JP2000222945A - 低界面反射導電膜 - Google Patents
低界面反射導電膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低界面反射導電膜に関し、優れた干渉反射特
性を有する材料を提供する。 【解決手段】 屈折率ｎSの基板上に形成された中間膜
と、その上に形成された透明導電膜とからなり、前記透
明導電膜の屈折率ｎ1及び前記中間膜の屈折率ｎ2が、ｎ
S＜ｎ2＜ｎ1の条件を満たすように形成された低界面反
射導電膜。透明導電膜の屈折率ｎ1及びその膜厚ｄ1（ｎ
ｍ）並びに中間膜の屈折率ｎ2及びその膜厚ｄ2（ｎｍ）
は、好ましくは下記の条件を満たすように形成される。 １．９５≦ｎ1≦２．２ （ｎ1−０．５）＜ｎ2＜（ｎ1−０．０５） １００≦ｄ1≦５００ ８０≦ｄ2≦８００
性を有する材料を提供する。 【解決手段】 屈折率ｎSの基板上に形成された中間膜
と、その上に形成された透明導電膜とからなり、前記透
明導電膜の屈折率ｎ1及び前記中間膜の屈折率ｎ2が、ｎ
S＜ｎ2＜ｎ1の条件を満たすように形成された低界面反
射導電膜。透明導電膜の屈折率ｎ1及びその膜厚ｄ1（ｎ
ｍ）並びに中間膜の屈折率ｎ2及びその膜厚ｄ2（ｎｍ）
は、好ましくは下記の条件を満たすように形成される。 １．９５≦ｎ1≦２．２ （ｎ1−０．５）＜ｎ2＜（ｎ1−０．０５） １００≦ｄ1≦５００ ８０≦ｄ2≦８００
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、優れた干渉反射特
性を有する低界面反射導電膜に関する。更に詳しくは、
液晶駆動電極、太陽電池電極、タッチパネル等の電子光
学材料、面状発熱体等の電気材料、選択透過膜、熱線反
射膜、紫外線吸収膜等の光学材料、レジスト電着材、静
電塗装材等の塗装材料等に用いられる低界面反射導電膜
に関する。
性を有する低界面反射導電膜に関する。更に詳しくは、
液晶駆動電極、太陽電池電極、タッチパネル等の電子光
学材料、面状発熱体等の電気材料、選択透過膜、熱線反
射膜、紫外線吸収膜等の光学材料、レジスト電着材、静
電塗装材等の塗装材料等に用いられる低界面反射導電膜
に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶駆動電極、太陽電池電極、タッチパ
ネル等の電子光学材料、面状発熱体等の電気材料、選択
透過膜、熱線反射膜、紫外線吸収膜等の光学材料、レジ
スト電着材、静電塗装材等の塗装材料等に用いられる透
明導電膜は、ガラス基板上に直接又はＳｉＯ2薄膜を介
して成膜される。
ネル等の電子光学材料、面状発熱体等の電気材料、選択
透過膜、熱線反射膜、紫外線吸収膜等の光学材料、レジ
スト電着材、静電塗装材等の塗装材料等に用いられる透
明導電膜は、ガラス基板上に直接又はＳｉＯ2薄膜を介
して成膜される。
【０００３】一般に使用されているソーダライムガラス
はナトリウムを含有しているので、ソーダライムガラス
基板上に透明導電膜を直接成膜すると、ガラス基板から
ナトリウムが透明導電膜内へ拡散し、電気的特性を悪化
させるので、ソーダライムガラスを用いる場合は、厚さ
１００ｎｍ程度のＳｉＯ2薄膜を介して透明導電膜を成
膜することにより、ナトリウムの拡散を防止している。
また、透明導電膜を直接ガラス基板上に成膜する場合
は、ガラス基板として無アルカリガラスが使用される。
はナトリウムを含有しているので、ソーダライムガラス
基板上に透明導電膜を直接成膜すると、ガラス基板から
ナトリウムが透明導電膜内へ拡散し、電気的特性を悪化
させるので、ソーダライムガラスを用いる場合は、厚さ
１００ｎｍ程度のＳｉＯ2薄膜を介して透明導電膜を成
膜することにより、ナトリウムの拡散を防止している。
また、透明導電膜を直接ガラス基板上に成膜する場合
は、ガラス基板として無アルカリガラスが使用される。
【０００４】透明導電膜としては、一般にスズ添加酸化
インジウム（ＩＴＯ）、フッ素添加二酸化スズ（Ｆ−Ｓ
ｎＯ2）及びアルミニウム添加酸化亜鉛（以下「Ａｌ−
ＺｎＯ」と略す。）薄膜が多用されているが、それらの
屈折率は２程度である。一方、ガラスの屈折率は１．５
程度であり、両者の屈折率の差が大きい。このため、透
明導電膜をガラス基板上に直接成膜した場合は、両者の
界面で生じる干渉反射の影響が大きくなる。可視光領域
では、干渉反射の影響は各波長に対して均一ではなく、
特定の波長の光の透過率が低くなることにより、可視光
領域での透過率が波長によって変動し、いわゆる透過率
曲線の振幅が大きくなる。
インジウム（ＩＴＯ）、フッ素添加二酸化スズ（Ｆ−Ｓ
ｎＯ2）及びアルミニウム添加酸化亜鉛（以下「Ａｌ−
ＺｎＯ」と略す。）薄膜が多用されているが、それらの
屈折率は２程度である。一方、ガラスの屈折率は１．５
程度であり、両者の屈折率の差が大きい。このため、透
明導電膜をガラス基板上に直接成膜した場合は、両者の
界面で生じる干渉反射の影響が大きくなる。可視光領域
では、干渉反射の影響は各波長に対して均一ではなく、
特定の波長の光の透過率が低くなることにより、可視光
領域での透過率が波長によって変動し、いわゆる透過率
曲線の振幅が大きくなる。
【０００５】一方、ソーダライムガラス基板上にＳｉＯ
2薄膜を介して透明導電膜を成膜した場合でも、ＳｉＯ2
薄膜の屈折率は１．４６程度以下なので、透明導電膜と
ＳｉＯ2薄膜との界面で生じる干渉反射の影響が問題と
なる。すなわち、ＳｉＯ2薄膜を形成する目的は、前述
のようにソーダライムガラスから透明導電膜へのナトリ
ウム拡散を防ぐことであり、光学特性への影響は特に考
慮されていなかった。
2薄膜を介して透明導電膜を成膜した場合でも、ＳｉＯ2
薄膜の屈折率は１．４６程度以下なので、透明導電膜と
ＳｉＯ2薄膜との界面で生じる干渉反射の影響が問題と
なる。すなわち、ＳｉＯ2薄膜を形成する目的は、前述
のようにソーダライムガラスから透明導電膜へのナトリ
ウム拡散を防ぐことであり、光学特性への影響は特に考
慮されていなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述のように可視光領
域での透過率曲線の振幅が大きくなると、特定の波長に
対する干渉反射による着色が顕著となることや、特定の
いくつかの波長で透過率が低くなるなど、光学特性が低
下する。
域での透過率曲線の振幅が大きくなると、特定の波長に
対する干渉反射による着色が顕著となることや、特定の
いくつかの波長で透過率が低くなるなど、光学特性が低
下する。
【０００７】そこで本発明は、上記技術的課題を解決
し、優れた干渉反射特性を有する低界面反射導電膜を提
供することを目的とするものである。
し、優れた干渉反射特性を有する低界面反射導電膜を提
供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、屈折率ｎSの
基板上に形成された中間膜と、その上に形成された透明
導電膜とからなり、前記透明導電膜の屈折率ｎ1及び前
記中間膜の屈折率ｎ2が、ｎS＜ｎ2＜ｎ1の条件を満たす
ように形成されることを特徴とする低界面反射導電膜を
提供するものである。
基板上に形成された中間膜と、その上に形成された透明
導電膜とからなり、前記透明導電膜の屈折率ｎ1及び前
記中間膜の屈折率ｎ2が、ｎS＜ｎ2＜ｎ1の条件を満たす
ように形成されることを特徴とする低界面反射導電膜を
提供するものである。
【０００９】前記透明導電膜の屈折率ｎ1及びその膜厚
ｄ1（ｎｍ）並びに前記中間膜の屈折率ｎ2及びその膜厚
ｄ2（ｎｍ）は、下記の条件を満たすように形成される
ことが望ましい。 １．９５≦ｎ1≦２．２ （ｎ1−０．５）＜ｎ2＜（ｎ1−０．０５） １００≦ｄ1≦５００ ８０≦ｄ2≦８００
ｄ1（ｎｍ）並びに前記中間膜の屈折率ｎ2及びその膜厚
ｄ2（ｎｍ）は、下記の条件を満たすように形成される
ことが望ましい。 １．９５≦ｎ1≦２．２ （ｎ1−０．５）＜ｎ2＜（ｎ1−０．０５） １００≦ｄ1≦５００ ８０≦ｄ2≦８００
【００１０】前記中間膜の屈折率ｎ2は、好ましくは
１．７０〜１．７５程度であり、特に好ましくは１．７
０である。
１．７０〜１．７５程度であり、特に好ましくは１．７
０である。
【００１１】前記中間膜は、例えばＭｇＯ薄膜又はＴｉ
Ｏ2／ＳｉＯ2混合薄膜からなる。
Ｏ2／ＳｉＯ2混合薄膜からなる。
【００１２】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１３】本発明は、透明導電膜と基板の間に特定屈
折率の中間膜を設けることにより、透明導電性薄膜コー
トガラスの干渉反射の影響を低減したものである。
折率の中間膜を設けることにより、透明導電性薄膜コー
トガラスの干渉反射の影響を低減したものである。
【００１４】透明導電膜をコートした基板に光が入射す
ると、入射光の一部は透明導電膜の表面及び透明導電膜
と基板の界面にてそれぞれ反射される。透明導電膜の膜
厚が可視光程度である場合、各界面の反射光はお互に干
渉する（干渉反射）。そのために、透明導電膜の透過率
曲線には光の波長に対する振動が現れる。その干渉反射
の度合いは、薄膜の膜厚（ｄ）と屈折率（ｎ）及び基板
の屈折率（ｎS）により決定される。一般に使用される
透明導電膜の屈折率は２程度であるのに対し、基板とし
て最も多く使用されるガラスの屈折率は１．５程度であ
り、両者の屈折率の差が大きいために、干渉反射による
透過率曲線の振幅は大きなものとなる。
ると、入射光の一部は透明導電膜の表面及び透明導電膜
と基板の界面にてそれぞれ反射される。透明導電膜の膜
厚が可視光程度である場合、各界面の反射光はお互に干
渉する（干渉反射）。そのために、透明導電膜の透過率
曲線には光の波長に対する振動が現れる。その干渉反射
の度合いは、薄膜の膜厚（ｄ）と屈折率（ｎ）及び基板
の屈折率（ｎS）により決定される。一般に使用される
透明導電膜の屈折率は２程度であるのに対し、基板とし
て最も多く使用されるガラスの屈折率は１．５程度であ
り、両者の屈折率の差が大きいために、干渉反射による
透過率曲線の振幅は大きなものとなる。
【００１５】本発明においては、透明導電膜コートガラ
スの透過率曲線の振幅を低減させることを目的として、
中間膜の屈折率に着目した。その結果、特定の屈折率を
有する中間膜を用いると、透明導電膜コートガラスの透
過率曲線の振幅を低減することができた。これにより、
透明導電膜コートガラスの干渉反射による着色を低減で
きる。更に、中間膜の屈折率を制御することにより、透
明導電膜コートガラスの干渉反射特性を制御することも
可能となる。
スの透過率曲線の振幅を低減させることを目的として、
中間膜の屈折率に着目した。その結果、特定の屈折率を
有する中間膜を用いると、透明導電膜コートガラスの透
過率曲線の振幅を低減することができた。これにより、
透明導電膜コートガラスの干渉反射による着色を低減で
きる。更に、中間膜の屈折率を制御することにより、透
明導電膜コートガラスの干渉反射特性を制御することも
可能となる。
【００１６】中間膜の屈折率の制御とは、基板の屈折率
ｎSに対して透明導電膜及び中間膜の各屈折率ｎ1及びｎ
2が一定の関係となるような膜材料を選択することであ
り、具体的には、ｎS＜ｎ2＜ｎ1の条件を満たすことが
必要である。
ｎSに対して透明導電膜及び中間膜の各屈折率ｎ1及びｎ
2が一定の関係となるような膜材料を選択することであ
り、具体的には、ｎS＜ｎ2＜ｎ1の条件を満たすことが
必要である。
【００１７】透明導電膜の屈折率ｎ1及びその膜厚ｄ
1（ｎｍ）並びに中間膜の屈折率ｎ2及びその膜厚ｄ
2（ｎｍ）は、好ましくは下記の条件を満たすように形
成される。 １．９５≦ｎ1≦２．２ （ｎ1−０．５）＜ｎ2＜（ｎ1−０．０５）
1（ｎｍ）並びに中間膜の屈折率ｎ2及びその膜厚ｄ
2（ｎｍ）は、好ましくは下記の条件を満たすように形
成される。 １．９５≦ｎ1≦２．２ （ｎ1−０．５）＜ｎ2＜（ｎ1−０．０５）
【００１８】また、透明導電膜の膜厚ｄ1（ｎｍ）及び
中間層の膜厚ｄ2（ｎｍ）は、それぞれ １００≦ｄ1≦５００ ８０≦ｄ2≦８００ を満たすことが望ましい。ｄ1が１００ｎｍ未満では、
導電性が充分得られないことがあり、ｄ1が５００ｎｍ
を越えると、加工性の困難が生じることがある。一方、
ｄ2が８０ｎｍ未満では、ソーダライムガラスを基板に
用いた場合にはアルカリのバリヤ効果がなくなることが
あり、ｄ2が８００ｎｍを越えると、干渉膜が得られな
い。
中間層の膜厚ｄ2（ｎｍ）は、それぞれ １００≦ｄ1≦５００ ８０≦ｄ2≦８００ を満たすことが望ましい。ｄ1が１００ｎｍ未満では、
導電性が充分得られないことがあり、ｄ1が５００ｎｍ
を越えると、加工性の困難が生じることがある。一方、
ｄ2が８０ｎｍ未満では、ソーダライムガラスを基板に
用いた場合にはアルカリのバリヤ効果がなくなることが
あり、ｄ2が８００ｎｍを越えると、干渉膜が得られな
い。
【００１９】上記条件を満たす場合、透明導電膜と中間
膜との界面及び中間膜とガラス基板との界面の各反射光
を合わせた反射光強度は、上記条件を満たさない場合の
反射光強度あるいは中間膜を設けない単相導電膜におけ
る透明導電膜とガラス基板との界面の反射光強度よりも
小さくすることができ、透過率が向上する。また、透過
率の干渉振幅も小さくなる。
膜との界面及び中間膜とガラス基板との界面の各反射光
を合わせた反射光強度は、上記条件を満たさない場合の
反射光強度あるいは中間膜を設けない単相導電膜におけ
る透明導電膜とガラス基板との界面の反射光強度よりも
小さくすることができ、透過率が向上する。また、透過
率の干渉振幅も小さくなる。
【００２０】前記中間膜は、上記条件を満たす限り、そ
の材料は特に限定されないが、上記条件を満たし得る材
料として、ＭｇＯ薄膜又はＴｉＯ2／ＳｉＯ2混合薄膜か
らなるものが挙げられる。
の材料は特に限定されないが、上記条件を満たし得る材
料として、ＭｇＯ薄膜又はＴｉＯ2／ＳｉＯ2混合薄膜か
らなるものが挙げられる。
【００２１】
【発明の実施の形態】次に、中間膜の屈折率が及ぼす透
明導電膜コートガラスの分光透過特性への影響について
具体的に検討した結果を示す。図１は、中間膜の屈折率
ｎ2が種々の値の場合における透過率曲線（波長と透過
率の関係）を示す。ここでは、ガラス基板（屈折率ｎｓ
＝１．５２）上に各屈折率を有する中間膜（膜厚ｄ2＝
１００ｎｍ）を形成し、その上に透明導電膜（屈折率ｎ
1＝２．０、膜厚ｄ1＝３００ｎｍ）を形成した場合を示
す。また、比較のために、中間膜を設けない単相透明導
電膜コートガラスの場合も示す。なお、入射媒質である
空気の屈折率ｎ０は１とする。
明導電膜コートガラスの分光透過特性への影響について
具体的に検討した結果を示す。図１は、中間膜の屈折率
ｎ2が種々の値の場合における透過率曲線（波長と透過
率の関係）を示す。ここでは、ガラス基板（屈折率ｎｓ
＝１．５２）上に各屈折率を有する中間膜（膜厚ｄ2＝
１００ｎｍ）を形成し、その上に透明導電膜（屈折率ｎ
1＝２．０、膜厚ｄ1＝３００ｎｍ）を形成した場合を示
す。また、比較のために、中間膜を設けない単相透明導
電膜コートガラスの場合も示す。なお、入射媒質である
空気の屈折率ｎ０は１とする。
【００２２】図１から分かるように、中間膜を設けない
単相膜の場合は干渉反射による透過率曲線の振幅は非常
に大きくなる。また、屈折率がガラス基板の屈折率ｎｓ
より小さい中間膜を用いた場合（ｎ2＝１．４６、Ｓｉ
Ｏ2の屈折率に相当）は、単層膜の場合よりも透過率曲
線の振幅が更に大きくなっている。それに対して、屈折
率がガラス基板の屈折率と透明導電膜の屈折率との間に
ある中間膜を用いた場合（ｎ2＝１．６０，１．７０，
１．８５）は、単相膜の場合よりも透過率曲線の振幅が
小さくなっている。したがって、この範囲で中間膜は反
射緩衝層として働くことが確認できた。特に、ｎ2が
１．７０程度の時に、その効果が最も大きくなることが
期待できる。
単相膜の場合は干渉反射による透過率曲線の振幅は非常
に大きくなる。また、屈折率がガラス基板の屈折率ｎｓ
より小さい中間膜を用いた場合（ｎ2＝１．４６、Ｓｉ
Ｏ2の屈折率に相当）は、単層膜の場合よりも透過率曲
線の振幅が更に大きくなっている。それに対して、屈折
率がガラス基板の屈折率と透明導電膜の屈折率との間に
ある中間膜を用いた場合（ｎ2＝１．６０，１．７０，
１．８５）は、単相膜の場合よりも透過率曲線の振幅が
小さくなっている。したがって、この範囲で中間膜は反
射緩衝層として働くことが確認できた。特に、ｎ2が
１．７０程度の時に、その効果が最も大きくなることが
期待できる。
【００２３】次に、上記検討結果に基づいて、屈折率ｎ
2が１．７０に近いＭｇＯ（ｎ2＝１．７２）を中間膜と
して用いた場合の透過率曲線を図２に示す。すなわち、
膜厚３００ｎｍのＡｌ−ＺｎＯ薄膜を透明導電膜として
用いたＡｌ−ＺｎＯ／ＭｇＯ層薄膜の可視光領域におけ
る透過率曲線である。なお、比較のために、ＳｉＯ2を
中間膜として用いた場合も併せて示す。図２から分かる
通り、ＭｇＯを用いた場合の透過率曲線は、振幅が比較
的小さいのに対し、ＳｉＯ2を用いた場合は振幅が相対
的に大きくなる。
2が１．７０に近いＭｇＯ（ｎ2＝１．７２）を中間膜と
して用いた場合の透過率曲線を図２に示す。すなわち、
膜厚３００ｎｍのＡｌ−ＺｎＯ薄膜を透明導電膜として
用いたＡｌ−ＺｎＯ／ＭｇＯ層薄膜の可視光領域におけ
る透過率曲線である。なお、比較のために、ＳｉＯ2を
中間膜として用いた場合も併せて示す。図２から分かる
通り、ＭｇＯを用いた場合の透過率曲線は、振幅が比較
的小さいのに対し、ＳｉＯ2を用いた場合は振幅が相対
的に大きくなる。
【００２４】次に、透明導電膜の膜厚と透過率との関係
について検討した結果を示す。例えばレジスト電着法で
透明導電膜が形成される場合、青色領域（波長４６０ｎ
ｍ程度）及び緑色領域（波長５５０ｎｍ程度）の光の透
過率が低いことが問題となることがある。透明導電膜コ
ートガラスには、波長が４６０ｎｍで８５％以上、５５
０ｎｍで８０％以上の透過率があることが望ましい。そ
こで、両波長における透過率と透明導電膜の膜厚との関
係を調べた。
について検討した結果を示す。例えばレジスト電着法で
透明導電膜が形成される場合、青色領域（波長４６０ｎ
ｍ程度）及び緑色領域（波長５５０ｎｍ程度）の光の透
過率が低いことが問題となることがある。透明導電膜コ
ートガラスには、波長が４６０ｎｍで８５％以上、５５
０ｎｍで８０％以上の透過率があることが望ましい。そ
こで、両波長における透過率と透明導電膜の膜厚との関
係を調べた。
【００２５】図３は、中間膜を設けない単相膜（Ａｌ−
ＺｎＯ薄膜）の場合における透明導電膜の膜厚と透過率
との関係を示す。また、図４は屈折率ｎ2が１．４６の
ＳｉＯ2膜（膜厚１００ｎｍ）を中間膜として形成した
場合を示す。単相膜の場合は透明導電膜の膜厚が１００
〜１４０ｎｍ付近及び２３０〜２５０ｎｍ付近で上記両
波長の光の透過率が共に上記条件を満たす。また３７０
ｎｍ付近でも上記条件を満たす。また、ＳｉＯ2膜を中
間層として形成した場合も、透明導電膜の膜厚が１００
〜１４０ｎｍ付近及び２４０〜２５０ｎｍ付近で上記条
件を満たす。
ＺｎＯ薄膜）の場合における透明導電膜の膜厚と透過率
との関係を示す。また、図４は屈折率ｎ2が１．４６の
ＳｉＯ2膜（膜厚１００ｎｍ）を中間膜として形成した
場合を示す。単相膜の場合は透明導電膜の膜厚が１００
〜１４０ｎｍ付近及び２３０〜２５０ｎｍ付近で上記両
波長の光の透過率が共に上記条件を満たす。また３７０
ｎｍ付近でも上記条件を満たす。また、ＳｉＯ2膜を中
間層として形成した場合も、透明導電膜の膜厚が１００
〜１４０ｎｍ付近及び２４０〜２５０ｎｍ付近で上記条
件を満たす。
【００２６】上記結果から分かる通り、単相膜の場合は
波長が４６０ｎｍ及び５５０ｎｍにおける透過率が透明
導電膜の膜厚によって大きく変化するので、透明導電膜
の膜厚の選択幅は非常に小さくなる。特に透明導電膜の
膜厚が３００ｎｍを越える範囲では膜厚が３７０ｎｍ付
近の非常に狭い範囲でしか上記条件を満たさず、膜厚が
僅かでも変化すると透過率は上記条件を満たさなくな
る。また、ＳｉＯ2膜を中間膜として形成した場合もほ
ぼ同様の結果となり、特に透明導電膜の膜厚が３００ｎ
ｍを越える範囲には上記条件を満たす場合がなく、中間
膜を設けたからといって必ずしも光学特性が向上するわ
けではないことが分かる。
波長が４６０ｎｍ及び５５０ｎｍにおける透過率が透明
導電膜の膜厚によって大きく変化するので、透明導電膜
の膜厚の選択幅は非常に小さくなる。特に透明導電膜の
膜厚が３００ｎｍを越える範囲では膜厚が３７０ｎｍ付
近の非常に狭い範囲でしか上記条件を満たさず、膜厚が
僅かでも変化すると透過率は上記条件を満たさなくな
る。また、ＳｉＯ2膜を中間膜として形成した場合もほ
ぼ同様の結果となり、特に透明導電膜の膜厚が３００ｎ
ｍを越える範囲には上記条件を満たす場合がなく、中間
膜を設けたからといって必ずしも光学特性が向上するわ
けではないことが分かる。
【００２７】一方図５は、屈折率ｎ2が１．７０の中間
膜（膜厚１００ｎｍ）を形成した場合を示す。図５から
分かる通り、透明導電膜の膜厚が１００〜１５０ｎｍ付
近、２１５〜２７０ｎｍ付近及び３３０〜３８０ｎｍ付
近で上記両波長の光の透過率が共に上記条件を満たす。
この場合、上記両波長での透過率変化が小さくなり、膜
厚が３００ｎｍを越える領域でも上記条件を満たす範囲
が広く、透明導電膜の膜厚の選択幅が広くとれることに
なる。透明導電膜の膜厚はシート抵抗にも影響するの
で、電気的性質を考慮したコートガラスの設計を容易に
する効果が得られる。したがって、上記条件を満たす比
較的厚い透明導電膜を形成することにより、低抵抗率で
且つ透過率特性の良いコートガラスを得ることが可能と
なる。
膜（膜厚１００ｎｍ）を形成した場合を示す。図５から
分かる通り、透明導電膜の膜厚が１００〜１５０ｎｍ付
近、２１５〜２７０ｎｍ付近及び３３０〜３８０ｎｍ付
近で上記両波長の光の透過率が共に上記条件を満たす。
この場合、上記両波長での透過率変化が小さくなり、膜
厚が３００ｎｍを越える領域でも上記条件を満たす範囲
が広く、透明導電膜の膜厚の選択幅が広くとれることに
なる。透明導電膜の膜厚はシート抵抗にも影響するの
で、電気的性質を考慮したコートガラスの設計を容易に
する効果が得られる。したがって、上記条件を満たす比
較的厚い透明導電膜を形成することにより、低抵抗率で
且つ透過率特性の良いコートガラスを得ることが可能と
なる。
【００２８】次に、上記検討結果に基づいて、ソーダラ
イムガラスを基板として用い、該基板上に膜厚３３０ｎ
ｍのＡｌ−ＺｎＯ薄膜を膜厚１００ｎｍのＭｇＯ薄膜
（ｎ2＝１．７２）を介して形成した場合の透過率曲線
を図６に示す。すなわち、膜厚３３０ｎｍのＡｌ−Ｚｎ
Ｏ薄膜を形成したＡｌ−ＺｎＯ／ＭｇＯ層薄膜の可視光
領域における透過率曲線である。なお、比較のために、
ＳｉＯ2を中間膜として用いた場合も併せて示す。図６
から分かる通り、ＭｇＯを用いた場合の透過率は、４６
０ｎｍで９０．４％及び５５０ｎｍで８４．３％であ
り、前述した条件を満たしている。
イムガラスを基板として用い、該基板上に膜厚３３０ｎ
ｍのＡｌ−ＺｎＯ薄膜を膜厚１００ｎｍのＭｇＯ薄膜
（ｎ2＝１．７２）を介して形成した場合の透過率曲線
を図６に示す。すなわち、膜厚３３０ｎｍのＡｌ−Ｚｎ
Ｏ薄膜を形成したＡｌ−ＺｎＯ／ＭｇＯ層薄膜の可視光
領域における透過率曲線である。なお、比較のために、
ＳｉＯ2を中間膜として用いた場合も併せて示す。図６
から分かる通り、ＭｇＯを用いた場合の透過率は、４６
０ｎｍで９０．４％及び５５０ｎｍで８４．３％であ
り、前述した条件を満たしている。
【００２９】
【実施例】次に、本発明について実施例及び比較例を挙
げてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施
例にのみ限定されるものではない。
げてさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施
例にのみ限定されるものではない。
【００３０】（実施例１）ＭｇＯ薄膜の形成 ガラス基板としてソーダライムガラスを用い、この上に
ＭｇＯ薄膜を高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタリン
グ法により形成した。ガラス基板及びターゲットをスパ
ッタリングチャンバー内に設置した後、ロータリーポン
プと油拡散ポンプを用いて５×１０−４Ｐａ程度まで排
気した。成膜を開始する前に、ターゲット上の不純物を
除去するために、Ａｒイオンエッチングを１０分間行っ
た。その後、所定のガス組成、ガス圧力及び高周波出力
に設定して成膜を開始した。ＭｇＯ薄膜は、ＭｇＯ焼結
体をターゲットとして用いて作製した。ＭｇＯの成膜速
度は約３ｎｍ／分であり、膜厚が１００ｎｍになるよう
に成膜時間を調節した。基板温度は特に制御しなかっ
た。スパッタリングガスは、Ａｒ−Ｏ2混合ガスを用い
た。Ａｒ／Ｏ2比は、マスフローコントローラーを用い
て１／１に制御した。動作圧力は１．０Ｐａである。基
板−ターゲット間距離は５０ｍｍとした。 成膜条件 高周波出力：２００Ｗ スパッタリングガス：Ａｒ−Ｏ2混合ガス（Ａｒ：Ｏ2＝
１：１） ガス圧力：１Ｐａ程度 基板温度：加熱なし 基板−ターゲット間距離：約５０ｍｍ ターゲット：ＭｇＯ焼結体 膜厚：１００ｎｍ 膜物性 構造：アモルファス構造 屈折率：１．７２程度 可視光透過率：８３−９０％ 電気的性質：絶縁体
ＭｇＯ薄膜を高周波（ＲＦ）マグネトロンスパッタリン
グ法により形成した。ガラス基板及びターゲットをスパ
ッタリングチャンバー内に設置した後、ロータリーポン
プと油拡散ポンプを用いて５×１０−４Ｐａ程度まで排
気した。成膜を開始する前に、ターゲット上の不純物を
除去するために、Ａｒイオンエッチングを１０分間行っ
た。その後、所定のガス組成、ガス圧力及び高周波出力
に設定して成膜を開始した。ＭｇＯ薄膜は、ＭｇＯ焼結
体をターゲットとして用いて作製した。ＭｇＯの成膜速
度は約３ｎｍ／分であり、膜厚が１００ｎｍになるよう
に成膜時間を調節した。基板温度は特に制御しなかっ
た。スパッタリングガスは、Ａｒ−Ｏ2混合ガスを用い
た。Ａｒ／Ｏ2比は、マスフローコントローラーを用い
て１／１に制御した。動作圧力は１．０Ｐａである。基
板−ターゲット間距離は５０ｍｍとした。 成膜条件 高周波出力：２００Ｗ スパッタリングガス：Ａｒ−Ｏ2混合ガス（Ａｒ：Ｏ2＝
１：１） ガス圧力：１Ｐａ程度 基板温度：加熱なし 基板−ターゲット間距離：約５０ｍｍ ターゲット：ＭｇＯ焼結体 膜厚：１００ｎｍ 膜物性 構造：アモルファス構造 屈折率：１．７２程度 可視光透過率：８３−９０％ 電気的性質：絶縁体
【００３１】Ａｌ−ＺｎＯ薄膜の形成 上記のようにしてＭｇＯ薄膜を形成したガラス基板上
に、３重量％のＡｌを含むＡｌ−ＺｎＯ焼結体をターゲ
ットとして用いてＡｌ−ＺｎＯ薄膜を成膜した。基板温
度は、基板ホルダーの裏側に設置したヒーターを使用し
て４７３Ｋに制御した。スパッタリングガスはＡｒを用
いて、特にＯ2ガスは加えなかった。ガス圧は１Ｐａと
した。高周波出力は１００Ｗとした。基板−ターゲット
間距離を３３ｍｍから７７ｍｍの間で変化させた。Ａｌ
−ＺｎＯ薄膜の膜厚は３００ｎｍ程度になるように成膜
時間を調節した。 成膜条件 高周波出力：１００Ｗ スパッタリングガス：Ａｒガス ガス圧力：１Ｐａ程度 基板温度：４７３Ｋ 基板−ターゲット間距離：３３〜７７ｍｍ ターゲット：Ａｌ−ＺｎＯ焼結体 膜厚：３００ｎｍ 膜物性 電気的性質：基板−ターゲット間距離が短いほど低抵抗
率を示す。（抵抗率：３．４×１０-3〜８．５×１０-4
Ω・ｃｍ） 光学的性質：可視光領域での透過率は７８〜９０％の間
で変化する。
に、３重量％のＡｌを含むＡｌ−ＺｎＯ焼結体をターゲ
ットとして用いてＡｌ−ＺｎＯ薄膜を成膜した。基板温
度は、基板ホルダーの裏側に設置したヒーターを使用し
て４７３Ｋに制御した。スパッタリングガスはＡｒを用
いて、特にＯ2ガスは加えなかった。ガス圧は１Ｐａと
した。高周波出力は１００Ｗとした。基板−ターゲット
間距離を３３ｍｍから７７ｍｍの間で変化させた。Ａｌ
−ＺｎＯ薄膜の膜厚は３００ｎｍ程度になるように成膜
時間を調節した。 成膜条件 高周波出力：１００Ｗ スパッタリングガス：Ａｒガス ガス圧力：１Ｐａ程度 基板温度：４７３Ｋ 基板−ターゲット間距離：３３〜７７ｍｍ ターゲット：Ａｌ−ＺｎＯ焼結体 膜厚：３００ｎｍ 膜物性 電気的性質：基板−ターゲット間距離が短いほど低抵抗
率を示す。（抵抗率：３．４×１０-3〜８．５×１０-4
Ω・ｃｍ） 光学的性質：可視光領域での透過率は７８〜９０％の間
で変化する。
【００３２】（比較例１）ＳｉＯ2薄膜の形成 ターゲットとしてＳｉＯ2焼結体を用いた以外は実施例
１と同様の方法でＳｉＯ2薄膜を形成した。 成膜条件 高周波出力：２００Ｗ スパッタリングガス：Ａｒ−Ｏ2混合ガス（Ａｒ：Ｏ2＝
１：１） ガス圧力：１Ｐａ程度 基板温度：加熱なし 基板−ターゲット間距離：約５０ｍｍ ターゲット：ＳｉＯ2焼結体 膜厚：１００ｎｍ 膜物性 構造：アモルファス構造 屈折率：１．３９程度 可視光透過率：８３〜９０％ 電気的性質：絶縁体
１と同様の方法でＳｉＯ2薄膜を形成した。 成膜条件 高周波出力：２００Ｗ スパッタリングガス：Ａｒ−Ｏ2混合ガス（Ａｒ：Ｏ2＝
１：１） ガス圧力：１Ｐａ程度 基板温度：加熱なし 基板−ターゲット間距離：約５０ｍｍ ターゲット：ＳｉＯ2焼結体 膜厚：１００ｎｍ 膜物性 構造：アモルファス構造 屈折率：１．３９程度 可視光透過率：８３〜９０％ 電気的性質：絶縁体
【００３３】Ａｌ−ＺｎＯ薄膜の形成 実施例１と同様の条件で形成した。
【００３４】
【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、可視
光領域での透過率曲線の振幅が小さく、特定の波長に対
する干渉反射による着色が生じない、優れた干渉反射特
性を有する低界面反射導電膜を提供することができる。
光領域での透過率曲線の振幅が小さく、特定の波長に対
する干渉反射による着色が生じない、優れた干渉反射特
性を有する低界面反射導電膜を提供することができる。
【図１】中間膜の屈折率ｎ2が種々の値の場合における
透過率曲線（波長と透過率の関係）を示すグラフであ
る。
透過率曲線（波長と透過率の関係）を示すグラフであ
る。
【図２】ＭｇＯ及びＳｉＯ2をそれぞれ中間膜として用
いた場合の各透過率曲線を示すグラフである。
いた場合の各透過率曲線を示すグラフである。
【図３】中間膜を設けない単相膜の場合における透明導
電膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
電膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
【図４】ＳｉＯ2膜を中間膜として形成した場合の透明
導電膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
導電膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
【図５】ＭｇＯ膜を中間膜として形成した場合の透明導
電膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
電膜の膜厚と透過率との関係を示すグラフである。
【図６】ＭｇＯ膜を中間膜として形成した場合の透過率
曲線を示すグラフである。
曲線を示すグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉村 博之 愛知県名古屋市北区名城３−１ 名城住宅 ９−609 (72)発明者 宇野 仁 愛知県岡崎市藤川町峠荒古24 Ｆターム(参考） 4F100 AA18B AA20B AA21B AA25 AB10 AG00 AR00A AR00B AR00C BA03 BA07 BA10A BA10C EH66 GB90 JG01C JM02B JM02C JN01C JN18A 5B087 AA00 AC09 AE00 CC13 CC14 5G307 FA01 FB01 FB02 FC08
Claims (3)
- 【請求項１】 屈折率ｎSの基板上に形成された中間膜
と、その上に形成された透明導電膜とからなり、前記透
明導電膜の屈折率ｎ1及び前記中間膜の屈折率ｎ2が、ｎ
S＜ｎ2＜ｎ1の条件を満たすように形成されることを特
徴とする低界面反射導電膜。 - 【請求項２】 前記透明導電膜の屈折率ｎ1及びその膜
厚ｄ1（ｎｍ）並びに前記中間膜の屈折率ｎ2及びその膜
厚ｄ2（ｎｍ）が、下記の条件を満たすように形成され
ることを特徴とする請求項１記載の低界面反射導電膜。 １．９５≦ｎ1≦２．２ （ｎ1−０．５）＜ｎ2＜（ｎ1−０．０５） １００≦ｄ1≦５００ ８０≦ｄ2≦８００ - 【請求項３】 前記中間膜が、ＭｇＯ薄膜又はＴｉＯ2
／ＳｉＯ2混合薄膜からなることを特徴とする請求項１
又は２記載の低界面反射導電膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1951999A JP2000222945A (ja) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | 低界面反射導電膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1951999A JP2000222945A (ja) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | 低界面反射導電膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000222945A true JP2000222945A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12001607
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1951999A Pending JP2000222945A (ja) | 1999-01-28 | 1999-01-28 | 低界面反射導電膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000222945A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003100794A1 (fr) * | 2002-05-23 | 2003-12-04 | Nof Corporation | Film stratifie conducteur transparent, panneau tactile comprenant un tel film et procede de fabrication dudit film |
-
1999
- 1999-01-28 JP JP1951999A patent/JP2000222945A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003100794A1 (fr) * | 2002-05-23 | 2003-12-04 | Nof Corporation | Film stratifie conducteur transparent, panneau tactile comprenant un tel film et procede de fabrication dudit film |
| CN100338692C (zh) * | 2002-05-23 | 2007-09-19 | 日本油脂株式会社 | 透明导电层合薄膜、含透明导电层合薄膜的接触面板以及透明导电层合薄膜的制备方法 |
| US7521123B2 (en) | 2002-05-23 | 2009-04-21 | Nof Corporation | Transparent conductive laminate film, touch panel having this transparent conductive laminate film, and production method for this transparent conductive laminate film |
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