち針と同様の
形状の第１の導電体２２２とそれより細い第２の導電体
２２３とを絶縁体２２４で一体的に固定した構造をして
いる。

【００１４】図６５は特開平２−１２４４６９号公報に
示されたプローブ針の構成図である。図６５（ａ）はプ
ローブ針の側面図、図６５（ｂ）は図６５（ａ）中のＥ
１−Ｅ１線に沿った断面図である。図において、２３１
はプローブ針、２３２はフォース用の第１の導電体、２
３３はセンス用の第２の導電体、２３４は第１の導電体
２１２と第２の導電体２１３との間に位置する絶縁体で
ある。

【００１５】プローブ２３１はいわゆるかたもち針であ
る。また、プローブ針２３１は従来のかたもち針と同様
の形状のフォース用の第１の導電体２３２を絶縁体２３
４で被覆し、さらにその外側をセンス用の第２の導電体
２３３で被覆した構造をしている。特開平４−２８８８
４７号公報にも同様に、従来のかたもち針と同様の形状
のフォース用の第１の導電体２３２を絶縁体２３４で被
覆し、さらにその外側をセンス用の第２の導電体８３で
被覆した構造をしたプローブ針が示されている。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明に係るプローブ
針は、第１の導電体と、第２の導電体と、第１及び第２
の導電体間に位置し第１及び第２の導電体を接続する絶
縁体とを備え、第１及び第２の導電体が針状であり、各
導電体の長手方向に垂直な断面が半円形であるものであ
る。

【００１７】この発明に係るプローブ針は、第１及び第
２の導電体がパッドを介して電気的に接続するものであ
る。

【００１８】この発明に係るプロービング針は、半導体
素子に設けられたパッドに対して垂直な方向を向いた状
態でそのパッドに接触するプローブ針であって、第１の
導電体と、第２の導電体と、第１及び第２の導電体間に
位置し第１及び第２の導電体を接続する絶縁体とを備
え、パッドに接触する側の先端部分に第１及び第２の導
電体により弾力部が形成されているものである。

【００１９】この発明に係るプローブ針は、弾力部がＯ
形であり、第１及び第２の導電体が針状であり、各導電
体の長手方向に垂直な断面が円形であるものである。

【００２０】この発明に係るプローブ針は、弾力部がＯ
形であり、第１及び第２の導電体が針状であり、各導電
体の長手方向に垂直な断面が半円形であるものである。

【００２１】この発明に係るプローブ針は、弾力部が先
端側で広がるＹ形であり、第１及び第２の導電体が針状
であり、各導電体の長手方向に垂直な断面が円形である
ものである。

【００２２】この発明に係るプローブ針は、弾力部が先
端側で広がるＹ形であり、第１及び第２の導電体が針状
であり、各導電体の長手方向に垂直な断面が半円形であ
るものである。

【００２３】この発明に係るプローブ針は、弾力部がく
の字形であり、第２の導電体が第１の導電体より細いも
のである。

【００２４】この発明に係るプローブ針は、弾力部がく
の字形であり、第１の導電体が針状であり、第２の導電
体が第１の導電体を被覆する筒状であるものである。

【００２５】この発明に係るプローブ針は、第１及び第
２の導電体がパッドを介して電気的に接続するものであ
る。

【００２６】この発明に係るプローブ針は、センス用の
第１の導電体と、フォース用の第２の導電体と、第１及
び第２の導電体間に位置し第１及び第２の導電体を接続
する絶縁体とを備え、第１の導電体が針状であり、第２
の導電体が第１の導電体を被覆する筒状であるものであ
る。

【００２７】この発明に係るプローブ針は、第１及び第
２の導電体がパッドを介して電気的に接続するものであ
る。

【００２８】この発明に係るプローブ針は、半導体素子
に設けられたパッドに対して斜め方向を向いた状態でそ
のパッドに接触するプローブ針であって、第１の導電体
と、第２の導電体と、第１及び第２の導電体間に位置し
第１及び第２の導電体を接続する絶縁体とを備え、パッ
ドに接触する側の先端部分が、半導体素子の検査時に第
１及び第２の導電体が互いに離れるスリット状であるも
のである。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の一形態を
説明する。 実施の形態１．図１はこの発明の実施の形態１によるプ
ローブ針の構成を示す側面図である。図２は図１中のＡ
方向から見たプローブ針の上面図である。図３は図１中
のＢ−Ｂ線に沿ったプローブ針の断面図である。図１及
び図２はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに
接触している状態を示している。図において、１はプロ
ーブ針、２は第１の導電体、３は第２の導電体、４は第
１の導電体２と第２の導電体３との間に位置し、第１の
導電体２と第２の導電体３とを接続する絶縁体、５は半
導体素子に設けられたパッドである。

【００３０】この発明の実施の形態１によるプローブ針
１はいわゆるかたもち針である。また、この実施の形態
では、第１及び第２の導電体２，３は針状であり、各導
電体の長手方向に垂直な断面は半円形である。すなわ
ち、この実施の形態では、第１及び第２の導電体２，３
は従来のかたもち針を２等分することにより得られる形
状をしている。従って、この発明の実施の形態１による
プローブ針１は従来のかたもち針と略同じ太さである。
また、この実施の形態では、第１の導電体２と第２の導
電体３はそれらの先端（すなわち、半導体素子に設けら
れたパッドに接触する側の先端）で接続している。ま
た、この実施の形態では、第１の導電体２と第２の導電
体３は上下に位置している。

【００３１】図４はこの発明の実施の形態１によるプロ
ーブ針１を備えたプローブカードの構成を示す断面図で
ある。図において、１１はプローブカード、１２は基
板、１３は基板１２の中央に位置する開口、１４はリン
グ、１５はプローブ針１をリング１４に固定するための
樹脂である。

【００３２】図５はこの発明の実施の形態１によるプロ
ーブ針１とプローブカードの基板との接続部分の構成を
示す断面図である。図５は図４中の破線で囲んだＣ部分
の拡大図を示している。図６は図５中のＤ方向から見た
プローブ針とプローブカードの基板との接続部分の下面
図である。図において、１６は第1の導電体２が接続す
る第１のランド、１７は第２の導電体３が接続する第２
のランド、１８ははんだである。その他の構成要素は図
１及び図４に同一符号を付して示すものと同一である。

【００３３】次に動作について説明する。半導体素子を
ウェハ状態で高精度に検査する場合、プローブ針１を半
導体素子に設けられたパッド５に接触させ、第１及び第
２の導電体２，３のうちの一方をフォース用として用い
他方をセンス用として用いる。この場合、第１の導電体
２と第２の導電体３はそれらの先端で接続しているた
め、第１及び第２の導電体２，３の先端でケルビン接続
し、電圧値や電流値がプローブ針１の先端まで補償され
る。

【００３４】一方、半導体素子のＩ／Ｏの検査をウェハ
状態で行う場合、プローブ針１を半導体素子に設けられ
た信号端子としてのパッド５に接触させ、第１及び第２
の導電体２，３のうちの一方をドライバ用として用い他
方をテスタ用として用いる。この場合、第１の導電体２
と第２の導電体３はそれらの先端で接続しているため、
テスタのドライバが出力したデータを半導体素子に設け
られたパッド５に伝送する専用のラインと、半導体素子
に設けられたパッド５から出力されたデータをテスタの
コンパレータに伝送する専用のラインがプローブ針の先
端まで確保される。

【００３５】以上のように、この実施の形態１によれ
ば、プローブ針１は第１の導電体２と第２の導電体３と
を備えているので、１本のプローブ針で従来のプローブ
針の２本分の機能を実現できる。このため、半導体素子
をウェハ状態で高精度に検査する場合や半導体素子のＩ
／Ｏの検査をコンパレータのデッドバンドが生じること
なくウェハ状態で行う場合には、半導体素子に設けられ
た各パッドに対して１本のプローブ針を接触させればよ
い。従って、多数のパッドが半導体素子に設けられた場
合でも、プローブ針１をプローブカード基板に取り付け
ることができ、半導体素子をウェハ状態で高精度に検査
することや半導体素子のＩ／Ｏの検査をコンパレータの
デッドバンドが生じることなくウェハ状態で行うことが
可能となる効果が得られる。

【００３６】また、この実施の形態１によれば、１本の
プローブ針で従来のプローブ針の２本分の機能を実現で
きるため、プローブカード基板に取り付けるプローブ針
１の本数及びプローブ針１の配置エリアを少なくするこ
とができ、コストを下げることができる効果が得られ
る。

【００３７】また、この実施の形態１によれば、第１及
び第２の導電体２，３の長手方向に垂直な断面は半円形
であり、プローブ針１は従来のプローブ針と略同じ太さ
である。このため、従来のプローブ針を２本束ねる場合
に比べて、プローブ針１の太さが小さい。従って、より
多数のパッドが半導体素子に設けられた場合でも、プロ
ーブ針１をプローブカード基板に取り付けることができ
る効果が得られる。

【００３８】実施の形態２．実施の形態１では第１の導
電体２と第２の導電体３がそれらの先端で接続している
場合について示しているが、この実施の形態では第１の
導電体と第２の導電体がそれらの先端で接続しておら
ず、第１の導電体と第２の導電体が半導体素子の検査時
に半導体素子に設けられたパッドを介して電気的に接続
する場合について示す。その他の点は、実施の形態１と
同様である。

【００３９】図７はこの発明の実施の形態１によるプロ
ーブ針の構成を示す側面図である。図８は図７中のＥ−
Ｅ線に沿ったプローブ針の断面図である。図７はプロー
ブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触している状
態を示している。図において、１ａはプローブ針、２ａ
は第１の導電体、３ａは第２の導電体、４ａは第１の導
電体２ａと第２の導電体３ａとの間に位置し、第１の導
電体２ａと第２の導電体３ａとを接続する絶縁体、５は
半導体素子に設けられたパッドである。

【００４０】この発明の実施の形態２によるプローブ針
１ａを備えたプローブカードの構成は図４と同様であ
る。この発明の実施の形態２によるプローブ針１ａとプ
ローブカードの基板との接続部分の構成は図５及び図６
と同様である。

【００４１】次に動作について説明する。半導体素子を
ウェハ状態で高精度に検査する場合、プローブ針１ａを
半導体素子に設けられたパッド５に接触させ、第１及び
第２の導電体２ａ，３ａのうちの一方をフォース用とし
て用い他方をセンス用として用いる。この場合、第１の
導電体２ａと第２の導電体３ａはパッド５を介して電気
的に接続するため、パッド５上でケルビン接続し、電圧
値や電流値がパッド５上まで補償される。

【００４２】一方、半導体素子のＩ／Ｏの検査をウェハ
状態で行う場合、プローブ針１ａを半導体素子に設けら
れた信号端子としてのパッド５に接触させ、第１及び第
２の導電体２ａ，３ａのうちの一方をドライバ用として
用い他方をテスタ用として用いる。この場合、第１の導
電体２ａと第２の導電体３ａはパッド５を介して電気的
に接続するため、テスタのドライバが出力したデータを
半導体素子に設けられたパッド５に伝送する専用のライ
ン（以下、ドライバ専用ラインという）と、半導体素子
に設けられたパッド５から出力されたデータをテスタの
コンパレータに伝送する専用のライン（以下、コンパレ
ータ専用ラインという）がパッド５上まで確保される。

【００４３】以上のように、この実施の形態２によれ
ば、第１の導電体２ａと第２の導電体３ａが半導体素子
の検査時に半導体素子に設けられたパッド５を介して電
気的に接続する。このため、半導体素子をウェハ状態で
高精度に検査する場合には電圧値や電流値がパッド５上
まで補償され、半導体素子のＩ／Ｏの検査をウェハ状態
で行う場合にはドライバ専用ライン及びコンパレータ専
用ラインがパッド５上まで確保される。従って、半導体
素子の検査をウェハ状態でより高精度に行うことができ
る効果が得られる。また、この実施の形態２によれば、
実施の形態１と同様の効果が得られる。

【００４４】実施の形態３．実施の形態１では第１の導
電体２と第２の導電体３が上下に位置している場合につ
いて示しているが、この実施の形態では第１の導電体２
と第２の導電体３が左右に位置している場合について示
す。その他の点は、実施の形態１と同様である。

【００４５】図９はこの発明の実施の形態３によるプロ
ーブ針の構成を示す上面図である。図１０は図９中のＦ
方向から見たプローブ針の側面図である。図１１は図９
中のＧ−Ｇ線に沿ったプローブ針の断面図である。図９
及び図１０はプローブ針が半導体素子に設けられたパッ
ドに接触している状態を示している。図において、１ｂ
はプローブ針、２ｂは第１の導電体、３ｂは第２の導電
体、４ｂは第１の導電体２ｂと第２の導電体３ｂとの間
に位置し、第１の導電体２ｂと第２の導電体３ｂとを接
続する絶縁体、５は半導体素子に設けられたパッドであ
る。

【００４６】この発明の実施の形態３によるプローブ針
１ｂを備えたプローブカードの構成は図４と同様であ
る。図１２はこの発明の実施の形態３によるプローブ針
１ｂとプローブカードの基板との接続部分の構成を示す
下面図である。図１２は図６に相当する図である。図１
２中の構成要素は図６及び図９に同一符号を付して示し
たものと同一である。実施の形態３における動作は、実
施の形態１と同様である。

【００４７】以上のように、この実施の形態３によれ
ば、第１の導電体２ｂと第２の導電体３ｂが左右に位置
しているので、プローブ針１ｂが半導体素子に設けられ
たパッドに接触したとき、第１の導電体２ｂと第２の導
電体３ｂに均一に力が加わる。このため、プローブ針１
ｂの構造的な信頼性が高いという効果が得られる。ま
た、この実施の形態３によれば、実施の形態１と同様の
効果が得られる。

【００４８】実施の形態４．実施の形態３では第１の導
電体２ｂと第２の導電体３ｂがそれらの先端で接続して
いる場合について示しているが、この実施の形態では第
１の導電体と第２の導電体がそれらの先端で接続してお
らず、第１の導電体と第２の導電体が半導体素子の検査
時に半導体素子に設けられたパッドを介して電気的に接
続する場合について示す。その他の点は、実施の形態３
と同様である。

【００４９】図１３はこの発明の実施の形態４によるプ
ローブ針を示す上面図である。図１４は図１３中のＨ−
Ｈ線に沿ったプローブ針の断面図である。図１３はプロ
ーブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触している
状態を示している。図において、１ｃはプローブ針、２
ｃは第１の導電体、３ｃは第２の導電体、４ｃは第１の
導電体２ｃと第２の導電体３ｃとの間に位置し、第１の
導電体２ｃと第２の導電体３ｃとを接続する絶縁体、５
は半導体素子に設けられたパッドである。

【００５０】この発明の実施の形態４によるプローブ針
１ｃを備えたプローブカードの構成は図４と同様であ
る。この発明の実施の形態４によるプローブ針１ｃとプ
ローブカードの基板との接続部分の構成は図１２と同様
である。実施の形態４における動作は、実施の形態２と
同様である。

【００５１】以上のように、この実施の形態４によれ
ば、第１の導電体２ｃと第２の導電体３ｃが半導体素子
の検査時に半導体素子に設けられたパッド５を介して電
気的に接続する。このため、半導体素子をウェハ状態で
高精度に検査する場合には電圧値や電流値がパッド５上
まで補償され、半導体素子のＩ／Ｏの検査をウェハ状態
で行う場合にはドライバ専用ライン及びコンパレータ専
用ラインがパッド５上まで確保される。従って、半導体
素子の検査をウェハ状態でより高精度に行うことができ
る効果が得られる。また、この実施の形態４によれば、
実施の形態３と同様の効果が得られる。

【００５２】実施の形態５．図１５はこの発明の実施の
形態５によるプローブ針を示す側面図である。図１６は
図１５中のＩ−Ｉ線に沿ったプローブ針の断面図であ
る。図１５はプローブ針が半導体素子に設けられたパッ
ドに接触している状態を示している。図において、２１
はプローブ針、２２は第１の導電体、２３は第２の導電
体、２４は第１の導電体２２と第２の導電体２３との間
に位置し、第１の導電体２２と第２の導電体２３とを接
続する絶縁体、５は半導体素子に設けられたパッドであ
る。

【００５３】この発明の実施の形態５によるプローブ針
２１はいわゆる垂直針である。また、この実施の形態で
は、第１及び第２の導電体２２，２３は針状であり、各
導電体の長手方向に垂直な断面は半円形である。すなわ
ち、この実施の形態では、第１及び第２の導電体２２，
２３は従来の垂直針を２等分することにより得られる形
状をしている。従って、この発明の実施の形態５による
プローブ針２１は従来の垂直針と略同じ太さである。ま
た、この実施の形態では、第１の導電体２２と第２の導
電体２３はそれらの先端（すなわち、半導体素子に設け
られたパッドに接触する側の先端）で接続している。

【００５４】図１７はこの発明の実施の形態５によるプ
ローブ針を備えたプローブカードの構成を示す断面図で
ある。図において、３１はプローブカード、３２は第１
の基板、３３は第２の基板、３４は第３の基板、３５は
リング、３６は配線である。図１８はこの発明の実施の
形態５によるプローブ針とプローブカードの基板との接
続部分の構成を示す断面図である。図１８は図１７中の
破線で囲んだＪ部分の拡大図を示している。図におい
て、３７は第１のランド、３８は第２のランド、３９は
落下防止リング、４０ははんだである。その他の構成要
素は図１５及び図１７に同一符号を付して示したものと
同一である。また、図１９はこの発明の実施の形態５に
よるプローブ針とプローブカードの基板との接続部分の
構成を示す断面図であり、図１８と異なる構成例を示し
ている。図１９は図１７中の破線で囲んだＪ部分の拡大
図を示している。図において、４１は第１のシングルコ
ンタクタ、４２は第２のシングルコンタクタ、４３はバ
ネである。その他の構成要素は図１８に同一符号を付し
たものと同一である。実施の形態５における動作は、実
施の形態１と同様である。

【００５５】以上のように、この実施の形態５によれ
ば、実施の形態３と同様の効果が得られる。

【００５６】実施の形態６．実施の形態５では第１の導
電体２２と第２の導電体２３がそれらの先端で接続して
いる場合について示しているが、この実施の形態では第
１の導電体と第２の導電体がそれらの先端で接続してお
らず、第１の導電体と第２の導電体が半導体素子の検査
時に半導体素子に設けられたパッドを介して電気的に接
続する場合について示す。その他の点は、実施の形態５
と同様である。

【００５７】図２０はこの発明の実施の形態６によるプ
ローブ針の構成を示す側面図である。図２１は図２０中
のＫ−Ｋ線に沿ったプローブ針の断面図である。図２０
はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触し
ている状態を示している。図において、２１ａはプロー
ブ針、２２ａは第１の導電体、２３ａは第２の導電体、
２４ａは第１の導電体２ａと第２の導電体２３ａとの間
に位置し、第１の導電体２２ａと第２の導電体２３ａと
を接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられたパッド
である。

【００５８】この発明の実施の形態６によるプローブ針
２１ａを備えたプローブカードの構成は図１７と同様で
ある。この発明の実施の形態６によるプローブ針２１ａ
とプローブカードの基板との接続部分の構成は図１８及
び図１９と同様である。実施の形態６における動作は、
実施の形態２と同様である。

【００５９】以上のように、この実施の形態６によれ
ば、実施の形態４と同様の効果が得られる。

【００６０】実施の形態７．図２２はこの発明の実施の
形態７によるプローブ針を示す側面図である。図２３は
図２２中のＬ−Ｌ線に沿ったプローブ針の断面図であ
る。図２２はプローブ針が半導体素子に設けられたパッ
ドに接触している状態を示している。図において、５１
はプローブ針、５２は第１の導電体、５３は第２の導電
体、５４は第１の導電体５２と第２の導電体５３との間
に位置し、第１の導電体５２と第２の導電体５３とを接
続する絶縁体、５は半導体素子に設けられたパッドであ
る。

【００６１】この発明の実施の形態７によるプローブ針
５１はいわゆる垂直針である。また、この実施の形態で
は、第１及び第２の導電体５２，５３は針状であり、各
導電体の長手方向に垂直な断面は円形である。すなわ
ち、この実施の形態では、第１及び第２の導電体５２，
５３は従来の垂直針と同じ太さである。また、この発明
の実施の形態７によるプローブ針５１では、半導体素子
に設けられたパッドに接触する側の先端部分に、第１及
び第２の導電体５２，５３により、円形の弾力部が形成
されている。また、この実施の形態では、第１の導電体
５２と第２の導電体５３はそれらの先端（すなわち、半
導体素子に設けられたパッドに接触する側の先端）で接
続している。

【００６２】この発明の実施の形態７によるプローブ針
５１を備えたプローブカードの構成は図１７と同様であ
る。この発明の実施の形態７によるプローブ針５１とプ
ローブカードの基板との接続部分の構成は図１８及び図
１９と同様である。実施の形態７における動作は、実施
の形態１と同様である。

【００６３】以上のように、この実施の形態７によれ
ば、プローブ針５１は第１の導電体５２と第２の導電体
５３とを備えているので、１本のプローブ針で従来のプ
ローブ針の２本分の機能を実現できる。このため、半導
体素子をウェハ状態で高精度に検査する場合や半導体素
子のＩ／Ｏの検査をウェハ状態でコンパレータのデッド
バンドが生じることなく行う場合には、半導体素子に設
けられた各パッド５に対して１本のプローブ針を接触さ
せればよい。従って、多数のパッドが半導体素子に設け
られた場合でも、プローブ針５１をプローブカード基板
に取り付けることができ、半導体素子をウェハ状態で高
精度に検査することや半導体素子のＩ／Ｏの検査をコン
パレータのデッドバンドが生じることなくウェハ状態で
行うことが可能となる効果が得られる。

【００６４】また、この実施の形態７によれば、１本の
プローブ針で従来のプローブ針の２本分の機能を実現で
きるため、プローブカード基板に取り付けるプローブ針
５１の本数及びプローブ針５１の配置エリアを少なくす
ることができ、コストを下げることができる効果が得ら
れる。

【００６５】また、この実施の形態７によれば、プロー
ブ針５１はいわゆる垂直針であるので、プローブ針５１
が半導体素子に設けられたパッド５に接触したとき、第
１の導電体５２と第２の導電体５３に均一に力が加わ
る。このため、プローブ針５１の構造的な信頼性が高い
という効果が得られる。

【００６６】また、この実施の形態７によれば、半導体
素子に設けられたパッド５に接触する側の先端部分に、
第１及び第２の導電体５２，５３により、円形の弾力部
が形成されている。このため、プローブ針５１が半導体
素子に設けられたパッド５に接触したとき、弾力部で衝
撃が吸収される。従って、プローブ針５１が半導体素子
に設けられたパッド５に接触したとき、プローブカード
基板の反りが生じないという効果が得られる。

【００６７】また、この実施の形態７によれば、第１及
び第２の導電体５２，５３の長手方向に垂直な断面は円
形であり、第１及び第２の導電体５２，５３は従来のプ
ローブ針と同じ太さである。このため、半導体素子をウ
ェハ状態で高精度に検査するために、第１及び第２の導
電体５２，５３のいずれをフォース用として用いた場合
でも、フォース用の導電体の電流容量を従来同様に確保
できる効果が得られる。

【００６８】実施の形態８．実施の形態７では第１の導
電体５２と第２の導電体５３がそれらの先端で接続して
いる場合について示しているが、この実施の形態では第
１の導電体と第２の導電体がそれらの先端で接続してお
らず、第１の導電体と第２の導電体が半導体素子の検査
時に半導体素子に設けられたパッドを介して電気的に接
続する場合について示す。その他の点は、実施の形態７
と同様である。

【００６９】図２４はこの発明の実施の形態８によるプ
ローブ針の構成を示す側面図である。図２５は図２４中
のＭ−Ｍ線に沿ったプローブ針の断面図である。図２４
はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触し
ている状態を示している。図において、５１ａはプロー
ブ針、５２ａは第１の導電体、５３ａは第２の導電体、
５４ａは第１の導電体５２ａと第２の導電体５３ａとの
間に位置し、第１の導電体５２ａと第２の導電体５３ａ
とを接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられたパッ
ドである。

【００７０】この発明の実施の形態８によるプローブ針
５１ａを備えたプローブカードの構成は図１７と同様で
ある。この発明の実施の形態８によるプローブ針５１ａ
とプローブカードの基板との接続部分の構成は図１８及
び図１９と同様である。実施の形態８における動作は、
実施の形態２と同様である。

【００７１】以上のように、この実施の形態８によれ
ば、第１の導電体５２ａと第２の導電体５３ａが半導体
素子の検査時に半導体素子に設けられたパッド５を介し
て電気的に接続する。このため、半導体素子をウェハ状
態で高精度に検査する場合には電圧値や電流値がパッド
５上まで補償され、半導体素子のＩ／Ｏの検査をウェハ
状態で行う場合にはドライバ専用ライン及びコンパレー
タ専用ラインがパッド５上まで確保される。従って、半
導体素子の検査をウェハ状態でより高精度に行うことが
できる効果が得られる。また、この実施の形態８によれ
ば、実施の形態７と同様の効果が得られる。

【００７２】実施の形態９．実施の形態７では第１及び
第２の導電体５２，５３の長手方向に垂直な断面が円形
である場合について示しているが、この実施の形態では
第１及び第２の導電体の長手方向に垂直な断面が半円形
である場合について示す。すなわち、この実施の形態で
は第１及び第２の導電体が実施の形態７の第１及び第２
の導電体を２等分することにより得られる形状をしてい
る場合について示す。その他の点は、実施の形態７と同
様である。

【００７３】図２６はこの発明の実施の形態９によるプ
ローブ針の構成を示す側面図である。図２７は図２６中
のＮ−Ｎ線に沿ったプローブ針の断面図である。図２６
はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触し
ている状態を示している。図において、５１ｂはプロー
ブ針、５２ｂは第１の導電体、５３ｂは第２の導電体、
５４ｂは第１の導電体５２ｂと第２の導電体５３ｂとの
間に位置し、第１の導電体５２ｂと第２の導電体５３ｂ
とを接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられたパッ
ドである。

【００７４】この発明の実施の形態９によるプローブ針
５１ｂを備えたプローブカードの構成は図１７と同様で
ある。この発明の実施の形態９によるプローブ針５１ｂ
とプローブカードの基板との接続部分の構成は図１８及
び図１９と同様である。実施の形態９における動作は、
実施の形態１と同様である。

【００７５】以上のように、この実施の形態９によれ
ば、プローブ針５１ｂは第１の導電体５２ｂと第２の導
電体５３ｂとを備えているので、１本のプローブ針５１
ｂで従来のプローブ針の２本分の機能を実現できる。こ
のため、半導体素子をウェハ状態で高精度に検査する場
合や半導体素子のＩ／Ｏの検査をウェハ状態でコンパレ
ータのデッドバンドが生じることなく行う場合には、半
導体素子に設けられた各パッド５に対して１本のプロー
ブ針５１ｂを接触させればよい。従って、多数のパッド
が半導体素子に設けられた場合でも、プローブ針５１ｂ
をプローブカード基板に取り付けることができ、半導体
素子をウェハ状態で高精度に検査することや半導体素子
のＩ／Ｏの検査をウェハ状態でコンパレータのデッドバ
ンドが生じることなく行うことが可能となる効果が得ら
れる。

【００７６】また、この実施の形態９によれば、１本の
プローブ針５１ｂで従来のプローブ針の２本分の機能を
実現できるため、プローブカード基板に取り付けるプロ
ーブ針５１ｂの本数及びプローブ針５１ｂの配置エリア
を少なくすることができ、コストを下げることができる
効果が得られる。

【００７７】また、この実施の形態９によれば、第１及
び第２の導電体５２ｂ，５３ｂの長手方向に垂直な断面
は半円形であり、プローブ針５１ｂは従来のプローブ針
と略同じ太さである。このため、従来のプローブ針を２
本束ねる場合に比べて、プローブ針５１ｂの太さが小さ
い。従って、より多数のパッドが半導体素子に設けられ
た場合でも、プローブ針５１ｂをプローブカード基板に
取り付けることができる効果が得られる。

【００７８】また、この実施の形態９によれば、プロー
ブ針５１ｂはいわゆる垂直針であるので、プローブ針５
１ｂが半導体素子に設けられたパッドに接触したとき、
第１の導電体５２ｂと第２の導電体５３ｂに均一に力が
加わる。このため、プローブ針５１ｂの構造的な信頼性
が高いという効果が得られる。

【００７９】また、この実施の形態９によれば、半導体
素子に設けられたパッド５に接触する側の先端部分に、
第１及び第２の導電体５２ｂ，５３ｂにより、円形の弾
力部が形成されている。このため、プローブ針５１ｂが
半導体素子に設けられたパッド５に接触したとき、弾力
部で衝撃が吸収される。従って、プローブ針５１ｂが半
導体素子に設けられたパッド５に接触したとき、プロー
ブカード基板の反りが生じないという効果が得られる。

【００８０】実施の形態１０．実施の形態９では、第１
の導電体５２ｂと第２の導電体５３ｂがそれらの先端で
接続している場合について示しているが、この実施の形
態では第１の導電体と第２の導電体がそれらの先端で接
続しておらず、第１の導電体と第２の導電体が半導体素
子の検査時に半導体素子に設けられたパッドを介して電
気的に接続する場合について示す。その他の点は、実施
の形態９と同様である。

【００８１】図２８はこの発明の実施の形態１０による
プローブ針の構成を示す側面図である。図２９は図２８
中のＯ−Ｏ線に沿ったプローブ針の断面図である。図２
８はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触
している状態を示している。図において、５１ｃはプロ
ーブ針、５２ｃは第１の導電体、５３ｃは第２の導電
体、５４ｃは第１の導電体５２ｃと第２の導電体５３ｃ
との間に位置し、第１の導電体５２ｃと第２の導電体５
３ｃとを接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられた
パッドである。

【００８２】この発明の実施の形態１０によるプローブ
針５１ｃを備えたプローブカードの構成は図１７と同様
である。この発明の実施の形態１０によるプローブ針５
１ｃとプローブカードの基板との接続部分の構成は図１
８及び図１９と同様である。実施の形態１０における動
作は、実施の形態２と同様である。

【００８３】以上のように、この実施の形態１０によれ
ば、第１の導電体５２ｃと第２の導電体５３ｃが半導体
素子の検査時に半導体素子に設けられたパッド５を介し
て電気的に接続する。このため、半導体素子をウェハ状
態で高精度に検査する場合には電圧値や電流値がパッド
５上まで補償され、半導体素子のＩ／Ｏの検査をウェハ
状態で行う場合にはドライバ専用ライン及びコンパレー
タ専用ラインがパッド５上まで確保される。従って、半
導体素子の検査をウェハ状態でより高精度に行うことが
できる効果が得られる。また、この実施の形態１０によ
れば、実施の形態９と同様の効果が得られる。

【００８４】実施の形態１１．図３０はこの発明の実施
の形態１１によるプローブ針を示す側面図である。図３
１は図３０中のＰ−Ｐ線に沿ったプローブ針の断面図で
ある。図３０はプローブ針が半導体素子に設けられたパ
ッドに接触している状態を示している。図において、６
１はプローブ針、６２は第１の導電体、６３は第２の導
電体、６４は第１の導電体６２と第２の導電体６３との
間に位置し、第１の導電体６２と第２の導電体６３とを
接続する絶縁体、６５は第１の導電体６２と第２の導電
体６３とを接続する第３の導電体、５は半導体素子に設
けられたパッドである。

【００８５】この発明の実施の形態１１によるプローブ
針６１はいわゆる垂直針である。また、この実施の形態
では、第１及び第２の導電体６２，６３は針状であり、
各導電体の長手方向に垂直な断面は円形である。すなわ
ち、この実施の形態では、第１及び第２の導電体６２，
６３は従来の垂直針と同じ太さである。また、この発明
の実施の形態７によるプローブ針６１では、半導体素子
に設けられたパッドに接触する側の先端部分に、第１及
び第２の導電体６２，６３により、先端側で広がるＹ形
の弾力部が形成されている。また、この実施の形態で
は、第１の導電体６２と第２の導電体６３はそれらの先
端付近（すなわち、半導体素子に設けられたパッドに接
触する側の先端付近）に設けられた第３の導電体６５を
介して接続している。

【００８６】この発明の実施の形態１１によるプローブ
針６１を備えたプローブカードの構成は図１７と同様で
ある。この発明の実施の形態１１によるプローブ針６１
とプローブカードの基板との接続部分の構成は図１８及
び図１９と同様である。実施の形態１１における動作
は、実施の形態１と同様である。

【００８７】以上のように、この実施の形態１１によれ
ば、プローブ針６１は、半導体素子に設けられたパッド
５に接触する側の先端側で広がっているため、プローブ
針６１が半導体素子に設けられたパッド５に接触したと
き、２箇所の位置でプローブ針６１がパッドに接触す
る。このため、プローブ針６１が半導体素子に設けられ
たパッド５に接触したときの接触抵抗を小さくすること
ができる効果が得られる。また、この実施の形態１１に
よれば、実施の形態７と同様の効果が得られる。

【００８８】実施の形態１２．実施の形態１１では、第
１の導電体６２と第２の導電体６３がそれらの先端付近
に設けられた第３の導電体６５を介して接続している場
合について示しているが、この実施の形態では第１の導
電体と第２の導電体とを接続する第３の導電体を設けて
おらず、第１の導電体と第２の導電体が半導体素子の検
査時に半導体素子に設けられたパッドを介して電気的に
接続する場合について示す。その他の点は、実施の形態
１１と同様である。

【００８９】図３２はこの発明の実施の形態１２による
プローブ針の構成を示す側面図である。図３３は図３２
中のＱ−Ｑ線に沿ったプローブ針の断面図である。図３
２はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触
している状態を示している。図において、６１ａはプロ
ーブ針、６２ａは第１の導電体、６３ａは第２の導電
体、６４ａは第１の導電体６２ａと第２の導電体６３ａ
との間に位置し、第１の導電体６２ａと第２の導電体６
３ａとを接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられた
パッドである。

【００９０】この発明の実施の形態１２によるプローブ
針６１ａを備えたプローブカードの構成は図１７と同様
である。この発明の実施の形態１２によるプローブ針６
１ａとプローブカードの基板との接続部分の構成は図１
８及び図１９と同様である。実施の形態１２における動
作は、実施の形態２と同様である。

【００９１】以上のように、この実施の形態１１によれ
ば、プローブ針６１ａは、半導体素子に設けられたパッ
ド５に接触する側の先端側で広がっているため、プロー
ブ針６１ａが半導体素子に設けられたパッド５に接触し
たとき、２箇所の位置でプローブ針６１ａがパッド５に
接触する。このため、プローブ針６１ａが半導体素子に
設けられたパッド５に接触したときの接触抵抗を小さく
することができる効果が得られる。また、この実施の形
態１２によれば、実施の形態８と同様の効果が得られ
る。

【００９２】実施の形態１３．実施の形態１１では、第
１及び第２の導電体５２，５３の長手方向に垂直な断面
が円形である場合について示しているが、この実施の形
態では第１及び第２の導電体の長手方向に垂直な断面が
半円形である場合について示す。すなわち、この実施の
形態では第１及び第２の導電体が実施の形態１１の第１
及び第２の導電体を２等分することにより得られる形状
をしている場合について示す。その他の点は、実施の形
態１１と同様である。

【００９３】図３４はこの発明の実施の形態１３による
プローブ針の構成を示す側面図である。図３５は図３４
中のＲ−Ｒ線に沿ったプローブ針の断面図である。図３
４はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触
している状態を示している。図において、６１ｂはプロ
ーブ針、６２ｂは第１の導電体、６３ｂは第２の導電
体、６４ｂは第１の導電体６２ｂと第２の導電体６３ｂ
との間に位置し、第１の導電体６２ｂと第２の導電体６
３ｂとを接続する絶縁体、６５ｂは第１の導電体６２ｂ
と第２の導電体６３ｂとを接続する第３の導電体、５は
半導体素子に設けられたパッドである。

【００９４】この発明の実施の形態１３によるプローブ
針６１ｂを備えたプローブカードの構成は図１７と同様
である。この発明の実施の形態１３によるプローブ針６
１ｂとプローブカードの基板との接続部分の構成は図１
８及び図１９と同様である。実施の形態１３における動
作は、実施の形態１と同様である。

【００９５】以上のように、この実施の形態１３によれ
ば、実施の形態９と同様の効果が得られる。

【００９６】実施の形態１４．実施の形態１３では、第
１の導電体６２ｂと第２の導電体６３ｂがそれらの先端
付近に設けられた第３の導電体６５ｂを介して接続して
いる場合について示しているが、この実施の形態では第
１の導電体と第２の導電体とを接続する第３の導電体を
設けておらず、第１の導電体と第２の導電体が半導体素
子の検査時に半導体素子に設けられたパッドを介して電
気的に接続する場合について示す。その他の点は、実施
の形態１３と同様である。

【００９７】図３６はこの発明の実施の形態１４による
プローブ針の構成を示す側面図である。図３７は図３６
中のＳ−Ｓ線に沿ったプローブ針の断面図である。図３
６はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触
している状態を示している。図において、６１ｃはプロ
ーブ針、６２ｃは第１の導電体、６３ｃは第２の導電
体、６４ｃは第１の導電体６２ｃと第２の導電体６３ｃ
との間に位置し、第１の導電体６２ｃと第２の導電体６
３ｃとを接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられた
パッドである。

【００９８】この発明の実施の形態１４によるプローブ
針６１ｃを備えたプローブカードの構成は図１７と同様
である。この発明の実施の形態１４によるプローブ針６
１ｃとプローブカードの基板との接続部分の構成は図１
８及び図１９と同様である。実施の形態１４における動
作は、実施の形態２と同様である。

【００９９】以上のように、この実施の形態１４によれ
ば、実施の形態１０と同様の効果が得られる。

【０１００】実施の形態１５．図３８はこの発明の実施
の形態１５によるプローブ針を示す側面図である。図３
９は図３８中のＴ−Ｔ線に沿ったプローブ針の断面図で
ある。図３８はプローブ針が半導体素子に設けられたパ
ッドに接触している状態を示している。図において、７
１はプローブ針、７２は第１の導電体、７３は第２の導
電体、７４は第１の導電体７２と第２の導電体７３との
間に位置し、第１の導電体７２と第２の導電体７３とを
接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられたパッドで
ある。

【０１０１】この発明の実施の形態１５によるプローブ
針７１はいわゆる垂直針である。また、この実施の形態
では、第１及び第２の導電体７２，７３は針状であり、
各導電体の長手方向に垂直な断面は円形である。また、
この実施の形態では、第２の導電体７３は第２の導電体
７２より細い。すなわち、この実施の形態では、第１の
導電体７２は従来の垂直針と同じ太さであり、第２の導
電体７３は従来の垂直針より細い。従って、この発明の
実施の形態１５によるプローブ針７１は従来の垂直針と
略同じ太さである。また、この発明の実施の形態１５に
よるプローブ針７１では、半導体素子に設けられたパッ
ド５に接触する側の先端部分に、第１及び第２の導電体
７２，７３により、くの字形の弾力部が形成されてい
る。また、この実施の形態では、第１の導電体７２と第
２の導電体７３はそれらの先端（すなわち、半導体素子
に設けられたパッド５に接触する側の先端）で接続して
いる。

【０１０２】この発明の実施の形態１５によるプローブ
針７１を備えたプローブカードの構成は図１７と同様で
ある。この発明の実施の形態１５によるプローブ針７１
とプローブカードの基板との接続部分の構成は図１８及
び図１９と同様である。実施の形態１５における動作
は、実施の形態１と同様である。

【０１０３】以上のように、この実施の形態１５によれ
ば、プローブ針７１は第１の導電体７２と第２の導電体
７３とを備えているので、１本のプローブ針で従来のプ
ローブ針の２本分の機能を実現できる。このため、半導
体素子をウェハ状態で高精度に検査する場合や半導体素
子のＩ／Ｏの検査をウェハ状態でコンパレータのデッド
バンドが生じることなく行う場合には、半導体素子に設
けられた各パッド５に対して１本のプローブ針を接触さ
せればよい。従って、多数のパッドが半導体素子に設け
られた場合でも、プローブ針７１をプローブカード基板
に取り付けることができ、半導体素子をウェハ状態で高
精度に検査することや半導体素子のＩ／Ｏの検査をコン
パレータのデッドバンドが生じることなくウェハ状態で
行うことが可能となる効果が得られる。

【０１０４】また、この実施の形態１５によれば、１本
のプローブ針で従来のプローブ針の２本分の機能を実現
できるため、プローブカード基板に取り付けるプローブ
針７１の本数及びプローブ針７１の配置エリアを少なく
することができ、コストを下げることができる効果が得
られる。

【０１０５】また、この実施の形態１５によれば、第２
の導電体７３は第１の導電体７２より細く、プローブ針
１は従来のプローブ針と略同じ太さである。このため、
従来のプローブ針を２本束ねる場合に比べて、プローブ
針７１の太さが小さい。従って、より多数のパッドが半
導体素子に設けられた場合でも、プローブ針７１をプロ
ーブカード基板に取り付けることができる効果が得られ
る。

【０１０６】また、この実施の形態１５によれば、半導
体素子に設けられたパッド５に接触する側の先端部分
に、第１及び第２の導電体７２，７３により、くの字形
の弾力部が形成されている。このため、プローブ針７１
が半導体素子に設けられたパッド５に接触したとき、弾
力部で衝撃が吸収される。従って、プローブ針７１が半
導体素子に設けられたパッド５に接触したとき、プロー
ブカード基板の反りが生じないという効果が得られる。

【０１０７】また、この実施の形態１５によれば、第１
の導電体７２の長手方向に垂直な断面は円形であり、第
１の導電体７２は従来のプローブ針と同じ太さである。
このため、半導体素子をウェハ状態で高精度に検査する
ために、第１の導電体７２をフォース用として用いた場
合、フォース用の導電体の電流容量を従来同様に確保で
きる効果が得られる。

【０１０８】実施の形態１６．実施の形態１５では第１
の導電体７２と第２の導電体７３がそれらの先端で接続
している場合について示しているが、この実施の形態で
は第１の導電体と第２の導電体がそれらの先端で接続し
ておらず、第１の導電体と第２の導電体が半導体素子の
検査時に半導体素子に設けられたパッドを介して電気的
に接続する場合について示す。その他の点は、実施の形
態１５と同様である。

【０１０９】図４０はこの発明の実施の形態１６による
プローブ針の構成を示す側面図である。図４１は図４０
中のＵ−Ｕ線に沿ったプローブ針の断面図である。図４
０はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触
している状態を示している。図において、７１ａはプロ
ーブ針、７２ａは第１の導電体、７３ａは第２の導電
体、７４ａは第１の導電体５２ａと第２の導電体７３ａ
との間に位置し、第１の導電体７２ａと第２の導電体７
３ａとを接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられた
パッドである。

【０１１０】この発明の実施の形態１６によるプローブ
針７１ａを備えたプローブカードの構成は図１７と同様
である。この発明の実施の形態１６によるプローブ針７
１ａとプローブカードの基板との接続部分の構成は図１
８及び図１９と同様である。実施の形態１６における動
作は、実施の形態２と同様である。

【０１１１】以上のように、この実施の形態１６によれ
ば、第１の導電体７２ａと第２の導電体７３ａが半導体
素子の検査時に半導体素子に設けられたパッド５を介し
て電気的に接続する。このため、半導体素子をウェハ状
態で高精度に検査する場合には電圧値や電流値がパッド
５上まで補償され、半導体素子のＩ／Ｏの検査をウェハ
状態で行う場合にはドライバ専用ライン及びコンパレー
タ専用ラインがパッド５上まで確保される。従って、半
導体素子の検査をウェハ状態でより高精度に行うことが
できる効果が得られる。また、この実施の形態１６によ
れば、実施の形態１５と同様の効果が得られる。

【０１１２】実施の形態１７．図４２はこの発明の実施
の形態１７によるプローブ針の構成を示す断面図であ
る。図４３は図４２中のＶ−Ｖ線に沿ったプローブ針の
断面図である。図４２はプローブ針が半導体素子に設け
られたパッドに接触している状態を示している。図にお
いて、８１はプローブ針、８２は第１の導電体、８３は
第２の導電体、８４は第１の導電体８２と第２の導電体
８３との間に位置し、第１の導電体８２と第２の導電体
８３とを接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられた
パッドである。

【０１１３】この発明の実施の形態１７によるプローブ
針８１はいわゆるかたもち針である。また、この実施の
形態では、第１の導電体８２は針状であってその長手方
向に垂直な断面は円形である。また、第２の導電体８３
は第１の導電体８２を被覆する筒状である。すなわち、
この実施の形態では、従来のかたもち針と同じ太さの第
１の導電体８２を絶縁体８４が被覆し、さらにその外側
を第２の導電体８３が被覆する。従って、この発明の実
施の形態１７によるプローブ針８１は従来のかたもち針
と略同じ太さである。また、この実施の形態では、第１
の導電体８２と第２の導電体８３はそれらの先端（すな
わち、半導体素子に設けられたパッドに接触する側の先
端）で接続している。

【０１１４】この発明の実施の形態１７によるプローブ
針８１を備えたプローブカードの構成は図４と同様であ
る。図４４はこの発明の実施の形態１７によるプローブ
針とプローブカードの基板との接続部分の構成を示す断
面図である。図４４は図５に相当する図である。図４４
中の構成要素は図５及び図４２に同一符号を付して示し
たものと同一である。実施の形態１７における動作は、
実施の形態１と同様である。

【０１１５】以上のように、この実施の形態１７によれ
ば、プローブ針８１は第１の導電体８２と第２の導電体
８３とを備えているので、１本のプローブ針８１で従来
のプローブ針の２本分の機能を実現できる。このため、
半導体素子をウェハ状態で高精度に検査する場合や半導
体素子のＩ／Ｏの検査をコンパレータのデッドバンドが
生じることなくウェハ状態で行う場合には、半導体素子
に設けられた各パッド５に対して１本のプローブ針８１
を接触させればよい。従って、多数のパッドが半導体素
子に設けられた場合でも、プローブ針８１をプローブカ
ード基板に取り付けることができ、半導体素子をウェハ
状態で高精度に検査することや半導体素子のＩ／Ｏの検
査をコンパレータのデッドバンドが生じることなくウェ
ハ状態で行うことが可能となる効果が得られる。

【０１１６】また、この実施の形態１７によれば、１本
のプローブ針８１で従来のプローブ針の２本分の機能を
実現できるため、プローブカード基板に取り付けるプロ
ーブ針８１の本数及びプローブ針８１の配置エリアを少
なくすることができ、コストを下げることができる効果
が得られる。

【０１１７】また、この実施の形態１７によれば、従来
の垂直針と同じ太さの第１の導電体８２を絶縁体８４で
被覆し、さらにその外側を第２の導電体８３で被覆する
ため、プローブ針８１は従来のプローブ針と略同じ太さ
である。このため、従来のプローブ針を２本束ねる場合
に比べて、プローブ針８１の太さが小さい。従って、よ
り多数のパッドが半導体素子に設けられた場合でも、プ
ローブ針８１をプローブカード基板に取り付けることが
できる効果が得られる。

【０１１８】また、この実施の形態１７によれば、第１
の導電体８２の長手方向に垂直な断面は円形であり、第
１の導電体８２は従来のプローブ針と同じ太さである。
このため、半導体素子をウェハ状態で高精度に検査する
ために、第１の導電体８２をフォース用として用いた場
合、フォース用の導電体の電流容量を従来同様に確保で
きる効果が得られる。

【０１１９】また、この実施の形態１７によれば、第１
の導電体８２を絶縁体８４で被覆し、さらにその外側を
第２の導電体８３で被覆する。このため、半導体素子を
ウェハ状態で高精度に検査するために、第１の導電体８
２をセンス用として用いた場合、センス用の導電体への
外来ノイズの混入を防止できる効果が得られる。

【０１２０】実施の形態１８．実施の形態１７では第１
の導電体８２と第２の導電体８３がそれらの先端で接続
している場合について示しているが、この実施の形態で
は第１の導電体と第２の導電体がそれらの先端で接続し
ておらず、第１の導電体と第２の導電体が半導体素子の
検査時に半導体素子に設けられたパッドを介して電気的
に接続する場合について示す。その他の点は、実施の形
態１７と同様である。

【０１２１】図４５はこの発明の実施の形態１８による
プローブ針の構成を示す断面図である。図４６は図４５
中のＷ−Ｗ線に沿ったプローブ針の断面図である。図４
５はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触
している状態を示している。図において、８１ａはプロ
ーブ針、８２ａは第１の導電体、８３ａは第２の導電
体、８４ａは第１の導電体８２ａと第２の導電体８３ａ
との間に位置し、第１の導電体８２ａと第２の導電体８
３ａとを接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられた
パッドである。

【０１２２】この発明の実施の形態１８によるプローブ
針８１ａを備えたプローブカードの構成は図４と同様で
ある。この発明の実施の形態１８によるプローブ針８１
ａとプローブカードの基板との接続部分の構成は図４４
と同様である。実施の形態１８における動作は、実施の
形態２と同様である。

【０１２３】以上のように、この実施の形態１８によれ
ば、第１の導電体８２ａと第２の導電体８３ａが半導体
素子の検査時に半導体素子に設けられたパッド５を介し
て電気的に接続する。このため、半導体素子をウェハ状
態で高精度に検査する場合には電圧値や電流値がパッド
５上まで補償され、半導体素子のＩ／Ｏの検査をウェハ
状態で行う場合にはドライバ専用ライン及びコンパレー
タ専用ラインがパッド５上まで確保される。従って、半
導体素子の検査をウェハ状態でより高精度に行うことが
できる効果が得られる。また、この実施の形態１８によ
れば、実施の形態１７と同様の効果が得られる。

【０１２４】実施の形態１９．図４７はこの発明の実施
の形態１９によるプローブ針の構成を示す断面図であ
る。図４８は図４７中のＸ−Ｘ線に沿ったプローブ針の
断面図である。図４７はプローブ針が半導体素子に設け
られたパッドに接触している状態を示している。図にお
いて、９１はプローブ針、９２は第１の導電体、９３は
第２の導電体、９４は第１の導電体９２と第２の導電体
９３との間に位置し、第１の導電体９２と第２の導電体
９３とを接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられた
パッドである。

【０１２５】この発明の実施の形態１９によるプローブ
針９１はいわゆる垂直針である。また、この実施の形態
では、第１の導電体９２は針状であってその長手方向に
垂直な断面は円形である。また、第２の導電体９３は第
１の導電体９２を被覆する筒状である。すなわち、この
実施の形態では、従来の垂直針と同じ太さの第１の導電
体９２を絶縁体９４が被覆し、さらにその外側を第２の
導電体９３が被覆する。従って、この発明の実施の形態
１９によるプローブ針９１は従来の垂直針と略同じ太さ
である。また、この実施の形態では、第１の導電体９２
と第２の導電体９３はそれらの先端（すなわち、半導体
素子に設けられたパッド５に接触する側の先端）で接続
している。

【０１２６】この発明の実施の形態１９によるプローブ
針９１を備えたプローブカードの構成は図１７と同様で
ある。図４９はこの発明の実施の形態１９によるプロー
ブ針９１とプローブカードの基板との接続部分の構成を
示す断面図である。図４９は図１８に相当する図であ
る。図において、９６は導電凸部、９７はバネである。
その他の構成要素は図１８及び図４７に同一符号を付し
て示したものと同一である。また、図５０はこの発明の
実施の形態１９によるプローブ針とプローブカードの基
板との接続部分の構成を示す断面図であり、図４９と異
なる構成例を示している。図５０は図１９に相当する図
である。図において、９８はコンタクタ、９９は導電
棒、１００は絶縁物である。その他の構成要素は図４９
に同一符号を付したものと同一である。実施の形態１７
における動作は、実施の形態１と同様である。

【０１２７】以上のように、この実施の形態１９によれ
ば、実施の形態１７と同様の効果が得られる。

【０１２８】実施の形態２０．実施の形態１９では第１
の導電体９２と第２の導電体９３がそれらの先端で接続
している場合について示しているが、この実施の形態で
は第１の導電体と第２の導電体がそれらの先端で接続し
ておらず、第１の導電体と第２の導電体が半導体素子の
検査時に半導体素子に設けられたパッドを介して電気的
に接続する場合について示す。その他の点は、実施の形
態１９と同様である。

【０１２９】図５１はこの発明の実施の形態２０による
プローブ針の構成を示す断面図である。図５２は図５１
中のＹ−Ｙ線に沿ったプローブ針の断面図である。図５
１はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触
している状態を示している。図において、９１ａはプロ
ーブ針、９２ａは第１の導電体、９３ａは第２の導電
体、９４ａは第１の導電体９２ａと第２の導電体９３ａ
との間に位置し、第１の導電体９２ａと第２の導電体９
３ａとを接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられた
パッドである。

【０１３０】この発明の実施の形態２０によるプローブ
針９１ａを備えたプローブカードの構成は図１７と同様
である。この発明の実施の形態２０によるプローブ針９
１ａとプローブカードの基板との接続部分の構成は図４
９及び図５０と同様である。実施の形態２０における動
作は、実施の形態２と同様である。

【０１３１】以上のように、この実施の形態２０によれ
ば、実施の形態１８と同様の効果が得られる。

【０１３２】実施の形態２１．図５３はこの発明の実施
の形態２１によるプローブ針の構成を示す断面図であ
る。図５４は図５３中のＺ−Ｚ線に沿ったプローブ針の
断面図である。図５３はプローブ針が半導体素子に設け
られたパッドに接触している状態を示している。図にお
いて、１０１はプローブ針、１０２は第１の導電体、１
０３は第２の導電体、１０４は第１の導電体１０２と第
２の導電体１０３との間に位置し、第１の導電体１０２
と第２の導電体１０３とを接続する絶縁体、５は半導体
素子に設けられたパッドである。

【０１３３】この発明の実施の形態２１によるプローブ
針１０１はいわゆる垂直針である。また、この実施の形
態では、第１の導電体１０２は針状であってその長手方
向に垂直な断面は円形である。また、第２の導電体１０
３は第１の導電体１０２を被覆する筒状である。すなわ
ち、この実施の形態では、従来の垂直針と同じ太さの第
１の導電体１０２を絶縁体１０４が被覆し、さらにその
外側を第２の導電体１０３が被覆する。従って、この発
明の実施の形態２１によるプローブ針１０１は従来の垂
直針と略同じ太さである。また、この発明の実施の形態
２１によるプローブ針１０１では、半導体素子に設けら
れたパッド５に接触する側の先端部分に、第１及び第２
の導電体１０２，１０３により、くの字形の弾力部が形
成されている。また、この実施の形態では、第１の導電
体１０２と第２の導電体１０３はそれらの先端（すなわ
ち、半導体素子に設けられたパッド５に接触する側の先
端）で接続している。

【０１３４】この発明の実施の形態２１によるプローブ
針１０１を備えたプローブカードの構成は図１７と同様
である。この発明の実施の形態２１によるプローブ針１
０１とプローブカードの基板との接続部分の構成は図４
９及び図５０と同様である。実施の形態２１における動
作は、実施の形態１と同様である。

【０１３５】以上のように、この実施の形態２１によれ
ば、半導体素子に設けられたパッド５に接触する側の先
端部分に、第１及び第２の導電体１０２，１０３によ
り、くの字形の弾力部が形成されている。このため、プ
ローブ針１０１が半導体素子に設けられたパッド５に接
触したとき、弾力部で衝撃が吸収される。従って、プロ
ーブ針１０１が半導体素子に設けられたパッド５に接触
したとき、プローブカード基板の反りが生じないという
効果が得られる。また、この実施の形態２１によれば、
実施の形態１７と同様の効果が得られる。

【０１３６】実施の形態２２．実施の形態２１では第１
の導電体１０２と第２の導電体１０３がそれらの先端で
接続している場合について示しているが、この実施の形
態では第１の導電体と第２の導電体がそれらの先端で接
続しておらず、第１の導電体と第２の導電体が半導体素
子の検査時に半導体素子に設けられたパッドを介して電
気的に接続する場合について示す。その他の点は、実施
の形態２１と同様である。

【０１３７】図５５はこの発明の実施の形態２２による
プローブ針の構成を示す断面図である。図５６は図５５
中のＡ１−Ａ１線に沿ったプローブ針の断面図である。
図５５はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに
接触している状態を示している。図において、１０１ａ
はプローブ針、１０２ａは第１の導電体、１０３ａは第
２の導電体、１０４ａは第１の導電体１０２ａと第２の
導電体１０３ａとの間に位置し、第１の導電体１０２ａ
と第２の導電体１０３ａとを接続する絶縁体、５は半導
体素子に設けられたパッドである。

【０１３８】この発明の実施の形態２２によるプローブ
針１０１ａを備えたプローブカードの構成は図１７と同
様である。この発明の実施の形態２２によるプローブ針
１０１ａとプローブカードの基板との接続部分の構成は
図４９及び図５０と同様である。実施の形態２２におけ
る動作は、実施の形態２と同様である。

【０１３９】以上のように、この実施の形態２２によれ
ば、半導体素子に設けられたパッド５に接触する側の先
端部分に、第１及び第２の導電体１０２ａ，１０３ａに
より、くの字形の弾力部が形成されている。このため、
プローブ針１０１ａが半導体素子に設けられたパッド５
に接触したとき、弾力部で衝撃が吸収される。従って、
プローブ針１０１ａが半導体素子に設けられたパッド５
に接触したとき、プローブカード基板の反りが生じない
という効果が得られる。また、この実施の形態２２によ
れば、実施の形態１８と同様の効果が得られる。

【０１４０】実施の形態２３．図５７及び図５８はこの
発明の実施の形態２３によるプローブ針の構成を示す上
面図である。図５７はプローブ針が半導体素子に設けら
れたパッドに接触していないときの状態を示し、図５８
はプローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触し
ているときの状態を示している。図５９は図５７中のＢ
１方向から見たプローブ針の側面図である。図６０はプ
ローブ針の断面図である。図６０（ａ）は図５７中のＣ
１−Ｃ１線に沿った断面図であり、図６０（ｂ）は図５
７中のＤ１−Ｄ１線に沿った断面図である。また、図６
１はプローブ針の断面図であり、図６０と異なる形状例
を示している。図６１（ａ）は図５７中のＣ１−Ｃ１線
に沿った断面図であり、図６１（ｂ）は図５７中のＤ１
−Ｄ１線に沿った断面図である。図において、１１１は
プローブ針、１１２は第１の導電体、１１３は第２の導
電体、１１４は第１の導電体１１２と第２の導電体１１
３との間に位置し、第１の導電体１１２と第２の導電体
１１３とを接続する絶縁体、５は半導体素子に設けられ
たパッドである。

【０１４１】この発明の実施の形態２３によるプローブ
針１１１はいわゆるかたもち針である。また、この実施
の形態では、第１及び第２の導電体１１２，１１３は針
状であり、各導電体の長手方向に垂直な断面は図６０
（ａ）及び（ｂ）に示すような湾曲形あるいは図６１
（ａ）及び（ｂ）に示すような略四角形であり先端側
（すなわち、半導体素子に設けられたパッド５に接触す
る側）ほど薄い。また、この発明の実施の形態２３によ
るプローブ針１１１の先端部分（すなわち、半導体素子
に設けられたパッド５に接触する側の先端部分）は、プ
ローブ針１１１が半導体素子に設けられたパッド５に接
触していないとき第１の導電体１１２と第２の導電体１
１２とが接触しており、プローブ針１１１が半導体素子
に設けられたパッド５に接触しているとき第１の導電体
１１２と第２の導電体１１３とが互いに離れるスリット
状である。

【０１４２】この発明の実施の形態２３によるプローブ
針１１１を備えたプローブカードの構成は図４と同様で
ある。この発明の実施の形態２２によるプローブ針１１
１とプローブカードの基板との接続部分の構成は図１２
と同様である。実施の形態２３における動作は、実施の
形態２と同様である。

【０１４３】以上のように、この実施の形態２３によれ
ば、プローブ針１１１は第１の導電体１１２と第２の導
電体１１３とを備えているので、１本のプローブ針１１
１で従来のプローブ針の２本分の機能を実現できる。こ
のため、半導体素子をウェハ状態で高精度に検査する場
合や半導体素子のＩ／Ｏの検査をコンパレータのデッド
バンドが生じることなくウェハ状態で行う場合には、半
導体素子に設けられた各パッド５に対して１本のプロー
ブ針を接触させればよい。従って、多数のパッドが半導
体素子に設けられた場合でも、プローブ針１１１をプロ
ーブカード基板に取り付けることができ、半導体素子を
ウェハ状態で高精度に検査することや半導体素子のＩ／
Ｏの検査をウェハ状態でコンパレータのデッドバンドが
生じることなく行うことが可能となる効果が得られる。

【０１４４】また、この実施の形態２３によれば、１本
のプローブ針１１１で従来のプローブ針の２本分の機能
を実現できるため、プローブカード基板に取り付けるプ
ローブ針１１１の本数及びプローブ針１１１の配置エリ
アを少なくすることができ、コストを下げることができ
る効果が得られる。

【０１４５】また、この実施の形態２３によれば、第１
の導電体１１２と第２の導電体１１３が左右に位置して
いるので、プローブ針１１１が半導体素子に設けられた
パッド５に接触したとき、第１の導電体１１２と第２の
導電体１１３に均一に力が加わる。このため、プローブ
針１１１の構造的な信頼性が高いという効果が得られ
る。

【０１４６】また、この実施の形態２３によれば、半導
体素子に設けられたパッド５に接触する側の先端部分は
スリット状である。このため、プローブ針１１１が半導
体素子に設けられたパッド５に接触したとき、第１の導
電体１１２と第２の導電体１１３とが互いに離れて衝撃
が吸収される。従って、プローブ針１１１が半導体素子
に設けられたパッド５に接触したとき、プローブカード
基板の反りが生じないという効果が得られる。

【０１４７】また、この実施の形態２３によれば、プロ
ーブ針１１１が半導体素子に設けられたパッド５に接触
したとき、第１の導電体１１２と第２の導電体１１３と
が互いに離れる。このため、半導体素子をウェハ状態で
高精度に検査する場合には電圧値や電流値がパッド５上
まで補償され、半導体素子のＩ／Ｏの検査をウェハ状態
で行う場合にはドライバ専用ライン及びコンパレータ専
用ラインがパッド５上まで確保される。従って、半導体
素子の検査をウェハ状態でより高精度に行うことができ
る効果が得られる。

【０１４８】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、第１
の導電体と、第２の導電体と、第１及び第２の導電体間
に位置し第１及び第２の導電体を接続する絶縁体とを備
え、第１及び第２の導電体が針状であり、各導電体の長
手方向に垂直な断面が半円形であるようにプローブ針を
構成したので、多数のパッドが半導体素子に設けられた
場合でも、プローブ針をプローブカード基板に取り付け
ることができ、半導体素子をウェハ状態で高精度に検査
することや半導体素子のＩ／Ｏの検査をコンパレータの
デッドバンドが生じることなくウェハ状態で行うことが
可能となる効果がある。また、プローブカード基板に取
り付けるプローブ針の本数及びプローブ針の配置エリア
を少なくすることができ、コストを下げることができる
効果がある。また、より多数のパッドが半導体素子に設
けられた場合でも、プローブ針をプローブカード基板に
取り付けることができる効果がある。

【０１４９】この発明によれば、半導体素子に設けられ
たパッドに対して垂直な方向を向いた状態でそのパッド
に接触し、第１の導電体と、第２の導電体と、第１及び
第２の導電体間に位置し第１及び第２の導電体を接続す
る絶縁体とを備え、パッドに接触する側の先端部分に第
１及び第２の導電体により弾力部が形成されているよう
にプローブ針を構成したので、多数のパッドが半導体素
子に設けられた場合でも、プローブ針をプローブカード
基板に取り付けることができ、半導体素子をウェハ状態
で高精度に検査することや半導体素子のＩ／Ｏの検査を
ウェハ状態でコンパレータのデッドバンドが生じること
なく行うことが可能となる効果がある。また、プローブ
カード基板に取り付けるプローブ針の本数及びプローブ
針の配置エリアを少なくすることができ、コストを下げ
ることができる効果がある。また、プローブ針が半導体
素子に設けられたパッドに接触したとき、プローブカー
ド基板の反りが生じないという効果がある。

【０１５０】この発明によれば、弾力部がＯ形であり、
第１及び第２の導電体が針状であり、各導電体の長手方
向に垂直な断面が円形であるようにプローブ針を構成し
たので、半導体素子をウェハ状態で高精度に検査するた
めに、第１及び第２の導電体のいずれをフォース用とし
て用いた場合でも、フォース用の導電体の電流容量を従
来同様に確保できる効果がある。

【０１５１】この発明によれば、弾力部がＯ形であり、
第１及び第２の導電体が針状であり、各導電体の長手方
向に垂直な断面が半円形であるようにプローブ針を構成
したので、より多数のパッドが半導体素子に設けられた
場合でも、プローブ針をプローブカード基板に取り付け
ることができる効果がある。

【０１５２】この発明によれば、弾力部が先端側で広が
るＹ形であり、第１及び第２の導電体が針状であり、各
導電体の長手方向に垂直な断面が円形であるようにプロ
ーブ針を構成したので、半導体素子をウェハ状態で高精
度に検査するために、第１及び第２の導電体のいずれを
フォース用として用いた場合でも、フォース用の導電体
の電流容量を従来同様に確保できる効果がある。

【０１５３】この発明によれば、弾力部が先端側で広が
るＹ形であり、第１及び第２の導電体が針状であり、各
導電体の長手方向に垂直な断面が半円形であるようにプ
ローブを構成したので、より多数のパッドが半導体素子
に設けられた場合でも、プローブ針をプローブカード基
板に取り付けることができる効果がある。

【０１５４】この発明によれば、弾力部がくの字形であ
り、第２の導電体が第１の導電体より細いようにプロー
ブ針を構成したので、第１の導電体をフォース用として
用いた場合、フォース用の導電体の電流容量を従来同様
に確保できる効果がある。また、より多数のパッドが半
導体素子に設けられた場合でも、プローブ針をプローブ
カード基板に取り付けることができる効果がある。

【０１５５】この発明によれば、弾力部がくの字形であ
り、第１の導電体が針状であり、第２の導電体が第１の
導電体を被覆する筒状であるようにプローブ針を構成し
たので、第１の導電体をフォース用として用いた場合、
フォース用の導電体の電流容量を従来同様に確保できる
効果がある。また、より多数のパッドが半導体素子に設
けられた場合でも、プローブ針をプローブカード基板に
取り付けることができる効果がある。

【０１５６】この発明によれば、センス用の第１の導電
体と、フォース用の第２の導電体と、第１及び第２の導
電体間に位置し第１及び第２の導電体を接続する絶縁体
とを備え、第１の導電体が針状であり、第２の導電体が
第１の導電体を被覆する筒状であるようにプローブ針を
構成したので、多数のパッドが半導体素子に設けられた
場合でも、プローブ針をプローブカード基板に取り付け
ることができ、半導体素子をウェハ状態で高精度に検査
することや半導体素子のＩ／Ｏの検査をコンパレータの
デッドバンドが生じることなくウェハ状態で行うことが
可能となる効果がある。また、プローブカード基板に取
り付けるプローブ針の本数及びプローブ針の配置エリア
を少なくすることができ、コストを下げることができる
効果がある。また、より多数のパッドが半導体素子に設
けられた場合でも、プローブ針をプローブカード基板に
取り付けることができる効果がある。また、半導体素子
をウェハ状態で高精度に検査するとき、センス用の導電
体への外来ノイズの混入を防止できる効果がある。

【０１５７】この発明によれば、第１及び第２の導電体
がパッドを介して電気的に接続するようにプローブ針を
構成したので、半導体素子の検査をウェハ状態でより高
精度に行うことができる効果がある。

【０１５８】この発明によれば、半導体素子に設けられ
たパッドに対して斜め方向を向いた状態でそのパッドに
接触し、第１の導電体と、第２の導電体と、第１及び第
２の導電体間に位置し第１及び第２の導電体を接続する
絶縁体とを備え、パッドに接触する側の先端部分が、半
導体素子の検査時に第１及び第２の導電体が互いに離れ
るスリット状であるようにプローブ針を構成したので、
多数のパッドが半導体素子に設けられた場合でも、プロ
ーブ針をプローブカード基板に取り付けることができ、
半導体素子をウェハ状態で高精度に検査することや半導
体素子のＩ／Ｏの検査をコンパレータのデッドバンドが
生じることなくウェハ状態で行うことが可能となる効果
がある。また、プローブカード基板に取り付けるプロー
ブ針の本数及びプローブ針の配置エリアを少なくするこ
とができ、コストを下げることができる効果がある。ま
た、プローブ針が半導体素子に設けられたパッドに接触
したとき、プローブカード基板の反りが生じないという
効果がある。また、半導体素子の検査をウェハ状態でよ
り高精度に行うことができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１によるプローブ針の
構成を示す側面図である。

【図２】 図１中のＡ方向から見たプローブ針の上面図
である。

【図３】 図１中のＢ−Ｂ線に沿ったプローブ針の断面
図である。

【図４】 この発明の実施の形態１によるプローブ針を
備えたプローブカードの構成を示す断面図である。

【図５】 この発明の実施の形態１によるプローブ針と
プローブカードの基板との接続部分の構成を示す断面図
である。

【図６】 図５中のＤ方向から見たプローブ針とプロー
ブカードの基板との接続部分の下面図である。

【図７】 この発明の実施の形態２によるプローブ針の
構成を示す側面図である。

【図８】 図７中のＥ−Ｅ線に沿ったプローブ針の断面
図である。

【図９】 この発明の実施の形態３によるプローブ針の
構成を示す上面図である。

【図１０】 図９中のＦ方向から見たプローブ針の側面
図である。

【図１１】 図９中のＧ−Ｇ線に沿ったプローブ針の断
面図である。

【図１２】 この発明の実施の形態３によるプローブ針
とプローブカードの基板との接続部分の構成を示す下面
図である。

【図１３】 この発明の実施の形態４によるプローブ針
を示す上面図である。

【図１４】 図１３中のＨ−Ｈ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図１５】 この発明の実施の形態５によるプローブ針
を示す側面図である。

【図１６】 図１５中のＩ−Ｉ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図１７】 この発明の実施の形態５によるプローブ針
を備えたプローブカードの構成を示す断面図である。

【図１８】 この発明の実施の形態５によるプローブ針
とプローブカードの基板との接続部分の構成を示す断面
図である。

【図１９】 この発明の実施の形態５によるプローブ針
とプローブカードの基板との接続部分の構成を示す断面
図である。

【図２０】 この発明の実施の形態６によるプローブ針
の構成を示す側面図である。

【図２１】 図２０中のＫ−Ｋ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図２２】 この発明の実施の形態７によるプローブ針
を示す側面図である。

【図２３】 図２２中のＬ−Ｌ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図２４】 この発明の実施の形態８によるプローブ針
の構成を示す側面図である。

【図２５】 図２４中のＭ−Ｍ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図２６】 この発明の実施の形態９によるプローブ針
の構成を示す側面図である。

【図２７】 図２６中のＮ−Ｎ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図２８】 この発明の実施の形態１０によるプローブ
針の構成を示す側面図である。

【図２９】 図２８中のＯ−Ｏ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図３０】 この発明の実施の形態１１によるプローブ
針を示す側面図である。

【図３１】 図３０中のＰ−Ｐ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図３２】 この発明の実施の形態１２によるプローブ
針の構成を示す側面図である。

【図３３】 図３２中のＱ−Ｑ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図３４】 この発明の実施の形態１３によるプローブ
針の構成を示す側面図である。

【図３５】 図３４中のＲ−Ｒ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図３６】 この発明の実施の形態１４によるプローブ
針の構成を示す側面図である。

【図３７】 図３６中のＳ−Ｓ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図３８】 この発明の実施の形態１５によるプローブ
針を示す側面図である。

【図３９】 図３８中のＴ−Ｔ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図４０】 この発明の実施の形態１６によるプローブ
針の構成を示す側面図である。

【図４１】 図４０中のＵ−Ｕ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図４２】 この発明の実施の形態１７によるプローブ
針の構成を示す断面図である。

【図４３】 図４２中のＶ−Ｖ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図４４】 この発明の実施の形態１７によるプローブ
針とプローブカードの基板との接続部分の構成を示す断
面図である。

【図４５】 この発明の実施の形態１８によるプローブ
針の構成を示す断面図である。

【図４６】 図４５中のＷ−Ｗ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図４７】 この発明の実施の形態１９によるプローブ
針の構成を示す断面図である。

【図４８】 図４７中のＸ−Ｘ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図４９】 この発明の実施の形態１９によるプローブ
針とプローブカードの基板との接続部分の構成を示す断
面図である。

【図５０】 この発明の実施の形態１９によるプローブ
針とプローブカードの基板との接続部分の構成を示す断
面図である。

【図５１】 この発明の実施の形態２０によるプローブ
針の構成を示す断面図である。

【図５２】 図５１中のＹ−Ｙ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図５３】 この発明の実施の形態２１によるプローブ
針の構成を示す断面図である。

【図５４】 図５３中のＺ−Ｚ線に沿ったプローブ針の
断面図である。

【図５５】 この発明の実施の形態２２によるプローブ
針の構成を示す断面図である。

【図５６】 図５５中のＡ１−Ａ１線に沿ったプローブ
針の断面図である。

【図５７】 プローブ針が半導体素子に設けられたパッ
ドに接触していないときの状態を示す、この発明の実施
の形態２３によるプローブ針の構成を示す上面図であ
る。

【図５８】 プローブ針が半導体素子に設けられたパッ
ドに接触しているときの状態を示す、この発明の実施の
形態２３によるプローブ針の構成を示す上面図である。

【図５９】 図５７中のＢ１方向から見たプローブ針の
側面図である。

【図６０】 （ａ）は図５７中のＣ１−Ｃ１線に沿った
プローブ針の断面図であり、（ｂ）は図５７中のＤ１−
Ｄ１線に沿ったプローブ針の断面図である。

【図６１】 （ａ）は図５７中のＣ１−Ｃ１線に沿った
プローブ針の断面図であり、（ｂ）は図５７中のＤ１−
Ｄ１線に沿ったプローブ針の断面図である。

【図６２】 特開平５−１４４８９５号公報に示された
プローブ針の構成図である。

【図６３】 実開平１−１７４９３２号公報に示された
プローブ針の構成図である。

【図６４】 実開昭６１−１０４３８０号公報に示され
たプローブ針の構成図である。

【図６５】 特開平２−１２４４６９号公報に示された
プローブ針の構成図であり、（ａ）はプローブ針の側面
図、（ｂ）は図６５（ａ）中のＥ１−Ｅ１線に沿った断
面図である。

【符号の説明】

１，１ａ，１ｂ，１ｃ，２１，２１ａ，５１，５１ａ，
５１ｂ，５１ｃ，６１，６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，７
１，７１ａ，８１，８１ａ，９１，９１ａ，１０１，１
０１ａ，１１１ プローブ針、２，２ａ，２ｂ，２ｃ，
２２，２２ａ，５２，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，６２，
６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，７２，７２ａ，８２，８２
ａ，９２，９２ａ，１０２，１０２ａ，１１２ 第１の
導電体、３，３ａ，３ｂ，３ｃ，２３，２３ａ，５３，
５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，６３，６３ａ，６３ｂ，６３
ｃ，７３，７３ａ，８３，８３ａ，９３，９３ａ，１０
３，１０３ａ，１１３ 第２の導電体、４，４ａ，４
ｂ，４ｃ，２４，２４ａ，５４，５４ａ，５４ｂ，５４
ｃ，６４，６４ａ，６４ｂ，６４ｃ，７４，７４ａ，８
４，８４ａ，９４，９４ａ，１０４，１０４ａ，１１４
絶縁体、５ パッド。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体素子をウェハ状態で検査する際に
   用いるプローブ針であって、該半導体素子の検査時に該
   半導体素子に設けられたパッドに接触するプローブ針に
   おいて、 第１の導電体と、第２の導電体と、該第１及び第２の導
   電体間に位置し該第１及び第２の導電体を接続する絶縁
   体とを備え、 上記第１及び第２の導電体は針状であり、各導電体の長
   手方向に垂直な断面は半円形であることを特徴とするプ
   ローブ針。
2. 【請求項２】 第１及び第２の導電体はパッドを介して
   電気的に接続することを特徴とする請求項１記載のプロ
   ーブ針。
3. 【請求項３】 半導体素子をウェハ状態で検査する際に
   用いるプローブ針であって、該半導体素子の検査時に該
   半導体素子に設けられたパッドに対して垂直な方向を向
   いた状態で該パッドに接触するプローブ針において、 第１の導電体と、第２の導電体と、該第１及び第２の導
   電体間に位置し該第１及び第２の導電体を接続する絶縁
   体とを備え、 上記パッドに接触する側の先端部分に上記第１及び第２
   の導電体により弾力部が形成されていることを特徴とす
   るプローブ針。
4. 【請求項４】 弾力部はＯ形であり、第１及び第２の導
   電体は針状であり、各導電体の長手方向に垂直な断面は
   円形であることを特徴とする請求項３記載のプローブ
   針。
5. 【請求項５】 弾力部はＯ形であり、第１及び第２の導
   電体は針状であり、各導電体の長手方向に垂直な断面は
   半円形であることを特徴とする請求項３記載のプローブ
   針。
6. 【請求項６】 弾力部は先端側で広がるＹ形であり、第
   １及び第２の導電体は針状であり、各導電体の長手方向
   に垂直な断面は円形であることを特徴とする請求項３記
   載のプローブ針。
7. 【請求項７】 弾力部は先端側で広がるＹ形であり、第
   １及び第２の導電体は針状であり、各導電体の長手方向
   に垂直な断面は半円形であることを特徴とする請求項３
   記載のプローブ針。
8. 【請求項８】 弾力部はくの字形であり、第２の導電体
   は第１の導電体より細いことを特徴とする請求項３記載
   のプローブ針。
9. 【請求項９】 弾力部はくの字形であり、第１の導電体
   は針状であり、第２の導電体は該第１の導電体を被覆す
   る筒状であることを特徴とする請求項３記載のプローブ
   針。
10. 【請求項１０】 第１及び第２の導電体はパッドを介し
    て電気的に接続することを特徴とする請求項３記載のプ
    ローブ針。
11. 【請求項１１】 半導体素子をウェハ状態で検査する際
    に用いるプローブ針であって、該半導体素子の検査時に
    該半導体素子に設けられたパッドに接触するプローブ針
    において、 センス用の第１の導電体と、フォース用の第２の導電体
    と、該第１及び第２の導電体間に位置し該第１及び第２
    の導電体を接続する絶縁体とを備え、 上記第１の導電体は針状であり、上記第２の導電体は上
    記第１の導電体を被覆する筒状であることを特徴とする
    プローブ針。
12. 【請求項１２】 第１及び第２の導電体はパッドを介し
    て電気的に接続することを特徴とする請求項１１記載の
    プローブ針。
13. 【請求項１３】 半導体素子をウェハ状態で検査する際
    に用いるプローブ針であって、該半導体素子の検査時に
    該半導体素子に設けられたパッドに対して斜め方向を向
    いた状態で該パッドに接触するプローブ針において、 第１の導電体と、第２の導電体と、該第１及び第２の導
    電体間に位置し該第１及び第２の導電体を接続する絶縁
    体とを備え、 上記パッドに接触する側の先端部分は、上記半導体素子
    の検査時に上記第１及び第２の導電体が互いに離れるス
    リット状であることを特徴とするプローブ針。