JP2000208568A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 所望の位置を容易に見つけることができる半
導体装置を得る。 【解決手段】 半導体基板１２と、半導体基板１２上に
同じ繰り返しで配列された複数の画素２とを備え、画素
２のうち、所定規則で選択された画素２には、目印用パ
ターン４が設けらており、他の画素２には目印用パター
ン４が設けられていない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えばエリアイ
メージセンサ（固体撮像素子）や大規模なＴＥＧ（Test
Element Group）等の半導体装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図１７は従来の半導体装置（エリアイメ
ージセンサ）を概念的に示し、エリアイメージセンサが
有する画素領域１ａと、その一部を拡大したものを示し
ている。画素領域１ａはマトリクス状に配置された多数
の画素パターン２ａで構成される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年のプロ
セスルールの微細化に伴って、半導体装置の画素パター
ン２ａの数は数十万〜数百万と非常に多くなってきてお
り、一辺に数千個の画素パターン２ａが並ぶ。また、画
素パターン２ａの位置がそのまま画像に反映されるた
め、いくつかのメモリ領域に分割されるメモリデバイス
と異なり、全ての画素パターン２ａを画素領域１ａ内に
等間隔に配置しなければならない。したがって、画素領
域１ａの電気特性評価や画像評価等によって、例えば点
キズや線キズなどによる不良が画素領域１ａの中央付近
にあることが分かり、不良原因を解析する場合、不良個
所５ａの位置を見つけることが非常に困難になってきて
いるという問題点がある。

【０００４】また、大規模なＴＥＧについても、同じ問
題点がある。つまり、図１８のように、ＴＥＧ内のある
領域１ｂ内は均一な配線パターン２ｂが形成されている
ため、電気特性評価で不良のあることが分かり、さらに
故障箇所特定技術により領域１ｂ内に不良のあることが
分かったとしても、不良原因を解析する場合、不良個所
５ｂの位置を見つけるとが非常に困難である。

【０００５】本発明は、これらの問題点を解決するため
になされたものであり、所望の位置を容易に見つけるこ
とができる半導体装置を得ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
課題解決手段は、半導体基板と、前記半導体基板上に同
じ繰り返しで配列された複数のパターンとを備え、前記
複数のパターンのうち、所定規則で選択された前記パタ
ーンには、目印用パターンが設けらており、他の前記パ
ターンには前記目印用パターンが設けられていない。

【０００７】本発明の請求項２に係る課題解決手段は、
半導体基板と、前記半導体基板上に同じ繰り返しで配列
された複数のパターンとを備え、前記複数のパターンの
それぞれには同じ機能の部材が含まれ、前記複数のパタ
ーンのうち、所定規則で選択された前記パターン内の前
記部材は、他の前記パターン内の前記部材と形状が異な
る。

【０００８】本発明の請求項３に係る課題解決手段は、
半導体基板と、前記半導体基板上に同じ繰り返しで配列
された複数のパターンとを備え、前記複数のパターンが
設けられた領域内には、マトリクス状の目印線が設けら
れている。

【０００９】本発明の請求項４に係る課題解決手段にお
いて、前記複数のパターンは、光を電気信号に変換する
ための素子である。

【００１０】本発明の請求項５に係る課題解決手段にお
いて、前記複数のパターンは、光を電気信号に変換する
ための素子であり、前記目印用パターンは、前記所定規
則で選択された前記パターンを囲む。

【００１１】本発明の請求項６に係る課題解決手段にお
いて、前記複数のパターンは配線であり、半導体装置は
前記配線の評価専用である。

【００１２】本発明の請求項７に係る課題解決手段は、
半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１及び
第２パッドと、一端が前記第１パッドに接続され、他端
が前記第２パッドに接続された配線とを備え、前記配線
は、その途中で所定規則で曲折しており、半導体装置は
前記配線の評価専用である。

【００１３】

【発明の実施の形態】実施の形態１．図１は実施の形態
１の半導体装置の概念図であって、半導体装置の一部を
拡大している様子を示している。図１の半導体装置は例
えばＣＣＤ等のエリアイメージセンサである。

【００１４】エリアイメージセンサには、光を感ずる画
素領域１が半導体基板１２上に設けられている。半導体
基板１２内には、同じ繰り返しでマトリクス状に多数の
画素パターン２が配列されている。画素パターン２の数
は数十万〜数百万と非常に多く、一辺に数千個の画素パ
ターン２が並ぶ。また、画素パターン２の位置がそのま
ま画像に反映されるため、各画素パターン２は画素領域
１内に等間隔に配置されている。

【００１５】目印用パターン４は、所定規則で選択され
た画素パターン２に設けられている。例えば、図１のよ
うに、画素パターン２の１０個毎に目印用パターン４を
設ける。

【００１６】または、図２のような規則で目印用パター
ン４を設けてもよい。すなわち、２つの目印用パターン
４を１組にして、２つの目印用パターン４の間隔を１つ
の画素パターン２、２つの画素パターン２、３つの画素
パターン２、……というように、１画素ずつ離していく
ように配置する。なお、この複数のパターンを１組にす
るという規則は、後述の他の実施の形態に応用してもよ
い。

【００１７】図１の半導体装置の画素領域１の一部を例
えば方向Ｘで切断した断面を図３に示す。半導体基板１
２の表面は、素子分離領域８でマトリクス状に区画され
ている。素子分離領域８で区画された領域内には、ゲー
ト電極９、不純物拡散領域（ソースドレイン）１０及び
フォトダイオード１１が含まれる。画素パターン２は主
にゲート電極９、不純物拡散領域１０、フォトダイオー
ド１１、この図では示されていない配線及び遮光膜６で
構成されている。

【００１８】層間膜７は素子分離領域８、ゲート電極
９、不純物拡散領域１０及びフォトダイオード１１を覆
う。遮光膜６は層間膜７を覆う。但し、フォトダイオー
ド１１上方には開口部１８が設けられている。

【００１９】画素パターン２の動作を簡単に説明する
と、まず、エリアイメージセンサ上方からの光は、一部
が遮光膜６に遮られるが、開口部１８及び層間膜７を通
ってフォトダイオード１１に照射される。フォトダイオ
ード１１に光が照射されると電子が蓄積される。つま
り、フォトダイオード１１が光を電気信号に変換するた
めの素子である。ゲート電極９に電圧が印加されると、
フォトダイオード１１に蓄積された電子は不純物拡散領
域１０に移り、電気信号として外部に出力される。

【００２０】目印用パターン４の形成については、例え
ば、半導体基板１２のうち画素領域１以外のパターン４
０（図１、例えば配線パターン）を形成するレイヤに目
印用パターン４を設ける。１つのレイヤにパターン４０
及び目印用パターン４を設けることができるので、例え
ば、レイヤを形成する際に用いるレチクルを追加しなく
て済む。あるいは新たにポリシリコン等のレイヤを追加
して目印用パターン４を形成してもよい。

【００２１】なお、目印用パターン４は、フォトダイオ
ード１１への光の照射に影響のないように、フォトダイ
オード１１の外周部で、画素パターン２内の空いたスペ
ースに設ける。特に図では、フォトダイオード１１を囲
むように目印用パターン４を設けた場合を例示してい
る。

【００２２】次に実施の形態１の効果について説明す
る。エリアイメージセンサの電気特性評価や画像評価等
によって、例えば点キズや線キズなどによる不良が画素
領域１の中央付近にあることが分かり、不良原因を解析
する場合について考える。不良原因を解析するには、ま
ず、遮光膜６を除去した後で、光学顕微鏡や電子顕微鏡
で不良箇所を探す。図１に不良個所５を示す。図１又は
図２に示すような規則で選択された画素パターン２に目
印用パターン４が設けられ、他の画素パターン２には設
けられていないので、容易に不良個所５を見つけること
ができる。例えば、不良個所５が画素領域１の端から数
えて１５２０番目である場合、従来は１５２０個も画素
を数えなければならないが、例えば、目印用パターン４
を１００個の画素パターン２毎に１つ配置すれば、目印
用パターン４を１５個数えて、続いて画素パターン２を
２０個数えれば不良個所５を見つけることができる。ま
た、図２のように配置すれば、さらに効果が増す。

【００２３】実施の形態２．図４は実施の形態２の半導
体装置を示す一部断面図であり、図１の半導体装置の画
素領域１の一部を例えば方向Ｘで切断した断面を示して
いる。なお、実施の形態２では、図１の目印用パターン
４を省略し、その代わりに、目印用パターン（エキスト
ラパターン）４ａを設ける。

【００２４】実施の形態１では、目印用パターン４を形
成するのに、画素領域１以外のパターン４０を形成する
レイヤを利用したり、新たにレイヤを追加した。一方、
実施の形態２では、画素領域１内の例えばゲート電極９
又は配線（後述の図５の配線１３）を形成するレイヤに
目印用パターン４ａを追加する。１つのレイヤにゲート
電極９又は配線及び目印用パターン４を設けることがで
きるので、例えば、レイヤを形成する際に用いるレチク
ルを追加しなくて済む。

【００２５】なお、目印用パターン４ａは、実施の形態
１同様、フォトダイオード１１への光の照射に影響のな
いように、画素パターン２内の空いたスペースに設け
る。

【００２６】また、目印用パターン４ａは、図１又は図
２を用いて説明した規則で選択された画素パターン２に
設けられている。これによって、実施の形態１の効果同
様、容易に不良個所を見つけることができる。

【００２７】実施の形態３．図５は実施の形態３の半導
体装置を示す一部断面図であり、図１の半導体装置の画
素領域１の一部を例えば方向Ｙで切断した断面を示して
いる。なお、実施の形態３では、図１の目印用パターン
４を省略し、その代わりに、配線の形状を変更する。

【００２８】画素パターン２は、図３の画素パターン２
はゲート電極９、不純物拡散領域１０及びフォトダイオ
ード１１の他に、さらに配線１３（あるいはゲート電極
のコンタクト部分）、コンタクトホール１６及び配線１
５又は４ｂを含む。配線１３は素子分離領域８上に形成
され、コンタクトホール１６は配線１３上に形成され、
配線１５，４ｂはコンタクトホール１６上に形成され、
図示しない外部回路と画素パターン２とを繋ぐ配線、あ
るいは画素パターン２内を繋ぐ配線である。

【００２９】このように、配線１５と配線４ｂとは同じ
機能を有する。配線４ｂは図１又は図２を用いて説明し
た規則で選択された画素パターン２に含まれる配線１５
の形状を変更したものである。

【００３０】図５では、配線４ｂの寸法を配線１５と比
較して大きくしている。あるいは配線４ｂに代えて、図
６のように配線１５と比較して小さい寸法の配線４ｃに
してもよい。

【００３１】以上の配線４ｂ，４ｃによって、実施の形
態１の効果同様、容易に不良個所を見つけることができ
る。

【００３２】実施の形態４．図７は実施の形態４の半導
体装置を示す一部断面図であり、図１の半導体装置の画
素領域１の一部を例えば方向Ｙで切断した断面を示して
いる。なお、実施の形態４では、図１の目印用パターン
４を省略し、その代わりに、画素パターン２の内にある
コンタクトホールの形状を変更する。

【００３３】実施の形態３では、配線１３、コンタクト
ホール１６、配線１５のうち、配線１５の形状を変更し
て配線４ｂ，４ｃにした。一方、実施の形態４では、配
線１３、コンタクトホール１６、配線１５のうち、コン
タクトホール１６の形状を変更してコンタクトホール４
ｄにする。形状を変更しただけであり、コンタクトホー
ル４ｄの機能は、コンタクトホール１６の機能と同じで
ある。

【００３４】図７では、コンタクトホール４ｄの寸法を
コンタクトホール１６と比較して大きくしているが、小
さくしてもよい。その他の構造については実施の形態３
と同様である。なお、多層配線の上層配線と下層配線と
の導通をとるためのヴィアホールが画素パターン２内に
あれば、コンタクトホールに代えてヴィアホールの形状
を変更してもよい。

【００３５】以上のコンタクトホール４ｄによって、実
施の形態１の効果同様、容易に不良個所を見つけること
ができる。

【００３６】実施の形態５．図８は実施の形態５の半導
体装置を示す一部断面図であり、図１の半導体装置の画
素領域１の一部を例えば方向Ｙで切断した断面を示して
いる。なお、実施の形態５では、図１の目印用パターン
４を省略し、その代わりに、フォトダイオード４ｅの形
状を変更する。

【００３７】実施の形態５では、フォトダイオード１１
の形状を変更してフォトダイオード４ｅにする。形状を
変更しただけであり、フォトダイオード４ｅの機能は、
フォトダイオード１１の機能と同じである。

【００３８】図８では、フォトダイオード４ｅの寸法を
フォトダイオード１１と比較して大きくしているが、小
さくしてもよい。その他の構造については実施の形態３
と同様である。

【００３９】なお、フォトダイオード１１の変更によっ
て、画素パターン２は出力値が変わってしまうため、画
素パターン２から信号を読み出したときに、その信号に
補正を加える必要がある。

【００４０】以上のフォトダイオード４ｅによって、実
施の形態１の効果同様、容易に不良個所を見つけること
ができる。

【００４１】実施の形態６．図９は実施の形態６の半導
体装置を示す一部断面図であり、図１の半導体装置の画
素領域１の一部を例えば方向Ｙで切断した断面を示して
いる。なお、実施の形態６では、図１の目印用パターン
４を省略し、その代わりに、遮光膜６の形状を変更する
ことによって、開口部の形状を変更する。

【００４２】実施の形態６では、開口部１８の形状を変
更して開口部４ｆにする。形状を変更しただけであり、
開口部４ｆの機能は、開口部１８の機能と同じである。

【００４３】図９では、開口部４ｆの寸法を開口部１８
と比較して大きくしているが、小さくしてもよい。その
他の構造については実施の形態３と同様である。

【００４４】なお、開口部１８の変更によって、画素パ
ターン２は出力値が変わってしまうため、画素パターン
２から信号を読み出したときに、その信号に補正を加え
る必要がある。

【００４５】以上の開口部４ｆによって、実施の形態１
の効果同様、容易に不良個所を見つけることができる。

【００４６】実施の形態７．図１０は実施の形態７の半
導体装置の概念図であって、半導体装置の一部を拡大し
ている様子を示している。図１０の半導体装置は配線評
価専用のＴＥＧである。

【００４７】ＴＥＧには、評価対象が形成されたＴＥＧ
領域２０が半導体基板１９上に設けられている。また、
半導体基板１９上に一列に配列形成された複数のパッド
Ｐ１，Ｐ２が設けられている。複数のパッドＰ１，Ｐ２
はＴＥＧ領域２０に接続されている。

【００４８】ＴＥＧ領域２０内には、マトリクス状の目
印線Ｌが設けられている。目印線ＬによってＴＥＧ領域
２０を複数のブロックに区画する。但し、目印線Ｌは評
価対象に電気的に影響しない。

【００４９】ＴＥＧ領域２０の一部を拡大すると、目印
線Ｌは例えばブロックＢ１，Ｂ２の間の隙間である。ブ
ロックＢ１とは同じ繰り返しで方向Ｘに並行する配線Ｌ
１が配列されたものをいう。ブロックＢ２とは同じ繰り
返しで方向Ｙに並行する配線Ｌ２が配列されたものをい
う。配線Ｌ１，Ｌ２が評価対象である。ブロックＢ１，
Ｂ２は交互に繰り返しＴＥＧ領域２０内に設けられてい
る。

【００５０】配線Ｌ１，Ｌ２は複数のパッドＰ１，Ｐ２
のいずれかに接続されている。なお、例えば、ブロック
Ｂ１は隙間である目印線Ｌに囲まれているが、図示しな
い配線を介してパッドＰ１，Ｐ２のいずれかに接続され
ている。

【００５１】また、図１０以外にも、パッドＰ１，Ｐ２
を合わせたパッドの総数は２つとし、ＴＥＧ領域２０内
の複数のブロックを図示しない配線で順に接続してもよ
い。

【００５２】このように、ＴＥＧ領域２０に目印線Ｌを
設けたことによって、ブロックＢ１，Ｂ２の区切りが分
かりやすくなり、容易に不良個所を見つけることができ
る。さらに、ブロックＢ１，Ｂ２内の配線Ｌ１，Ｌ２の
方向が異なることで、さらに容易に不良個所を見つける
ことができる。

【００５３】実施の形態８．図１１は実施の形態８〜１
１の半導体装置の概念を示す平面図である。図１１の半
導体装置は配線、コンタクトホール、ビィアホール、分
離評価用のＴＥＧである。ＴＥＧには、評価対象が形成
されたＴＥＧ領域２２が半導体基板２１上に設けられて
いる。また、半導体基板２１上にパッドＰ３，Ｐ４が設
けられている。パッドＰ３，Ｐ４はＴＥＧ領域２２に接
続されている。

【００５４】図１２は実施の形態８の半導体装置を示す
一部平面図であり、図１１のＴＥＧ領域２２を拡大した
平面を示している。

【００５５】ＴＥＧ領域２２上には、評価対象である配
線Ｌ３が並行して形成されている。配線Ｌ３の一端はパ
ッドＰ３に接続され、他端はパッドＰ４に接続されてい
る。なお、配線Ｌ３は多層配線のチェーンパターンでも
よい。

【００５６】配線Ｌ３の一部を図１３に示す。配線Ｌ３
は複数の折れ曲がり部Ｒ１を有する。折れ曲がり部Ｒ１
は、配線Ｌ１の途中で所定規則の間隔で設けられてい
る。例えば、図１３のように、折れ曲がり部Ｒ１を等間
隔ａにするという規則で設ける。あるいは、例えば、隣
り合う折れ曲がり部Ｒ１の間隔を１：２：３：………と
いう割合で変化させるという規則で設けてもよい。さら
には、折れ曲がり部Ｒ１を設ける規則は、隣り合う折れ
曲がり部Ｒ１の間隔に限らない。例えば、図１３におい
て、中央の折れ曲がり部Ｒ１を２つの折れ曲がり部Ｒ１
に置き換え、右端の折れ曲がり部Ｒ１を３つの折れ曲が
り部Ｒ１に置き換える。このように、１つの組に含まれ
る折れ曲がり部Ｒ１の数を１つ、２つ、３つ、……とい
うように変化させるという規則で設けてもよい。

【００５７】実施の形態８の効果について、配線評価専
用のＴＥＧでは、少なくとも例えば配線のショートある
いはオープンを評価できればよい。従来では、できるだ
け配線が長くなるように設計することに重点をおいてい
たため、不良個所を容易に見つけることについては考慮
しなかった。一方、本発明では、以上のように配線Ｌ３
をその途中で所定規則で曲折させたことによって、不良
箇所を容易に見つけることができる。

【００５８】実施の形態９．図１４は実施の形態９の半
導体装置（ＴＥＧ）を示す一部平面図であり、図１１の
ＴＥＧ領域２２を拡大した平面を示している。実施の形
態９のＴＥＧは、配線のショートあるいはオープンを評
価するためのものである。

【００５９】ＴＥＧ領域２２上には、評価対象である配
線Ｌ４が並行して形成されている。つまり、並行した配
線Ｌ４それぞれが同じ繰り返しで配列されたパターンで
ある。配線Ｌ４の一端はパッドＰ３に接続され、他端は
パッドＰ４に接続されている。

【００６０】所定規則で選択された配線Ｌ４上には、ダ
ミーの目印用ヴィアホールパターン２３が設けられてい
る。例えば、図１４のように、並行した配線Ｌ４の１０
本毎に目印用ヴィアホールパターン２３を設ける。目印
用ヴィアホールパターン２３に代えて、ダミーの目印用
コンタクトホールパターンでもよい。

【００６１】以上のように、目印用ヴィアホールパター
ン２３は、並行した配線のうち、所定規則で選択された
配線に設けられ、他の配線には設けられていないので、
実施の形態１の効果同様、容易に不良個所を見つけるこ
とができる。

【００６２】実施の形態１０．図１５は実施の形態１０
の半導体装置（ＴＥＧ）を示す一部平面図であり、図１
１のＴＥＧ領域２２を拡大した平面を示している。実施
の形態１０のＴＥＧでは、配線のショートあるいはオー
プンを評価するためのものであり、特にヴィアホールの
評価に関する。

【００６３】ＴＥＧ領域２２上には、評価対象である配
線Ｌ５が並行して形成されている。さらに、配線Ｌ５は
多層配線構造であり、図１５では上層の配線パターン２
４を実線で示し、下層の配線を点線で示している。上層
の配線パターン２４とその下層の配線とはヴィアホール
２５を介して電気的に接続されている。配線パターン２
４及びヴィアホール２５が同じ繰り返しで配列されたパ
ターンである。配線Ｌ５の一端はパッドＰ３に接続さ
れ、他端はパッドＰ４に接続されている。

【００６４】また、所定規則で選択された配線パターン
２４の形状を変更して配線パターン２６とする。所定規
則とは例えば、配線パターン２４の形状を、配線パター
ン２４の１０個毎に変更することである。

【００６５】また、配線パターン２６は、配線パターン
２４同様、同じ層であり、パッドＰ３とパッドＰ４とを
導通させるという同じ機能を有する。さらに図１５で
は、配線パターン２６とは隣接する配線パターン２４を
繋げたものである。

【００６６】以上の配線パターン２６によって、実施の
形態１の効果同様、容易に不良個所を見つけることがで
きる。

【００６７】実施の形態１１．図１６は実施の形態１１
の半導体装置（ＴＥＧ）を示す一部平面図であり、図１
１のＴＥＧ領域２２を拡大した平面を示している。実施
の形態１１のＴＥＧでは、配線がショートあるいはオー
プンを評価するためのものであり、特にヴィアホールの
評価に関する。

【００６８】ＴＥＧ領域２２上には、実施の形態１０同
様、評価対象である配線Ｌ６が並行して形成されてい
る。さらに、配線Ｌ６は多層配線構造であり、図１６で
は上層の配線パターン２４を実線で示し、下層の配線を
点線で示している。上層の配線パターン２４とその下層
の配線とはヴィアホール２５を介して電気的に接続され
ている。配線パターン２４及びヴィアホール２５が同じ
繰り返しで配列されたパターンである。配線Ｌ６の一端
はパッドＰ３に接続され、他端はパッドＰ４に接続され
ている。

【００６９】また、所定規則で選択された配線パターン
２４のヴィアホール２５の形状を変更してヴィアホール
２７とする。所定規則とは例えば、ヴィアホール２５の
形状を、ヴィアホール２５の１０個毎に変更することで
ある。

【００７０】ヴィアホール２７は、ヴィアホール２５同
様、上層とその下層との配線を電気的に接続するという
同じ機能を有する。なお、図１６では、ヴィアホール２
７の寸法をヴィアホール２５と比較して大きくしている
が、小さくしてもよい。

【００７１】以上のヴィアホール２７によって、実施の
形態１の効果同様、容易に不良個所を見つけることがで
きる。

【００７２】変形例．なお、図１の目印用パターン４を
省略し、その代わりに、目印線（図１０）を設けてもよ
い。この場合、目印線は図３の素子分離領域８上方に設
ければよい。

【００７３】

【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、規則的に
設けられた目印用パターンによって、所望の位置を容易
に見つけることができる。

【００７４】請求項２記載の発明によれば、規則的に部
材の形状が異なることによって、所望の位置を容易に見
つけることができる。

【００７５】請求項３記載の発明によれば、マトリクス
状の目印線によって、所望の位置を容易に見つけること
ができる。

【００７６】請求項４記載の発明によれば、エリアイメ
ージセンサにおいて効果的に所望の位置を見つけること
ができる。

【００７７】請求項５記載の発明によれば、エリアイメ
ージセンサにおいて、例えば隣接する素子の間のみに目
印用パターンを設ければ、その目印用パターンが隣接す
る素子のどちらに対応して設けられているのかが不明瞭
になる。しかし、素子を目印用パターンで囲むことによ
って、所定規則で選択された素子を明確に特定できるの
で、効果的に所望の位置を見つけることができる。

【００７８】請求項６記載の発明によれば、配線の評価
専用の半導体装置において効果的に所望の位置を見つけ
ることができる。

【００７９】請求項７記載の発明によれば、配線を所定
規則で曲折することによって、配線の評価専用の半導体
装置において効果的に所望の位置を見つけることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の実施の形態１の半導体装置を示す概
念図である。

【図２】 本発明の実施の形態１の半導体装置を示す概
念図である。

【図３】 本発明の実施の形態１の半導体装置を示す一
部断面図である。

【図４】 本発明の実施の形態２の半導体装置を示す一
部断面図である。

【図５】 本発明の実施の形態３の半導体装置を示す一
部断面図である。

【図６】 本発明の実施の形態３の半導体装置を示す一
部断面図である。

【図７】 本発明の実施の形態４の半導体装置を示す一
部断面図である。

【図８】 本発明の実施の形態５の半導体装置を示す一
部断面図である。

【図９】 本発明の実施の形態６の半導体装置を示す一
部断面図である。

【図１０】 本発明の実施の形態７の半導体装置を示す
一部断面図である。

【図１１】 本発明の実施の形態８〜１１の半導体装置
を示す概念図である。

【図１２】 本発明の実施の形態８の半導体装置を示す
一部平面図である。

【図１３】 本発明の実施の形態８の半導体装置を示す
一部平面図である。

【図１４】 本発明の実施の形態９の半導体装置を示す
一部平面図である。

【図１５】 本発明の実施の形態１０の半導体装置を示
す一部平面図である。

【図１６】 本発明の実施の形態１１の半導体装置を示
す一部平面図である。

【図１７】 従来の半導体装置を示す概念図である。

【図１８】 従来の半導体装置を示す概念図である。

【符号の説明】

２ 画素パターン、４ 目印用パターン、１２ 半導体
基板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/14

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板と、 前記半導体基板上に同じ繰り返しで配列された複数のパ
   ターンと、を備え、 前記複数のパターンのうち、所定規則で選択された前記
   パターンには、目印用パターンが設けらており、他の前
   記パターンには前記目印用パターンが設けられていない
   半導体装置。
2. 【請求項２】 半導体基板と、 前記半導体基板上に同じ繰り返しで配列された複数のパ
   ターンと、を備え、 前記複数のパターンのそれぞれには同じ機能の部材が含
   まれ、 前記複数のパターンのうち、所定規則で選択された前記
   パターン内の前記部材は、他の前記パターン内の前記部
   材と形状が異なる半導体装置。
3. 【請求項３】 半導体基板と、 前記半導体基板上に同じ繰り返しで配列された複数のパ
   ターンと、を備え、 前記複数のパターンが設けられた領域内には、マトリク
   ス状の目印線が設けられている半導体装置。
4. 【請求項４】 前記複数のパターンは、光を電気信号に
   変換するための素子である請求項１〜３のいずれかに記
   載の半導体装置。
5. 【請求項５】 前記複数のパターンは、光を電気信号に
   変換するための素子であり、 前記目印用パターンは、前記所定規則で選択された前記
   パターンを囲む請求項１記載の半導体装置。
6. 【請求項６】 前記複数のパターンは配線であり、 前記配線の評価専用の請求項１〜３のいずれかに記載の
   半導体装置。
7. 【請求項７】 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成された第１及び第２パッドと、 一端が前記第１パッドに接続され、他端が前記第２パッ
   ドに接続された配線と、を備え、 前記配線は、その途中で所定規則で曲折している、前記
   配線の評価専用の半導体装置。