JP2000219596A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 目的とする不純物分布や組成比の気相成長膜
を再現性よく成長させる気相成長方法を提供する 【解決手段】 (a) 複数の原料ガス源１１，１２，１３
と、(b) それぞれのガス源に一端が接続された複数の原
料配管２１，２２，２３と、(c) それぞれの原料配管の
他端が接続され、原料ガスを成長室６０と排気系７０に
切り替える切り替えバルブ３１，３２，３３，４１，４
２，４３とを有する装置を用い、(d) 原料配管と切り替
えバルブを介して原料ガスを成長室６０に導入すること
で気相成長を開始し、気相成長を行う気相成長方法にお
いて、(e) 気相成長時よりも多い流量の原料ガスを少な
くとも１つの原料配管２１，２２，２３に流した後に気
相成長を開始するものである。
を再現性よく成長させる気相成長方法を提供する 【解決手段】 (a) 複数の原料ガス源１１，１２，１３
と、(b) それぞれのガス源に一端が接続された複数の原
料配管２１，２２，２３と、(c) それぞれの原料配管の
他端が接続され、原料ガスを成長室６０と排気系７０に
切り替える切り替えバルブ３１，３２，３３，４１，４
２，４３とを有する装置を用い、(d) 原料配管と切り替
えバルブを介して原料ガスを成長室６０に導入すること
で気相成長を開始し、気相成長を行う気相成長方法にお
いて、(e) 気相成長時よりも多い流量の原料ガスを少な
くとも１つの原料配管２１，２２，２３に流した後に気
相成長を開始するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】半導体装置に用いられる半導体薄
膜のエピタキシャル成長などに用いられる気相成長法に
関する。
膜のエピタキシャル成長などに用いられる気相成長法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】気相成長法として、有機金属化合物のガ
スを原料として用いるＭＯＣＶＤ法は、III-V族化合物
半導体などのエピタキシャル膜（以下、エピ膜ともい
う）の成長に多く用いられている。
スを原料として用いるＭＯＣＶＤ法は、III-V族化合物
半導体などのエピタキシャル膜（以下、エピ膜ともい
う）の成長に多く用いられている。
【０００３】従来例として、図１に示す気相成長装置に
よるＧａＡｓ基板上へのｎ型ＧａＡｓエピ膜の気相成長
を説明する。ｎ型ＧａＡｓの原料ガスは、Ｇａ源として
はトリメチルガリウムなどのアルキルガリウムを、Ａｓ
源としてはアルシンを、不純物ドーピングのためのＳｉ
源としてはシラン化合物を用いる。これらの原料ガス
は、それぞれの原料ガス源１１，１２，１３から、原料
配管２１，２２，２３、成長室側バルブ３１，３２，３
３を経て、各原料ガスが混合されて、成長室６０に導入
される。原料ガスの導入により成長を開始し、成長室６
０内のＧａＡｓ基板６１上にｎ型ＧａＡｓエピ膜が成長
する。この際の原料ガス源１１，１２，１３からの流量
は、流量制御装置５１，５２，５３により設定される。
よるＧａＡｓ基板上へのｎ型ＧａＡｓエピ膜の気相成長
を説明する。ｎ型ＧａＡｓの原料ガスは、Ｇａ源として
はトリメチルガリウムなどのアルキルガリウムを、Ａｓ
源としてはアルシンを、不純物ドーピングのためのＳｉ
源としてはシラン化合物を用いる。これらの原料ガス
は、それぞれの原料ガス源１１，１２，１３から、原料
配管２１，２２，２３、成長室側バルブ３１，３２，３
３を経て、各原料ガスが混合されて、成長室６０に導入
される。原料ガスの導入により成長を開始し、成長室６
０内のＧａＡｓ基板６１上にｎ型ＧａＡｓエピ膜が成長
する。この際の原料ガス源１１，１２，１３からの流量
は、流量制御装置５１，５２，５３により設定される。
【０００４】エピ膜成長時の不純物による汚染を防ぎ、
安定した成長を行うために、通常、成長前に水素ガスで
置換した原料配管２１，２２，２３および流量制御装置
５１，５２，５３に、成長時と同流量の原料ガスを流
し、成長室側バルブ３１，３２，３３を閉じ、排気側バ
ルブ４１，４２，４３を開くことにより、これらのガス
を排気系７０へバイパスしている。そして、バルブを切
り替え、成長室側バルブ３１，３２，３３を開き、排気
側バルブ４１，４２，４３を閉じることにより、原料ガ
スを成長室６０側に切り替え、成長を開始する。
安定した成長を行うために、通常、成長前に水素ガスで
置換した原料配管２１，２２，２３および流量制御装置
５１，５２，５３に、成長時と同流量の原料ガスを流
し、成長室側バルブ３１，３２，３３を閉じ、排気側バ
ルブ４１，４２，４３を開くことにより、これらのガス
を排気系７０へバイパスしている。そして、バルブを切
り替え、成長室側バルブ３１，３２，３３を開き、排気
側バルブ４１，４２，４３を閉じることにより、原料ガ
スを成長室６０側に切り替え、成長を開始する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、成長膜の組成
が目的のものにならないため、必要とする組成比や不純
物ドーピングプロファイルが得られない場合がある。特
に、エピ膜中の不純物のドーピング濃度や、その深さ方
向の分布は、半導体装置の性能・特性に大きな影響を与
える。この不純物ドーピングは、その原料ガスの流量に
より制御しているが、一定流量の原料ガスを流しても同
一の不純物濃度分布が得られないことがある。
が目的のものにならないため、必要とする組成比や不純
物ドーピングプロファイルが得られない場合がある。特
に、エピ膜中の不純物のドーピング濃度や、その深さ方
向の分布は、半導体装置の性能・特性に大きな影響を与
える。この不純物ドーピングは、その原料ガスの流量に
より制御しているが、一定流量の原料ガスを流しても同
一の不純物濃度分布が得られないことがある。
【０００６】本発明の目的は、目的とする不純物分布や
組成比の気相成長膜を再現性よく成長させる気相成長方
法を提供するものである。
組成比の気相成長膜を再現性よく成長させる気相成長方
法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、このような
課題を詳細に検討したところ、原料ガスの配管内壁への
吸着などにより、成長時の原料ガス流量に比べて配管の
容積が大きい場合などに、再現性が低下していることを
見いだした。そこで、気相成長開始時に原料ガスを確実
に供給する方法を検討し、その結果、本発明に想到し
た。
課題を詳細に検討したところ、原料ガスの配管内壁への
吸着などにより、成長時の原料ガス流量に比べて配管の
容積が大きい場合などに、再現性が低下していることを
見いだした。そこで、気相成長開始時に原料ガスを確実
に供給する方法を検討し、その結果、本発明に想到し
た。
【０００８】本発明による気相成長方法は、(a) 複数の
原料ガス源と、(b) それぞれのガス源に一端が接続され
た複数の原料配管と、(c) それぞれの原料配管の他端が
接続され、原料ガスを成長室と排気系に切り替える切り
替えバルブとを有する装置を用い、(d) 原料配管と切り
替えバルブを介して原料ガスを成長室に導入することで
気相成長を開始し、気相成長を行う気相成長方法におい
て、(e) 気相成長時よりも多い流量の原料ガスを少なく
とも１つの原料配管に流した後に気相成長を開始するも
のである。
原料ガス源と、(b) それぞれのガス源に一端が接続され
た複数の原料配管と、(c) それぞれの原料配管の他端が
接続され、原料ガスを成長室と排気系に切り替える切り
替えバルブとを有する装置を用い、(d) 原料配管と切り
替えバルブを介して原料ガスを成長室に導入することで
気相成長を開始し、気相成長を行う気相成長方法におい
て、(e) 気相成長時よりも多い流量の原料ガスを少なく
とも１つの原料配管に流した後に気相成長を開始するも
のである。
【０００９】特に、成長開始前に原料配管を真空とし、
その後、気相成長時よりも多い流量の原料ガスを少なく
とも１つの原料配管に流した後に成長を開始することが
好ましい。
その後、気相成長時よりも多い流量の原料ガスを少なく
とも１つの原料配管に流した後に成長を開始することが
好ましい。
【００１０】
【発明の作用・効果】気相成長時の流量よりも多い流量
の原料ガスを原料配管に流した後に成長を開始するもの
であるため、原料ガス成分の配管内への吸着による原料
ガス濃度低下の影響を受けることなく、また、原料配管
中を原料ガスで置換する時間が短時間であっても、成長
時に所定の原料ガス濃度に設定できる。このため、短い
作業時間で、再現性のよい気相成長が可能となる。
の原料ガスを原料配管に流した後に成長を開始するもの
であるため、原料ガス成分の配管内への吸着による原料
ガス濃度低下の影響を受けることなく、また、原料配管
中を原料ガスで置換する時間が短時間であっても、成長
時に所定の原料ガス濃度に設定できる。このため、短い
作業時間で、再現性のよい気相成長が可能となる。
【００１１】
【好ましい実施の形態】[原料ガス源] 本発明における
原料ガス源は、気相成長の原料となる原料ガスを供給す
る手段であり、ガスボンベ、液状の原料を気化させるバ
ブラーなどが用いられる。通常、成長させる化合物に含
まれる元素に対応した数の原料ガス源が用意される。II
I-V族化合物半導体薄膜を成長させる場合には、薄膜の
特性を向上するため、III族元素源としてアルキル化金
属などの有機金属化合物を用いることが好ましい。ま
た、半導体膜を成長する場合には、Si、Ga、In、As、P
などの半導体を構成する元素と、ドーパントといわれる
半導体型を制御する微量の元素が用いられる。
原料ガス源は、気相成長の原料となる原料ガスを供給す
る手段であり、ガスボンベ、液状の原料を気化させるバ
ブラーなどが用いられる。通常、成長させる化合物に含
まれる元素に対応した数の原料ガス源が用意される。II
I-V族化合物半導体薄膜を成長させる場合には、薄膜の
特性を向上するため、III族元素源としてアルキル化金
属などの有機金属化合物を用いることが好ましい。ま
た、半導体膜を成長する場合には、Si、Ga、In、As、P
などの半導体を構成する元素と、ドーパントといわれる
半導体型を制御する微量の元素が用いられる。
【００１２】[原料配管] 本発明における原料配管は、
原料ガス源と切り替えバルブの間の配管であり、原料ガ
ス源以降にある流量制御装置（マスフローコントロー
ラ）、水素導入バルブなどの配管部分をも含む。通常
は、原料配管の数は、原料ガス源の数と同じである。
原料ガス源と切り替えバルブの間の配管であり、原料ガ
ス源以降にある流量制御装置（マスフローコントロー
ラ）、水素導入バルブなどの配管部分をも含む。通常
は、原料配管の数は、原料ガス源の数と同じである。
【００１３】[切り替えバルブ] 本発明における切り替
えバルブは、原料ガスを成長室と排気系に切り替えるこ
とにより、原料の供給により気相成長を制御する手段で
ある。切り替えバルブは、原料配管に対応して（したが
って、通常は原料元素に対応して）設けられており、主
成分となる原料ガスを切り替えることで気相成長を開始
・停止できる。切り替えバルブは、通常、成長室の近傍
に設けられており、これにより、成長の開始・停止によ
らず、原料ガス源から一定状態で原料を安定に供給する
ことができる。切り替えバルブは、成長室へのバルブ
と、排気系へのバルブとの２つを組み合わせて構成され
ていてもよい。
えバルブは、原料ガスを成長室と排気系に切り替えるこ
とにより、原料の供給により気相成長を制御する手段で
ある。切り替えバルブは、原料配管に対応して（したが
って、通常は原料元素に対応して）設けられており、主
成分となる原料ガスを切り替えることで気相成長を開始
・停止できる。切り替えバルブは、通常、成長室の近傍
に設けられており、これにより、成長の開始・停止によ
らず、原料ガス源から一定状態で原料を安定に供給する
ことができる。切り替えバルブは、成長室へのバルブ
と、排気系へのバルブとの２つを組み合わせて構成され
ていてもよい。
【００１４】切り替えバブルから成長室に切り替えられ
た原料ガスは、通常、混合された後に成長室に導入され
る。半導体エピタキシャル成長の場合、成長室には、加
熱された基板が配置される。成長時には成長室内から排
気系へ、原料ガスの反応生成物や未反応の原料ガスが導
出される。この導出のために排気系が設けられている。
排気系は、通常、真空ポンプなどにより排気ガスを吸引
している。気相成長開始前には、原料ガスは成長室を経
由せずに切り替えバルブから直接に排気系へ吸引され
る。
た原料ガスは、通常、混合された後に成長室に導入され
る。半導体エピタキシャル成長の場合、成長室には、加
熱された基板が配置される。成長時には成長室内から排
気系へ、原料ガスの反応生成物や未反応の原料ガスが導
出される。この導出のために排気系が設けられている。
排気系は、通常、真空ポンプなどにより排気ガスを吸引
している。気相成長開始前には、原料ガスは成長室を経
由せずに切り替えバルブから直接に排気系へ吸引され
る。
【００１５】[成長開始直前の原料配管流量] 本発明
は、気相成長時よりも多い流量の原料ガスを原料配管に
流した後に気相成長を開始するものである。この流量と
しては、充分に多い流量、具体的には、成長時流量の５
倍以上、特には、１０倍から１００倍が好ましい。特
に、原料配管内の容量の１．５倍以上、特には２倍から
１０倍の容積となる時間流した後、成長時の流量に設定
して、すぐに気相成長を開始することが好ましい。
は、気相成長時よりも多い流量の原料ガスを原料配管に
流した後に気相成長を開始するものである。この流量と
しては、充分に多い流量、具体的には、成長時流量の５
倍以上、特には、１０倍から１００倍が好ましい。特
に、原料配管内の容量の１．５倍以上、特には２倍から
１０倍の容積となる時間流した後、成長時の流量に設定
して、すぐに気相成長を開始することが好ましい。
【００１６】対象となる原料配管としては、ドーパント
などの低濃度でかつ流量が少ない配管での効果が大き
い。例えば、原料ガス濃度が１０００ppm以下、特には
１００ppm以下であり、原料配管内の容積を成長時のガ
ス流量で割った値が１０分以上、特には２０〜２０００
分である場合に効果が顕著である。
などの低濃度でかつ流量が少ない配管での効果が大き
い。例えば、原料ガス濃度が１０００ppm以下、特には
１００ppm以下であり、原料配管内の容積を成長時のガ
ス流量で割った値が１０分以上、特には２０〜２０００
分である場合に効果が顕著である。
【００１７】気相成長前に、多い流量の原料ガスを原料
配管に流す方法としては、原料配管の流量を制御してい
るマスフローコントローラの流量値の設定を変更するこ
とが容易であるが、原料ガス源からの配管を別に設けて
流量を増すなどの方法もある。
配管に流す方法としては、原料配管の流量を制御してい
るマスフローコントローラの流量値の設定を変更するこ
とが容易であるが、原料ガス源からの配管を別に設けて
流量を増すなどの方法もある。
【００１８】[原料配管の真空化] 本発明では、成長開
始前に原料配管を真空とし、その後、特にはその直後
に、気相成長時よりも多い流量の原料ガスを原料配管に
流した後に成長を開始することが好ましい。原料配管を
真空とした場合の管内の圧力は、成長時の２分の１以
下、特には１０分の１以下とすることが好ましい。
始前に原料配管を真空とし、その後、特にはその直後
に、気相成長時よりも多い流量の原料ガスを原料配管に
流した後に成長を開始することが好ましい。原料配管を
真空とした場合の管内の圧力は、成長時の２分の１以
下、特には１０分の１以下とすることが好ましい。
【００１９】排気系が真空ポンプなどの減圧手段を備え
ている場合、原料ガス源からのガス供給をなくし、切り
替えバルブを介して排気することで、原料配管を真空に
することで、簡便に原料配管を真空にできる。また、排
気系とは別に真空ポンプなどの減圧手段を設けて原料配
管を真空としてもよい。
ている場合、原料ガス源からのガス供給をなくし、切り
替えバルブを介して排気することで、原料配管を真空に
することで、簡便に原料配管を真空にできる。また、排
気系とは別に真空ポンプなどの減圧手段を設けて原料配
管を真空としてもよい。
【００２０】
【実施例】以下、減圧ＭＯＣＶＤ法によりＧａＡｓ基板
上のｎ型ＧａＡｓエピタキシャル層を気相成長する場合
を実施例として、本発明を具体的に説明するが、本発明
はこの実施例に何ら限定されるものではない。
上のｎ型ＧａＡｓエピタキシャル層を気相成長する場合
を実施例として、本発明を具体的に説明するが、本発明
はこの実施例に何ら限定されるものではない。
【００２１】先ず、図１を用いて減圧ＭＯＣＶＤ法によ
る気相成長を説明する。原料化合物としては、トリメチ
ルガリウム、アルシン、ジシランを用いた。トリメチル
ガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）３）は、バブラー１１から成
長時には５００ｃｃ/分の流量が供給される。バブラー
１１では、トリメチルガリウムが密閉容器に収められ、
水素でバブリングされる。供給される流量は、バブラー
１１へ供給される水素量を流量制御装置５１で制御する
ことで設定している。
る気相成長を説明する。原料化合物としては、トリメチ
ルガリウム、アルシン、ジシランを用いた。トリメチル
ガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）３）は、バブラー１１から成
長時には５００ｃｃ/分の流量が供給される。バブラー
１１では、トリメチルガリウムが密閉容器に収められ、
水素でバブリングされる。供給される流量は、バブラー
１１へ供給される水素量を流量制御装置５１で制御する
ことで設定している。
【００２２】アルシン（ＡｓＨ３）は、１００％濃度の
ガスがアルシンボンベ１２から供給され、成長時の流量
は５００ｃｃ/分である。ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）は、
水素で１０ｐｐｍに希釈したガスがジシランボンベ１３
から供給され、成長時の流量は４ｃｃ/分である。アル
シンとジシランの流量は、原料配管２２，２３の途中に
設けられた流量制御装置５２，５３で設定している。原
料ガスは、原料配管２１，２２，２３を経て、成長室側
バルブ３１，３２，３３および排気側バルブ４１，４
２，４３の一端にそれぞれ供給される。原料配管２１，
２２，２３は、それぞれ長さ６ｍ、内径４．５ｍｍであ
り、内容積は約１００ｃｃである。
ガスがアルシンボンベ１２から供給され、成長時の流量
は５００ｃｃ/分である。ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）は、
水素で１０ｐｐｍに希釈したガスがジシランボンベ１３
から供給され、成長時の流量は４ｃｃ/分である。アル
シンとジシランの流量は、原料配管２２，２３の途中に
設けられた流量制御装置５２，５３で設定している。原
料ガスは、原料配管２１，２２，２３を経て、成長室側
バルブ３１，３２，３３および排気側バルブ４１，４
２，４３の一端にそれぞれ供給される。原料配管２１，
２２，２３は、それぞれ長さ６ｍ、内径４．５ｍｍであ
り、内容積は約１００ｃｃである。
【００２３】成長室側バルブ３１，３２，３３を開き、
排気側バルブ４１，４２，４３を閉じることにより、原
料ガスを供給配管６２から成長室６０に供給することで
成長を開始する。成長室６０内には、ＧａＡｓ基板６１
が置かれており、その上にｎ型ＧａＡｓエピ膜を成長す
る。ｎ型ＧａＡｓエピ膜は、厚さ０．５μｍ、不純物濃
度１０１６／ｃｍ３を目標とする。ＧａＡｓ基板６１
は、５００〜８００℃にランプヒータ６３で加熱され
る。成長室６０内は、２０〜１００ｔｏｒｒの圧力とな
るように排気系７０により排気されている。排気系７０
は、ロータリーポンプ７１で吸引されており、その排気
は除外装置７２で処理される。
排気側バルブ４１，４２，４３を閉じることにより、原
料ガスを供給配管６２から成長室６０に供給することで
成長を開始する。成長室６０内には、ＧａＡｓ基板６１
が置かれており、その上にｎ型ＧａＡｓエピ膜を成長す
る。ｎ型ＧａＡｓエピ膜は、厚さ０．５μｍ、不純物濃
度１０１６／ｃｍ３を目標とする。ＧａＡｓ基板６１
は、５００〜８００℃にランプヒータ６３で加熱され
る。成長室６０内は、２０〜１００ｔｏｒｒの圧力とな
るように排気系７０により排気されている。排気系７０
は、ロータリーポンプ７１で吸引されており、その排気
は除外装置７２で処理される。
【００２４】[成長例１]（比較例） 原料配管２１，２２，２３、成長室６０内などを水素ガ
スで置換してある状態から、成長室側バルブ３１，３
２，３３を閉じ、排気側バルブ４１，４２，４３を開く
ことにより原料ガスを排気側に切り替え、気相成長時の
流量で原料ガスを４０分間流す。その後、成長室側バル
ブ３１，３２，３３を開き、排気側バルブ４１，４２，
４３を閉じることにより原料ガスを成長室側に切り替え
て、気相成長を開始した。これにより得られたｎ型Ｇａ
Ａｓエピ膜のドーピングプロファイルを図２に示す。成
長開始当初は目的とする不純物濃度が得られていないこ
とがわかる。
スで置換してある状態から、成長室側バルブ３１，３
２，３３を閉じ、排気側バルブ４１，４２，４３を開く
ことにより原料ガスを排気側に切り替え、気相成長時の
流量で原料ガスを４０分間流す。その後、成長室側バル
ブ３１，３２，３３を開き、排気側バルブ４１，４２，
４３を閉じることにより原料ガスを成長室側に切り替え
て、気相成長を開始した。これにより得られたｎ型Ｇａ
Ａｓエピ膜のドーピングプロファイルを図２に示す。成
長開始当初は目的とする不純物濃度が得られていないこ
とがわかる。
【００２５】[成長例２]（実施例１） 原料配管２１，２２，２３、成長室６０内などを水素ガ
スで置換してある状態から、ジシランボンベ１３を閉じ
てジシランガス原料の供給を中止したまま、ジシランガ
スの原料配管２３の切り替えバルブである成長室側バル
ブ３３を閉じ、排気側バルブ４３を開き、排気系７０に
より原料配管２３内を０．０１ｔｏｒｒの真空状態にす
る。その後、成長室側バルブ３１，３２，３３を閉じ、
排気側バルブ４１，４２，４３を開いた状態で、ジシラ
ンガスの供給を開始して５０ｃｃ／分の流量で、また、
他の原料ガスは気相成長時と同じ流量で５分間流す。そ
して、ジシランガスの流量を気相成長時の流量である４
ｃｃ／分として、直ちに成長室側バルブ３１，３２，３
３を開き、排気側バルブ４１，４２，４３を閉じること
により成長を開始した。これにより得られたｎ型ＧａＡ
ｓエピ膜のドーピングプロファイルを図３に示す。成長
開始当初から目的とする不純物濃度が得られていること
がわかる。
スで置換してある状態から、ジシランボンベ１３を閉じ
てジシランガス原料の供給を中止したまま、ジシランガ
スの原料配管２３の切り替えバルブである成長室側バル
ブ３３を閉じ、排気側バルブ４３を開き、排気系７０に
より原料配管２３内を０．０１ｔｏｒｒの真空状態にす
る。その後、成長室側バルブ３１，３２，３３を閉じ、
排気側バルブ４１，４２，４３を開いた状態で、ジシラ
ンガスの供給を開始して５０ｃｃ／分の流量で、また、
他の原料ガスは気相成長時と同じ流量で５分間流す。そ
して、ジシランガスの流量を気相成長時の流量である４
ｃｃ／分として、直ちに成長室側バルブ３１，３２，３
３を開き、排気側バルブ４１，４２，４３を閉じること
により成長を開始した。これにより得られたｎ型ＧａＡ
ｓエピ膜のドーピングプロファイルを図３に示す。成長
開始当初から目的とする不純物濃度が得られていること
がわかる。
【００２６】[成長例３]（実施例２） 原料配管２１，２２，２３、成長室６０内などを水素ガ
スで置換してある状態から、成長室側バルブ３１，３
２，３３を閉じ、排気側バルブ４１，４２，４３を開い
た状態で、ジシランガスの供給を開始して５０ｃｃ／分
の流量で、また、他の原料ガスは気相成長時と同じ流量
で５分間流す。そして、ジシランガスの流量を気相成長
時の流量である４ｃｃ／分として、直ちに成長室側バル
ブ３１，３２，３３を開き、排気側バルブ４１，４２，
４３を閉じることにより成長を開始した。これにより得
られたｎ型ＧａＡｓエピ膜のドーピングプロファイルは
図３と同じであった。成長開始当初から目的とする不純
物濃度が得られていることがわかる。
スで置換してある状態から、成長室側バルブ３１，３
２，３３を閉じ、排気側バルブ４１，４２，４３を開い
た状態で、ジシランガスの供給を開始して５０ｃｃ／分
の流量で、また、他の原料ガスは気相成長時と同じ流量
で５分間流す。そして、ジシランガスの流量を気相成長
時の流量である４ｃｃ／分として、直ちに成長室側バル
ブ３１，３２，３３を開き、排気側バルブ４１，４２，
４３を閉じることにより成長を開始した。これにより得
られたｎ型ＧａＡｓエピ膜のドーピングプロファイルは
図３と同じであった。成長開始当初から目的とする不純
物濃度が得られていることがわかる。
【図１】 実施例で用いた気相成長装置を説明するため
の図
の図
【図２】 成長例１（比較例）によるエピ膜のドーピン
グプロファイルを示す図
グプロファイルを示す図
【図３】 成長例２、３（実施例）によるエピ膜のドー
ピングプロファイルを示す図
ピングプロファイルを示す図
１１ バブラー １２ アルシンボンベ １３ ジシランボンベ ２１，２２，２３ 原料配管 ３１，３２，３３ 成長室側バルブ ４１，４２，４３ 排気側バルブ ５１，５２，５３ 流量制御装置 ６０ 成長室 ６１ ＧａＡｓ基板 ６２ 供給配管 ６３ ランプヒータ ７０ 排気系 ７１ ロータリーポンプ ７２ 除外装置
Claims (2)
- 【請求項１】(a) 複数の原料ガス源と、(b) それぞれの
ガス源に一端が接続された複数の原料配管と、(c) それ
ぞれの原料配管の他端が接続され、原料ガスを成長室と
排気系に切り替える切り替えバルブとを有する装置を用
い、(d) 原料配管と切り替えバルブを介して原料ガスを
成長室に導入することで気相成長を開始し、気相成長を
行う気相成長方法において、(e) 気相成長時よりも多い
流量の原料ガスを少なくとも１つの原料配管に流した後
に気相成長を開始する気相成長方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の気相成長方法において、 成長開始前に原料配管を真空とし、その後、気相成長時
よりも多い流量の原料ガスを少なくとも１つの原料配管
に流した後に成長を開始する請求項１記載の気相成長方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02110199A JP4368443B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 気相成長方法 |
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| JP02110199A JP4368443B2 (ja) | 1999-01-29 | 1999-01-29 | 気相成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000219596A true JP2000219596A (ja) | 2000-08-08 |
| JP4368443B2 JP4368443B2 (ja) | 2009-11-18 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| JP (1) | JP4368443B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013118260A1 (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | 岩谷産業株式会社 | 三フッ化塩素使用装置での三フッ化塩素供給路の内面処理方法 |
| CN113174637A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-27 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 一种长晶炉气体供送装置 |
-
1999
- 1999-01-29 JP JP02110199A patent/JP4368443B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2013118260A1 (ja) * | 2012-02-08 | 2013-08-15 | 岩谷産業株式会社 | 三フッ化塩素使用装置での三フッ化塩素供給路の内面処理方法 |
| CN104040699A (zh) * | 2012-02-08 | 2014-09-10 | 岩谷产业株式会社 | 使用三氟化氯的装置中的三氟化氯供给路的内面处理方法 |
| US9416445B2 (en) | 2012-02-08 | 2016-08-16 | Iwatani Corporation | Method for treating inner surface of chlorine trifluoride supply passage in apparatus using chlorine trifluoride |
| CN104040699B (zh) * | 2012-02-08 | 2018-06-26 | 岩谷产业株式会社 | 使用三氟化氯的装置中的三氟化氯供给路的内面处理方法 |
| CN113174637A (zh) * | 2021-04-26 | 2021-07-27 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 一种长晶炉气体供送装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4368443B2 (ja) | 2009-11-18 |
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