JP2000219973A - 無電解金メッキ溶液および方法 - Google Patents
無電解金メッキ溶液および方法Info
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- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 無電解金メッキ溶液および方法を提供する。
【解決手段】 １以上の水可溶性金化合物、１以上の有
機導電性塩、１以上の還元剤および水を含む、基体上へ
の金の浸漬メッキ用水性電解質組成物が開示される。
機導電性塩、１以上の還元剤および水を含む、基体上へ
の金の浸漬メッキ用水性電解質組成物が開示される。
Description
【０００１】無電解ニッケル−ホスホラスまたはニッケ
ル−ボロンとその上の薄い浸漬金被覆との複合被覆は、
ファインピッチ、高密度回路のハンダ付け可能（ｓｏｌ
ｄｅｒａｂｌｅ）仕上げとして有用に使用されている。
ニッケル堆積物は下にある銅の拡散バリアとして提供さ
れ、同時に金は貴金属保護層として働き、下にあるニッ
ケル堆積物の酸化を妨げる。
ル−ボロンとその上の薄い浸漬金被覆との複合被覆は、
ファインピッチ、高密度回路のハンダ付け可能（ｓｏｌ
ｄｅｒａｂｌｅ）仕上げとして有用に使用されている。
ニッケル堆積物は下にある銅の拡散バリアとして提供さ
れ、同時に金は貴金属保護層として働き、下にあるニッ
ケル堆積物の酸化を妨げる。
【０００２】置換または置き換え（ｄｉｓｐｌａｃｅｍ
ｅｎｔ ｏｒ ｒｅｐｌａｃｅｍｅｎｔ）法とも呼ばれ
る、無電解浸漬法（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｉｍｍｅ
ｒｓｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ）の全ては、より貴
（ｎｏｂｌｅ）でない金属表面が酸化されて電子を供給
し、溶液から、より貴な金属が還元されることに依存す
る。全ての浸漬法は、２つの金属の間の熱力学ポテンシ
ャルカップルによって引き起こされる、一方の金属の侵
食と、それに均衡した他方の還元の組み合わせとして考
えられることができる。反応は、基体表面上に、より貴
な金属の均一な被覆が生じ、侵食部位を密封し、それら
の間のポテンシャルの違いがなくなるまで継続する。無
電解ニッケル／浸漬金の場合には、溶液中の金がニッケ
ル表面上で金属に還元されつつ、ニッケル堆積物は酸化
され、溶液に溶解される。
ｅｎｔ ｏｒ ｒｅｐｌａｃｅｍｅｎｔ）法とも呼ばれ
る、無電解浸漬法（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ ｉｍｍｅ
ｒｓｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ）の全ては、より貴
（ｎｏｂｌｅ）でない金属表面が酸化されて電子を供給
し、溶液から、より貴な金属が還元されることに依存す
る。全ての浸漬法は、２つの金属の間の熱力学ポテンシ
ャルカップルによって引き起こされる、一方の金属の侵
食と、それに均衡した他方の還元の組み合わせとして考
えられることができる。反応は、基体表面上に、より貴
な金属の均一な被覆が生じ、侵食部位を密封し、それら
の間のポテンシャルの違いがなくなるまで継続する。無
電解ニッケル／浸漬金の場合には、溶液中の金がニッケ
ル表面上で金属に還元されつつ、ニッケル堆積物は酸化
され、溶液に溶解される。
【０００３】特定の状況下では、十分に解明されていな
いが、金置換反応の間、ニッケル表面は特に高レベルの
侵食が行われ、ニッケル表面の著しい構造的転換が生じ
る場合がある。無電解ニッケル−ホスホラスが使用され
る場合には、侵食されたニッケル表面は概して黒く見
え、ニッケル表面は著しく多量のホスホラス（ｐｈｏｓ
ｐｈｏｒｏｕｓ）を含んでいると認められる。近年、用
語「ブラックニッケル（ｂｌａｃｋ ｎｉｃｋｅｌ）」
が、この特定の現象を記述するために作り出されてい
る。この効果の、より不都合な結果の１つは、ブラック
ニッケル堆積物を適切にハンダで湿らせることができな
いことによるハンダ付け能力（ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉ
ｔｙ）の損失である。これは、ハンダ付けされる部品と
プリント回路板のメッキされたパッド（ｐｌａｔｅｄ
ｐａｄ）の間のハンダ結合部を弱め、信頼性をなくする
結果となる。
いが、金置換反応の間、ニッケル表面は特に高レベルの
侵食が行われ、ニッケル表面の著しい構造的転換が生じ
る場合がある。無電解ニッケル−ホスホラスが使用され
る場合には、侵食されたニッケル表面は概して黒く見
え、ニッケル表面は著しく多量のホスホラス（ｐｈｏｓ
ｐｈｏｒｏｕｓ）を含んでいると認められる。近年、用
語「ブラックニッケル（ｂｌａｃｋ ｎｉｃｋｅｌ）」
が、この特定の現象を記述するために作り出されてい
る。この効果の、より不都合な結果の１つは、ブラック
ニッケル堆積物を適切にハンダで湿らせることができな
いことによるハンダ付け能力（ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉ
ｔｙ）の損失である。これは、ハンダ付けされる部品と
プリント回路板のメッキされたパッド（ｐｌａｔｅｄ
ｐａｄ）の間のハンダ結合部を弱め、信頼性をなくする
結果となる。
【０００４】この効果が生じるために、回路板上の表面
の構造物（ｆｅａｔｕｒｅｓ）の間の電位グラジェント
が存在しなければならず、いくつかの構造物は他と比較
してアノード的（ａｎｏｄｉｃａｌｌｙ）に作用するも
のでなければならないと信じられている。構造物の間に
観察されるガルバーニ電気（ｇａｌｖａｎｉｃ）の違い
は、多層回路板の様々な層または面に造られた、デザイ
ンされたコンデンサによって、またはニッケルと金の場
合のような、類似しない２つの金属の間に存在する自然
の電位の違いによって引き起こされることができる。ニ
ッケル上への金堆積の非常に初期のステージにおいて
は、そこはニッケルと金の両方の領域に曝されるであろ
う。２つの類似しない金属の間で、電池が造られること
ができ、それによってニッケルはアノードでアタックさ
れるであろう。生じる侵食は、時に、「バイポーラアタ
ック（ｂｉｐｏｌａｒ ａｔｔａｃｋ）」と呼ばれる。
の構造物（ｆｅａｔｕｒｅｓ）の間の電位グラジェント
が存在しなければならず、いくつかの構造物は他と比較
してアノード的（ａｎｏｄｉｃａｌｌｙ）に作用するも
のでなければならないと信じられている。構造物の間に
観察されるガルバーニ電気（ｇａｌｖａｎｉｃ）の違い
は、多層回路板の様々な層または面に造られた、デザイ
ンされたコンデンサによって、またはニッケルと金の場
合のような、類似しない２つの金属の間に存在する自然
の電位の違いによって引き起こされることができる。ニ
ッケル上への金堆積の非常に初期のステージにおいて
は、そこはニッケルと金の両方の領域に曝されるであろ
う。２つの類似しない金属の間で、電池が造られること
ができ、それによってニッケルはアノードでアタックさ
れるであろう。生じる侵食は、時に、「バイポーラアタ
ック（ｂｉｐｏｌａｒ ａｔｔａｃｋ）」と呼ばれる。
【０００５】上述の可能性に加え、構造物の表面の清浄
さのわずかな違いから生じる、隣り合った構造物の間の
表面の活性／受動性（ｐａｓｓｉｖｉｔｙ）の相対的な
違いは、同様の侵食反応の発生を促進させることもでき
る。
さのわずかな違いから生じる、隣り合った構造物の間の
表面の活性／受動性（ｐａｓｓｉｖｉｔｙ）の相対的な
違いは、同様の侵食反応の発生を促進させることもでき
る。
【０００６】金は、貯蔵の間、無電解ニッケルメッキ回
路板を酸化から保護するためにも使用され、それによ
り、部品アセンブリプロセスの間に、ニッケルがハンダ
付け可能であることをより確実とする。上述のようなガ
ルバーニ電気の違いが存在する場合、ファインピッチ表
面マウントまたはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッ
ドのような特定の構造物は、導伝性浸漬金溶液中での加
工の間、加速されたアノード侵食を受ける場合があり、
それにより、実質的にニッケル堆積物の溶解速度を増加
させる。シミュレーション試験は、浸漬金溶液中におい
て充分なアノード電位が外的にニッケルメッキ回路板に
適用される場合には、ブラックニッケルが生じることを
示している。よって、ブラックニッケルを回避するかま
たは最小化し、生じた堆積物のハンダ付け能力を改良す
るために、この分野での改良の必要性が引き続き存在し
ている。
路板を酸化から保護するためにも使用され、それによ
り、部品アセンブリプロセスの間に、ニッケルがハンダ
付け可能であることをより確実とする。上述のようなガ
ルバーニ電気の違いが存在する場合、ファインピッチ表
面マウントまたはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッ
ドのような特定の構造物は、導伝性浸漬金溶液中での加
工の間、加速されたアノード侵食を受ける場合があり、
それにより、実質的にニッケル堆積物の溶解速度を増加
させる。シミュレーション試験は、浸漬金溶液中におい
て充分なアノード電位が外的にニッケルメッキ回路板に
適用される場合には、ブラックニッケルが生じることを
示している。よって、ブラックニッケルを回避するかま
たは最小化し、生じた堆積物のハンダ付け能力を改良す
るために、この分野での改良の必要性が引き続き存在し
ている。
【０００７】本発明は、１以上の水可溶性金化合物、１
以上の有機導電性塩、１以上の還元剤および水を含む、
基体上への金の浸漬メッキのための水性電解質組成物を
提供する。本発明は、ニッケルを含む基体を上述の電解
質を含む浸漬金メッキ液と接触させる工程を含む、ニッ
ケル上に金被覆を生じさせる方法も提供する。本発明
は、（ａ）１以上の銅のトレース（ｔｒａｃｅｓ）、ホ
ールまたはランド（ｌａｎｄｓ）を含む回路パターンを
有する回路板を提供し、（ｂ）任意に、回路パターン領
域をソルダマスクで被覆し、（ｃ）０．５〜１０ミクロ
ンの範囲の厚さを有するニッケル層を含む無電解ニッケ
ルメッキ回路板を得るのに充分な時間の間、回路板を無
電解ニッケルメッキ溶液と接触させ、さらに（ｄ）ニッ
ケル層を酸化から保護するのに充分な厚さの金仕上げを
提供するのに充分な時間の間、無電解ニッケルメッキ回
路板を浸漬金メッキ溶液と接触させる工程を含むプリン
ト回路板の製造方法であって、該浸漬金メッキ溶液が上
述の電解質を含んでいるプリント回路板の製造方法をさ
らに提供する。
以上の有機導電性塩、１以上の還元剤および水を含む、
基体上への金の浸漬メッキのための水性電解質組成物を
提供する。本発明は、ニッケルを含む基体を上述の電解
質を含む浸漬金メッキ液と接触させる工程を含む、ニッ
ケル上に金被覆を生じさせる方法も提供する。本発明
は、（ａ）１以上の銅のトレース（ｔｒａｃｅｓ）、ホ
ールまたはランド（ｌａｎｄｓ）を含む回路パターンを
有する回路板を提供し、（ｂ）任意に、回路パターン領
域をソルダマスクで被覆し、（ｃ）０．５〜１０ミクロ
ンの範囲の厚さを有するニッケル層を含む無電解ニッケ
ルメッキ回路板を得るのに充分な時間の間、回路板を無
電解ニッケルメッキ溶液と接触させ、さらに（ｄ）ニッ
ケル層を酸化から保護するのに充分な厚さの金仕上げを
提供するのに充分な時間の間、無電解ニッケルメッキ回
路板を浸漬金メッキ溶液と接触させる工程を含むプリン
ト回路板の製造方法であって、該浸漬金メッキ溶液が上
述の電解質を含んでいるプリント回路板の製造方法をさ
らに提供する。
【０００８】本明細書を通じて使用される次の略語は次
の意味を有する：ｇ＝グラム；μｍ＝ミクロン；Ｌ＝リ
ットル；℃＝摂氏；および°Ｆ＝華氏。全ての範囲は境
界値を含む。
の意味を有する：ｇ＝グラム；μｍ＝ミクロン；Ｌ＝リ
ットル；℃＝摂氏；および°Ｆ＝華氏。全ての範囲は境
界値を含む。
【０００９】本発明は、メッキされるニッケル層の過剰
な侵食および溶解の傾向を著しく低減させまたはなくし
つつ、プリント回路板のようなニッケル含有基体上へ保
護的浸漬金メッキを生じさせることに関する。これは、
さらに、得られた堆積物のハンダ付け能力を改良する。
本発明の他の利点は、メッキの間、堆積物中の「バイポ
ーラアタック」が実質的に除去されるかまたは顕著に低
減させられることができることである。
な侵食および溶解の傾向を著しく低減させまたはなくし
つつ、プリント回路板のようなニッケル含有基体上へ保
護的浸漬金メッキを生じさせることに関する。これは、
さらに、得られた堆積物のハンダ付け能力を改良する。
本発明の他の利点は、メッキの間、堆積物中の「バイポ
ーラアタック」が実質的に除去されるかまたは顕著に低
減させられることができることである。
【００１０】特に、本発明は、ニッケル層を含む基体上
に金の薄膜を堆積させるために使用される浸漬金メッキ
法に使用するための電解質組成物に関する。ここで使用
される用語「ニッケル層を含む基体」とはニッケル金属
層またはニッケル合金層を有する基体を含み、好ましく
はニッケル層を有する基体である。ニッケル金属または
ニッケル合金単独、すなわち基体上に支持されない場合
も、本発明に従って有利に金メッキされるであろう。任
意のニッケル合金が本発明において有利に使用されるこ
とができる。好適な基体としては、プリント回路板また
は他の電子部品が挙げられるがこれらに限定されない。
そのような基体は、電解的または無電解的にニッケルメ
ッキされることができる。基体は無電解ニッケル層を含
むことが好ましい。公知の無電解ニッケル−ホスホラス
またはニッケル−ボロン溶液を用いて無電解ニッケル層
がメッキされることがさらに好ましい。
に金の薄膜を堆積させるために使用される浸漬金メッキ
法に使用するための電解質組成物に関する。ここで使用
される用語「ニッケル層を含む基体」とはニッケル金属
層またはニッケル合金層を有する基体を含み、好ましく
はニッケル層を有する基体である。ニッケル金属または
ニッケル合金単独、すなわち基体上に支持されない場合
も、本発明に従って有利に金メッキされるであろう。任
意のニッケル合金が本発明において有利に使用されるこ
とができる。好適な基体としては、プリント回路板また
は他の電子部品が挙げられるがこれらに限定されない。
そのような基体は、電解的または無電解的にニッケルメ
ッキされることができる。基体は無電解ニッケル層を含
むことが好ましい。公知の無電解ニッケル−ホスホラス
またはニッケル−ボロン溶液を用いて無電解ニッケル層
がメッキされることがさらに好ましい。
【００１１】本発明の電解質組成物は、水、１以上の水
可溶性金化合物、１以上の導電性塩（または錯生成
剤）、および１以上の還元剤を含む。理論に拘束される
ことは望まないが、導電性塩は溶液中の微量金属イオン
を錯化し、金堆積物の無電解堆積を助けるものと考えら
れている。理論に拘束されるのは望まないが、還元剤の
機能は、バイポーラアタックを通じて生じることができ
る侵食を最小化または除去することと考えられている。
還元剤は、上述のように、この欠点を引き起こすことが
できる塩基性金属の過剰な溶解に優先して、電気防食的
に酸化されるものと考えられている。これに関して、ニ
ッケルの不均一溶解または酸化に対する一般的な保護剤
としては、ニッケルメッキと金メッキの間の製造工程に
おける還元剤の使用が有効であろうということも企図さ
れている。
可溶性金化合物、１以上の導電性塩（または錯生成
剤）、および１以上の還元剤を含む。理論に拘束される
ことは望まないが、導電性塩は溶液中の微量金属イオン
を錯化し、金堆積物の無電解堆積を助けるものと考えら
れている。理論に拘束されるのは望まないが、還元剤の
機能は、バイポーラアタックを通じて生じることができ
る侵食を最小化または除去することと考えられている。
還元剤は、上述のように、この欠点を引き起こすことが
できる塩基性金属の過剰な溶解に優先して、電気防食的
に酸化されるものと考えられている。これに関して、ニ
ッケルの不均一溶解または酸化に対する一般的な保護剤
としては、ニッケルメッキと金メッキの間の製造工程に
おける還元剤の使用が有効であろうということも企図さ
れている。
【００１２】任意の水可溶性金化合物が本発明における
使用に適する。好適な金化合物としては、ナトリウム金
スルファイト、カリウム金スルファイト、およびアンモ
ニウム金スルファイトのようなアルカリ金スルファイト
化合物；ナトリウム金シアナイド、カリウム金シアナイ
ド、およびアンモニウム金シアナイドのようなアルカリ
金シアナイド化合物を含むがこれらに限定されない。金
化合物はカリウム金シアナイドであることが好ましい。
使用に適する。好適な金化合物としては、ナトリウム金
スルファイト、カリウム金スルファイト、およびアンモ
ニウム金スルファイトのようなアルカリ金スルファイト
化合物；ナトリウム金シアナイド、カリウム金シアナイ
ド、およびアンモニウム金シアナイドのようなアルカリ
金シアナイド化合物を含むがこれらに限定されない。金
化合物はカリウム金シアナイドであることが好ましい。
【００１３】水可溶性金塩は電解質組成物に直接に添加
されるか、またはその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）で生じさせ
ることができる。例えば、カリウム金シアナイドは、水
不溶性量の金シアナイドおよび水可溶性カリウム金シア
ナイドを形成する量のカリウムシアナイドを水に添加す
ることによって、電解質組成物中でその場で製造される
ことができる。
されるか、またはその場（ｉｎ ｓｉｔｕ）で生じさせ
ることができる。例えば、カリウム金シアナイドは、水
不溶性量の金シアナイドおよび水可溶性カリウム金シア
ナイドを形成する量のカリウムシアナイドを水に添加す
ることによって、電解質組成物中でその場で製造される
ことができる。
【００１４】本発明において、広範囲の導電性塩が使用
されることができる。好適な導電性塩としては、日本国
特許公開公報第１０−３３０１９９号に開示されるよう
な有機ホスホン酸のアルカリ金属塩を含むがこれらに限
定されない。この有機ホスホン酸のアルカリ金属塩に関
する記載は本明細書の一部として参照される。他の導電
性塩としては、エチレンジアミン４酢酸、ヒドロキシエ
チルエチレンジアミン４酢酸、ジエチレントリアミン５
酢酸、ニトリロ３酢酸などのようなアミンカルボン酸；
クエン酸、コハク酸、リンゴ酸、乳酸、シュウ酸、マロ
ン酸、グルタル酸およびマレイン酸などのようなカルボ
ン酸およびこれらの誘導体を含むがこれらに限定されな
い。
されることができる。好適な導電性塩としては、日本国
特許公開公報第１０−３３０１９９号に開示されるよう
な有機ホスホン酸のアルカリ金属塩を含むがこれらに限
定されない。この有機ホスホン酸のアルカリ金属塩に関
する記載は本明細書の一部として参照される。他の導電
性塩としては、エチレンジアミン４酢酸、ヒドロキシエ
チルエチレンジアミン４酢酸、ジエチレントリアミン５
酢酸、ニトリロ３酢酸などのようなアミンカルボン酸；
クエン酸、コハク酸、リンゴ酸、乳酸、シュウ酸、マロ
ン酸、グルタル酸およびマレイン酸などのようなカルボ
ン酸およびこれらの誘導体を含むがこれらに限定されな
い。
【００１５】ニッケルの酸化に優先してオキシダントと
して働くか、またはニッケル層のバイポーラアタックの
傾向を最小化することができる、任意の還元剤が本発明
において有用である。好適な還元剤は当業者に公知であ
り、任意の広範囲の無機化合物、窒素含有化合物および
これらの誘導体、有機化合物およびこれらの誘導体、ま
たは抗オキシダント活性を有するこれらの混合物を含む
がこれらに限定されない。好ましい窒素含有化合物とし
ては、ヒドラジンおよびヒドラジンハイドレート並びに
ヒドラジンスルフェートのようなヒドラジン誘導体、お
よびヒドロキシルアミン並びにこれらの塩またはヒドロ
キシルアミンスルフェート、ヒドロキシルアミンクロラ
イドおよびヒドロキシルアミンホスフェートのような他
の誘導体を含む。電解質溶液に容易に溶解する、これら
の化合物の塩または他の形態が好ましい。他の好適な窒
素含有化合物は、窒素がその最も高い酸化状態にない窒
素化合物塩を含む。このタイプの好適な化合物は、亜硝
酸類および亜硝酸含有化合物を含むがこれらに限定され
ない。これらの中では、亜硝酸カリウムおよび亜硝酸ナ
トリウムのようなアルカリ金属亜硝酸が好ましい。他の
好適な還元剤としては、アスコルビン酸、アスコルベー
ト類、およびこれらの誘導体、トコフェロール類および
これらの誘導体、およびギ酸、ホルメート類およびこれ
らの誘導体のような有機抗オキシダント剤を含む。
して働くか、またはニッケル層のバイポーラアタックの
傾向を最小化することができる、任意の還元剤が本発明
において有用である。好適な還元剤は当業者に公知であ
り、任意の広範囲の無機化合物、窒素含有化合物および
これらの誘導体、有機化合物およびこれらの誘導体、ま
たは抗オキシダント活性を有するこれらの混合物を含む
がこれらに限定されない。好ましい窒素含有化合物とし
ては、ヒドラジンおよびヒドラジンハイドレート並びに
ヒドラジンスルフェートのようなヒドラジン誘導体、お
よびヒドロキシルアミン並びにこれらの塩またはヒドロ
キシルアミンスルフェート、ヒドロキシルアミンクロラ
イドおよびヒドロキシルアミンホスフェートのような他
の誘導体を含む。電解質溶液に容易に溶解する、これら
の化合物の塩または他の形態が好ましい。他の好適な窒
素含有化合物は、窒素がその最も高い酸化状態にない窒
素化合物塩を含む。このタイプの好適な化合物は、亜硝
酸類および亜硝酸含有化合物を含むがこれらに限定され
ない。これらの中では、亜硝酸カリウムおよび亜硝酸ナ
トリウムのようなアルカリ金属亜硝酸が好ましい。他の
好適な還元剤としては、アスコルビン酸、アスコルベー
ト類、およびこれらの誘導体、トコフェロール類および
これらの誘導体、およびギ酸、ホルメート類およびこれ
らの誘導体のような有機抗オキシダント剤を含む。
【００１６】本発明の電解質組成物は、典型的には、
水、１以上の水可溶性金化合物、１以上の導電性塩およ
び１以上の還元剤を任意の順番で混合することによって
製造される。水が最初にメッキタンクに添加され、続い
て、順番に、１以上の導電性塩、１以上の還元剤、およ
び１以上の水可溶性金塩が添加されることが好ましい。
水、１以上の水可溶性金化合物、１以上の導電性塩およ
び１以上の還元剤を任意の順番で混合することによって
製造される。水が最初にメッキタンクに添加され、続い
て、順番に、１以上の導電性塩、１以上の還元剤、およ
び１以上の水可溶性金塩が添加されることが好ましい。
【００１７】電解質組成物中の金濃度は、典型的には、
約０．２５〜約８ｇ／Ｌ、好ましくは約１〜約３ｇ／Ｌ
の範囲で存在する。電解質組成物中の導電性塩は、典型
的には、約１０〜約３００ｇ／Ｌ、好ましくは約５０〜
約１５０ｇ／Ｌの範囲で存在する。電解質組成物中の還
元剤は、典型的には、約０．１〜約２０ｇ／Ｌ、好まし
くは約０．２〜約５ｇ／Ｌの範囲で存在する。
約０．２５〜約８ｇ／Ｌ、好ましくは約１〜約３ｇ／Ｌ
の範囲で存在する。電解質組成物中の導電性塩は、典型
的には、約１０〜約３００ｇ／Ｌ、好ましくは約５０〜
約１５０ｇ／Ｌの範囲で存在する。電解質組成物中の還
元剤は、典型的には、約０．１〜約２０ｇ／Ｌ、好まし
くは約０．２〜約５ｇ／Ｌの範囲で存在する。
【００１８】電解質組成物のｐＨは約４〜約９、好まし
くは約６〜約８、より好ましくは約６．５〜約７．５の
範囲である。溶液のｐＨは、当業者に公知の方法で、塩
基性または酸性物質を用いて調節されることができる。
くは約６〜約８、より好ましくは約６．５〜約７．５の
範囲である。溶液のｐＨは、当業者に公知の方法で、塩
基性または酸性物質を用いて調節されることができる。
【００１９】典型的には、本発明の電解質組成物を含む
浸漬メッキバスは加熱される。そのようなバスの操作温
度は典型的には、約１４０゜Ｆ（６０℃）〜約２１０゜
Ｆ（９９℃）、好ましくは約１８０゜Ｆ（８２℃）〜約
２００゜Ｆ（９３℃）、より好ましくは約１８５゜Ｆ
（８５℃）〜約１９５゜Ｆ（９１℃）である。
浸漬メッキバスは加熱される。そのようなバスの操作温
度は典型的には、約１４０゜Ｆ（６０℃）〜約２１０゜
Ｆ（９９℃）、好ましくは約１８０゜Ｆ（８２℃）〜約
２００゜Ｆ（９３℃）、より好ましくは約１８５゜Ｆ
（８５℃）〜約１９５゜Ｆ（９１℃）である。
【００２０】本発明の組成物および方法は、ニッケルま
たはニッケル合金層上に配置される金の層または被覆を
提供するのに有用である。典型的には、金の層の厚さは
約０．０２５ミクロン〜約０．２５ミクロンの範囲であ
る。本発明にしたがって、この範囲より小さいまたはよ
り大きい厚さを有する金層もメッキされることができ
る。次の実施例は、本発明の様々な態様をさらに示すた
めに企図され、如何なる態様も本発明の範囲を限定する
ものではない。
たはニッケル合金層上に配置される金の層または被覆を
提供するのに有用である。典型的には、金の層の厚さは
約０．０２５ミクロン〜約０．２５ミクロンの範囲であ
る。本発明にしたがって、この範囲より小さいまたはよ
り大きい厚さを有する金層もメッキされることができ
る。次の実施例は、本発明の様々な態様をさらに示すた
めに企図され、如何なる態様も本発明の範囲を限定する
ものではない。
【００２１】実施例１ 電解質溶液は次に示すものを混合することによって製造
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ２ｇ／Ｌ 有機ホスホン酸 １５０ｇ／Ｌ ヒドラジンハイドレート ０．５ｇ／Ｌ ｐＨ ７ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ２ｇ／Ｌ 有機ホスホン酸 １５０ｇ／Ｌ ヒドラジンハイドレート ０．５ｇ／Ｌ ｐＨ ７ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
【００２２】金堆積物は、ニッケルメッキされた基体上
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るい（ｓｅｍｉ−ｂｒｉ
ｇｈｔ）から明るい金色であり、下層のニッケル堆積物
に対する侵食の徴候はなかった。堆積物の厚さは４．３
マイクロインチであった。
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るい（ｓｅｍｉ−ｂｒｉ
ｇｈｔ）から明るい金色であり、下層のニッケル堆積物
に対する侵食の徴候はなかった。堆積物の厚さは４．３
マイクロインチであった。
【００２３】実施例２ 電解質溶液は次に示すものを混合することによって製造
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ３ｇ／Ｌ 有機ホスホン酸 １００ｇ／Ｌ ヒドロキシルアミンホスフェート １．５ｇ／Ｌ ｐＨ ６．５ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ３ｇ／Ｌ 有機ホスホン酸 １００ｇ／Ｌ ヒドロキシルアミンホスフェート １．５ｇ／Ｌ ｐＨ ６．５ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
【００２４】金堆積物は、ニッケルメッキされた基体上
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るいから明るい金色であ
り、下層のニッケル堆積物に対する侵食の徴候はなかっ
た。堆積物の厚さは７．７マイクロインチであった。
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るいから明るい金色であ
り、下層のニッケル堆積物に対する侵食の徴候はなかっ
た。堆積物の厚さは７．７マイクロインチであった。
【００２５】実施例３ 電解質溶液は次に示すものを混合することによって製造
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ２ｇ／Ｌ 有機ホスホン酸 １５０ｇ／Ｌ ヒドラジンハイドレート ０．５ｇ／Ｌ エピクロロヒドリンとジメチルアミノ プロピルアミンの反応生成物 １ｇ／Ｌ ｐＨ ７ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ２ｇ／Ｌ 有機ホスホン酸 １５０ｇ／Ｌ ヒドラジンハイドレート ０．５ｇ／Ｌ エピクロロヒドリンとジメチルアミノ プロピルアミンの反応生成物 １ｇ／Ｌ ｐＨ ７ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
【００２６】金堆積物は、ニッケルメッキされた基体上
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るいから明るい金色であ
り、下層のニッケル堆積物に対する侵食の徴候はなかっ
た。堆積物の厚さは２．３マイクロインチであった。
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るいから明るい金色であ
り、下層のニッケル堆積物に対する侵食の徴候はなかっ
た。堆積物の厚さは２．３マイクロインチであった。
【００２７】実施例４ 電解質溶液は次に示すものを混合することによって製造
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ３ｇ／Ｌ 有機ホスホン酸 １００ｇ／Ｌ ヒドラジンハイドレート １．５ｇ／Ｌ エピクロロヒドリンと イミダゾールの反応生成物 １．０ｇ／Ｌ ｐＨ ６．５ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ３ｇ／Ｌ 有機ホスホン酸 １００ｇ／Ｌ ヒドラジンハイドレート １．５ｇ／Ｌ エピクロロヒドリンと イミダゾールの反応生成物 １．０ｇ／Ｌ ｐＨ ６．５ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
【００２８】金堆積物は、ニッケルメッキされた基体上
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るいから明るい金色であ
り、下層のニッケル堆積物に対する侵食の徴候はなかっ
た。堆積物の厚さは６．４マイクロインチであった。
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るいから明るい金色であ
り、下層のニッケル堆積物に対する侵食の徴候はなかっ
た。堆積物の厚さは６．４マイクロインチであった。
【００２９】実施例５（比較例） 電解質溶液は次に示すものを混合することによって製造
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ２ｇ／Ｌ 有機ホスホン酸 １５０ｇ／Ｌ ｐＨ ７ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ２ｇ／Ｌ 有機ホスホン酸 １５０ｇ／Ｌ ｐＨ ７ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
【００３０】金堆積物は、ニッケルメッキされた基体上
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るいから明るい金色であ
ったが、下層のニッケル堆積物に対する明らかな侵食の
徴候があった。堆積物の厚さは１０．３マイクロインチ
であった。
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るいから明るい金色であ
ったが、下層のニッケル堆積物に対する明らかな侵食の
徴候があった。堆積物の厚さは１０．３マイクロインチ
であった。
【００３１】実施例６（比較例） 電解質溶液は次に示すものを混合することによって製造
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ２ｇ／Ｌ クエン酸 １５０ｇ／Ｌ エチレンジアミン４酢酸 １５ｇ／Ｌ エピクロロヒドリンと アミン誘導体の反応生成物 １．０ｇ／Ｌ ｐＨ ７ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
される。 カリウム金シアナイドとしての金 ２ｇ／Ｌ クエン酸 １５０ｇ／Ｌ エチレンジアミン４酢酸 １５ｇ／Ｌ エピクロロヒドリンと アミン誘導体の反応生成物 １．０ｇ／Ｌ ｐＨ ７ 温度 １９５゜Ｆ 浸漬時間 １５分
【００３２】金堆積物は、ニッケルメッキされた基体上
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るいから明るい金色であ
ったが、下層のニッケル堆積物に対する明らかな侵食の
徴候があった。堆積物の厚さは２．３マイクロインチで
あった。
への浸漬メッキによって、上述の電解質溶液から製造さ
れた。得られた堆積物は幾分明るいから明るい金色であ
ったが、下層のニッケル堆積物に対する明らかな侵食の
徴候があった。堆積物の厚さは２．３マイクロインチで
あった。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年３月１５日（２０００．３．１
５）
５）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】特定の状況下では、十分に解明されていな
いが、金置換反応の間、ニッケル表面は特に高レベルの
侵食が行われ、ニッケル表面の著しい構造的転換が生じ
る場合がある。無電解ニッケル−ホスホラスが使用され
る場合には、侵食されたニッケル表面は概して黒く見
え、ニッケル表面は著しく多量のホスホラス（ｐｈｏｓ
ｐｈｏｒｏｕｓ）を含んでいると認められる。近年、用
語「ブラックニッケル（ｂｌａｃｋ ｎｉｃｋｅｌ）」
が、この特定の現象を記述するために作り出されてい
る。この効果の、より不都合な結果の１つは、ブラック
ニッケル堆積物を適切にハンダで濡らすことができない
ことによるハンダ付け能力（ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔ
ｙ）の損失である。これは、ハンダ付けされる部品とプ
リント回路板のメッキされたパッド（ｐｌａｔｅｄ ｐ
ａｄ）の間のハンダ結合部を弱め、信頼性をなくする結
果となる。
いが、金置換反応の間、ニッケル表面は特に高レベルの
侵食が行われ、ニッケル表面の著しい構造的転換が生じ
る場合がある。無電解ニッケル−ホスホラスが使用され
る場合には、侵食されたニッケル表面は概して黒く見
え、ニッケル表面は著しく多量のホスホラス（ｐｈｏｓ
ｐｈｏｒｏｕｓ）を含んでいると認められる。近年、用
語「ブラックニッケル（ｂｌａｃｋ ｎｉｃｋｅｌ）」
が、この特定の現象を記述するために作り出されてい
る。この効果の、より不都合な結果の１つは、ブラック
ニッケル堆積物を適切にハンダで濡らすことができない
ことによるハンダ付け能力（ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔ
ｙ）の損失である。これは、ハンダ付けされる部品とプ
リント回路板のメッキされたパッド（ｐｌａｔｅｄ ｐ
ａｄ）の間のハンダ結合部を弱め、信頼性をなくする結
果となる。
フロントページの続き (71)出願人 596156668 455 Ｆｏｒｅｓｔ Ｓｔｒｅｅｔ，Ｍａ ｒｌｂｏｒｏｕｇｈ，ＭＡ 01752 Ｕ. Ｓ．Ａ (72)発明者 ジェームズ・エル・マーティン アメリカ合衆国ニューヨーク州11566，メ リック，ウィルソン・アベニュー・1753 (72)発明者 太田 康夫 東京都品川区荏原２−10−５ (72)発明者 滝沢 靖史 埼玉県大宮市宮原町２−47−８ (72)発明者 榎本 治樹 埼玉県三郷市小谷堀398−２
Claims (13)
- 【請求項１】 １以上の水可溶性金化合物、１以上の有
機導電性塩、１以上の還元剤および水を含む、基体上へ
の金の浸漬メッキ用水性電解質組成物。 - 【請求項２】 導電性塩が有機ホスホン酸およびこれら
の誘導体、カルボン酸およびこれらの誘導体、並びにア
ミンカルボン酸およびこれらの誘導体の１以上である請
求項１記載の電解質組成物。 - 【請求項３】 水可溶性金化合物がアルカリ金スルファ
イト化合物、アンモニウム金スルファイト、アルカリ金
シアナイド化合物またはアンモニウム金シアナイドを含
む請求項１記載の電解質組成物。 - 【請求項４】 アルカリ金化合物がカリウム金シアナイ
ドである請求項３記載の電解質組成物。 - 【請求項５】 還元剤がヒドラジン、ヒドラジンハイド
レート、ヒドラジンスルフェート、ヒドロキシルアミ
ン、ヒドロキシルアミンスルフェート、ヒドロキシルア
ミンホスフェート、ヒドロキシルアミンヒドロクロライ
ド、ヒドロキシルアミンナイトレート、ヒドロキシルア
ミンスルホネート、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウ
ム、亜硝酸アンモニウム、ギ酸、アスコルビン酸、トコ
フェロールまたはこれらの誘導体から選択される請求項
１記載の電解質組成物。 - 【請求項６】 １以上の金化合物が約０．２５〜約８ｇ
／Ｌの範囲で存在する請求項１記載の電解質組成物。 - 【請求項７】 １以上の導電性塩が約１０〜約３００ｇ
／Ｌの範囲で存在する請求項１記載の電解質組成物。 - 【請求項８】 １以上の還元剤が約０．１〜約２０ｇ／
Ｌの範囲で存在する請求項１記載の電解質組成物。 - 【請求項９】 ｐＨが約４〜約９の範囲である請求項１
記載の電解質組成物。 - 【請求項１０】 ニッケルを含む基体を、請求項１記載
の電解質組成物を含む浸漬金メッキ溶液と接触させる工
程を含むニッケル上に金被覆を形成する方法。 - 【請求項１１】 浸漬金メッキ溶液が約１４０゜Ｆ〜約
２１０゜Ｆの範囲の温度に加熱される請求項１０記載の
方法。 - 【請求項１２】 （ａ）１以上の銅のトレース、ホール
またはランドを含む回路パターンを有する回路板を提供
し、（ｂ）任意に、回路パターン領域をソルダマスクで
被覆し、（ｃ）０．５〜１０ミクロンの範囲の厚さを有
するニッケル層を含む無電解ニッケルメッキ回路板を得
るのに充分な時間の間、回路板を無電解ニッケルメッキ
液と接触させ、さらに（ｄ）ニッケル層を酸化から保護
するのに充分な厚さの金仕上げを提供するのに充分な時
間の間、無電解ニッケルメッキ回路板を浸漬金メッキ溶
液と接触させる工程を含むプリント回路板の製造方法で
あって、該浸漬金メッキ溶液が請求項１記載の電解質を
含んでいる、プリント回路板の製造方法。 - 【請求項１３】 金仕上げ厚さが０．０２５μｍ〜０．
２５μｍである請求項１２記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
| US11771599P | 1999-01-27 | 1999-01-27 | |
| US60/117715 | 1999-01-27 |
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|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000019278A Expired - Lifetime JP4783484B2 (ja) | 1999-01-27 | 2000-01-27 | 無電解金メッキ溶液および方法 |
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|---|---|
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10139555A1 (de) * | 2001-08-10 | 2003-03-06 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Aufbringen einer Haftvermittlerschicht auf einer Metallschicht eines Chips |
| WO2004111287A3 (ja) * | 2003-06-10 | 2005-03-03 | Nikko Materials Co Ltd | 無電解金めっき液 |
| JP2007023324A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Kanto Chem Co Inc | 無電解硬質金めっき液 |
| JP2008214703A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 無電解金めっき液 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2915888B1 (ja) * | 1998-01-28 | 1999-07-05 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
| SG94721A1 (en) * | 1999-12-01 | 2003-03-18 | Gul Technologies Singapore Ltd | Electroless gold plated electronic components and method of producing the same |
| US6991675B2 (en) * | 2000-08-21 | 2006-01-31 | Shipley Company, L.L.C. | Electroless displacement gold plating solution and additive for use in preparing plating solution |
| JP3482402B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2003-12-22 | 日本エレクトロプレイテイング・エンジニヤース株式会社 | 置換金メッキ液 |
| JP3892730B2 (ja) * | 2002-01-30 | 2007-03-14 | 関東化学株式会社 | 無電解金めっき液 |
| JP4498132B2 (ja) * | 2002-06-28 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | プローブアレイの製造方法 |
| CN1981347A (zh) * | 2004-07-15 | 2007-06-13 | 积水化学工业株式会社 | 导电性微粒、导电性微粒的制造方法、和各向异性导电材料 |
| GB0711302D0 (en) * | 2007-06-12 | 2007-07-25 | Buss Chemtech Ag | Process & apparatus |
| KR100981445B1 (ko) * | 2008-05-07 | 2010-09-13 | (주)인터플렉스 | 연성인쇄회로기판의 고연성 Ａｕ 표면처리방법 |
| US20110147038A1 (en) * | 2009-12-17 | 2011-06-23 | Honeywell International Inc. | Oxidation-resistant high temperature wires and methods for the making thereof |
| EP3024900B1 (en) | 2013-07-24 | 2019-10-09 | National Research Council of Canada | Process for depositing metal on a substrate |
| KR101444687B1 (ko) | 2014-08-06 | 2014-09-26 | (주)엠케이켐앤텍 | 무전해 금도금액 |
| CN113054077A (zh) * | 2021-03-16 | 2021-06-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置及拼接显示装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06280039A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-04 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解金めっき浴 |
| JPH09143749A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-06-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金めっき液 |
| JPH09171714A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 導電性粉体 |
| JPH114069A (ja) * | 1997-04-15 | 1999-01-06 | Ibiden Co Ltd | 無電解めっき用接着剤およびプリント配線板 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3032436A (en) | 1960-11-18 | 1962-05-01 | Metal Proc Co Inc | Method and composition for plating by chemical reduction |
| US3753874A (en) | 1971-12-21 | 1973-08-21 | Amp Inc | Method and electrolyte for electrodepositing a gold-arsenic alloy |
| DE3029785A1 (de) * | 1980-08-04 | 1982-03-25 | Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen | Saures goldbad zur stromlosen abscheidung von gold |
| US4374876A (en) * | 1981-06-02 | 1983-02-22 | Occidental Chemical Corporation | Process for the immersion deposition of gold |
| JPS596365A (ja) * | 1982-06-30 | 1984-01-13 | Toshiba Corp | 無電解金メツキ方法 |
| DE3237394A1 (de) * | 1982-10-08 | 1984-04-12 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Chemisches vergoldungsbad |
| JPS60125379A (ja) | 1983-12-07 | 1985-07-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 無電解金めっき液 |
| US5202151A (en) | 1985-10-14 | 1993-04-13 | Hitachi, Ltd. | Electroless gold plating solution, method of plating with gold by using the same, and electronic device plated with gold by using the same |
| CN1003524B (zh) | 1985-10-14 | 1989-03-08 | 株式会社日立制作所 | 无电浸镀金溶液 |
| US5178918A (en) * | 1986-07-14 | 1993-01-12 | Robert Duva | Electroless plating process |
| DE3640028C1 (de) * | 1986-11-24 | 1987-10-01 | Heraeus Gmbh W C | Saures Bad fuer das stromlose Abscheiden von Goldschichten |
| DD265915A1 (de) * | 1987-11-10 | 1989-03-15 | Akad Wissenschaften Ddr | Verfahren zur stromlosen abscheidung von gold |
| JPH0826471B2 (ja) | 1988-11-14 | 1996-03-13 | 新光電気工業株式会社 | 金めっき液 |
| JP3058178B2 (ja) | 1990-01-18 | 2000-07-04 | エヌ・イーケムキヤツト株式会社 | 無電解金めつき液 |
| US5232492A (en) | 1992-01-23 | 1993-08-03 | Applied Electroless Concepts Inc. | Electroless gold plating composition |
| WO1994012686A1 (fr) | 1992-11-25 | 1994-06-09 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Bain autocatalytique de placage d'or |
| EP0618307B1 (en) * | 1993-03-26 | 1997-11-12 | C. Uyemura & Co, Ltd | Electroless gold plating bath |
| US5803957A (en) * | 1993-03-26 | 1998-09-08 | C. Uyemura & Co.,Ltd. | Electroless gold plating bath |
| US5318621A (en) | 1993-08-11 | 1994-06-07 | Applied Electroless Concepts, Inc. | Plating rate improvement for electroless silver and gold plating |
| KR960005765A (ko) * | 1994-07-14 | 1996-02-23 | 모리시다 요이치 | 반도체 장치의 배선형성에 이용하는 무전해 도금욕 및 반도체 장치의 배선성형방법 |
| JPH09157859A (ja) | 1995-12-01 | 1997-06-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金めっき液 |
| JPH09287077A (ja) | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金めっき液 |
| JPH08253872A (ja) | 1996-04-22 | 1996-10-01 | Hitachi Ltd | 電子部品の金めっき方法 |
| JPH1112753A (ja) | 1997-06-20 | 1999-01-19 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金めっき方法 |
| DE19745601C2 (de) | 1997-10-08 | 2001-07-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Lösung und Verfahren zum stromlosen Abscheiden von Goldschichten sowie Verwendung der Lösung |
| US5935306A (en) * | 1998-02-10 | 1999-08-10 | Technic Inc. | Electroless gold plating bath |
| JP3816241B2 (ja) * | 1998-07-14 | 2006-08-30 | 株式会社大和化成研究所 | 金属を還元析出させるための水溶液 |
| JP3677617B2 (ja) | 1999-06-08 | 2005-08-03 | 小島化学薬品株式会社 | 無電解金めっき液 |
-
2000
- 2000-01-25 US US09/490,928 patent/US6383269B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-26 EP EP00300548A patent/EP1026285A3/en not_active Withdrawn
- 2000-01-26 KR KR1020000003661A patent/KR100712261B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-27 JP JP2000019278A patent/JP4783484B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-27 TW TW089101339A patent/TWI223011B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06280039A (ja) * | 1993-03-26 | 1994-10-04 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解金めっき浴 |
| JPH09143749A (ja) * | 1995-11-17 | 1997-06-03 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解金めっき液 |
| JPH09171714A (ja) * | 1995-12-21 | 1997-06-30 | Nippon Chem Ind Co Ltd | 導電性粉体 |
| JPH114069A (ja) * | 1997-04-15 | 1999-01-06 | Ibiden Co Ltd | 無電解めっき用接着剤およびプリント配線板 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10139555A1 (de) * | 2001-08-10 | 2003-03-06 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zum Aufbringen einer Haftvermittlerschicht auf einer Metallschicht eines Chips |
| DE10139555B4 (de) * | 2001-08-10 | 2008-10-16 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zum Aufbringen einer Haftvermittlerschicht auf einer Metallschicht eines Chips |
| WO2004111287A3 (ja) * | 2003-06-10 | 2005-03-03 | Nikko Materials Co Ltd | 無電解金めっき液 |
| CN100510174C (zh) * | 2003-06-10 | 2009-07-08 | 日矿金属株式会社 | 化学镀金液 |
| JP2007023324A (ja) * | 2005-07-14 | 2007-02-01 | Kanto Chem Co Inc | 無電解硬質金めっき液 |
| JP2008214703A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 無電解金めっき液 |
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