JP2000224837A - ゲート駆動回路及び当該ゲート駆動回路の制御方法 - Google Patents
ゲート駆動回路及び当該ゲート駆動回路の制御方法Info
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- JP2000224837A JP2000224837A JP11025700A JP2570099A JP2000224837A JP 2000224837 A JP2000224837 A JP 2000224837A JP 11025700 A JP11025700 A JP 11025700A JP 2570099 A JP2570099 A JP 2570099A JP 2000224837 A JP2000224837 A JP 2000224837A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ゲインを落とさずに発振を抑え、過電流を保護
可能なゲート駆動回路及び当該ゲート駆動回路の制御方
法を提供する。 【解決手段】スイッチング素子10の主電流から素子電
流検出出力を分流させ、電流源16により当該電流検出
出力から一定電流を引き去って差電流を取り出し、当該
差電流が負にならないようダイオード17、18によっ
て制限し、制限された差電流をコンデンサ19によって
積算し、当該コンデンサ19の電圧に基づきスイッチン
グ素子10のゲート端子10Gの電圧を制御する電界効
果トランジスタ20とを具備するゲート駆動回路。
可能なゲート駆動回路及び当該ゲート駆動回路の制御方
法を提供する。 【解決手段】スイッチング素子10の主電流から素子電
流検出出力を分流させ、電流源16により当該電流検出
出力から一定電流を引き去って差電流を取り出し、当該
差電流が負にならないようダイオード17、18によっ
て制限し、制限された差電流をコンデンサ19によって
積算し、当該コンデンサ19の電圧に基づきスイッチン
グ素子10のゲート端子10Gの電圧を制御する電界効
果トランジスタ20とを具備するゲート駆動回路。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、MOSゲート型等
の電力用スイッチング素子を使用したゲート駆動回路及
び当該ゲート駆動回路の制御方法に関する。
の電力用スイッチング素子を使用したゲート駆動回路及
び当該ゲート駆動回路の制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】最近、高電圧・大電流のMOS(Met
al Oxcide Semiconductor)ゲ
ート型の電力用スイッチング素子が実用化されてきた。
MOSゲート型スイッチング素子は、従来より使われて
いるGTOのようなサイリスタ系のスイッチング素子に
比べて、スイッチングが高速であること、安全動作範囲
が広いこと、電圧駆動形のデバイスであり制御性が高い
こと等多くの利点がある。
al Oxcide Semiconductor)ゲ
ート型の電力用スイッチング素子が実用化されてきた。
MOSゲート型スイッチング素子は、従来より使われて
いるGTOのようなサイリスタ系のスイッチング素子に
比べて、スイッチングが高速であること、安全動作範囲
が広いこと、電圧駆動形のデバイスであり制御性が高い
こと等多くの利点がある。
【0003】上記特徴の一つである制御性の高さを利用
して、直流短絡等による過電流から素子を保護すること
が、ゲート駆動回路からの制御で可能になる。
して、直流短絡等による過電流から素子を保護すること
が、ゲート駆動回路からの制御で可能になる。
【0004】従来より用いられている過電流保護機能を
有するゲート駆動回路7を図7に示す。図7において、
電力用スイッチング素子10が、保護の対象となる主回
路素子である。素子10は、コレクタ10C、エミッタ
10E、ゲート10Gの他に、センス端子10Sを有す
る。センス端子10Sにはエミッタ電流の一部がセンス
端子電流として流出している。当該センス端子電流とエ
ミッタ電流の比率は、素子によって決まるほぼ一定の値
となる。センス端子10Sには、電流制限トランジスタ
9のベース9Bと、当該電流制限トランジスタ9のベー
ス9B・エミッタ9E間に接続された検出抵抗8とが並
列に接続されている。また、電流制限トランジスタ9の
コレクタ端子9Cはダイオード14を介して、スイッチ
ング素子10のゲートに接続され、スイッチング素子1
0のゲートはゲート抵抗15を介して、上位の駆動回路
36に接続されている。
有するゲート駆動回路7を図7に示す。図7において、
電力用スイッチング素子10が、保護の対象となる主回
路素子である。素子10は、コレクタ10C、エミッタ
10E、ゲート10Gの他に、センス端子10Sを有す
る。センス端子10Sにはエミッタ電流の一部がセンス
端子電流として流出している。当該センス端子電流とエ
ミッタ電流の比率は、素子によって決まるほぼ一定の値
となる。センス端子10Sには、電流制限トランジスタ
9のベース9Bと、当該電流制限トランジスタ9のベー
ス9B・エミッタ9E間に接続された検出抵抗8とが並
列に接続されている。また、電流制限トランジスタ9の
コレクタ端子9Cはダイオード14を介して、スイッチ
ング素子10のゲートに接続され、スイッチング素子1
0のゲートはゲート抵抗15を介して、上位の駆動回路
36に接続されている。
【0005】以下、主回路において、スイッチング時に
おけるdv/dt効果等によって過電流が流れた場合を
例として、ゲート駆動回路7の動作を説明する。
おけるdv/dt効果等によって過電流が流れた場合を
例として、ゲート駆動回路7の動作を説明する。
【0006】センス端子電流は、前述のとおりエミッタ
電流に対してほぼ一定の割合となっている。従って、ス
イッチング素子10のエミッタ電流が過電流によって増
大するとともに、センス端子電流もまた増大する。そし
て、センス端子電流が、検出抵抗8と電流制限トランジ
スタ9の静特性から決まる一定の値を超えると、電流制
限トランジスタ9が導通を始め、ダイオード14を介し
て、電流制限トランジスタ9のコレクタ電流が流れ始め
る。スイッチング素子10のゲート端子10G・エミッ
タ端子10E間電圧は、ゲート駆動回路7の出力電圧か
らゲート抵抗15による電圧降下を差し引いたものだか
ら、電流制限トランジスタ9のコレクタ電流が流れるほ
ど、スイッチング素子10のゲート端子10G・エミッ
タ端子10E間電圧VGEは下がっていく。スイッチン
グ素子10のゲート・エミッタ間電圧VGEが活性状態
と飽和状態の閾値を割り込むと、スイッチング素子10
の動作は飽和状態から活性状態に移行し、電圧VGEに
よってコレクタ電流ICが制御され過電流のレベルは抑
えられるようになる。このとき、電流制限トランジスタ
9のコレクタ電流は検出抵抗8と電流制限トランジスタ
9の静特性から決まる一定値に落ち着いていく。これが
過電流制限状態である。
電流に対してほぼ一定の割合となっている。従って、ス
イッチング素子10のエミッタ電流が過電流によって増
大するとともに、センス端子電流もまた増大する。そし
て、センス端子電流が、検出抵抗8と電流制限トランジ
スタ9の静特性から決まる一定の値を超えると、電流制
限トランジスタ9が導通を始め、ダイオード14を介し
て、電流制限トランジスタ9のコレクタ電流が流れ始め
る。スイッチング素子10のゲート端子10G・エミッ
タ端子10E間電圧は、ゲート駆動回路7の出力電圧か
らゲート抵抗15による電圧降下を差し引いたものだか
ら、電流制限トランジスタ9のコレクタ電流が流れるほ
ど、スイッチング素子10のゲート端子10G・エミッ
タ端子10E間電圧VGEは下がっていく。スイッチン
グ素子10のゲート・エミッタ間電圧VGEが活性状態
と飽和状態の閾値を割り込むと、スイッチング素子10
の動作は飽和状態から活性状態に移行し、電圧VGEに
よってコレクタ電流ICが制御され過電流のレベルは抑
えられるようになる。このとき、電流制限トランジスタ
9のコレクタ電流は検出抵抗8と電流制限トランジスタ
9の静特性から決まる一定値に落ち着いていく。これが
過電流制限状態である。
【0007】図7には図示しないが、過電流制限状態に
入ったことは外部に置かれた上位装置の制御部に通知さ
れる。過電流制限状態では、スイッチング素子10には
電源電圧と等しい電圧が印加されるとともに大電流が流
れるので、スイッチング素子10の損失は非常に大き
い。過電流制限状態に耐えられる時間は高々数十μsで
しかない。そのため、上位装置の制御部は、スイッチン
グ素子が過電流制限状態に入ったことを検出し次第必要
な準備を整え、ゲート駆動回路7にオフ信号を送出し、
スイッチング素子10を安全にオフさせることで、スイ
ッチング素子10を保護する。
入ったことは外部に置かれた上位装置の制御部に通知さ
れる。過電流制限状態では、スイッチング素子10には
電源電圧と等しい電圧が印加されるとともに大電流が流
れるので、スイッチング素子10の損失は非常に大き
い。過電流制限状態に耐えられる時間は高々数十μsで
しかない。そのため、上位装置の制御部は、スイッチン
グ素子が過電流制限状態に入ったことを検出し次第必要
な準備を整え、ゲート駆動回路7にオフ信号を送出し、
スイッチング素子10を安全にオフさせることで、スイ
ッチング素子10を保護する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方式では、過電流制限動作時に電流が発振して
しまう問題があった。これは以下の理由による。
た従来の方式では、過電流制限動作時に電流が発振して
しまう問題があった。これは以下の理由による。
【0009】従来方式の過電流制限動作は、スイッチン
グ素子10をスイッチング領域ではなく活性領域に置
き、スイッチング素子10、電流制限トランジスタ9、
ゲート抵抗15からなる負帰還回路によってスイッチン
グ素子10のコレクタ電流をある一定の値に制御する制
御系を構成することによってなされている。この制御系
は、ゲート抵抗15およびスイッチング素子10の等価
入力容量からなる1つの極を主な極とし、スイッチング
素子10の伝達特性などによって形成される1つ以上の
極を高周波数域に有する。そのため、制御系の一巡伝達
特性のゲインが大きすぎる場合には、二つ以上の極を有
する高周波数域において系が発振してしまう。発振を抑
えるための一つの方策はゲインを下げることである。た
とえば、電流制限トランジスタ9の増幅度を落とすこと
などによる。しかしながら、ゲインを落とすことで系の
安定度は増すが、過電流制御された状態でのスイッチン
グ素子10の電流が設定された値に対する誤差が大きく
なったり、過電流制限に移行するまでの移行時間が長く
なるなどの弊害もまた生じる。
グ素子10をスイッチング領域ではなく活性領域に置
き、スイッチング素子10、電流制限トランジスタ9、
ゲート抵抗15からなる負帰還回路によってスイッチン
グ素子10のコレクタ電流をある一定の値に制御する制
御系を構成することによってなされている。この制御系
は、ゲート抵抗15およびスイッチング素子10の等価
入力容量からなる1つの極を主な極とし、スイッチング
素子10の伝達特性などによって形成される1つ以上の
極を高周波数域に有する。そのため、制御系の一巡伝達
特性のゲインが大きすぎる場合には、二つ以上の極を有
する高周波数域において系が発振してしまう。発振を抑
えるための一つの方策はゲインを下げることである。た
とえば、電流制限トランジスタ9の増幅度を落とすこと
などによる。しかしながら、ゲインを落とすことで系の
安定度は増すが、過電流制御された状態でのスイッチン
グ素子10の電流が設定された値に対する誤差が大きく
なったり、過電流制限に移行するまでの移行時間が長く
なるなどの弊害もまた生じる。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、ゲインを落とさずに発振を抑え、過電
流を保護可能なゲート駆動回路及び当該ゲート駆動回路
の制御方法を提供するものであり、以下に示す(1)、
(2)の特徴を具備するものである。 (1) 本発明は、主電流から素子電流検出出力を分流
する電流検出端子と制御入力端子を備えた電力用スイッ
チング素子と、前記電流検出端子によって分流された該
電流検出出力から一定電流を引き去る演算手段と、前記
演算手段によって一定電流を引き去られた電流検出出力
の電流値が正の場合当該電流を積算する積算手段と、前
記積算手段の出力に基づき前記スイッチング素子の制御
入力端子電圧を制御する制御手段とを具備するゲート駆
動回路である。
解決するために、ゲインを落とさずに発振を抑え、過電
流を保護可能なゲート駆動回路及び当該ゲート駆動回路
の制御方法を提供するものであり、以下に示す(1)、
(2)の特徴を具備するものである。 (1) 本発明は、主電流から素子電流検出出力を分流
する電流検出端子と制御入力端子を備えた電力用スイッ
チング素子と、前記電流検出端子によって分流された該
電流検出出力から一定電流を引き去る演算手段と、前記
演算手段によって一定電流を引き去られた電流検出出力
の電流値が正の場合当該電流を積算する積算手段と、前
記積算手段の出力に基づき前記スイッチング素子の制御
入力端子電圧を制御する制御手段とを具備するゲート駆
動回路である。
【0011】このような構成によれば、保護対象である
電力用スイッチング素子から電流検出端子により素子電
流検出出力を取り出した後、当該電流検出出力から演算
手段により一定電流を引き去る。この一定電流が引き去
られた電流検出出力の電流値は負にならないように制限
手段により制限され、当該電流検出出力を、積算手段に
より積算し、当該積算による積算手段の出力に基づき制
御手段を駆動させ前記電力用スイッチング素子の電圧を
制御するゲート駆動回路となる。
電力用スイッチング素子から電流検出端子により素子電
流検出出力を取り出した後、当該電流検出出力から演算
手段により一定電流を引き去る。この一定電流が引き去
られた電流検出出力の電流値は負にならないように制限
手段により制限され、当該電流検出出力を、積算手段に
より積算し、当該積算による積算手段の出力に基づき制
御手段を駆動させ前記電力用スイッチング素子の電圧を
制御するゲート駆動回路となる。
【0012】従って、フィードバック制御による従来の
ゲート駆動回路とは異なり、積算手段の出力に基づき電
力用スイッチング素子の制御を行うことになる。その結
果、フィードバック制御を原因とする発信は発生せず、
安定したゲート駆動回路が実現できる。
ゲート駆動回路とは異なり、積算手段の出力に基づき電
力用スイッチング素子の制御を行うことになる。その結
果、フィードバック制御を原因とする発信は発生せず、
安定したゲート駆動回路が実現できる。
【0013】前記ゲート駆動回路は、前記積算手段とし
てコンデンサを具備し、前記コンデンサの電圧を当該積
算手段の出力値として用いることを特徴とすることが好
ましい。
てコンデンサを具備し、前記コンデンサの電圧を当該積
算手段の出力値として用いることを特徴とすることが好
ましい。
【0014】このような構成によれば、コンデンサの電
圧により電力用スイッチング素子の電圧を制御するか
ら、フィードバック制御を原因とする発信は発生せず、
安定したゲート駆動回路が実現できる。
圧により電力用スイッチング素子の電圧を制御するか
ら、フィードバック制御を原因とする発信は発生せず、
安定したゲート駆動回路が実現できる。
【0015】前記ゲート駆動回路は、前記制御手段とし
て電界効果型能動素子を具備することが好ましい。
て電界効果型能動素子を具備することが好ましい。
【0016】このような構成によれば、電界効果型能動
素子は、積算手段の電圧によって駆動し電力用スイッチ
ング素子の電圧制御を行うから、フィードバック制御を
原因とする発信は発生せず、安定したゲート駆動回路が
実現できる。
素子は、積算手段の電圧によって駆動し電力用スイッチ
ング素子の電圧制御を行うから、フィードバック制御を
原因とする発信は発生せず、安定したゲート駆動回路が
実現できる。
【0017】前記ゲート駆動回路は、前記電力用スイッ
チング素子の制御入力端子に対して並列に電流制御型能
動素子を設け、前記電流制御型能動素子を制御する制御
電流を前記積算手段の出力値により決定することを特徴
とすることが好ましい。
チング素子の制御入力端子に対して並列に電流制御型能
動素子を設け、前記電流制御型能動素子を制御する制御
電流を前記積算手段の出力値により決定することを特徴
とすることが好ましい。
【0018】このような構成によれば、当該電流制御型
能動素子によって増幅されることとなる。その結果、前
記制御手段の増幅度が不足する場合においても安定した
ゲート駆動回路の実現が可能である。
能動素子によって増幅されることとなる。その結果、前
記制御手段の増幅度が不足する場合においても安定した
ゲート駆動回路の実現が可能である。
【0019】前記ゲート駆動回路は、前記演算手段が電
流検出出力から引き去る電流値を設定する電流値設定手
段をさらに具備することが好ましい。
流検出出力から引き去る電流値を設定する電流値設定手
段をさらに具備することが好ましい。
【0020】このような構成によれば、電流検出出力か
ら引き去る一定電流値を設定することにより電力用スイ
ッチング素子を流れる過電流の値を変更することができ
る。従って、過電流の値に応じた電力用スイッチング素
子の電圧の制御が可能となり、安定したゲート駆動回路
が実現できる。
ら引き去る一定電流値を設定することにより電力用スイ
ッチング素子を流れる過電流の値を変更することができ
る。従って、過電流の値に応じた電力用スイッチング素
子の電圧の制御が可能となり、安定したゲート駆動回路
が実現できる。
【0021】前記ゲート駆動回路において、当該制御手
段の駆動開始を検出する検出手段をさらに具備すること
が好ましく、また、前記積算手段の出力値が、閾値を上
回ったことを通知する通知手段をさらに具備することが
好ましい。
段の駆動開始を検出する検出手段をさらに具備すること
が好ましく、また、前記積算手段の出力値が、閾値を上
回ったことを通知する通知手段をさらに具備することが
好ましい。
【0022】このような構成によれば、電力用スイッチ
ング素子が過電流状態になった場合、早期の検出、通知
を行うことができる。
ング素子が過電流状態になった場合、早期の検出、通知
を行うことができる。
【0023】前記ゲート駆動回路は、前記積算手段の出
力値を0にリセットするリセット手段をさらに具備する
ことが好ましい。
力値を0にリセットするリセット手段をさらに具備する
ことが好ましい。
【0024】このような構成によれば、当該ゲート駆動
回路に対してさらなる上位制御装置による過電流の遮断
の後、リセット手段により積算手段の出力値を0にリセ
ットすれば、再び正常動作を行うことができる。 (2) 本発明は、ゲート駆動回路の制御方法であっ
て、制御入力端子を備えた電力用スイッチング素子を流
れる主電流を素子電流検出出力を分流し、前記素子電流
検出出力から一定電流を引き去って差電流を取り出し、
当該差電流を積算手段により積算し、前記電力用スイッ
チング素子の制御入力端子に対して並列に設けた制御手
段を前記積算手段の積算された出力に基づいて制御する
ことにより前記制御入力端子電圧を制御することを特徴
とするゲート駆動回路の制御方法である。
回路に対してさらなる上位制御装置による過電流の遮断
の後、リセット手段により積算手段の出力値を0にリセ
ットすれば、再び正常動作を行うことができる。 (2) 本発明は、ゲート駆動回路の制御方法であっ
て、制御入力端子を備えた電力用スイッチング素子を流
れる主電流を素子電流検出出力を分流し、前記素子電流
検出出力から一定電流を引き去って差電流を取り出し、
当該差電流を積算手段により積算し、前記電力用スイッ
チング素子の制御入力端子に対して並列に設けた制御手
段を前記積算手段の積算された出力に基づいて制御する
ことにより前記制御入力端子電圧を制御することを特徴
とするゲート駆動回路の制御方法である。
【0025】このような構成によれば、保護対象である
電力用スイッチング素子から電流検出端子により素子電
流検出出力を取り出した後、当該電流検出出力から一定
電流を引き去る。この一定電流が引き去られた電流検出
出力の電流を、積算手段により積算し、当該積算による
積算手段の出力に基づき制御手段を駆動させ前記電力用
スイッチング素子の電圧を制御するゲート駆動回路とな
る。
電力用スイッチング素子から電流検出端子により素子電
流検出出力を取り出した後、当該電流検出出力から一定
電流を引き去る。この一定電流が引き去られた電流検出
出力の電流を、積算手段により積算し、当該積算による
積算手段の出力に基づき制御手段を駆動させ前記電力用
スイッチング素子の電圧を制御するゲート駆動回路とな
る。
【0026】従って、フィードバック制御による従来の
ゲート駆動回路とは異なり、積算手段の出力に基づき電
力用スイッチング素子の制御を行うことになる。その結
果、フィードバック制御を原因とする発信は発生せず、
安定したゲート駆動回路の制御が実現できる。
ゲート駆動回路とは異なり、積算手段の出力に基づき電
力用スイッチング素子の制御を行うことになる。その結
果、フィードバック制御を原因とする発信は発生せず、
安定したゲート駆動回路の制御が実現できる。
【0027】前記ゲート駆動回路の制御方法において、
前記積算手段をコンデンサとし、当該コンデンサの電圧
を前記積算手段の出力値として電力用スイッチング素子
の制御入力端子電圧を制御することを特徴とするゲート
駆動回路の制御方法である。
前記積算手段をコンデンサとし、当該コンデンサの電圧
を前記積算手段の出力値として電力用スイッチング素子
の制御入力端子電圧を制御することを特徴とするゲート
駆動回路の制御方法である。
【0028】このような構成によれば、コンデンサの電
圧により電力用スイッチング素子の電圧を制御するか
ら、フィードバック制御を原因とする発信は発生せず、
安定したゲート駆動回路の制御が実現できる。
圧により電力用スイッチング素子の電圧を制御するか
ら、フィードバック制御を原因とする発信は発生せず、
安定したゲート駆動回路の制御が実現できる。
【0029】前記ゲート駆動回路の制御方法において、
前記素子電流検出出力から引き去る一定電流の電流値を
設定可能とすることにより、前記電力用スイッチング素
子に流れる過電流を設定可能としたゲート駆動回路の制
御方法である。
前記素子電流検出出力から引き去る一定電流の電流値を
設定可能とすることにより、前記電力用スイッチング素
子に流れる過電流を設定可能としたゲート駆動回路の制
御方法である。
【0030】このような構成によれば、電流検出出力か
ら引き去る一定電流値を設定することにより電力用スイ
ッチング素子を流れる過電流の値を変更することができ
る。従って、過電流の値に応じた電力用スイッチング素
子の電圧の制御が可能となり、安定したゲート駆動回路
が実現できる。
ら引き去る一定電流値を設定することにより電力用スイ
ッチング素子を流れる過電流の値を変更することができ
る。従って、過電流の値に応じた電力用スイッチング素
子の電圧の制御が可能となり、安定したゲート駆動回路
が実現できる。
【0031】前記ゲート駆動回路の制御方法において、
前記制御手段を電界効果型能動素子として前記制御入力
端子電圧を制御することことを特徴とするゲート駆動回
路の制御方法である。
前記制御手段を電界効果型能動素子として前記制御入力
端子電圧を制御することことを特徴とするゲート駆動回
路の制御方法である。
【0032】このような構成によれば、電界効果型能動
素子は、積算手段の電圧によって駆動し電力用スイッチ
ング素子の電圧制御を行うから、フィードバック制御を
原因とする発信は発生せず、安定したゲート駆動回路が
実現できる。
素子は、積算手段の電圧によって駆動し電力用スイッチ
ング素子の電圧制御を行うから、フィードバック制御を
原因とする発信は発生せず、安定したゲート駆動回路が
実現できる。
【0033】前記ゲート駆動回路の制御方法において、
前記電界効果型能動素子に対して直列に電流制御型能動
素子を設け、当該電流制御型能動素子により前記電界効
果型能動素子の増幅度の不足を補って電力用スイッチン
グ素子の制御入力端子電圧を制御することを特徴とする
ゲート駆動回路の制御方法である。
前記電界効果型能動素子に対して直列に電流制御型能動
素子を設け、当該電流制御型能動素子により前記電界効
果型能動素子の増幅度の不足を補って電力用スイッチン
グ素子の制御入力端子電圧を制御することを特徴とする
ゲート駆動回路の制御方法である。
【0034】このような構成によれば、当該電流制御型
能動素子によって増幅されることとなる。その結果、前
記制御手段の増幅度が不足する場合においても安定した
ゲート駆動回路の実現が可能である。
能動素子によって増幅されることとなる。その結果、前
記制御手段の増幅度が不足する場合においても安定した
ゲート駆動回路の実現が可能である。
【0035】前記ゲート駆動回路の制御方法において、
前記制御手段によって前記制御入力端子電圧を制御する
とき、前記制御手段の電流導通を利用した通知手段によ
って当該制御の開始を通知するゲート駆動回路の制御方
法である。
前記制御手段によって前記制御入力端子電圧を制御する
とき、前記制御手段の電流導通を利用した通知手段によ
って当該制御の開始を通知するゲート駆動回路の制御方
法である。
【0036】このような構成によれば、電力用スイッチ
ング素子が過電流状態になった場合、早期の検出、通知
を行うことができる。
ング素子が過電流状態になった場合、早期の検出、通知
を行うことができる。
【0037】前記ゲート駆動回路の制御方法において、
前記制御手段により前記制御入力端子電圧を制御した
後、リセット手段により前記積算手段の出力値を0にリ
セットして同様の動作を繰り返すゲート駆動回路の制御
方法である。
前記制御手段により前記制御入力端子電圧を制御した
後、リセット手段により前記積算手段の出力値を0にリ
セットして同様の動作を繰り返すゲート駆動回路の制御
方法である。
【0038】このような構成によれば、当該ゲート駆動
回路に対するb上位制御装置による過電流の遮断の後、
リセット手段により積算手段の出力値を0にリセットす
れば、再び正常動作を行うことができる。
回路に対するb上位制御装置による過電流の遮断の後、
リセット手段により積算手段の出力値を0にリセットす
れば、再び正常動作を行うことができる。
【0039】
【発明の実施形態】以下、本発明の第1実施例〜第6実
施例を図面に従って説明する。 (第1実施例)図1は、第1実施例に係るゲート駆動回
路1の概略構成を示している。
施例を図面に従って説明する。 (第1実施例)図1は、第1実施例に係るゲート駆動回
路1の概略構成を示している。
【0040】図1において、保護対象となるスイッチン
グ素子10は、コレクタ10C、エミッタ10E、ゲー
ト10Gの他に、センス端子10Sを具備している。セ
ンス端子1Sには、過電流検出出力としてエミッタ電流
Ieの一部をセンス端子電流として分流させている。
グ素子10は、コレクタ10C、エミッタ10E、ゲー
ト10Gの他に、センス端子10Sを具備している。セ
ンス端子1Sには、過電流検出出力としてエミッタ電流
Ieの一部をセンス端子電流として分流させている。
【0041】なお、センス端子電流Isとエミッタ電流
Ieとの比率は、スイッチング素子の特性によって一定
の値に決まる。
Ieとの比率は、スイッチング素子の特性によって一定
の値に決まる。
【0042】電流源16は、センス端子電流Isから一
定電流Irefを引き去る制限手段であり、積算手段と
してのコンデンサ19には、差電流Id=Is−Ire
fだけの電流がダイオード18を介して流れ込む。従っ
て、コンデンサ19の両端にかかる電圧は、コンデンサ
19の電気容量の逆数を比例定数とした差電流Idの時
間積分に比例する。
定電流Irefを引き去る制限手段であり、積算手段と
してのコンデンサ19には、差電流Id=Is−Ire
fだけの電流がダイオード18を介して流れ込む。従っ
て、コンデンサ19の両端にかかる電圧は、コンデンサ
19の電気容量の逆数を比例定数とした差電流Idの時
間積分に比例する。
【0043】なお、一定電流Irefの大きさは、過電
流の大きさに対応して決定される。
流の大きさに対応して決定される。
【0044】また、ダイオード18は、整流機能を果た
し、差電流Idをすべて基準電流としてコンデンサ19
に流入させるためのものである。
し、差電流Idをすべて基準電流としてコンデンサ19
に流入させるためのものである。
【0045】コンデンサ19は、電界効果トランジスタ
20のゲート・ソース端子間に接続されている。また、
電界効果トランジスタ20のドレイン端子20Dは、ダ
イオード14を介してスイッチング素子10のゲート端
子10Gに接続されている。
20のゲート・ソース端子間に接続されている。また、
電界効果トランジスタ20のドレイン端子20Dは、ダ
イオード14を介してスイッチング素子10のゲート端
子10Gに接続されている。
【0046】また、ゲート端子10Gは、ゲート抵抗1
5を介して上位の駆動回路35に接続されている。
5を介して上位の駆動回路35に接続されている。
【0047】次に、上記構成を持つゲート駆動回路1の
動作を説明する。
動作を説明する。
【0048】例えば、スイッチングサージ電圧等により
ゲート駆動回路1が過電流状態に陥った場合、エミッタ
電流Ieが急峻に増大する。上述したように、エミッタ
電流Ieと、当該エミッタ電流Ieから分流しているセ
ンス端子電流Isとの比は一定であるから、エミッタ電
流Ieの増大に伴ってセンス電流Isも急峻に増大す
る。
ゲート駆動回路1が過電流状態に陥った場合、エミッタ
電流Ieが急峻に増大する。上述したように、エミッタ
電流Ieと、当該エミッタ電流Ieから分流しているセ
ンス端子電流Isとの比は一定であるから、エミッタ電
流Ieの増大に伴ってセンス電流Isも急峻に増大す
る。
【0049】センス端子電流Isから電流源16によっ
て一定電流Irefを引き去った値Is−Irefを差
電流Idと定義し、当該差電流Idが正の場合、差電流
Idは、ダイオード18を介してコンデンサ19へ流入
する。すると、コンデンサ19の両端は、時間に比例し
て電位差が高くなっていく。
て一定電流Irefを引き去った値Is−Irefを差
電流Idと定義し、当該差電流Idが正の場合、差電流
Idは、ダイオード18を介してコンデンサ19へ流入
する。すると、コンデンサ19の両端は、時間に比例し
て電位差が高くなっていく。
【0050】このコンデンサ19は、電界効果トランジ
スタ20のゲート端20G−ソース端子20Sに接続さ
れているから、コンデンサ19にかかる電圧がゲート電
圧となる。電界効果トランジスタ20は、コンデンサ1
9の電圧によって制御され、コンデンサ19の電圧が閾
値を超えると、ドレイン20D−ソース20S間が導通
し電流が流れる。
スタ20のゲート端20G−ソース端子20Sに接続さ
れているから、コンデンサ19にかかる電圧がゲート電
圧となる。電界効果トランジスタ20は、コンデンサ1
9の電圧によって制御され、コンデンサ19の電圧が閾
値を超えると、ドレイン20D−ソース20S間が導通
し電流が流れる。
【0051】すなわち、過電流によってエミッタ電流I
eが急増した場合には、センス端子電流Is及び差電流
Idも急増し、コンデンサ19の両端は、電界効果トラ
ンジスタ20が導通を始める程度の電位差を急峻にも
つ。その結果、ダイオード14を介して、電界効果トラ
ンジスタ20のドレイン電流IDを流すことによってス
イッチング素子10のゲート電圧を低下させ、過電流を
抑える構成となっている。
eが急増した場合には、センス端子電流Is及び差電流
Idも急増し、コンデンサ19の両端は、電界効果トラ
ンジスタ20が導通を始める程度の電位差を急峻にも
つ。その結果、ダイオード14を介して、電界効果トラ
ンジスタ20のドレイン電流IDを流すことによってス
イッチング素子10のゲート電圧を低下させ、過電流を
抑える構成となっている。
【0052】一方、仮に、差電流Idが正とならない場
合には、ダイオード18には差電流Idは流れず、ゲー
ト端子20Gにゲート電圧はかからない。コンデンサ1
9には差電流Idが流れ込まず、電位差が起こらないか
らである。従って、過電流保護回路は動作せず、良好な
主回路の動作が維持される。
合には、ダイオード18には差電流Idは流れず、ゲー
ト端子20Gにゲート電圧はかからない。コンデンサ1
9には差電流Idが流れ込まず、電位差が起こらないか
らである。従って、過電流保護回路は動作せず、良好な
主回路の動作が維持される。
【0053】このような構成によれば、従来技術と異な
り、スイッチング素子10のゲート電圧はフィードバッ
ク制御系で制御されない。電流源16によって決まる電
流値よりも検出電流の値が小さくなった時点でコンデン
サ19の電圧は一定に保持され、これによりスイッチン
グ素子10のゲート電圧もまた一定の値となるからであ
る。このようにフィードバック制御がなされないため
に、従来技術で問題となる発振などの不安定現象が起こ
らないゲート駆動回路を実現できる。
り、スイッチング素子10のゲート電圧はフィードバッ
ク制御系で制御されない。電流源16によって決まる電
流値よりも検出電流の値が小さくなった時点でコンデン
サ19の電圧は一定に保持され、これによりスイッチン
グ素子10のゲート電圧もまた一定の値となるからであ
る。このようにフィードバック制御がなされないため
に、従来技術で問題となる発振などの不安定現象が起こ
らないゲート駆動回路を実現できる。
【0054】(第2の実施形態)図2は、第2の実施形
態に係るゲート駆動回路を示している。図2では、積算
手段として演算増幅器21とコンデンサ19とからなる
積分器を用いている。演算増幅器21には、入力バイア
ス電流の小さいMOS入力型やJ−FET入力型の演算
増幅器を用いている。
態に係るゲート駆動回路を示している。図2では、積算
手段として演算増幅器21とコンデンサ19とからなる
積分器を用いている。演算増幅器21には、入力バイア
ス電流の小さいMOS入力型やJ−FET入力型の演算
増幅器を用いている。
【0055】図2において、ゲート駆動回路2が過電流
状態に陥った場合、差電流Idがダイオード18を介し
てコンデンサ19に流れ込む。これによりコンデンサ1
9に電位差が生じ、この電位差がある閾値を超えると、
演算増幅器21の正相入力端子に対して逆相入力端子の
電位差が高くなり、演算増幅器21は負の出力を生ずる
ようになる。その結果、ダイオード14を介して、電界
効果トランジスタ20のドレイン電流IDを流すことに
よってスイッチング素子10のゲート電圧を低下させ、
過電流を抑えることになる。
状態に陥った場合、差電流Idがダイオード18を介し
てコンデンサ19に流れ込む。これによりコンデンサ1
9に電位差が生じ、この電位差がある閾値を超えると、
演算増幅器21の正相入力端子に対して逆相入力端子の
電位差が高くなり、演算増幅器21は負の出力を生ずる
ようになる。その結果、ダイオード14を介して、電界
効果トランジスタ20のドレイン電流IDを流すことに
よってスイッチング素子10のゲート電圧を低下させ、
過電流を抑えることになる。
【0056】一方、ゲート駆動回路2が通常状態、すな
わち、過電流が流れていない場合、差電流Idは負であ
るので、ダイオード18に差電流Idは流れず、演算増
幅器21の正相入力端子に対して逆相入力端子の電位差
は低く、演算増幅器21は正の出力を生ずるようにな
る。従って、ダイオード14を介して、電界効果トラン
ジスタ20のドレイン電流IDは流れ込まず、良好な主
回路の動作が維持される。
わち、過電流が流れていない場合、差電流Idは負であ
るので、ダイオード18に差電流Idは流れず、演算増
幅器21の正相入力端子に対して逆相入力端子の電位差
は低く、演算増幅器21は正の出力を生ずるようにな
る。従って、ダイオード14を介して、電界効果トラン
ジスタ20のドレイン電流IDは流れ込まず、良好な主
回路の動作が維持される。
【0057】このような構成によれば、スイッチング素
子10のゲート電圧はフィードバック制御系で制御され
ないから、従来技術で問題となる発振などの不安定現象
が起こらないゲート駆動回路を実現できる。
子10のゲート電圧はフィードバック制御系で制御され
ないから、従来技術で問題となる発振などの不安定現象
が起こらないゲート駆動回路を実現できる。
【0058】(第3の実施形態)本発明の第1の実施形
態では、該積算手段としてコンデンサを用い、その出力
によって電界効果トランジスタ20を導通させスイッチ
ング素子1のゲート電圧を制御していた。しかし、ゲー
ト抵抗15が小さい値の場合などでは、電界効果トラン
ジスタ20の増幅度が不足し、過電流からスイッチング
素子を保護するに至らない場合もある。こうした場合に
対応するのが、図3に示すゲート駆動回路3である。
態では、該積算手段としてコンデンサを用い、その出力
によって電界効果トランジスタ20を導通させスイッチ
ング素子1のゲート電圧を制御していた。しかし、ゲー
ト抵抗15が小さい値の場合などでは、電界効果トラン
ジスタ20の増幅度が不足し、過電流からスイッチング
素子を保護するに至らない場合もある。こうした場合に
対応するのが、図3に示すゲート駆動回路3である。
【0059】当該ゲート駆動回路3は、図1に示した第
1の実施形態におけるゲート駆動回路1に、電流制御型
トランジスタ22をダイオード14と電界効果型トラン
ジスタ20との間に直列に接続したものである。この電
流制御型トランジスタ12によって、電界効果トランジ
スタ20の出力をさらに増幅し、当該電界効果トランジ
スタ20の増幅度の不足を補うものである。
1の実施形態におけるゲート駆動回路1に、電流制御型
トランジスタ22をダイオード14と電界効果型トラン
ジスタ20との間に直列に接続したものである。この電
流制御型トランジスタ12によって、電界効果トランジ
スタ20の出力をさらに増幅し、当該電界効果トランジ
スタ20の増幅度の不足を補うものである。
【0060】すなわち、ゲート駆動回路3が過電流状態
に陥った場合、差電流Idがコンデンサ19に流れ込
む。これによりコンデンサ19の電圧が閾値を超える
と、ドレイン20D−ソース20S間が導通し電流が流
れる。ドレイン電流IDは、電流制御型トランジスタ2
2によって増幅されているから、電界効果トランジスタ
20の増幅不足を補うことができる。
に陥った場合、差電流Idがコンデンサ19に流れ込
む。これによりコンデンサ19の電圧が閾値を超える
と、ドレイン20D−ソース20S間が導通し電流が流
れる。ドレイン電流IDは、電流制御型トランジスタ2
2によって増幅されているから、電界効果トランジスタ
20の増幅不足を補うことができる。
【0061】(第4の実施形態)第1〜第3の実施形態
では、過電流の値は一定の値とみなしてきた。しかし、
装置によっては過電流設定値を可変したい場合もある。
図4に示すゲート駆動回路4は、こうした場合に対応す
るものである。
では、過電流の値は一定の値とみなしてきた。しかし、
装置によっては過電流設定値を可変したい場合もある。
図4に示すゲート駆動回路4は、こうした場合に対応す
るものである。
【0062】当該ゲート駆動回路4は、図2に示したゲ
ート駆動回路2において、電流源16に代わって接合型
電界効果トランジスタ23を設け、そのドレイン端子2
3Dにバイアス電源24が接続され、そのゲート端子2
3Gに電流設定端子26には抵抗25、ゲート23G・
ドレイン23D間には抵抗25が接続されている。
ート駆動回路2において、電流源16に代わって接合型
電界効果トランジスタ23を設け、そのドレイン端子2
3Dにバイアス電源24が接続され、そのゲート端子2
3Gに電流設定端子26には抵抗25、ゲート23G・
ドレイン23D間には抵抗25が接続されている。
【0063】上記構成であるゲート駆動回路4の動作時
において、スイッチング素子10のセンス端子10Sか
ら引き去られる電流検出出力の電流値は、接合型電界効
果トランジスタ23のドレイン電流である。接合型電界
効果トランジスタ23のドレイン電流は、電流設定端子
26より与えられるゲート・ソース間電圧で決定され
る。従って、ゲート駆動回路4の外部に図示しない上位
の制御装置を設け、当該制御装置より電流設定端子26
に適当な電圧を与えるようにすることで、接合型電界効
果トランジスタ23のドレイン電流を調節することがで
きる。当該ドレイン電流、すなわち、センス端子電流I
sとエミッタ電流Ieとの比率は、一定の値に決まるか
ら、過電流設定値を変更することができ、装置に適した
過電流保護のための制御が可能である。
において、スイッチング素子10のセンス端子10Sか
ら引き去られる電流検出出力の電流値は、接合型電界効
果トランジスタ23のドレイン電流である。接合型電界
効果トランジスタ23のドレイン電流は、電流設定端子
26より与えられるゲート・ソース間電圧で決定され
る。従って、ゲート駆動回路4の外部に図示しない上位
の制御装置を設け、当該制御装置より電流設定端子26
に適当な電圧を与えるようにすることで、接合型電界効
果トランジスタ23のドレイン電流を調節することがで
きる。当該ドレイン電流、すなわち、センス端子電流I
sとエミッタ電流Ieとの比率は、一定の値に決まるか
ら、過電流設定値を変更することができ、装置に適した
過電流保護のための制御が可能である。
【0064】(第5の実施形態)一般に、多くの電力変
換装置では、装置が過電流状態のような異常状態に陥っ
たことを早期に検出し、把握することが重要である。
換装置では、装置が過電流状態のような異常状態に陥っ
たことを早期に検出し、把握することが重要である。
【0065】図5に示すゲート駆動回路5は、こうした
要求に対応するものである。ゲート駆動回路5は、図3
に示したゲート駆動回路3において、電流制御トランジ
スタ22に過電流通知制御装置34を接続したものであ
る。
要求に対応するものである。ゲート駆動回路5は、図3
に示したゲート駆動回路3において、電流制御トランジ
スタ22に過電流通知制御装置34を接続したものであ
る。
【0066】過電流通知制御装置34は、バイポーラト
ランジスタ27、発光ダイオード28、抵抗29を直列
に接続した回路と、光ファイバ30を具備するものであ
る。
ランジスタ27、発光ダイオード28、抵抗29を直列
に接続した回路と、光ファイバ30を具備するものであ
る。
【0067】ゲート駆動回路5の動作中、スイッチング
素子10が過電流状態に陥り、第3の実施形態における
ゲート駆動回路3と同様にして、電界効果トランジスタ
20が動作する。すると、同時に電流制御トランジスタ
22も導通を始め、それととともにバイポーラトランジ
スタ27が動作する。バイポーラトランジスタ27のコ
レクタ電流によって発光ダイオード28が発光し、光フ
ァイバ30によって図示していない上位の制御装置に光
信号の形で過電流の発生が伝えられる。
素子10が過電流状態に陥り、第3の実施形態における
ゲート駆動回路3と同様にして、電界効果トランジスタ
20が動作する。すると、同時に電流制御トランジスタ
22も導通を始め、それととともにバイポーラトランジ
スタ27が動作する。バイポーラトランジスタ27のコ
レクタ電流によって発光ダイオード28が発光し、光フ
ァイバ30によって図示していない上位の制御装置に光
信号の形で過電流の発生が伝えられる。
【0068】このような構成によれば、上位の制御装置
でスイッチング素子10の過電流状態を早期に検出、通
知することができる。
でスイッチング素子10の過電流状態を早期に検出、通
知することができる。
【0069】(第6の実施形態)本発明において、積算
手段としてコンデンサ19を使用した場合、当該コンデ
ンサ19の出力値は、スイッチング素子10の主電流が
ある一定の値になるまで増加し、その後は一定の値にな
る。図示していない上位制御装置の指示によって過電流
を遮断した後では、再び正常な運転状態に戻るために、
該積算手段の出力値をリセットする必要がある。
手段としてコンデンサ19を使用した場合、当該コンデ
ンサ19の出力値は、スイッチング素子10の主電流が
ある一定の値になるまで増加し、その後は一定の値にな
る。図示していない上位制御装置の指示によって過電流
を遮断した後では、再び正常な運転状態に戻るために、
該積算手段の出力値をリセットする必要がある。
【0070】図6に示すゲート駆動回路6は、これに対
応するものである。当該ゲート駆動回路6は、図1に示
したゲート駆動回路1において、電界効果トランジスタ
31および抵抗32からなりコンデンサ19をリセット
するリセット手段を、当該コンデンサ19と並列に接続
したものである。
応するものである。当該ゲート駆動回路6は、図1に示
したゲート駆動回路1において、電界効果トランジスタ
31および抵抗32からなりコンデンサ19をリセット
するリセット手段を、当該コンデンサ19と並列に接続
したものである。
【0071】スイッチング素子10が過電流状態に陥っ
た場合には、第1の実施形態におけるゲート駆動回路1
と同様に、コンデンサ19の両端の電位差が閾値を超え
ると、電界効果トランジスタ20が動作し、その後、上
位の制御装置によって過電流を遮断する。
た場合には、第1の実施形態におけるゲート駆動回路1
と同様に、コンデンサ19の両端の電位差が閾値を超え
ると、電界効果トランジスタ20が動作し、その後、上
位の制御装置によって過電流を遮断する。
【0072】その後、再び正常な運転状態に戻す場合、
リセット入力端子33に電圧を印加することで電界効果
トランジスタ31をオンさせる。すると、電界効果トラ
ンジスタ31はコンデンサ19に蓄積された電荷を消費
し、これによって該積算手段としてのコンデンサ19の
出力値は、0にリセットされる。
リセット入力端子33に電圧を印加することで電界効果
トランジスタ31をオンさせる。すると、電界効果トラ
ンジスタ31はコンデンサ19に蓄積された電荷を消費
し、これによって該積算手段としてのコンデンサ19の
出力値は、0にリセットされる。
【0073】このような構成によれば、ゲート駆動回路
が過電流状態に陥った場合でも、迅速に正常な運転状態
に戻ることができ、作業性を向上させることができる。
が過電流状態に陥った場合でも、迅速に正常な運転状態
に戻ることができ、作業性を向上させることができる。
【0074】
【発明の効果】本発明によれば、スイッチング素子に流
れる電流が過電流状態に陥ったときに、スイッチング素
子に具備した電流検出出力端子より流れる電流より、あ
る値の電流を引き去った後に、電流値が負にならないよ
うに制限を加えた後に積算し、積算した出力によってゲ
ート電圧を制御することで、フィードバック制御によら
ずに、素子に流れる主電流を制限することができる。こ
れにより、発振などの不安定現象を起こさない安定な過
電流制限手段を有するゲート駆動回路を提供できる。
れる電流が過電流状態に陥ったときに、スイッチング素
子に具備した電流検出出力端子より流れる電流より、あ
る値の電流を引き去った後に、電流値が負にならないよ
うに制限を加えた後に積算し、積算した出力によってゲ
ート電圧を制御することで、フィードバック制御によら
ずに、素子に流れる主電流を制限することができる。こ
れにより、発振などの不安定現象を起こさない安定な過
電流制限手段を有するゲート駆動回路を提供できる。
【図1】第1の実施形態に係るゲート駆動回路を示す
図。
図。
【図2】第2の実施形態に係るゲート駆動回路を示す
図。
図。
【図3】第3の実施形態に係るゲート駆動回路を示す
図。
図。
【図4】第4の実施形態に係るゲート駆動回路を示す
図。
図。
【図5】第5の実施形態に係るゲート駆動回路を示す
図。
図。
【図6】第6の実施形態に係るゲート駆動回路を示す
図。
図。
【図7】従来のゲート駆動回路を示す図。
1、2、3、4、5、6…本発明に係るゲート駆動回
路。 10…スイッチング素子 16…電流源 19…コンデンサ 20…電界効果トランジスタ 21…演算増幅器 22…電流制御型トランジスタ 23…接合型電界効果トランジスタ 24…バイアス電源 25…抵抗 26…電流設定端子 27…バイポーラトランジスタ 28…ダイオード 29…抵抗 30…光ファイバ 31…電界効果トランジスタ 32…抵抗 33…リセット入力端子 34…過電流通知制御装置
路。 10…スイッチング素子 16…電流源 19…コンデンサ 20…電界効果トランジスタ 21…演算増幅器 22…電流制御型トランジスタ 23…接合型電界効果トランジスタ 24…バイアス電源 25…抵抗 26…電流設定端子 27…バイポーラトランジスタ 28…ダイオード 29…抵抗 30…光ファイバ 31…電界効果トランジスタ 32…抵抗 33…リセット入力端子 34…過電流通知制御装置
Claims (15)
- 【請求項1】 主電流から素子電流検出出力を分流する
電流検出端子と制御入力端子を備えた電力用スイッチン
グ素子と、 前記電流検出端子によって分流された該電流検出出力か
ら一定電流を引き去る演算手段と、 前記演算手段によって一定電流を引き去られた電流検出
出力の電流値が正の場合当該電流を積算する積算手段
と、 前記積算手段の出力に基づき前記スイッチング素子の制
御入力端子電圧を制御する制御手段と、 を具備するゲート駆動回路。 - 【請求項2】 請求項1記載のゲート駆動回路におい
て、 前記積算手段としてコンデンサを具備し、 前記コンデンサの電圧を当該積算手段の出力値として用
いることを特徴とするゲート駆動回路。 - 【請求項3】 請求項1記載のゲート駆動回路におい
て、 前記制御手段として電界効果型能動素子を具備するゲー
ト駆動回路。 - 【請求項4】 請求項1記載のゲート駆動回路におい
て、 前記電力用スイッチング素子の制御入力端子と並列に電
流制御型能動素子を設け、 前記電流制御型能動素子を制御する制御電流を前記積算
手段の出力値により決定することを特徴とするゲート駆
動回路。 - 【請求項5】 請求項1記載のゲート駆動回路におい
て、 前記演算手段が電流検出出力から引き去る電流値を設定
する電流値設定手段をさらに具備するゲート駆動回路。 - 【請求項6】 請求項1記載のゲート駆動回路におい
て、 前記制御手段の駆動開始を検出する検出手段をさらに具
備するゲート駆動回路。 - 【請求項7】 請求項1記載のゲート駆動回路におい
て、 前記積算手段の出力値が、閾値を上回ったことを通知す
る通知手段をさらに具備するゲート駆動回路。 - 【請求項8】 請求項1記載のゲート駆動回路におい
て、 前記積算手段の出力値を0にリセットするリセット手段
をさらに具備するゲート駆動回路。 - 【請求項9】 ゲート駆動回路の制御方法であって、 制御入力端子を備えた電力用スイッチング素子を流れる
主電流から素子電流検出出力を分流し、 前記素子電流検出出力から一定電流を引き去って差電流
を取り出し、 当該差電流を積算手段により積算し、 前記電力用スイッチング素子の制御入力端子に対して並
列に設けた制御手段を前記積算手段の積算された出力に
基づいて制御することにより前記制御入力端子電圧を制
御することを特徴とするゲート駆動回路の制御方法。 - 【請求項10】 請求項9記載のゲート駆動回路の制御
方法において、 前記積算手段をコンデンサとし、 当該コンデンサの電圧を前記積算手段の出力値として電
力用スイッチング素子の制御入力端子電圧を制御するこ
とを特徴とするゲート駆動回路の制御方法。 - 【請求項11】 請求項9記載のゲート駆動回路の制御
方法において、 前記素子電流検出出力から引き去る一定電流の電流値を
設定可能とすることにより、前記電力用スイッチング素
子に流れる過電流を設定可能としたゲート駆動回路の制
御方法。 - 【請求項12】 請求項9記載のゲート駆動回路の制御
方法において、 前記制御手段を電界効果型能動素子として前記制御入力
端子電圧を制御することことを特徴とするゲート駆動回
路の制御方法。 - 【請求項13】 請求項12記載のゲート駆動回路の制
御方法において、 前記電界効果型能動素子に対して直列に電流制御型能動
素子を設け、 当該電流制御型能動素子により前記電界効果型能動素子
の増幅度の不足を補って電力用スイッチング素子の制御
入力端子電圧を制御することを特徴とするゲート駆動回
路の制御方法。 - 【請求項14】 請求項9記載のゲート駆動回路の制御
方法において、 前記制御手段によって前記制御入力端子電圧を制御する
とき、前記制御手段の電流導通を利用した通知手段によ
って制御の開始を通知するゲート駆動回路の制御方法。 - 【請求項15】 請求項9記載のゲート駆動回路の制御
方法において、 前記制御手段により前記制御入力端子電圧を制御した
後、 リセット手段により前記積算手段の出力値を0にリセッ
トして同様の動作を繰り返すゲート駆動回路の制御方
法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP11025700A JP2000224837A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | ゲート駆動回路及び当該ゲート駆動回路の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11025700A JP2000224837A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | ゲート駆動回路及び当該ゲート駆動回路の制御方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000224837A true JP2000224837A (ja) | 2000-08-11 |
Family
ID=12173073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11025700A Pending JP2000224837A (ja) | 1999-02-03 | 1999-02-03 | ゲート駆動回路及び当該ゲート駆動回路の制御方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005027328A1 (ja) * | 2003-09-10 | 2005-03-24 | Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation | ゲート駆動回路 |
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-
1999
- 1999-02-03 JP JP11025700A patent/JP2000224837A/ja active Pending
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