JPH115064A - 試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法 - Google Patents

試料の分離装置及びその方法並びに基板の製造方法

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JPH115064A
JPH115064A JP9159038A JP15903897A JPH115064A JP H115064 A JPH115064 A JP H115064A JP 9159038 A JP9159038 A JP 9159038A JP 15903897 A JP15903897 A JP 15903897A JP H115064 A JPH115064 A JP H115064A
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一隆 柳田
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  • Separation Using Semi-Permeable Membranes (AREA)
  • Centrifugal Separators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】多孔質層を有する基板を多孔質層で分離する装
置を提供する。 【解決手段】多孔質層４２０ｂを有する貼り合わせ基板
４２０を基板保持部４０４及び４０６により回転させな
がら支持する。噴射ノズル４１８から高速、高圧の液体
又は水（ジェット構成媒体）を噴射し、そのジェットを
案内部４１５を介して貼り合わせ基板４２０に狭入させ
る。この案内部４１５は、ジェットが貼り合わせ基板４
２０の貼り合わせ面付近に集中するように、モータ４１
７によりｘ軸方向の位置を調整される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、試料の分離装置及
びその方法並びに基板の製造方法に係り、特に、内部に
脆弱構造部を有する試料を分離する分離装置及びその方
法並びに該分離装置を使用した基板の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】絶縁層上に単結晶Ｓｉ層を有する基板と
して、ＳＯＩ（silicon on insulator）構造を有する基
板（ＳＯＩ基板）が知られている。このＳＯＩ基板を採
用したデバイスは、通常のＳｉ基板では達成し得ない数
々の優位点を有する。この優位点としては、例えば、以
下のものが挙げられる。 （１）誘電体分離が容易で高集積化に適している。 （２）放射線耐性に優れている。 （３）浮遊容量が小さく、素子の動作速度の高速化が可
能である。 （４）ウェル工程が不要である。 （５）ラッチアップを防止できる。 （６）薄膜化による完全な空乏型電解効果トランジスタ
の形成が可能である。
【０００３】ＳＯＩ構造は、上記のような様々な優位点
を有するため、ここ数十年、その形成方法に関する研究
が進められてきた。
【０００４】ＳＯＩ技術としては、古くは、単結晶サフ
ァイア基板上にＳｉをＣＶＤ（化学気層成長）法でヘテ
ロエピタキシ成長させて形成するＳＯＳ（silicon on s
apphire）技術が知られている。このＳＯＳ技術は、最
も成熟したＳＯＩ技術として一応の評価を得たものの、
Ｓｉ層と下地のサファイア基板との界面における格子不
整合による大量の結晶欠陥の発生、サファイア基板を構
成するアルミニウムのＳｉ層への混入、基板の価格、大
面積化への遅れ等の理由により実用化が進んでいない。
【０００５】ＳＯＳ技術に次いで、ＳＩＭＯＸ（separa
tion by ion implanted oxygen）技術が登場した。この
ＳＩＭＯＸ技術に関して、結晶欠陥の低減や製造コスト
の低減等を目指して様々な方法が試みられてきた。この
方法としては、基板に酸素イオンを注入して埋め込み酸
化層を形成する方法、酸化膜を挟んで２枚のウェハを貼
り合わせて一方のウェハを研磨又はエッチングして、薄
い単結晶Ｓｉ層を酸化膜上に残す方法、更には、酸化膜
が形成されたＳｉ基板の表面から所定の深さに水素イオ
ンを打ち込み、他方の基板と貼り合わせた後に、加熱処
理等により該酸化膜上に薄い単結晶Ｓｉ層を残して、貼
り合わせた基板（他方の基板）を剥離する方法等が挙げ
られる。
【０００６】本出願人は、特開平５−２１３３８号にお
いて、新たなＳＯＩ技術を開示した。この技術は、多孔
質層が形成された単結晶半導体基板上に非多孔質単結晶
層（ＳｉＯ2）を形成した第１の基板を、絶縁層（Ｓｉ
Ｏ2）を介して第２の基板に貼り合わせ、その後、多孔
質層で両基板を分離し、第２の基板に非多孔質単結晶層
を移し取るものである。この技術は、ＳＯＩ層の膜厚均
一性が優れていること、ＳＯＩ層の結晶欠陥密度を低減
し得ること、ＳＯＩ層の表面平坦性が良好であること、
高価な特殊仕様の製造装置が不要であること、数１００
Å〜１０μｍ程度の範囲のＳＯＩ膜を有するＳＯＩ基板
を同一の製造装置で製造可能なこと等の点で優れてい
る。
【０００７】更に、本出願人は、特開平７−３０２８８
９号において、上記の第１の基板と第２の基板とを貼り
合わせた後に、第１の基板を破壊することなく第２の基
板から分離し、その後、分離した第１の基板の表面を平
滑にして再度多孔質層を形成し、これを再利用する技術
を開示した。この技術は、第１の基板を無駄なく使用で
きるため、製造コストを大幅に低減することができ、製
造工程も単純であるという優れた利点を有する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記の技術において
は、貼り合わせた２枚の基板を分離する際に、両基板の
破損がなく、また、パーティクルの発生による製造装置
等の汚染が少ないことが要求される。
【０００９】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであり、基板等の試料の分離に好適な分離装置及びそ
の方法並びに該分離装置を構成する部品及び該分離装置
を用いた基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る試料の分離
装置は、内部に脆弱構造部を有する試料を分離する分離
装置であって、液体又は気体を束状にして噴射する噴射
部と、前記噴射部より噴射された液体又は気体の束を試
料の脆弱構造部付近に集中させる案内部とを備え、脆弱
構造部で試料を分離することを特徴とする。
【００１１】上記の分離装置において、前記案内部は、
前記噴射部より噴射される液体又は気体の束の幅を所定
幅に絞って試料の脆弱構造部付近に集中させることが好
ましい。
【００１２】上記の分離装置において、前記案内部は、
前記噴射部より噴射される液体又は気体の束の幅を絞る
開口部を有し、前記開口部の入口の幅は、前記噴射部よ
り噴射される液体又は気体の束の幅よりも広いことが好
ましい。
【００１３】上記の分離装置において、分離する対象と
なる試料は、脆弱構造部のうち外部に露出した部分に向
かって窪んだ溝を有し、前記開口部の出口の幅は、前記
溝の幅よりも狭いことが好ましい。
【００１４】上記の分離装置において、分離する対象と
なる試料は、脆弱構造部のうち外部に露出した部分に向
かって窪んだ溝を有することが好ましい。
【００１５】上記の分離装置において、前記溝の断面
は、略Ｖ型の形状を有することが好ましい。
【００１６】上記の分離装置は、前記案内部と試料との
位置関係を調整する調整機構を更に備えることが好まし
い。
【００１７】上記の分離装置において、前記調整機構
は、前記案内部を移動させることにより、前記案内部と
前記試料との位置関係を調整することが好ましい。
【００１８】上記の分離装置は、前記案内部と試料との
位置関係を調整する調整機構を更に備え、前記調整機構
は、前記案内部を介して噴射される液体又は気体の束が
前記溝内に集中されるように、前記案内部と試料との位
置関係を調整することが好ましい。
【００１９】上記の分離装置において、前記調整機構
は、前記案内部を移動させることにより、前記案内部と
前記試料との位置関係を調整することが好ましい。
【００２０】上記の分離装置は、試料を支持する支持機
構を更に備えることが好ましい。
【００２１】上記の分離装置において、分離する対象と
なる試料は、脆弱構造部が略平面をなし、前記支持機構
は、前記案内部を介して噴射される液体又は気体の束
が、脆弱構造部がなす面を面方向に貫くように試料を支
持することが好ましい。
【００２２】上記の分離装置において、前記支持機構
は、脆弱構造部がなす面と略垂直方向に設けられた軸を
中心にして試料を回転させる回転機構を有し、試料を回
転させながら支持することが好ましい。
【００２３】上記の分離装置において、前記案内部は、
試料を支持するための支持部に設けられていることが好
ましい。
【００２４】上記の分離装置において、前記支持部は、
試料を両側から挟むようにして保持する２つの保持部を
有し、前記案内部は、該２つの保持部が対向する部分の
隙間によって構成されていることが好ましい。
【００２５】上記の分離装置において、前記２つの保持
部が対向する部分には傾斜面を形成し、対向する該傾斜
面により、前記噴射部より噴射される液体又は気体の束
の幅を所定幅に絞って試料の脆弱構造部付近に集中させ
ることが好ましい。
【００２６】上記の分離装置において、分離する対象と
なる試料は、円盤状の形状をなし、前記２つの保持部が
対向する部分は円環状の外周部を構成し、該外周部の内
側に試料を保持することが好ましい。
【００２７】上記の分離装置において、前記保持部は、
液体又は気体の圧力により試料が反ることが可能な状態
で該試料を保持することが好ましい。
【００２８】上記の分離装置において、前記支持機構
は、分離する対象となる試料としての基板を保持する保
持部を有することが好ましい。
【００２９】上記の分離装置において、前記２つの保持
部は、例えば、分離する対象となる試料としての基板を
保持する保持部である。
【００３０】上記の分離装置において、前記基板は、脆
弱構造部として多孔質層を有することが好ましい。
【００３１】本発明に係る誘導装置は、束状の液体又は
気体を噴射して内部に脆弱構造部を有する試料を分離す
る方法に適用する、液体又は気体の誘導装置であって、
噴射部より噴射された液体又は気体の束を試料の脆弱構
造部付近に集中させる案内部を備えることを特徴とす
る。
【００３２】上記の誘導装置において、前記案内部は、
前記噴射部より噴射される液体又は気体の束の幅を所定
幅に絞って試料の脆弱構造部付近に集中させることが好
ましい。
【００３３】上記の誘導装置において、前記案内部は、
前記噴射部より噴射される液体又は気体の束の幅を絞る
開口部を有し、前記開口部の入口の幅は、前記噴射部よ
り噴射される液体又は気体の幅よりも広いことが好まし
い。
【００３４】上記の誘導装置において、分離する対象と
なる試料は、脆弱構造部のうち外部に露出した部分に向
かって窪んだ溝を有し、前記開口部の出口の幅は、前記
溝の幅よりも狭いことが好ましい。
【００３５】上記の誘導装置において、分離する対象と
なる試料は、脆弱構造部のうち外部に露出した部分に向
かって窪んだ溝を有することが好ましい。
【００３６】上記の誘導装置において、前記溝の断面
は、Ｖ型の形状を有することが好ましい。
【００３７】上記の誘導装置は、前記噴射部及び試料の
保持機構を備える試料の分離装置に連結する連結部と、
前記案内部と試料との位置関係を調整する調整機構とを
更に備えることが好ましい。
【００３８】本発明に係る試料の支持装置は、束状の液
体又は気体を噴射して内部に脆弱構造部を有する試料を
分離する方法に適用する試料の支持装置であって、試料
を両側から挟むようにして保持する２つの保持部を備
え、該２つの保持部が対向する部分の隙間によって、噴
射部より噴射された液体又は気体の束を試料の脆弱構造
部付近に集中させる案内部が構成されていることを特徴
とする。
【００３９】上記の支持装置において、前記２つの保持
部が対向する部分には傾斜面を形成し、対向する該傾斜
面により、噴射部より噴射された液体又は気体の束を所
定の幅に絞って試料の脆弱構造部付近に集中させること
が好ましい。
【００４０】上記の支持装置において、支持する対象と
なる試料は、円盤状の形状をなし、前記２つの保持部が
対向する部分は円環状の外周部を構成し、該外周部の内
側に試料を保持することが好ましい。
【００４１】上記の支持装置において、前記保持部は、
液体又は気体の圧力により試料が反ることが可能な状態
で該試料を保持することが好ましい。
【００４２】上記の支持装置において、支持する対象と
なる試料は、脆弱構造部のうち外部に露出した部分に向
かって窪んだ溝を有することが好ましい。
【００４３】上記の支持装置において、前記溝の断面
は、Ｖ型の形状を有することが好ましい。
【００４４】上記の支持装置において、支持する対象と
なる試料は、例えば基板である。
【００４５】上記の支持装置において、前記基板は、例
えば脆弱構造部として多孔質層を有することが好まし
い。
【００４６】本発明に係る試料の分離方法は、上記の分
離装置を使用して脆弱構造部で試料を分離することを特
徴とする。
【００４７】上記の分離方法では、例えば、前記噴射部
から噴射させる液体として水を使用することが好まし
い。
【００４８】本発明に係る基板の分離方法は、一方の面
に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の
前記非多孔質層側を第２の基板に貼り合わせてなる基板
を前記非多孔質層で分離する方法であって、その分離に
際して、上記の分離装置を使用することを特徴とする。
【００４９】本発明に係る基板の製造方法は、一方の面
に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の
前記非多孔質層側を第２の基板に貼り合わせる工程と、
貼り合わせた基板を前記非多孔質層で分離する分離工程
とを含む基板の製造方法であって、前記分離工程におい
て、上記の分離装置を使用することを特徴とする。
【００５０】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の好適な実施の形態を説明する。
【００５１】図１は、本発明の好適な実施の形態に係る
ＳＯＩ基板の製造を方法を工程順に説明する図である。
【００５２】図１（ａ）に示す工程では、単結晶Ｓｉ基
板１１を準備して、その表面に陽極化成等により多孔質
Ｓｉ層１２を形成する。次いで、図１（ｂ）に示す工程
では、多孔質Ｓｉ層１２上に非多孔質単結晶Ｓｉ層１３
をエピタキシャル成長法により形成する。これにより、
第１の基板（）が形成される。
【００５３】図１（ｃ）に示す工程では、先ず、単結晶
Ｓｉ基板１４の表面に絶縁層（例えば、ＳｉＯ２層）１
５を形成した第２の基板（）を準備し、第１の基板
（）と第２の基板（）とを、非多孔質単結晶Ｓｉ層
１３と絶縁層１５とが面するように室温で密着させる。
その後、陽極接合、加圧若しくは熱処理又はこれらを組
合わせた処理により第１の基板（）と第２の基板
（）とを貼り合わせる。この処理により、非多孔質単
結晶Ｓｉ層１３と絶縁層１５が強固に結合される。な
お、絶縁層１５は、上記のように単結晶Ｓｉ基板１４側
に形成しても良いし、非多孔質単結晶Ｓｉ層１３上に形
成しても良く、両者に形成しても良いく、結果として、
第１の基板と第２の基板を密着させた際に、図１（ｃ）
に示す状態になれば良い。
【００５４】図１（ｄ）に示す工程では、貼り合わせた
２枚の基板を、多孔質Ｓｉ層１２の部分で分離する。こ
れにより、第２の基板側（''＋）は、多孔質Ｓｉ層
１２''／単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基
板１４の積層構造となる。一方、第１の基板側（'）
は、単結晶Ｓｉ基板１１上に多孔質１２’を有する構造
となる。
【００５５】分離後の基板（’）は、残留した多孔質
Ｓｉ層１２’を除去し、必要に応じて、その表面を平坦
化することにより、再び第１の基板（）を形成するた
めの単結晶Ｓｉ基板１１として使用される。
【００５６】貼り合わせた基板を分離した後、図１
（ｅ）に示す工程では、第２の基板側（''＋）の表
面の多孔質層１２''を選択的に除去する。これにより、
単結晶Ｓｉ層１３／絶縁層１５／単結晶Ｓｉ基板１４の
積層構造、すなわち、ＳＯＩ構造を有する基板が得られ
る。
【００５７】この実施の形態においては、図１（ｄ）に
示す工程、すなわち、貼り合わせた２枚の基板（以下、
貼り合わせ基板）を分離する工程において、分離領域で
ある多孔質Ｓｉ層に対して、選択的に高圧の液体又は気
体を噴射することにより該分離領域で基板を２枚に分離
する分離装置を使用する。
【００５８】［分離装置の第１の構成例］図２は、本発
明の好適な実施の形態に係る分離装置の概略構成を示す
断面図である。この分離装置１００は、ウォータージェ
ット法を適用したものである。一般に、ウォータジェッ
ト法は、水を高速、高圧の束状の流れにして対象物に対
して噴射して、加工、表面の塗膜の除去、表面の洗浄等
を行う方法である（ウォータージェット第１巻１号第４
ページ参照）。
【００５９】この分離装置１００は、貼り合わせ基板の
多孔質層（分離領域）に対して、基板の面方向に、高
速、高圧の液体又は気体を束状の流れにして噴射して、
多孔質層を選択的に崩壊させることにより、多孔質層の
部分で基板を分離するものである。以下では、この束状
の流れを「ジェット」という。また、ジェットを構成す
る液体又は気体を「ジェット構成媒体」という。ジェッ
ト構成媒体としては、水、アルコール等の有機溶媒、弗
酸、硝酸その他の酸、水酸化カリウムその他の酸、空
気、窒素ガス、炭酸ガス、希ガス、エッチングガスその
他の気体を使用し得る。
【００６０】この分離装置１００は、真空チャックを備
えた基板保持部４０４，４０６を有し、この基板保持部
４０４，４０６により貼り合わせ基板４２０を両側から
挟むようにして保持する。貼り合わせ基板４２０は、内
部に脆弱な構成部である多孔質層４２０ｂを有し、この
分離装置１００により、この多孔質層４２０ｂの部分で
２つの基板４２０ａ，４２０ｃに分離される。この分離
装置１００においては、例えば、基板４２０ａが図１に
おける第１の基板側（’）、基板４２０ｃが図１にお
ける第２の基板側（''＋）になるようにセットす
る。
【００６１】基板保持部４０４は、ベアリング４０５を
介して支持台４０１に回転可能に軸支された回転軸４０
３の一端に連結され、この回転軸４０３の他端はモータ
４０２の回転軸に連結されている。したがって、モータ
４０２が発生する回転力により、基板保持部４０４に真
空吸着された貼り合わせ基板４２０が回転することにな
る。このモータ４０２は、貼り合わせ基板４２０の分離
の際に、不図示の制御器からの命令に従って、指定され
た回転速度で回転軸４０２を回転させる。
【００６２】基板保持部４０６は、ベアリング４０７を
介して支持台４０１に回転可能に軸支された回転軸４０
８の一端に連結され、この回転軸４０８の他端には、圧
縮バネ４０９が取り付けられている。したがって、貼り
合わせ基板４２０は、圧縮バネ４０９により、基板４２
０ａと基板４２０ｂが離隔される方向（ｘ軸方向）に力
を受ける。その結果、貼り合わせ基板２４０が噴射ノズ
ル４１８からのジェットにより基板４２０ａ側と基板４
２０ｃ側とに分離された場合に、基板４２０ａ側はｘ軸
方向に移動して基板４２０ｃ側から引き離される。
【００６３】また、基板保持部４０６には、貼り合わせ
基板４２０が分離されてない状態では、貼り合わせ基板
４２０を介して回転軸４０３の回転力が伝達され、その
結果、回転軸４０３、基板保持部４０４、貼り合わせ基
板４２０、基板保持部４０６、回転軸４０８及び圧縮バ
ネ４０９は、一体化して回転する。そして、貼り合わせ
基板４２０が２枚の基板に分離されることにより、回転
軸４０８は静止することになる。
【００６４】回転軸４０８の後端側（ｘ軸方向）には、
エアーシリンダ４１１が設けられている。このエアーシ
リンダ４１１は、貼り合わせ基板４２０を基板保持部４
０４及び４０６により保持させる際に、ピストンロッド
４１０により回転軸４０８の後端を圧縮バネ４０９を圧
縮する方向（ｘ軸の負方向）に押し出す（図２に示す状
態）。そして、真空チャックにより貼り合わせ基板４２
０を吸着した後に、エアーシリンダ４１１は、ピストン
ロッド４１０を収容（ｘ軸方向に移動）して、貼り合わ
せ基板４２０の分離処理が可能な状態にする。すなわ
ち、エアーシリンダ４１１は、貼り合わせ基板４２０を
基板保持部４０４及び５０６にセットする際にピストン
ロッド４１０を押し出し、セットが完了したらピストン
ロッド４１０を収容する。
【００６５】この分離装置１００に貼り合わせ基板４２
０をセットするには、ベアリング４１３，４１４により
回転可能に支持台４０１に軸支された位置合せ軸４１２
の溝部４１２ａに貼り合わせ基板４２０を載置し、その
後、前述のように、ピストンロッド４１０を押し出すこ
とによより、基板保持部４０６を貼り合わせ基板４２０
に当接させ、この状態（図２に示す状態）で、基板保持
部４０４及び４０６の真空チャックを作動させれば良
い。
【００６６】ここで、位置合せ軸４１２は、ｙ軸方向に
２つ設けることが好ましく、この場合、貼り合わせ基板
４２０を２本の位置合せ軸４１２上に載置するだけで、
ｘ，ｙ，ｚの３方向に関する貼り合わせ基板４２０の位
置を規定することができる。したがって、手作業により
貼り合わせ基板４２０のセットが容易になる他、搬送ロ
ボットを採用する場合において、その搬送ロボットの構
成を簡略化することができる。
【００６７】一方、分離処理が完了した各基板を取り出
すには、分離処理の完了により、基板４２０ａ側がｘ軸
方向に移動し、両基板が引き離された後に、例えば、搬
送ロボットにより２枚の基板を夫々把持し、その後、基
板保持部４０４及び４０６の真空チャックによる吸着を
解除すれば良い。
【００６８】貼り合わせ基板４２０をセットした後に、
不図示の制御器は、案内部４１５の排出口の位置が貼り
合わせ基板４２０の貼り合わせ面付近の上に位置するよ
うに案内部４１５を位置決めする。案内部４１５は、ｘ
軸方向に移動可能に支持台４０１に緩挿された支持ロッ
ド４１６に連結されており、モータ４１７により、その
位置を微調整される。
【００６９】ポンプ４１９は、貼り合わせ基板４２０の
分離処理の際に、ジェット構成媒体（例えば、水）を圧
縮して噴射ノズル４１８に送り込み、これにより噴射ノ
ズル４１８から高速、高圧のジェットが案内部４１５の
注入口に向かって噴射される。
【００７０】この際、案内部４１５の排出口は、貼り合
わせ基板４２０の貼り合わせ面付近の上に位置決めされ
ているため、案内部４１５の排出口から排出されるジェ
ットは、貼り合わせ基板４２０の貼り合わせ面付近に集
中して挟入されることになる。
【００７１】図３〜図５は、案内部、噴射ノズル及び貼
り合わせ基板を拡大した図である。案内部４１５は、注
入口４１５ａから排出口４１５ｂに向かって、徐々に幅
が小さくなる開口部４１５ｃを有し、この開口部４１５
ｃにより、噴射ノズル４１８から噴射されるジェット４
３０が貼り合わせ基板４２０に挟入される位置を修正す
る。図６は、貼り合わせ面と噴射ノズル４１８の中心と
の距離がずれている状態を示す図である。図６に示す状
態であっても、噴射ノズル４１８から噴射されたジェッ
ト４３０は、開口部４１５ｃの壁面に衝突してその方向
が修正されて、排出口４１５ｂから排出される。すなわ
ち、この案内部４１５を設けることにより、噴射ノズル
４１８は、案内部４１５の注入口４１５ａ上に位置する
ように制御すれば十分となる。なお、ジェットの運動エ
ネルギーは、開口４１５ｃの壁面への衝突により低下す
るため、その低下分を考慮してポンプ４１９を制御する
必要がある。
【００７２】貼り合わせ基板４２０は、外周部に、貼り
合わせ面に向かって窪んだＶ型溝４２０ｄを有すること
が望ましい。このようなＶ型溝４２０ｄは、第１の基板
（図１の）を構成する単結晶Ｓｉ基板及び第２の基板
（図１の）を構成する単結晶Ｓｉ基板として、面取り
加工の施された基板を使用することにより容易に形成す
ることができる。このＶ型溝４２０ｄの存在により、ジ
ェット４３０が効率的に貼り合わせ基板４２０に挟入さ
れる。
【００７３】図１３は、Ｖ型溝の有無による貼り合わせ
基板に作用する力の違いを模式的に示す図である。図１
３（ａ）は、Ｖ型溝４２０ｄが形成された貼り合わせ基
板、図１３（ｂ）は、Ｖ型溝が形成されていない貼り合
わせ基板を示している。Ｖ型溝４２０ｄが存在する場合
には、矢印ａ，ａ’に示すように、貼り合わせ基板４２
０を分離する方向にジェットの力が作用する。一方、Ｖ
型溝が存在しない場合には、矢印ｂ，ｂ’に示すよう
に、貼り合わせ基板４２０を両側から内部に向かって圧
縮する方向に力が作用する。この場合、多孔質層４２０
ｂの外周部（露出部）が破壊されることにより、その破
壊された部分にＶ型若しくは凹型の溝が形成されるま
で、貼り合わせ基板４２０を分離する方向への力が作用
しにくい。したがって、Ｖ型溝を形成した方が、貼り合
わせ基板を分離が容易になると言える。
【００７４】また、貼り合わせ基板の外周部が薄膜で覆
われているような場合にもＶ型溝４２０ｄは効果的に作
用する。すなわち、Ｖ型溝の存在により、貼り合わせ基
板を分離する方向に力が作用するため、この力により効
率的に当該薄膜を破壊することができる。
【００７５】貼り合わせ基板４２０に挟入されたジェッ
トは、貼り合わせ基板４２０を分離するための領域（分
離領域）である多孔質層４２０ｂを選択的に崩壊させ、
他の部分には殆ど損傷を与えることない。これは、多孔
質層４２０ｂ（図１においては、多孔質層１２）は、そ
れに接する単結晶Ｓｉ基板（基板４２０ａの表面、図１
においては単結晶Ｓｉ基板１１）や絶縁層（基板４２０
ｃの表面、図１においては絶縁層１３）に比べて、極め
て脆弱な構成を有するからである。
【００７６】注入口４１５ａの形状は、図３〜図５に示
すように矩形であっても良いが、他の形状であっても良
い。すなわち、注入口４１５ａの形状は、噴射ノズル４
１８から噴射されるジェットを開口部４１５ｃ内に導入
できる形状であれば十分である。
【００７７】排出口４１５ｂの形状は、分離領域が直線
状であるため、貼り合わせ基板４２０の面方向（ｙ軸方
向）に細長く延びた矩形であることが望ましい。また、
貼り合わせ基板４２０の軸方向（ｘ軸方向）に関しての
排出口４１５ｂの幅ｔｊは、貼り合わせ基板４２０の外
周部に形成されたＶ型溝４２０ｄの幅ｔｓよりも狭いこ
とが望ましい。これによりジェットの幅を絞ってＶ型溝
４２０ｄに集中させ、ジェットを効率的に利用すること
ができる。
【００７８】また、貼り合わせ基板４２０の軸方向（ｘ
軸方向）における排出口４１５ｂの位置は、その中心部
が貼り合わせ基板４２０の分離領域、すなわち、多孔質
層４２０ｂの中心に略一致するように、モータ４１７を
制御することが望ましい。これにより、排出口４１５ｂ
から排出されるジェットを効率的に利用することができ
る。
【００７９】さらに、案内部４１５が貼り合わせ基板４
２０に対向する面は、図４に示すように、貼り合わせ基
板４２０の円弧に沿った形状にすることが望ましい。こ
れにより、排出口４１５ｂから排出されるジェットを効
率的に利用することができる。
【００８０】案内部４１５の開口４１５ｃの断面形状
は、上記の開口４１５ｃのように、案内部の構成部材を
楔状にくり貫いた形状に限定されるものではない。図７
及び図８は、案内部の他の断面形状の例を示す図であ
る。
【００８１】この分離装置１００は、ジェットを用いて
貼り合わせ基板を分離するため、例えば、以下のような
利点を有する。 （１）基板の分離のために液体又は気体（ジェット構成
媒体）を使用するため、基板の分離面の損傷が少ない。 （２）パーティクルの発生や飛散が少ない。 （３）分離面に対して垂直方向に作用する力の面内均一
性が高い。 （４）分離処理を高速化することができる。 （５）分離処理により生じる対向する分離面の狭い間隙
にジェット構成媒体（例えば、水）が容易に入り込むた
め、大面積の貼り合わせ基板の分離が容易である。 （６）多数枚同時処理が容易である。 （７）ジェットの制御（例えば、圧力、径等）の自由度
が大きいため種々の貼り合わせ基板に対応することが容
易である。 （８）加熱処理等が不要であり、通常の環境化（例え
ば、常温、常圧）で処理できる。
【００８２】なお、ジェットによる分離方法を採用する
場合、噴射ノズルから噴射されるジェットを貼り合わせ
基板に直接挟入させる構成（以下、直接方式）も有効で
あり、本発明は係る構成を排除するものではない。しか
しながら、この分離装置１００は、噴射ノズル４１８か
ら噴射されたジェットを貼り合わせ基板に挟入させる位
置を調整する案内部４１５を設けたことにより、直接方
式の分離装置に対して、例えば、以下の優位点を有す
る。 （９）噴射ノズルの位置を調整する駆動機構又は基板の
保持部の位置を調整する駆動機構として、精度の低い駆
動機構を採用することができるため、分離装置全体の構
成を単純化することができると共に分離装置のコストを
低減することができる。
【００８３】具体的には、ジェットによる分離方法にお
いては、噴射ノズルから噴射されるジェットを貼り合わ
せ基板に挟入させる位置を高精度に位置合せする必要が
ある。例えば、汎用のウォータージェット装置を改造し
て使用した場合、ジェットの径は通常０．１〜０．３ｍ
ｍであり、これは貼り合わせ基板の分離のために十分な
細さである。従って、噴射ノズルの駆動機構又は貼り合
わせ基板の保持部の駆動機構の精度を高めることによ
り、十分な位置合せの精度が得られる。しかしながら、
噴射ノズルや基板の保持部の駆動機構として高精度な駆
動機構を設けると、分離装置の構成が複雑になると共に
高価なものになる。一方、この分離装置１００に拠れ
ば、単純かつ小型の案内部４１５によりジェットと貼り
合わせ基板との位置合せを行うため、噴射ノズルの駆動
機構又は貼り合わせ基板の保持部の駆動機構として高精
度の駆動機構を設ける必要がなくなる。 （１０）直接方式の分離装置を用いた場合によりも分離
処理を高速化することが容易である。
【００８４】具体的には、一般的な噴射ノズルを組み込
んで分離装置を構成する場合に、分離処理を高速化する
手段としては、ジェットの流量を高めることが考えられ
る。ジェットの流量を高める方法としては、ジェットの
径を大きくする方法と、ジェットの速度を高速化する方
法とが考えられる。しかしながら、前者の方法において
は、ジェットの径が貼り合わせ基板のＶ型溝の幅を越え
ると、流量の増大による効果は殆ど得られないばかり
か、例えば、貼り合わせ基板を振動させてしまうといっ
た問題が発生し得る。また、後者の場合においては、ジ
ェットの速度の増加に伴ってジェットの圧力が高くなる
ため、貼り合わせ基板を破損させる危険性が高くなる。
【００８５】一方、この分離装置１００に拠れば、貼り
合わせ基板の軸方向に関してのジェットの幅を制限しつ
つジェットの流量を高めることが容易である。したがっ
て、貼り合わせ基板の分離処理を高速化することが容易
である。
【００８６】［分離装置の第２の構成例］この分離装置
は、第１の構成例に係る分離装置の案内部の構造を改良
したものであって、他の部分の構成は第１の構成例と同
様である。図９〜図１１は、第２の構成例に係る分離装
置の案内部の概略構成を示す図である。
【００８７】この構成例に係る案内部４１５’は、貼り
合わせ基板４２０に対向する面に、貼り合わせ基板４２
０から溢れたジェット構成媒体（例えば、水等の液体）
を側方に効率的に排出するための排出溝４１５ｄを有す
る。
【００８８】［分離装置の第３の構成例］この実施の形
態に係る分離装置は、案内部と基板保持部とを一体化
し、貼り合わせ基板と案内部との位置合せを不要にした
ものである。
【００８９】図１２は、第３の構成例に係る分離装置の
概略構成を示す断面図である。なお、第１の構成例に係
る分離装置１００と同様の部材には同一の符号を付し、
その説明を省略する。
【００９０】この分離装置１００’は、円盤状の基板保
持部４０４’及び４０６’の円環状の外周部にジェット
の案内部を備えている。すなわち、基板保持部４０４’
及び４０６’は、図示のように貼り合わせ基板４２０を
挟んだ状態で、貼り合わせ基板４２０の外周部のＶ型溝
４２０ｄを露出させる案内面４０４ａ及び４０６ａを夫
々有する。この案内面４０４ａ及び４０６ａが構成する
隙間は、前述の開口部４１５ｃと同様に機能し、噴射ノ
ズル４１８から噴射されるジェットを貼り合わせ基板４
２０のＶ型溝４２０ｄに挟入させる。この案内面４０４
ａ及び４０６ａは、円盤状の基板保持部４０４’及び４
０６’の全周にわたって設けられている。また、この案
内面４０４ａ及び４０６ａは、挟入されたジェット構成
媒体を排出する排出口としても機能する。
【００９１】基板保持部４０４’及び４０６’には、貼
り合わせ基板４２０と対向する面に環状溝４０４ｂ及び
４０６ｂが夫々設けられている。この環状溝４０４ｂ及
び４０６ｂは、ジェットの挟入により貼り合わせ基板４
２０の内側から外側に向かって分離力が作用し、貼り合
わせ基板４２０が、その断面において二股状に開く（反
る）ことを許容し、ジェット構成媒体を効率的に排出す
ることを可能にする。
【００９２】貼り合わせ基板４２０を分離装置１００に
セットするには、２つの基板保持部４０４’及び４０
６’が互いに離隔した状態、すなわち、エアシリンダ４
１１のピストンロッド４１０が収容された状態で、例え
ば搬送ロボットにより貼り合わせ基板４２０を基板保持
部４０４’の吸着面に押し当てて、基板保持部４０４’
の真空チャックを作動させる。その後、エアシリンダ４
１１によりピストンロッド４１０を押し出すことによ
り、基板保持部４０６’の吸着面を貼り合わせ基板４２
０に押し当てて、この状態で、基板保持部４０６’の真
空チャックを作動させる。その後、エアシリンダ４１１
によりピストンロッド４１０を収容することにより、分
離処理を開始できる状態になる。
【００９３】分離処理は、モータ４０２により貼り合わ
せ基板４２０を回転させながら、噴射ノズル４１８より
ジェットを噴射することによりなされる。分離処理が完
了すると、第１の構成例に係る分離装置１００の場合と
同様に、基板４２０ａ側が圧縮バネ４０９の作用により
ｘ軸方向に移動し、基板４２０ｃ側から引き離される。
【００９４】分離処理が完了した基板を取り出すには、
例えば、搬送ロボットにより２枚の基板を夫々吸着し、
その後、基板保持部４０４’及び４０６’の真空チャッ
クによる吸着を解除すれば良い。
【００９５】この分離装置１００’に拠れば、貼り合わ
せ基板４２０を基板保持部４０４’及び４０６’にセッ
トするだけで、噴射ノズル４１８から噴射されるジェッ
トが貼り合わせ基板４２０に挟入される位置が、分離領
域（多孔質層）に位置合せされる。したがって、案内手
段の位置を調整するための別途の機構（例えば、第１の
構成例におけるモータ４１７及びその制御機構）を設け
る必要がなく、装置の構成を簡略化することができる。
【００９６】以下、上記の分離装置の適用例として、図
１を参照しながらＳＯＩ基板の製造方法を説明する。
【００９７】［第１の適用例］単結晶Ｓｉ基板１１とし
て、厚さ６２５［μｍ］、直径５［ｉｎｃｈ］、比抵抗
０．０１［Ω・ｃｍ］のＰ型又はＮ型の（１００）単結
晶Ｓｉ基板を準備した。この単結晶Ｓｉ基板１１をＨＦ
溶液に浸漬して陽極化成を施して、厚さ１０［μｍ］、
多孔度（porosity）１５［％］の多孔質層１２を形成し
た（図１（ａ）参照）。陽極化成の条件は次の通りであ
る。
【００９８】 電流密度 ：７［ｍＡ／ｃｍ2］ 陽極化成溶液：ＨＦ：Ｈ2Ｏ：Ｃ2Ｈ5ＯＨ＝１：１：１ 処理時間 ：１１［ｍｉｎ］ 次いで、この基板を酸素雰囲気中で４００［℃］に加熱
し、１時間にわたって酸化させた。この処理により多孔
質Ｓｉ層１２の孔の内壁は熱酸化膜で覆われた。次い
で、多孔質Ｓｉ層１２上にＣＶＤ法により０．３μｍ厚
の単結晶Ｓｉ層１３をエピタキシャル成長させた（図１
（ｂ）参照）。このエピタキシャル成長の条件は次の通
りである。
【００９９】 ソースガス：ＳｉＨ4 キャリアガス：Ｈ2 温度：８５０［℃］ 圧力：１×１０-2［ｔｏｒｒ］ 成長速度：３．３［ｎｍ／ｓｅｃ］ 更に、この単結晶Ｓｉ層（エピタキシャルＳｉ層）１３
上に５００［ｎｍ］のＳｉＯ2層１５を形成した。そし
て、厚さ５００［ｎｍ］のＳｉＯ2層１５を形成した単
結晶Ｓｉ基板１４を別途準備し、ＳｉＯ2層同士を室温
で密着させた後に、温度７００［℃］で２時間の熱処理
を施し、２枚の基板を貼り合わせた（図１（ｃ）参
照）。
【０１００】この貼り合わせ基板を上記の第３の構成例
に係る分離装置１００’にセットし、夫々の装置により
分離処理を行った（図１（ｄ）参照）。この際、ジェッ
ト構成媒体として純水を使用し、ジェットの径を０．２
［ｍｍ］、噴射する水の圧力を２５００［Ｋｇｆ／ｃｍ
2］とした。また、噴射ノズルの位置を貼り合わせ面の
直上から意図的に若干ずらした位置に固定して分離処理
を行った。貼り合わせ基板は、略１回転したところで分
離され、圧縮バネの作用により、２枚の基板が引き離さ
れた。分離された各基板には、傷、割れ、欠損がなかっ
た。
【０１０１】次いで、分離された２つの基板を分離装置
１００’から取り出して、表面の多孔質Ｓｉ層をＨＦ／
ＨＮＯ3／ＣＨ3ＣＯＯＨ系のエッチング液で選択的にエ
ッチングした。単結晶Ｓｉのエッチング速度は極めて低
いため、多孔質Ｓｉ層の下地となっている単結晶Ｓｉ基
板がエッチングされる量は、実用上無視することができ
る。このエッチング処理により、ＳｉＯ2膜１５上に約
０．２μｍの厚さの単結晶Ｓｉ層１３を有するＳＯＩ基
板を形成することができた（図１（ｅ）参照）。
【０１０２】完成したＳＯＩ基板の表面、すなわち、単
結晶Ｓｉ層１５の表面には不良がないことが確認され
た。また、透過型電子顕微鏡により、単結晶Ｓｉ層１５
の断面を観察した結果、結晶欠陥等が発ししておらず、
良好な結晶性が維持されていることが確認された。
【０１０３】なお、図１（ｂ）に示す工程の後に、単結
晶Ｓｉ層（エピタキシャル層）１３側の表面にＳｉＯ2
膜を形成しなかった場合においても、同様に良好なＳＯ
Ｉ基板を形成することができた。
【０１０４】多孔質Ｓｉ層を形成した基板（単結晶Ｓｉ
基板１１）に関しては、表面の多孔質Ｓｉ層を除去し、
表面を平坦化することにより、再度、第１の基板として
使用することができた。なお、上記のように、多孔質Ｓ
ｉ層を除去した基板を第１の基板として再利用する際に
は、周辺部に対して面取り加工を施すことが好ましい。
【０１０５】［第２の適用例］この適用例は、第１の適
用例の分離処理において、第３の構成例に係る分離装置
１００の代わりに、第１又は第２の構成例に係る分離装
置１００を使用したものである。この適用例において
は、ジェット構成媒体として純水を使用し、ジェットの
径を１．０［ｍｍ］、噴射する水の圧力を８５０［Ｋｇ
ｆ／ｃｍ2］とした。また、貼り合わせ基板のＶ型溝の
幅を０．６２５［ｍｍ］、案内部の排出口の幅を０．６
２５［ｍｍ］とした。
【０１０６】上記のように、貼り合わせ基板のＶ型溝の
幅より大きい径のジェットを使用したが、案内部により
ジェットの幅が制限され、ジェットが効率的にＶ型溝に
挟入され、高速に貼り合わせ基板を分離することができ
た。
【０１０７】また、完成したＳＯＩ基板も、第１の適用
例により製造されたＳＯＩ基板と同様に良好なものであ
った。
【０１０８】以上、本発明の好適な実施の形態として、
ＳＯＩ基板の製造に好適な分離装置について説明した
が、本発明に係る分離装置は、他の部材を分離或いは切
断する場合にも使用できる。
【０１０９】分離する対象となる部材は、例えば多孔質
層のように、脆弱な分離領域を有することが好ましい。
【０１１０】以上、特定の実施の形態を挙げて特徴的な
技術的思想を説明したが、本発明は、これらの実施の形
態に記載された事項によって限定されるものではなく、
特許請求の範囲に記載された技術的思想の範囲内におい
て様々な変形をなし得る。
【０１１１】
【発明の効果】本発明に拠れば、分離面の損傷を抑える
と共に装置や試料に対する汚染を低減することができ
る。
【０１１２】また、本発明に拠れば、良好な基板を製造
することができる。
【０１１３】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の好適な実施の形態に係るＳＯＩ基板の
製造を方法を工程順に説明する図である。
【図２】本発明の好適な実施の形態に係る分離装置の概
略構成を示す断面図である。
【図３】案内部、噴射ノズル及び貼り合わせ基板を拡大
した図である。
【図４】案内部、噴射ノズル及び貼り合わせ基板を拡大
した図である。
【図５】案内部、噴射ノズル及び貼り合わせ基板を拡大
した図である。
【図６】貼り合わせ面と噴射ノズルの中心との距離がず
れている状態を示す図である。
【図７】案内部の他の断面形状の例を示す図である。
【図８】案内部の他の断面形状の例を示す図である。
【図９】第２の構成例に係る分離装置の案内部の概略構
成を示す図である。
【図１０】第２の構成例に係る分離装置の案内部の概略
構成を示す図である。
【図１１】第２の構成例に係る分離装置の案内部の概略
構成を示す図である。
【図１２】第３の構成例に係る分離装置の概略構成を示
す断面図である。
【図１３】Ｖ型溝の有無による貼り合わせ基板に作用す
る力の違いを模式的に示す図である。
【符号の説明】
１１ 単結晶Ｓｉ基板 １２，１２’，１２’’ 多孔質Ｓｉ層１２ １３ 非多孔質単結晶Ｓｉ層 １４ 単結晶Ｓｉ基板 １５ 絶縁層 ４０１ 支持台 ４０２ モータ ４０３ 回転軸 ４０４，４０４’ 基板保持部 ４０５，４０５’ ベアリング ４０６，４０６’ 基板保持部 ４０４ａ，４０６ａ 案内面 ４０４ｂ，４０６ｂ 案内面 ４０７ ベアリング ４０８ 回転軸 ４０９ 圧縮バネ ４１０ ピストンロッド ４１１ エアーシリンダ ４１２ 位置合せ軸 ４１３，４１４ ベアリング ４１５，４１５’ 案内部 ４１５ａ，４１５ａ’，４１５ａ’’ 注入口 ４１５ｂ，４１５ｂ’，４１５ｂ’’ 排出口 ４１５ｃ，４１５ｃ’，４１５ｃ’’ 開口部 ４１５ｄ 排出溝 ４１６ 支持ロッド ４１７ モータ ４１８ 噴射ノズル ４１９ ポンプ ４２０ 貼り合わせ基板 ４２０ａ，４２０ｃ 基板 ４２０ｂ 多孔質層 ４２０ｄ Ｖ型溝 ４３０ ジェット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 米原 隆夫 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内

Claims (40)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 内部に脆弱構造部を有する試料を分離す
    る分離装置であって、 液体又は気体を束状にして噴射する噴射部と、 前記噴射部より噴射された液体又は気体の束を試料の脆
    弱構造部付近に集中させる案内部と、 を備え、脆弱構造部で試料を分離することを特徴とする
    分離装置。
  2. 【請求項２】 前記案内部は、前記噴射部より噴射され
    る液体又は気体の束の幅を所定幅に絞って試料の脆弱構
    造部付近に集中させることを特徴とする請求項１に記載
    の分離装置。
  3. 【請求項３】 前記案内部は、前記噴射部より噴射され
    る液体又は気体の束の幅を絞る開口部を有し、前記開口
    部の入口の幅は、前記噴射部より噴射される液体又は気
    体の束の幅よりも広いことを特徴とする請求項１又は請
    求項２に記載の分離装置。
  4. 【請求項４】 分離する対象となる試料は、脆弱構造部
    のうち外部に露出した部分に向かって窪んだ溝を有し、
    前記開口部の出口の幅は、前記溝の幅よりも狭いことを
    特徴とする請求項３に記載の分離装置。
  5. 【請求項５】 分離する対象となる試料は、脆弱構造部
    のうち外部に露出した部分に向かって窪んだ溝を有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
  6. 【請求項６】 前記溝の断面は、略Ｖ型の形状を有する
    ことを特徴とする請求項５に記載の分離装置。
  7. 【請求項７】 前記案内部と試料との位置関係を調整す
    る調整機構を更に備えることを特徴とする請求項１乃至
    請求項６のいずれか１項に記載の分離装置。
  8. 【請求項８】 前記調整機構は、前記案内部を移動させ
    ることにより、前記案内部と前記試料との位置関係を調
    整することを特徴とする請求項７に記載の分離装置。
  9. 【請求項９】 前記案内部と試料との位置関係を調整す
    る調整機構を更に備え、前記調整機構は、前記案内部を
    介して噴射される液体又は気体の束が前記溝内に集中さ
    れるように、前記案内部と試料との位置関係を調整する
    ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の分離装
    置。
  10. 【請求項１０】 前記調整機構は、前記案内部を移動さ
    せることにより、前記案内部と前記試料との位置関係を
    調整することを特徴とする請求項９に記載の分離装置。
  11. 【請求項１１】 試料を支持する支持機構を更に備える
    ことを特徴とする請求項１乃至請求項１０のいずれか１
    項に記載の分離装置。
  12. 【請求項１２】 分離する対象となる試料は、脆弱構造
    部が略平面をなし、前記支持機構は、前記案内部を介し
    て噴射される液体又は気体の束が、脆弱構造部がなす面
    を面方向に貫くように試料を支持することを特徴とする
    請求項１１に記載の分離装置。
  13. 【請求項１３】 前記支持機構は、脆弱構造部がなす面
    と略垂直方向に設けられた軸を中心にして試料を回転さ
    せる回転機構を有し、試料を回転させながら支持するこ
    とを特徴とする請求項１２に記載の分離装置。
  14. 【請求項１４】 前記案内部は、試料を支持するための
    支持部に設けられていることを特徴とする請求項１乃至
    請求項６のいずれか１項に記載の分離装置。
  15. 【請求項１５】 前記支持部は、試料を両側から挟むよ
    うにして保持する２つの保持部を有し、前記案内部は、
    該２つの保持部が対向する部分の隙間によって構成され
    ていることを特徴とする請求項１４に記載の分離装置。
  16. 【請求項１６】 前記２つの保持部が対向する部分には
    傾斜面が形成され、対向する該傾斜面により、前記噴射
    部より噴射される液体又は気体の束の幅を所定幅に絞っ
    て試料の脆弱構造部付近に集中させることを特徴とする
    請求項１５に記載の分離装置。
  17. 【請求項１７】 分離する対象となる試料は、円盤状の
    形状をなし、前記２つの保持部が対向する部分は円環状
    の外周部を構成し、該外周部の内側に試料を保持するこ
    とを特徴とする請求項１６に記載の分離装置。
  18. 【請求項１８】 前記保持部は、液体又は気体の圧力に
    より試料が反ることが可能な状態で該試料を保持するこ
    とをを特徴とする請求項１５乃至請求項１７のいずれか
    １項に記載の分離装置。
  19. 【請求項１９】 前記支持機構は、分離する対象となる
    試料としての基板を保持する保持部を有することを特徴
    とする請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項に記載
    の分離装置。
  20. 【請求項２０】 前記２つの保持部は、分離する対象と
    なる試料としての基板を保持する保持部であることを特
    徴とする請求項１５乃至請求項１８のいずれか１項に記
    載の分離装置。
  21. 【請求項２１】 前記基板は、脆弱構造部として多孔質
    層を有することを特徴とする請求項１９又は請求項２０
    に記載の分離装置。
  22. 【請求項２２】 束状の液体又は気体を噴射して内部に
    脆弱構造部を有する試料を分離する方法に適用する、液
    体又は気体の誘導装置であって、 噴射部より噴射された液体又は気体の束を試料の脆弱構
    造部付近に集中させる案内部を備えることを特徴とする
    誘導装置。
  23. 【請求項２３】 前記案内部は、前記噴射部より噴射さ
    れる液体又は気体の束の幅を所定幅に絞って試料の脆弱
    構造部付近に集中させることを特徴とする請求項２２に
    記載の誘導装置。
  24. 【請求項２４】 前記案内部は、前記噴射部より噴射さ
    れる液体又は気体の束の幅を絞る開口部を有し、前記開
    口部の入口の幅は、前記噴射部より噴射される液体又は
    気体の幅よりも広いことを特徴とする請求項２２又は請
    求項２３に記載の誘導装置。
  25. 【請求項２５】 分離する対象となる試料は、脆弱構造
    部のうち外部に露出した部分に向かって窪んだ溝を有
    し、前記開口部の出口の幅は、前記溝の幅よりも狭いこ
    とを特徴とする請求項２４に記載の誘導装置。
  26. 【請求項２６】 分離する対象となる試料は、脆弱構造
    部のうち外部に露出した部分に向かって窪んだ溝を有す
    ることを特徴とする請求項２２に記載の誘導装置。
  27. 【請求項２７】 前記溝の断面は、Ｖ型の形状を有する
    ことを特徴とする請求項２６に記載の誘導装置。
  28. 【請求項２８】 前記噴射部及び試料の保持機構を備え
    る試料の分離装置に連結する連結部と、 前記案内部と試料との位置関係を調整する調整機構と、 を更に備えることを特徴とする請求項２２乃至請求項２
    ７のいずれか１項に記載の誘導装置。
  29. 【請求項２９】 束状の液体又は気体を噴射して内部に
    脆弱構造部を有する試料を分離する方法に適用する試料
    の支持装置であって、 試料を両側から挟むようにして保持する２つの保持部を
    備え、該２つの保持部が対向する部分の隙間によって、
    噴射部より噴射された液体又は気体の束を試料の脆弱構
    造部付近に集中させる案内部が構成されていることを特
    徴とする支持装置。
  30. 【請求項３０】 前記２つの保持部が対向する部分には
    傾斜面が形成され、対向する該傾斜面により、噴射部よ
    り噴射された液体又は気体の束を所定の幅に絞って試料
    の脆弱構造部付近に集中させることを特徴とする請求項
    ２９に記載の支持装置。
  31. 【請求項３１】 支持する対象となる試料は、円盤状の
    形状をなし、前記２つの保持部が対向する部分は円環状
    の外周部を構成し、該外周部の内側に試料を保持するこ
    とを特徴とする請求項３０に記載の支持装置。
  32. 【請求項３２】 前記保持部は、液体又は気体の圧力に
    より試料が反ることが可能な状態で該試料を保持するこ
    とをを特徴とする請求項２９乃至請求項３１のいずれか
    １項に記載の支持装置。
  33. 【請求項３３】 支持する対象となる試料は、脆弱構造
    部のうち外部に露出した部分に向かって窪んだ溝を有す
    ることを特徴とする請求項２９に記載の支持装置。
  34. 【請求項３４】 前記溝の断面は、Ｖ型の形状を有する
    ことを特徴とする請求項３３に記載の支持装置。
  35. 【請求項３５】 支持する対象となる試料は、基板であ
    ることを特徴とする請求項２９乃至請求項３４のいずれ
    か１項に記載の支持装置。
  36. 【請求項３６】 前記基板は、脆弱構造部として多孔質
    層を有することを特徴とする請求項３５に記載の支持装
    置。
  37. 【請求項３７】 請求項１乃至請求項２１のいずれか１
    項に記載の分離装置を使用して脆弱構造部で試料を分離
    することを特徴とする分離方法。
  38. 【請求項３８】 前記噴射部から噴射させる液体として
    水を使用することを特徴とする請求項３７に記載の分離
    方法。
  39. 【請求項３９】 一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
    順に形成した第１の基板の前記非多孔質層側を第２の基
    板に貼り合わせてなる基板を前記非多孔質層で分離する
    方法であって、その分離に際して、請求項１乃至請求項
    ２０のいずれか１項に記載の分離装置を使用することを
    特徴とする分離方法。
  40. 【請求項４０】 一方の面に多孔質層及び非多孔質層を
    順に形成した第１の基板の前記非多孔質層側を第２の基
    板に貼り合わせる工程と、貼り合わせた基板を前記非多
    孔質層で分離する分離工程とを含む基板の製造方法であ
    って、 前記分離工程において、請求項１乃至請求項２０のいず
    れか１項に記載の分離装置を使用することを特徴とする
    基板の製造方法。
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