JP2000235894A - 有機ｅｌ素子とその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌ素子とその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極のパターニングの際の絶縁を確実且つ容
易に行う。 【解決手段】 陽極３と陰極６との間に発光層を含む有
機層を積層してなる有機ＥＬ素子に係り、陽極２を複数
に絶縁分離する分離箇所に対し、陽極３上あるいは陽極
３の周りに近接して形成されて、所定間隔Ｈを有する如
く複数並設された絶縁性のリブ９を備える。リブ９は、
蒸着された陰極材料を間隔Ｈを以て切るので、並設され
た各リブ９の両側の領域にある陰極６間の絶縁性を向上
させる。また、間隔Ｈを以て陰極６間の絶縁を行うた
め、形成が難しい高さの高いリブや、リブ９の側方から
の斜め蒸着を用いることなく確実且つ容易な絶縁を可能
とした。また、リブ９の側方からの斜め蒸着を用いずに
リブ９の略真上方向からの蒸着が可能なため、リブ９の
配置即ち陰極６のパターンに自由度を増すことができ
る。
易に行う。 【解決手段】 陽極３と陰極６との間に発光層を含む有
機層を積層してなる有機ＥＬ素子に係り、陽極２を複数
に絶縁分離する分離箇所に対し、陽極３上あるいは陽極
３の周りに近接して形成されて、所定間隔Ｈを有する如
く複数並設された絶縁性のリブ９を備える。リブ９は、
蒸着された陰極材料を間隔Ｈを以て切るので、並設され
た各リブ９の両側の領域にある陰極６間の絶縁性を向上
させる。また、間隔Ｈを以て陰極６間の絶縁を行うた
め、形成が難しい高さの高いリブや、リブ９の側方から
の斜め蒸着を用いることなく確実且つ容易な絶縁を可能
とした。また、リブ９の側方からの斜め蒸着を用いずに
リブ９の略真上方向からの蒸着が可能なため、リブ９の
配置即ち陰極６のパターンに自由度を増すことができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、正孔と電子の注入
・再結合により発光する有機化合物材料のエレクトロル
ミネッセンス（以下ＥＬという）を利用して、前記有機
化合物材料の薄膜から構成された有機ＥＬ素子とその製
造方法に関する。
・再結合により発光する有機化合物材料のエレクトロル
ミネッセンス（以下ＥＬという）を利用して、前記有機
化合物材料の薄膜から構成された有機ＥＬ素子とその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、蛍光性有機化合物を含
む薄膜を陽極と陰極との間に挟んだ積層構造を有し、前
記薄膜に正孔及び電子を注入して再結合させることによ
り励起子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活
する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して表示を行う
表示素子である。
む薄膜を陽極と陰極との間に挟んだ積層構造を有し、前
記薄膜に正孔及び電子を注入して再結合させることによ
り励起子（エキシトン）を生成させ、この励起子が失活
する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して表示を行う
表示素子である。
【０００３】図６は、この種の従来の有機ＥＬ素子の構
成を示す断面図である。有機ＥＬ素子１０１は、絶縁性
及び透明性を有するガラス基板１０２の上に、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜を所定パター
ン形状（例えばストライプ状）とした陽極１０３をなし
ている。陽極１０３の上には、発光層を含む有機化合物
材料の薄膜からなる有機層１０５が成膜されている。有
機層１０５の上には、例えばＡｌ−Ｌｉ等の金属薄膜か
らなる陰極１０６が所定パターン形状（例えば陽極１０
３とでマトリクス形状をなすストライプ状）に成膜され
ている。
成を示す断面図である。有機ＥＬ素子１０１は、絶縁性
及び透明性を有するガラス基板１０２の上に、ＩＴＯ
（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜を所定パター
ン形状（例えばストライプ状）とした陽極１０３をなし
ている。陽極１０３の上には、発光層を含む有機化合物
材料の薄膜からなる有機層１０５が成膜されている。有
機層１０５の上には、例えばＡｌ−Ｌｉ等の金属薄膜か
らなる陰極１０６が所定パターン形状（例えば陽極１０
３とでマトリクス形状をなすストライプ状）に成膜され
ている。
【０００４】このような構成の有機ＥＬ素子１０１に係
り、陰極１０６を成形する場合には、分子線蒸着法、抵
抗加熱法等のＰＶＤ法が主に用いられている。図６で示
す従来例では、陰極１０６の成形時に、陰極１０６を設
けない部分をマスク１１２で覆い、その上から蒸着を行
ってマスク１１２の無い部分に陰極１０６を設けること
で陰極１０６のパターニングを行っている。
り、陰極１０６を成形する場合には、分子線蒸着法、抵
抗加熱法等のＰＶＤ法が主に用いられている。図６で示
す従来例では、陰極１０６の成形時に、陰極１０６を設
けない部分をマスク１１２で覆い、その上から蒸着を行
ってマスク１１２の無い部分に陰極１０６を設けること
で陰極１０６のパターニングを行っている。
【０００５】ところが、上記マスク１１２を用いた陰極
１０６の成形では、陰極１０６のパターニングをするマ
スク１１２の寸法精度、陰極１０６を陽極１０３に対応
させるためのマスク１１２の位置決め精度が要求され
る。特に、陰極１０６の形状が上述の如くマトリクス形
状をなすストライプ状でなく、複雑な形状をなす微細パ
ターンの場合には、更に細かなマスク１１２の寸法精度
が要求されることとなる。また、マスク１１２を用いた
陰極１０６の成形では、成膜時における陰極材料の回り
込みが生じることがあり、陰極１０６を設けない部分
（マスク１１２で覆った部分）にも陰極１０６が設けら
れてしまい、場合によっては分離したい陰極１０６間が
ショートするおそれがあった。
１０６の成形では、陰極１０６のパターニングをするマ
スク１１２の寸法精度、陰極１０６を陽極１０３に対応
させるためのマスク１１２の位置決め精度が要求され
る。特に、陰極１０６の形状が上述の如くマトリクス形
状をなすストライプ状でなく、複雑な形状をなす微細パ
ターンの場合には、更に細かなマスク１１２の寸法精度
が要求されることとなる。また、マスク１１２を用いた
陰極１０６の成形では、成膜時における陰極材料の回り
込みが生じることがあり、陰極１０６を設けない部分
（マスク１１２で覆った部分）にも陰極１０６が設けら
れてしまい、場合によっては分離したい陰極１０６間が
ショートするおそれがあった。
【０００６】そこで、従来では、マスク１１２を用いた
陰極１０６の成形の他に、図７（ａ）〜（ｃ）に示す如
く陰極１０６間を分離する絶縁性のリブ１０９を設ける
ようにしている。図７（ａ）では、陽極１０３上に予め
リブ１０９を形成しておき、その後有機層１０５を成形
して、続いて陰極１０６を成形する。そして、蒸着時の
陰極材料は、リブ１０９によって分離される。このリブ
１０９を用いた陰極１０６の成形は、マスク１１２を用
いた場合に比べ寸法精度や位置決め精度が容易となる。
陰極１０６の成形の他に、図７（ａ）〜（ｃ）に示す如
く陰極１０６間を分離する絶縁性のリブ１０９を設ける
ようにしている。図７（ａ）では、陽極１０３上に予め
リブ１０９を形成しておき、その後有機層１０５を成形
して、続いて陰極１０６を成形する。そして、蒸着時の
陰極材料は、リブ１０９によって分離される。このリブ
１０９を用いた陰極１０６の成形は、マスク１１２を用
いた場合に比べ寸法精度や位置決め精度が容易となる。
【０００７】なお、図７（ａ）で示すリブ１０９を用い
た陰極１０６の成形では、リブ１０９の両側で分離され
るはずの陰極材料が、リブ１０９の側壁面を伝わって分
離できないことがあり、その改良として、図７（ｂ），
（ｃ）で示すリブ１０９を用いた陰極の成形が考えられ
ている。
た陰極１０６の成形では、リブ１０９の両側で分離され
るはずの陰極材料が、リブ１０９の側壁面を伝わって分
離できないことがあり、その改良として、図７（ｂ），
（ｃ）で示すリブ１０９を用いた陰極の成形が考えられ
ている。
【０００８】図７（ｂ）では、リブ１０９の両側を逆テ
ーパ状に形成してリブ１０９下に陰極材料が伝わらない
影をなしている。なお、逆テーパ状の形状の他に、リブ
１０９下に影をなす構成として、リブ１０９の断面形状
をＴ字形状とする場合もある（不図示）。また、図７
（ｃ）では、リブ１０９の高さを高くして、リブ１０９
の一側から陰極材料を基板に対して斜め方向から蒸着
し、リブ１０９の他側での陰極材料の切れを良くしてい
る。
ーパ状に形成してリブ１０９下に陰極材料が伝わらない
影をなしている。なお、逆テーパ状の形状の他に、リブ
１０９下に影をなす構成として、リブ１０９の断面形状
をＴ字形状とする場合もある（不図示）。また、図７
（ｃ）では、リブ１０９の高さを高くして、リブ１０９
の一側から陰極材料を基板に対して斜め方向から蒸着
し、リブ１０９の他側での陰極材料の切れを良くしてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の有機ＥＬ素子１０１では、リブ１０９を用いた
陰極１０６の成形において、図７（ａ）の改良として考
えられた、図７（ｂ）の形状では、逆テーパ状の構成に
より、リブ１０９下の影となる部分に陰極材料が伝わら
なくなるものの、陰極１０９の以前に成膜される有機層
１０５もリブ１０９下の影となる部分に存在しないこと
となる。このため、有機層１０５が無い部分に陰極材料
が侵入すると、陽極１０３と陰極１０６とがショートし
てしまうこととなる。ゆえに、図７（ｂ）等の形状で
は、有機層１０５の成膜時に基板１０２面を回転させて
有機材料をリブ１０９下に周り込ませる工程が必要とな
る。さらに、図７（ｂ）の形状では、図７（ａ）の如く
リブを設けた後に、逆テーパをなすためのエッチング工
程が必要である。
た従来の有機ＥＬ素子１０１では、リブ１０９を用いた
陰極１０６の成形において、図７（ａ）の改良として考
えられた、図７（ｂ）の形状では、逆テーパ状の構成に
より、リブ１０９下の影となる部分に陰極材料が伝わら
なくなるものの、陰極１０９の以前に成膜される有機層
１０５もリブ１０９下の影となる部分に存在しないこと
となる。このため、有機層１０５が無い部分に陰極材料
が侵入すると、陽極１０３と陰極１０６とがショートし
てしまうこととなる。ゆえに、図７（ｂ）等の形状で
は、有機層１０５の成膜時に基板１０２面を回転させて
有機材料をリブ１０９下に周り込ませる工程が必要とな
る。さらに、図７（ｂ）の形状では、図７（ａ）の如く
リブを設けた後に、逆テーパをなすためのエッチング工
程が必要である。
【００１０】また、図７（ｃ）の形状では、高さの高い
リブ１０９と、斜め方向からの蒸着によって、陰極材料
の分離を可能にするが、高さの高いリブ１０９は、断面
形状のアスペクト比（高さ／幅）の問題から形成が難し
い。さらに、図７（ｃ）の形状では、斜め方向からの蒸
着であるため、その蒸着方向に対してリブ１０９を垂直
な方向でパターニングする構成（ストライプ状）しか採
用することができず、陰極１０６が屈曲・蛇行するよう
な複雑な形状をなすパターンでは実現できない。
リブ１０９と、斜め方向からの蒸着によって、陰極材料
の分離を可能にするが、高さの高いリブ１０９は、断面
形状のアスペクト比（高さ／幅）の問題から形成が難し
い。さらに、図７（ｃ）の形状では、斜め方向からの蒸
着であるため、その蒸着方向に対してリブ１０９を垂直
な方向でパターニングする構成（ストライプ状）しか採
用することができず、陰極１０６が屈曲・蛇行するよう
な複雑な形状をなすパターンでは実現できない。
【００１１】そこで本発明は、上記課題を解消するため
に、電極のパターニングの際、その絶縁を確実且つ容易
に行うことができる有機ＥＬ素子とその製造方法を提供
することを目的としている。
に、電極のパターニングの際、その絶縁を確実且つ容易
に行うことができる有機ＥＬ素子とその製造方法を提供
することを目的としている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明による請求項１記載の有機ＥＬ素子は、少なくと
も何れかが透明性を有する第一電極と第二電極とを有
し、前記第一電極を絶縁性を有した基板上に成膜し、前
記第一電極上に発光層を含む有機層を積層し、該有機層
上に前記第二電極を成膜してなる有機ＥＬ素子におい
て、前記第二電極を複数に絶縁分離する分離箇所に対
し、前記第一電極上あるいは前記第一電極の周りに近接
して形成され、所定間隔を有する如く複数並設された絶
縁性のリブを備えたことを特徴とする。
本発明による請求項１記載の有機ＥＬ素子は、少なくと
も何れかが透明性を有する第一電極と第二電極とを有
し、前記第一電極を絶縁性を有した基板上に成膜し、前
記第一電極上に発光層を含む有機層を積層し、該有機層
上に前記第二電極を成膜してなる有機ＥＬ素子におい
て、前記第二電極を複数に絶縁分離する分離箇所に対
し、前記第一電極上あるいは前記第一電極の周りに近接
して形成され、所定間隔を有する如く複数並設された絶
縁性のリブを備えたことを特徴とする。
【００１３】請求項２に記載の有機ＥＬ素子は、請求項
１に記載の有機ＥＬ素子において、前記リブは、その断
面のアスペクト比（高さ／幅）が１〜５であることを特
徴とする。
１に記載の有機ＥＬ素子において、前記リブは、その断
面のアスペクト比（高さ／幅）が１〜５であることを特
徴とする。
【００１４】請求項３に記載の有機ＥＬ素子は、請求項
１あるいは請求項２に記載の有機ＥＬ素子において、前
記リブは、互いに対向する側壁面の上端が対向方向に張
り出す如く形成されていることを特徴とする。
１あるいは請求項２に記載の有機ＥＬ素子において、前
記リブは、互いに対向する側壁面の上端が対向方向に張
り出す如く形成されていることを特徴とする。
【００１５】請求項４に記載の有機ＥＬ素子は、請求項
１〜請求項３の何れかに記載の有機ＥＬ素子において、
前記第一電極及び第二電極はそれぞれストライプ状から
なるマトリクス形状をなし、前記リブは前記第二電極間
に沿って設けられることを特徴とする。
１〜請求項３の何れかに記載の有機ＥＬ素子において、
前記第一電極及び第二電極はそれぞれストライプ状から
なるマトリクス形状をなし、前記リブは前記第二電極間
に沿って設けられることを特徴とする。
【００１６】請求項５に記載の有機ＥＬ素子は、請求項
１〜請求項３の何れかに記載の有機ＥＬ素子において、
前記第一電極及び第二電極は所定パターン形状をなし、
前記リブは同時に電圧を印加し得る前記第二電極の周り
に設けられることを特徴とする。
１〜請求項３の何れかに記載の有機ＥＬ素子において、
前記第一電極及び第二電極は所定パターン形状をなし、
前記リブは同時に電圧を印加し得る前記第二電極の周り
に設けられることを特徴とする。
【００１７】請求項６に記載の有機ＥＬ素子は、請求項
１〜請求項５の何れかに記載の有機ＥＬ素子において、
前記基板上及び前記第一電極の周りには、所望の発光部
位を露出する如く絶縁層が形成されていることを特徴と
する。
１〜請求項５の何れかに記載の有機ＥＬ素子において、
前記基板上及び前記第一電極の周りには、所望の発光部
位を露出する如く絶縁層が形成されていることを特徴と
する。
【００１８】本発明による請求項７に記載の有機ＥＬ素
子の製造方法は、少なくとも何れかが透明性を有する第
一電極と第二電極とを有し、前記第一電極を絶縁性を有
した基板上に成膜し、前記第一電極上に発光層を含む有
機層を積層し、該有機層上に前記第二電極を成膜してな
る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記第一電極の成
膜後、前記第二電極を複数に絶縁分離する分離箇所に対
し、前記第一電極上あるいは前記第一電極の周りに近接
するように所定間隔を有して複数並設する如く絶縁性の
リブを形成し、該リブ上から前記有機層を積層し、更に
前記リブ上から第二電極を蒸着することを特徴とする。
子の製造方法は、少なくとも何れかが透明性を有する第
一電極と第二電極とを有し、前記第一電極を絶縁性を有
した基板上に成膜し、前記第一電極上に発光層を含む有
機層を積層し、該有機層上に前記第二電極を成膜してな
る有機ＥＬ素子の製造方法において、前記第一電極の成
膜後、前記第二電極を複数に絶縁分離する分離箇所に対
し、前記第一電極上あるいは前記第一電極の周りに近接
するように所定間隔を有して複数並設する如く絶縁性の
リブを形成し、該リブ上から前記有機層を積層し、更に
前記リブ上から第二電極を蒸着することを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して具体的に説明する。図１は本発明による有機
ＥＬ素子の実施形態を示す側断面図、図２は同有機ＥＬ
素子の一部裁断した平面図である。
を参照して具体的に説明する。図１は本発明による有機
ＥＬ素子の実施形態を示す側断面図、図２は同有機ＥＬ
素子の一部裁断した平面図である。
【００２０】有機ＥＬ素子１は、図１及び図２に示すよ
うに、絶縁性及び透明性を有するガラス等の矩形状の基
板２を基部としている。基板２の上には、ＩＴＯ（Indi
um Tin Oxide）等の透明導電膜が成膜されている。透明
導電膜は、例えば真空蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ
（Physical Vapor Deposition ）法により１００ｎｍ前
後（例えば１５０ｎｍ）の膜厚で成膜される。透明導電
膜は、更にフォトレジストパターンによるエッチングで
所定パターン形状にパターニングされ、第一電極として
の陽極３を形成する。
うに、絶縁性及び透明性を有するガラス等の矩形状の基
板２を基部としている。基板２の上には、ＩＴＯ（Indi
um Tin Oxide）等の透明導電膜が成膜されている。透明
導電膜は、例えば真空蒸着法、スパッタ法等のＰＶＤ
（Physical Vapor Deposition ）法により１００ｎｍ前
後（例えば１５０ｎｍ）の膜厚で成膜される。透明導電
膜は、更にフォトレジストパターンによるエッチングで
所定パターン形状にパターニングされ、第一電極として
の陽極３を形成する。
【００２１】本実施形態での陽極３は、図２で示すよう
に所定間隔おきにストライプ状に形成されている。ま
た、陽極３の一部は、基板２の端部まで引き出されて不
図示の駆動回路に接続される。
に所定間隔おきにストライプ状に形成されている。ま
た、陽極３の一部は、基板２の端部まで引き出されて不
図示の駆動回路に接続される。
【００２２】基板２上には、陽極３がなすパターンの周
りのエッジ部分３ａを覆うようにして、感光性ポリイミ
ドやＳｉＯ2 等からなる絶縁層４が形成される。絶縁層
４は、感光性ポリイミドについては、スピンコート法に
より成膜され、その後紫外線を選択的に照射して所望の
領域をなし、現像後、加熱処理によりイミド化する。絶
縁層４は、陽極３に係る発光部位を形作るとともに、陽
極３のパターニング時に生じるエッジ部分３ａの微小な
突起を覆い、エッジ部分３ａでの電界集中による＋−電
極間（陽極３と後述する陰極の間）のショートを防止す
る（図３（ｂ）参照）。
りのエッジ部分３ａを覆うようにして、感光性ポリイミ
ドやＳｉＯ2 等からなる絶縁層４が形成される。絶縁層
４は、感光性ポリイミドについては、スピンコート法に
より成膜され、その後紫外線を選択的に照射して所望の
領域をなし、現像後、加熱処理によりイミド化する。絶
縁層４は、陽極３に係る発光部位を形作るとともに、陽
極３のパターニング時に生じるエッジ部分３ａの微小な
突起を覆い、エッジ部分３ａでの電界集中による＋−電
極間（陽極３と後述する陰極の間）のショートを防止す
る（図３（ｂ）参照）。
【００２３】陽極３の上には、有機化合物材料の薄膜に
よる発光層を含む有機層５が積層形成される。有機層５
は、例えば分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰＶＤ法によ
り成膜される。
よる発光層を含む有機層５が積層形成される。有機層５
は、例えば分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰＶＤ法によ
り成膜される。
【００２４】本実施形態での有機層５は、図１に示すよ
うに、陽極３の上に数ｎｍ〜数１００ｎｍ（例えば４０
ｎｍ）の膜厚で成膜される正孔注入層としてのＣｕＰｃ
有機膜５ａと、ＣｕＰｃ有機膜５ａの上に数１０ｎｍ
（例えば２０ｎｍ）の膜厚で成膜される正孔輸送層とし
てのα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナフチル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）有機膜５ｂと、α−
ＮＰＤ有機膜５ｂの上に数１０ｎｍ（例えば５０ｎｍ）
の膜厚で成膜される発光層兼電子輸送層としてのＡｌｑ
3 有機層５ｃの三層構造で形成される。
うに、陽極３の上に数ｎｍ〜数１００ｎｍ（例えば４０
ｎｍ）の膜厚で成膜される正孔注入層としてのＣｕＰｃ
有機膜５ａと、ＣｕＰｃ有機膜５ａの上に数１０ｎｍ
（例えば２０ｎｍ）の膜厚で成膜される正孔輸送層とし
てのα−ＮＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナフチル）−
Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン）有機膜５ｂと、α−
ＮＰＤ有機膜５ｂの上に数１０ｎｍ（例えば５０ｎｍ）
の膜厚で成膜される発光層兼電子輸送層としてのＡｌｑ
3 有機層５ｃの三層構造で形成される。
【００２５】なお、有機層５は、上記の他、発光層と電
荷輸送層（正孔輸送層、正孔注入・輸送層、電子注入
層、電子注入・輸送層等）との組み合わせで構成するこ
とができる。例えば、発光層一層のみの構造、発光層と
正孔輸送層の二層構造、発光層と電子注入層の二層構
造、正孔輸送層と発光層と電子注入層の三層構造等であ
る。
荷輸送層（正孔輸送層、正孔注入・輸送層、電子注入
層、電子注入・輸送層等）との組み合わせで構成するこ
とができる。例えば、発光層一層のみの構造、発光層と
正孔輸送層の二層構造、発光層と電子注入層の二層構
造、正孔輸送層と発光層と電子注入層の三層構造等であ
る。
【００２６】上記発光層の発光材料としては、発光層そ
のものを発光させる場合には、例えばＡｌｑ3 やジスチ
ルアリーレン系化合物等が使用される。また、発光層に
別の発光材料（ドーパント）を微量ドーピングすること
で発光させる場合には、ドーパントとしてキナクリドン
（Ｑｄ）やレーザ用の色素等が使用される。
のものを発光させる場合には、例えばＡｌｑ3 やジスチ
ルアリーレン系化合物等が使用される。また、発光層に
別の発光材料（ドーパント）を微量ドーピングすること
で発光させる場合には、ドーパントとしてキナクリドン
（Ｑｄ）やレーザ用の色素等が使用される。
【００２７】また、上記電子注入層としては、電子の注
入をし易くするため、例えばＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ等
の仕事関数の小さい金属材料単体、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：
Ｉｎ、Ｍｇ：Ａｇ、ＬｉＦ等の仕事関数の小さい合金が
使用される。
入をし易くするため、例えばＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ｃａ等
の仕事関数の小さい金属材料単体、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：
Ｉｎ、Ｍｇ：Ａｇ、ＬｉＦ等の仕事関数の小さい合金が
使用される。
【００２８】図１に示すように、有機層５の上には、金
属薄膜からなる第二電極としての陰極６が形成されてい
る。陰極６は、例えばＡｌ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｉｎ等
の仕事関数の小さい金属材料単体やＡｌ−Ｌｉ、Ｍｇ−
Ａｇ等の仕事関数の小さい合金からなる。陰極６は、例
えば分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰＶＤ法により例え
ば数１０ｎｍ〜数１００ｎｍ（例えば１００ｎｍ）の膜
厚で所定パターン形状に形成される。
属薄膜からなる第二電極としての陰極６が形成されてい
る。陰極６は、例えばＡｌ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｉｎ等
の仕事関数の小さい金属材料単体やＡｌ−Ｌｉ、Ｍｇ−
Ａｇ等の仕事関数の小さい合金からなる。陰極６は、例
えば分子線蒸着法、抵抗加熱法等のＰＶＤ法により例え
ば数１０ｎｍ〜数１００ｎｍ（例えば１００ｎｍ）の膜
厚で所定パターン形状に形成される。
【００２９】本実施形態での陰極６は、図２に示すよう
に、陽極３と直交して所定間隔おきにストライプ状に形
成され、陽極３とマトリクスを形成している。そして、
上述した陽極３、有機層５及び陰極６により膜厚１ｎｍ
〜数１００ｎｍ（具体的には０．２〜０．３μｍ）の素
子７が形成され、陽極３と陰極６とが重なる位置の有機
層５の部分が矩形状の発光部８をなしている。陰極６の
一部は、基板２の端部まで引き出されて不図示の駆動回
路に接続される。
に、陽極３と直交して所定間隔おきにストライプ状に形
成され、陽極３とマトリクスを形成している。そして、
上述した陽極３、有機層５及び陰極６により膜厚１ｎｍ
〜数１００ｎｍ（具体的には０．２〜０．３μｍ）の素
子７が形成され、陽極３と陰極６とが重なる位置の有機
層５の部分が矩形状の発光部８をなしている。陰極６の
一部は、基板２の端部まで引き出されて不図示の駆動回
路に接続される。
【００３０】ところで、上記の如く陰極６のパターニン
グをするため、各陰極６間の絶縁分離をする各分離箇所
には、所定間隔Ｈを有するように複数（図１及び図２で
は二つ）のリブ９が並設されている。リブ９は、感光性
ポリイミド、感光性レジスト、感光性ドライフィルム、
ＳｉＯ2 等の絶縁性材料からなる。このリブ９は、感光
性ポリイミド、感光性レジスト、感光性ドライフィルム
については、スピンコート法により成膜され、その後紫
外線を選択的に照射して所望の領域をなし、現像処理を
行う。感光性ポリイミドについては、現像後、加熱処理
をすることにより、前駆体状態からポリイミドとなる。
ＳｉＯ2 については、ＣＶＤ法による成膜後、感光性レ
ジストをスピンコートで成膜後、紫外線照射、現像処理
により感光性レジストのパターンを形成し、これをマス
クしてＳｉＯ2 膜のエッチング処理を行い、その後レジ
ストを剥離してリブ９を形成する。また、ＳｉＯ2 膜に
ついては、基板上にマスクを用いてＥＢ蒸着やスパッタ
等のＰＶＤ法により直接成膜してもよい。
グをするため、各陰極６間の絶縁分離をする各分離箇所
には、所定間隔Ｈを有するように複数（図１及び図２で
は二つ）のリブ９が並設されている。リブ９は、感光性
ポリイミド、感光性レジスト、感光性ドライフィルム、
ＳｉＯ2 等の絶縁性材料からなる。このリブ９は、感光
性ポリイミド、感光性レジスト、感光性ドライフィルム
については、スピンコート法により成膜され、その後紫
外線を選択的に照射して所望の領域をなし、現像処理を
行う。感光性ポリイミドについては、現像後、加熱処理
をすることにより、前駆体状態からポリイミドとなる。
ＳｉＯ2 については、ＣＶＤ法による成膜後、感光性レ
ジストをスピンコートで成膜後、紫外線照射、現像処理
により感光性レジストのパターンを形成し、これをマス
クしてＳｉＯ2 膜のエッチング処理を行い、その後レジ
ストを剥離してリブ９を形成する。また、ＳｉＯ2 膜に
ついては、基板上にマスクを用いてＥＢ蒸着やスパッタ
等のＰＶＤ法により直接成膜してもよい。
【００３１】また、図２で示す本実施形態でのリブ９
は、陰極６と陽極３とでマトリクス形状をなすため、ス
トライプ状の陰極６を陽極３に直交させるように、陽極
３に直交して陽極３上に跨がる如く形成されている。そ
して、陽極３上に形成されたリブ９の上から有機層５を
介して陰極６を蒸着することにより、並設されたリブ９
間の間隔Ｈで陰極材料が分離されて各陰極６間の絶縁が
なされるとともに、陰極６が所定パターン形状（ストラ
イプ状）をなす。
は、陰極６と陽極３とでマトリクス形状をなすため、ス
トライプ状の陰極６を陽極３に直交させるように、陽極
３に直交して陽極３上に跨がる如く形成されている。そ
して、陽極３上に形成されたリブ９の上から有機層５を
介して陰極６を蒸着することにより、並設されたリブ９
間の間隔Ｈで陰極材料が分離されて各陰極６間の絶縁が
なされるとともに、陰極６が所定パターン形状（ストラ
イプ状）をなす。
【００３２】また、リブ９は、並設する一つのリブ９
が、アスペクト比（高さ／幅）で１〜５（好ましくは２
以上）が良く、寸法としては幅１〜１００μｍ（例えば
１０μｍ）、高さ１〜２００μｍ（例えば２０μｍ）が
良い。さらに、並設する各リブ９間の間隔Ｈは、特に既
定されないが、リブ９間に陰極材料が入り込み短絡する
ことを防止することとから極力狭い方がよい（例えば、
幅１０μｍ，高さ２０μｍの場合、リブ９間の間隔１０
μｍ）。さらに、並設するリブ９は、その数が多ければ
陰極材料を分離するための間隔Ｈの数が多くなるので適
宜である。しかしながら、数多くのリブ９を並設すると
スペース効率が悪くなるので、この点からも並設する各
リブ９間の間隔Ｈは極力狭い方が良い。
が、アスペクト比（高さ／幅）で１〜５（好ましくは２
以上）が良く、寸法としては幅１〜１００μｍ（例えば
１０μｍ）、高さ１〜２００μｍ（例えば２０μｍ）が
良い。さらに、並設する各リブ９間の間隔Ｈは、特に既
定されないが、リブ９間に陰極材料が入り込み短絡する
ことを防止することとから極力狭い方がよい（例えば、
幅１０μｍ，高さ２０μｍの場合、リブ９間の間隔１０
μｍ）。さらに、並設するリブ９は、その数が多ければ
陰極材料を分離するための間隔Ｈの数が多くなるので適
宜である。しかしながら、数多くのリブ９を並設すると
スペース効率が悪くなるので、この点からも並設する各
リブ９間の間隔Ｈは極力狭い方が良い。
【００３３】そして、上記の如く素子７が形成された基
板２の外周部分には、水分を極力取り除いた不活性ガス
（例えばドライ窒素）やドライエアによるドライ雰囲気
において、例えば紫外線硬化樹脂やエポキシ系の熱硬化
樹脂等の有機接着剤からなるシール材１０を介して矩形
状の封止基板１１が固着されている（図３（ｈ）参
照）。封止基板１０は、例えば金属、ガラス、セラミッ
クス、樹脂、ほうろう等で構成できる。これにより、陽
極３、有機層５及び陰極６が保護される。
板２の外周部分には、水分を極力取り除いた不活性ガス
（例えばドライ窒素）やドライエアによるドライ雰囲気
において、例えば紫外線硬化樹脂やエポキシ系の熱硬化
樹脂等の有機接着剤からなるシール材１０を介して矩形
状の封止基板１１が固着されている（図３（ｈ）参
照）。封止基板１０は、例えば金属、ガラス、セラミッ
クス、樹脂、ほうろう等で構成できる。これにより、陽
極３、有機層５及び陰極６が保護される。
【００３４】上記のように構成される有機ＥＬ素子１で
は、陽極３と陰極６との間に不図示の駆動回路から駆動
電圧を印加して定電流を流すと、有機層５に対して陽極
３から正孔が注入され、陰極６から電子が注入される。
そして、注入された正孔と電子が有機層で再結合して励
起子を生成し、この励起子が失活する際の光の放出によ
り所望の表示がなされる。その際の発光は、透明電極で
ある陽極３を介して基板２の外側から観察される。
は、陽極３と陰極６との間に不図示の駆動回路から駆動
電圧を印加して定電流を流すと、有機層５に対して陽極
３から正孔が注入され、陰極６から電子が注入される。
そして、注入された正孔と電子が有機層で再結合して励
起子を生成し、この励起子が失活する際の光の放出によ
り所望の表示がなされる。その際の発光は、透明電極で
ある陽極３を介して基板２の外側から観察される。
【００３５】、以下、上記有機ＥＬ素子１の製造工程に
ついて、図３（ａ）〜（ｈ）の製造工程を示す各側断面
図を参照して説明する。
ついて、図３（ａ）〜（ｈ）の製造工程を示す各側断面
図を参照して説明する。
【００３６】上記有機ＥＬ素子１を製造するにあたって
は、まず、不図示のチャンバー内に基板２をセットし、
基板２の表面に透明導電膜を例えば１５０ｎｍの膜厚で
成膜する。続いて、透明導電膜３にフォトレジストパタ
ーンによるエッチングを施して陽極３をストライプ状に
形成する（図３（ａ））。
は、まず、不図示のチャンバー内に基板２をセットし、
基板２の表面に透明導電膜を例えば１５０ｎｍの膜厚で
成膜する。続いて、透明導電膜３にフォトレジストパタ
ーンによるエッチングを施して陽極３をストライプ状に
形成する（図３（ａ））。
【００３７】なお、透明導電膜は通常のスパッタ法で成
膜できるが、スパッタ法による成膜では透明導電膜がポ
リ化して結晶粒界に起因したフレーク状の凹凸が表面に
形成されてしまうので、非結晶質で成膜されるのが好ま
しい。例えば、ＩＤＩＸＯ（商品名：出光透明導電材料
Idemitsu Indium X-Metal Oxide 、出光興産株式会社
製）の非晶質透明導電膜で透明導電膜を成膜すれば、緻
密で表面平滑性に優れた膜を形成することができる。ま
た、非結晶質による透明導電膜（ＩＤＩＸＯによる透明
導電膜等）の成膜時には、所望のパターンニングをする
ためにマスク蒸着してもよい。また、場合によっては、
透明導電膜の成膜後に、通常のフォトリソグラフィ法を
用いて透明導電膜をパターン加工してもよい。
膜できるが、スパッタ法による成膜では透明導電膜がポ
リ化して結晶粒界に起因したフレーク状の凹凸が表面に
形成されてしまうので、非結晶質で成膜されるのが好ま
しい。例えば、ＩＤＩＸＯ（商品名：出光透明導電材料
Idemitsu Indium X-Metal Oxide 、出光興産株式会社
製）の非晶質透明導電膜で透明導電膜を成膜すれば、緻
密で表面平滑性に優れた膜を形成することができる。ま
た、非結晶質による透明導電膜（ＩＤＩＸＯによる透明
導電膜等）の成膜時には、所望のパターンニングをする
ためにマスク蒸着してもよい。また、場合によっては、
透明導電膜の成膜後に、通常のフォトリソグラフィ法を
用いて透明導電膜をパターン加工してもよい。
【００３８】次に、陽極３が形成された後、陽極３がな
すパターンの周りのエッジ部分３ａを覆うように基板２
上に絶縁層４を例えば１μｍの膜厚で成膜する。絶縁層
４は、スピンコート法により成膜され、その後紫外線を
選択的に照射して所望の領域をなし、現像、イミド化処
理されてなる。これにより絶縁層４は、陽極３に係る発
光部８を形作る（図３（ｂ））。
すパターンの周りのエッジ部分３ａを覆うように基板２
上に絶縁層４を例えば１μｍの膜厚で成膜する。絶縁層
４は、スピンコート法により成膜され、その後紫外線を
選択的に照射して所望の領域をなし、現像、イミド化処
理されてなる。これにより絶縁層４は、陽極３に係る発
光部８を形作る（図３（ｂ））。
【００３９】次に、リブ９を形成する。リブ９は、所定
間隔（例えば１０μｍ）を有するように複数（例えば二
つ）並設し、それぞれのアスペクト比（高さ／幅）が例
えば２となるように幅１０μｍ，高さ２０μｍで形成す
る。リブ９は、スピンコート法により成膜され、その後
紫外線を選択的に照射して所定パターン形状をなし、現
像、イミド化処理されてなる（図３（ｃ））。
間隔（例えば１０μｍ）を有するように複数（例えば二
つ）並設し、それぞれのアスペクト比（高さ／幅）が例
えば２となるように幅１０μｍ，高さ２０μｍで形成す
る。リブ９は、スピンコート法により成膜され、その後
紫外線を選択的に照射して所定パターン形状をなし、現
像、イミド化処理されてなる（図３（ｃ））。
【００４０】次に、分子線蒸着法や抵抗加熱法等のＰＶ
Ｄ法により有機層５を陽極４の上に成膜する。有機層５
の成膜にあたっては、まず、陽極４の上にＣｕＰｃ有機
膜５ａを例えば４０ｎｍの膜厚で成膜する（図３
（ｄ））。続いて、ＣｕＰｃ有機膜５ａの上にα−ＮＰ
Ｄ有機膜５ｂを例えば２０ｎｍの膜厚で成膜する（図３
（ｅ））。更に、α−ＮＰＤ有機膜５ｂの上にＡｌｑ3
有機膜５ｃを例えば５０ｎｍの膜厚で成膜する（図３
（ｆ））。
Ｄ法により有機層５を陽極４の上に成膜する。有機層５
の成膜にあたっては、まず、陽極４の上にＣｕＰｃ有機
膜５ａを例えば４０ｎｍの膜厚で成膜する（図３
（ｄ））。続いて、ＣｕＰｃ有機膜５ａの上にα−ＮＰ
Ｄ有機膜５ｂを例えば２０ｎｍの膜厚で成膜する（図３
（ｅ））。更に、α−ＮＰＤ有機膜５ｂの上にＡｌｑ3
有機膜５ｃを例えば５０ｎｍの膜厚で成膜する（図３
（ｆ））。
【００４１】次に、有機層５上に陰極６を成膜する。陰
極６は、ＰＶＤ法によりＡｌ−Ｌｉの金属薄膜を例えば
１００ｎｍの膜厚で陽極４と直交するストライプ状に蒸
着する。この際、陰極材料は、並設する各リブ９の間隔
によって絶縁分離され、ストライプ状とされた各陰極６
は、それぞれ絶縁されて設けられる（図３（ｇ））。こ
れにより、基板２の上には、マトリクス状の一対の電極
（陽極３、陰極６）間に有機層５が積層された素子７が
形成される。
極６は、ＰＶＤ法によりＡｌ−Ｌｉの金属薄膜を例えば
１００ｎｍの膜厚で陽極４と直交するストライプ状に蒸
着する。この際、陰極材料は、並設する各リブ９の間隔
によって絶縁分離され、ストライプ状とされた各陰極６
は、それぞれ絶縁されて設けられる（図３（ｇ））。こ
れにより、基板２の上には、マトリクス状の一対の電極
（陽極３、陰極６）間に有機層５が積層された素子７が
形成される。
【００４２】次に、封止基板１１の上の所定位置（外周
縁近傍）に接着剤を塗布してシール膜１０を形成し、シ
ール膜１０が形成された封止基板１１の面に素子７の面
を向けて基板２を封止基板１０の上に載せる。その後、
予め準備したバネクリップ等の荷重手段を用い、基板２
と封止基板１１に所定の荷重を掛ける。続いて、基板２
の外側から紫外線照射処理を行うと、封止部分のシール
膜１０が硬化され、基板２と封止基板１１の間隔がシー
ル膜１０によって一定に保持される。これにより、有機
ＥＬ素子１が完成される（図３（ｈ））。
縁近傍）に接着剤を塗布してシール膜１０を形成し、シ
ール膜１０が形成された封止基板１１の面に素子７の面
を向けて基板２を封止基板１０の上に載せる。その後、
予め準備したバネクリップ等の荷重手段を用い、基板２
と封止基板１１に所定の荷重を掛ける。続いて、基板２
の外側から紫外線照射処理を行うと、封止部分のシール
膜１０が硬化され、基板２と封止基板１１の間隔がシー
ル膜１０によって一定に保持される。これにより、有機
ＥＬ素子１が完成される（図３（ｈ））。
【００４３】したがって、陰極６を蒸着する際、陰極６
を分離する分離箇所に対し、所定間隔Ｈをおいて並設さ
れたリブ９があるため、各リブ９の上面から側壁面に伝
わって回り込もうとする陰極材料が、各リブ９間の間隔
Ｈによって切られることとなる。ゆえに、並設された各
リブ９によって仕切られた各陰極６は、確実に絶縁分離
される。
を分離する分離箇所に対し、所定間隔Ｈをおいて並設さ
れたリブ９があるため、各リブ９の上面から側壁面に伝
わって回り込もうとする陰極材料が、各リブ９間の間隔
Ｈによって切られることとなる。ゆえに、並設された各
リブ９によって仕切られた各陰極６は、確実に絶縁分離
される。
【００４４】また、並設したリブ９を用いた陰極６の成
膜では、陰極６を分離する分離箇所において各リブ９の
側壁面の数が増すため、リブ９の略真上方向から陰極材
料を蒸着しても、絶縁不良が生じにくくなる。具体的に
は、従来例の如く単一のリブを設けた場合、側壁面への
陰極材料の回り込みを防ぐには、リブの一方の側壁面か
ら基板２の法線方向に対して１０°以上の角度を以て蒸
着し、リブの他方の側壁面に陰極材料がかからないよう
に影をなすことが考えられる。本実施形態の如く並設し
た二つのリブ９の場合には、上記角度は５°程度とする
ことができた。更に三つ並設したところ１°〜２°でも
絶縁不良がでない。
膜では、陰極６を分離する分離箇所において各リブ９の
側壁面の数が増すため、リブ９の略真上方向から陰極材
料を蒸着しても、絶縁不良が生じにくくなる。具体的に
は、従来例の如く単一のリブを設けた場合、側壁面への
陰極材料の回り込みを防ぐには、リブの一方の側壁面か
ら基板２の法線方向に対して１０°以上の角度を以て蒸
着し、リブの他方の側壁面に陰極材料がかからないよう
に影をなすことが考えられる。本実施形態の如く並設し
た二つのリブ９の場合には、上記角度は５°程度とする
ことができた。更に三つ並設したところ１°〜２°でも
絶縁不良がでない。
【００４５】即ち、蒸着する角度を大きくする場合に
は、図４（ａ）の概略図の如く陰極材料が放射される蒸
着源から基板２を遠ざけるようにしなければならず、陰
極材料の一部しか用いられない。本実施形態では、蒸着
する角度が小さくてよいので、図４（ｂ）の如く蒸着源
の真下に基板２を置くことができ、放射される陰極材料
を有効に用いることができる。
は、図４（ａ）の概略図の如く陰極材料が放射される蒸
着源から基板２を遠ざけるようにしなければならず、陰
極材料の一部しか用いられない。本実施形態では、蒸着
する角度が小さくてよいので、図４（ｂ）の如く蒸着源
の真下に基板２を置くことができ、放射される陰極材料
を有効に用いることができる。
【００４６】また、上記の如く、陰極材料を蒸着する角
度が小さくできることにより、上述した図７（ｃ）で示
す従来例のようにリブの高さを高くする必要性がなくな
る。ゆえに、本実施形態では、アスペクト比（高さ／
幅）が１〜５のように、容易に成形できる範囲内のリブ
９を用いることができる。
度が小さくできることにより、上述した図７（ｃ）で示
す従来例のようにリブの高さを高くする必要性がなくな
る。ゆえに、本実施形態では、アスペクト比（高さ／
幅）が１〜５のように、容易に成形できる範囲内のリブ
９を用いることができる。
【００４７】また、陰極材料を蒸着する角度を要する場
合では、従来の如くリブの他方の側壁面に影をなすため
に、リブの一方の側壁面からの蒸着に限定される。即
ち、従来のように大きい蒸着角度を要する場合、ストラ
イプ状の陰極パターンをなす直線状のリブしか用いるこ
とができない。本実施形態では、略真上方向からの蒸着
が可能であるため、ストライプ状の陰極パターン以外に
も、複数のセグメントからなるパターンや固定文字パタ
ーン等の微細パターンに対応した所定の陰極パターンを
なすリブ９を用いることができる。
合では、従来の如くリブの他方の側壁面に影をなすため
に、リブの一方の側壁面からの蒸着に限定される。即
ち、従来のように大きい蒸着角度を要する場合、ストラ
イプ状の陰極パターンをなす直線状のリブしか用いるこ
とができない。本実施形態では、略真上方向からの蒸着
が可能であるため、ストライプ状の陰極パターン以外に
も、複数のセグメントからなるパターンや固定文字パタ
ーン等の微細パターンに対応した所定の陰極パターンを
なすリブ９を用いることができる。
【００４８】具体的に図５（ａ）、（ｂ）は、所定の陰
極パターンの一例を示している。図５（ａ）では、複数
のセグメントからなる日文字パターンの陽極３に対応し
て、例えば複数並ぶ各日文字パターン毎のセグメントに
同時に電圧を印加し得る陰極パターンの周りにリブ９を
形成している。図５（ｂ）では、複数のセグメントから
なる日文字パターンの陽極３に対応して、例えば複数並
ぶ日文字パターンの同じ位置のセグメントに同時に電圧
を印加し得る陰極パターンに沿って屈曲・蛇行するリブ
９を形成している。このように、上述のリブ９を用いる
ことにより、自由な陰極６のパターン形状を絶縁性の高
い状態で得ることが可能となる。
極パターンの一例を示している。図５（ａ）では、複数
のセグメントからなる日文字パターンの陽極３に対応し
て、例えば複数並ぶ各日文字パターン毎のセグメントに
同時に電圧を印加し得る陰極パターンの周りにリブ９を
形成している。図５（ｂ）では、複数のセグメントから
なる日文字パターンの陽極３に対応して、例えば複数並
ぶ日文字パターンの同じ位置のセグメントに同時に電圧
を印加し得る陰極パターンに沿って屈曲・蛇行するリブ
９を形成している。このように、上述のリブ９を用いる
ことにより、自由な陰極６のパターン形状を絶縁性の高
い状態で得ることが可能となる。
【００４９】また、並設したリブ９を用いた場合、互い
に対向する側壁面の上端が対向方向に張り出す如く、対
向する各側壁面を逆テーパ形状に形成したり、それぞれ
の上端縁が対向方向に張り出す逆Ｌ字形状（恥部が三つ
以上並設されている場合は各リブ９間に挟まれたリブ９
はＴ字形状をなす）に形成してもよい。この構成によれ
ば、並設した各リブ９の間の間隔Ｈへの陰極材料の切れ
が良くなり、更に絶縁性を向上することができる。な
お、従来の場合では、影の部分に有機層５が存在しない
ことにより陽極３と陰極６とがショートする問題がある
が、本実施形態では、並設されたリブ９の間隔Ｈ部分が
電圧の印加に関与しないため従来のような問題はない。
しかしながら、逆テーパ形状等はその形状なす工程が別
途必要であり、また並設したリブ９だけでも高い絶縁性
が得られるので、簡素な工程で得られる並設リブ９だけ
の構成でも十分な効果は得られる。
に対向する側壁面の上端が対向方向に張り出す如く、対
向する各側壁面を逆テーパ形状に形成したり、それぞれ
の上端縁が対向方向に張り出す逆Ｌ字形状（恥部が三つ
以上並設されている場合は各リブ９間に挟まれたリブ９
はＴ字形状をなす）に形成してもよい。この構成によれ
ば、並設した各リブ９の間の間隔Ｈへの陰極材料の切れ
が良くなり、更に絶縁性を向上することができる。な
お、従来の場合では、影の部分に有機層５が存在しない
ことにより陽極３と陰極６とがショートする問題がある
が、本実施形態では、並設されたリブ９の間隔Ｈ部分が
電圧の印加に関与しないため従来のような問題はない。
しかしながら、逆テーパ形状等はその形状なす工程が別
途必要であり、また並設したリブ９だけでも高い絶縁性
が得られるので、簡素な工程で得られる並設リブ９だけ
の構成でも十分な効果は得られる。
【００５０】なお、上述した実施形態では、基板２上に
成膜される第一電極を陽極３とし、有機層５上に成膜さ
れる第二電極を陰極６として、並設されたリブ９を以て
陰極６のパターニングとその絶縁を行っているが、第一
電極を陰極６とし、第二電極を陽極３として、並設され
たリブ９を以て陽極３のパターニングとその絶縁を行っ
ても良い。なお、この場合陽極３と陰極６との逆転に伴
って有機層５の積層構造を逆転した構成とし、封止基板
１１を透明性材料で構成することとなる。
成膜される第一電極を陽極３とし、有機層５上に成膜さ
れる第二電極を陰極６として、並設されたリブ９を以て
陰極６のパターニングとその絶縁を行っているが、第一
電極を陰極６とし、第二電極を陽極３として、並設され
たリブ９を以て陽極３のパターニングとその絶縁を行っ
ても良い。なお、この場合陽極３と陰極６との逆転に伴
って有機層５の積層構造を逆転した構成とし、封止基板
１１を透明性材料で構成することとなる。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明による有機Ｅ
Ｌ素子は、第二電極を複数に絶縁分離する分離箇所に対
し、所定間隔を有する如く複数並設された絶縁性のリブ
を備えたことにより、各リブの上面から側壁面に伝わっ
て回り込もうとする第二電極の材料が、各リブ間の間隔
によって切られる。ゆえに、並設された各リブによって
仕切られた各第二電極を確実に絶縁分離することができ
る。
Ｌ素子は、第二電極を複数に絶縁分離する分離箇所に対
し、所定間隔を有する如く複数並設された絶縁性のリブ
を備えたことにより、各リブの上面から側壁面に伝わっ
て回り込もうとする第二電極の材料が、各リブ間の間隔
によって切られる。ゆえに、並設された各リブによって
仕切られた各第二電極を確実に絶縁分離することができ
る。
【００５２】また、前記リブは、断面のアスペクト比
（高さ／幅）が１〜５でよく、容易に成形することが可
能である。
（高さ／幅）が１〜５でよく、容易に成形することが可
能である。
【００５３】また、前記リブは、互いに対向する側壁面
の上端が対向方向に張り出す如く形成されていれば、並
設した各リブ間の間隔への第二電極の材料の切れが良く
なるので、更に絶縁性を向上することができる。
の上端が対向方向に張り出す如く形成されていれば、並
設した各リブ間の間隔への第二電極の材料の切れが良く
なるので、更に絶縁性を向上することができる。
【００５４】また、前記リブは、並設されたことによっ
て側壁面の数が増すため、第二電極の材料の切れが良
く、略真上方向から第二電極の材料を蒸着しても絶縁不
良が生じにくくなる。ゆえに、直線的なパターン以外に
も、複数のセグメントからなるパターンや固定文字パタ
ーン等の微細パターンに対応した所定パターンの第二電
極をなすことができる。
て側壁面の数が増すため、第二電極の材料の切れが良
く、略真上方向から第二電極の材料を蒸着しても絶縁不
良が生じにくくなる。ゆえに、直線的なパターン以外に
も、複数のセグメントからなるパターンや固定文字パタ
ーン等の微細パターンに対応した所定パターンの第二電
極をなすことができる。
【００５５】また、並設したリブを用いたため、第二電
極の絶縁分離を確実とする有機ＥＬ素子の製造を容易に
実現することができる。
極の絶縁分離を確実とする有機ＥＬ素子の製造を容易に
実現することができる。
【図１】本発明による有機ＥＬ素子の実施形態を示す側
断面図。
断面図。
【図２】同有機ＥＬ素子の一部裁断した平面図。
【図３】（ａ）〜（ｈ）同有機ＥＬ素子の製造工程を示
す各側断面図。
す各側断面図。
【図４】（ａ）（ｂ）従来例と本発明との蒸着状態を示
す比較対応図。
す比較対応図。
【図５】（ａ）（ｂ）パターニングの一例を示す平面
図。
図。
【図６】従来の有機ＥＬ素子の一例を示す側断面図。
【図７】（ａ）（ｂ）（ｃ）従来の有機ＥＬ素子の他の
例を示す側断面図。
例を示す側断面図。
【符号の説明】 １…有機ＥＬ素子、２…基板、３…陽極、４…絶縁層、
５…有機層、６…陰極、９…リブ。
５…有機層、６…陰極、９…リブ。
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも何れかが透明性を有する第一
電極と第二電極とを有し、前記第一電極を絶縁性を有し
た基板上に成膜し、前記第一電極上に発光層を含む有機
層を積層し、該有機層上に前記第二電極を成膜してなる
有機ＥＬ素子において、 前記第二電極を複数に絶縁分離する分離箇所に対し、前
記第一電極上あるいは前記第一電極の周りに近接して形
成され、所定間隔を有する如く複数並設された絶縁性の
リブを備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 前記リブは、その断面のアスペクト比
（高さ／幅）が１〜５であることを特徴とする請求項１
に記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記リブは、互いに対向する側壁面の上
端が対向方向に張り出す如く形成されていることを特徴
とする請求項１あるいは請求項２に記載の有機ＥＬ素
子。 - 【請求項４】 前記第一電極及び第二電極はそれぞれス
トライプ状からなるマトリクス形状をなし、前記リブは
前記第二電極間に沿って設けられることを特徴とする請
求項１〜請求項３の何れかに記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項５】 前記第一電極及び第二電極は所定パター
ン形状をなし、前記リブは同時に電圧を印加し得る前記
第二電極の周りに設けられることを特徴とする請求項１
〜請求項３の何れかに記載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項６】 前記基板上及び前記第一電極の周りに
は、所望の発光部位を露出する如く絶縁層が形成されて
いることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れかに記
載の有機ＥＬ素子。 - 【請求項７】 少なくとも何れかが透明性を有する第一
電極と第二電極とを有し、前記第一電極を絶縁性を有し
た基板上に成膜し、前記第一電極上に発光層を含む有機
層を積層し、該有機層上に前記第二電極を成膜してなる
有機ＥＬ素子の製造方法において、 前記第一電極の成膜後、前記第二電極を複数に絶縁分離
する分離箇所に対し、前記第一電極上あるいは前記第一
電極の周りに近接するように所定間隔を有して複数並設
する如く絶縁性のリブを形成し、該リブ上から前記有機
層を積層し、更に前記リブ上から第二電極を蒸着するこ
とを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
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-
2000
- 2000-02-10 US US09/501,191 patent/US6414432B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-14 GB GB0003371A patent/GB2347017B/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-02-14 KR KR10-2000-0006805A patent/KR100425567B1/ko not_active Expired - Fee Related
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