JP2000220055A - 嵩高織編物の製造方法 - Google Patents

嵩高織編物の製造方法

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JP2000220055A
JP2000220055A JP11017282A JP1728299A JP2000220055A JP 2000220055 A JP2000220055 A JP 2000220055A JP 11017282 A JP11017282 A JP 11017282A JP 1728299 A JP1728299 A JP 1728299A JP 2000220055 A JP2000220055 A JP 2000220055A
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JP
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heat
knitted fabric
fiber
fibers
woven
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JP11017282A
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English (en)
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Hiromichi Okuwa
弘道 大桑
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Unitika Ltd
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Unitika Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 良好な嵩高性と張り腰を有する織編物の製造
方法を提供する。 【解決手段】 熱融着繊維を3〜50%、乾熱収縮率が
18〜80%である高収縮ポリエステル短繊維を30%
以上含む紡績糸からなる織編物を、仕上加工工程におい
て熱処理し該熱融着繊維を融着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、外衣用として用い
られる嵩高織編物の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、紡績糸を用いた織物等の布帛に嵩
高性を付与する方法としては、高収縮綿を混紡した紡績
糸を用いて製布した後に熱処理を行って、熱収縮差によ
り、糸条及び布帛に凹凸を発現させて嵩高性を付与する
ということが行われている。しかしながら、この方法で
は、嵩高性の面で物足りなく、また風合の面で張り腰に
乏しいというものしか得られないとの問題があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の現状
に鑑みてなされたものであり、優れた嵩高性と張り腰を
有する織編物の製造方法を提供することを課題とするも
のである。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するものであり、熱融着繊維を3〜30%、乾熱収
縮率が18〜80%であるポリエステル短繊維を30%
以上含む紡績糸からなる織編物を、仕上加工工程におい
て熱処理し該熱融着繊維を融着することを特徴とする嵩
高織編物の製造方法を要旨とするものである。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
【0006】本発明においては、熱融着繊維を3〜50
%、乾熱収縮率が18〜80%である高収縮ポリエステ
ル短繊維を30%以上含む紡績糸を用いる。熱融着繊維
は、通常のポリエステルの融点や分解点より低い融点を
有するポリマーをバインダー成分として有する繊維であ
る。この熱融着繊維は、バインダー成分のみからなる単
成分繊維であっても、バインダー成分が繊維の表面の全
部あるいは一部を形成している芯鞘型、サイドバイサイ
ド型、海島型、割繊型等の複合繊維であってもよい。
熱融着繊維のバインダー成分としては、上記のごとく通
常のポリエステルの融点や分解点より融点の低いポリマ
ーであればよく、融点が100〜200℃であるのが好
ましい。融点が100℃未満であると、染色加工中に通
常かかりうる熱により溶融してしまい制御が困難にな
る。200℃を越えると、仕上加工時に熱セット工程で
溶融しにくく、融着による効果が出にくくなる恐れがあ
る。このようなポリマーの例としては、ポリエチレン、
ポリプロピレン共重合ナイロン、共重合ポリエステル等
が挙げられる。共重合ポリエステルの例としては,ポリ
エチレンテレフタレートにイソフタル酸、セバチン酸、
アジピン酸、ジエチレングリコール、1,4-ブタンジオー
ル等から選ばれた2種または2種以上の化合物を共重合
したもの等があるが,エチレンテレフタレート単位およ
び/またはブチレンテレフタレート単位にε−カプロラ
クトン単位を共重合したポリエステルで融点が130℃
以上のポリエステルを用いると130℃染色しても熱融
着繊維が染色中に溶解してしまうことがないので好都合
である。
【0007】本発明において、熱融着繊維の混紡率は、
3〜50%であり、好ましくは5〜30%である。熱融
着繊維の混紡率が3%未満であると、織編物を熱処理し
た後でも融着部分が少なく嵩高性の保持性が十分でな
く、50%を超えると融着部分が多くなりすぎて硬い織
編物になってしまう。
【0008】熱融着繊維の繊維長や繊度は限定しない
が、繊維長は38〜76mm、繊度は1〜10デニール
のものが適当である。
【0009】本発明において用いる高収縮ポリエステル
短繊維は、乾熱収縮率が18〜80%であるポリエステ
ル系短繊維であり、乾熱収縮率が18%未満であると、
他の混紡短繊維との収縮差が小さくなり、織編物の後処
理工程における熱処理によって生ずる凹凸が十分に発生
せず、良好な嵩高性が得られなくなる。乾熱収縮率が8
0%を超えると、他の混紡短繊維との剥離現象が生じ良
好な織物が得られなくなる。
【0010】上記のような高収縮ポリエステル短繊維
は、ポリエチレンテレフタレートの溶融紡糸後の延伸工
程における熱処理を調製して得ることができ、また、ポ
リエチレンテレフタレート単位に第3成分を共重合した
高収縮特性の得やすいポリエステルを用いて紡糸・延伸
することにより得ることができる。第3成分を共重合し
た例としては、テレフタール酸とエチレングリコールに
対して、第3成分としてフタル酸を共重合したものが挙
げられる。
【0011】本発明において、高収縮ポリエステル短繊
維の混紡率は、30%以上とする。高収縮ポリエステル
短繊維の混紡率が30%未満であると、織編物の嵩高性
を満足なものとすることができなくなる。
【0012】高収縮ポリエステル短繊維の繊維長や繊度
は限定しないが、繊維長は38〜76mm、繊度は1〜
10デニールのものが適当である。
【0013】本発明において、紡績糸は、熱融着繊維と
高収縮ポリエステル短繊維の2種の繊維のみからなる紡
績糸であってもよいが、さらに他の繊維が混紡されてい
てもよい。通常の紡織用繊維である綿、麻等の植物性繊
維、羊毛、絹等の動物性繊維、レーヨン、アセテート等
の再生繊維、ポリエステル、ナイロン、アクリル、ビニ
ロン等の合成繊維等が挙げられ、用途や目的によって選
べはよい。この第3の繊維の繊維長や繊度は、前2者や
紡績方法に合わせて設定すればよい。
【0014】紡績糸の精紡における撚数は、通常のレベ
ルでよく、撚数を番手の平方根で割って得られる撚係数
を2.8〜3.6の間に設定すればよい。本発明におい
ては、上記の混紡糸を用いて織物や編物を得る。織物や
編物の組織や製織方法はいずれでもよい。
【0015】このようにして得られた織編物に、熱融着
繊維のバインダー成分の融点より高い温度で熱処理を行
い、高収縮ポリエステル短繊維の収縮により織編物に嵩
高性をもたらせると共に熱融着繊維のバインダー成分で
構成繊維間を融着させ、嵩高性を保持させると共に張り
腰を付与する。熱処理としては、通常の工程中のプレセ
ット工程あるいは仕上セット工程のいずれかで行えばよ
い。
【0016】
【実施例】以下、本発明を実施例により具体的に説明す
る。実施例において、織物の評価は次の方法により行っ
た。 (1)嵩高性 10人のパネラーが、〇:嵩高性に優れている、△:嵩
高性は普通である。、×:嵩高性に欠けるの3段階で評
価し、評価者の1番多いものをもって、その試料の嵩高
性の評価とした。 (2)張り腰 10人のパネラーが、〇:張り腰に優れている、△:張
り腰は普通である。、×:張り腰がないの3段階で評価
し、評価者の1番多いものをもって、その試料の張り腰
の評価とした。
【0017】実施例1 バインダー成分としてエチレンテレフタレート単位/ブ
チレンテレフタレート単位(モル比1/1)およびこの
アルキレンテレフタレート単位全体とε−カプロラクト
ンの総モル数に対し、ε−カプロラクトンを15モル%
配合して共重合したポリエステル系ポリマーを鞘部に、
ポリエチレンテレフタレートを芯部に配した芯鞘型の熱
融着複合繊維とポリエチレンテレフタレートからなる乾
熱収縮率が70%で、繊維長が51mm、繊度が1.5デ
ニールである高収縮ポリエステル短繊維とを混紡率を1
5:85として常法にて混紡し、撚数14.3回/吋
(撚係数3.2)で20番手(英式番手)の紡績糸を得
て、この紡績糸を経緯糸として用い経密度125本/
吋、緯密度66本/吋で2/1綾組織の織物を得た。得
られた織物を、糊抜き・精練工程、リラックス工程、プ
レセット工程、毛焼工程、アルカリ減量工程、染色工
程、仕上げセット工程を経る仕上げ工程処理を行い、こ
れらの工程中のプレセット工程で180℃×30秒の熱
処理を行って、本発明による嵩高性織物を得た。
【0018】実施例2 バインダー成分としてエチレンテレフタレート単位/ブ
チレンテレフタレート単位(モル比1/1)およびこの
アルキレンテレフタレート単位全体とε−カプロラクト
ンの総モル数に対し、ε−カプロラクトンを15モル%
配合して共重合したポリエステル系ポリマーを鞘部に、
ポリエチレンテレフタレートを芯部に配した芯鞘型の熱
融着複合繊維と、ポリエチレンテレフタレートからなる
乾熱収縮率が70%で、繊維長が51mm、繊度が1.5
デニールである高収縮ポリエステル短繊維と、ポリエチ
レンテレフタレートからなる乾熱収縮率が3%で、繊維
長が51mm、繊度が1.5デニールである通常のポリエ
ステル短繊維とを混紡率を15:30:55として常法
にて混紡し、撚数14.3回/吋(撚係数3.2)で2
0番手(英式番手)の紡績糸を得て、この紡績糸を経緯
糸として用い経密度125本/吋、緯密度66本/吋で
2/1綾組織の織物を得た。得られた織物を、糊抜き・
精練工程、リラックス工程、プレセット工程、毛焼工
程、アルカリ減量工程、染色工程、仕上げセット工程を
経る仕上げ工程処理を行い、これらの工程中のプレセッ
ト工程で180℃×30秒の熱処理を行って、本発明に
よる嵩高性織物を得た。
【0019】実施例3 実施例1において用いた20番手の紡績糸を経糸に用
い、緯糸としてポリエチレンテレフタレートからなる1
00デニール24フィラメントの仮撚加工糸の双糸を用
いて、経密度125本/吋、緯密度66本/吋で2/1
綾組織の織物を製織し、糊抜き・精練工程、リラックス
工程、プレセット工程、毛焼工程、アルカリ減量工程、
染色工程、仕上げセット工程を経る仕上げ工程処理を行
い、これらの工程中のプレセット工程で180℃×30
秒の熱処理を行って、本発明による嵩高性織物を得た。
【0020】比較例1 ポリエチレンテレフタレートからなる乾熱収縮率が70
%で、繊維長が51mm、繊度が1.5デニールである高
収縮ポリエステル短繊維と、ポリエチレンテレフタレー
トからなる乾熱収縮率が3%で、繊維長が51mm、繊度
が1.5デニールである通常のポリエステル短繊維とを
混紡率を30:70として常法にて混紡し、撚数14.
3回/吋(撚係数3.2)で20番手(英式番手)の紡
績糸を得て、この紡績糸を経緯糸として用い経密度12
5本/吋、緯密度66本/吋で2/1綾組織の織物を得
た。得られた織物を、糊抜き・精練工程、リラックス工
程、プレセット工程、毛焼工程、アルカリ減量工程、染
色工程、仕上げセット工程を経る仕上げ工程処理を行
い、これらの工程中のプレセット工程で180℃×30
秒の熱処理を行って、比較例としての嵩高性織物を得
た。
【0021】得られた実施例1〜3及び比較例1の織物
の評価結果を併せて表1に示す。
【0022】
【表1】
【0023】表1から明らかなように、本発明による実
施例1〜3は、嵩高性、張り腰に優れたものであるのに
対し、熱融着繊維を用いていない比較例1は、熱融着繊
維による繊維間の融着がないため、織物に発生した凹凸
の保持性が悪く、張り腰の点でも劣るものであった。
【0024】
【発明の効果】本発明によると、良好な嵩高性と張り腰
を有する織編物を安定して提供することができる。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 熱融着繊維を3〜50%、乾熱収縮率が
    18〜80%である高収縮ポリエステル短繊維を30%
    以上含む紡績糸からなる織編物を、仕上加工工程におい
    て熱処理し該熱融着繊維を融着することを特徴とする嵩
    高織編物の製造方法。
JP11017282A 1999-01-26 1999-01-26 嵩高織編物の製造方法 Pending JP2000220055A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7030456B2 (en) 2003-03-13 2006-04-18 Sharp Kabushiki Kaisha Resistance-changing function body, memory element, manufacturing method therefor, memory device, semiconductor device and electronic equipment
JPWO2007034730A1 (ja) * 2005-09-20 2009-03-19 日本ハイモ工業株式会社 衣料用成型芯地

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7030456B2 (en) 2003-03-13 2006-04-18 Sharp Kabushiki Kaisha Resistance-changing function body, memory element, manufacturing method therefor, memory device, semiconductor device and electronic equipment
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