JP2000223683A - 複合部材及びその分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の移設方法、並びにｓｏｉ基板の製造方法 - Google Patents
複合部材及びその分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の移設方法、並びにｓｏｉ基板の製造方法Info
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- Element Separation (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】第１の基板と第２の基板とを貼り合わせてなる
貼り合わせ基板を多孔質層で適切に分離する。 【解決手段】多孔質層を内部に有し、その上に単結晶Ｓ
ｉ層及び絶縁層を有する第１の基板１０と、第２の基板
とを中心位置をずらして密着させて、第１の基板１０の
外周端が第２の基板２０の外周端より突出した突出部を
有する貼り合わせ基板３０を作成する。そして、まず、
該突出部に向けて流体を噴射することによって分離開始
部４０を形成し、次いで、貼り合わせ基板３０を回転さ
せながら分離開始部４０から分離を開始する。
貼り合わせ基板を多孔質層で適切に分離する。 【解決手段】多孔質層を内部に有し、その上に単結晶Ｓ
ｉ層及び絶縁層を有する第１の基板１０と、第２の基板
とを中心位置をずらして密着させて、第１の基板１０の
外周端が第２の基板２０の外周端より突出した突出部を
有する貼り合わせ基板３０を作成する。そして、まず、
該突出部に向けて流体を噴射することによって分離開始
部４０を形成し、次いで、貼り合わせ基板３０を回転さ
せながら分離開始部４０から分離を開始する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合部材及びその
分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の
移設方法、並びにＳＯＩ基板の製造方法に関する。
分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の
移設方法、並びにＳＯＩ基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】絶縁層上に単結晶Ｓｉ層を有する基板と
して、ＳＯＩ（silicon on insulator)構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では到達し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 （１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。 （２）放射線耐性に優れている。 （３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 （４）ウェル工程が不要である。 （５）ラッチアップを防止できる。 （６）薄膜化による完全な空乏型電界効果トランジスタ
の形成が可能である。
して、ＳＯＩ（silicon on insulator)構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では到達し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 （１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。 （２）放射線耐性に優れている。 （３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 （４）ウェル工程が不要である。 （５）ラッチアップを防止できる。 （６）薄膜化による完全な空乏型電界効果トランジスタ
の形成が可能である。
【０００３】ＳＯＩ構造は、上記のような様々な優位点
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められている。
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められている。
【０００４】ＳＯＩ技術としては、古くは、単結晶サフ
ァイア基板上にＳｉをＣＶＤ（化学気相成長）法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するＳＯＳ（silicon on s
apphire）技術が知られている。このＳＯＳ技術は、最
も成熟したＳＯＩ技術として一応の評価を得たものの、
Ｓｉ層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニュームのＳｉ層への混入、基板の価格、
大面積化への遅れ等により実用化が進んでいない。
ァイア基板上にＳｉをＣＶＤ（化学気相成長）法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するＳＯＳ（silicon on s
apphire）技術が知られている。このＳＯＳ技術は、最
も成熟したＳＯＩ技術として一応の評価を得たものの、
Ｓｉ層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニュームのＳｉ層への混入、基板の価格、
大面積化への遅れ等により実用化が進んでいない。
【０００５】比較的近年には、サファイア基板を使用せ
ずにＳＯＩ構造を実現しようという試みがなされてい
る。この試みは、次の２つの方法に大別される。
ずにＳＯＩ構造を実現しようという試みがなされてい
る。この試みは、次の２つの方法に大別される。
【０００６】第１の方法は、Ｓｉ単結晶基板の表面を酸
化した後に、その酸化膜（ＳｉＯ2層）に窓を形成する
ことによりＳｉ基板を部分的に表出させ、その部分をシ
ードとして横方向へ単結晶Ｓｉをエピタキシャル成長さ
せて、これによりＳｉＯ2上にＳｉ単結晶層を形成する
方法である（この方法では、ＳｉＯ2層上にＳｉ層を堆
積させる）。
化した後に、その酸化膜（ＳｉＯ2層）に窓を形成する
ことによりＳｉ基板を部分的に表出させ、その部分をシ
ードとして横方向へ単結晶Ｓｉをエピタキシャル成長さ
せて、これによりＳｉＯ2上にＳｉ単結晶層を形成する
方法である（この方法では、ＳｉＯ2層上にＳｉ層を堆
積させる）。
【０００７】第２の方法は、Ｓｉ単結晶基板そのものを
活性層として使用し、その下部にＳｉＯ2層を形成する
方法である（この方法では、Ｓｉ層を堆積させない）。
活性層として使用し、その下部にＳｉＯ2層を形成する
方法である（この方法では、Ｓｉ層を堆積させない）。
【０００８】上記の第１の方法を実現する手段として、
ＣＶＤ法により直接的に単結晶Ｓｉ層から横方向に単結
晶Ｓｉをエピタキシャル成長させる方法（ＣＶＤ法）、
非晶質Ｓｉを堆積して熱処理により固相横方向エピタキ
シャル成長させる方法（固相成長法）、非晶質或いは多
結晶Ｓｉ層に電子線やレーザー光等のエネルギービーム
を収束させて照射して溶融再結晶によりＳｉＯ2層上に
単結晶Ｓｉ層を成長させる方法（ビームアニ−ル法）、
棒状ヒータにより帯状に溶融領域を走査する方法（Zone
Melting Recrystallization法）が知られている。
ＣＶＤ法により直接的に単結晶Ｓｉ層から横方向に単結
晶Ｓｉをエピタキシャル成長させる方法（ＣＶＤ法）、
非晶質Ｓｉを堆積して熱処理により固相横方向エピタキ
シャル成長させる方法（固相成長法）、非晶質或いは多
結晶Ｓｉ層に電子線やレーザー光等のエネルギービーム
を収束させて照射して溶融再結晶によりＳｉＯ2層上に
単結晶Ｓｉ層を成長させる方法（ビームアニ−ル法）、
棒状ヒータにより帯状に溶融領域を走査する方法（Zone
Melting Recrystallization法）が知られている。
【０００９】これらの方法にはそれぞれ一長一短がある
が、その制御性、生産性、均一性、品質に多大の問題を
残しており、未だに、工業的に実用化されたものはな
い。例えば、ＣＶＤ法では、平坦化・薄膜化するために
犠牲酸化が必要となり、固相成長法では結晶性が悪い。
また、ビームアニール法では、収束ビームを走査するの
に要する処理時間、ビームの重なり具合や焦点調整など
の制御性に問題がある。このうち、Zone Melting Recry
stallization法が最も成熟しており、比較的大規模な集
積回路が試作されてはいるが、亜粒界等の結晶欠陥が多
数残留するという問題があり、少数キャリヤデバイスを
作成するまでに至っていない。
が、その制御性、生産性、均一性、品質に多大の問題を
残しており、未だに、工業的に実用化されたものはな
い。例えば、ＣＶＤ法では、平坦化・薄膜化するために
犠牲酸化が必要となり、固相成長法では結晶性が悪い。
また、ビームアニール法では、収束ビームを走査するの
に要する処理時間、ビームの重なり具合や焦点調整など
の制御性に問題がある。このうち、Zone Melting Recry
stallization法が最も成熟しており、比較的大規模な集
積回路が試作されてはいるが、亜粒界等の結晶欠陥が多
数残留するという問題があり、少数キャリヤデバイスを
作成するまでに至っていない。
【００１０】上記の第２の方法、すなわち、Ｓｉ基板を
エピタキシャル成長のシードとして用いない方法として
は、次の４つの方法が挙げられる。
エピタキシャル成長のシードとして用いない方法として
は、次の４つの方法が挙げられる。
【００１１】第１に、異方性エッチングによりＶ型の溝
が表面に形成された単結晶Ｓｉ基板に酸化膜を形成し、
該酸化膜上に単結晶Ｓｉ基板の厚さと同程度の厚さの多
結晶Ｓｉ層を堆積させた後に、単結晶Ｓｉ基板の裏面か
ら単結晶Ｓｉを研磨することによって、厚い多結晶Ｓｉ
層上にＶ溝に囲まれて誘電分離されたＳｉ単結晶領域を
有する基板を形成する方法がある。この方法では、結晶
性が良好な基板を形成することができるが、多結晶Ｓｉ
を数百ミクロンも厚く堆積する工程や、単結晶Ｓｉ基板
を裏面から研磨して分離されたＳｉ活性層を残す工程に
関して、制御性や生産性の問題がある。
が表面に形成された単結晶Ｓｉ基板に酸化膜を形成し、
該酸化膜上に単結晶Ｓｉ基板の厚さと同程度の厚さの多
結晶Ｓｉ層を堆積させた後に、単結晶Ｓｉ基板の裏面か
ら単結晶Ｓｉを研磨することによって、厚い多結晶Ｓｉ
層上にＶ溝に囲まれて誘電分離されたＳｉ単結晶領域を
有する基板を形成する方法がある。この方法では、結晶
性が良好な基板を形成することができるが、多結晶Ｓｉ
を数百ミクロンも厚く堆積する工程や、単結晶Ｓｉ基板
を裏面から研磨して分離されたＳｉ活性層を残す工程に
関して、制御性や生産性の問題がある。
【００１２】第２に、ＳＩＭＯＸ（Separation by Ion
Implanted Oxygen）法がある。この方法は、単結晶Ｓｉ
基板中に酸素イオンを注入することによりＳｉＯ2層を
形成する方法である。この方法では、 基板の内部にＳ
ｉＯ2層を形成するために、１０18（ｉｏｎｓ／ｃｍ2）
以上の酸素イオンを注入する必要があり、その注入時間
が長大であるため生産性が低い。また、製造コストが高
い。更に、多数の結晶欠陥が生じるため、少数キャリヤ
デバイスを作製するための充分な品質に至っていない。
Implanted Oxygen）法がある。この方法は、単結晶Ｓｉ
基板中に酸素イオンを注入することによりＳｉＯ2層を
形成する方法である。この方法では、 基板の内部にＳ
ｉＯ2層を形成するために、１０18（ｉｏｎｓ／ｃｍ2）
以上の酸素イオンを注入する必要があり、その注入時間
が長大であるため生産性が低い。また、製造コストが高
い。更に、多数の結晶欠陥が生じるため、少数キャリヤ
デバイスを作製するための充分な品質に至っていない。
【００１３】第３に、多孔質Ｓｉの酸化による誘電体分
離によりＳＯＩ構造を形成する方法がある。この方法
は、プロトンイオン注入（イマイ他，Ｊ．Ｃｒｙｓｔａ
ｌ Ｇｒｏｗｔｈ，ｖｏｌ ６３，５４７（１９８
３））により、若しくは、エピタキシャル成長工程及び
パターニング工程により、Ｐ型単結晶Ｓｉ基板の表面に
Ｎ型Ｓｉ層を島状に形成し、この基板をＨＦ溶液中で陽
極化成することにより、このＮ型Ｓｉ島を囲むようにＰ
型Ｓｉ基板のみを多孔質化した後に、増速酸化によりＮ
型Ｓｉ島を誘電体分離する方法である。この方法では、
分離すべきＳｉ領域をデバイス工程の前に決定する必要
があるため、デバイス設計の自由度を制限する点におい
て問題がある。
離によりＳＯＩ構造を形成する方法がある。この方法
は、プロトンイオン注入（イマイ他，Ｊ．Ｃｒｙｓｔａ
ｌ Ｇｒｏｗｔｈ，ｖｏｌ ６３，５４７（１９８
３））により、若しくは、エピタキシャル成長工程及び
パターニング工程により、Ｐ型単結晶Ｓｉ基板の表面に
Ｎ型Ｓｉ層を島状に形成し、この基板をＨＦ溶液中で陽
極化成することにより、このＮ型Ｓｉ島を囲むようにＰ
型Ｓｉ基板のみを多孔質化した後に、増速酸化によりＮ
型Ｓｉ島を誘電体分離する方法である。この方法では、
分離すべきＳｉ領域をデバイス工程の前に決定する必要
があるため、デバイス設計の自由度を制限する点におい
て問題がある。
【００１４】第４に、単結晶Ｓｉ基板を、熱酸化した別
の単結晶Ｓｉ基板に、熱処理又は接着剤により貼り合わ
せて、ＳＯＩ構造を形成する方法がある。この方法で
は、デバイスを形成するための活性層を均一に薄膜化す
る必要がある。すなわち、数百ミクロンもの厚さを有す
る単結晶Ｓｉ基板をミクロンオーダー或いはそれ以下に
薄膜化する必要がある。
の単結晶Ｓｉ基板に、熱処理又は接着剤により貼り合わ
せて、ＳＯＩ構造を形成する方法がある。この方法で
は、デバイスを形成するための活性層を均一に薄膜化す
る必要がある。すなわち、数百ミクロンもの厚さを有す
る単結晶Ｓｉ基板をミクロンオーダー或いはそれ以下に
薄膜化する必要がある。
【００１５】薄膜化の方法としては、研磨による方法
と、選択エッチングによる方法とがある。
と、選択エッチングによる方法とがある。
【００１６】研磨による方法では、単結晶Ｓｉを均一に
薄膜化することが困難である。特にサブミクロンオーダ
ーへの薄膜化では、ばらつきが数十％になる。ウェハの
大口径化が進めば、その困難性は増す一方である。
薄膜化することが困難である。特にサブミクロンオーダ
ーへの薄膜化では、ばらつきが数十％になる。ウェハの
大口径化が進めば、その困難性は増す一方である。
【００１７】選択エッチングによる方法は、均一な薄膜
化という点では有効であるが、選択比が１０2程度しか
得られない点、エッチング後の表面性が悪い点、ＳＯＩ
層の結晶性が悪い点で問題がある。
化という点では有効であるが、選択比が１０2程度しか
得られない点、エッチング後の表面性が悪い点、ＳＯＩ
層の結晶性が悪い点で問題がある。
【００１８】ところで、ガラスに代表される光透過性基
板は、受光素子であるコンタクトセンサや投影型液晶表
示装置を構成する上で重要である。そして、センサや表
示装置の画素（絵素）をより一層、高密度化、高解像度
化、高精細化するには、高性能の駆動素子が必要とな
る。そこで、光透過性基板上に優れた結晶性を有する単
結晶Ｓｉ層を形成する技術が求められている。
板は、受光素子であるコンタクトセンサや投影型液晶表
示装置を構成する上で重要である。そして、センサや表
示装置の画素（絵素）をより一層、高密度化、高解像度
化、高精細化するには、高性能の駆動素子が必要とな
る。そこで、光透過性基板上に優れた結晶性を有する単
結晶Ｓｉ層を形成する技術が求められている。
【００１９】しかしながら、ガラスに代表される光透過
性基板上にＳｉ層を堆積した場合、そのＳｉ層は、非晶
質若しくは多結晶にしかならない。これは、光透過性基
板の結晶構造が非晶質であり、その上に形成されるＳｉ
層が、光透過性基板の結晶構造の無秩序性を反映するた
めである。
性基板上にＳｉ層を堆積した場合、そのＳｉ層は、非晶
質若しくは多結晶にしかならない。これは、光透過性基
板の結晶構造が非晶質であり、その上に形成されるＳｉ
層が、光透過性基板の結晶構造の無秩序性を反映するた
めである。
【００２０】本出願人は、特開平５−２１３３８号にお
いて、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、単結
晶Ｓｉ基板に多孔質層を形成し、その上に非多孔質層単
結晶層を形成した第１の基板を、絶縁層を介して第２の
基板に貼り合わせ、その後、貼り合わせ基板を多孔質層
で２枚に分離することにより、第２の基板に非多孔質単
結晶層を移し取るものである。この技術は、ＳＯＩ層の
膜厚均一性が優れていること、ＳＯＩ層の結晶欠陥密度
を低減し得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が良好である
こと、高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数
１００Å〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を有するＳＯ
Ｉ基板を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れ
ている。
いて、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、単結
晶Ｓｉ基板に多孔質層を形成し、その上に非多孔質層単
結晶層を形成した第１の基板を、絶縁層を介して第２の
基板に貼り合わせ、その後、貼り合わせ基板を多孔質層
で２枚に分離することにより、第２の基板に非多孔質単
結晶層を移し取るものである。この技術は、ＳＯＩ層の
膜厚均一性が優れていること、ＳＯＩ層の結晶欠陥密度
を低減し得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が良好である
こと、高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数
１００Å〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を有するＳＯ
Ｉ基板を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れ
ている。
【００２１】更に、本出願人は、特開平７−３０２８８
９号において、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ
た後に、第１の基板を破壊することなく第２の基板から
分離し、その後、分離した第１の基板の表面を平滑化し
て再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術を開示
した。この技術は、第１の基板を無駄なく使用できるた
め、製造コストを大幅に低減することができ、製造工程
も単純であるという優れた利点を有する。
９号において、第１の基板と第２の基板とを貼り合わせ
た後に、第１の基板を破壊することなく第２の基板から
分離し、その後、分離した第１の基板の表面を平滑化し
て再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術を開示
した。この技術は、第１の基板を無駄なく使用できるた
め、製造コストを大幅に低減することができ、製造工程
も単純であるという優れた利点を有する。
【００２２】貼り合わせた基板を第１及び第２の基板の
双方を破壊することなく２枚に分離する方法としては、
例えば、貼り合わせ面に対して垂直な方向に力が加わる
ようにして両基板を互いに反対方向に引っ張る方法、貼
り合わせ面に対して平行に剪断応力を加える方法（例え
ば、貼り合わせ面に平行な面内で両基板を互いに反対方
向に移動させる方法や、円周方向に力が加わるようにし
て両基板を反対方向に回転させる方法など）、貼り合わ
せ面に対して垂直な方向に加圧する方法、分離領域に超
音波などの波動エネルギーを印加する方法、分離領域に
対して貼り合わせ基板の側面側から貼り合わせ面に平行
に剥離用部材（例えばナイフのような鋭利なブレード）
を挿入する方法、分離領域として機能する多孔質層に染
み込ませた物質の膨張エネルギーを利用する方法、分離
領域として機能する多孔質層を貼り合わせ基板の側面か
ら熱酸化させることにより、該多孔質層を体積膨張させ
て分離する方法、分離領域として機能する多孔質層を貼
り合わせ基板の側面から選択的にエッチングして分離す
る方法などがある。
双方を破壊することなく２枚に分離する方法としては、
例えば、貼り合わせ面に対して垂直な方向に力が加わる
ようにして両基板を互いに反対方向に引っ張る方法、貼
り合わせ面に対して平行に剪断応力を加える方法（例え
ば、貼り合わせ面に平行な面内で両基板を互いに反対方
向に移動させる方法や、円周方向に力が加わるようにし
て両基板を反対方向に回転させる方法など）、貼り合わ
せ面に対して垂直な方向に加圧する方法、分離領域に超
音波などの波動エネルギーを印加する方法、分離領域に
対して貼り合わせ基板の側面側から貼り合わせ面に平行
に剥離用部材（例えばナイフのような鋭利なブレード）
を挿入する方法、分離領域として機能する多孔質層に染
み込ませた物質の膨張エネルギーを利用する方法、分離
領域として機能する多孔質層を貼り合わせ基板の側面か
ら熱酸化させることにより、該多孔質層を体積膨張させ
て分離する方法、分離領域として機能する多孔質層を貼
り合わせ基板の側面から選択的にエッチングして分離す
る方法などがある。
【００２３】多孔質Siは、Uhlir等によって1956年に半
導体の電解研磨の研究過程において発見された（A.Uhli
r, Bell Syst.Tech.J., vol.35, 333(1956)）。多孔質S
iは、Si基板をHF溶液中で陽極化成（Anodization）する
ことにより形成することができる。
導体の電解研磨の研究過程において発見された（A.Uhli
r, Bell Syst.Tech.J., vol.35, 333(1956)）。多孔質S
iは、Si基板をHF溶液中で陽極化成（Anodization）する
ことにより形成することができる。
【００２４】ウナガミ等は、陽極化成におけるSiの溶解
反応を研究し、HF溶液中のSiの陽極反応には正孔が必要
であり、その反応は、次の通りであると報告している
（T.ウナカ゛ミ、J.Electrochem.Soc., vol.127, 476(198
0)）。 Si+2HF+(2-n)e+ → SiF2+2H++ne- SiF2+2HF → SiF4+H2 SiF4+2HF → H2SiF6 または、 Si+4HF+(4-λ)e+ → SiF4+4H++λe- SiF4+2HF → H2SiF6 ここで、e+およびe-は、それぞれ正孔と電子を表してい
る。また、nおよびλは、それぞれSiの1原子が溶解する
ために必要な正孔の数であり、n>2又はλ>4なる条件が
満たされた場合に多孔質Siが形成されるとしている。
反応を研究し、HF溶液中のSiの陽極反応には正孔が必要
であり、その反応は、次の通りであると報告している
（T.ウナカ゛ミ、J.Electrochem.Soc., vol.127, 476(198
0)）。 Si+2HF+(2-n)e+ → SiF2+2H++ne- SiF2+2HF → SiF4+H2 SiF4+2HF → H2SiF6 または、 Si+4HF+(4-λ)e+ → SiF4+4H++λe- SiF4+2HF → H2SiF6 ここで、e+およびe-は、それぞれ正孔と電子を表してい
る。また、nおよびλは、それぞれSiの1原子が溶解する
ために必要な正孔の数であり、n>2又はλ>4なる条件が
満たされた場合に多孔質Siが形成されるとしている。
【００２５】以上のことから、正孔の存在するP型Siは
多孔質化されるが、N型Siは多孔質化されないと考える
ことができる。この多孔質化における選択性は長野等及
び今井によって報告されている(長野、中島、安野、大
中、梶原、電子通信学会技術研究報告、vol.79, SSD79-
9549(1979))、(K. Imai, Solid-State Electronics, vo
l.24,159(1981))。
多孔質化されるが、N型Siは多孔質化されないと考える
ことができる。この多孔質化における選択性は長野等及
び今井によって報告されている(長野、中島、安野、大
中、梶原、電子通信学会技術研究報告、vol.79, SSD79-
9549(1979))、(K. Imai, Solid-State Electronics, vo
l.24,159(1981))。
【００２６】しかしながら、高濃度のN型Ｓｉであれば
多孔質化されるとの報告もある（R.P. Holmstrom and
J. Y. Chi, Appl. Phys. Lett., vol. 42, 386(198
3)）。したがって、P型、N型の別にこだわらず、多孔質
化が可能な基板を選択することが重要である。
多孔質化されるとの報告もある（R.P. Holmstrom and
J. Y. Chi, Appl. Phys. Lett., vol. 42, 386(198
3)）。したがって、P型、N型の別にこだわらず、多孔質
化が可能な基板を選択することが重要である。
【００２７】多孔質層を形成する方法としては、上記の
陽極化成法の他に、例えば、シリコン基板中にイオンを
打ち込む方法がある。
陽極化成法の他に、例えば、シリコン基板中にイオンを
打ち込む方法がある。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】例えば、特開平５−２
１３３８号に記載された方法、即ち、多孔質層の上に単
結晶Ｓｉ層等の非多孔質層を有する第１の基板を絶縁層
を介して第２の基板に貼り合わせてなる基板（以下、貼
り合わせ基板）を該多孔質層の部分で分離し、これによ
り、第１の基板側に形成された非多孔質層を第２の基板
に移設する方法においては、貼り合わせ基板を分離する
技術が極めて重要である。
１３３８号に記載された方法、即ち、多孔質層の上に単
結晶Ｓｉ層等の非多孔質層を有する第１の基板を絶縁層
を介して第２の基板に貼り合わせてなる基板（以下、貼
り合わせ基板）を該多孔質層の部分で分離し、これによ
り、第１の基板側に形成された非多孔質層を第２の基板
に移設する方法においては、貼り合わせ基板を分離する
技術が極めて重要である。
【００２９】例えば、貼り合わせ基板の分離の際に、分
離用の層である多孔質層以外の部分で貼り合わせ基板が
分離されると、例えば、活性層とすべき非多孔質層（例
えば、単結晶Ｓｉ層）等が破壊され、所望のＳＯＩ基板
が得られない。
離用の層である多孔質層以外の部分で貼り合わせ基板が
分離されると、例えば、活性層とすべき非多孔質層（例
えば、単結晶Ｓｉ層）等が破壊され、所望のＳＯＩ基板
が得られない。
【００３０】本発明は、上記の背景に鑑みてなされたも
のであり、例えば、貼り合わせ基板等の複合部材を多孔
質層等の分離層で適切に分離することを可能にすること
を目的とする。
のであり、例えば、貼り合わせ基板等の複合部材を多孔
質層等の分離層で適切に分離することを可能にすること
を目的とする。
【００３１】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の側面に係
る複号部材の分離方法は、内部に分離層を有する第１の
部材と、第２の部材とを密着させた構造を有する複合部
材の分離方法であって、前記複合部材は、前記第１の部
材の外周端が前記第２の部材の外周端より外側に突出し
た突出部を有し、前記分離方法は、前記突出部から前記
複合部材の分離を開始し、その後、前記分離層の部分で
前記複合部材を２つの部材に分離する分離工程を有する
ことを特徴とする。
る複号部材の分離方法は、内部に分離層を有する第１の
部材と、第２の部材とを密着させた構造を有する複合部
材の分離方法であって、前記複合部材は、前記第１の部
材の外周端が前記第２の部材の外周端より外側に突出し
た突出部を有し、前記分離方法は、前記突出部から前記
複合部材の分離を開始し、その後、前記分離層の部分で
前記複合部材を２つの部材に分離する分離工程を有する
ことを特徴とする。
【００３２】本発明の第１の側面に係る複号部材の分離
方法において、例えば、前記第１の部材及び前記第２の
部材は、主面の形状が同一であり、前記複合部材は、前
記第１の部材の主面と前記第２の部材の主面とを互いの
中心位置をずらして密着させた構造を有することが好ま
しい。
方法において、例えば、前記第１の部材及び前記第２の
部材は、主面の形状が同一であり、前記複合部材は、前
記第１の部材の主面と前記第２の部材の主面とを互いの
中心位置をずらして密着させた構造を有することが好ま
しい。
【００３３】本発明の第１の側面に係る複号部材の分離
方法において、例えば、前記第２の部材の主面は、前記
第１の部材の主面より小さく、前記複合部材は、前記第
１の部材の主面と前記第２の部材の主面とを密着させた
構造を有することが好ましい。
方法において、例えば、前記第２の部材の主面は、前記
第１の部材の主面より小さく、前記複合部材は、前記第
１の部材の主面と前記第２の部材の主面とを密着させた
構造を有することが好ましい。
【００３４】本発明の第１の側面に係る複号部材の分離
方法において、例えば、前記分離工程は、前記突出部を
処理して分離開始部を形成する予備分離工程と、前記分
離開始部から前記複合部材の分離を開始し、その後、実
質的に前記分離層のみを破壊して前記複合部材を前記分
離層の部分で２つの部材に分離する本分離工程とを含む
ことが好ましい。
方法において、例えば、前記分離工程は、前記突出部を
処理して分離開始部を形成する予備分離工程と、前記分
離開始部から前記複合部材の分離を開始し、その後、実
質的に前記分離層のみを破壊して前記複合部材を前記分
離層の部分で２つの部材に分離する本分離工程とを含む
ことが好ましい。
【００３５】本発明の第２の側面に係る複号部材の製造
方法は、内部に分離用の層を有する第１の部材と、第２
の部材とを密着させて、前記第１の部材の外周端が前記
第２の部材の外周端より外側に突出した突出部を有する
複合部材を製造することを特徴とする。
方法は、内部に分離用の層を有する第１の部材と、第２
の部材とを密着させて、前記第１の部材の外周端が前記
第２の部材の外周端より外側に突出した突出部を有する
複合部材を製造することを特徴とする。
【００３６】本発明の第３の側面に係る移設層の移設方
法は、第１の部材の表面の移設層を第２の部材に移設す
る移設方法であって、内部に分離層を有し、その上に移
設層を有する第１の部材と、第２の部材とを密着させ
て、前記第１の部材の外周端が前記第２の部材の外周端
より外側に突出した複合部材を作成する作成工程と、前
記突出部から前記複合部材の分離を開始し、その後、前
記分離層の部分で前記複合部材を２つの部材に分離し、
これにより、前記第１の部材の移設層を前記第２の部材
に移設する分離工程とを有することを特徴とする。
法は、第１の部材の表面の移設層を第２の部材に移設す
る移設方法であって、内部に分離層を有し、その上に移
設層を有する第１の部材と、第２の部材とを密着させ
て、前記第１の部材の外周端が前記第２の部材の外周端
より外側に突出した複合部材を作成する作成工程と、前
記突出部から前記複合部材の分離を開始し、その後、前
記分離層の部分で前記複合部材を２つの部材に分離し、
これにより、前記第１の部材の移設層を前記第２の部材
に移設する分離工程とを有することを特徴とする。
【００３７】本発明の第４の側面に係る貼り合わせ基板
の分離方法は、内部に分離層を有し、その上に移設層を
有する第１の基板の前記移設層と、第２の基板とを密着
させた構造を有する貼り合わせ基板を２枚の基板に分離
する分離方法であって、前記貼り合わせ基板は、前記第
１の基板の外周端が前記第２の基板の外周端より外側に
突出した突出部を有し、前記分離方法は、前記突出部か
ら前記貼り合わせ基板の分離を開始し、その後、前記分
離層の部分で前記貼り合わせ基板を２枚の基板に分離す
る分離工程を有することを特徴とする。
の分離方法は、内部に分離層を有し、その上に移設層を
有する第１の基板の前記移設層と、第２の基板とを密着
させた構造を有する貼り合わせ基板を２枚の基板に分離
する分離方法であって、前記貼り合わせ基板は、前記第
１の基板の外周端が前記第２の基板の外周端より外側に
突出した突出部を有し、前記分離方法は、前記突出部か
ら前記貼り合わせ基板の分離を開始し、その後、前記分
離層の部分で前記貼り合わせ基板を２枚の基板に分離す
る分離工程を有することを特徴とする。
【００３８】本発明の第４の側面に係る貼り合わせ基板
の分離方法において、例えば、前記第１の基板及び前記
第２の基板は、同一の大きさを有し、前記貼り合わせ基
板は、前記第１の基板と前記第２の基板とを互いの中心
位置をずらして密着させた構造を有することが好まし
い。
の分離方法において、例えば、前記第１の基板及び前記
第２の基板は、同一の大きさを有し、前記貼り合わせ基
板は、前記第１の基板と前記第２の基板とを互いの中心
位置をずらして密着させた構造を有することが好まし
い。
【００３９】本発明の第５の側面に係る貼り合わせ基板
の分離方法において、例えば、前記貼り合わせ基板は、
第１の基板と、該第１の基板より小さい第２の基板とを
密着させた構造を有することが好ましい。
の分離方法において、例えば、前記貼り合わせ基板は、
第１の基板と、該第１の基板より小さい第２の基板とを
密着させた構造を有することが好ましい。
【００４０】本発明の第５の側面に係る貼り合わせ基板
の分離方法において、例えば、前記第２の基板は、オリ
エンテーション・フラット又はノッチを有し、前記貼り
合わせ基板は、前記第２の基板のオリエンテーション・
フラット又はノッチの存在により前記第１の基板が露出
した部分を前記突出部として有することが好ましい。
の分離方法において、例えば、前記第２の基板は、オリ
エンテーション・フラット又はノッチを有し、前記貼り
合わせ基板は、前記第２の基板のオリエンテーション・
フラット又はノッチの存在により前記第１の基板が露出
した部分を前記突出部として有することが好ましい。
【００４１】本発明の第５の側面に係る貼り合わせ基板
の分離方法において、例えば、前記第１の基板及び前記
第２の基板は、オリエンテーション・フラット又はノッ
チを有し、前記貼り合わせ基板は、前記第１の基板のオ
リエンテーション・フラット又はノッチと前記第２の基
板のオリエンテーション・フラット又はノッチとが重な
らないように、前記第１の基板と前記第２の基板とを密
着させてなり、前記第２の基板のオリエンテーション・
フラット又はノッチの存在により前記第１の基板が露出
した部分を前記突出部として有することが好ましい。
の分離方法において、例えば、前記第１の基板及び前記
第２の基板は、オリエンテーション・フラット又はノッ
チを有し、前記貼り合わせ基板は、前記第１の基板のオ
リエンテーション・フラット又はノッチと前記第２の基
板のオリエンテーション・フラット又はノッチとが重な
らないように、前記第１の基板と前記第２の基板とを密
着させてなり、前記第２の基板のオリエンテーション・
フラット又はノッチの存在により前記第１の基板が露出
した部分を前記突出部として有することが好ましい。
【００４２】本発明の第６の側面に係る貼り合わせ基板
の製造方法は、内部に分離層を有し、その上に移設層を
有する第１の基板の前記移設層と、第２の基板とを貼り
合わせて、前記第１の基板の外周端が前記第２の基板の
外周端より外側に突出した突出部を有する貼り合わせ基
板を製造することを特徴とする。
の製造方法は、内部に分離層を有し、その上に移設層を
有する第１の基板の前記移設層と、第２の基板とを貼り
合わせて、前記第１の基板の外周端が前記第２の基板の
外周端より外側に突出した突出部を有する貼り合わせ基
板を製造することを特徴とする。
【００４３】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法は、第１の基板の表面の移設層を第２の基板に移設す
る移設方法であって、内部に分離層を有し、その上に移
設層を有する第１の基板の前記移設層と、第２の基板と
を貼り合わせて、前記第１の基板の外周端が前記第２の
基板の外周端より外側に突出した突出部を有する貼り合
わせ基板を作成する作成工程と、前記突出部から前記貼
り合わせ基板の分離を開始し、その後、前記分離層の部
分で前記貼り合わせ基板を分離し、これにより、前記第
１の基板の移設層を前記第２の基板に移設する分離工程
とを有することを特徴とする。
法は、第１の基板の表面の移設層を第２の基板に移設す
る移設方法であって、内部に分離層を有し、その上に移
設層を有する第１の基板の前記移設層と、第２の基板と
を貼り合わせて、前記第１の基板の外周端が前記第２の
基板の外周端より外側に突出した突出部を有する貼り合
わせ基板を作成する作成工程と、前記突出部から前記貼
り合わせ基板の分離を開始し、その後、前記分離層の部
分で前記貼り合わせ基板を分離し、これにより、前記第
１の基板の移設層を前記第２の基板に移設する分離工程
とを有することを特徴とする。
【００４４】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記作成工程では、同一の大きさ
を有する第１の基板と第２の基板とを互いの中心位置を
ずらして密着させて前記貼り合わせ基板を作成すること
が好ましい。
法において、例えば、前記作成工程では、同一の大きさ
を有する第１の基板と第２の基板とを互いの中心位置を
ずらして密着させて前記貼り合わせ基板を作成すること
が好ましい。
【００４５】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記作成工程では、第１の基板
と、該第１の基板より小さい第２の基板とを密着させて
前記貼り合わせ基板を作成することが好ましい。
法において、例えば、前記作成工程では、第１の基板
と、該第１の基板より小さい第２の基板とを密着させて
前記貼り合わせ基板を作成することが好ましい。
【００４６】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記作成工程では、第１の基板
と、オリエンテーション・フラット又はノッチを有する
第２の基板とを密着させ、前記第２の基板のオリエンテ
ーション・フラット又はノッチの存在により前記第１の
基板が露出する部分を前記突出部として有する貼り合わ
せ基板を作成することが好ましい。
法において、例えば、前記作成工程では、第１の基板
と、オリエンテーション・フラット又はノッチを有する
第２の基板とを密着させ、前記第２の基板のオリエンテ
ーション・フラット又はノッチの存在により前記第１の
基板が露出する部分を前記突出部として有する貼り合わ
せ基板を作成することが好ましい。
【００４７】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記作成工程では、オリエンテー
ション・フラット又はノッチを有する第１及び第２の基
板を準備し、前記第１の基板のオリエンテーション・フ
ラット又はノッチと前記第２の基板のオリエンテーショ
ン・フラット又はノッチとが重ならないように、前記第
１の基板と前記第２の基板とを密着させて貼り合わせ基
板を作成することが好ましい。
法において、例えば、前記作成工程では、オリエンテー
ション・フラット又はノッチを有する第１及び第２の基
板を準備し、前記第１の基板のオリエンテーション・フ
ラット又はノッチと前記第２の基板のオリエンテーショ
ン・フラット又はノッチとが重ならないように、前記第
１の基板と前記第２の基板とを密着させて貼り合わせ基
板を作成することが好ましい。
【００４８】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記分離工程は、前記突出部を処
理して分離開始部を形成する予備分離工程と、前記分離
開始部から前記貼り合わせ基板の分離を開始し、その
後、実質的に前記分離層のみを破壊して前記貼り合わせ
基板を前記分離層の部分で２枚の基板に分離することが
好ましい。
法において、例えば、前記分離工程は、前記突出部を処
理して分離開始部を形成する予備分離工程と、前記分離
開始部から前記貼り合わせ基板の分離を開始し、その
後、実質的に前記分離層のみを破壊して前記貼り合わせ
基板を前記分離層の部分で２枚の基板に分離することが
好ましい。
【００４９】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記予備分離工程では、前記突出
部に向けて流体を噴射することにより、該流体により前
記分離開始部を形成することが好ましい。
法において、例えば、前記予備分離工程では、前記突出
部に向けて流体を噴射することにより、該流体により前
記分離開始部を形成することが好ましい。
【００５０】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記予備分離工程では、前記突出
部における前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に
楔状の部材を挿入することにより前記分離開始部を形成
することが好ましい。
法において、例えば、前記予備分離工程では、前記突出
部における前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に
楔状の部材を挿入することにより前記分離開始部を形成
することが好ましい。
【００５１】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記予備分離工程では、前記突出
部に対して振動エネルギーを供給することにより前記分
離開始部を形成することが好ましい。
法において、例えば、前記予備分離工程では、前記突出
部に対して振動エネルギーを供給することにより前記分
離開始部を形成することが好ましい。
【００５２】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記予備分離工程では、前記突出
部を液体に浸して、該液体を介して該突出部に振動エネ
ルギーを供給することにより前記分離開始部を形成する
ことが好ましい。
法において、例えば、前記予備分離工程では、前記突出
部を液体に浸して、該液体を介して該突出部に振動エネ
ルギーを供給することにより前記分離開始部を形成する
ことが好ましい。
【００５３】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記液体として水を利用すること
が好ましい。
法において、例えば、前記液体として水を利用すること
が好ましい。
【００５４】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記液体としてエッチング液を利
用することが好ましい。
法において、例えば、前記液体としてエッチング液を利
用することが好ましい。
【００５５】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記予備分離工程では、前記突出
部における前記移設層及び前記分離層をエッチングする
ことにより前記分離開始部を形成することが好ましい。
法において、例えば、前記予備分離工程では、前記突出
部における前記移設層及び前記分離層をエッチングする
ことにより前記分離開始部を形成することが好ましい。
【００５６】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記分離工程では、前記突出部に
向けて流体を噴射することにより前記貼り合わせ基板に
分離開始部を形成し、その後、流体を打ち込む位置を変
更しながら前記貼り合わせ基板の分離を進めることが好
ましい。
法において、例えば、前記分離工程では、前記突出部に
向けて流体を噴射することにより前記貼り合わせ基板に
分離開始部を形成し、その後、流体を打ち込む位置を変
更しながら前記貼り合わせ基板の分離を進めることが好
ましい。
【００５７】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記分離工程では、前記突出部に
おける前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に楔状
の部材を挿入することにより、前記貼り合わせ基板を分
離することが好ましい。
法において、例えば、前記分離工程では、前記突出部に
おける前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に楔状
の部材を挿入することにより、前記貼り合わせ基板を分
離することが好ましい。
【００５８】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分にお
ける前記分離層が最も脆弱な構造を有する部分であるこ
とが好ましい。
法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分にお
ける前記分離層が最も脆弱な構造を有する部分であるこ
とが好ましい。
【００５９】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分にお
ける前記移設層が除去され、該移設層の下層の分離層が
露出した部分であることが好ましい。
法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分にお
ける前記移設層が除去され、該移設層の下層の分離層が
露出した部分であることが好ましい。
【００６０】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分にお
ける分離層が露出すると共に、該分離層の外周端が前記
貼り合わせ基板の内側に向かって窪んでいることが好ま
しい。
法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分にお
ける分離層が露出すると共に、該分離層の外周端が前記
貼り合わせ基板の内側に向かって窪んでいることが好ま
しい。
【００６１】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記分離層は、多孔質層であるこ
とが好ましい。
法において、例えば、前記分離層は、多孔質層であるこ
とが好ましい。
【００６２】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記第１の基板は、基板に陽極化
成処理を施すことにより前記分離層としての多孔質層を
形成し、その上に前記移設層を形成した基板であること
が好ましい。
法において、例えば、前記第１の基板は、基板に陽極化
成処理を施すことにより前記分離層としての多孔質層を
形成し、その上に前記移設層を形成した基板であること
が好ましい。
【００６３】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記第１の基板は、分離層とし
て、イオン注入により形成された多孔質層を有すること
が好ましい。
法において、例えば、前記第１の基板は、分離層とし
て、イオン注入により形成された多孔質層を有すること
が好ましい。
【００６４】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記移設層は、単結晶Ｓｉ層を含
むことが好ましい。
法において、例えば、前記移設層は、単結晶Ｓｉ層を含
むことが好ましい。
【００６５】本発明の第７の側面に係る移設層の移設方
法において、例えば、前記移設層は、前記分離層の上
に、前記移設層として、単結晶Ｓｉ層及び絶縁層を順に
有することが好ましい。
法において、例えば、前記移設層は、前記分離層の上
に、前記移設層として、単結晶Ｓｉ層及び絶縁層を順に
有することが好ましい。
【００６６】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法は、内部に多孔質層を有し、その上に単結晶Ｓｉ
層を含む移設層を有する第１の基板の表面と第２の基板
とを貼り合わせて、前記第１の基板の外周端が前記第２
の基板の外周端より外側に突出した突出部を有する貼り
合わせ基板を作成する作成工程と、前記突出部から前記
貼り合わせ基板の分離を開始し、その後、前記多孔質層
の部分で前記貼り合わせ基板を分離して、前記第１の基
板の移設層を前記第２の基板に移設する分離工程と、分
離後の第２の基板の表面に残留する多孔質層を除去する
除去工程とを有することを特徴とする。
造方法は、内部に多孔質層を有し、その上に単結晶Ｓｉ
層を含む移設層を有する第１の基板の表面と第２の基板
とを貼り合わせて、前記第１の基板の外周端が前記第２
の基板の外周端より外側に突出した突出部を有する貼り
合わせ基板を作成する作成工程と、前記突出部から前記
貼り合わせ基板の分離を開始し、その後、前記多孔質層
の部分で前記貼り合わせ基板を分離して、前記第１の基
板の移設層を前記第２の基板に移設する分離工程と、分
離後の第２の基板の表面に残留する多孔質層を除去する
除去工程とを有することを特徴とする。
【００６７】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記第１の基板は、前記移設
層として、前記単結晶Ｓｉ層の他に、該単結晶Ｓｉ層の
上に絶縁層を有することが好ましい。
造方法において、例えば、前記第１の基板は、前記移設
層として、前記単結晶Ｓｉ層の他に、該単結晶Ｓｉ層の
上に絶縁層を有することが好ましい。
【００６８】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記第２の基板は、表面に絶
縁層を有することが好ましい。
造方法において、例えば、前記第２の基板は、表面に絶
縁層を有することが好ましい。
【００６９】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記作成工程では、同一の大
きさを有する第１の基板と第２の基板とを互いの中心位
置をずらして密着させて前記貼り合わせ基板を作成する
ことが好ましい。
造方法において、例えば、前記作成工程では、同一の大
きさを有する第１の基板と第２の基板とを互いの中心位
置をずらして密着させて前記貼り合わせ基板を作成する
ことが好ましい。
【００７０】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記作成工程では、第１の基
板と、該第１の基板より小さい第２の基板とを密着させ
て前記貼り合わせ基板を作成することが好ましい。
造方法において、例えば、前記作成工程では、第１の基
板と、該第１の基板より小さい第２の基板とを密着させ
て前記貼り合わせ基板を作成することが好ましい。
【００７１】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記作成工程では、前記第１
の基板と前記第２の基板とを互いの中心位置を一致させ
て密着させることが好ましい。
造方法において、例えば、前記作成工程では、前記第１
の基板と前記第２の基板とを互いの中心位置を一致させ
て密着させることが好ましい。
【００７２】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記作成工程では、第１の基
板と、オリエンテーション・フラット又はノッチを有す
る第２の基板とを密着させ、前記第２の基板のオリエン
テーション・フラット又はノッチの存在により前記第１
の基板が露出する部分を前記突出部として有する貼り合
わせ基板を作成することが好ましい。
造方法において、例えば、前記作成工程では、第１の基
板と、オリエンテーション・フラット又はノッチを有す
る第２の基板とを密着させ、前記第２の基板のオリエン
テーション・フラット又はノッチの存在により前記第１
の基板が露出する部分を前記突出部として有する貼り合
わせ基板を作成することが好ましい。
【００７３】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記作成工程では、オリエン
テーション・フラット又はノッチを有する第１及び第２
の基板を準備し、前記第１の基板のオリエンテーション
・フラット又はノッチと前記第２の基板のオリエンテー
ション・フラット又はノッチとが重ならないように、前
記第１の基板と前記第２の基板とを密着させて貼り合わ
せ基板を作成することが好ましい。
造方法において、例えば、前記作成工程では、オリエン
テーション・フラット又はノッチを有する第１及び第２
の基板を準備し、前記第１の基板のオリエンテーション
・フラット又はノッチと前記第２の基板のオリエンテー
ション・フラット又はノッチとが重ならないように、前
記第１の基板と前記第２の基板とを密着させて貼り合わ
せ基板を作成することが好ましい。
【００７４】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記分離工程は、前記突出部
を処理して分離開始部を形成する予備分離工程と、前記
分離開始部から前記貼り合わせ基板の分離を開始し、そ
の後、実質的に前記多孔質層のみを破壊して前記貼り合
わせ基板を前記多孔質層の部分で２枚の基板に分離する
ことが好ましい。
造方法において、例えば、前記分離工程は、前記突出部
を処理して分離開始部を形成する予備分離工程と、前記
分離開始部から前記貼り合わせ基板の分離を開始し、そ
の後、実質的に前記多孔質層のみを破壊して前記貼り合
わせ基板を前記多孔質層の部分で２枚の基板に分離する
ことが好ましい。
【００７５】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記予備分離工程では、前記
突出部に向けて流体を噴射することにより、該流体によ
り前記分離開始部を形成することが好ましい。
造方法において、例えば、前記予備分離工程では、前記
突出部に向けて流体を噴射することにより、該流体によ
り前記分離開始部を形成することが好ましい。
【００７６】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記予備分離工程では、前記
突出部における前記第１の基板と前記第２の基板との隙
間に楔状の部材を挿入することにより前記分離開始部を
形成することが好ましい。
造方法において、例えば、前記予備分離工程では、前記
突出部における前記第１の基板と前記第２の基板との隙
間に楔状の部材を挿入することにより前記分離開始部を
形成することが好ましい。
【００７７】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記予備分離工程では、前記
突出部に対して振動エネルギーを供給することにより前
記分離開始部を形成することが好ましい。
造方法において、例えば、前記予備分離工程では、前記
突出部に対して振動エネルギーを供給することにより前
記分離開始部を形成することが好ましい。
【００７８】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記予備分離工程では、前記
突出部を液体に浸して、該液体を介して該突出部に振動
エネルギーを供給することにより前記分離開始部を形成
することが好ましい。
造方法において、例えば、前記予備分離工程では、前記
突出部を液体に浸して、該液体を介して該突出部に振動
エネルギーを供給することにより前記分離開始部を形成
することが好ましい。
【００７９】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記液体として水を利用する
ことが好ましい。
造方法において、例えば、前記液体として水を利用する
ことが好ましい。
【００８０】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記液体としてエッチング液
を利用することが好ましい。
造方法において、例えば、前記液体としてエッチング液
を利用することが好ましい。
【００８１】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記予備分離工程では、前記
突出部における前記移設層及び前記多孔質層をエッチン
グすることにより前記分離開始部を形成することが好ま
しい。
造方法において、例えば、前記予備分離工程では、前記
突出部における前記移設層及び前記多孔質層をエッチン
グすることにより前記分離開始部を形成することが好ま
しい。
【００８２】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記分離工程では、前記突出
部に向けて流体を噴射することにより前記貼り合わせ基
板に分離開始部を形成し、その後、流体を打ち込む位置
を変更しながら前記貼り合わせ基板の分離を進めること
が好ましい。
造方法において、例えば、前記分離工程では、前記突出
部に向けて流体を噴射することにより前記貼り合わせ基
板に分離開始部を形成し、その後、流体を打ち込む位置
を変更しながら前記貼り合わせ基板の分離を進めること
が好ましい。
【００８３】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記分離工程では、前記突出
部における前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に
楔状の部材を挿入することにより、前記貼り合わせ基板
を分離することが好ましい。
造方法において、例えば、前記分離工程では、前記突出
部における前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に
楔状の部材を挿入することにより、前記貼り合わせ基板
を分離することが好ましい。
【００８４】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分
における前記分多孔質層が最も脆弱な構造を有する部分
であることが好ましい。
造方法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分
における前記分多孔質層が最も脆弱な構造を有する部分
であることが好ましい。
【００８５】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分
における前記移設層が除去され、該移設層の下層の多孔
質層が露出した部分であることが好ましい。
造方法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分
における前記移設層が除去され、該移設層の下層の多孔
質層が露出した部分であることが好ましい。
【００８６】本発明の第８の側面に係るＳＯＩ基板の製
造方法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分
における多孔質層が露出すると共に、該多孔質層の外周
端が前記貼り合わせ基板の内側に向かって窪んでいるこ
とが好ましい。
造方法において、例えば、前記分離開始部は、当該部分
における多孔質層が露出すると共に、該多孔質層の外周
端が前記貼り合わせ基板の内側に向かって窪んでいるこ
とが好ましい。
【００８７】本発明の第９の側面に係る複合部材は、内
部に分離層を有する第１の部材と、第２の部材とを密着
させた構造を有する複合部材であって、前記第１の部材
の外周端が前記第２の部材の外周端より外側に突出した
突出部を有することを特徴とする。
部に分離層を有する第１の部材と、第２の部材とを密着
させた構造を有する複合部材であって、前記第１の部材
の外周端が前記第２の部材の外周端より外側に突出した
突出部を有することを特徴とする。
【００８８】本発明の第１０の側面に係る貼り合わせ基
板は、内部に分離層を有し、その上に移設層を有する第
１の基板の前記移設層と、第２の基板とを密着させた構
造を有する貼り合わせ基板であって、前記第１の基板の
外周端が前記第２の基板の外周端より外側に突出した突
出部を有することを特徴とする。
板は、内部に分離層を有し、その上に移設層を有する第
１の基板の前記移設層と、第２の基板とを密着させた構
造を有する貼り合わせ基板であって、前記第１の基板の
外周端が前記第２の基板の外周端より外側に突出した突
出部を有することを特徴とする。
【００８９】本発明の第１１の側面に係る貼り合わせ基
板は、内部に多孔質層を有し、その上に単結晶Ｓｉ層を
含む移設層を有する第１の基板の表面と第２の基板とを
貼り合わせてなる貼り合わせ基板であって、前記第１の
基板の外周端が前記第２の基板の外周端より外側に突出
した突出部を有することを特徴とする。
板は、内部に多孔質層を有し、その上に単結晶Ｓｉ層を
含む移設層を有する第１の基板の表面と第２の基板とを
貼り合わせてなる貼り合わせ基板であって、前記第１の
基板の外周端が前記第２の基板の外周端より外側に突出
した突出部を有することを特徴とする。
【００９０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の好適な実施の形態を説明する。
の好適な実施の形態を説明する。
【００９１】図１Ａ〜図１Ｇは、本発明の好適な実施の
形態に係るＳＯＩ基板の製造方法を概略的に説明するた
めの模式図である。
形態に係るＳＯＩ基板の製造方法を概略的に説明するた
めの模式図である。
【００９２】まず、図１Ａに示す工程では、単結晶Ｓｉ
基板１１を準備して、その表面に陽極化成処理等により
多孔質Ｓｉ層１２を形成する。
基板１１を準備して、その表面に陽極化成処理等により
多孔質Ｓｉ層１２を形成する。
【００９３】次いで、図１Ｂに示す工程では、多孔質Ｓ
ｉ層１２上に非多孔質の単結晶Ｓｉ層１３をエピタキシ
ャル成長法により形成する。その後、その表面を酸化す
ることにより絶縁層（ＳｉＯ2層）１４を形成する。こ
れにより、第１の基板１０が形成される。
ｉ層１２上に非多孔質の単結晶Ｓｉ層１３をエピタキシ
ャル成長法により形成する。その後、その表面を酸化す
ることにより絶縁層（ＳｉＯ2層）１４を形成する。こ
れにより、第１の基板１０が形成される。
【００９４】ここで、多孔質Ｓｉ層１２は、例えば、単
結晶Ｓｉ基板１１に水素、ヘリウム又は不活性ガス等の
イオンを注入する方法（イオン注入法）により形成して
もよい。この方法により形成される多孔質Ｓｉ層は、多
数の微小空洞を有し、微小空洞（microcavity）層とも
呼ばれる。
結晶Ｓｉ基板１１に水素、ヘリウム又は不活性ガス等の
イオンを注入する方法（イオン注入法）により形成して
もよい。この方法により形成される多孔質Ｓｉ層は、多
数の微小空洞を有し、微小空洞（microcavity）層とも
呼ばれる。
【００９５】次いで、図１Ｃに示す工程では、単結晶Ｓ
ｉからなる第２の基板２０を準備し、第１の基板１０と
第２の基板２０とを、第２の基板２０と絶縁層１４とが
面するように室温で密着させて貼り合わせ基板を作成す
る。
ｉからなる第２の基板２０を準備し、第１の基板１０と
第２の基板２０とを、第２の基板２０と絶縁層１４とが
面するように室温で密着させて貼り合わせ基板を作成す
る。
【００９６】ここで、本発明の好適な実施の形態では、
分離用の層（分離層）としての多孔質層１２を有する基
板、即ち、第１の基板１０の外周端の一部が第１の基板
２０の外周端よりも外側に存在する部分（以下、突出部
という）を有する貼り合わせ基板３０を作成する。この
ような貼り合わせ基板３０を作成する方法としては、例
えば、以下の方法が好適である。
分離用の層（分離層）としての多孔質層１２を有する基
板、即ち、第１の基板１０の外周端の一部が第１の基板
２０の外周端よりも外側に存在する部分（以下、突出部
という）を有する貼り合わせ基板３０を作成する。この
ような貼り合わせ基板３０を作成する方法としては、例
えば、以下の方法が好適である。
【００９７】（１）同一サイズの第１の基板１０と第２
の基板２０とを互いの中心位置をずらして密着させる。
の基板２０とを互いの中心位置をずらして密着させる。
【００９８】（２）第１の基板１０と、該第１の基板１
０よりもサイズの小さな第２の基板２０とを密着させ
る。
０よりもサイズの小さな第２の基板２０とを密着させ
る。
【００９９】（３）第２の基板２０としてノッチ或いは
オリエンテーション・フラットを有する基板を採用し、
第２の基板のノッチ或いはオリエンテーション・フラッ
トの部分で、第１の基板１０の表面を露出させる。この
場合、第２の基板２０のノッチ或いはオリエンテーショ
ン・フラットの部分では、第１の基板１０の外周端が第
２の基板２０の外周端より外側に突出している。
オリエンテーション・フラットを有する基板を採用し、
第２の基板のノッチ或いはオリエンテーション・フラッ
トの部分で、第１の基板１０の表面を露出させる。この
場合、第２の基板２０のノッチ或いはオリエンテーショ
ン・フラットの部分では、第１の基板１０の外周端が第
２の基板２０の外周端より外側に突出している。
【０１００】（４）第１の基板１０と第２の基板２０と
を貼り合わせた後に、第２の基板の外周部の一部又は全
部を研削する。
を貼り合わせた後に、第２の基板の外周部の一部又は全
部を研削する。
【０１０１】ここで、（３）の方法において、第１の基
板１０としてもノッチ或いはオリエンテーション・フラ
ットを有する基板を採用する場合には、第１の基板１０
のノッチ或いはオリエンテーション・フラットと、第２
の基板２０のノッチ或いはオリエンテーション・フラッ
トとが重ならないように両基板を重ねればよい。
板１０としてもノッチ或いはオリエンテーション・フラ
ットを有する基板を採用する場合には、第１の基板１０
のノッチ或いはオリエンテーション・フラットと、第２
の基板２０のノッチ或いはオリエンテーション・フラッ
トとが重ならないように両基板を重ねればよい。
【０１０２】図１Ｃは、同一サイズの第１の基板１０と
第２の基板２０とを互いの中心位置をずらして密着させ
る方法を適用した例を模式的に示している。第１の基板
１０の一部の突出量Ｄは、例えば０．１ｍｍ〜０．５ｍ
ｍ程度で十分であるが、それより大きくてもよい。
第２の基板２０とを互いの中心位置をずらして密着させ
る方法を適用した例を模式的に示している。第１の基板
１０の一部の突出量Ｄは、例えば０．１ｍｍ〜０．５ｍ
ｍ程度で十分であるが、それより大きくてもよい。
【０１０３】図２は、図１Ｃに示す貼り合わせ基板３０
の一例を模式的に示す斜視図である。また、図５は、第
１の基板１０と、該第１の基板１０よりもサイズの小さ
な第２の基板２０とを中心位置を一致させて密着させて
なる貼り合わせ基板３０の一例を示す斜視図である。
の一例を模式的に示す斜視図である。また、図５は、第
１の基板１０と、該第１の基板１０よりもサイズの小さ
な第２の基板２０とを中心位置を一致させて密着させて
なる貼り合わせ基板３０の一例を示す斜視図である。
【０１０４】なお、絶縁層１４は、上記のように単結晶
Ｓｉ層１３側に形成しても良いし、第２の基板２０上に
形成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、
第１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１Ｃに示
す状態になれば良い。しかしながら、上記のように、絶
縁層１４を活性層となる単結晶Ｓｉ層１３側に形成する
ことにより、第１の基板１０と第２の基板との貼り合せ
の界面を活性層から遠ざけることができるため、より高
品位のＳＯＩ基板を得ることができる。
Ｓｉ層１３側に形成しても良いし、第２の基板２０上に
形成しても良く、両者に形成しても良く、結果として、
第１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１Ｃに示
す状態になれば良い。しかしながら、上記のように、絶
縁層１４を活性層となる単結晶Ｓｉ層１３側に形成する
ことにより、第１の基板１０と第２の基板との貼り合せ
の界面を活性層から遠ざけることができるため、より高
品位のＳＯＩ基板を得ることができる。
【０１０５】次いで、図１Ｄに示す工程では、突出部
に、分離処理を開始する部分である分離開始部４０を形
成する。具体的には、第１の基板１０の突出部の少なく
とも一部の領域における移設層（単結晶Ｓｉ層１３及び
絶縁層１４）を除去し、必要に応じて該移設層の下の多
孔質層を除去することにより分離開始部４０を形成す
る。分離開始部４０の形成方法としては、例えば、次の
方法が好適である。
に、分離処理を開始する部分である分離開始部４０を形
成する。具体的には、第１の基板１０の突出部の少なく
とも一部の領域における移設層（単結晶Ｓｉ層１３及び
絶縁層１４）を除去し、必要に応じて該移設層の下の多
孔質層を除去することにより分離開始部４０を形成す
る。分離開始部４０の形成方法としては、例えば、次の
方法が好適である。
【０１０６】（１）突出部に向けて流体を噴射し、当該
部分の移設層及びその下の多孔質層１２を破壊して除去
する。
部分の移設層及びその下の多孔質層１２を破壊して除去
する。
【０１０７】（２）突出部における貼り合わせ面（第１
の基板１０と第２の基板２０との貼り合わせ面）付近に
楔を挿入し、これにより、当該部分の移設層及びその下
の多孔質層１２を破壊して除去する。
の基板１０と第２の基板２０との貼り合わせ面）付近に
楔を挿入し、これにより、当該部分の移設層及びその下
の多孔質層１２を破壊して除去する。
【０１０８】（３）突出部に超音波等の振動エネルギー
を誘導し、これにより、当該部分の多孔質層１２を破壊
し、その上の移設層を剥離する。
を誘導し、これにより、当該部分の多孔質層１２を破壊
し、その上の移設層を剥離する。
【０１０９】（４）突出部をエッチング液に浸して、エ
ッチングにより移設層及びその下の多孔質層１２を除去
する。
ッチングにより移設層及びその下の多孔質層１２を除去
する。
【０１１０】なお、図１Ｄにおいて、１２ａは、分離開
始部４０が形成された後の多孔質層、１３ａは、分離開
始部４０が形成された後の単結晶Ｓｉ層、１４ａは、分
離開始部４０が形成された後の絶縁層である。
始部４０が形成された後の多孔質層、１３ａは、分離開
始部４０が形成された後の単結晶Ｓｉ層、１４ａは、分
離開始部４０が形成された後の絶縁層である。
【０１１１】分離開始部４０は、続く分離工程におい
て、実質的に多孔質層１２のみが破壊されて貼り合わせ
基板が２枚の基板に分離されることが可能な構造を有す
ることが好ましい。或いは、分離開始部４０は、単結晶
Ｓｉ層１３ａ、絶縁層１４ａ、第２の基板２０、単結晶
Ｓｉ基板、及び、それらの層又は基板の界面に比して多
孔質層１２が機械的に脆弱な構造を有する部分であるこ
とが好ましい。
て、実質的に多孔質層１２のみが破壊されて貼り合わせ
基板が２枚の基板に分離されることが可能な構造を有す
ることが好ましい。或いは、分離開始部４０は、単結晶
Ｓｉ層１３ａ、絶縁層１４ａ、第２の基板２０、単結晶
Ｓｉ基板、及び、それらの層又は基板の界面に比して多
孔質層１２が機械的に脆弱な構造を有する部分であるこ
とが好ましい。
【０１１２】より具体的には、分離開始部４０は、例え
ば、多孔質層１２が貼り合わせ基板の側面に露出した構
造を有することが好ましく、図１Ｄに示すように、多孔
質層１２の外周端が移設層の外周端よりも内側に窪んで
いることが更に好ましい。
ば、多孔質層１２が貼り合わせ基板の側面に露出した構
造を有することが好ましく、図１Ｄに示すように、多孔
質層１２の外周端が移設層の外周端よりも内側に窪んで
いることが更に好ましい。
【０１１３】以上のように、突出部を有する貼り合わせ
基板３０を形成することにより、当該部分の移設層や、
その下の多孔質層を容易に除去することができる。これ
は、突出部の移設層は、他の部分の移設層よりも露出の
度合が大きいからである。従って、突出部を有する貼り
合わせ基板を形成することにより、分離開始部を容易に
形成することができる。
基板３０を形成することにより、当該部分の移設層や、
その下の多孔質層を容易に除去することができる。これ
は、突出部の移設層は、他の部分の移設層よりも露出の
度合が大きいからである。従って、突出部を有する貼り
合わせ基板を形成することにより、分離開始部を容易に
形成することができる。
【０１１４】また、分離開始部４０を形成することによ
り、続く分離工程において、多孔質層１２を選択的に破
壊して貼り合わせ基板を分離することができるため、分
離工程における欠陥の発生を効果的に防止することがで
きる。
り、続く分離工程において、多孔質層１２を選択的に破
壊して貼り合わせ基板を分離することができるため、分
離工程における欠陥の発生を効果的に防止することがで
きる。
【０１１５】次いで、図１Ｅに示す工程では、分離開始
部４０が形成された貼り合わせ基板を、その分離開始部
４０の多孔質層１２の部分で分離を開始し、最終的に多
孔質層１２の部分で２枚の基板に完全に分離する。分離
の方法としては、例えば、次のような方法が好適であ
る。
部４０が形成された貼り合わせ基板を、その分離開始部
４０の多孔質層１２の部分で分離を開始し、最終的に多
孔質層１２の部分で２枚の基板に完全に分離する。分離
の方法としては、例えば、次のような方法が好適であ
る。
【０１１６】（１）流体による分離 貼り合わせ基板の外周部の隙間に向けて束状の流体（例
えば、水等の液体、空気や窒素等の気体）を噴射し、該
流体により該貼り合わせ基板を多孔質層１２の部分で２
枚の基板に分離する。
えば、水等の液体、空気や窒素等の気体）を噴射し、該
流体により該貼り合わせ基板を多孔質層１２の部分で２
枚の基板に分離する。
【０１１７】（２）楔による分離 貼り合わせ基板の外周部の隙間に、例えば樹脂製の薄い
楔を緩やかに挿入することにより、該貼り合わせ基板を
多孔質層１２の部分で２枚の基板に分離する。
楔を緩やかに挿入することにより、該貼り合わせ基板を
多孔質層１２の部分で２枚の基板に分離する。
【０１１８】（３）引き剥がしによる分離 貼り合わせ基板の一方の面を固定し、フレキシブルテー
プ等を利用して他方の面を該貼り合わせ基板の軸方向に
引っ張ることにより、該貼り合わせ基板を多孔質層で分
離する。
プ等を利用して他方の面を該貼り合わせ基板の軸方向に
引っ張ることにより、該貼り合わせ基板を多孔質層で分
離する。
【０１１９】（４）せん断応力による分離 貼り合わせ基板の一方の面を固定し、他方の面を該貼り
合わせ基板の面方向に移動させるように該他方の面に力
を印加することにより、せん断応力によって該貼り合わ
せ基板を多孔質層で分離する。
合わせ基板の面方向に移動させるように該他方の面に力
を印加することにより、せん断応力によって該貼り合わ
せ基板を多孔質層で分離する。
【０１２０】ここで、図１Ｄに示す分離開始部の形成工
程（予備分離工程）と、図１Ｅに示す分離工程（本分離
工程）とを同一の処理装置により連続的に実施してもよ
い。例えば、ウォータージェット装置（流体による分離
装置）を利用し、水等の液体により、分離開始部の形成
工程（予備分離工程）と分離工程（本分離工程）とを連
続的に実施することが好適である。この場合、突出部に
おいて分離処理を開始し、貼り合わせ基板が完全に分離
されるまで該分離処理を続行することになる。
程（予備分離工程）と、図１Ｅに示す分離工程（本分離
工程）とを同一の処理装置により連続的に実施してもよ
い。例えば、ウォータージェット装置（流体による分離
装置）を利用し、水等の液体により、分離開始部の形成
工程（予備分離工程）と分離工程（本分離工程）とを連
続的に実施することが好適である。この場合、突出部に
おいて分離処理を開始し、貼り合わせ基板が完全に分離
されるまで該分離処理を続行することになる。
【０１２１】以上のように、分離開始部を形成した後
に、該分離開始部から分離処理を開始することにより、
貼り合わせ基板を実質的に多孔質層の部分のみで分離す
ることができ、単結晶Ｓｉ層１３ａ、絶縁層１４ａ、第
２の基板２０、単結晶Ｓｉ基板１１、及び、それらの層
又は基板の界面の破壊（欠陥の発生）を防止することが
できる。
に、該分離開始部から分離処理を開始することにより、
貼り合わせ基板を実質的に多孔質層の部分のみで分離す
ることができ、単結晶Ｓｉ層１３ａ、絶縁層１４ａ、第
２の基板２０、単結晶Ｓｉ基板１１、及び、それらの層
又は基板の界面の破壊（欠陥の発生）を防止することが
できる。
【０１２２】また、突出部を有する貼り合わせ基板を用
いて、最初に該突出部に分離開始部を形成し、該分離開
始部から全体的な分離を開始することにより、貼り合わ
せ基板を実質的に多孔質層の部分のみで分離することが
でき、単結晶Ｓｉ層１３、絶縁層１４、第２の基板２
０、単結晶Ｓｉ基板１１、及び、それらの層又は基板の
界面が破壊されることを防止することができる。
いて、最初に該突出部に分離開始部を形成し、該分離開
始部から全体的な分離を開始することにより、貼り合わ
せ基板を実質的に多孔質層の部分のみで分離することが
でき、単結晶Ｓｉ層１３、絶縁層１４、第２の基板２
０、単結晶Ｓｉ基板１１、及び、それらの層又は基板の
界面が破壊されることを防止することができる。
【０１２３】ところで、例えば、同一サイズの第１の基
板１０と第２の基板とをノッチ又はオリエンテーション
・フラットを一致させて密着させてなる貼り合わせ基板
（通常の貼り合わせ基板）をそのまま分離する場合に
は、単結晶Ｓｉ層１３、絶縁層１４、第２の基板２０、
単結晶Ｓｉ基板１１、及び、それらの層又は基板の界面
が破壊されて欠陥が発生する場合がある。このメカニズ
ムは、次のように考えられる。
板１０と第２の基板とをノッチ又はオリエンテーション
・フラットを一致させて密着させてなる貼り合わせ基板
（通常の貼り合わせ基板）をそのまま分離する場合に
は、単結晶Ｓｉ層１３、絶縁層１４、第２の基板２０、
単結晶Ｓｉ基板１１、及び、それらの層又は基板の界面
が破壊されて欠陥が発生する場合がある。このメカニズ
ムは、次のように考えられる。
【０１２４】貼り合わせ基板においては、多孔質層１２
が最も脆弱であることが理想的である。しかしながら、
実際には、例えば、多孔質層１２、単結晶Ｓｉ層１３、
絶縁層１４、第２の基板２０の間に作用する応力の他、
貼り合せの不良等により、局所的に多孔質層１２と同程
度に脆弱な部分、或いは、多孔質層１２よりも脆弱な部
分（以下、欠陥誘引部）が発生し得る。
が最も脆弱であることが理想的である。しかしながら、
実際には、例えば、多孔質層１２、単結晶Ｓｉ層１３、
絶縁層１４、第２の基板２０の間に作用する応力の他、
貼り合せの不良等により、局所的に多孔質層１２と同程
度に脆弱な部分、或いは、多孔質層１２よりも脆弱な部
分（以下、欠陥誘引部）が発生し得る。
【０１２５】このような欠陥誘引部は、分離処理におい
て優先的に破壊されて欠陥を齎すことになる。このよう
な欠陥は、分離処理を開始する部分、即ち、分離のため
の力を最初に印加する部分において発生し易い。これ
は、分離処理を開始する部分、即ち、貼り合わせ基板の
外周部は、多孔質層１２、単結晶Ｓｉ層１３、絶縁層１
４及び第２の基板２０に対して同程度の力が作用するた
め、欠陥誘引部が存在すると、該欠陥誘引部が多孔質層
１２に先立って破壊される可能性が高いからであると考
えられる。一方、分離処理が進行すると、平均的な強度
が最も脆弱な層である多孔質層１２に対して集中的に分
離のための力（分離力）が作用し、他の部分には該分離
力が作用しにくいため、欠陥誘引部の有無に拘らず、多
孔質層１２が選択的に分離されると考えられる。
て優先的に破壊されて欠陥を齎すことになる。このよう
な欠陥は、分離処理を開始する部分、即ち、分離のため
の力を最初に印加する部分において発生し易い。これ
は、分離処理を開始する部分、即ち、貼り合わせ基板の
外周部は、多孔質層１２、単結晶Ｓｉ層１３、絶縁層１
４及び第２の基板２０に対して同程度の力が作用するた
め、欠陥誘引部が存在すると、該欠陥誘引部が多孔質層
１２に先立って破壊される可能性が高いからであると考
えられる。一方、分離処理が進行すると、平均的な強度
が最も脆弱な層である多孔質層１２に対して集中的に分
離のための力（分離力）が作用し、他の部分には該分離
力が作用しにくいため、欠陥誘引部の有無に拘らず、多
孔質層１２が選択的に分離されると考えられる。
【０１２６】従って、本実施の形態のように、突出部を
有する貼り合わせ基板３０を形成し、該突出部に分離開
始部を形成し、以降の分離処理を該分離開始部４０から
開始することが好ましい。
有する貼り合わせ基板３０を形成し、該突出部に分離開
始部を形成し、以降の分離処理を該分離開始部４０から
開始することが好ましい。
【０１２７】図１Ｅに示す分離工程により、分離後の第
１の基板１０’は、単結晶Ｓｉ基板１１上に多孔質１２
ｂを有する構造となる。一方、分離後の第２の基板２
０’は、多孔質Ｓｉ層１２ｃ／単結晶Ｓｉ層１３ｂ／絶
縁層１４ｂ／単結晶Ｓｉ基板２０の積層構造となる。
１の基板１０’は、単結晶Ｓｉ基板１１上に多孔質１２
ｂを有する構造となる。一方、分離後の第２の基板２
０’は、多孔質Ｓｉ層１２ｃ／単結晶Ｓｉ層１３ｂ／絶
縁層１４ｂ／単結晶Ｓｉ基板２０の積層構造となる。
【０１２８】即ち、以上の工程により、第１の基板の多
孔質層１２上の単結晶Ｓｉ層１３及び絶縁層１４を第２
の基板に移設することができる。ここで、多孔質層１２
は、分離層の一例、単結晶Ｓｉ層１３及び絶縁層１４
は、第１の基板から第２の基板に移設される移設層の一
例である。
孔質層１２上の単結晶Ｓｉ層１３及び絶縁層１４を第２
の基板に移設することができる。ここで、多孔質層１２
は、分離層の一例、単結晶Ｓｉ層１３及び絶縁層１４
は、第１の基板から第２の基板に移設される移設層の一
例である。
【０１２９】図１Ｆに示す工程では、分離後の第２の基
板２０’の表面の多孔質層１２ｃを選択的に除去する。
これにより、図１Ｆに示すように、単結晶Ｓｉ層１３ｂ
／絶縁層１４ｂ／単結晶Ｓｉ基板２０の積層構造、即
ち、ＳＯＩ構造を有するＳＯＩ基板５０が得られる。
板２０’の表面の多孔質層１２ｃを選択的に除去する。
これにより、図１Ｆに示すように、単結晶Ｓｉ層１３ｂ
／絶縁層１４ｂ／単結晶Ｓｉ基板２０の積層構造、即
ち、ＳＯＩ構造を有するＳＯＩ基板５０が得られる。
【０１３０】図１Ｇに示す工程では、分離後の第１の基
板１０’の単結晶Ｓｉ基板１１上の多孔質層１２ｂをエ
ッチング等により選択的に除去する。このようにして得
られる単結晶Ｓｉ基板１１は、再び第１の基板１０を形
成するための基板、又は第２の基板２０として利用され
得る。
板１０’の単結晶Ｓｉ基板１１上の多孔質層１２ｂをエ
ッチング等により選択的に除去する。このようにして得
られる単結晶Ｓｉ基板１１は、再び第１の基板１０を形
成するための基板、又は第２の基板２０として利用され
得る。
【０１３１】以上のように、本発明の好適な実施の形態
によれば、突出部を有する貼り合わせ基板を形成し、分
離処理の開始時に該突出部に分離開始部を形成すること
により、以降の分離処理において該分離開始部が優先的
に破壊されるため、欠陥の発生を防止することができ
る。
によれば、突出部を有する貼り合わせ基板を形成し、分
離処理の開始時に該突出部に分離開始部を形成すること
により、以降の分離処理において該分離開始部が優先的
に破壊されるため、欠陥の発生を防止することができ
る。
【０１３２】次に、図１Ｄ及び図１Ｅに示す分離開始部
の形成工程（予備分離工程）及び分離工程（本分離工
程）の実施に好適な処理装置を説明する。
の形成工程（予備分離工程）及び分離工程（本分離工
程）の実施に好適な処理装置を説明する。
【０１３３】［第１の処理装置］図３、図４、図６、図
７は、本発明の好適な実施の形態に係る貼り合わせ基板
の処理装置の構成を概略的に示す図である。なお、図３
及び図４は、図２に示す貼り合わせ基板３０を処理する
例を示し、図６及び図７は、図５に示す貼り合わせ基板
３０を処理する例を示している。
７は、本発明の好適な実施の形態に係る貼り合わせ基板
の処理装置の構成を概略的に示す図である。なお、図３
及び図４は、図２に示す貼り合わせ基板３０を処理する
例を示し、図６及び図７は、図５に示す貼り合わせ基板
３０を処理する例を示している。
【０１３４】図３、図４、図６、図７に示す処理装置１
００は、一対の基板保持部１０３及び１０４を有し、該
基板保持部１０３及び１０４により貼り合わせ基板３０
を両側から押圧して保持する。基板保持部１０３、１０
４は、夫々回転可能に軸支された回転軸１０１、１０２
に連結されている。
００は、一対の基板保持部１０３及び１０４を有し、該
基板保持部１０３及び１０４により貼り合わせ基板３０
を両側から押圧して保持する。基板保持部１０３、１０
４は、夫々回転可能に軸支された回転軸１０１、１０２
に連結されている。
【０１３５】回転軸１０１、１０２の少なくとも一方
は、貼り合わせ基板３０に押圧力を印加する他、基板保
持部１０３と基板保持部１０４との間隔を縮めたり広げ
たりするためのアクチュエータ（例えば、エアシリン
ダ）に連結されている。また、回転軸１０１、１０２の
少なくとも一方は、回転源（例えば、モータ）の回転軸
に連結されており、該回転源が発生する駆動力により貼
り合わせ基板３０を回転させることができる。
は、貼り合わせ基板３０に押圧力を印加する他、基板保
持部１０３と基板保持部１０４との間隔を縮めたり広げ
たりするためのアクチュエータ（例えば、エアシリン
ダ）に連結されている。また、回転軸１０１、１０２の
少なくとも一方は、回転源（例えば、モータ）の回転軸
に連結されており、該回転源が発生する駆動力により貼
り合わせ基板３０を回転させることができる。
【０１３６】また、この処理装置１００は、水等の液体
又は空気や窒素等の気体、即ち流体を噴射するための噴
射ノズル１０５を有する。噴射ノズル１０５の径は、例
えば０．１ｍｍ程度が好適である。この流体として、水
を用いる装置は、特に、ウォータージェット装置とも呼
ばれる。
又は空気や窒素等の気体、即ち流体を噴射するための噴
射ノズル１０５を有する。噴射ノズル１０５の径は、例
えば０．１ｍｍ程度が好適である。この流体として、水
を用いる装置は、特に、ウォータージェット装置とも呼
ばれる。
【０１３７】この処理装置１００を図１Ｄに示す分離開
始部の形成工程（予備分離工程）において使用する場合
は、図３又は図６に示すように、貼り合わせ基板３０の
突出部を噴射ノズル１０５に対向させた状態で貼り合わ
せ基板３０を固定し、その状態で、該貼り合わせ基板３
０の突出部に向けて噴射ノズル１０５より流体を噴射す
る。
始部の形成工程（予備分離工程）において使用する場合
は、図３又は図６に示すように、貼り合わせ基板３０の
突出部を噴射ノズル１０５に対向させた状態で貼り合わ
せ基板３０を固定し、その状態で、該貼り合わせ基板３
０の突出部に向けて噴射ノズル１０５より流体を噴射す
る。
【０１３８】また、この処理装置１００を図１Ｅに示す
分離工程（本分離工程）において使用する場合は、図４
又は図７に示すように、分離開始部４０を有する貼り合
わせ基板３０を該分離開始部４０が噴射ノズル１０５に
対向する状態で、該分離開始部４０に向けて噴射ノズル
１０５から流体を噴射し、その後、貼り合わせ基板３０
を回転させながら分離を進める。
分離工程（本分離工程）において使用する場合は、図４
又は図７に示すように、分離開始部４０を有する貼り合
わせ基板３０を該分離開始部４０が噴射ノズル１０５に
対向する状態で、該分離開始部４０に向けて噴射ノズル
１０５から流体を噴射し、その後、貼り合わせ基板３０
を回転させながら分離を進める。
【０１３９】この処理装置１００を分離開始部の形成工
程（予備分離工程）及び分離工程（本分離工程）におい
て連続的に使用する場合は、まず、図３又は図６に示す
ように、貼り合わせ基板を固定した状態で、該貼り合わ
せ基板の突出部に向けて噴射ノズル１０５より流体を噴
射する（予備分離工程）。そして、分離開始部４０が形
成されたら、図４又は図７に示すように、貼り合わせ基
板３０を回転させることにより、分離工程（本分離工
程）に移行し、その後は、貼り合わせ基板３０を回転さ
せた状態で該貼り合わせ基板３０を多孔質層の部分で完
全に分離する。
程（予備分離工程）及び分離工程（本分離工程）におい
て連続的に使用する場合は、まず、図３又は図６に示す
ように、貼り合わせ基板を固定した状態で、該貼り合わ
せ基板の突出部に向けて噴射ノズル１０５より流体を噴
射する（予備分離工程）。そして、分離開始部４０が形
成されたら、図４又は図７に示すように、貼り合わせ基
板３０を回転させることにより、分離工程（本分離工
程）に移行し、その後は、貼り合わせ基板３０を回転さ
せた状態で該貼り合わせ基板３０を多孔質層の部分で完
全に分離する。
【０１４０】［第２の処理装置］図８は、本発明の好適
な実施の形態に係る貼り合わせ基板の処理装置の構成を
概略的に示す図である。図８に示す処理装置２００は、
貼り合わせ基板３０を支持する支持部２０３を有する支
持台２０１と、貼り合わせ基板３０を支持部２０３に押
圧するための弾性体２０２と、楔２１０とを有する。
な実施の形態に係る貼り合わせ基板の処理装置の構成を
概略的に示す図である。図８に示す処理装置２００は、
貼り合わせ基板３０を支持する支持部２０３を有する支
持台２０１と、貼り合わせ基板３０を支持部２０３に押
圧するための弾性体２０２と、楔２１０とを有する。
【０１４１】この処理装置２００を図１Ｄに示す分離開
始部の形成工程（予備分離工程）において使用する場合
は、貼り合わせ基板３０の突出部の反対側を支持部２０
３により支持し、その状態で、突出部における貼り合わ
せ基板の貼り合わせ面付近に楔２１０を所定量だけ緩や
かに挿入する。これにより、突出部の多孔質層及びその
上の移設層が破壊され、貼り合わせ基板３０に分離開始
部が形成される。
始部の形成工程（予備分離工程）において使用する場合
は、貼り合わせ基板３０の突出部の反対側を支持部２０
３により支持し、その状態で、突出部における貼り合わ
せ基板の貼り合わせ面付近に楔２１０を所定量だけ緩や
かに挿入する。これにより、突出部の多孔質層及びその
上の移設層が破壊され、貼り合わせ基板３０に分離開始
部が形成される。
【０１４２】また、この処理装置２００を図１Ｅに示す
分離工程（本分離工程）において使用する場合は、分離
開始部を有する貼り合わせ基板３０を支持部２０３によ
り該分離開始部の反対側の部分で支持し、その状態で、
分離開始部に楔２１０を緩やかに挿入し、その後、楔２
１０を押し込むことにより分離を進める。
分離工程（本分離工程）において使用する場合は、分離
開始部を有する貼り合わせ基板３０を支持部２０３によ
り該分離開始部の反対側の部分で支持し、その状態で、
分離開始部に楔２１０を緩やかに挿入し、その後、楔２
１０を押し込むことにより分離を進める。
【０１４３】なお、図８は、図２に示す貼り合わせ基板
３０に分離開始部を形成する様子を示しているが、図５
に示す貼り合わせ基板３０或いは突出部を有する他の貼
り合わせ基板に関しても、この処理装置２００により、
同様に分離開始部を形成することができる。
３０に分離開始部を形成する様子を示しているが、図５
に示す貼り合わせ基板３０或いは突出部を有する他の貼
り合わせ基板に関しても、この処理装置２００により、
同様に分離開始部を形成することができる。
【０１４４】この処理装置２００を分離開始部の形成工
程（予備分離工程）及び分離工程（本分離工程）におい
て連続的に使用する場合は、分離開始部を形成した後
に、更に、楔２１０を貼り合わせ基板３０内に押し込め
ばよい。
程（予備分離工程）及び分離工程（本分離工程）におい
て連続的に使用する場合は、分離開始部を形成した後
に、更に、楔２１０を貼り合わせ基板３０内に押し込め
ばよい。
【０１４５】［第３の処理装置］図９は、本発明の好適
な実施の形態に係る処理装置の構成を概略的に示す図で
ある。図９に示す処理装置３００は、処理槽３０１と、
処理槽３０１に超音波等の振動エネルギーを供給するた
めの振動源３０２を有する。
な実施の形態に係る処理装置の構成を概略的に示す図で
ある。図９に示す処理装置３００は、処理槽３０１と、
処理槽３０１に超音波等の振動エネルギーを供給するた
めの振動源３０２を有する。
【０１４６】この処理装置３００では、処理槽３０１内
に振動エネルギーの伝達媒体（例えば、水、エッチング
液等）３０３を入れ、キャリア３１０に収容された１又
は複数枚の貼り合わせ基板３０を処理槽３０１内に置い
た状態で貼り合わせ基板３０を処理する。
に振動エネルギーの伝達媒体（例えば、水、エッチング
液等）３０３を入れ、キャリア３１０に収容された１又
は複数枚の貼り合わせ基板３０を処理槽３０１内に置い
た状態で貼り合わせ基板３０を処理する。
【０１４７】この処理装置３００を図１Ｄに示す分離開
始部の形成工程（予備分離工程）において使用する場合
は、図９に示すように、１又は複数の貼り合わせ基板を
その突出部を下方にしてキャリア３１０に収容し、その
後、キャリア３１０を処理槽３０１内に置く。そして、
処理槽３０１内に、貼り合わせ基板３０の突出部が漬か
るように振動伝達媒体（例えば、水、エッチング液等）
を入れ、振動源３０２を作動させる。これにより、突出
部の移設槽の下層の多孔質層に効果的に振動エネルギー
が作用し、該多孔質層が破壊され、それに伴って、該多
孔質層の上の移設層が剥離し、貼り合わせ基板に分離開
始部が形成される。
始部の形成工程（予備分離工程）において使用する場合
は、図９に示すように、１又は複数の貼り合わせ基板を
その突出部を下方にしてキャリア３１０に収容し、その
後、キャリア３１０を処理槽３０１内に置く。そして、
処理槽３０１内に、貼り合わせ基板３０の突出部が漬か
るように振動伝達媒体（例えば、水、エッチング液等）
を入れ、振動源３０２を作動させる。これにより、突出
部の移設槽の下層の多孔質層に効果的に振動エネルギー
が作用し、該多孔質層が破壊され、それに伴って、該多
孔質層の上の移設層が剥離し、貼り合わせ基板に分離開
始部が形成される。
【０１４８】以上は、ＳＯＩ基板の製造方法に関する。
しかしながら、第１の基板から第２の基板に移設する半
導体層１３として、単結晶Ｓｉ層に代えて、例えば、多
結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成しても
よいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、化合物
半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）層を形
成してもよい。即ち、上記のＳＯＩ基板の製造方法及び
第１の基板の再生方法は、ＳＯＩ基板以外の半導体基板
の製造方法及び第１の基板の再生方法にも適用すること
ができる。
しかしながら、第１の基板から第２の基板に移設する半
導体層１３として、単結晶Ｓｉ層に代えて、例えば、多
結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成しても
よいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、化合物
半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）層を形
成してもよい。即ち、上記のＳＯＩ基板の製造方法及び
第１の基板の再生方法は、ＳＯＩ基板以外の半導体基板
の製造方法及び第１の基板の再生方法にも適用すること
ができる。
【０１４９】また、第２の基板としては、例えば、単結
晶Ｓｉ基板の他、表面に酸化膜を形成したＳｉ基板、絶
縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板（例え
ば、石英基板）等が好適である。
晶Ｓｉ基板の他、表面に酸化膜を形成したＳｉ基板、絶
縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板（例え
ば、石英基板）等が好適である。
【０１５０】また、第１の基板１０と第２の基板２０と
は、接着材により接着してもよい。
は、接着材により接着してもよい。
【０１５１】更に、上記の方法は、内部に分離層を有す
る第１の部材と、第２の部材とを密着させてなる複合部
材の製造方法や該複合部材の分離方法等にも適用するこ
とができる。ここで、第１の部材は、第１の基板１０に
対応し、第２の部材は、第２の基板２０に対応し、分離
層は多孔質層に対応し、複合部材は、貼り合わせ基板３
０に対応する。
る第１の部材と、第２の部材とを密着させてなる複合部
材の製造方法や該複合部材の分離方法等にも適用するこ
とができる。ここで、第１の部材は、第１の基板１０に
対応し、第２の部材は、第２の基板２０に対応し、分離
層は多孔質層に対応し、複合部材は、貼り合わせ基板３
０に対応する。
【０１５２】
【実施例】以下、上記の実施の形態をより具体化した実
施例を挙げる。
施例を挙げる。
【０１５３】［第１の実施例］まず、第１の基板１０を
形成するために、例えば比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型
又はＮ型の単結晶Ｓｉ基板１１を準備し、その単結晶Ｓ
ｉ基板１１に対してＨＦ溶液中で２段階の陽極化成処理
を施し、その表面に、互いに多孔度の異なる２層の多孔
質層からなる多孔質Ｓｉ層１２を形成した（図１Ａ）。
この時の陽極化成の条件は、次の通りである。
形成するために、例えば比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型
又はＮ型の単結晶Ｓｉ基板１１を準備し、その単結晶Ｓ
ｉ基板１１に対してＨＦ溶液中で２段階の陽極化成処理
を施し、その表面に、互いに多孔度の異なる２層の多孔
質層からなる多孔質Ｓｉ層１２を形成した（図１Ａ）。
この時の陽極化成の条件は、次の通りである。
【０１５４】 ＜第１段階の陽極化成条件＞ 電流密度 ：７（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１ 処理時間 ：５（ｍｉｎ） 多孔質Ｓｉ厚 ：４．５（μｍ） ＜第２段階の陽極化成条件＞ 電流密度 ：３０（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１ 処理時間 ：１０（ｓｅｃ） 多孔質Ｓｉ厚 ：０．２（μｍ） この実施例では、多孔質層１２を２層構造として、第１
段階で低電流で形成した表面側の多孔質層を高品質のエ
ピタキシャルＳｉ層１３を形成するために用い、第２段
階で高電流で形成した下層の多孔質層を分離層として用
いた。なお、第１段階の陽極化成処理で形成する多孔質
層の厚さは、上記の例に限定されず、例えば、数百μｍ
〜０．１μｍが好適である。また、第２段階の陽極化成
処理で形成する多孔質層の厚さに関しても、上記の例に
限定されず、以降の分離工程の条件等に応じて適宜変更
し得る。
段階で低電流で形成した表面側の多孔質層を高品質のエ
ピタキシャルＳｉ層１３を形成するために用い、第２段
階で高電流で形成した下層の多孔質層を分離層として用
いた。なお、第１段階の陽極化成処理で形成する多孔質
層の厚さは、上記の例に限定されず、例えば、数百μｍ
〜０．１μｍが好適である。また、第２段階の陽極化成
処理で形成する多孔質層の厚さに関しても、上記の例に
限定されず、以降の分離工程の条件等に応じて適宜変更
し得る。
【０１５５】また、多孔質層１２は、１層構造でもよい
し、３層以上の構造としてもよい。
し、３層以上の構造としてもよい。
【０１５６】次いで、この基板に酸素雰囲気中において
４００℃で１時間の酸化処理を実施した。この酸化処理
により、多孔質層１２の孔の内壁は、熱酸化膜で覆われ
た。
４００℃で１時間の酸化処理を実施した。この酸化処理
により、多孔質層１２の孔の内壁は、熱酸化膜で覆われ
た。
【０１５７】次いで、多孔質Ｓｉ層１２上にCVD(Chemic
al Vapor Deposition)法により０．３μｍ厚の単結晶Ｓ
ｉ層１３をエピタキシャル成長させた（図１Ｂ）。この
時の成長条件は以下の通りである。なお、エピタキシャ
ル成長の前段では、Ｈ2中に多孔質Ｓｉ層１２の表面が
晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。
al Vapor Deposition)法により０．３μｍ厚の単結晶Ｓ
ｉ層１３をエピタキシャル成長させた（図１Ｂ）。この
時の成長条件は以下の通りである。なお、エピタキシャ
ル成長の前段では、Ｈ2中に多孔質Ｓｉ層１２の表面が
晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。
【０１５８】＜エピタキシャル成長条件＞ ソ−スガス：ＳｉＨ2Ｃｌ2／Ｈ2 ガス流量 ：０．５／１８０（ｌ／ｍｉｎ） ガス圧力 ：８０（Ｔｏｒｒ） 温度 ：９５０（℃） 成長速度 ：０．３０（μｍ／ｍｉｎ） 次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Ｓｉ層１３の
表面に熱酸化により２００ｎｍ厚のＳｉＯ2層１４を形
成した（図１Ｂ）。これにより、第１の基板１０が得ら
れる。
表面に熱酸化により２００ｎｍ厚のＳｉＯ2層１４を形
成した（図１Ｂ）。これにより、第１の基板１０が得ら
れる。
【０１５９】次いで、第１の基板１０と同サイズのＳｉ
基板（第２の基板）２０を準備し、第１の基板１０のＳ
ｉＯ2層１４の表面と第２の基板２０とを互いの中心位
置をずらして密着させて、１１８０℃で５分の熱処理を
行った。これにより、突出部を有する図２に示すような
貼りあわせ基板３０を作成した（図１Ｃ）。この実施例
では、第１の基板１０の中心と第２の基板２０と中心と
を０．１ｍｍずらして両基板を貼り合わせた。
基板（第２の基板）２０を準備し、第１の基板１０のＳ
ｉＯ2層１４の表面と第２の基板２０とを互いの中心位
置をずらして密着させて、１１８０℃で５分の熱処理を
行った。これにより、突出部を有する図２に示すような
貼りあわせ基板３０を作成した（図１Ｃ）。この実施例
では、第１の基板１０の中心と第２の基板２０と中心と
を０．１ｍｍずらして両基板を貼り合わせた。
【０１６０】次いで、図３に示すように、貼り合わせ基
板３０の突出部を噴射ノズル１０５に対向させた状態
で、貼り合わせ基板３０を処理装置１００にセットし
た。そして、直径０．１ｍｍの噴射ノズル１０５から５
００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力の流体（ここでは、水）を数
秒間にわたって突出部に向けて噴射して、貼り合わせ基
板３０に分離開始部４０を形成した（図１Ｄ）。
板３０の突出部を噴射ノズル１０５に対向させた状態
で、貼り合わせ基板３０を処理装置１００にセットし
た。そして、直径０．１ｍｍの噴射ノズル１０５から５
００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力の流体（ここでは、水）を数
秒間にわたって突出部に向けて噴射して、貼り合わせ基
板３０に分離開始部４０を形成した（図１Ｄ）。
【０１６１】次いで、図４に示すように、分離開始部４
０に流体が打ち込まれている状態で、噴射ノズル１０５
から噴射する流体の圧力を４００ｋｇｆ／ｃｍ2に低下
させると共に、図４に示すように、貼り合わせ基板３０
を回転させながら貼り合わせ基板３０を多孔質層１２の
部分で完全に分離した（図１Ｅ）。
０に流体が打ち込まれている状態で、噴射ノズル１０５
から噴射する流体の圧力を４００ｋｇｆ／ｃｍ2に低下
させると共に、図４に示すように、貼り合わせ基板３０
を回転させながら貼り合わせ基板３０を多孔質層１２の
部分で完全に分離した（図１Ｅ）。
【０１６２】次いで、分離後の第２の基板２０’の表面
に残留する多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化
水素水と水との混合液をエッチング液として選択的にエ
ッチングした（図１Ｆ）。これにより図１Ｆに示すよう
なＳＯＩ基板が得られた。
に残留する多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化
水素水と水との混合液をエッチング液として選択的にエ
ッチングした（図１Ｆ）。これにより図１Ｆに示すよう
なＳＯＩ基板が得られた。
【０１６３】次いで、単結晶Ｓｉ基板１１上に残留する
多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化水素水と水
との混合液をエッチング液として選択的にエッチングし
た（図１Ｇ）。
多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化水素水と水
との混合液をエッチング液として選択的にエッチングし
た（図１Ｇ）。
【０１６４】なお、単結晶Ｓｉ層１３に代えて、例え
ば、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成
してもよいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、
化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）
層を形成してもよい。
ば、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成
してもよいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、
化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）
層を形成してもよい。
【０１６５】また、第２の基板２０として、単結晶Ｓｉ
基板に代えて、例えば、表面に酸化膜を形成したＳｉ基
板、絶縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板
（例えば、石英基板）等を採用してもよい。
基板に代えて、例えば、表面に酸化膜を形成したＳｉ基
板、絶縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板
（例えば、石英基板）等を採用してもよい。
【０１６６】［第２の実施例］まず、第１の基板１０を
形成するために、例えば比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型
又はＮ型の単結晶Ｓｉ基板１１を準備し、その単結晶Ｓ
ｉ基板１１に対してＨＦ溶液中で２段階の陽極化成処理
を施し、その表面に、互いに多孔度の異なる２層の多孔
質層からなる多孔質Ｓｉ層１２を形成した（図１Ａ）。
この時の陽極化成の条件は、次の通りである。
形成するために、例えば比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型
又はＮ型の単結晶Ｓｉ基板１１を準備し、その単結晶Ｓ
ｉ基板１１に対してＨＦ溶液中で２段階の陽極化成処理
を施し、その表面に、互いに多孔度の異なる２層の多孔
質層からなる多孔質Ｓｉ層１２を形成した（図１Ａ）。
この時の陽極化成の条件は、次の通りである。
【０１６７】 ＜第１段階の陽極化成条件＞ 電流密度 ：７（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１ 処理時間 ：５（ｍｉｎ） 多孔質Ｓｉ厚 ：４．５（μｍ） ＜第２段階の陽極化成条件＞ 電流密度 ：３０（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１ 処理時間 ：１０（ｓｅｃ） 多孔質Ｓｉ厚 ：０．２（μｍ） この実施例では、多孔質層１２を２層構造として、第１
段階で低電流で形成した表面側の多孔質層を高品質のエ
ピタキシャルＳｉ層１３を形成するために用い、第２段
階で高電流で形成した下層の多孔質層を分離層として用
いた。なお、第１段階の陽極化成処理で形成する多孔質
層の厚さは、上記の例に限定されず、例えば、数百μｍ
〜０．１μｍが好適である。また、第２段階の陽極化成
処理で形成する多孔質層の厚さに関しても、上記の例に
限定されず、以降の分離工程の条件等に応じて適宜変更
し得る。
段階で低電流で形成した表面側の多孔質層を高品質のエ
ピタキシャルＳｉ層１３を形成するために用い、第２段
階で高電流で形成した下層の多孔質層を分離層として用
いた。なお、第１段階の陽極化成処理で形成する多孔質
層の厚さは、上記の例に限定されず、例えば、数百μｍ
〜０．１μｍが好適である。また、第２段階の陽極化成
処理で形成する多孔質層の厚さに関しても、上記の例に
限定されず、以降の分離工程の条件等に応じて適宜変更
し得る。
【０１６８】また、多孔質層１２は、１層構造でもよい
し、３層以上の構造としてもよい。
し、３層以上の構造としてもよい。
【０１６９】次いで、この基板に酸素雰囲気中において
４００℃で１時間の酸化処理を実施した。この酸化処理
により、多孔質層１２の孔の内壁は、熱酸化膜で覆われ
た。
４００℃で１時間の酸化処理を実施した。この酸化処理
により、多孔質層１２の孔の内壁は、熱酸化膜で覆われ
た。
【０１７０】次いで、多孔質Ｓｉ層１２上にCVD(Chemic
al Vapor Deposition)法により０．３μｍ厚の単結晶Ｓ
ｉ層１３をエピタキシャル成長させた（図１Ｂ）。この
時の成長条件は以下の通りである。なお、エピタキシャ
ル成長の前段では、Ｈ2中に多孔質Ｓｉ層１２の表面が
晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。
al Vapor Deposition)法により０．３μｍ厚の単結晶Ｓ
ｉ層１３をエピタキシャル成長させた（図１Ｂ）。この
時の成長条件は以下の通りである。なお、エピタキシャ
ル成長の前段では、Ｈ2中に多孔質Ｓｉ層１２の表面が
晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。
【０１７１】＜エピタキシャル成長条件＞ ソ−スガス：ＳｉＨ2Ｃｌ2／Ｈ2 ガス流量 ：０．５／１８０（ｌ／ｍｉｎ） ガス圧力 ：８０（Ｔｏｒｒ） 温度 ：９５０（℃） 成長速度 ：０．３０（μｍ／ｍｉｎ） 次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Ｓｉ層１３の
表面に熱酸化により２００ｎｍ厚のＳｉＯ2層１４を形
成した（図１Ｂ）。これにより、第１の基板１０が得ら
れる。
表面に熱酸化により２００ｎｍ厚のＳｉＯ2層１４を形
成した（図１Ｂ）。これにより、第１の基板１０が得ら
れる。
【０１７２】次いで、第１の基板１０と同サイズのＳｉ
基板（第２の基板）２０を準備し、第１の基板１０のＳ
ｉＯ2層１４の表面と第２の基板２０とを中心位置をず
らして密着させて、１１８０℃で５分の熱処理を行っ
た。これにより、突出部を有する図２に示すような貼り
あわせ基板３０を作成した（図１Ｃ）。この実施例で
は、第１の基板１０の中心と第２の基板２０と中心とを
０．１ｍｍずらして両基板を貼り合わせた。
基板（第２の基板）２０を準備し、第１の基板１０のＳ
ｉＯ2層１４の表面と第２の基板２０とを中心位置をず
らして密着させて、１１８０℃で５分の熱処理を行っ
た。これにより、突出部を有する図２に示すような貼り
あわせ基板３０を作成した（図１Ｃ）。この実施例で
は、第１の基板１０の中心と第２の基板２０と中心とを
０．１ｍｍずらして両基板を貼り合わせた。
【０１７３】次いで、図８に示すように、貼り合わせ基
板３０の突出部の反対側の部分を処理装置２００の支持
部２０３により支持した状態で、貼り合わせ基板３０の
突出部の隙間に対して、該貼り合わせ基板３０の貼り合
わせ面と平行に、楔２１０を１．５ｍｍ挿入した（図１
Ｄ）。この楔２１０としては、先端角度が２０度のＰ．
Ｔ．Ｆ．Ｅ製の楔を使用した。この処理により、分離開
始部を有する貼り合わせ基板３０が得られた。
板３０の突出部の反対側の部分を処理装置２００の支持
部２０３により支持した状態で、貼り合わせ基板３０の
突出部の隙間に対して、該貼り合わせ基板３０の貼り合
わせ面と平行に、楔２１０を１．５ｍｍ挿入した（図１
Ｄ）。この楔２１０としては、先端角度が２０度のＰ．
Ｔ．Ｆ．Ｅ製の楔を使用した。この処理により、分離開
始部を有する貼り合わせ基板３０が得られた。
【０１７４】次いで、図４に示すように、分離開始部４
０が噴射ノズル１０５に対向する状態で貼り合わせ基板
３０を処理装置１００にセットし、直径０．１ｍｍの噴
射ノズル１０５から分離開始部４０に向けて、４００ｋ
ｇｆ／ｃｍ2の圧力の流体を噴射して分離を開始した。
そして、その後、貼り合わせ基板３０を回転させながら
分離を進め、貼り合わせ基板３０を多孔質層１２ａの部
分で２枚の基板に分離した（図１Ｅ）。
０が噴射ノズル１０５に対向する状態で貼り合わせ基板
３０を処理装置１００にセットし、直径０．１ｍｍの噴
射ノズル１０５から分離開始部４０に向けて、４００ｋ
ｇｆ／ｃｍ2の圧力の流体を噴射して分離を開始した。
そして、その後、貼り合わせ基板３０を回転させながら
分離を進め、貼り合わせ基板３０を多孔質層１２ａの部
分で２枚の基板に分離した（図１Ｅ）。
【０１７５】次いで、分離後の第２の基板２０’の表面
に残留する多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化
水素水と水との混合液をエッチング液として選択的にエ
ッチングした（図１Ｆ）。これにより図１Ｆに示すよう
なＳＯＩ基板が得られた。
に残留する多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化
水素水と水との混合液をエッチング液として選択的にエ
ッチングした（図１Ｆ）。これにより図１Ｆに示すよう
なＳＯＩ基板が得られた。
【０１７６】次いで、単結晶Ｓｉ基板１１上に残留する
多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化水素水と水
との混合液をエッチング液として選択的にエッチングし
た（図１Ｇ）。
多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化水素水と水
との混合液をエッチング液として選択的にエッチングし
た（図１Ｇ）。
【０１７７】なお、単結晶Ｓｉ層１３に代えて、例え
ば、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成
してもよいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、
化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）
層を形成してもよい。
ば、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成
してもよいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、
化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）
層を形成してもよい。
【０１７８】また、第２の基板２０として、単結晶Ｓｉ
基板に代えて、例えば、表面に酸化膜を形成したＳｉ基
板、絶縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板
（例えば、石英基板）等を採用してもよい。
基板に代えて、例えば、表面に酸化膜を形成したＳｉ基
板、絶縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板
（例えば、石英基板）等を採用してもよい。
【０１７９】［第３の実施例］まず、第１の基板１０を
形成するために、例えば比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型
又はＮ型の単結晶Ｓｉ基板１１を準備し、その単結晶Ｓ
ｉ基板１１に対してＨＦ溶液中で２段階の陽極化成処理
を施し、その表面に、互いに多孔度の異なる２層の多孔
質層からなる多孔質Ｓｉ層１２を形成した（図１Ａ）。
この時の陽極化成の条件は、次の通りである。
形成するために、例えば比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型
又はＮ型の単結晶Ｓｉ基板１１を準備し、その単結晶Ｓ
ｉ基板１１に対してＨＦ溶液中で２段階の陽極化成処理
を施し、その表面に、互いに多孔度の異なる２層の多孔
質層からなる多孔質Ｓｉ層１２を形成した（図１Ａ）。
この時の陽極化成の条件は、次の通りである。
【０１８０】 ＜第１段階の陽極化成条件＞ 電流密度 ：７（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１ 処理時間 ：５（ｍｉｎ） 多孔質Ｓｉ厚 ：４．５（μｍ） ＜第２段階の陽極化成条件＞ 電流密度 ：３０（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１ 処理時間 ：１０（ｓｅｃ） 多孔質Ｓｉ厚 ：０．２（μｍ） この実施例では、多孔質層１２を２層構造として、第１
段階で低電流で形成した表面側の多孔質層を高品質のエ
ピタキシャルＳｉ層１３を形成するために用い、第２段
階で高電流で形成した下層の多孔質層を分離層として用
いた。なお、第１段階の陽極化成処理で形成する多孔質
層の厚さは、上記の例に限定されず、例えば、数百μｍ
〜０．１μｍが好適である。また、第２段階の陽極化成
処理で形成する多孔質層の厚さに関しても、上記の例に
限定されず、以降の分離工程の条件等に応じて適宜変更
し得る。
段階で低電流で形成した表面側の多孔質層を高品質のエ
ピタキシャルＳｉ層１３を形成するために用い、第２段
階で高電流で形成した下層の多孔質層を分離層として用
いた。なお、第１段階の陽極化成処理で形成する多孔質
層の厚さは、上記の例に限定されず、例えば、数百μｍ
〜０．１μｍが好適である。また、第２段階の陽極化成
処理で形成する多孔質層の厚さに関しても、上記の例に
限定されず、以降の分離工程の条件等に応じて適宜変更
し得る。
【０１８１】また、多孔質層１２は、１層構造でもよい
し、３層以上の構造としてもよい。
し、３層以上の構造としてもよい。
【０１８２】次いで、この基板に酸素雰囲気中において
４００℃で１時間の酸化処理を実施した。この酸化処理
により、多孔質層１２の孔の内壁は、熱酸化膜で覆われ
た。
４００℃で１時間の酸化処理を実施した。この酸化処理
により、多孔質層１２の孔の内壁は、熱酸化膜で覆われ
た。
【０１８３】次いで、多孔質Ｓｉ層１２上にCVD(Chemic
al Vapor Deposition)法により０．３μｍ厚の単結晶Ｓ
ｉ層１３をエピタキシャル成長させた（図１Ｂ）。この
時の成長条件は以下の通りである。なお、エピタキシャ
ル成長の前段では、Ｈ2中に多孔質Ｓｉ層１２の表面が
晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。
al Vapor Deposition)法により０．３μｍ厚の単結晶Ｓ
ｉ層１３をエピタキシャル成長させた（図１Ｂ）。この
時の成長条件は以下の通りである。なお、エピタキシャ
ル成長の前段では、Ｈ2中に多孔質Ｓｉ層１２の表面が
晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。
【０１８４】＜エピタキシャル成長条件＞ ソ−スガス：ＳｉＨ2Ｃｌ2／Ｈ2 ガス流量 ：０．５／１８０（ｌ／ｍｉｎ） ガス圧力 ：８０（Ｔｏｒｒ） 温度 ：９５０（℃） 成長速度 ：０．３０（μｍ／ｍｉｎ） 次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Ｓｉ層１３の
表面に熱酸化により２００ｎｍ厚のＳｉＯ2層１４を形
成した（図１Ｂ）。これにより、第１の基板１０が得ら
れる。
表面に熱酸化により２００ｎｍ厚のＳｉＯ2層１４を形
成した（図１Ｂ）。これにより、第１の基板１０が得ら
れる。
【０１８５】次いで、第１の基板１０と同サイズのＳｉ
基板（第２の基板）２０を準備し、第１の基板１０のＳ
ｉＯ2層１４の表面と第２の基板２０とを中心位置をず
らして密着させて、１１８０℃で５分の熱処理を行っ
た。これにより、突出部を有する図２に示すような貼り
あわせ基板３０を作成した（図１Ｃ）。この実施例で
は、第１の基板１０の中心と第２の基板２０と中心とを
０．１ｍｍずらして両基板を貼り合わせた。
基板（第２の基板）２０を準備し、第１の基板１０のＳ
ｉＯ2層１４の表面と第２の基板２０とを中心位置をず
らして密着させて、１１８０℃で５分の熱処理を行っ
た。これにより、突出部を有する図２に示すような貼り
あわせ基板３０を作成した（図１Ｃ）。この実施例で
は、第１の基板１０の中心と第２の基板２０と中心とを
０．１ｍｍずらして両基板を貼り合わせた。
【０１８６】次いで、図９に示すように、複数の貼り合
わせ基板３０をその突出部を下方にしてキャリア３１０
に収容し、その後、キャリア３１０を処理槽３０１内に
置いた。そして、処理槽３０１内に、貼り合わせ基板３
０の突出部が漬かるように純水（振動伝達媒体）を入
れ、約１時間、振動源３０２を作動させて、各貼り合わ
せ基板３０に分離開始部を形成した（図１Ｅ）。
わせ基板３０をその突出部を下方にしてキャリア３１０
に収容し、その後、キャリア３１０を処理槽３０１内に
置いた。そして、処理槽３０１内に、貼り合わせ基板３
０の突出部が漬かるように純水（振動伝達媒体）を入
れ、約１時間、振動源３０２を作動させて、各貼り合わ
せ基板３０に分離開始部を形成した（図１Ｅ）。
【０１８７】ここで、純水の代わりに、エッチング液を
使用することも好適である。この場合において、振動源
３０２を作動させて、突出部に振動エネルギーを供給す
ることが好ましいが、突出部に振動エネルギーを供給し
ない場合においても、エッチング液によるエッチング作
用により分離開始部を形成することができる。エッチン
グ液を使用する場合の一例を挙げると、貼り合わせ基板
の突出部をまず弗酸に浸して、該突出部の絶縁層（Ｓｉ
Ｏ2層）１４を除去し、次いで、該突出部を弗硝酸に浸
して、該突出部の単結晶Ｓｉ層１３を除去し、更に該突
出部の多孔質層１２を除去することが好ましい。
使用することも好適である。この場合において、振動源
３０２を作動させて、突出部に振動エネルギーを供給す
ることが好ましいが、突出部に振動エネルギーを供給し
ない場合においても、エッチング液によるエッチング作
用により分離開始部を形成することができる。エッチン
グ液を使用する場合の一例を挙げると、貼り合わせ基板
の突出部をまず弗酸に浸して、該突出部の絶縁層（Ｓｉ
Ｏ2層）１４を除去し、次いで、該突出部を弗硝酸に浸
して、該突出部の単結晶Ｓｉ層１３を除去し、更に該突
出部の多孔質層１２を除去することが好ましい。
【０１８８】次いで、図４に示すように、分離開始部４
０が噴射ノズル１０５に対向する状態で貼り合わせ基板
３０を処理装置１００にセットし、直径０．１ｍｍの噴
射ノズル１０５から分離開始部４０に向けて、４００ｋ
ｇｆ／ｃｍ2の圧力の流体を噴射して分離を開始した。
そして、その後、貼り合わせ基板３０を回転させながら
分離を進め、貼り合わせ基板３０を多孔質層１２ａの部
分で２枚の基板に分離した（図１Ｅ）。
０が噴射ノズル１０５に対向する状態で貼り合わせ基板
３０を処理装置１００にセットし、直径０．１ｍｍの噴
射ノズル１０５から分離開始部４０に向けて、４００ｋ
ｇｆ／ｃｍ2の圧力の流体を噴射して分離を開始した。
そして、その後、貼り合わせ基板３０を回転させながら
分離を進め、貼り合わせ基板３０を多孔質層１２ａの部
分で２枚の基板に分離した（図１Ｅ）。
【０１８９】次いで、分離後の第２の基板２０’の表面
に残留する多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化
水素水と水との混合液をエッチング液として選択的にエ
ッチングした（図１Ｆ）。これにより図１Ｆに示すよう
なＳＯＩ基板が得られた。
に残留する多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化
水素水と水との混合液をエッチング液として選択的にエ
ッチングした（図１Ｆ）。これにより図１Ｆに示すよう
なＳＯＩ基板が得られた。
【０１９０】次いで、単結晶Ｓｉ基板１１上に残留する
多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化水素水と水
との混合液をエッチング液として選択的にエッチングし
た（図１Ｇ）。
多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化水素水と水
との混合液をエッチング液として選択的にエッチングし
た（図１Ｇ）。
【０１９１】なお、単結晶Ｓｉ層１３に代えて、例え
ば、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成
してもよいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、
化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）
層を形成してもよい。
ば、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成
してもよいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、
化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）
層を形成してもよい。
【０１９２】また、第２の基板２０として、単結晶Ｓｉ
基板に代えて、例えば、表面に酸化膜を形成したＳｉ基
板、絶縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板
（例えば、石英基板）等を採用してもよい。
基板に代えて、例えば、表面に酸化膜を形成したＳｉ基
板、絶縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板
（例えば、石英基板）等を採用してもよい。
【０１９３】［第４の実施例］まず、第１の基板１０を
形成するために、例えば比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型
又はＮ型の単結晶Ｓｉ基板１１を準備し、その単結晶Ｓ
ｉ基板１１に対してＨＦ溶液中で２段階の陽極化成処理
を施し、その表面に、互いに多孔度の異なる２層の多孔
質層からなる多孔質Ｓｉ層１２を形成した（図１Ａ）。
この時の陽極化成の条件は、次の通りである。
形成するために、例えば比抵抗０．０１Ω・ｃｍのＰ型
又はＮ型の単結晶Ｓｉ基板１１を準備し、その単結晶Ｓ
ｉ基板１１に対してＨＦ溶液中で２段階の陽極化成処理
を施し、その表面に、互いに多孔度の異なる２層の多孔
質層からなる多孔質Ｓｉ層１２を形成した（図１Ａ）。
この時の陽極化成の条件は、次の通りである。
【０１９４】 ＜第１段階の陽極化成条件＞ 電流密度 ：７（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１ 処理時間 ：５（ｍｉｎ） 多孔質Ｓｉ厚 ：４．５（μｍ） ＜第２段階の陽極化成条件＞ 電流密度 ：３０（ｍＡ／ｃｍ2） 陽極化成溶液 ：ＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１ 処理時間 ：１０（ｓｅｃ） 多孔質Ｓｉ厚 ：０．２（μｍ） この実施例では、多孔質層１２を２層構造として、第１
段階で低電流で形成した表面側の多孔質層を高品質のエ
ピタキシャルＳｉ層１３を形成するために用い、第２段
階で高電流で形成した下層の多孔質層を分離層として用
いた。なお、第１段階の陽極化成処理で形成する多孔質
層の厚さは、上記の例に限定されず、例えば、数百μｍ
〜０．１μｍが好適である。また、第２段階の陽極化成
処理で形成する多孔質層の厚さに関しても、上記の例に
限定されず、以降の分離工程の条件等に応じて適宜変更
し得る。
段階で低電流で形成した表面側の多孔質層を高品質のエ
ピタキシャルＳｉ層１３を形成するために用い、第２段
階で高電流で形成した下層の多孔質層を分離層として用
いた。なお、第１段階の陽極化成処理で形成する多孔質
層の厚さは、上記の例に限定されず、例えば、数百μｍ
〜０．１μｍが好適である。また、第２段階の陽極化成
処理で形成する多孔質層の厚さに関しても、上記の例に
限定されず、以降の分離工程の条件等に応じて適宜変更
し得る。
【０１９５】また、多孔質層１２は、１層構造でもよい
し、３層以上の構造としてもよい。
し、３層以上の構造としてもよい。
【０１９６】次いで、この基板に酸素雰囲気中において
４００℃で１時間の酸化処理を実施した。この酸化処理
により、多孔質層１２の孔の内壁は、熱酸化膜で覆われ
た。
４００℃で１時間の酸化処理を実施した。この酸化処理
により、多孔質層１２の孔の内壁は、熱酸化膜で覆われ
た。
【０１９７】次いで、多孔質Ｓｉ層１２上にCVD(Chemic
al Vapor Deposition)法により０．３μｍ厚の単結晶Ｓ
ｉ層１３をエピタキシャル成長させた（図１Ｂ）。この
時の成長条件は以下の通りである。なお、エピタキシャ
ル成長の前段では、Ｈ2中に多孔質Ｓｉ層１２の表面が
晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。
al Vapor Deposition)法により０．３μｍ厚の単結晶Ｓ
ｉ層１３をエピタキシャル成長させた（図１Ｂ）。この
時の成長条件は以下の通りである。なお、エピタキシャ
ル成長の前段では、Ｈ2中に多孔質Ｓｉ層１２の表面が
晒されるため、表面の孔が埋まり、表面が平坦になる。
【０１９８】＜エピタキシャル成長条件＞ ソ−スガス：ＳｉＨ2Ｃｌ2／Ｈ2 ガス流量 ：０．５／１８０（ｌ／ｍｉｎ） ガス圧力 ：８０（Ｔｏｒｒ） 温度 ：９５０（℃） 成長速度 ：０．３０（μｍ／ｍｉｎ） 次いで、エピタキシャル成長させた単結晶Ｓｉ層１３の
表面に熱酸化により２００ｎｍ厚のＳｉＯ2層１４を形
成した（図１Ｂ）。これにより、第１の基板１０が得ら
れる。
表面に熱酸化により２００ｎｍ厚のＳｉＯ2層１４を形
成した（図１Ｂ）。これにより、第１の基板１０が得ら
れる。
【０１９９】次いで、第１の基板１０よりも直径が０．
５ｍｍ小さいＳｉ基板（第２の基板）２０を準備し、第
１の基板１０の中心と第２の基板の中心とを一致させ
て、第１の基板１０のＳｉＯ2層１４の表面と第２の基
板２０とを密着させて、１１８０℃で５分の熱処理を行
った。これにより、突出部を有する図５に示すような貼
りあわせ基板３０を作成した（図１Ｃ）。なお、同一サ
イズの第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせ
て、熱処理を実施して貼り合わせ基板を形成した後に、
該貼り合わせ基板の第２の基板２０の外周部をエッジグ
ラインダ等で研削することにより、突出部を形成しても
よい。
５ｍｍ小さいＳｉ基板（第２の基板）２０を準備し、第
１の基板１０の中心と第２の基板の中心とを一致させ
て、第１の基板１０のＳｉＯ2層１４の表面と第２の基
板２０とを密着させて、１１８０℃で５分の熱処理を行
った。これにより、突出部を有する図５に示すような貼
りあわせ基板３０を作成した（図１Ｃ）。なお、同一サ
イズの第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせ
て、熱処理を実施して貼り合わせ基板を形成した後に、
該貼り合わせ基板の第２の基板２０の外周部をエッジグ
ラインダ等で研削することにより、突出部を形成しても
よい。
【０２００】次いで、図６に示すように、貼り合わせ基
板３０の突出部を噴射ノズル１０５に対向させた状態
で、貼り合わせ基板３０を処理装置１００にセットし
た。そして、直径０．１ｍｍの噴射ノズル１０５から４
００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力の流体（ここでは、水）を突
出部に向けて噴射して、貼り合わせ基板３０に分離開始
部４０を形成した（図１Ｄ）。
板３０の突出部を噴射ノズル１０５に対向させた状態
で、貼り合わせ基板３０を処理装置１００にセットし
た。そして、直径０．１ｍｍの噴射ノズル１０５から４
００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力の流体（ここでは、水）を突
出部に向けて噴射して、貼り合わせ基板３０に分離開始
部４０を形成した（図１Ｄ）。
【０２０１】更に、図７に示すように、噴射ノズル１０
５から流体を噴射させたまま、貼り合わせ基板３０の回
転を開始させ、以降は、貼り合わせ基板３０を回転させ
ながら貼り合わせ基板３０を多孔質層１２の部分で完全
に分離した（図１Ｅ）。
５から流体を噴射させたまま、貼り合わせ基板３０の回
転を開始させ、以降は、貼り合わせ基板３０を回転させ
ながら貼り合わせ基板３０を多孔質層１２の部分で完全
に分離した（図１Ｅ）。
【０２０２】次いで、分離後の第２の基板２０’の表面
に残留する多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化
水素水と水との混合液をエッチング液として選択的にエ
ッチングした（図１Ｆ）。これにより図１Ｆに示すよう
なＳＯＩ基板が得られた。
に残留する多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化
水素水と水との混合液をエッチング液として選択的にエ
ッチングした（図１Ｆ）。これにより図１Ｆに示すよう
なＳＯＩ基板が得られた。
【０２０３】次いで、単結晶Ｓｉ基板１１上に残留する
多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化水素水と水
との混合液をエッチング液として選択的にエッチングし
た（図１Ｇ）。
多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化水素水と水
との混合液をエッチング液として選択的にエッチングし
た（図１Ｇ）。
【０２０４】なお、単結晶Ｓｉ層１３に代えて、例え
ば、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成
してもよいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、
化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）
層を形成してもよい。
ば、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成
してもよいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、
化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）
層を形成してもよい。
【０２０５】また、第２の基板２０として、単結晶Ｓｉ
基板に代えて、例えば、表面に酸化膜を形成したＳｉ基
板、絶縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板
（例えば、石英基板）等を採用してもよい。
基板に代えて、例えば、表面に酸化膜を形成したＳｉ基
板、絶縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板
（例えば、石英基板）等を採用してもよい。
【０２０６】［第５の実施例］この実施例では、イオン
注入法により多孔質層（微小空洞層）を形成する。
注入法により多孔質層（微小空洞層）を形成する。
【０２０７】まず、単結晶Ｓｉ基板の表面に熱酸化法に
より２００ｎｍ厚のＳｉＯ2層を形成した。次いで、投
影飛程が単結晶Ｓｉ基板中の所定の深さになるようにし
て、単結晶Ｓｉ基板中のＳｉＯ2層を通してイオンを注
入した。このイオン注入工程により、図１Ｂに示す第１
の基板１０と同様の基板、即ち、単結晶Ｓｉ基板１１上
に多孔質層（イオン注入層若しくは微小空洞層）１２、
単結晶Ｓｉ層１３、ＳｉＯ2層を順に有する基板が形成
される。
より２００ｎｍ厚のＳｉＯ2層を形成した。次いで、投
影飛程が単結晶Ｓｉ基板中の所定の深さになるようにし
て、単結晶Ｓｉ基板中のＳｉＯ2層を通してイオンを注
入した。このイオン注入工程により、図１Ｂに示す第１
の基板１０と同様の基板、即ち、単結晶Ｓｉ基板１１上
に多孔質層（イオン注入層若しくは微小空洞層）１２、
単結晶Ｓｉ層１３、ＳｉＯ2層を順に有する基板が形成
される。
【０２０８】次いで、第１の基板１０のＳｉＯ2層１４
の表面と別に用意した８インチのＳｉ基板（第２の基
板）２０の表面とを密着させて、６００℃で１０時間の
熱処理を施して結合の強度を高めた。これにより、図１
Ｃに示すような貼り合わせ基板が得られた。この実施例
では、第１の基板１０の中心と第２の基板２０と中心と
を０．１ｍｍずらして両基板を貼り合わせた。
の表面と別に用意した８インチのＳｉ基板（第２の基
板）２０の表面とを密着させて、６００℃で１０時間の
熱処理を施して結合の強度を高めた。これにより、図１
Ｃに示すような貼り合わせ基板が得られた。この実施例
では、第１の基板１０の中心と第２の基板２０と中心と
を０．１ｍｍずらして両基板を貼り合わせた。
【０２０９】次いで、図３に示すように、貼り合わせ基
板３０の突出部を噴射ノズル１０５に対向させた状態
で、貼り合わせ基板３０を処理装置１００にセットし
た。そして、直径０．１ｍｍの噴射ノズル１０５から５
００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力の流体（ここでは、水）を数
秒間にわたって突出部に向けて噴射して、貼り合わせ基
板３０に分離開始部４０を形成した（図１Ｄ）。
板３０の突出部を噴射ノズル１０５に対向させた状態
で、貼り合わせ基板３０を処理装置１００にセットし
た。そして、直径０．１ｍｍの噴射ノズル１０５から５
００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力の流体（ここでは、水）を数
秒間にわたって突出部に向けて噴射して、貼り合わせ基
板３０に分離開始部４０を形成した（図１Ｄ）。
【０２１０】次いで、図４に示すように、分離開始部４
０に流体が打ち込まれている状態で、噴射ノズル１０５
から噴射する流体の圧力を４００ｋｇｆ／ｃｍ2に低下
させると共に、図４に示すように、貼り合わせ基板３０
を回転させながら貼り合わせ基板３０を多孔質層１２の
部分で完全に分離した（図１Ｅ）。
０に流体が打ち込まれている状態で、噴射ノズル１０５
から噴射する流体の圧力を４００ｋｇｆ／ｃｍ2に低下
させると共に、図４に示すように、貼り合わせ基板３０
を回転させながら貼り合わせ基板３０を多孔質層１２の
部分で完全に分離した（図１Ｅ）。
【０２１１】次いで、分離後の第２の基板２０’の表面
に残留する多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化
水素水と水との混合液をエッチング液として選択的にエ
ッチングした（図１Ｆ）。これにより図１Ｆに示すよう
なＳＯＩ基板が得られた。
に残留する多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化
水素水と水との混合液をエッチング液として選択的にエ
ッチングした（図１Ｆ）。これにより図１Ｆに示すよう
なＳＯＩ基板が得られた。
【０２１２】次いで、単結晶Ｓｉ基板１１上に残留する
多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化水素水と水
との混合液をエッチング液として選択的にエッチングし
た（図１Ｇ）。
多孔質層１２ｂを４９％弗酸と３０％過酸化水素水と水
との混合液をエッチング液として選択的にエッチングし
た（図１Ｇ）。
【０２１３】なお、単結晶Ｓｉ層１３に代えて、例え
ば、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成
してもよいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、
化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）
層を形成してもよい。
ば、多結晶Ｓｉ層、非晶質Ｓｉ層等の他のＳｉ層を形成
してもよいし、Ｇｅ層、ＳｉＧｅ層、ＳｉＣ層、Ｃ層、
化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ等）
層を形成してもよい。
【０２１４】また、第２の基板２０として、単結晶Ｓｉ
基板に代えて、例えば、表面に酸化膜を形成したＳｉ基
板、絶縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板
（例えば、石英基板）等を採用してもよい。
基板に代えて、例えば、表面に酸化膜を形成したＳｉ基
板、絶縁性基板（例えば、石英基板）、光透過性基板
（例えば、石英基板）等を採用してもよい。
【０２１５】
【発明の効果】本発明によれば、例えば、貼り合わせ基
板等の複合部材を多孔質層等の分離層で適切に分離する
ことができる。
板等の複合部材を多孔質層等の分離層で適切に分離する
ことができる。
【図１Ａ】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板
の製造方法における多孔質層の形成工程を説明するため
の模式図である。
の製造方法における多孔質層の形成工程を説明するため
の模式図である。
【図１Ｂ】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板
の製造方法における単結晶Ｓｉ層及び絶縁層の形成工程
を説明するための模式図である。
の製造方法における単結晶Ｓｉ層及び絶縁層の形成工程
を説明するための模式図である。
【図１Ｃ】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板
の製造方法における貼り合わせ工程を説明するための模
式図である。
の製造方法における貼り合わせ工程を説明するための模
式図である。
【図１Ｄ】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板
の製造方法における分離開始領域の形成工程（予備分離
工程）を説明するための模式図である。
の製造方法における分離開始領域の形成工程（予備分離
工程）を説明するための模式図である。
【図１Ｅ】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板
の製造方法における分離工程（本分離工程）を説明する
ための模式図である。
の製造方法における分離工程（本分離工程）を説明する
ための模式図である。
【図１Ｆ】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板
の製造方法における第２の基板側の多孔質層の除去工程
及びＳＯＩ基板を説明するための模式図である。
の製造方法における第２の基板側の多孔質層の除去工程
及びＳＯＩ基板を説明するための模式図である。
【図１Ｇ】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板
の製造方法における第１の基板側の多孔質層の除去工程
を説明するための模式図である。
の製造方法における第１の基板側の多孔質層の除去工程
を説明するための模式図である。
【図２】第１の基板と第２の基板とを中心位置をずらし
て密着させて形成される突出部を有する貼り合わせ基板
の一例を示す斜視図である。
て密着させて形成される突出部を有する貼り合わせ基板
の一例を示す斜視図である。
【図３】図２に示す貼り合わせ基板に分離開始部を形成
する様子を模式的に示す図である。
する様子を模式的に示す図である。
【図４】図３に示す貼り合わせ基板を分離する様子を模
式的に示す図である。
式的に示す図である。
【図５】第１の基板と、該第１の基板より小さいサイズ
の第２の基板とを密着させて形成される突出部を有する
貼り合わせ基板の一例を示す図である。
の第２の基板とを密着させて形成される突出部を有する
貼り合わせ基板の一例を示す図である。
【図６】図５に示す貼り合わせ基板に分離開始部を形成
する様子を模式的に示す図である。
する様子を模式的に示す図である。
【図７】図６に示す貼り合わせ基板を分離する様子を模
式的に示す図である。
式的に示す図である。
【図８】本発明の好適な実施の形態に係る処理装置の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
【図９】本発明の好適な実施の形態に係る処理装置の概
略構成を示す図である。
略構成を示す図である。
１０ 第１の基板 ２０ 第２の基板 ３０ 貼り合わせ基板 ４０ 分離開始領域 ５０ ＳＯＩ基板 １１ 単結晶Ｓｉ基板 １２ 多孔質層 １３ 単結晶Ｓｉ層 １４ 絶縁層（ＳｉＯ2層） １００，２００，３００ 処理装置 １０１，１０２ 回転軸 １０３，１０４ 基板保持部 １０５ 噴射ノズル ２０１ 支持台 ２０２ 弾性体 ２０３ 支持部 ２１０ 楔 ３０１ 処理槽 ３０２ 振動源 ３０３ 振動伝達媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂口 清文 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 栗栖 裕和 愛知県名古屋市西区康生通２丁目20番１号 株式会社メイテック内 Ｆターム(参考） 5F043 AA09 BB01 DD30 EE07 EE08 EE35 GG10
Claims (59)
- 【請求項１】 内部に分離層を有する第１の部材と、第
２の部材とを密着させた構造を有する複合部材の分離方
法であって、 前記複合部材は、前記第１の部材の外周端が前記第２の
部材の外周端より外側に突出した突出部を有し、 前記分離方法は、前記突出部から前記複合部材の分離を
開始し、その後、前記分離層の部分で前記複合部材を２
つの部材に分離する分離工程を有することを特徴とする
分離方法。 - 【請求項２】 前記第１の部材及び前記第２の部材は、
主面の形状が同一であり、前記複合部材は、前記第１の
部材の主面と前記第２の部材の主面とを互いの中心位置
をずらして密着させた構造を有することを特徴とする請
求項１に記載の分離方法。 - 【請求項３】 前記第２の部材の主面は、前記第１の部
材の主面より小さく、前記複合部材は、前記第１の部材
の主面と前記第２の部材の主面とを密着させた構造を有
することを特徴とする請求項１に記載の分離方法。 - 【請求項４】 前記分離工程は、 前記突出部を処理して分離開始部を形成する予備分離工
程と、 前記分離開始部から前記複合部材の分離を開始し、その
後、実質的に前記分離層のみを破壊して前記複合部材を
前記分離層の部分で２つの部材に分離する本分離工程
と、 を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれ
か１項に記載の分離方法。 - 【請求項５】 内部に分離用の層を有する第１の部材
と、第２の部材とを密着させて、前記第１の部材の外周
端が前記第２の部材の外周端より外側に突出した突出部
を有する複合部材を製造する方法。 - 【請求項６】 第１の部材の表面の移設層を第２の部材
に移設する移設方法であって、 内部に分離層を有し、その上に移設層を有する第１の部
材と、第２の部材とを密着させて、前記第１の部材の外
周端が前記第２の部材の外周端より外側に突出した複合
部材を作成する作成工程と、 前記突出部から前記複合部材の分離を開始し、その後、
前記分離層の部分で前記複合部材を２つの部材に分離
し、これにより、前記第１の部材の移設層を前記第２の
部材に移設する分離工程と、 を有することを特徴とする移設方法。 - 【請求項７】 内部に分離層を有し、その上に移設層を
有する第１の基板の前記移設層と、第２の基板とを密着
させた構造を有する貼り合わせ基板を２枚の基板に分離
する分離方法であって、 前記貼り合わせ基板は、前記第１の基板の外周端が前記
第２の基板の外周端より外側に突出した突出部を有し、 前記分離方法は、前記突出部から前記貼り合わせ基板の
分離を開始し、その後、前記分離層の部分で前記貼り合
わせ基板を２枚の基板に分離する分離工程を有すること
を特徴とする分離方法。 - 【請求項８】 前記第１の基板及び前記第２の基板は、
同一の大きさを有し、前記貼り合わせ基板は、前記第１
の基板と前記第２の基板とを互いの中心位置をずらして
密着させた構造を有することを特徴とする請求項８に記
載の分離方法。 - 【請求項９】 前記貼り合わせ基板は、第１の基板と、
該第１の基板より小さい第２の基板とを密着させた構造
を有することを特徴とする請求項７に記載の分離方法。 - 【請求項１０】 前記第２の基板は、オリエンテーショ
ン・フラット又はノッチを有し、前記貼り合わせ基板
は、前記第２の基板のオリエンテーション・フラット又
はノッチの存在により前記第１の基板が露出した部分を
前記突出部として有することを特徴とする請求項７に記
載の分離方法。 - 【請求項１１】 前記第１の基板及び前記第２の基板
は、オリエンテーション・フラット又はノッチを有し、
前記貼り合わせ基板は、前記第１の基板のオリエンテー
ション・フラット又はノッチと前記第２の基板のオリエ
ンテーション・フラット又はノッチとが重ならないよう
に、前記第１の基板と前記第２の基板とを密着させてな
り、前記第２の基板のオリエンテーション・フラット又
はノッチの存在により前記第１の基板が露出した部分を
前記突出部として有することを特徴とする請求項７に記
載の分離方法。 - 【請求項１２】 内部に分離層を有し、その上に移設層
を有する第１の基板の前記移設層と、第２の基板とを貼
り合わせて、前記第１の基板の外周端が前記第２の基板
の外周端より外側に突出した突出部を有する貼り合わせ
基板を製造する方法。 - 【請求項１３】 第１の基板の表面の移設層を第２の基
板に移設する移設方法であって、 内部に分離層を有し、その上に移設層を有する第１の基
板の前記移設層と、第２の基板とを貼り合わせて、前記
第１の基板の外周端が前記第２の基板の外周端より外側
に突出した突出部を有する貼り合わせ基板を作成する作
成工程と、 前記突出部から前記貼り合わせ基板の分離を開始し、そ
の後、前記分離層の部分で前記貼り合わせ基板を分離
し、これにより、前記第１の基板の移設層を前記第２の
基板に移設する分離工程と、 を有することを特徴とする移設方法。 - 【請求項１４】 前記作成工程では、同一の大きさを有
する第１の基板と第２の基板とを互いの中心位置をずら
して密着させて前記貼り合わせ基板を作成することを特
徴とする請求項１３に記載の移設方法。 - 【請求項１５】 前記作成工程では、第１の基板と、該
第１の基板より小さい第２の基板とを密着させて前記貼
り合わせ基板を作成することを特徴とする請求項１３に
記載の移設方法。 - 【請求項１６】 前記作成工程では、第１の基板と、オ
リエンテーション・フラット又はノッチを有する第２の
基板とを密着させ、前記第２の基板のオリエンテーショ
ン・フラット又はノッチの存在により前記第１の基板が
露出する部分を前記突出部として有する貼り合わせ基板
を作成することを特徴とする請求項１３に記載の移設方
法。 - 【請求項１７】 前記作成工程では、オリエンテーショ
ン・フラット又はノッチを有する第１及び第２の基板を
準備し、前記第１の基板のオリエンテーション・フラッ
ト又はノッチと前記第２の基板のオリエンテーション・
フラット又はノッチとが重ならないように、前記第１の
基板と前記第２の基板とを密着させて貼り合わせ基板を
作成することを特徴とする請求項１３に記載の移設方
法。 - 【請求項１８】 前記分離工程は、 前記突出部を処理して分離開始部を形成する予備分離工
程と、 前記分離開始部から前記貼り合わせ基板の分離を開始
し、その後、実質的に前記分離層のみを破壊して前記貼
り合わせ基板を前記分離層の部分で２枚の基板に分離す
ることを特徴とする請求項１３に記載の移設方法。 - 【請求項１９】 前記予備分離工程では、前記突出部に
向けて流体を噴射することにより、該流体により前記分
離開始部を形成することを特徴とする請求項１８に記載
の移設方法。 - 【請求項２０】 前記予備分離工程では、前記突出部に
おける前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に楔状
の部材を挿入することにより前記分離開始部を形成する
ことを特徴とする請求項１８に記載の移設方法。 - 【請求項２１】 前記予備分離工程では、前記突出部に
対して振動エネルギーを供給することにより前記分離開
始部を形成することを特徴とする請求項１８に記載の移
設方法。 - 【請求項２２】 前記予備分離工程では、前記突出部を
液体に浸して、該液体を介して該突出部に振動エネルギ
ーを供給することにより前記分離開始部を形成すること
を特徴とする請求項１８に記載の移設方法。 - 【請求項２３】 前記液体として水を利用することを特
徴とする請求項２２に記載の移設方法。 - 【請求項２４】 前記液体としてエッチング液を利用す
ることを特徴とする請求項２２に記載の移設方法。 - 【請求項２５】 前記予備分離工程では、前記突出部に
おける前記移設層及び前記分離層をエッチングすること
により前記分離開始部を形成することを特徴とする請求
項１８に記載の移設方法。 - 【請求項２６】 前記分離工程では、前記突出部に向け
て流体を噴射することにより前記貼り合わせ基板に分離
開始部を形成し、その後、流体を打ち込む位置を変更し
ながら前記貼り合わせ基板の分離を進めることを特徴と
する請求項１３乃至請求項１７のいずれか１項に記載の
移設方法。 - 【請求項２７】 前記分離工程では、前記突出部におけ
る前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に楔状の部
材を挿入することにより、前記貼り合わせ基板を分離す
ることを特徴とする請求項１３乃至請求項１７のいずれ
か１項に記載の移設方法。 - 【請求項２８】 前記分離開始部は、当該部分における
前記分離層が最も脆弱な構造を有する部分であることを
特徴とする請求項１８乃至請求項２５のいずれか１項に
記載の移設方法。 - 【請求項２９】 前記分離開始部は、当該部分における
前記移設層が除去され、該移設層の下層の分離層が露出
した部分であることを特徴とする請求項１８乃至請求項
２５のいずれか１項に記載の移設方法。 - 【請求項３０】 前記分離開始部は、当該部分における
分離層が露出すると共に、該分離層の外周端が前記貼り
合わせ基板の内側に向かって窪んでいることを特徴とす
る請求項１８乃至請求項２５のいずれか１項に記載の移
設方法。 - 【請求項３１】 前記分離層は、多孔質層であることを
特徴とする請求項１３乃至請求項３０のいずれか１項に
記載の移設方法。 - 【請求項３２】 前記第１の基板は、基板に陽極化成処
理を施すことにより前記分離層としての多孔質層を形成
し、その上に前記移設層を形成した基板であることを特
徴とする請求項１３乃至請求項３０のいずれか１項に記
載の移設方法。 - 【請求項３３】 前記第１の基板は、分離層として、イ
オン注入により形成された多孔質層を有することを特徴
とする請求項１３乃至請求項３０のいずれか１項に記載
の移設方法。 - 【請求項３４】 前記移設層は、単結晶Ｓｉ層を含むこ
とを特徴とする請求項１３乃至請求項３３のいずれか１
項に記載の移設方法。 - 【請求項３５】 前記移設層は、前記分離層の上に、前
記移設層として、単結晶Ｓｉ層及び絶縁層を順に有する
ことを特徴とする請求項１３乃至請求項３３のいずれか
１項に記載の移設方法。 - 【請求項３６】 ＳＯＩ基板の製造方法であって、 内部に多孔質層を有し、その上に単結晶Ｓｉ層を含む移
設層を有する第１の基板の表面と第２の基板とを貼り合
わせて、前記第１の基板の外周端が前記第２の基板の外
周端より外側に突出した突出部を有する貼り合わせ基板
を作成する作成工程と、 前記突出部から前記貼り合わせ基板の分離を開始し、そ
の後、前記多孔質層の部分で前記貼り合わせ基板を分離
して、前記第１の基板の移設層を前記第２の基板に移設
する分離工程と、 分離後の第２の基板の表面に残留する多孔質層を除去す
る除去工程と、 を有することを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項３７】 前記第１の基板は、前記移設層とし
て、前記単結晶Ｓｉ層の他に、該単結晶Ｓｉ層の上に絶
縁層を有することを特徴とする請求項３６に記載のＳＯ
Ｉ基板の製造方法。 - 【請求項３８】 前記第２の基板は、表面に絶縁層を有
することを特徴とする請求項３６に記載のＳＯＩ基板の
製造方法。 - 【請求項３９】 前記作成工程では、同一の大きさを有
する第１の基板と第２の基板とを互いの中心位置をずら
して密着させて前記貼り合わせ基板を作成することを特
徴とする請求項３６乃至請求項３８のいずれか１項に記
載のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項４０】 前記作成工程では、第１の基板と、該
第１の基板より小さい第２の基板とを密着させて前記貼
り合わせ基板を作成することを特徴とする請求項３６乃
至請求項３８のいずれか１項に記載のＳＯＩ基板の製造
方法。 - 【請求項４１】 前記作成工程では、前記第１の基板と
前記第２の基板とを互いの中心位置を一致させて密着さ
せることを特徴とする請求項４０に記載のＳＯＩ基板の
製造方法。 - 【請求項４２】 前記作成工程では、第１の基板と、オ
リエンテーション・フラット又はノッチを有する第２の
基板とを密着させ、前記第２の基板のオリエンテーショ
ン・フラット又はノッチの存在により前記第１の基板が
露出する部分を前記突出部として有する貼り合わせ基板
を作成することを特徴とする請求項３６乃至請求項３８
のいずれか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項４３】 前記作成工程では、オリエンテーショ
ン・フラット又はノッチを有する第１及び第２の基板を
準備し、前記第１の基板のオリエンテーション・フラッ
ト又はノッチと前記第２の基板のオリエンテーション・
フラット又はノッチとが重ならないように、前記第１の
基板と前記第２の基板とを密着させて貼り合わせ基板を
作成することを特徴とする請求項３６乃至請求項３８の
いずれか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項４４】 前記分離工程は、 前記突出部を処理して分離開始部を形成する予備分離工
程と、 前記分離開始部から前記貼り合わせ基板の分離を開始
し、その後、実質的に前記多孔質層のみを破壊して前記
貼り合わせ基板を前記多孔質層の部分で２枚の基板に分
離することを特徴とする請求項３６乃至請求項４３のい
ずれか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項４５】 前記予備分離工程では、前記突出部に
向けて流体を噴射することにより、該流体により前記分
離開始部を形成することを特徴とする請求項４４に記載
のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項４６】 前記予備分離工程では、前記突出部に
おける前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に楔状
の部材を挿入することにより前記分離開始部を形成する
ことを特徴とする請求項４４に記載のＳＯＩ基板の製造
方法。 - 【請求項４７】 前記予備分離工程では、前記突出部に
対して振動エネルギーを供給することにより前記分離開
始部を形成することを特徴とする請求項４４に記載のＳ
ＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項４８】 前記予備分離工程では、前記突出部を
液体に浸して、該液体を介して該突出部に振動エネルギ
ーを供給することにより前記分離開始部を形成すること
を特徴とする請求項４４に記載のＳＯＩ基板の製造方
法。 - 【請求項４９】 前記液体として水を利用することを特
徴とする請求項４８に記載のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項５０】 前記液体としてエッチング液を利用す
ることを特徴とする請求項４８に記載のＳＯＩ基板の製
造方法。 - 【請求項５１】 前記予備分離工程では、前記突出部に
おける前記移設層及び前記多孔質層をエッチングするこ
とにより前記分離開始部を形成することを特徴とする請
求項４４に記載のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項５２】 前記分離工程では、前記突出部に向け
て流体を噴射することにより前記貼り合わせ基板に分離
開始部を形成し、その後、流体を打ち込む位置を変更し
ながら前記貼り合わせ基板の分離を進めることを特徴と
する請求項３６乃至請求項４３のいずれか１項に記載の
ＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項５３】 前記分離工程では、前記突出部におけ
る前記第１の基板と前記第２の基板との隙間に楔状の部
材を挿入することにより、前記貼り合わせ基板を分離す
ることを特徴とする請求項３６乃至請求項４３のいずれ
か１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項５４】 前記分離開始部は、当該部分における
前記分多孔質層が最も脆弱な構造を有する部分であるこ
とを特徴とする請求項３６乃至請求項４３のいずれか１
項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項５５】 前記分離開始部は、当該部分における
前記移設層が除去され、該移設層の下層の多孔質層が露
出した部分であることを特徴とする請求項３６乃至請求
項４３のいずれか１項に記載のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項５６】 前記分離開始部は、当該部分における
多孔質層が露出すると共に、該多孔質層の外周端が前記
貼り合わせ基板の内側に向かって窪んでいることを特徴
とする請求項３６乃至請求項４３のいずれか１項に記載
のＳＯＩ基板の製造方法。 - 【請求項５７】 内部に分離層を有する第１の部材と、
第２の部材とを密着させた構造を有する複合部材であっ
て、 前記第１の部材の外周端が前記第２の部材の外周端より
外側に突出した突出部を有することを特徴とする複号部
材。 - 【請求項５８】 内部に分離層を有し、その上に移設層
を有する第１の基板の前記移設層と、第２の基板とを密
着させた構造を有する貼り合わせ基板であって、 前記第１の基板の外周端が前記第２の基板の外周端より
外側に突出した突出部を有することを特徴とする貼り合
わせ基板。 - 【請求項５９】 内部に多孔質層を有し、その上に単結
晶Ｓｉ層を含む移設層を有する第１の基板の表面と第２
の基板とを貼り合わせてなる貼り合わせ基板であって、 前記第１の基板の外周端が前記第２の基板の外周端より
外側に突出した突出部を有することを特徴とする貼り合
わせ基板。
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|---|---|---|---|
| JP11025484A JP2000223683A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 複合部材及びその分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の移設方法、並びにｓｏｉ基板の製造方法 |
| EP00300724A EP1026729A3 (en) | 1999-02-02 | 2000-01-31 | Composite member and separating method therefor, bonded substrate stack and separating method therefor, transfer method for transfer layer, and SOI substrate manufacturing method |
| TW089101660A TW498444B (en) | 1999-02-02 | 2000-01-31 | Composite member and separating method therefor, bonded substrate stack and separating method therefor, transfer method for transfer layer, and SOI substrate |
| US09/494,851 US6376332B1 (en) | 1999-02-02 | 2000-02-01 | Composite member and separating method therefor, bonded substrate stack and separating method therefor, transfer method for transfer layer, and SOI substrate manufacturing method |
| KR10-2000-0005288A KR100420311B1 (ko) | 1999-02-02 | 2000-02-02 | 복합부재와 그 분리방법, 접합적층기판과 그 분리방법,이설층의 이설방법 및 ｓｏｉ기판의 제조 방법 |
| CN00101844A CN1264156A (zh) | 1999-02-02 | 2000-02-02 | 复合元件、衬底叠层及分离方法、层转移及衬底制造方法 |
| US10/081,068 US20020081822A1 (en) | 1999-02-02 | 2002-02-21 | Composite member and separating method therefor, bonded substrate stack and separating method therefor, transfer method for transfer layer, and SOI substrate manufacturing method |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11025484A JP2000223683A (ja) | 1999-02-02 | 1999-02-02 | 複合部材及びその分離方法、貼り合わせ基板及びその分離方法、移設層の移設方法、並びにｓｏｉ基板の製造方法 |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030003110A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 캐논 가부시끼가이샤 | 부재의 분리방법 및 분리장치 |
| JP2004527400A (ja) * | 2001-04-10 | 2004-09-09 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | 基板の層を切断するための装置及びその方法 |
| US7155406B2 (en) * | 2002-03-04 | 2006-12-26 | Total Soft Bank, Ltd. | Scheduling method for loading and unloading containers at the terminal and a computer readable recording medium recorded a computer programming of the same |
| US7208058B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-04-24 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | SOI substrate and manufacturing method thereof |
| WO2014200827A1 (en) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Yan Ye | Methods and apparatuses for delaminating process pieces |
Families Citing this family (58)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6191443B1 (en) | 1998-02-28 | 2001-02-20 | Micron Technology, Inc. | Capacitors, methods of forming capacitors, and DRAM memory cells |
| US6730559B2 (en) | 1998-04-10 | 2004-05-04 | Micron Technology, Inc. | Capacitors and methods of forming capacitors |
| EP0989593A3 (en) * | 1998-09-25 | 2002-01-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| TW484184B (en) | 1998-11-06 | 2002-04-21 | Canon Kk | Sample separating apparatus and method, and substrate manufacturing method |
| US6672358B2 (en) | 1998-11-06 | 2004-01-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Sample processing system |
| JP2000150836A (ja) | 1998-11-06 | 2000-05-30 | Canon Inc | 試料の処理システム |
| JP4365920B2 (ja) * | 1999-02-02 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 分離方法及び半導体基板の製造方法 |
| US6664169B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-12-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor member, process for producing solar cell, and anodizing apparatus |
| US7005695B1 (en) * | 2000-02-23 | 2006-02-28 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuitry including a capacitor with an amorphous and a crystalline high K capacitor dielectric region |
| JP2002050749A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-15 | Canon Inc | 複合部材の分離方法及び装置 |
| US8507361B2 (en) * | 2000-11-27 | 2013-08-13 | Soitec | Fabrication of substrates with a useful layer of monocrystalline semiconductor material |
| DE10108369A1 (de) * | 2001-02-21 | 2002-08-29 | B L E Lab Equipment Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger |
| FR2823599B1 (fr) * | 2001-04-13 | 2004-12-17 | Commissariat Energie Atomique | Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation |
| JP2002353081A (ja) | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Canon Inc | 板部材の分離装置及び分離方法 |
| JP2002353423A (ja) | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Canon Inc | 板部材の分離装置及び処理方法 |
| JP2003095798A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-03 | Hoya Corp | 単結晶基板の製造方法 |
| FR2842647B1 (fr) * | 2002-07-17 | 2004-09-17 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert de couche |
| FR2844095B1 (fr) * | 2002-09-03 | 2005-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un substrat composite du type sicoi comprenant une etape d'epitaxie |
| FR2850390B1 (fr) * | 2003-01-24 | 2006-07-14 | Soitec Silicon On Insulator | Procede d'elimination d'une zone peripherique de colle lors de la fabrication d'un substrat composite |
| US7122095B2 (en) * | 2003-03-14 | 2006-10-17 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies S.A. | Methods for forming an assembly for transfer of a useful layer |
| FR2860842B1 (fr) * | 2003-10-14 | 2007-11-02 | Tracit Technologies | Procede de preparation et d'assemblage de substrats |
| JP4771510B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2011-09-14 | キヤノン株式会社 | 半導体層の製造方法及び基板の製造方法 |
| FR2880189B1 (fr) * | 2004-12-24 | 2007-03-30 | Tracit Technologies Sa | Procede de report d'un circuit sur un plan de masse |
| JP4450850B2 (ja) * | 2007-09-26 | 2010-04-14 | Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| FR2926671B1 (fr) * | 2008-01-17 | 2010-04-02 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de traitement de defauts lors de collage de plaques |
| US7974119B2 (en) | 2008-07-10 | 2011-07-05 | Seagate Technology Llc | Transmission gate-based spin-transfer torque memory unit |
| US7928534B2 (en) * | 2008-10-09 | 2011-04-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Bond pad connection to redistribution lines having tapered profiles |
| US7936580B2 (en) | 2008-10-20 | 2011-05-03 | Seagate Technology Llc | MRAM diode array and access method |
| US9030867B2 (en) * | 2008-10-20 | 2015-05-12 | Seagate Technology Llc | Bipolar CMOS select device for resistive sense memory |
| US7936583B2 (en) * | 2008-10-30 | 2011-05-03 | Seagate Technology Llc | Variable resistive memory punchthrough access method |
| US7825478B2 (en) * | 2008-11-07 | 2010-11-02 | Seagate Technology Llc | Polarity dependent switch for resistive sense memory |
| US8178864B2 (en) | 2008-11-18 | 2012-05-15 | Seagate Technology Llc | Asymmetric barrier diode |
| US8203869B2 (en) | 2008-12-02 | 2012-06-19 | Seagate Technology Llc | Bit line charge accumulation sensing for resistive changing memory |
| US8736050B2 (en) * | 2009-09-03 | 2014-05-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Front side copper post joint structure for temporary bond in TSV application |
| US8759949B2 (en) * | 2009-04-30 | 2014-06-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Wafer backside structures having copper pillars |
| US8158489B2 (en) * | 2009-06-26 | 2012-04-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Formation of TSV backside interconnects by modifying carrier wafers |
| US8159856B2 (en) | 2009-07-07 | 2012-04-17 | Seagate Technology Llc | Bipolar select device for resistive sense memory |
| US8183126B2 (en) | 2009-07-13 | 2012-05-22 | Seagate Technology Llc | Patterning embedded control lines for vertically stacked semiconductor elements |
| US8208285B2 (en) * | 2009-07-13 | 2012-06-26 | Seagate Technology Llc | Vertical non-volatile switch with punchthrough access and method of fabrication therefor |
| US8158964B2 (en) | 2009-07-13 | 2012-04-17 | Seagate Technology Llc | Schottky diode switch and memory units containing the same |
| US9847243B2 (en) | 2009-08-27 | 2017-12-19 | Corning Incorporated | Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave |
| US8174124B2 (en) | 2010-04-08 | 2012-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Dummy pattern in wafer backside routing |
| US8617952B2 (en) | 2010-09-28 | 2013-12-31 | Seagate Technology Llc | Vertical transistor with hardening implatation |
| US8963337B2 (en) * | 2010-09-29 | 2015-02-24 | Varian Semiconductor Equipment Associates | Thin wafer support assembly |
| US8648426B2 (en) | 2010-12-17 | 2014-02-11 | Seagate Technology Llc | Tunneling transistors |
| US8709914B2 (en) * | 2011-06-14 | 2014-04-29 | International Business Machines Corporation | Method for controlled layer transfer |
| US9698070B2 (en) * | 2013-04-11 | 2017-07-04 | Infineon Technologies Ag | Arrangement having a plurality of chips and a chip carrier, and a processing arrangement |
| CN103280423A (zh) * | 2013-05-29 | 2013-09-04 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种机械式拆键合工艺及系统 |
| WO2016007582A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Gtat Corporation | Support substrate for ion beam exfoliation of a crystalline lamina |
| TWI609445B (zh) * | 2014-12-04 | 2017-12-21 | 財團法人工業技術研究院 | 複層基板分離裝置及複層基板分離方法 |
| US9751293B2 (en) | 2014-12-04 | 2017-09-05 | Industrial Technology Research Institute | Laminated substrate separating device and method for separating laminated substrate |
| KR20160125585A (ko) * | 2015-04-21 | 2016-11-01 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| CN107352503A (zh) * | 2016-05-09 | 2017-11-17 | 江苏英特神斯科技有限公司 | 一种硅基绝缘层上多晶硅介质与玻璃的阳极键合方法及其应用 |
| JP6991673B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2022-01-12 | 株式会社ディスコ | 剥離方法 |
| CN110582165B (zh) * | 2018-06-11 | 2024-05-28 | 深圳长城开发科技股份有限公司 | 一种用于从印刷电路板分离集成电路的装置 |
| FR3093858B1 (fr) * | 2019-03-15 | 2021-03-05 | Soitec Silicon On Insulator | Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support |
| JP7262903B2 (ja) * | 2019-08-26 | 2023-04-24 | 株式会社ディスコ | キャリア板の除去方法 |
| US12550652B2 (en) * | 2023-04-10 | 2026-02-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Wafer edge trimming process including water jet and wedge separation and methods thereof |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521338A (ja) * | 1990-08-03 | 1993-01-29 | Canon Inc | 半導体部材及び半導体部材の製造方法 |
| JPH06151789A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-05-31 | Canon Inc | 半導体基体の形成方法 |
| JPH07211602A (ja) * | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Canon Inc | 半導体基体の製造方法 |
| JPH07211876A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Canon Inc | 半導体基体の作成方法 |
| JPH07302889A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-11-14 | Canon Inc | 半導体基板の作製方法 |
| JPH09237884A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Canon Inc | 半導体基板の作製方法 |
| JPH10270669A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Canon Inc | 半導体基材の製造方法 |
| JPH115064A (ja) * | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Canon Inc | 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2725074B1 (fr) * | 1994-09-22 | 1996-12-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'une structure comportant une couche mince semi-conductrice sur un substrat |
| US5869386A (en) * | 1995-09-28 | 1999-02-09 | Nec Corporation | Method of fabricating a composite silicon-on-insulator substrate |
| WO1997027621A1 (en) * | 1996-01-26 | 1997-07-31 | Sibond, L.L.C. | Selective-etch edge trimming process for manufacturing semiconductor-on-insulator wafers |
| SG67458A1 (en) * | 1996-12-18 | 1999-09-21 | Canon Kk | Process for producing semiconductor article |
| DE69738307T2 (de) * | 1996-12-27 | 2008-10-02 | Canon K.K. | Herstellungsverfahren eines Halbleiter-Bauelements und Herstellungsverfahren einer Solarzelle |
| CA2232796C (en) * | 1997-03-26 | 2002-01-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Thin film forming process |
| CA2233115C (en) * | 1997-03-27 | 2002-03-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor substrate and method of manufacturing the same |
| JP3754818B2 (ja) | 1997-03-27 | 2006-03-15 | キヤノン株式会社 | 半導体基板の作製方法 |
| JPH10275905A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Mitsubishi Electric Corp | シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ |
-
1999
- 1999-02-02 JP JP11025484A patent/JP2000223683A/ja active Pending
-
2000
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-
2002
- 2002-02-21 US US10/081,068 patent/US20020081822A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0521338A (ja) * | 1990-08-03 | 1993-01-29 | Canon Inc | 半導体部材及び半導体部材の製造方法 |
| JPH06151789A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-05-31 | Canon Inc | 半導体基体の形成方法 |
| JPH07211602A (ja) * | 1994-01-13 | 1995-08-11 | Canon Inc | 半導体基体の製造方法 |
| JPH07211876A (ja) * | 1994-01-21 | 1995-08-11 | Canon Inc | 半導体基体の作成方法 |
| JPH07302889A (ja) * | 1994-03-10 | 1995-11-14 | Canon Inc | 半導体基板の作製方法 |
| JPH09237884A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-09 | Canon Inc | 半導体基板の作製方法 |
| JPH10270669A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-09 | Canon Inc | 半導体基材の製造方法 |
| JPH115064A (ja) * | 1997-06-16 | 1999-01-12 | Canon Inc | 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004527400A (ja) * | 2001-04-10 | 2004-09-09 | エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース | 基板の層を切断するための装置及びその方法 |
| KR20030003110A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 캐논 가부시끼가이샤 | 부재의 분리방법 및 분리장치 |
| US7155406B2 (en) * | 2002-03-04 | 2006-12-26 | Total Soft Bank, Ltd. | Scheduling method for loading and unloading containers at the terminal and a computer readable recording medium recorded a computer programming of the same |
| US7208058B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-04-24 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | SOI substrate and manufacturing method thereof |
| WO2014200827A1 (en) * | 2013-06-13 | 2014-12-18 | Yan Ye | Methods and apparatuses for delaminating process pieces |
| US9624597B2 (en) | 2013-06-13 | 2017-04-18 | Yan Ye | Methods and apparatuses for delaminating process pieces |
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