JP2000211994A - シリコン単結晶育成前の多結晶シリコンの融解方法及びその育成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】多結晶シリコンの融解及び単結晶棒引上げ時に
おけるカーボンヒータによる電力消費を低減し、カーボ
ンヒータ及び石英るつぼの劣化を抑制する。 【解決手段】シリコン単結晶育成前の多結晶シリコンの
融解方法は、石英るつぼ１３を包囲して支持するカーボ
ンサセプタ１４の外底面の近傍にスピルトレイ２１の上
面を配置させた状態で石英るつぼに所定量未満の多結晶
シリコンを入れてカーボンヒータ１８により融解した
後、スピルトレイの位置を維持した状態で所定量残部の
多結晶シリコン２０を１回又は２回以上に分けて石英る
つぼ１３内に補給してカーボンヒータ１８により融解す
る。育成装置は、石英るつぼに多結晶シリコンを補給可
能に構成された原料補給装置３１が設けられ、多結晶シ
リコンの融解からシリコン融液に種結晶２６が接触し始
めるときまで、サセプタの外底面の近傍にトレイ上面が
位置するようにスピルトレイが設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン単結晶棒
を引上げて育成する装置におけるシリコン単結晶育成前
の多結晶シリコンの融解方法及びその育成装置に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、図４に示すように、シリコン単結
晶棒を育成する装置には、チャンバ１内に設けられ石英
るつぼ２を包囲して支持するカーボンサセプタ３と、こ
のサセプタ３を包囲してチャンバ内１に設けられ石英る
つぼ２内の多結晶シリコン４を融解しかつ石英るつぼ２
内に貯留されたシリコン融液を加熱するカーボンヒータ
５と、サセプタ３の下方のチャンバ１内に設けられたス
ピルトレイ６とを備えたものが知られている。また、こ
のような装置にはサセプタ３の支軸７ａを介して石英る
つぼ２を上昇又は下降させるるつぼ昇降手段７と、この
石英るつぼ２をカーボンヒータ５とともに包囲する保温
筒８と、引上げるシリコン単結晶棒の外径より僅かに大
きな内径を有する筒状の熱遮蔽体９とが更に備えられ
る。このシリコン単結晶の育成装置では、カーボンヒー
タ５で多結晶シリコン４を融解することにより石英るつ
ぼ２内に貯留されたシリコン融液に種結晶１ａを接触さ
せ、その種結晶１ａを引上げて種結晶１ａの下方にシリ
コン単結晶棒を育成している。

【０００３】更に上記従来の装置では、石英るつぼ２の
周囲に設けられたカーボンヒータ５は石英るつぼ２内の
シリコン融液を加熱して所定温度に維持し、るつぼ昇降
手段７は、支軸７ａを介して石英るつぼ２を上昇させる
ことによりシリコン単結晶棒の引上げに伴うシリコン融
液表面の低下を防止し、シリコン融液の表面を所定位置
に維持して高品質のシリコン単結晶棒を得ている。ま
た、熱遮蔽体９はシリコン融液の熱が引上げるシリコン
単結晶棒に到達しないように遮蔽し、保温筒８は石英る
つぼ２をカーボンヒータ５とともに包囲して、シリコン
融液の熱が外部に放散しないように遮蔽している。

【０００４】一方、石英るつぼ２に当初供給される多結
晶シリコン４は塊状物であるため、塊状物と塊状物との
間に存在する空間がその多結晶シリコン４を融解すると
ともに消滅し、多結晶シリコン４を融解して得られるシ
リコン融液の液面は石英るつぼ２に当初供給された多結
晶シリコン４の上面より下降する。このため従来では、
塊状物である多結晶シリコン４を一括して入れた石英る
つぼ２を、シリコン融液に種結晶１ａを接触させる位置
よりも下方の位置まで下降させて支持し、石英るつぼ２
に当初充填された所定量の多結晶シリコン４が熱遮蔽体
９と干渉することを防止しており、多結晶シリコン４が
カーボンヒータ５により融解してシリコン融液が石英る
つぼ２に貯留された後に、るつぼ昇降手段７は種結晶１
ａを接触させるべき正規の位置まで石英るつぼ２を上昇
させている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、多結晶シリコ
ン４の融解に際しるつぼ昇降手段７による石英るつぼ２
の下降を可能にするためには、カーボンサセプタ３、カ
ーボンヒータ５及びスピルトレイ６により囲まれるカー
ボンヒータ５が加熱すべき空間、いわゆるホットゾーン
が石英るつぼ２の下降を考慮して大きく形成されなけれ
ばならない。従来の多結晶シリコンの融解方法は、ホッ
トゾーンが大きいため、石英るつぼ２に入れられたシリ
コン多結晶４を融解する際のカーボンヒータ５の電力消
費量、及びシリコン多結晶４が融解した後のシリコン融
液を所定温度に維持するための電力消費量が比較的多大
になる不具合がある。また、この電力消費量の多大さに
起因してカーボンヒータ５自体、及びシリコン融液を貯
留する石英るつぼ２自体が熱ストレスを受けてその寿命
が低下する問題点がある。

【０００６】本発明の目的は、ホットゾーンを縮小して
シリコン多結晶の融解時及びシリコン単結晶棒引上げ時
におけるカーボンヒータによる電力消費を低減し得るシ
リコン単結晶育成前の多結晶シリコンの融解方法及びそ
の育成装置を提供することにある。本発明の別の目的
は、カーボンヒータによる電力消費量を低減してカーボ
ンヒータ及び石英るつぼの劣化を抑制し得るシリコン単
結晶育成前の多結晶シリコンの融解方法及びその育成装
置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
図３に示すように、石英るつぼ１３を包囲して支持する
カーボンサセプタ１４の外底面の近傍にスピルトレイ２
１の上面を配置させた状態で石英るつぼ１３に所定量未
満の多結晶シリコン２０を入れてカーボンヒータ１８に
より融解してシリコン融液１２にした後、図２に示すよ
うに、スピルトレイ２１の位置を維持した状態で所定量
の残部の多結晶シリコン２０を１回又は２回以上に分け
て石英るつぼ１３内に補給してカーボンヒータ１８によ
り融解することを特徴とするシリコン単結晶育成前の多
結晶シリコンの融解方法である。カーボンヒータ１８に
より所定量未満の多結晶シリコン２０の融解と所定量の
残部の多結晶シリコン２０の融解をスピルトレイ２１の
位置を維持した状態で行うことにより、種結晶２６が接
触し始めるときの石英るつぼ１３の位置から更に石英る
つぼ１３を下降させることなく多結晶シリコン２０を融
解する。この結果、従来多結晶シリコン２０を融解させ
る際に必要としていた石英るつぼ１３が下降するための
空間を本発明では不要にする。

【０００８】請求項２に係る発明は、図１〜図３に示す
ように、チャンバ１１内に設けられ石英るつぼ１３を包
囲して支持するカーボンサセプタ１４と、サセプタ１４
を包囲してチャンバ１１内に設けられ石英るつぼ１３内
の多結晶シリコン２０を融解しかつ石英るつぼ１３内に
貯留されたシリコン融液１２を加熱するカーボンヒータ
１８と、サセプタ１４の下方の前記チャンバ１１内に設
けられたスピルトレイ２１とを備え、種結晶２６をシリ
コン融液１２に接触させて引上げることによりシリコン
単結晶棒２５を育成するシリコン単結晶の育成装置の改
良である。その特徴ある構成は、石英るつぼ１３に多結
晶シリコン２０を補給可能に構成された原料補給装置３
１が設けられ、多結晶シリコン２０の融解からシリコン
融液１２に種結晶２６が接触し始めるときまで、サセプ
タ１４の外底面の近傍にトレイ２１上面が位置するよう
にスピルトレイ２１が設けられたところにある。

【０００９】多結晶シリコン２０の融解からシリコン融
液１２に種結晶２６が接触し始めるときまで、サセプタ
１４の外底面の近傍にトレイ２１上面が位置するように
スピルトレイ２１を設たので、従来多結晶シリコン２０
を融解させる際に必要としていた石英るつぼ１３が下降
する範囲をなくしてカーボンヒータ１８が加熱すべき空
間であるホットゾーンを縮小させる。この結果、石英る
つぼ１３に入れられた多結晶シリコン２０の融解及び融
解後におけるシリコン融液１２の温度を維持する際のカ
ーボンヒータ１８の電力消費量を低減させる。カーボン
ヒータ１８が加熱すべき空間を縮小させることに伴い、
融解当初石英るつぼ１３に入れた多結晶シリコン２０が
所定量に満たない場合には、所定量未満の多結晶シリコ
ン２０が融解した後、原料補給装置３１により所定量の
残部に相当する多結晶シリコン２０を補給する。

【００１０】

【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面に
基づいて説明する。図１〜図３に示すように、シリコン
単結晶の育成装置１０のチャンバ１１内には、シリコン
融液１２を貯留する石英るつぼ１３が設けられ、この石
英るつぼ１３の外面はカーボンサセプタ１４により被覆
される。石英るつぼ１３の下面はカーボンサセプタ１４
を介して支軸１６の上端に固定され、この支軸１６の下
部はるつぼ昇降手段１７に接続される。るつぼ昇降手段
１７は図示しないが石英るつぼ１３を回転させる第１回
転用モータと、石英るつぼ１３を昇降させる昇降用モー
タとを有し、これらのモータにより石英るつぼ１３が所
定の方向に回転し得るとともに、上下方向に移動可能と
なっている。

【００１１】サセプタ１４の下方のチャンバ１１の内部
にはスピルトレイ２１が設けられ、スピルトレイ２１は
多結晶シリコン２０（図３）の融解からシリコン融液１
２に種結晶２６が接触し始めるときまで、サセプタ１４
の外底面の近傍に上面が位置するように設けられる。図
示しないが、スピルトレイ２１は環状のカーボンのケー
シングの内部に断熱材を充填することにより作られ、ス
ピルトレイ２１はカーボンヒータ１８からの放熱を反射
しかつその熱を蓄熱し、石英るつぼ１３周囲の熱がスピ
ルトレイ２１の下方に放散するのを防ぐように構成され
る。石英るつぼ１３の外周面は石英るつぼ１３から所定
の間隔をあけてカーボンヒータ１８により包囲され、こ
のカーボンヒータ１８は保温筒１９により包囲される。
カーボンヒータ１８及び保温筒１９はスピルトレイ２１
の上部に取付けられ、カーボンヒータ１８は石英るつぼ
１３に投入された高純度のシリコン多結晶２０（図３）
を加熱・融解してシリコン融液１２にする。

【００１２】またチャンバ１１の上端には円筒状のケー
シング２２が接続される。このケーシング２２には引上
げ手段２３が設けられる。引上げ手段２３はケーシング
２２の上端部に水平状態で旋回可能に設けられた引上げ
ヘッド（図示せず）と、このヘッドを回転させる第２回
転用モータ（図示せず）と、ヘッドから石英るつぼ１３
の回転中心に向って垂下されたワイヤケーブル２４と、
上記ヘッド内に設けられワイヤケーブル２４を巻取り又
は繰出す引上げ用モータ（図示せず）とを有する。ワイ
ヤケーブル２４の下端にはシリコン融液１２に浸してシ
リコン単結晶棒２５（図１）を引上げるための種結晶２
６が取付けられる。

【００１３】引上げられるシリコン単結晶棒２５（図
１）の外周面と石英るつぼ１３の内周面との間には、シ
リコン単結晶棒２５を包囲する筒状の熱遮蔽体２７（図
１〜図３）が設けられる。熱遮蔽体２７はシリコン融液
１２の熱がシリコン単結晶棒２５に到達しないようにこ
れを遮蔽するために設けられ、この熱遮蔽体２７の上縁
には外方に略水平方向に張り出すフランジ部２７ａが連
設される。このフランジ部２７ａを保温筒１９上に載置
することにより熱遮蔽体２７はチャンバ１１内に固定さ
れ、熱遮蔽体２７の下縁は石英るつぼ１３に貯留された
シリコン融液１２表面から所定の距離だけ上方に位置す
るように構成される。

【００１４】引上げ手段２３における引上げ用モータの
出力軸（図示せず）にはロータリエンコーダ（図示せ
ず）が設けられ、るつぼ昇降手段１７には石英るつぼ１
３内のシリコン融液１２の重量を検出する重量センサ
（図示せず）と、支軸１６の昇降位置を検出するリニヤ
エンコーダ（図示せず）とが設けられる。更にこの育成
装置１０にはシリコン融液１２の融液面温度を検出する
図示しない温度センサが設けられる。ロータリエンコー
ダ、重量センサ、リニヤエンコーダ及び温度センサの各
検出出力はコントローラ（図示せず）の制御入力に接続
され、コントローラの制御出力は引上げ手段２３の引上
げ用モータ、るつぼ昇降手段１７の昇降用モータにそれ
ぞれ接続される。またコントローラにはメモリ（図示せ
ず）が設けられ、このメモリにはロータリエンコーダの
検出出力に対するワイヤケーブル２４の巻取り長さ、即
ちシリコン単結晶棒２５の引上げ長さが第１マップとし
て記憶され、重量センサの検出出力に対する石英るつぼ
１３内のシリコン融液１２の液面レベルが第２マップと
して記憶される。コントローラは重量センサの検出出力
に基づいて石英るつぼ１３内のシリコン融液１２の液面
を常に一定のレベルに保つように、るつぼ昇降手段１７
の昇降用モータを制御するように構成される。

【００１５】チャンバ１１には石英るつぼ１３に粒状の
多結晶シリコン２０を補給可能に構成された原料補給装
置３１が設けられる。図２及び図３に示すように、本実
施の形態における原料補給装置３１は、下端が石英るつ
ぼ１３の内部に臨むようにチャンバ１１の上部に貫通し
て設けられた供給管３２と、その供給管３２の上部に開
口部３３ａを有する下部が接続して設けられた原料タン
ク３３と、その原料タンク３３に貫通して設けられ原料
タンク３３の開口部３３ａを塞ぐ蓋部３４ａが下部に形
成された開閉ロッド３４と、原料タンク３３内部を真空
に維持する図示しない真空ポンプとを有する。この原料
補給装置３１では、開閉ロッド３４を下方に移動させる
ことにより原料タンク３３の開口部が開放され、原料タ
ンク３３の内部に充填された粒状の多結晶シリコン２２
がその開口部３３ａから放出され、供給管３２を介して
石英るつぼ１３に補給されるように構成される。なお、
この原料補給装置３１は図に示すものに限らず、石英る
つぼ１３に多結晶シリコン２０を補給可能であればどの
ような構造及び形式のものでもよい。

【００１６】このように構成された装置による本発明に
よるシリコン単結晶育成前の多結晶シリコンの融解方法
を説明する。図３に示すように、塊状物である多結晶シ
リコン２０を所定量未満入れた石英るつぼ１３を、シリ
コン融液１２に種結晶２６を接触させる位置、即ちカー
ボンサセプタ１４の外底面の近傍にスピルトレイ２１の
上面を配置させるようにるつぼ昇降手段１７が支軸１６
を介して支持する。この状態で石英るつぼ１３に入れら
れた所定量未満の多結晶シリコン２０をカーボンヒータ
により融解する。最初に所定量未満の多結晶シリコン２
０を石英るつぼ１３に入れて融解させることにより、石
英るつぼ１３の必要以上の下降を不要にしつつ石英るつ
ぼ１３に充填された多結晶シリコン２０が熱遮蔽体２７
と干渉することを防止する。

【００１７】図２に示すように、所定量未満の多結晶シ
リコン２０が融解してシリコン融液１２が石英るつぼ１
３に貯留された後、カーボンサセプタ１４の位置を維持
した状態で所定量の残部として粒状の多結晶シリコン２
０を原料供給装置３１から１回又は２回以上に分けて石
英るつぼ１３内に補給してカーボンヒータ１８により融
解する。原料供給装置３１から所定量の残部の粒状の多
結晶シリコン２０を補給することにより当初投入された
所定量未満の多結晶シリコン２０が融解したシリコン融
液１２の液面を上昇させる。この所定量未満の塊状の多
結晶シリコン２０の融解及び所定量の残部の粒状の多結
晶シリコン２０の融解を、石英るつぼ１３を移動させる
ことなくカーボンサセプタ１４の外底面の近傍にスピル
トレイ２１の上面を配置させた状態で行うことにより、
いわゆるホットゾーンを従来より縮小し、石英るつぼ１
３に当初入れられた所定量未満の多結晶シリコン２０及
びその後補給された所定量の残部の多結晶シリコン２０
を融解する際のカーボンヒータ１８の電力消費量を低減
させる。

【００１８】シリコン多結晶が融解して石英るつぼ１３
にシリコン融液１２が貯留された後、図１の実線矢印で
示すように供給管３２を引上げ、シリコン単結晶棒２５
を引上げるシリコン融液１２の融液面温度を所定の温度
に調整する。この温度調整は、カーボンヒータ１８によ
る所定時間の加熱により行われるが、ホットゾーンが従
来より縮小していることに起因してカーボンヒータ１８
の電力消費量は従来より低減する。

【００１９】シリコン融液１２の融液面温度を調整した
後、引上げ手段の図示しない引上げ用モータによりワイ
ヤ２４を繰出して種結晶２６を降下させてその先端部を
シリコン融液１２に接触させる。その後種結晶２６を徐
々に引上げて種絞り部２５ａを形成した後、図１に示す
ように、更に種結晶２６を引上げて種絞り部２５ａの下
部にシリコン単結晶棒２５を育成させる。なお、シリコ
ン単結晶棒２５の育成とともにシリコン融液１２は減少
し、この融液１２の量に応じて図示しない昇降用モータ
はるつぼ１３を上昇させ、種結晶２６の引上げとともに
低下するシリコン融液１２の表面を所定位置に維持させ
る。

【００２０】

【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 ＜実施例１＞図１〜図３に示すように、内径が２４イン
チの石英るつぼ１３を有するシリコン単結晶の育成装置
１０に原料供給装置３１を設けた。多結晶シリコン２０
の融解からシリコン融液１２に種結晶２６が接触し始め
るときまでのサセプタ１４の外底面の近傍にトレイ２１
上面が位置するようにスピルトレイ２１を設けた。この
スピルトレイ２１は円板状の断熱材の表面にカーボンを
コーティングすることにより作られたものを使用した。
このように構成された育成装置１０を実施例１とした。 ＜比較例１＞図４に示すように、多結晶シリコン４の融
解に際し石英るつぼ２が下降する凹部６ａをスピルトレ
イ６に形成したこと、及び原料補給装置を設けないこと
を除いて、育成装置を上記実施例１と同一に構成した。
この育成装置を比較例１とした。

【００２１】＜比較試験及び評価＞実施例１の育成装置
では、予め所定量未満の６０ｋｇの塊状の多結晶シリコ
ン２０を入れた石英るつぼ１３をカーボンヒータ１８に
より融解してシリコン融液１２にした後、原料供給装置
３１により所定量の残部である５０ｋｇの粒状の多結晶
シリコン２０を１回で石英るつぼ１３内に補給してカー
ボンヒータ１８により所定量である１１０ｋｇの多結晶
シリコンを融解させた。比較例１の育成装置では、所定
量の１１０ｋｇの塊状の多結晶シリコン４一括して入れ
た石英るつぼ２を下降させた状態で支持し、カーボンヒ
ータ５により融解してシリコン融液１２にした。

【００２２】この場合のそれぞれのカーボンヒータ５及
び１８による電力消費量を熱伝導解析プログラムにてシ
ミュレーション計算して比較を行った。この結果、実施
例１のカーボンヒータ１８における電力消費量が約６
３．５ｋＷであったのに対して、比較例１のカーボンヒ
ータ５の消費電力量は約８４．８ｋＷであった。このよ
うに実施例１のカーボンヒータ１８の電力消費量が比較
例１のカーボンヒータ５の消費電力量より小さくなった
のは、実施例１のカーボンヒータ１８が加熱すべき空間
が、比較例１のカーボンヒータ５が加熱すべき空間より
小さいことに起因するものと考えられる。

【００２３】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、石
英るつぼに所定量未満の多結晶シリコンを入れてシリコ
ン融液にした後、多結晶シリコンの残部を１回又は２回
以上に分けて石英るつぼ内に補給して融解させるので、
所定量未満の多結晶シリコン及び所定量の残部の多結晶
シリコンの融解をサセプタの位置を維持した状態で行う
ことができる。このため、種結晶が接触し始めるときの
石英るつぼの位置から更に石英るつぼを下降させること
なく多結晶シリコンを融解することができる。この結
果、従来多結晶シリコンを融解させる際に必要としてい
た石英るつぼが下降する空間を不要にしてホットゾーン
を小さくすることができる。

【００２４】また、石英るつぼに多結晶シリコンを補給
可能に構成された原料補給装置を設け、多結晶シリコン
の融解からシリコン融液に種結晶が接触し始めるときま
で、サセプタの外底面の近傍にトレイ上面が位置するよ
うにスピルトレイを設けたので、従来多結晶シリコンを
融解させる際に必要としていた石英るつぼが下降する範
囲をなくしてカーボンヒータが加熱すべき空間であるホ
ットゾーンを縮小させることができる。この結果、石英
るつぼに入れられた多結晶シリコンの融解及び融解後に
おけるシリコン融液の温度を維持する際のカーボンヒー
タの電力消費量を低減させることができ、カーボンヒー
タによる電力消費量が低減することによりカーボンヒー
タ及び石英るつぼの劣化を抑制することもできる。ま
た、石英るつぼの劣化を抑制できる結果、石英るつぼが
長時間の引上げに耐えられることになり、比較的大型の
石英るつぼを使用して大口径のシリコン単結晶棒を育成
することもスムーズに行えるとともに、シリコン融液の
歩留りを向上させることもできる。更に、本発明により
不要になった石英るつぼが下降する空間にまで断熱材で
あるスピルトレイを厚く形成すれば、ホットゾーンの保
温性を更に向上させることができ、それに伴い小型のカ
ーボンヒータを使用することもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の育成装置のシリコン単結晶棒引上げ時
における断面構成図。

【図２】原料補給装置の多結晶シリコンの補給状態を示
す図１に対応する断面構成図。

【図３】所定量未満の多結晶シリコンの融解状態を示す
図１に対応する断面構成図。

【図４】従来例を示す育成装置の断面構成図。

【符号の説明】

１０ シリコン単結晶の育成装置 １１ チャンバ １２ シリコン融液 １３ 石英るつぼ １４ カーボンサセプタ １８ カーボンヒータ ２０ 多結晶シリコン ２１ スピルトレイ ２５ シリコン単結晶棒 ２６ 種結晶 ３１ 原料補給装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内藤 宣正 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 符 森林 東京都千代田区大手町１丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BA04 CF05 EG01 EG18 EG20 EG27

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 石英るつぼ(13)を包囲して支持するカー
   ボンサセプタ(14)の外底面の近傍にスピルトレイ(21)の
   上面を配置させた状態で前記石英るつぼ(13)に所定量未
   満の多結晶シリコン(20)を入れてカーボンヒータ(18)に
   より融解してシリコン融液(12)にした後、前記スピルト
   レイ(21)の位置を維持した状態で所定量の残部の多結晶
   シリコン(20)を１回又は２回以上に分けて前記石英るつ
   ぼ(13)内に補給して前記カーボンヒータ(18)により融解
   することを特徴とするシリコン単結晶育成前の多結晶シ
   リコンの融解方法。
2. 【請求項２】 チャンバ(11)内に設けられ石英るつぼ(1
   3)を包囲して支持するカーボンサセプタ(14)と、前記サ
   セプタ(14)を包囲して前記チャンバ(11)内に設けられ前
   記石英るつぼ(13)内の多結晶シリコン(20)を融解しかつ
   前記石英るつぼ(13)内に貯留されたシリコン融液(12)を
   加熱するカーボンヒータ(18)と、前記サセプタ(14)の下
   方の前記チャンバ(11)内に設けられたスピルトレイ(21)
   とを備え、 種結晶(26)を前記シリコン融液(12)に接触させて引上げ
   ることによりシリコン単結晶棒(25)を育成するシリコン
   単結晶の育成装置において、 前記石英るつぼ(13)に前記多結晶シリコン(20)を補給可
   能に構成された原料補給装置(31)が設けられ、 前記多結晶シリコン(20)の融解から前記シリコン融液(1
   2)に前記種結晶(26)が接触し始めるときまで、前記サセ
   プタ(14)の外底面の近傍にトレイ(21)上面が位置するよ
   うに前記スピルトレイ(21)が設けられたことを特徴とす
   るシリコン単結晶の育成装置。