JP2000223268A

JP2000223268A - 有機電界発光素子の製造方法

Info

Publication number: JP2000223268A
Application number: JP11018552A
Authority: JP
Inventors: Shigeo Fujimori; 茂雄藤森; Yoshio Himeshima; 義夫姫島
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1999-01-27
Filing date: 1999-01-27
Publication date: 2000-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】生産性が高く、かつ安定したドーピング濃度が
保持できる方法でゲスト材料をドープした有機電界発光
素子を製造する。【解決手段】少なくとも有機化合物からなる発光層を含
む薄膜層の少なくとも一部分の形成において、蒸着源と
基板との間に開口部を有するシート状物質またはメッシ
ュ状物質からなる蒸着量制限手段を用いる。微小量の添
加を目的とする発光層のゲスト材料などの蒸着工程を効
率よく、かつその添加量を精度よくコントロールするこ
とで、安定して微量成分のドーピングが可能になり、発
光効率や色純度の再現性が向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子、フラッ
トパネルディスプレイ、バックライト、照明、インテリ
ア、標識、看板、電子写真機などの分野に利用可能な、
電気エネルギーを光に変換できる有機電界発光素子の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔とが、両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合
して発光するという有機電界発光素子の研究開発が活発
に行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下での
高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が特徴
であり注目を集めている。

【０００３】有機電界発光素子が低電圧で高輝度に発光
することは、イーストマン・コダック社のC.W.Tangらに
よって初めて示された(Appl.Phys.Lett.,51(12)913(198
7).)。ここに示された有機電界発光素子の代表的な構成
は、ＩＴＯ透明電極膜が形成されたガラス基板上に、蒸
着法によって正孔輸送性のジアミン化合物、発光層であ
る８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ₃）、
そして陰極としてＭｇ：Ａｇを順次設けたものであり、
１０Ｖ程度の駆動電圧で１０００ｃｄ／ｍ²の緑色発光
が可能であった。現在の有機電界発光素子は、上記の素
子構成要素の他に電子輸送層を設けるなど構成を変えて
いるものもあるが、基本的にはC.W.Tangらの構成を踏襲
している。

【０００４】上記発光層などは、ドライプロセスである
真空蒸着法によって形成されることが多い。このシステ
ムでは蒸着源で有機化合物を蒸発温度に加熱し、膜厚セ
ンサーで蒸着レートを検出し、これを蒸着源制御ユニッ
トで制御しながら蒸着速度をコントロールして、毎秒
０．１〜１０ｎｍの速さで有機層を形成する。さらに、
発光層の形成においては、メインになる有機化合物（ホ
スト材料）と少量混入する有機化合物（ゲスト材料また
はドーパント）とを共蒸着する場合がある。例えば、ホ
スト材料を毎秒１ｎｍの速度で蒸着し、ゲスト材料を毎
秒０．０１ｎｍで蒸着して、１％のドーパントを有する
発光層を形成するなどである。

【０００５】具体例としては、赤色（Ｒ）発光層の形成
においては、ホスト材料に（Ａｌｑ ₃）を用い、これに
１重量％程度の４−（ジシアノメチレン）−２−メチル
−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４−ピラン
（ＤＣＭ）がドーピングされる。また、緑色（Ｇ）発光
層の形成においては、ホスト材料に（Ａｌｑ₃）を用
い、ゲスト材料となるドーパントは、ジアザインダセン
誘導体である１，３，５，７，８−ペンタメチル−４，
４−ジクロロ−４−ボラ−３ａ，４ａ−ジアザ−ｓ−イ
ンダセン（ＰＭ５４６）が０．３重量％程度ドープされ
る。

【０００６】このようなドーパントとして、上記の他に
ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導
体、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、クマリン誘導
体、ジアザインダセン誘導体などが用いられる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ドーピングされるゲス
ト材料のホスト材料に対する割合は、０．０５〜５重量
％であることが多く、蒸着速度もこれに対応してホスト
材料蒸着速度の１／２０〜１／２０００ということにな
り、そのコントロールはかなり難しく、精密にゲスト材
料をドーピングすることが困難になるという問題があ
る。

【０００８】蒸発源の温度のコントロールを容易にする
と共に、膜厚モニターの検出範囲で正しい調整の可能な
ことが重要であり、ゲスト材料の安定した蒸着を実現す
ることは有機電界発光素子の生産性向上に必須の技術で
ある。

【０００９】生産性が高く、かつ安定したドーピング濃
度が保持できる方法でゲスト材料をドープした有機電界
発光素子を製造する方法が所望されている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、基板上に形成
された第一電極と、この第一電極上に形成された少なく
とも有機化合物からなる発光層を含む薄膜層と、さらに
その薄膜層上に形成された第二電極とを含む有機電界発
光素子の製造方法であって、基板と蒸着源との間に蒸着
量制限手段を設けて状態で蒸着することにより薄膜層の
少なくとも一部分を形成することにより、前記課題を解
決するものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の有機電界発光素子は、第
一電極と第二電極との間に少なくとも有機化合物からな
る発光層を有する薄膜層が存在し、電気エネルギーによ
り発光する素子である。さらに、本発明の有機電界発光
素子の製造方法は、基板上に形成された第一電極をパタ
ーニングする工程、少なくとも有機化合物からなる発光
層を含む薄膜層を形成する工程、およびパターニングさ
れた第二電極を形成する工程を含むものである。これら
の工程のうち、少なくとも薄膜層の一部の形成にはドラ
イプロセスの膜形成技術が用いられる。

【００１２】本発明は、上記のような工程を含んだ製造
方法にあって、少なくとも有機化合物からなる薄膜層を
形成する際に、その少なくとも一部分の形成において基
板と蒸着源との間に蒸着量制限手段を設けた状態で蒸着
することを特徴とするものである。

【００１３】少なくとも有機化合物からなる発光層を含
む薄膜層としては、１）正孔輸送層／発光層、２）正孔
輸送層／発光層／電子輸送層、３）発光層／電子輸送
層、そして４）以上の組合せ物質を一つの層に混合した
形態の発光層のいずれであってもよい。すなわち、素子
構成として少なくとも有機化合物からなる発光層が存在
していれば、上記１）〜３）の積層構造の他に４）のよ
うな発光材料単独または発光材料と正孔輸送材料や電子
輸送材料を含む発光層を一層設けるだけでもよい。

【００１４】発光層の材料は、アントラセンやピレン、
そして８−ヒドロキシキノリンアルミニウムの他には、
例えば、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェ
ニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジ
ン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導
体、チアジアゾロピリジン誘導体、ポリマー系では、ポ
リフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導
体、そしてポリチオフェン誘導体などが使用される。こ
れらの内、低分子量の有機化合物は真空蒸着法で膜形成
することが一般的である。

【００１５】発光層に蛍光量子収率の高い蛍光材料（ド
ーピング材料またはゲスト材料と呼称する）を少量添加
することによって発光効率と耐久性が向上できることが
知られている。また、これらの添加は、発光波長の変
換、色純度の向上、色の微調整にも有効である。これら
の化合物の例については従来の技術の項に示した通りで
ある。これらも真空蒸着法で蒸着される。

【００１６】発光層に上記有機化合物を用いると共に、
ドーピング材料を添加する場合、ホスト材料となる成分
とゲスト材料となるドーピング材料との混合比は前述し
た通り、ゲスト材料はホスト材料の０．０５〜５重量％
程度である。すなわち、ゲスト材料の蒸着量はホスト材
料の１／２０〜１／２０００であり、ゲスト材料の蒸着
速度をコントロールすることが非常に難しいことにな
る。

【００１７】本発明では、蒸着量制限手段を設けた状態
で蒸着することにより蒸着量をコントロールするもので
あり、蒸着源からの蒸着速度をコントロール容易な範囲
で行い、膜厚センサーによる検出もその測定精度の高い
範囲で行って、それぞれの材料の濃度のコントロールを
より正確にし、しかも生産性を高く保つことを可能にす
るものである。ここで蒸着速度とは蒸着物のフラックス
量に関係した値であり、蒸着量制限手段がない場合に
（基板あるいは膜厚モニターのセンサーと蒸着源との間
に障害物がない場合に）蒸着源から放出された蒸着物が
基板上にあるいは膜厚モニターのセンサー上に堆積する
速度を示す。蒸着速度は水晶振動子式の膜厚モニターな
どで検出されることが多いが、必ずしも基板上に堆積す
る膜厚値と一致している必要はなく、その値と比例関係
にあればよい。

【００１８】本発明の蒸着量制限手段は、蒸着源と基板
との間に配置されて用いられる。蒸着源からの蒸着速度
をモニターする膜厚センサーと基板との間にも前記蒸着
量制限手段があってもよいが、極微量の場合には前記蒸
着量制限手段のない方が精度よく蒸着量を測定すること
ができる。また、膜厚センサーを蒸着源に近づけて設置
することで、測定精度のより高い状態での蒸着を可能に
する。

【００１９】微小な量を蒸着させるため、蒸着源からの
蒸着速度を下げた場合、そのコントロールが難しくな
り、膜厚モニターの検出限界外になってしまうこともあ
り適当ではない。一定の蒸着速度が維持できる範囲で蒸
発させて、膜厚センサーにより正確に蒸発速度をチェッ
クできる方が蒸着量の正しいコントロールが可能にな
る。そしてこのような場合に、蒸着源から放出された蒸
着物のうち、基板上に蒸着される量を制限するために設
ける手段が、本発明の蒸着量制限手段である。

【００２０】このような蒸着量制限手段は、蒸着源と基
板との間に設置し、特に微妙なコントロールが必要なゲ
スト材料の蒸着源と基板との間に設置することが好まし
く、このような状態でゲスト材料とホスト材料を同時に
蒸着（共蒸着）することにより、ゲスト材料がドーピン
グされた前記ホスト材料からなる発光層を形成すること
が好ましい。すなわち、ホスト材料は、蒸着量制限手段
を設けることなく通常の蒸着工程で蒸着速度を膜厚セン
サーで検出しながら基板上に蒸着させる。本発明の蒸着
量制限手段がない場合には、ゲスト材料の蒸着速度をホ
スト材料のそれの１／２０〜１／２０００にしなければ
ならず、蒸着源での条件コントロールおよび蒸着速度の
測定が非常に難しくなる。このような場合に、ゲスト材
料の蒸着速度を過度に低下させずにある程度に留めてお
き、蒸着源から放出された蒸着物の一部を蒸着源と基板
との間に設置された蒸着量制限手段で捕捉することで、
実際に基板に到達する蒸着物の量を制限し、所望のドー
ピング量を達成することができる。この蒸着量制限手段
に捕捉されたゲスト材料は回収して再利用できるので材
料的なロスは生じない。また、ゲスト材料の蒸着速度
を、ホスト材料の蒸着速度より過度に低下させることが
避けられるので、ゲスト材料蒸着工程の管理が容易であ
り、生産性の確保が可能になる。

【００２１】本発明で用いる蒸着量制限手段は特に限定
されず、蒸着物質を部分的に通過させるチョッパーのよ
うなものでもよいが、開口部を有するシート状物質であ
り、さらに複数の開口部を有するシート状物質またはメ
ッシュ状物質であることが好ましい。これらの物質の材
料は特に限定されるものではなく、セラミックスなどの
無機材料、金属材料あるいはポリマー材料などが用いら
れる。さらに開口部の形成手段としては、例えば、エッ
チングによる方法、電鋳による方法、穿孔による方法、
ワイヤを編んで形成する方法などをあげることができる
が、これらに限定されるものではない。また、開口部の
形状は、円形、楕円形、多角形など種々の形で用いるこ
とができる。金属シートにパンチングで穿孔して開口部
を形成したものや、種々の太さの金属ワイヤを用いて編
織して作製した金網などでは、開口率を設定することが
容易であり、好ましく使用することができる。

【００２２】本発明で用いる蒸着量制限手段の複数の開
口部を有する物質の開口率は８０％以下であるが、好ま
しくは５０％以下、さらに好ましくは２０％以下であ
る。微小な蒸着速度を安定に得られる条件にも依存する
ので、一概には言えないが、この蒸着量制限手段によっ
て捕捉する量はかなり高くなるので、その場合には開口
率が低いことが好ましくなる。

【００２３】このような蒸着量制限手段は蒸着源におけ
る蒸着物の放出部に対置して設けられる。その形状は制
限されるものではないが、半球状のような形状が好まし
い。平板シート状でも、湾曲したシート状でも使用する
ことができるが、ある角度をもって放出される蒸着物の
放射行路を全域に渡ってカバーするものであることが、
その目的を達するために必要であり、形状とその大き
さ、基板と蒸着源の間の設置位置がこのような観点で決
められるものである。

【００２４】また、本発明の蒸着量制限手段は移動もし
くは振動することも好ましく、このような操作により基
板への付着量が面内で均一化することが可能となり、微
妙なコントロールを要する場合に採用することができ
る。同様の効果は、基板を移動させることでも得られ
る。

【００２５】本発明の蒸着量制限手段を設置する蒸着法
において、従来から一般的な蒸着操作において行われて
いるような手段を制限するものではなく、基板の回転や
移動、複数の蒸着源を用いることなどの実行が可能であ
る。

【００２６】本発明の有機電界発光素子の製造方法は次
のように行われる。第一電極として酸化錫インジウム
（ＩＴＯ）透明電極膜を形成したガラス基板を用い、通
常、フォトリソグラフィー法で第一電極をストライプ状
にパターニングすることができる。

【００２７】次いで、マスク蒸着法で少なくとも有機化
合物からなる発光層を含む薄膜層を形成する方法におい
て、形成される薄膜層をマスクとの接触による傷つきか
ら保護するため、薄膜層の厚さよりも厚い膜厚を有する
スペーサーを基板上に形成しておく方法が取られる。こ
れらのスペーサーは第一電極と交差する方向にストライ
プ状に形成されることが多い。

【００２８】パターニングされた第一電極と、さらにス
ペーサーが形成された基板上に少なくとも有機化合物か
らなる発光層を含む薄膜層が形成される。その膜構成は
前述の通りである。正孔輸送層は、正孔輸送性物質単独
で、あるいは正孔輸送性物質と高分子結着剤により形成
される。正孔輸送層はパターニング形成されるが、全面
に蒸着することもできる。

【００２９】次いで、有機化合物からなる発光層がシャ
ドーマスクを用いて形成されるが、この際に本発明の蒸
着量制限手段を用いた蒸着法が適用される。発光層の上
にさらに電子輸送層が積層される場合があるが、この層
は発光領域の存在する全領域に形成することができるの
で、正孔輸送層と同様に全面に形成することもできる。

【００３０】本発明の蒸着量制限手段を用いた少量成分
の蒸着法は、導電性向上や膜質向上のため、正孔輸送層
や電子輸送層にドーピングする必要がある場合にも有効
である。また薄膜層が形成された後、第一電極と交差し
てストライプ状にパターニングされた第二電極を隔壁法
やマスク蒸着法などを用いて形成して有機電界発光素子
を製造することができる。

【００３１】

【実施例】以下、実施例を上げて本発明を説明するが、
本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

【００３２】実施例１厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラス基板表面にスパッタ
リング蒸着法によって厚さ１５０ｎｍのＩＴＯ透明電極
が形成されたＩＴＯガラス基板を４６ｍｍ×３８ｍｍの
大きさに切断した。フォトリソグラフィ法により、その
中央部に１２ｍｍ×３８ｍｍのパターンにＩＴＯ膜を残
した。

【００３３】薄膜層は抵抗線加熱方式による真空蒸着法
で形成する。パターン化されたＩＴＯ基板を蒸着機内に
セットし、真空度を２×１０^-4Ｐａ以下にして、基板前
面に２０ｍｍ×２０ｍｍの開口部を有するマスクを配置
し、密着させた。この状態で、水晶振動子による膜厚セ
ンサー表示値で銅フタロシアニンを３０ｎｍ、ビス（Ｎ
−エチルカルバゾール）を１２０ｎｍを蒸着した。

【００３４】次いで、ホスト材料としてＡｌｑ₃を、ゲ
スト材料はＰＭ５４６を用いたＧ発光層を形成した。こ
の場合、蒸着量制限手段として開口率８％の半球状のメ
ッシュ状物質を用いた。ゲスト材料の蒸着速度はホスト
材料の１／２０とした。この様にして約０．４％のゲス
ト材料がドーピングされた厚み３０ｎｍのＧ発光層を形
成した。

【００３５】その後、８−ヒドロキシキノリンアルミニ
ウム錯体を７０ｎｍ蒸着し、最後に薄膜層をリチウム蒸
気に曝して電子輸送層を形成した。

【００３６】真空度を３×１０^-4Ｐａ以下にして、蒸着
マスクを交換し、アルミニウムを２００ｎｍの厚さに蒸
着して第二電極を作製した。このようにしてＧ発光層を
有する単一素子を製造した。

【００３７】発光層中のゲスト材料はほぼ目的とするド
ーピングが達成され、繰り返して本単一素子を作製した
場合、発光効率や色純度の再現性が優れていた。

【００３８】実施例２実施例１を繰り返したが、Ｇ発光層の形成において、蒸
着量制限手段である開口率８％の半球状のメッシュ状物
質を毎秒１回の割合で振幅５ｍｍで振動させた。ドーピ
ングされるゲスト材料の濃度バラツキが減少するためよ
り均一な発光が得られた。また、これらの製造工程を繰
り返し実行した際、それぞれの素子の発光効率や色純度
の再現性が優れていた。

【００３９】実施例３実施例１と同様のＩＴＯガラス基板を１２０×１００ｍ
ｍの大きさに切断した。ＩＴＯ基板上にフォトレジスト
を塗布して、フォトリソグラフィー法でパターニング
し、その後、ＩＴＯの不要部分をエッチングし、フォト
レジストを除去することで、ＩＴＯを長さ９０ｍｍ、幅
７０μｍのストライプ状にパターニングした。このスト
ライプ状第一電極は１００μｍピッチで８１６本配置さ
れている。

【００４０】パターニングされた第一電極が形成された
基板上全面に、ポリイミド系の感光性コーティング剤
（東レ社製、ＵＲ−３１００）をスピンコート法で塗布
し、クリーンオーブンにより窒素雰囲気下で８０℃、１
時間プリベーキングした。次に、この塗布膜にフォトマ
スクを介して紫外線露光して所望部分を光硬化させ、現
像液（東レ社製、ＤＶ−５０５）を用いて現像した。そ
の後、クリーンオーブン中で１８０℃、３０分間、さら
に２５０℃、３０分間ベーキングして、第一電極に直交
するスペーサーを形成した。この透明なスペーサーは、
長さ９０ｍｍ、幅５０μｍ、膜厚４μｍであり、３００
μｍピッチで２０１本配置されている。このスペーサー
は良好な電気絶縁性を有している。

【００４１】このように第一電極とスペーサーを形成し
た基板を洗浄した後、真空蒸着機内にセットした。真空
蒸着機内には発光層形成用シャドーマスク、第二電極形
成用シャドーマスク、発光層を含む薄膜層を形成する材
料の蒸着源類、および本発明の蒸着量制限手段などを併
せてセットすることができる。

【００４２】薄膜層は抵抗線加熱方式による真空蒸着法
で形成する。この時の真空度は２×１０^-4Ｐａ以下で、
蒸着中は蒸着源に対して基板を回転させた。まず、正孔
輸送層として、水晶振動子による膜厚モニター表示値
で、銅フタロシアニンを３０ｎｍ、ビス（Ｎ−エチルカ
ルバゾール）を１２０ｎｍ基板全面に蒸着した。

【００４３】次に発光層の形成を行うが、用いるシャド
ーマスクは次のようにして形成したものである。すなわ
ち、電鋳法によって電鋳母型上にＮｉ−Ｃｏ合金を析出
させることで、図１に示すようなストライプ状の開口部
３２を有し、それを横切るように形成された補強線３３
が存在し、マスク部分と補強線とが同一平面内に形成さ
れた構造を有する。このシャドーマスクの外形は１２０
×８４ｍｍ、マスク部分３１の厚さは２５μｍである。
長さ６４ｍｍ、幅１００μｍのストライプ状開口部３２
がピッチ３００μｍで２７２本配置されている。各スト
ライプ形状開口部には、開口部を横切り直交する幅２０
μｍの補強線３３がピッチ１．８ｍｍで形成されてい
る。さらに、シャドーマスクは外形が等しい幅４ｍｍの
ステンレス鋼製フレーム３４に固定されている。

【００４４】前記発光層形成用シャドーマスクを基板前
方に配置して両者を密着させ、基板後方にはフェライト
系磁石（日立金属社製、ＹＢＭ−１Ｂ）を配置した。こ
の際、ストライプ状第一電極がシャドーマスクのストラ
イプ形状開口部の中心に位置し、補強線がスペーサーの
位置と一致し、かつ補強線とスペーサーが接触するよう
に、両者は位置合わせされている。

【００４５】上記のように配置した基板に対して、先
ず、Ｒ発光層の形成を行う。Ｒ発光層のホスト材料は、
Ａｌｑ₃であり、これにゲスト材料としてＤＣＭをドー
ピングする。これらを同時に蒸着してＲ発光層を形成す
るため、基板とゲスト材料の蒸着源との間に開口率２０
％のメッシュ状物質の半球状の蒸着量制限手段を用い
た。この蒸着量制限手段は直径５０ｍｍの球を半分にし
た形状を有するもので、蒸着源の放出口から基板方向に
５ｃｍ離れた位置に配置されている。

【００４６】本ホスト材料の蒸着速度は０．３ｎｍ／ｓ
で蒸着する。ゲスト材料の蒸着源からの蒸着速度は、ホ
スト材料の蒸着速度の１／２０まで低下させておき、開
口率２０％の蒸着量制限手段で１／５に落として全体と
して１／１００の蒸着量をゲスト材料にドーピングし
た。この様に蒸着量制限手段を用いてＲ発光層を形成す
ることにより、より精度高くゲスト材料の導入が可能に
なり、Ｒ発光層形成の再現性を向上することができる。

【００４７】次いで、シャドーマスクの配置を第一電極
の１ピッチ分だけずらした状態で、ホスト材料はＲ発光
層と同様のＡｌｑ₃を、ゲスト材料はＰＭ５４６を用い
たＧ発光層を形成した。この場合、蒸着量制限手段とし
てＲ発光層の場合と同様の半球状のメッシュ状物質を用
い、その開口率を８％とした。ゲスト材料の蒸着速度は
Ｒ発光層の場合と同様にホスト材料の１／２０とした。
この様にして約０．４％のゲスト材料がドーピングされ
たＧ発光層を形成した。

【００４８】さらに、１ピッチ分シャドーマスクを移動
してＢ発光層を形成した。Ｂ発光層としては、４，４’
−ビス（２，２’−ジフェニルビニル）ジフェニル（Ｄ
ＰＶＢｉ）を用いた。この場合にはゲスト材料を使用せ
ず、ＤＰＶＢｉのみを４０ｎｍ蒸着した。この後、基板
全面にＤＰＶＢｉを７０ｎｍ、Ａｌｑ₃を２０ｎｍ蒸着
し、最後に薄膜層をリチウム蒸気に曝して電子輸送層を
形成した。

【００４９】第二電極の蒸着時の真空度は３×１０^-4Ｐ
ａ以下で、蒸着中は２つの蒸着源に対して基板を回転さ
せた。発光層のパターニング形成と同様に、第二電極用
マスクを薄膜層までが形成された基板前方に配置して両
者を密着させ、基板後方には板磁石を配置した。この状
態でアルミニウムを４００ｎｍの厚さに蒸着して第二電
極をパターニングした。第二電極は、間隔をあけて配置
された複数のストライプ状にパターニングされている第
一電極と直交する配置で、間隔をあけて配置された複数
のストライプ状にパターニングされている。

【００５０】最後に、基板全面に一酸化ケイ素を２００
ｎｍの厚さまで電子ビーム蒸着法で蒸着して保護層を形
成した。

【００５１】本数８１６本のＩＴＯストライプ状第一電
極上にパターニングされたＲ、Ｇ、Ｂ発光層が形成さ
れ、第一電極と直交する幅２５０μｍ、ピッチ３００μ
ｍのストライプ状第二電極が２００本配置された単純マ
トリクス型ストライプ配列のカラー有機電界発光素子が
作製できた。Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの発光領域が１画素を形
成するので、本発光素子は３００μｍピッチで２７２×
２００画素を有する。色純度に優れると共に発光効率が
高い有機電界発光素子が再現性よく得られた。

【００５２】比較例１ゲスト材料の蒸着において、蒸着量制限手段を用いず、
ゲスト材料の蒸着速度を制御することのみで蒸着量をコ
ントロールする方法で行った他は、実施例３を繰り返し
た。数回繰り返した製造で得られた素子の発光効率と色
純度にバラツキがあり、再現性の良好な素子を得ること
ができなかった。

【００５３】

【発明の効果】本発明は、少なくとも有機化合物からな
る発光層を含む薄膜層の少なくとも一部分の形成におい
て、微小量の添加を目的とする発光層のゲスト材料など
の蒸着工程を効率よく、かつその添加量を精度よくコン
トロールすることで、安定して微量成分のドーピングが
可能になり、発光効率や色純度の再現性が向上するもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例２に使用される発光層パターニ
ング用シャドーマスクの一例を示す平面図。

【図２】本発明の実施例２に使用される第二電極パター
ニング用シャドーマスクの一例を示す平面図。

【符号の説明】

３１マスク部３２開口部３３補強線３４フレーム３５マスク部分の一方の面３６隙間

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に形成された第一電極と、前記第一
電極上に形成された少なくとも有機化合物からなる発光
層を含む薄膜層と、前記薄膜層上に形成された第二電極
とを含む有機電界発光素子の製造方法であって、前記基
板と蒸着源との間に蒸着量制限手段を設けた状態で蒸着
することにより前記薄膜層の少なくとも一部分を形成す
ることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項２】基板と蒸着源との間に蒸着量制限手段を設
けた状態で蒸着することにより発光層を形成することを
特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子の製造方
法。
【請求項３】基板とゲスト材料の蒸着源との間に蒸着量
制限手段を設けた状態で前記ゲスト材料をホスト材料と
同時に蒸着することにより、前記ゲスト材料がドーピン
グされた前記ホスト材料からなる発光層を形成すること
を特徴とする請求項１記載の有機電界発光素子の製造方
法。
【請求項４】蒸着量制限手段が開口部を有するシート状
物質であることを特徴とする請求項１記載の有機電界発
光素子の製造方法。
【請求項５】蒸着量制限手段が複数の開口部を有するシ
ート状物質またはメッシュ状物質であることを特徴とす
る請求項１記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項６】蒸着中に蒸着量制限手段の位置が移動もし
くは振動することを特徴とする請求項１記載の有機電界
発光素子の製造方法。