JP2000212732A

JP2000212732A - 真空蒸着装置

Info

Publication number: JP2000212732A
Application number: JP11011261A
Authority: JP
Inventors: Takahiro Kubota; 隆弘窪田; Hiroshi Fujita; 浩藤田; Tsukasa Oshima; 司大嶋; Seiji Izeki; 清司伊関
Original assignee: Toyobo Co Ltd
Current assignee: Toyobo Co Ltd
Priority date: 1999-01-20
Filing date: 1999-01-20
Publication date: 2000-08-02
Anticipated expiration: 2019-01-20
Also published as: JP3633810B2

Abstract

(57)【要約】【課題】走行中のフィルム表面に異なる元素からな
り、所定の組成比および目標厚みを有する混合膜を、連
続的、且つ均−に形成できる真空蒸着装置を提供する。【解決手段】異なる種類の蒸着材料１７を保持可能な
坩堝９と、蒸着材料１７を加熱して蒸着させる電子銃４
と、この電子銃４により形成されたフィルム１８上の混
合膜にＸ線を照射するＸ線発生装置７ａと、このＸ線発
生装置７ａにより励起された特性Ｘ線の強度を測定する
半導体検出器７ｂと、混合膜の各成分毎の厚みデータを
出力する測定手段とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は各種フィルム状製品
の製造に適する真空蒸着装置に関し、詳しくは、真空槽
内を走行するフィルムに異なる元素からなる混合膜を形
成するための真空蒸着装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】真空槽中を走行する高分子フィルムに薄
膜を蒸着・形戒する方法として、例えば特開平２−２３
６２７３号公報に記載されている方法がある。この方法
は、移動する高分子フィルムと直行する方向に、高分子
フィルムの幅方向を越えて対向・配置された横長の蒸発
源に、無走査電子銃から電子線を照射して加熱し、高分
子フィルム上に薄膜を形成させる。そして、電子銃から
電子線を照射する際、電子線が蒸着源の各位置で同じ入
射角度になるように磁界を制御して行うようになってい
る。

【０００３】しかしながら、この方法では蒸着した膜厚
をモニタする手段が無いため、例えば、真空槽の真空度
が変化したり、蒸着材料の表面形状が変化するなどによ
り蒸着速度が変化した場合に、蒸着膜の厚みが変化して
一定しないという問題があった。又、この方法は、複数
の蒸着材料を同時に蒸着させて、これらの蒸着材料によ
る混合膜を高分子フィルム上に形成することはできな
い。

【０００４】かかる問題を解決するために発明された真
空蒸着装置として、例えば、真空槽内の蒸着源を電子銃
で加熱した際の蒸発量の一部を検出する検出器と、この
検出器での検出値に基づいて前記蒸着源の出力を制御す
る手段とを備えた構造のものがある。この方式の検出器
は水晶振動子を備えていて、水晶振動子に蒸着膜が付着
すると、膜厚に依存して振動周波数が変動する原理を利
用している。この真空蒸着装置は、蒸着源からの蒸発量
の一部を制御指標として高分子フィルム上に製膜された
薄膜の厚みを間接的に制御する。

【０００５】しかしながら、上述した検出器は種類の異
なる複数の蒸着源を有する場合には、検出した信号を各
々の成分情報に分解することができず、その結果、化学
組成比および厚みの制御の精度が著しく低下するという
問題があった。又、間接制御のために、例えば蒸着時の
蒸発ビーム方向が変わった場含には、検出器の測定値と
実測値が合わなくなることもあった。更に、上記検出器
は検出器への総蒸着量の制限から、長時間の連続計測を
行う場合に、計測途中で検出器を切り替える等の対策が
必要となり、計測の信頼性にも間題があった，かかる問
題を解消した装置として、例えば特開平１−２０８４６
５号公報に記載の装置がある。この装置は、蒸着後の基
板上の蒸着膜に電子線を鋭角に入射して特性Ｘ線を励起
させるための電子銃と、この特性Ｘ線強度を測定する検
出器と、この検出器での検出値に基づいて各蒸着源の出
力を制御する手段とを備える。この装置では、蒸着薄膜
の直接計測が可能なため、上述した装置に比べて製膜性
は向上する。

【０００６】しかしながら、上記特性Ｘ線はＲＨＥＥＤ
（高エネルギー電子線）を蒸着膜に鋭角に入射すること
により励起されるため、蒸着薄膜のごく表層の情報しか
得ることができない。つまり、蒸着薄膜全体の情報が得
られるわけではないため、混合膜の組成比および総厚み
が一定である蒸着膜を製膜する装置としては、十分な情
報が得られず問題であった。又、特性Ｘ線の励起源が高
エネルギー電子線であることから、照射された部分の蒸
着膜表面を破損するという問題もあった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の装置では２種類の成分からなる混合膜を走行フィルム
の幅方向および走行方向に均一に分散・形成させ、しか
も一定の組成比および厚みとなるように、長時間連続的
に、且つ、安定に形成することは困難であった。

【０００８】そこで、本発明の目的は、上記従来技術の
有する問題点を解消し、走行中のフィルム表面に異なる
元素からなり、所定の組成比および目標厚みを有する混
合膜を、連続的、且つ均−に形成できる真空蒸着装置を
提供することにある。尚、本発明において「フィルム」
とは、幅および長さに対して厚みの薄い形状の材料を総
称するものとし、本来のフィルムのみならずシート状材
料を含む概念として用いる。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項記載
の発明により達成される。すなわち、本発明に係る真空
蒸着装置の特徴構成は、真空槽内を走行するフィルムに
異なる元素からなる混合膜を形成可能であって、異なる
種類の蒸着材料を保持可能な保持手段と、前記蒸着材料
を加熱して蒸看させる加熱手段と、この加熱手段により
形成された前記フィルム上の混合膜にＸ線を照射するＸ
線照射手段と、前記Ｘ線照射手段により励起された特性
Ｘ線の強度を測定する半導体検出器と、前記混含膜の各
成分毎の厚みデータを出力する測定手段と、を備えるこ
とにある。

【００１０】この構成によれば、保持手段に保持された
異なる種類の蒸着材料から蒸発した蒸着成分により、走
行フィルムに形成された混合膜から、直接、且つリアル
タイムで各成分毎の特性Ｘ線強度を測定できるので、か
かる測定値から各々の混合膜形成成分の厚みデータに換
算・出力でき、この厚みデータに基づいて、例えば別に
設けた制御手段により予め設定された各成分の目標値と
比較し、これらの偏差値を求める等の処理が可能にな
る。このようにすると、かかる処理に基づいて加熱手段
をフィードバック制御することができるようになり、所
定の化学組成を有し、旦つ目標とする厚みの混合膜を高
精度にフィルムに製膜できる。しかも、蒸着された混合
膜形成成分の厚みデータを検出するのにＸ線を照射する
ようにしているため、高エネルギー電子線の照射と異な
り、混合膜を破損することがない。又、半導体検出器を
用いるので、装置全体がコンパクトに構成でき、複数の
検出器の配置をしても広いスペースを占めることがな
く、フィルム幅方向にわたって高精度の測定が可能にな
る。その結果、走行中のフィルム表面に異なる元素の混
合膜の組成比および目標厚みを有する混合膜を連続的、
且つ均一に形成できる真空蒸着装置を提供することがで
きた。

【００１１】前記Ｘ線照射手段は、厚みを測定する混合
膜に対して略垂直に照射することが好ましい。このよう
にすることにより、励起される特性Ｘ線を混合膜の厚み
方向全体の情報として得ることができて都合がよい。こ
こに「略垂直」とは、計測上厳密な意味での垂直のみな
らず、その近似姿勢を含む概念として用いる。

【００１２】前記Ｘ線照射手段および前記検出器からな
る厚みモニタ装置は、フィルム幅方向に略等間隔で千鳥
状に配置されるか、又は、フィルム幅方向に―列に略等
間隔で配置されることが好ましい。厚みモニタ装置を千
鳥状に配置すると、厚みモニタ装置の形状の制約を受け
難いため、混合膜の全幅において多くの厚み情報を同時
に、且つリアルタイムに正確な計測できて都合がよい。
又、厚みモニタ装置をフィルム幅方向に対して一列に略
等間隔で配置すると、装置数が少なくて済み比較的安価
に構成できて、しかも混合膜の略全幅を同時に、且つリ
アルタイムに計測できて都合がよい。しかも、上記のよ
うにすると複数の厚みモニタをフィルム幅方向に対面配
置しても、厚みを測定する混合膜に対してＸ線を略垂直
に照射できる。ここに「略等間隔」とは、計測上厳密な
意味での等間隔のみならず、多少の間隔のずれを含む概
念として用いる。

【００１３】前記測定手段にて出力された厚みデータに
基づいて、前記加熱手段を自動的に制御する制御手段を
備えることが好ましい。このようになっていると、出力
された厚みデータに対応して加熱手段を制御することに
より、フィルムの全幅、全長さ方向にわたって所望の厚
みに製膜できて都合がよい。

【００１４】前記制御手段は、複数の厚みモニタ装置に
より測定される厚みデータを基に前記各厚みモニタ装置
間の蒸着膜の厚みデータを近似予測する演算手段を備え
ることが好ましい。このようになっていると、測定され
た情報を基に測定点間の厚みを近似予測することから、
制御性は一層向上すると共に、特に少ない厚みモニタ装
置の配置でも精度の良い制御ができて都合がよい。

【００１５】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を、図面を参
照して詳細に説明する。図１は、本実施形態における真
空蒸着装置の概略構造を示す。この真空蒸着装置は、フ
ィルム状の被蒸着材料として、ポリエチレンテレフタレ
−ト（ＰＥＴ）などの高分子フィルムを例に用いた。真
空槽６の巻き出しロール１にセットされた高分子フィル
ム１８は冷却ロール３上を走行し、測定ロール５を通
り、巻き取りロール２で巻き取られる。真空槽６内の真
空度は、油拡散ポンブ（図示略）等からなる排気系１０
により所定の真空度に維持される。尚、図番８は被蒸着
材料上に均一で良好な蒸着膜を形成するための遮蔽板で
ある。

【００１６】真空槽６の底部に、蒸着材料１６を保持す
る保持手段の一例である坩堝９が配置されていて、この
坩堝９は、加熱手段の一例である電子銃４に向かって高
分子フィルム１８の被蒸着面と平衡関係を保ちながら低
速で移動するようになっている。つまり、坩堝９は移動
する高分子フィルムに対して蒸着条件が一定に保たれる
ように、図１の電子銃４に対して接近または離間するこ
とにより、坩堝９内に収納されている蒸着材料を照射す
る電子線の照射条件（電子銃と電子材料との距離など）
ができるだけ一定になるように配置されている。電子銃
４は、坩堝９に収納された蒸着材料１７に対して電子線
１９を照射する。電子線１９により加熱・蒸発された蒸
着材料の一部は、冷却ロール３上を走行する高分子フィ
ルム１８の被蒸着面に蒸着される。

【００１７】次に、真空槽６の上部に配置され、高分子
フィルム１８の表面に蒸着された薄膜の厚みを測定する
ための厚みモニタ装置７について説明する。このモニタ
装置７には、膜構成成分から特性（蛍光）Ｘ線を励起さ
せるためのＸ線発生装置７ａが測定ロール５に対して略
垂直に配置されている。Ｘ線発生装置７ａから、測定ロ
ール５上を走行する蒸着後の高分子フィルム１８に略垂
直に照射されたＸ線により励起された特性Ｘ線の―部
は、測定ロール５表面に対して３０°の角度に配置され
たＳｉ（Ｌｉ）半導体（シリコンを添加したリチウム半
導体）検出器７ｂに導かれる。半導体検出器７ｂでは、
入射する特性Ｘ線のエネルギーに比例した微弱電流パル
スが生じる。この電流パルスは、プリアンプ１１にて電
流パルスの量に比例した電圧パルスに変換される。更
に、アンプ１２によって増幅された後、波高分析器１３
にてエネルギースペクトルが形成される。このエネルギ
ースペクトルに変換された特性Ｘ線強度は、厚み演算器
１４にて各々の元素での厚みに変換された後、制御量演
算器１５に入力される。ここに、前記厚みモニタ装置
７、プリアンプ１１、アンプ１２、波高分析器１３、厚
み演算器１４は、オンライン厚み測定手段を構成する。

【００１８】制御量演算器１５は、予め設定された各元
素の目標とする基準厚みデータと、入力された各々の測
定厚みデータとを比較して偏差値を求める。得られた偏
差値情報に基づいて、電子銃を制御するために制御デー
タが自動的に生成される。この制御データは、電子銃制
御装置１６に送られる。電子銃制御装置１６は、入力さ
れた制御デ−タに従って電子銃４の投入電力と電子線の
走査時間を制御する。ここに、制御量演算器１５、電子
銃制御装置１６は制御手段を構成する。

【００１９】

【実施例】以下に、実際に行った例を示す。

【００２０】（実施例１）蒸着にされる高分子フィルム
１８として、ポリエチレンテレフタレ一ト（ＰＥＴ）フ
ィルム（東洋紡績（株）製、Ｅ５１００：商品名）を用
いた。その他使用可能な高分子フィルムとしては、ポリ
プロピレン、ポリエチレン、ナイロン６、ナイロン６
６、ナイロン１２、ナイロン４、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン等が挙げられるが、高分子フィルムとし
て特に材料に限定されるものではない。

【００２１】蒸着材料（蒸着源）として３〜５ｍｍ程度
の大きさの粒子状をした酸化アルミニウム（Ａｌ₂ ０
₃ 、純度９９．５％）と酸化珪素（ＳｉＯ₂ 、純度９
９．９％）を用いた。これらの材料を保持する一個の坩
堝は銅製であり、底部に外形２０ｍｍΦの冷却用水冷管
２１を設けた構造とした。冷却水の流量は略４ｍ³ であ
る。この坩堝９内には、蒸着材料をフィルム幅方向に対
向して交互１列に配置させるために、２ｍｍ厚みのカー
ボン製しきり板２０を幅方向１００ｍｍ間隔で配置さ
せ、計８ブロックの材料を収納できる構造とした。この
しきり板２０は、後述する電子銃４の電子線１９が各蒸
着材料に入射される角度と略等しい角度に傾斜して配置
されている。しきり板２０によって確保された各ブロッ
クには、前記２種類の蒸着材料を交互に均一に収容し
た。図２、３に、本実施例で用いた坩堝９の概略構造を
示す。

【００２２】電子銃４として、２５０ｋＷのものをフィ
ルム幅方向に平行に配置した坩堝９に対面するように配
置した。この電子銃４により、坩堝内に交互配置された
ＳｉＯ₂ が４ブロック、Ａｌ₂ Ｏ₃ が４ブロックの計８
ブロックの蒸着材料を蒸着させる仕様とした。この実施
例では１台の電子銃を便用したが、坩堝９に投入する総
エネルギー量が１台で確保できない場合や広幅の高分子
フィルムを蒸着する場合などでは、複数の電子銃を使用
して、蒸着領域を分割する方法を採用してもよく、電子
銃の設置台数は特に限定されない。

【００２３】蒸着中の真空槽内圧力は、４×１０^-4Ｐａ
以下を常時確保できるような排気系とした。具体的に
は、５００００Ｌ／秒の油拡散ポンプを真空槽底部に直
接接続する構造にした。尚、蒸着後の混合膜層の厚み
は、測定ロールの略真上で、且つ高分子フィルム１８の
幅方向の中央に配置された厚みモニタ装置７にて連続的
に測定した。

【００２４】次に、厚みモニタ装置７を詳細に説明す
る。まず、ロジウムのＸ線管７ａに４０ｋＶ、５０ｍＡ
の電流を流して、測定ロール５上を走行中のフィルム１
８に垂直に一次Ｘ線を照射した。この場合、フィルム１
８上の蒸着膜に照射されるＸ線は、コリメートされた３
０ｍｍφの光束である。このＸ線により励起された特性
（蛍光）Ｘ線の一部は、混合膜の測定位置から略等距離
にあり、且つ測定ロール面５に対して略３０゜の入射角
度で配置された半導体検出器７ｂに導かれる。半導体検
出器７ｂはＳｉとＡｌの元素成分の特性エネルギ−強度
を受けると微弱電流を出力し、電圧値（０〜５Ｖ）に変
換された後、Ａ／Ｄ変換器（図示略）にて１２ビットの
デジタル信号に変換され出力される。尚、本実施例では
半導体検出器をＳｉ（Ｌｉ）半導体検出器としたが、Ｇ
ｅ（Ｌｉ）半導体検出器や高純度Ｇｅ半導体検出器また
は高純度Ｓｉ半導体検出器を使用しても良く、特に半導
体の組成を限定するものではない。但し、エネルギー分
布が均衡しているＳｉとＡｌのような元素の厚みを測定
する場合に、エネルギー分解能の高いＳｉ（Ｌｉ）半導
体検出器を用いることが好ましい。

【００２５】その他の特性Ｘ線の検出方法として比例計
数管等を用いる方法があるが、これらは、事前に特性Ｘ
線波長を対象元素に依存する波長に絞るための結晶分光
板が必要となることや、抽出する元素の数だけ分光結晶
板と比例係数菅が必要となるため、装置が大掛かりにな
るという問題がある。

【００２６】波高分析器１３に入力されたデジタル信号
は、横軸がエネルギー、縦軸が計数値（強度）のエネル
ギースペクトルに変換される。このスペクトルデータか
ら、Ｓｉのエネルギーである１．８４ｋｅＶの強度とＡ
ｌのエネルギーである１．５６ｋｅＶの強度を求めて厚
み演算器１４にて各々の厚みに換算した。尚、換算法は
厚みが既知である複数の蒸着サンプルでの蒸着膜厚とＸ
線強度の検量線を事前に作成しておき、この検量線に基
づいて厚みデータに変換する方法を採用した。

【００２７】厚みモニタ装置７は、フィルムの幅方向で
は各蒸着材料の略真上に配置できるように、干鳥状に２
列に計８台を配置した。その配置例を図６（ａ）に示
す。各厚みモニタ装置７の幅方向の間隔は、１００ｍｍ
である。尚、千鳥配置の間隔、配列数および台数など
は、蒸着フィルムの幅寸法や蒸着薄膜の要求品質に基づ
いて決定すれば良く、特に限定されるものではない。

【００２８】厚み演算器１４で演算されて出力された厚
みデータは、制御量演算器１５に送られる。ここでは、
厚みデータに基づいて電子銃の投入電力量と電子線の滞
在時間が計算される。これらの制御データは、実験にて
求められる各々の坩堝での蒸発速度（蒸着厚みに相当）
と投入エネルギーとの関係式を基に計算した。図４は、
坩堝９での投入エネルギ−とフィルム堆積厚みとの関係
を表した結果である。図中、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４は
坩堝中のＡｌ₂ Ｏ₃ の各位置を示し、Ｓ１、Ｓ２、Ｓ
３、Ｓ４は坩堝中のＳｉＯ₂ の各位置を示すもので、交
互に異なる成分が隣接して、フィルムの幅方向に対向す
るように順次配置されている。図４から判るように、現
在の厚みと目標値との偏差値に相当するエネルギ−量を
現在値に加算または減算して出力することにより、目的
の厚み及び組成比に制御できる。但し、こらの材料に投
入されるエネルギーは、同じ電子銃４から照射される電
子線１９が源であるため、実際は電子線の滞在時間を各
々の坩堝に対して変化させることにより各材料へ投入さ
れるエネルギーを分配できる。これらの関係式を次に示
す。

【００２９】ｔａ_n ＝［Ｐａ_n ／（ΣＰａ＋ΣＰｓ）］
×ｔ０ここに、ｔａ_n ：酸化アルミニウム・ブロックｎでの電子線走査
時間Ｐａ_n ：酸化アルミニウム・ブロックｎに投入するエネ
ルギー量 ΣＰａ：計４ブロックの酸化アルミニウムに投入する総
エネルギ量 ΣＰｓ：計４ブロックの酸化珪素に投入する総エネルギ
ー量ｔ０：ハードウェアーに依存する時間定数（ｍｓ：ミ
リセカンド）各蒸着ブロックから蒸発するガスの分布は、坩堝中の各
蒸着材料の蒸発特性を示す図５の３１（酸化珪素・ブロ
ックからの蒸発成分）、３２（酸化アルミニウムーブロ
ックからの蒸発成分）に示すように、真上が最も強度が
高く、横に広がる程、強度が低下する分布を示す。この
分布強度および形状は、電子ビ−ムの強度、電子線が入
射される角度、電子銃と坩堝までの距離および蒸発面積
に主に依存する。従って、薄膜を形成するフィルムの幅
方向および走行方向に組成比が同じで、且つ目標とする
総厚みが均一な膜を形成させるためには、蒸着材料の配
置が最も重要である。本実施例における材料の配置は、
図２、３に示す通りであり、電子銃と最も近い坩堝表面
までの距離を１０００ｍｍとした。尚、図中Ａ、Ｓは夫
々Ａｌ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ が収納されていることを示す。

【００３０】蒸着材料は、図３に示す薄いしきり板２０
で材料を分割して配置し、前述した条件にて高分子フィ
ルム１８の蒸着を行った。フィルムの走行速度は３００
ｍ／分であり、計４０，０００ｍを蒸着した。坩堝は、
電子銃方向に向かって２ｍｍ／分の速度で移動させた
（駆動装置は図示略）。自動制御の効果を確認するため
に自動制御を行った場合と、モニタ装置のみ動作状態と
して制御系を切り離した場合とを比較した。尚、自動制
御の制御周期は３０秒とした。その結果を表１に示す。
自動制御を行わない場合には、総厚み変動および組成比
変動が大きいのに対して、自動制御を行うと、非常に安
定な膜が形成されることが判る。

【００３１】（実施例２）厚みモニタ装置７を、フィル
ム幅方向に一列に等間隔に計４台配置した。配置例を図
６（ｂ）に示す。各モニタ装置７の幅方向の間隔は、２
００ｍｍである。本実施例では、実施例１のように各蒸
着材料真上の蒸着膜の厚みすべては計測できない。この
課題を解決するために、測定データを基にその間の厚み
を直線近似にて予測して各坩堝を制御する方法を実施し
た。尚、本実施例では近似予測手段を一次式にて行った
が、測定点が多い場含には多項式による近似などでも良
く、特に限定するものではない。その他の実施条件は、
実施例１と同じである。

【００３２】自動制御の効果を確認するために自動制御
を行った場合と、厚みモニタ装置のみ動作状態として制
御系を切り離した場合とを比較した。尚、自動制御の制
御周期は３０秒とした。その結果を表１に示す。自動制
御を行わない場合には総厚み変動および組成比変動が大
きいのに対して、自動制御を行うと、非常に安定な膜が
形成されることが判る。

【００３３】

【表１】〔別実施の形態〕（１）上記実施形態では、真空槽としていわゆる１チャ
ンバー式を用いた例を示したが、フィルム等の被蒸着材
料を走行する室と蒸着材料を加熱する室とを異なる減圧
状態にして真空蒸着を行う、いわゆる２チャンバー式の
装置にも、本発明を適用できる。

【００３４】（２）上記実施形態では、被蒸着材料の巻
き出しロール及び巻き取りロールを真空槽内に配置した
例を示したが、巻き出しロール及び巻き取りロールを蒸
着する真空槽外に配置し、蒸着を高真空槽内で行う連続
方式の装置にも適用できる。

【００３５】（３）上記実施形態では、フィルム状の被
蒸着材料として高分子フィルムを例に挙げたが、被蒸着
材料としては紙、布などでもよい。又、蒸着材料とし
て、上記した酸化アルミニウムと酸化珪素以外に、種々
の元素、化合物を使用することができ、更に２種以上の
蒸着材料を用いて２種以上の元素または成分からなる混
合膜を形成するようにしても良い。

【００３６】（４）上記実施形態では加熱手段を電子銃
としたが、坩堝を誘導加熱コイルにより加熱する蒸着装
置にも適用できる。

【００３７】

【発明の効果】上述したように、本発明によれば走行中
のフィルム表面に異なる元素の混合膜の組成比および目
標厚みを有する混合膜を、フィルム幅方向および走行方
向に対して長時間連続的に、且つ均一に安定して形成で
きる真空蒸着装置を提供できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る真空蒸着装置の概略
全体構成図

【図２】本発明の一実施形態に係る真空蒸着裴置に用い
る坩堝とその配置を説明する図

【図３】図２の坩堝の構造を説明する図

【図４】坩堝投入エネルギー量とフィルム蒸着速度との
関係を説明するグラフ

【図５】各蒸着材料ブロックの蒸着特性を説明するグラ
フ

【図６】モニタ装置の配置方法を説明する図

【符号の説明】

４加熱手段６真空槽７厚みモニタ装置７ａＸ線照射手段７ｂ半導体検出器９保持手段１５，１６制御手段１８フィルム

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者大嶋司滋賀県大津市堅田二丁目１番１号東洋紡績株式会社総合研究所内 (72)発明者伊関清司滋賀県大津市堅田二丁目１番１号東洋紡績株式会社総合研究所内Ｆターム(参考） 2F067 AA27 BB12 CC08 HH04 KK01 LL02 LL15 LL19 NN03 QQ01 2G001 AA01 BA04 CA01 EA03 GA01 KA01 KA09 LA20 MA05 NA18 4K029 AA11 AA25 CA01 DB21 EA01 EA09

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】真空槽内を走行するフィルムに異なる元
素からなる混合膜を形成する真空蒸着装置において、異
なる種類の蒸着材料を保持可能な保持手段と、前記蒸着
材料を加熱して蒸着させる加熱手段と、この加熱手段に
よ形成された前記フィルム上の混合膜にＸ線を照射する
Ｘ線照射手段と、このＸ線照射手段により励起された特
性Ｘ線の強度を測定する半導体検出器と、前記混合膜の
各成分毎の厚みデータを出力する測定手段とを備えるこ
とを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】前記Ｘ線照射手段により照射されるＸ線
は、前記混合膜に対して略垂直に照射される請求項１の
真空蒸着装置。
【請求項３】少なくとも前記Ｘ線照射手段および前記
検出器からなる厚みモニタ装置が、前記フィルム幅方向
に略等間隔で千鳥状に配置される請求項１又は２の真空
蒸着装置。
【請求項４】少なくとも前記Ｘ線照射手段および前記
検出器からなる厚みモニタ装置が、前記フィルム幅方向
に一列に略等間隔で配置される請求項１又２の真空蒸着
装置。
【請求項５】更に、前記測定手段にて出力された厚み
データに基づいて、前記加熱手段を自動的に制御する制
御手段を備える請求項１〜４のいずれか１の真空蒸着装
置。
【請求項６】前記制御手段は、複数の厚みモニタ装置
により測定される厚みデータを基に前記各厚みモニタ装
置間の蒸着膜の厚みデータを近似予測する演算手段を備
える請求項５の真空蒸看装置。